KR101524471B1 - Fixing Method of Probe Member Within Plunger and Pogo Pin Made Thereby - Google Patents

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KR101524471B1
KR101524471B1 KR1020130154721A KR20130154721A KR101524471B1 KR 101524471 B1 KR101524471 B1 KR 101524471B1 KR 1020130154721 A KR1020130154721 A KR 1020130154721A KR 20130154721 A KR20130154721 A KR 20130154721A KR 101524471 B1 KR101524471 B1 KR 101524471B1
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이병주
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Abstract

The present invention prevents foreign substances such as dust from being flowed into an empty space (E) and improves an assembling strength between a cylindrical plunger and a combination unit of an upper probe member by filling the empty space between the cylindrical plunger and the combination unit with a bonding material using solder paste when the combination unit of the upper probe member having a plate structure in a polygonal shape such as a rectangular parallelepiped is inserted into the cylindrical plunger which is hollowed. Moreover, a reliable test of a semiconductor device can be processed by using the upper probe member having the plate structure in a polygonal shape capable of increasing the contact reliability between the semiconductor device and a probe member for a pogo pin, and a rapid and accurate test of the semiconductor device can be processed in comparison with a traditional pogo pin structure thanks to the prevention of the inflow of the foreign substances and the increase of the assembling strength. The pogo pin structure comprises the upper probe member, a lower probe member, an elastic member, and the cylindrical plunger.

Description

포고핀용 탐침부재의 플런저 고정 방법 및 이러한 방법으로 제조된 포고핀 구조체{Fixing Method of Probe Member Within Plunger and Pogo Pin Made Thereby}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method for fixing a plunger of a probing member for a pogo pin, and a pogo pin structure made by such a method.

본 발명은 포고핀의 제조에 사용되는 탐침부재를 플런저에 고정하는 방법에 대한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스의 단자와 확실하게 접촉되어 전기적 도통 능력이 우수한 포고핀용 탐침부재의 좌우에 접합물질을 함께 사용하여 플런저에 밀착시켜 상기 플런저와 상기 탐침부재 사이의 빈공간을 채워줌으로써, 사용 중 오염물질에 의한 오염을 효과적으로 방지하는 방법과 이러한 방법으로 제조된 포고핀 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a method of fixing a probe member used for manufacturing a pogo pin to a plunger, and more particularly, to a method of fixing a probe electrode to a plunger by firmly contacting a terminal of a semiconductor device, The present invention relates to a method for effectively preventing contamination by contaminants during use by closely contacting the plunger with the plunger to fill a void space between the plunger and the probe member, and a pogo pin structure manufactured by such a method.

일반적으로 반도체 디바이스의 전기적 특성 검사를 위해서는 반도체 디바이스와 테스트 장치와의 전기적 연결이 안정적으로 이루어져야 하는데, 통상적으로 반도체 디바이스와 테스트 장치와의 연결을 위한 장치로서 테스트 소켓이 사용된다.Generally, in order to inspect the electrical characteristics of a semiconductor device, the electrical connection between the semiconductor device and the test apparatus must be stably performed. Typically, a test socket is used as a device for connecting the semiconductor device and the test apparatus.

이러한 테스트 소켓은 반도체 디바이스의 단자와 테스트장치의 패드를 서로 연결시켜 전기적인 신호가 양방향으로 교환 가능하게 하는 역할을 수행하며, 이를 위하여 테스트 소켓의 내부에 사용되는 전기 접촉수단으로 포고핀이 널리 사용된다. 이러한 포고핀은 내부에 스프링과 같은 탄성부재가 마련되어 있어서 반도체 디바이스와 테스트 장치와의 연결을 원할하게 하고, 연결시 발생할 수 있는 기계적인 충격을 완충할 수 있어 대부분의 테스트 소켓에서 널리 사용되고 있다.Such a test socket serves to connect the terminals of the semiconductor device and the pads of the test apparatus to each other to exchange electrical signals in both directions. For this purpose, the pogo pin is widely used as the electrical contact means used inside the test socket do. Such a pogo pin is provided with an elastic member such as a spring in the inside thereof, so that connection between the semiconductor device and the test apparatus is made easy and the mechanical impact that may occur during connection can be buffered, and thus it is widely used in most test sockets.

공개특허 제10-2011-0127010호에는 통상적인 포고핀의 구조가 제시되어 있으며 이를 참조하여 구체적으로 설명하면, 반도체 디바이스의 테스트를 위해 반도체 디바이스와 테스트 기판 사이를 전기적으로 연결하는 반도체 디바이스 테스트용 포고핀은, 양측으로 관통된 이동공간이 내부에 형성된 원통형 플런저와 도전성 재질로 만들어지고 상기 플런저의 상부와 하부에 삽입되어 그 일단이 각각 반도체 디바이스의 단자 또는 테스트 기판의 테스트 단자와 접촉하는 상부 탐침부재와 하부 탐침부재 및 플런저 내부에서 상기 상부 탐침부재와 하부 탐침부재의 사이에 위치하여 서로 멀어지는 방향으로 탄성력을 제공하는 탄성부재를 포함한다. The structure of a conventional pogo pin is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-2011-0127010. The pogo pin structure will be described in detail with reference to the accompanying drawings. A semiconductor device test pogo for electrically connecting a semiconductor device and a test substrate, The pins are made of a cylindrical plunger in which a moving space penetrating to both sides is formed and an upper probe member made of a conductive material and inserted into the upper and lower portions of the plunger so that one end thereof is in contact with a terminal of a semiconductor device or a test terminal of a test substrate, And an elastic member positioned between the upper probe member and the lower probe member in the lower probe member and the plunger and providing an elastic force in a direction away from the upper probe member and the lower probe member.

상기 하부 탐침 부재의 하부는 테스트 기판의 기판패드에 연결되고, 상기 상부 탐침 부재의 상부는 반도체 디바이스의 단자에 연결되며, 상부 및 하부 탐침 부재의 타단은 탄성부재를 통해서 원통형 플런저 내부에서 탄성부재인 스프링을 통해 전기적으로 접속된다.A lower portion of the lower probe member is connected to a substrate pad of a test substrate, an upper portion of the upper probe member is connected to a terminal of the semiconductor device, and the other end of the upper and lower probe members is connected to an elastic member And is electrically connected through a spring.

통상적으로 반도체 디바이스는 인서트에 삽입된 상태에서 하강하면서 상기 포고핀에 접촉되는데, 인서트가 하강하는 중에서 반도체 디바이스의 단자가 포고핀의 중앙에 위치하도록 하는데 많은 문제가 발생한다. 특히 최근에는 반도체 소자의 고집적화 및 미세화로 인해 반도체 디바이스 단자들의 크기 및 간격이 급격히 감소하고 있어, 반도체 디바이스의 단자의 중심이 포고핀의 중심(즉, 상부 탐침부재)과 동축을 이루면서 하강과 동시에 정확하게 접촉하도록 하는 것이 더욱 어려워지고 있으며, 반도체 디바이스 단자와 포고핀용 탐침부재의 접촉과 관련된 많은 불량이 발생하고 있다. Typically, the semiconductor device is in contact with the pogo pin while being lowered while being inserted into the insert. Many problems arise in that the terminal of the semiconductor device is positioned at the center of the pogo pin during the drop of the insert. Especially in recent years, the size and spacing of semiconductor device terminals are drastically reduced due to the high integration and miniaturization of semiconductor devices, so that the center of the terminal of the semiconductor device is coaxial with the center of the pogo pin (i.e., the upper probe member) Contact with the semiconductor device terminal and the probing member for the pogo pin has been causing many defects.

이러한 문제점을 해결하기 위해, 통상적인 첨점 구조를 갖는 원기둥 형태의 탐침 부재의 탐침부 구조와 모양을 변화시켜 중앙과 외곽의 탐침 높이를 달리한 다각형 형태의 탐침부를 갖는 상부 탐침부재를 사용하거나, 서로 다른 형태 또는 재질을 갖는 복수 개 이상의 탐침부를 일체로 연결하여 제조하기도 한다. 하지만, 이러한 탐침부의 모양과 형태를 변화시키거나, 서로 다른 복수의 탐침부를 갖는 상부 탐침 부재의 탐침판을 일체로 연결하기 위해서는 상기 탐침부 혹은 탐침판은 기판 부재 상에서 패터닝되어 제조될 수 밖에 없어, 통상의 원주 형태가 아닌 직육면체 또는 다각형 형태의 판상 구조를 갖게 된다.In order to solve this problem, it is possible to use an upper probe member having a polygonal probe portion with a different probe height at the center and an outer portion by changing the structure and shape of the probe portion of a cylindrical probe member having a common point structure, Or may be manufactured by integrally connecting a plurality of probe portions having different shapes or materials. However, in order to change the shape and the shape of the probe, or integrally connect the probe plates of the upper probe member having a plurality of different probes, the probe or the probe plate must be manufactured by patterning on the substrate member, It has a rectangular parallelepiped or polygonal plate-like structure which is not a normal cylindrical shape.

이러한 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재(10)가 포고핀에 적용될 경우, 속이 빈 원통형의 구조의 플런저(20)에 상기 상부 탐침부재의 결합부가 삽입되어, 플런저 내부에서 스프링과 같은 탄성 부재와 전기적으로 접촉되는데, 도 1a와 도 1b에 제시된 것처럼, 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)이 필연적으로 발생하게 된다. When the upper probe member 10 having a polygonal plate-like structure like this rectangular parallelepiped is applied to the pogo pin, the engaging portion of the upper probe member is inserted into the plunger 20 of the hollow cylindrical structure, And is in electrical contact with the same elastic member. As shown in Figs. 1A and 1B, an empty space E is inevitably generated between the cylindrical plunger and the engaging portion.

이러한 빈 공간(E)의 존재로 인해 반도체 소자의 테스트 과정에서 이물질이 유입되어 오작동과 같은 작동 불량을 일으킬 수 있으며, 반도체 디바이스에 대한 검사결과의 신뢰성이 떨어지는 문제점이 발생하게 된다. 특히 정전기를 포함하는 대기중의 먼지 성분이 포고핀 구조체 내로 유입될 경우, 비정상적인 전기신호를 발생하거나, 전기적 충격을 반도체 소자에 가할 수 있어 불량을 유발하는 심각한 문제가 발생하기도 한다. Due to the presence of the empty space (E), foreign substances may flow into the semiconductor device during a test process, resulting in malfunction such as malfunction, and reliability of the test result of the semiconductor device is deteriorated. Particularly, when dust particles contained in the air including static electricity are introduced into the pogo pin structure, abnormal electrical signals may be generated or electric shock may be applied to the semiconductor devices, thereby causing serious problems causing defects.

또한, 이러한 빈 공간(E)은 상부 탐침 부재의 결합부와 원통형 플런저 사이의 조립 또는 결합 강도에도 영향을 미쳐 사용 중 상기 상부 탐침 부재가 분리되는 불량을 야기하기도 한다.In addition, the empty space E also affects the assembly or coupling strength between the engaging portion of the upper probe member and the cylindrical plunger, resulting in defective separation of the upper probe member during use.

공개특허 제10-2011-0127010호Published patent application No. 10-2011-0127010

이에, 본 발명에서는 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 하여 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 구조의 플런저에 삽입될 때, 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)을 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채움으로써, 상기 빈 공간(E)으로 먼지와 같은 이물질이 유입되는 것을 방지하고, 상부 탐침 부재의 결합부와 원통형 플런저 사이의 조립 강도를 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.In order to solve the above problems, in the present invention, when an engaging portion of an upper probe member having a polygonal plate-like structure such as a rectangular parallelepiped is inserted into a plunger having a hollow cylindrical structure, an empty space between the cylindrical plunger and the engaging portion By filling the space E with a bonding material made of solder paste, it is possible to prevent foreign substances such as dust from entering into the hollow space E and improve the assembling strength between the engaging portion of the upper probe member and the cylindrical plunger Purpose.

또한, 반도체 디바이스 단자와 포고핀용 탐침부재와 접촉 신뢰성을 높일 수 있는 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재를 사용함으로써, 보다 신뢰성 있는 반도체 소자의 테스트를 진행할 수 있으면서 동시에 오염물의 유입 차단과 조립 강도의 향상으로 인해 종래의 포고핀 구조에 비해 신속하고 정확한 반도체 소자의 테스트를 진행하는 것을 또 다른 목적으로 하고 있다.Further, by using the upper probe member having a polygonal plate-like structure capable of enhancing the contact reliability with the semiconductor device terminal and the probe member for the pogo pin, it is possible to conduct testing of a more reliable semiconductor device, It is another object of the present invention to provide a method for testing semiconductor devices faster and more accurately than a conventional pogo pin structure.

본 발명의 반도체 디바이스의 검사 과정에서 사용되는 포고핀 구조체는, 탐침부와 결합부를 각각 갖는 상부 탐침부재 및 하부 탐침부재와, 탄성부재, 및 원통형 플런저를 포함한다. The pogo pin structure used in the inspection process of the semiconductor device of the present invention includes an upper probe member and a lower probe member each having a probe portion and a coupling portion, an elastic member, and a cylindrical plunger.

좀 더 자세하게는 본 발명의 포고핀 구조체는, 상기 상부 탐침부재는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다각형 형태의 탐침부와, 탄성부재와 연결되는 다각형 형태의 결합부를 포함하며, 원통형의 플런저 몸체의 상부와 하부에 각각 상기 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부와 하부 탐침부재의 결합부가 삽입되어, 상기 원통형 플런저 몸체의 내부에 위치된 상기 탄성 부재와 전기적으로 도통되며, 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채워진 구조이다.More specifically, the pogo pin structure of the present invention is characterized in that the upper probe member includes a polygonal probe portion in contact with a terminal of the semiconductor device, and a polygonal coupling portion connected to the elastic member, wherein the upper portion of the cylindrical plunger body And a connecting portion of the upper probe member and the lower probe member of the polygonal shape are respectively inserted into the cylindrical plunger body and the lower portion of the cylindrical plunger body to electrically communicate with the elastic member disposed inside the cylindrical plunger body, And the space between the coupling portions of the upper probe member is filled with the bonding material of the solder paste material.

본 발명의 포고핀 구조체에 사용되는 상부 탐침부재의 탐침부의 상단에는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들이 형성될 수 있는데, 상기 탐침들은, 탐침부의 상단 중앙에 배치되어 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 복수의 제1 탐침과, 상기 제1 탐침에 인접하여 배치되어 접촉되는 반도체 디바이스의 단자를 제1 탐침으로 안내하는 안내면이 포함된 제2 탐침을 포함하는 것이 바람직하다.A plurality of probes may be formed on the upper end of the probe portion of the upper probe member used in the pogo pin structure of the present invention to contact the terminals of the semiconductor device. The probes may be disposed at the upper center of the probe portion, And a second probe including a guide surface for guiding the terminal of the semiconductor device, which is disposed adjacent to the first probe and is in contact with the first probe, to the first probe.

또한, 상기 제2 탐침은 상기 상부 탐침부재의 탐침부 가장자리에 배치되어, 상기 제1 탐침을 사이에 두고 마주보도록 배치되며, 상기 제2 탐침의 돌출 높이는 상기 제1 탐침의 돌출 높이보다 높은 것이 바람직하다.It is preferable that the second probe is disposed at the edge of the probe of the upper probe member and is disposed to face the first probe and the protrusion height of the second probe is higher than the protrusion height of the first probe Do.

본 발명의 다른 실시 형태인 포고핀 구조체는, 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들이 형성된 제1 탐침부와, 상기 제1 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제1 결합부를 포함하는 제1 탐침판과, 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들이 형성된 제2 탐침부와, 상기 제2 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제2 결합부를 포함하는 제2 탐침판을 포함하는 상부 탐침 부재를 포함하며, 상기 제1 탐침부와 제2 탐침부의 구조와 재질은 서로 다르고, 상기 제1 판침판과 제2 탐침판은 서로 일체 구조로 연결되는 것이 바람직하다.According to another aspect of the present invention, there is provided a pogo pin structure including: a first probe having a plurality of probes formed thereon, the probes being in contact with a terminal of a semiconductor device; a first probe extending downward from the first probe to be inserted into the cylindrical plunger body, A second probe portion having a plurality of probes formed on an upper portion thereof to be in contact with a terminal of the semiconductor device; and a second probe portion extending downward from the second probe portion, And a second probe plate including a second probe plate inserted into the plunger body and coupled to the elastic member, wherein the structures and materials of the first probe unit and the second probe unit are different from each other, It is preferable that the first plate probe plate and the second probe plate are integrally connected to each other.

또한, 상기 제1 탐침판은 상기 제2 탐침판에 비해 경도가 높고, 상기 제2 탐침판은 상기 제1 탐침팜에 비해 전기전도성이 높으며, 상기 제1 탐침판의 탐침의 최상단의 높이는 상기 제2 탐침판의 탐침의 최상단 높이보다 높은 것이 바람직하다.Also, the first probe plate has a higher hardness than the second probe plate, the second probe plate has higher electrical conductivity than the first probe palm, and the height of the uppermost end of the probe of the first probe plate is higher than the height 2 < / RTI > probe tip of the probe plate.

본 발명의 포고핀 구조체에 사용될 수 있는 솔더 페이스트 재질의 접합물질은 Sn 또는 AgSn인 것이 바람직하다.The bonding material of the solder paste material that can be used in the pogo pin structure of the present invention is preferably Sn or AgSn.

본 발명의 또 다른 실시 형태로 이러한 구조를 갖는 포고핀 구조체의 제조 방법을 들 수 있으며, 본 발명의 포고핀 구조체를 제조하는 방법은, 다각형 형태의 모양을 갖는 탐침부와 결합부를 갖는 상부 탐침부재, 탐침부와 결합부를 갖는 하부 탐침부재, 및 탄성부재를 포함하는 포고핀 구조체를 준비하는 단계; 및 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계;를 포함한다.In another embodiment of the present invention, there is provided a method for producing a pogo pin structure having such a structure. The method for producing the pogo pin structure according to the present invention includes: a probe having a polygonal shape; Preparing a pogo pin structure including a lower probe member having a probe and an engaging portion, and an elastic member; And filling an empty space between the cylindrical plunger body and an engaging portion of the inserted polygonal upper probe member with a bonding material of a solder paste material.

좀 더 구체적으로, 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는, 상부 탐침부재의 결합부가 삽입될 원통형 플런저 몸체의 상부에 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 채우는 단계; 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 채워진 원통형 플런저 몸체의 상부에 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 단계; 및 열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 단계;를 포함할 수 있다. More specifically, filling the hollow space between the cylindrical plunger body and the engaging portion of the inserted polygonal upper probe member with the bonding material of the solder paste material may include filling the upper portion of the cylindrical plunger body Filling the solder paste material with a bonding material; Inserting an engaging portion of the upper probe member on the upper portion of the cylindrical plunger body filled with the bonding material of the solder paste; And a step of filling the bonding material of the solder paste material with the space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the polygonal upper probe member inserted through the heat treatment step without voids.

또한, 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는, 상부 탐침부재의 결합부와 동일한 모양의 솔더 페이스트 재질의 접합판을 준비하는 단계; 상기 접합판을 상기 상부 탐침부재의 결합부의 최외곽부와 결합하는 단계; 원통형 플런저 몸체의 상부에 상기 접합판이 결합된 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 단계; 및 열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 단계;를 포함할 수도 있다. The step of filling the void space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the inserted polygonal upper probe member with the bonding material of the solder paste material may include the step of joining the joining plate of the solder paste material having the same shape as the joining portion of the upper probe member, ; Coupling the joining plate with an outermost portion of an engaging portion of the upper probing member; Inserting an engaging portion of an upper probe member having the joining plate coupled thereto on an upper portion of a cylindrical plunger body; And a step of filling the bonding material of the solder paste material with the space between the cylindrical plunger body and the joining portions of the polygonal upper probe member inserted through the heat treatment step without voids.

상기 포고핀 구조체를 준비하는 단계는, 상기 상부 탐침부재의 탐침부의 상단에는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 것이 바람직하고, 상기 탐침들은, 탐침부의 상단 중앙에 배치되어 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 복수의 제1 탐침과, 상기 제1 탐침에 인접하여 배치되어 접촉되는 반도체 디바이스의 단자를 제1 탐침으로 안내하는 안내면이 포함된 제2 탐침을 포함하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이때 상기 제2 탐침은 상기 상부 탐침부재의 탐침부 가장자리에 배치되어, 상기 제1 탐침을 사이에 두고 마주보도록 배치되는 것이 바람직하며, 상기 제2 탐침의 돌출 높이는 상기 제1 탐침의 돌출 높이보다 높은 것이 바람직하다.Preferably, the step of preparing the pogo pin structure further comprises forming a plurality of probes in contact with the terminals of the semiconductor device at the upper end of the probes of the upper probes, A plurality of first probes disposed in contact with the terminals of the semiconductor device and a second probe disposed adjacent to the first probe and including a guide surface for guiding the terminals of the semiconductor device in contact with the first probe, . Preferably, the second probe is disposed at the edge of the probe of the upper probe member and is disposed to face the first probe, and the protrusion height of the second probe is higher than the protrusion height of the first probe .

본 발명의 따른 포고핀 구조체를 제조하는 또 다른 방법으로는, 상기 포고핀 구조체를 준비하는 단계가, 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제1 탐침부와, 상기 제1 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제1 결합부를 포함하는 제1 탐침판을 준비하는 단계; 및 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제2 탐침부와, 상기 제2 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제2 결합부를 포함하는 제2 탐침판을 준비하는 단계;를 포함할 수 있으며, 상기 제1 탐침부와 제2 탐침부의 구조와 재질은 서로 다르며, 상기 제1 판침판과 제2 탐침판은 서로 일체구조로 연결되는 것이 바람직하다. In another method of manufacturing the pogo pin structure according to the present invention, the step of preparing the pogo pin structure includes a first probe portion having a probe contacting the terminal of the semiconductor device, Preparing a first probe plate extending downward and inserted into the cylindrical plunger body, the first probe plate including a first coupling portion coupled with the elastic member; And a second engaging portion extending downward from the second probe portion and inserted into the cylindrical plunger body and being engaged with the elastic member, wherein the second probe portion has a probe contacting the terminal of the semiconductor device, 2 probe plate, wherein the structure of the first probe unit and the second probe unit are different from each other, and the first plate electrode plate and the second probe plate are integrally connected to each other Do.

이때에도 상기 제1 탐침판은 상기 제2 탐침판에 비해 경도가 높고, 상기 제2 탐침판은 상기 제1 탐침팜에 비해 전기전도성이 높으며, 상기 제1 탐침판의 탐침의 최상단의 높이는 상기 제2 탐침판의 탐침의 최상단 높이보다 높은 것이 바람직하다.In this case, the first probe plate has a higher hardness than the second probe plate, the second probe plate has higher electrical conductivity than the first probe palm, and the height of the uppermost tip of the probe of the first probe plate, 2 < / RTI > probe tip of the probe plate.

본 발명은 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재를 사용함으로써, 상기 상부 탐침 부재가 정확하게 반도체 소자의 단자들과 접촉할 수 있으며, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 구조의 플런저에 삽입될 때, 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)을 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채워줌으로써, 빈 공간(E)으로 먼지와 같은 이물질이 유입되는 것이 방지되며, 상부 탐침 부재의 결합부와 원통형 플런저 사이의 조립 강도가 향상되는 효과가 있다.By using the upper probe member having a polygonal plate-like structure such as a rectangular parallelepiped, the upper probe member can be brought into contact with the terminals of the semiconductor element accurately, and the coupling portion of the upper probe member can be inserted into the hollow cylindrical plunger The foreign matter such as dust is prevented from being introduced into the hollow space E by filling the hollow space E between the cylindrical plunger and the coupling part with the bonding material of the solder paste material, And the assembly strength between the part and the cylindrical plunger is improved.

또한, 반도체 디바이스 단자와 포고핀용 탐침부재와 접촉 신뢰성을 높일 수 있는 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재를 사용함으로써, 보다 신뢰성 있는 반도체 소자의 테스트를 진행할 수 있으면서도, 오염물의 유입 차단과 조립 강도의 향상으로 인해 신속하고 정확한 반도체 소자의 테스트를 진행할 수 있는 효과가 있다.Further, by using the upper probe member having a polygonal plate-like structure capable of increasing the contact reliability with the semiconductor device terminal and the probe member for the pogo pin, it is possible to test the semiconductor device more reliably, The semiconductor device can be tested quickly and accurately.

도 1(a)는 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재(10)의 결합부가 속이 빈 원통형의 구조의 플런저(20)에 삽입될 때, 발생하는 빈 공간(E)이 발생하는 예를 나타내는 사시도이며, 도 1(b)는 위에서 내려다본 형태를 도식적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예인 이중 탐침 구조를 갖는 상부 탐침부재 구조와 이를 포함하는 포고핀 구조체를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예의 일체화된 탐침판 형태의 상부 탐침 부재의 구조과 이를 포함하는 포고핀 구조체를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 상부 탐침부재의 결합부와 원통형 플런저 사이의 빈 공간(E)이 솔더 페이스트 재질의 접합물질(900)로 채워진 것을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 접합물질(900)을 채우는 과정을 도식적으로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 접합물질(900)을 접합판(800)의 형태로 포고핀용 탐침부재의 결합부와 결합된 모습을 도식적으로 나타낸 것이다.FIG. 1 (a) is a view showing a state in which an empty space E generated when the engaging portion of the upper probe member 10 having a polygonal plate-like structure like a rectangular parallelepiped is inserted into the hollow cylindrical plunger 20 Fig. 1 (b) is a perspective view showing a top down view. Fig.
FIG. 2 illustrates a top probe member structure having a double probe structure and a pogo pin structure including the same according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 illustrates a structure of an upper probe member in the form of an integrated probe plate according to another embodiment of the present invention and a pogo pin structure including the same.
FIG. 4 is a view showing that the empty space E between the coupling portion of the upper probe member and the cylindrical plunger is filled with the bonding material 900 of the solder paste material according to the embodiment of the present invention.
5 is a schematic diagram illustrating a process of filling a bonding material 900 according to an embodiment of the present invention.
6 is a schematic view illustrating a bonding material 900 according to another embodiment of the present invention in the form of a bonding plate 800, which is coupled with a bonding portion of a probe member for a pogo pin.

이하에서는, 본 발명의 포고핀 구조체, 특히 반도체 디바이스 단자와 포고핀용 탐침부재와 접촉 신뢰성을 높일 수 있는 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 구조와, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 구조의 플런저에 삽입될 때 발생하는 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)을 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채워주는 방법과 이러한 방법으로 제조된 포고핀 구조체에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the structure of the upper probe member having the polygonal plate-like structure capable of enhancing contact reliability with the pogo pin structure of the present invention, particularly the semiconductor device terminal and the probe member for the pogo pin, and the structure of the upper probe member, A method of filling a hollow space E between a cylindrical plunger and a coupling part generated by insertion into a plunger of a structure with a bonding material of a solder paste material and a pogo pin structure manufactured by this method will be described with reference to the embodiments and drawings Will be described in detail.

본 발명은 다음에서 상술되는 특정의 실시예 및 설명에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능하며, 그와 같은 변형 역시 본 발명의 보호범위 내에 있게 된다.
It is to be understood that the invention is not limited to the particular embodiments and descriptions described hereinafter and that various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the invention as claimed in the appended claims. And such variations are also within the scope of protection of the present invention.

이중 탐침 구조를 갖는 상부 Top with double probe structure 탐침부재를The probe member 포함하는  Included 포고핀용For Pogo Pins 구조체 Structure

본 발명의 일 실시예에 따른 포고핀 구조체에 사용되는 포고핀용 상부 탐침부재(110)는, 반도체 디바이스(150)의 검사를 위하여 사용되는 것으로서, 적어도 일부(결합부)가 원통형 플런저(120) 내에 삽입되어 탄성부재(130)에 의하여 지지되고 상단이 반도체 디바이스(150)의 단자(151)와 접촉된다. The upper probe member 110 for a pogo pin used in the pogo pin structure according to an embodiment of the present invention is used for inspecting the semiconductor device 150 and includes at least a portion And is held by the elastic member 130 and the upper end thereof is contacted with the terminal 151 of the semiconductor device 150. [

이러한 포고핀용 상부 탐침부재(110)는, 탐침부(111)와 결합부재(115)로 구성되고, 상기 탐침부(111)는, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)와 접촉되는 다수의 탐침들이 상단에 마련되며, 제1탐침(112)과 제2탐침(113)으로 구성된다.The upper probe member 110 for the pogo pin is composed of a probe unit 111 and a coupling member 115. The probe unit 111 includes a plurality of probes 111 which are in contact with the terminals 151 of the semiconductor device 150, And a first probe 112 and a second probe 113.

상기 제1탐침(112)은, 도 2의 구조에서 확인할 수 있듯이, 탐침부(111)의 상단 중앙에 배치되는 것으로서 거의 동일한 높이를 가지면서 수평방향으로 배열되어 있게 된다. 각각의 제1탐침(112)은 대략 삼각형의 형상을 가지는 것을 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며 사다리꼴 또는 사각형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1탐침(112)은 각각이 삼각형의 단면형상을 가지면서 수평방향으로 연장되는 되고, 전기전도성이 우수하면서 견고한 니켈 합금소재로 이루어질 수 있다. 니켈 합금소재의 예로 니켈-코발트를 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라서 다양한 소재가 사용될 수 있다.2, the first probe 112 is disposed at the upper center of the probe 111 and has substantially the same height and is arranged in the horizontal direction. Each first probe 112 preferably has a substantially triangular shape, but is not limited thereto, and may have various shapes such as a trapezoid or a square. Each of the first probes 112 may have a triangular cross-sectional shape and extend in the horizontal direction. The first probes 112 may be made of a nickel alloy material having a good electrical conductivity and a high rigidity. Examples of the nickel alloy material include nickel-cobalt, but not limited thereto, and various materials may be used as needed.

상기 제2탐침(113)은, 상기 제1탐침(112)과 인접하여 배치되고 접촉되는 반도체 디바이스(150)의 단자(151)를 제1탐침(112)을 향하도록 안내할 수 있는 안내면(113a)이 마련되며, 상기 안내면(113a)은 제1탐침(112)를 향해 테이퍼진 경사면의 형상을 갖는다.The second probe 113 includes a guide surface 113a capable of guiding the terminal 151 of the semiconductor device 150 disposed adjacent to and in contact with the first probe 112 toward the first probe 112 And the guide surface 113a has the shape of an inclined surface tapered toward the first probe 112.

이때, 제2탐침(113)의 돌출높이(s2)는 상기 제1탐침(112)의 돌출높이(s1)에 비하여 높게 형성되고, 상기 제2탐침(113)은 상기 제1탐침(112)을 사이에 두고 마주보도록 한 쌍이 배치된다. 즉, 제2탐침(113)은 탐침부(111)의 상단 가장자리에 한 쌍이 배치되고, 상기 제2탐침(113)은 경사진 안내면(113a)이 제1탐침(112)을 향하도록 배치되며 바깥쪽은 수직한 면을 가진 직삼각형의 단면형상을 가질 수 있다. 이러한 제2탐침(113)은 수평방향을 따라서 연장되어 있다. 즉, 제1탐침(112)과 동일한 방향으로 연장되어 있게 된다.At this time, the protrusion height s2 of the second probe 113 is higher than the protrusion height s1 of the first probe 112, and the second probe 113 is formed such that the first probe 112 As shown in FIG. That is, a pair of second probes 113 are arranged at the upper edge of the probe 111, and the second probe 113 is disposed such that the inclined guide surface 113a faces the first probe 112, Can have a cross-sectional shape of an equilateral triangle having a vertical plane. The second probe 113 extends along the horizontal direction. In other words, it extends in the same direction as the first probe 112.

필요에 따라 상기 제1탐침(112)과 제2탐침(113)의 사이에는 상기 제1탐침(112)의 돌출높이(s1)보다는 높고 제2탐침(113)의 돌출높이(s2)보다는 낮은 돌출높이(s3)를 가지는 제3탐침(114)이 배치될 수도 있다.A protrusion height s1 greater than the protrusion height s1 of the first probe 112 and a protrusion height s2 less than the protrusion height s2 of the second probe 113 are provided between the first probe 112 and the second probe 113, A third probe 114 having a height s3 may be disposed.

본 발명의 포고핀용 상부 탐침부재(110)의 결합부(115)는, 상기 탐침부(111)로부터 하측으로 연장되며 원통형 플런저(120)의 내부에 삽입되어 결합된다. 이러한 결합부(115)는, 중간에 내측으로 오목하게 패여진 오목부가 마련되어, 상기 오목부에 원통형 플런저 몸체의 일부가 내측으로 오므려져서 고정 결합된다.The engaging portion 115 of the upper probe member 110 for pogo pin of the present invention extends downward from the probe portion 111 and is inserted into the cylindrical plunger 120 to be coupled thereto. The engaging portion 115 is provided with a depressed portion depressed inwardly in the middle, and a part of the cylindrical plunger body is engaged with the recessed portion and fixedly coupled.

이때, 상기 결합부재와 원통형 플런저 사이에는, 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 구조와, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 플런저 구조의 차이로 인해 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)이 발생하게 된다.At this time, between the coupling member and the cylindrical plunger, the structure of the upper probe member having the polygonal plate-like structure and the gap between the cylindrical plunger and the coupling portion due to the difference in the cylindrical plunger structure, (E) occurs.

이처럼 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재를 사용할 경우에는, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)의 중심이 포고핀용 탐침부재(110)의 중심과 일치하지 않고 수평방향으로 이동된 상태에서 하강할 때에는, 제2탐침(113)에 먼저 반도체 디바이스(150)의 단자(151)가 접촉하게 되고, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)가 추가적으로 하강하면 되면, 제2탐침(113)의 안내면(113a)을 따라서 반도체 디바이스(150)의 단자(151)가 탐침부(111)의 중심을 향하여 안내하게 되므로, 탐침부(111)의 상단 중앙에 배치되는 제1탐침(112)과 확실하게 접촉될 수 있다. 이때, 제1탐침(112)은 다수의 요철형상을 구성되어 있기 때문에, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)들이 복수 탐침과 확실하게 접촉될 수 있게 되어, 반도체 디바이스의 단자가 포고핀의 중심과는 수평방향으로 이격된 상태에서 하강하는 경우에도 포고핀의 중앙으로 안내되어 복수의 제1탐침과 접촉됨으로서 다수의 접점에서 확실하게 접촉될 수 있게 되어 검사의 신뢰성을 확보할 수 있다.When the upper probe member having a polygonal plate-like structure is used, the center of the terminal 151 of the semiconductor device 150 does not coincide with the center of the probing member 110 for the pogo pin, The terminal 151 of the semiconductor device 150 is first brought into contact with the second probe 113 and the terminal 151 of the semiconductor device 150 is further lowered, The terminal 151 of the semiconductor device 150 is guided toward the center of the probe 111 along the first probe 113a so that the probe 151 can be reliably brought into contact with the first probe 112 disposed at the upper center of the probe 111 . Since the terminals 151 of the semiconductor device 150 can be reliably contacted with the plurality of probes, the terminals of the semiconductor device can be electrically connected to the center of the pogo pin Even when it is lowered in a state of being separated in the horizontal direction, it is guided to the center of the pogo pin so as to be in contact with the plurality of first probes, so that it can be reliably contacted at a plurality of contacts.

하지만, 앞서 언급한 것처럼 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 구조와, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 플런저 구조의 차이로 인해 빈 공간(E)의 발생이 필연적이며, 이러한 빈 공간으로 인해 이물질이 유입되는 등의 문제점이 발생하게 된다.
However, as described above, the void space E is inevitably generated due to the difference in the structure of the upper probe member having the polygonal plate-like plate-like structure and the cylindrical plunger structure in which the coupling portion of the upper probe member is hollow. Thereby causing a problem such that foreign substances are introduced into the apparatus.

일체화된 탐침 구조를 갖는 상부 An upper portion with an integrated probe structure 탐침부재를The probe member 포함하는  Included 포고핀용For Pogo Pins 구조체 Structure

본 발명의 다른 실시 형태인 포고핀용 상부 탐침부재(310)는, 탐침부와 결합부로 구성된 복수의 탐침판이 서로 일체화되어 부착된 구조이다. 구체적으로 도 3을 참조하여 설명하면, 각각의 탐침판은 탐침부와 결합부를 포함하고, 서로 다른 형상을 갖는 탐침판들이 서로 일체화되어 부착됨으로써, 본 발명의 포고핀 구조체에 사용되는 상부 탐침부재(310)을 형성하게 된다. 이때 탐침판은 대략 얇은 판 형상을 가지게 되고, 이들이 일체화된 상부 탐침부재(310) 역시 다각형 형태의 판상 구조를 갖는다. The upper probe member 310 for a pogo pin according to another embodiment of the present invention is a structure in which a plurality of probe plates composed of a probe portion and a coupling portion are integrally attached to each other. Specifically, referring to FIG. 3, each of the probe plates includes a probing portion and a coupling portion, and probe plates having different shapes are integrally attached to each other, so that the upper probe member used in the pogo pin structure of the present invention 310 are formed. At this time, the probe plate has a substantially thin plate shape, and the upper probe member 310, which is integrated with the probe, has a polygonal plate-like structure.

구체적으로, 탐침판(311)을 각각 구분하여 설명하면 다음과 같다. 예컨대, 도 3의 포고핀용 탐침부재(310)에서, 가장 전방에 위치하고 있는 탐침판(311)을 제1탐침판(312)이라고 하고, 그 뒤에 배치되는 탐침판(311)을 각각 제2탐침판(313), 제3탐침판(314), 제4탐침판(315), 제5탐침판(316)이라 한다면, 각각의 탐침판은 다음과 같은 특징을 가진다.Specifically, the probe plate 311 will be separately described as follows. For example, in the probing member 310 for a pogo pin in Fig. 3, the probe plate 311 positioned at the frontmost position is referred to as a first probe plate 312, and the probe plate 311 disposed behind the probe plate 311 is referred to as a second probe plate The second probe plate 313, the third probe plate 314, the fourth probe plate 315, and the fifth probe plate 316, each probe plate has the following features.

먼저, 제1탐침판(312)은, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)와 접촉되는 탐침이 상단에 마련되어 있는 제1탐침부(312a)와, 상기 제1탐침부(312a)로부터 하측으로 연장되어 원통형 플런저(320) 몸체 내에 삽입됨으로써 원통형 플런저(320)의 몸체에 결합되는 제1결합부(312b)를 포함한다. 구체적으로 제1탐침판(312)은, 얇은 판의 형태로 구성되며 제1탐침부(312a)는 사각형상으로 상부가 2개의 요철이 마련되어 있는 형상을 가지고, 상기 제1결합부(312b)는, 상기 제1탐침부(312a)로부터 하측으로 연장되어 상기 제1탐침부(312a)보다 좌우폭이 좁은 직사각형의 형상을 갖는다.The first probe plate 312 includes a first probe portion 312a provided at the upper end of the probe in contact with the terminal 151 of the semiconductor device 150 and a second probe portion 312b disposed below the first probe portion 312a And a first engaging portion 312b that is extended and inserted into the cylindrical plunger 320 body to be coupled to the body of the cylindrical plunger 320. [ Specifically, the first probe plate 312 is formed in the form of a thin plate, and the first probe portion 312a has a rectangular shape and the upper portion has two concavities and convexities. The first coupling portion 312b And has a rectangular shape extending downward from the first probe portion 312a and narrower in width than the first probe portion 312a.

또한, 상기 제2탐침판(313)은, 상기 제1탐침판(312)과 인접하여 일체로 부착되어 있으며, 제2탐침부(313a)와 제2결합부(313b)를 포함한다. 상기 제2탐침판(313)의 제2탐침부(313a)는, 상기 반도체 디바이스(150)의 단자(151)와 접촉되는 탐침이 상단에 마련되고 상기 제1탐침부(312a)와는 다른 형상을 갖는다. 구체적으로 상기 제2탐침부(313a)는, 상기 제1탐침부(312a)에 비하여 좌우폭이 넓으면서 단일의 요철을 가지도록 구성된다. 이때, 제2탐침부(313a)는 단일의 탐침을 구비하며, 제2탐침부(313a)의 두께는 제1탐침부(312a)의 두께보다 두껍게 구성된다. The second probe plate 313 is integrally attached adjacent to the first probe plate 312 and includes a second probe portion 313a and a second coupling portion 313b. The second probe portion 313a of the second probe plate 313 is provided at the upper end with a probe which is in contact with the terminal 151 of the semiconductor device 150 and has a shape different from that of the first probe portion 312a . Specifically, the second probe portion 313a is configured to have a single unevenness with a wider width than the first probe portion 312a. At this time, the second probe portion 313a has a single probe, and the thickness of the second probe portion 313a is made thicker than the thickness of the first probe portion 312a.

상기 제2결합부(313b)는, 상기 제2탐침부(313a)로부터 하측으로 연장되며 상기 원통형 플런저(320) 몸체 내에 삽입되어 상기 원통형 플런저(320) 몸체에 결합된다. 이러한 제2결합부(313b)는 상기 제2탐침부(313a)보다 좌우 폭이 좁은 직사각형의 형상을 가지며, 상기 제2결합부(313b)의 좌우 폭은 상기 제1결합부(312b)의 좌우 폭보다 넓다.The second coupling portion 313b extends downward from the second probe portion 313a and is inserted into the cylindrical plunger 320 and is coupled to the cylindrical plunger 320 body. The second engaging portion 313b has a rectangular shape that is narrower in width than the second probe portion 313a and the left and right widths of the second engaging portion 313b are smaller than the left and right widths of the first engaging portion 312b Wider than width.

제3탐침판(314)은, 얇은 판의 형태로 구성되며 제3탐침부(314a)와 제3결합부(314b)를 포함하며, 이러한 제3탐침부(314a)는 상기 제2탐침부(313a)와 인접하여 배치되고, 상기 제2탐침부(313a)를 사이에 두고 상기 제1탐침부(312a)의 반대편에 배치된다. 상기 제3탐침부(314a)는, 제2탐침부(313a)와는 다른 형상을 가질 수 있으며, 제3탐침부(314a)의 두께도 상기 제2탐침부(313a)보다 두껍고 탐침을 구성하는 요철의 형상 및 탐침의 개수도 상이하도록 형성된다. The third probe plate 314 is formed in the form of a thin plate and includes a third probe portion 314a and a third probe portion 314b. The third probe portion 314a is connected to the second probe portion 313a and is disposed on the opposite side of the first probe portion 312a with the second probe portion 313a interposed therebetween. The third probe portion 314a may have a shape different from that of the second probe portion 313a and the third probe portion 314a may be thicker than the second probe portion 313a, And the number of probes is also different.

상기 제3결합부(314b)는, 상기 제3탐침부(314a)로부터 하측으로 연장되며 상기 원통형 플런저(320)몸체 내에 삽입되어 상기 원통형 플런저(320) 몸체에 결합되며, 상기 제3결합부(314b)는 상기 제3탐침부(314a)의 좌우폭보다 작은 폭을 갖는다.The third coupling portion 314b extends downward from the third probe portion 314a and is inserted into the cylindrical plunger 320 to be coupled to the body of the cylindrical plunger 320, 314b have a smaller width than the width of the third probe portion 314a.

제4탐침판(315)은 제4탐침부와 제4결합부를 포함하고, 제5탐침판(316)은 제5탐침부와 제5결합부를 포함하며, 구체적인 사항은 앞서 상술한 구성들과 유사하므로 생략하기로 한다.The fourth probe plate 315 includes a fourth probe unit and a fourth coupling unit, and the fifth probe plate 316 includes a fifth probe unit and a fifth coupling unit. The details of the fourth probe plate 315 are similar to those described above It will be omitted.

한편, 상기 제1탐침판(312)과 제2탐침판(313)은 서로 다른 형상을 가짐은 물론, 서로 다른 소재로 구성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1탐침부(312a)는 니켈합금을 포함한 고경도의 소재로 구성될 수 있으며, 제2탐침부(313a)는 금, 은, 구리 등과 같은 전도성이 우수한 금속소재로 구성될 수 있다. 이와 같이 제1탐침판(312)과 제2탐침판(313)의 소재를 달리하면 반도체 디바이스(150)의 단자(151)의 표면에 산화막과 같은 이물질이 뭍어있는 경우 제1탐침부(312a)는 그 산화막을 깨뜨리는 기능을 수행하고 제2탐침부(313a)는 우수한 전도성을 구현할 수 있다. 물론, 제1탐침판(112) 역시 전기전도의 기능도 수행할 수 있음은 당연하다 할 것이다. 또한, 제3탐침부(314a)는 제2탐침부(313a)보다 경도가 높은 고경도의 소재로 이루어질 수 있으며, 제4탐침부는 전도성이 우수한 재질이 사용될 수 있다. 즉, 고경도의 소재와 전도성이 우수한 소재가 서로 교대로 반복되도록 구성될 수 있으며, 각 탐침판(311)의 탐침의 수가 각각 다른 경우에는 탐침들이 서로 동일선상에 위치하지 않고 서로 지그재그 형태로 구성될 수도 있다. The first probe plate 312 and the second probe plate 313 may have different shapes and may be made of different materials. For example, the first probe portion 312a may be made of a high-hardness material including a nickel alloy, and the second probe portion 313a may be made of a metal material having excellent conductivity such as gold, silver, . When the first probing plate 312 and the second probing plate 313 are different in material from each other, if foreign substances such as an oxide film are applied on the surface of the terminal 151 of the semiconductor device 150, And the second probe unit 313a can realize excellent conductivity. Of course, it goes without saying that the first probe plate 112 can also function as an electrical conduction. The third probe portion 314a may be made of a material having a hardness higher than that of the second probe portion 313a, and a material having excellent conductivity may be used as the fourth probe portion. In other words, when the number of probes of each probe plate 311 is different, probes may be arranged in a zigzag form instead of being arranged on the same line. .

이러한 구조를 갖는 본 실시예 2의 포고핀용 상부 탐침부재(310)를 포함하는 전체적인 포고핀 구조체(300)에 대해서 설명하고자 한다. 본 발명의 포고핀은 상술한 포고핀용 상부 탐침부재(310)와, 원통형의 플런저(320)와, 상기 원통형의 플런저(320) 몸체 내에 배치되며 상기 포고핀용 상부 탐침부재(310)를 상측을 향하여 탄성 바이어스시키는 탄성부재(330)와, 상기 원통형 플런저(320) 몸체의 하부 개구를 통하여 적어도 일부가 돌출되며 상기 탄성부재(330)에 의하여 지지되는 하부 탐침부재(340)를 포함하여 구성된다. The overall pogo pin structure 300 including the upper probe member 310 for pogo pins according to the second embodiment having such a structure will now be described. The pogo pin of the present invention includes the upper probe member 310 for the pogo pin, the cylindrical plunger 320, and the upper probe member 310 for the pogo pin, which are disposed in the body of the cylindrical plunger 320, And a lower probe member 340 at least partially protruding through the lower opening of the cylindrical plunger 320 and supported by the elastic member 330. The elastic member 330 is formed of a synthetic resin.

본 실시예에 따른 포고핀용 상부 탐침부재(310)는, 반도체 디바이스(150)의 단자(151)가 하강하여 사상부 탐침부재(310)에 접촉하게 되면, 단자(151)는 탐침부재의 복수의 탐침에 효과적으로 접촉하게 되고, 복수의 탐침판이 일체화되어 구성된 본 발명의 탐침부재는 설계자의 의도에 따라서 탐침의 형상 및 위치를 자유롭게 구현할 수 있어서 설계조건에 맞는 최적의 접촉형태를 가질 수 있다. 또한, 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침판의 소재 또는 재질을 서로 다르게 설계함으로써, 어느 탐침은 주로 단자에 묻어있는 이물질을 제거하는 기능을 수행하고, 다른 탐침은 단자에 접촉하여 전기적 전도성을 높이게 되는 기능을 수행함으로써, 전기전도도와 경도를 모두 높일 수 있는 장점을 갖는다.The upper probe member 310 for pogo pins according to the present embodiment is configured such that when the terminal 151 of the semiconductor device 150 is lowered and contacts the mapped probe member 310, The probe of the present invention constituted by integrating a plurality of probe plates which are brought into contact with the probes effectively can freely implement the shape and position of the probes according to the intention of the designer and thus can have an optimal contact shape meeting the design conditions. In addition, by designing the material or material of the probe plate in contact with the terminals of the semiconductor device to be different from each other, a probe performs a function of mainly removing foreign substances on the terminals, and the other probe contacts the terminals to increase the electrical conductivity Function, it has an advantage that both electric conductivity and hardness can be increased.

하지만, 앞서 실시예 1에서 언급한 것처럼, 실시예 2의 경우에도 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 구조와, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형의 플런저 구조의 차이로 인해 빈 공간(E)의 발생이 필연적이며, 이러한 빈 공간으로 인해 이물질이 유입되는 등의 문제점이 발생하게 된다.
However, as described in the first embodiment, the structure of the upper probe member having the polygonal plate-like structure and the coupling portion of the upper probe member are different from each other due to the difference in the cylindrical plunger structure, E) is inevitably generated, and problems such as the inflow of foreign matter due to the empty space occur.

앞서 실시예 1과 실시예 2에서 언급하였듯이, 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재의 구조와, 상부 탐침부재의 결합부가 속이 빈 원통형 플런저 구조의 차이로 인해 플런저와 결합부 사이에는 빈 공간(E)이 필연적으로 발생하게 되므로(도 1a와 도 1b 참조), 이러한 빈 공간(E)을 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 사용하여 채워주는 것을 기술적 특징으로 한다(도 4 참조). As described in Embodiments 1 and 2, due to the difference in the structure of the upper probe member having a polygonal plate-like structure and the cylindrical plunger structure in which the coupling portion of the upper probe member is hollow, (See FIGS. 1A and 1B), the void space E is filled with a bonding material of a solder paste (see FIG. 4).

먼저, 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 사용하여 빈 공간을 채워주는 방법의 일 실시예는, 다각형 형태의 모양을 갖는 탐침부와 결합부를 갖는 실시예 1 또는 실시예 2의 상부 탐침부재와, 하부 탐침부재, 및 탄성부재를 포함하는 포고핀 구조체를 준비하는 단계(S100); 및 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질(900)로 채우는 단계(S300);를 포함하며, 이러한 방법으로 빈 공간(E)이 채워진 결합 형태는 도4에 도식적으로 제시되어 있다.An embodiment of a method of filling a hollow space using a bonding material made of a solder paste includes an upper probe member of Embodiment 1 or Embodiment 2 having a probe portion having a polygonal shape and a coupling portion, (S100) of preparing a pogo pin structure including a member, an elastic member, and an elastic member; And a step S300 of filling an empty space between the cylindrical plunger body and an engaging portion of the inserted polygonal upper probe member with a bonding material 900 of a solder paste material, This filled-in coupling pattern is schematically shown in FIG.

상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는, 상부 탐침부재의 결합부가 삽입될 원통형 플런저 몸체의 상부에 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 채우는 제1 단계(S200); 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 채워진 원통형 플런저 몸체의 상부에 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 제2 단계; 및 열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 제3 단계;를 포함한다. The filling of the hollow space between the cylindrical plunger body and the engaging portion of the inserted polygonal upper probe member with the bonding material of the solder paste material may be performed by forming a solder paste material on the upper portion of the cylindrical plunger body into which the engaging portion of the upper probe member is to be inserted A first step (S200) of filling the bonding material; A second step of inserting an engaging portion of the upper probe into the upper portion of the cylindrical plunger body filled with the bonding material of the solder paste; And a third step of filling the bonding material of the solder paste material through the heat treatment step between the cylindrical plunger body and the joining portions of the polygonal upper probe member inserted without voids.

이러한 방법으로 빈 공간(E)을 채워주게 되면, 반도체 소자의 테스트 과정에서 유입된 이물질에 의한 오작동과 같은 작동 불량을 방지할 수 있으며, 반도체 디바이스에 대한 검사결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.If the empty space E is filled in this manner, it is possible to prevent malfunctions such as malfunctions caused by foreign substances introduced during the test of the semiconductor device, and to improve the reliability of the inspection result on the semiconductor device.

이때 사용되는 솔더 페이스트 재질의 접합물질은, 특별히 한정되지 아니하나, Sn 또는 AgSn를 사용하는 것이 바람직하며, 상기 열처리 단계는 약 100~500 ℃의 범위로 수행되는 것이 바람직하다.
The bonding material of the solder paste used herein is not particularly limited, but Sn or AgSn is preferably used, and the heat treatment is preferably performed at a temperature of about 100 to 500 ° C.

본 발명의 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 사용하여 빈 공간을 채워주는 방법의 또다른 실시 형태로, 상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는, 상부 탐침부재의 결합부와 동일한 모양의 솔더 페이스트 재질의 접합판(800)을 준비하는 제1 단계; 상기 접합판을 상기 상부 탐침부재의 결합부와 결합하는 제2 단계; 원통형 플런저 몸체의 상부에 상기 접합판이 결합된 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 제3 단계; 및 열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 제4 단계;를 통해서 수행될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the hollow space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the inserted polygonal upper probe member is made of a solder paste material The step of filling with the bonding material may include a first step of preparing a bonding plate 800 of a solder paste material having the same shape as the bonding portion of the upper probe member; A second step of joining the joining plate to an engaging portion of the upper probe member; A third step of inserting an engaging portion of the upper probe member having the bonding plate coupled to the upper portion of the cylindrical plunger body; And a fourth step of filling the bonding material of the solder paste material through the heat treatment step between the cylindrical plunger body and the joining portions of the polygonal upper probe member inserted without void space.

이러한 본 발명의 일 실시예에 따른 포고핀용 탐침부재의 결합부와 결합되는 접합판(800)은 다음과 같은 상부 탐침 부재의 제조 방법과 동일한 방법으로 제조될 수 있다.The bonding plate 800 coupled to the coupling portion of the probe member for the pogo pin according to an embodiment of the present invention may be manufactured in the same manner as the method of manufacturing the upper probe member as described below.

먼저, 기판에 전도층을 형성시킨 후에 드라이필름을 배치한 후, 상기 드라이필름을 포토레지스트에 의하여 소정의 홈을 형성시킨 후 그 홈에 도금소재를 충전시켜 제1탐침판을 제작한다. 이후 드라이필름을 재적층한 후에 필요한 형상을 가진 홈을 다시 형성한 후에 그 홈 내에 도금소재를 충전시켜 제2탐침판을 제작한다. 이러한 작업을 반복하여 제5탐침판까지 제작하고 나면 드라이 필름을 모두 제거하고 기판으로부터 제작된 포고핀용 탐침부재를 분리해내어 제작을 완료하게 된다.First, after a conductive layer is formed on a substrate, a dry film is disposed, a predetermined groove is formed by photoresist on the dry film, and a plating material is filled in the groove to manufacture a first probe plate. After the dry film is re-laminated, a groove having a desired shape is formed again, and then a plating material is filled in the groove to prepare a second probe plate. After this operation is repeated to fabricate the fifth probe plate, all of the dry film is removed and the probe member for the pogo pin manufactured from the substrate is separated to complete the fabrication.

이와 동일한 방식으로 포고핀용 탐침부재의 접합물질을 소정의 형상을 갖는 홈에 충전시킴으로써 본 발명의 접합판(800)은 제작될 수 있다. 이때 사용되는 솔더 페이스트 재질의 접합물질은, 특별히 한정되지 아니하나, Sn 또는 AgSn를 사용하는 것이 바람직하며, 이렇게 제작된 접합판(800)이 포고핀용 탐침부재의 결합부와 결합된 형태는 도 6에 제시되어 있다.In the same manner, the joining plate 800 of the present invention can be manufactured by filling the joining material of the probing member for the pogo pin into the groove having a predetermined shape. The bonding material of the solder paste used in this case is not particularly limited, but Sn or AgSn is preferably used. The shape of the bonding plate 800 thus bonded to the bonding portion of the probing member for the pogo pin is shown in FIG. 6 .

상기 제4 단계에서 수행되는 열처리는 약 100~500 ℃의 범위로 수행되는 것이 바람직하다.
The heat treatment performed in the fourth step may be performed at a temperature ranging from about 100 ° C to about 500 ° C.

이상과 같이 실시예 3 또는 실시예 4의 방법을 통해서, 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재가 속이 빈 원통형의 구조의 플런저에 삽입될 때 발생하는 원통형 플런저와 결합부 사이의 빈 공간(E)을 도 4와 같이 채워줌으로써, 빈 공간(E)으로 먼지와 같은 이물질이 유입되는 것이 방지되며, 상부 탐침 부재의 결합부와 원통형 플런저 사이의 조립 강도가 향상되며, 직육면체와 같은 다각형 형태의 판상 구조를 갖는 상부 탐침부재를 사용함으로써 반도체 디바이스 단자와 포고핀용 탐침부재와 접촉 신뢰성을 높일 수 있는 장점을 갖게 된다.As described above, through the method of the third or fourth embodiment, the upper probe member having the polygonal plate-like structure like the rectangular parallelepiped is inserted into the plunger of the hollow hollow cylindrical structure, By filling the space E as shown in FIG. 4, foreign substances such as dust are prevented from entering the empty space E, and the assembling strength between the engaging portion of the upper probe member and the cylindrical plunger is improved, and a polygon The use of an upper probe member having a plate-like structure of the shape of a semiconductor chip leads to an advantage that the contact reliability with the semiconductor device terminal and the probe member for the pogo pin can be increased.

바람직한 실시예들을 통해서 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있음은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명하게 인식될 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention. It will be self-evident to those who have knowledge.

10, 110, 310 : 상부 탐침부재 150 : 반도체 디바이스
20, 120, 320 : 원통형 플런저 151 : 단자
100, 300 : 포고핀 구조체 152 : 테스트 기판
800 : 접합판 153 : 기판패드
900 : 접합물질10, 110, 310: upper probe member 150: semiconductor device
20, 120, 320: Cylindrical plunger 151: Terminal
100, 300: Pogo pin structure 152: Test substrate
800: junction plate 153: substrate pad
900: bonding material

Claims (14)

삭제delete 반도체 디바이스의 검사를 위하여 사용되는 포고핀 구조체에 있어서,
상기 포고핀 구조체는, 각각 탐침부와 결합부를 갖는 상부 탐침부재 및 하부 탐침부재, 탄성부재 및 원통형 플런저를 포함하고,
상기 상부 탐침부재는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다각형 형태의 탐침부와, 탄성부재와 연결되는 다각형 형태의 결합부를 포함하여,
원통형의 플런저 몸체의 상부와 하부에 각각 상기 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부와 하부 탐침부재의 결합부가 삽입되어, 상기 원통형 플런저 몸체의 내부에 위치된 상기 탄성 부재와 전기적으로 도통 되며,
상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채워진 것을 특징으로 하며,
상기 상부 탐침부재의 탐침부의 상단에는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들이 형성되고,
상기 탐침들은, 탐침부의 상단 중앙에 배치되어 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 복수의 제1 탐침과, 상기 제1 탐침에 인접하여 배치되어 접촉되는 반도체 디바이스의 단자를 제1 탐침으로 안내하는 안내면이 포함된 제2 탐침을 포함하는 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체. A pogo pin structure used for inspection of semiconductor devices,
Wherein the pogo pin structure includes an upper probe member and a lower probe member each having a probe and an engaging portion, an elastic member, and a cylindrical plunger,
Wherein the upper probe member includes a polygonal probe portion in contact with a terminal of the semiconductor device and a polygonal coupling portion connected to the elastic member,
The upper end of the cylindrical plunger body and the lower end of the lower probe are respectively inserted into the upper and lower portions of the cylindrical plunger body to be electrically connected to the elastic member located inside the cylindrical plunger body,
Wherein an empty space between the cylindrical plunger body and the engaging portion of the inserted polygonal upper probe member is filled with a bonding material of a solder paste material,
Wherein a plurality of probes are formed on an upper end of the probe portion of the upper probe member to contact the terminals of the semiconductor device,
The probes include a plurality of first probes disposed at the upper center of the probe portion and in contact with the terminals of the semiconductor device and a guide surface for guiding the terminals of the semiconductor device disposed adjacent to the first probe to the first probe, Wherein the second probe comprises a second probe. 제2항에 있어서,
상기 제2 탐침은 상기 상부 탐침부재의 탐침부 가장자리에 배치되어, 상기 제1 탐침을 사이에 두고 마주보도록 배치되며,
상기 제2 탐침의 돌출 높이는 상기 제1 탐침의 돌출 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체3. The method of claim 2,
The second probe is disposed at an edge of the probe of the upper probe member and is disposed to face the first probe,
Wherein the protrusion height of the second probe is higher than the protrusion height of the first probe. 반도체 디바이스의 검사를 위하여 사용되는 포고핀 구조체에 있어서,
상기 포고핀 구조체는, 각각 탐침부와 결합부를 갖는 상부 탐침부재 및 하부 탐침부재, 탄성부재 및 원통형 플런저를 포함하고,
상기 상부 탐침부재는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다각형 형태의 탐침부와, 탄성부재와 연결되는 다각형 형태의 결합부를 포함하여,
원통형의 플런저 몸체의 상부와 하부에 각각 상기 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부와 하부 탐침부재의 결합부가 삽입되어, 상기 원통형 플런저 몸체의 내부에 위치된 상기 탄성 부재와 전기적으로 도통 되며,
상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채워진 것을 특징으로 하며,
상기 상부 탐침부재는, 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제1 탐침부와, 상기 제1 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제1 결합부를 포함하는 제1 탐침판; 및 상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제2 탐침부와, 상기 제2 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제2 결합부를 포함하는 제2 탐침판;을 포함하며,
상기 제1 탐침부와 제2 탐침부의 구조와 재질은 서로 다르며, 상기 제1 탐침판과 제2 탐침판은 서로 일체로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체. A pogo pin structure used for inspection of semiconductor devices,
Wherein the pogo pin structure includes an upper probe member and a lower probe member each having a probe and an engaging portion, an elastic member, and a cylindrical plunger,
Wherein the upper probe member includes a polygonal probe portion in contact with a terminal of the semiconductor device and a polygonal coupling portion connected to the elastic member,
The upper end of the cylindrical plunger body and the lower end of the lower probe are respectively inserted into the upper and lower portions of the cylindrical plunger body to be electrically connected to the elastic member located inside the cylindrical plunger body,
Wherein an empty space between the cylindrical plunger body and the engaging portion of the inserted polygonal upper probe member is filled with a bonding material of a solder paste material,
The upper probe member includes a first probe portion having a probe contacting the terminal of the semiconductor device on the upper portion thereof and a second probe portion extending downward from the first probe portion to be inserted into the cylindrical plunger body, A first probe plate including a coupling portion; And a second engaging portion extending downward from the second probe portion and inserted into the cylindrical plunger body and being engaged with the elastic member, wherein the second probe portion has a probe contacting the terminal of the semiconductor device, 2 probe plate,
Wherein the first probe unit and the second probe unit are different in structure and material from each other, and the first probe plate and the second probe plate are integrally connected to each other. 제4항에 있어서,
상기 제1 탐침판은 상기 제2 탐침판에 비해 경도가 높고, 상기 제2 탐침판은 상기 제1 탐침판에 비해 전기전도성이 높으며, 상기 제1 탐침판의 탐침의 최상단의 높이는 상기 제2 탐침판의 탐침의 최상단 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체.5. The method of claim 4,
Wherein the first probe plate has a higher hardness than the second probe plate and the second probe plate has higher electrical conductivity than the first probe plate and the height of the uppermost tip of the probe of the first probe plate is higher than that of the second probe plate, Wherein the height of the top of the probe of the plate is higher than the height of the top of the probe of the plate. 제2항 또는 제4항에 있어서,
상기 솔더 페이스트 재질의 접합물질은 Sn 또는 AgSn인 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체.The method according to claim 2 or 4,
Wherein the bonding material of the solder paste material is Sn or AgSn. 반도체 디바이스의 검사를 위하여 사용되는 포고핀 구조체를 제조하는 방법에 있어서,
다각형 형태의 모양을 갖는 탐침부와 결합부를 갖는 상부 탐침부재, 탐침부와 결합부를 갖는 하부 탐침부재, 원통형 플런저 및 탄성부재를 포함하는 포고핀 구조체를 준비하는 단계; 및
상기 원통형 플런저의 몸체와 이에 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계;를 포함하고,
상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는,
상부 탐침부재의 결합부가 삽입될 원통형 플런저 몸체의 상부에 솔더 페이스트 재질의 접합물질을 채우는 단계;
솔더 페이스트 재질의 접합물질이 채워진 원통형 플런저 몸체의 상부에 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 단계; 및
열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 단계;를 포함하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법.A method of manufacturing a pogo pin structure for use in testing semiconductor devices,
Preparing a pogo pin structure including an upper probe member having a probe shape having a polygonal shape and a coupling portion, a lower probe member having a probe portion and a coupling portion, a cylindrical plunger, and an elastic member; And
Filling an empty space between a body of the cylindrical plunger and an engaging portion of a polygonal upper probe member inserted into the cylindrical plunger with a bonding material of a solder paste material,
Wherein the filling of the void space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the inserted polygonal upper probe member with the bonding material of the solder paste material comprises:
Filling the upper portion of the cylindrical plunger body into which the engaging portion of the upper probe member is to be inserted with a bonding material of solder paste material;
Inserting an engaging portion of the upper probe member on the upper portion of the cylindrical plunger body filled with the bonding material of the solder paste; And
And filling the bonding material of the solder paste material with the space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the polygonal upper probe member inserted through the heat treatment step without voids. 제7항에 있어서,
상기 솔더 페이스트 재질의 접합물질은 Sn 또는 AgSn인 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법8. The method of claim 7,
Wherein the bonding material of the solder paste material is Sn or AgSn. 삭제delete 제7항에 있어서,
상기 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이의 빈 공간이 솔더 페이스트 재질의 접합물질로 채우는 단계는,
상부 탐침부재의 결합부와 동일한 모양의 솔더 페이스트 재질의 접합판을 준비하는 단계;
상기 접합판을 상기 상부 탐침부재의 결합부와 결합하는 단계;
원통형 플런저 몸체의 상부에 상기 접합판이 결합된 상부 탐침부재의 결합부를 삽입하는 단계; 및
열처리 단계를 거쳐 솔더 페이스트 재질의 접합물질이 원통형 플런저 몸체와 삽입된 다각형 형태의 상부 탐침부재의 결합부 사이를 빈 공간없이 채우는 단계;를 포함하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법.8. The method of claim 7,
Wherein the filling of the void space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the inserted polygonal upper probe member with the bonding material of the solder paste material comprises:
Preparing a bonding plate of a solder paste material having the same shape as the bonding portion of the upper probe member;
Coupling the junction plate with an engaging portion of the upper probe member;
Inserting an engaging portion of an upper probe member having the joining plate coupled thereto on an upper portion of a cylindrical plunger body; And
And filling the bonding material of the solder paste material with the space between the cylindrical plunger body and the joining portion of the polygonal upper probe member inserted through the heat treatment step without voids. 제7항에 있어서,
상기 포고핀 구조체를 준비하는 단계는,
상기 상부 탐침부재의 탐침부의 상단에는 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 다수의 탐침들을 형성하는 단계를 더욱 포함하며,
상기 탐침들은, 탐침부의 상단 중앙에 배치되어 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 복수의 제1 탐침과, 상기 제1 탐침에 인접하여 배치되어 접촉되는 반도체 디바이스의 단자를 제1 탐침으로 안내하는 안내면이 포함된 제2 탐침을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법.8. The method of claim 7,
The step of preparing the pogo pin structure includes:
Forming a plurality of probes in contact with the terminals of the semiconductor device at the top of the probes of the upper probing member,
The probes include a plurality of first probes disposed at the upper center of the probe portion and in contact with the terminals of the semiconductor device and a guide surface for guiding the terminals of the semiconductor device disposed adjacent to the first probe to the first probe, Wherein the second probe is formed to include a second probe. 제11항에 있어서,
상기 제2 탐침은 상기 상부 탐침부재의 탐침부 가장자리에 배치되어, 상기 제1 탐침을 사이에 두고 마주보도록 배치되며,
상기 제2 탐침의 돌출 높이는 상기 제1 탐침의 돌출 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법12. The method of claim 11,
The second probe is disposed at an edge of the probe of the upper probe member and is disposed to face the first probe,
Wherein the protrusion height of the second probe is higher than the protrusion height of the first probe. 제7항에 있어서,
상기 포고핀 구조체를 준비하는 단계는,
상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제1 탐침부와, 상기 제1 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제1 결합부를 포함하는 제1 탐침판을 준비하는 단계와,
상부에 반도체 디바이스의 단자와 접촉되는 탐침이 형성된 제2 탐침부와, 상기 제2 탐침부에서 아래로 연장되어 상기 원통형 플런저 몸체 내에 삽입되고, 상기 탄성부재와 결합되는 제2 결합부를 포함하는 제2 탐침판을 준비하는 단계를 포함하며,
상기 제1 탐침부와 제2 탐침부의 구조와 재질은 서로 다르며, 상기 제1 판침판과 제2 탐침판은 서로 일체로 연결되는 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법. 8. The method of claim 7,
The step of preparing the pogo pin structure includes:
A first probe portion having a probe contacting the terminal of the semiconductor device on the upper portion and a first engaging portion extending downward from the first probe portion and inserted into the cylindrical plunger body and coupled with the elastic member, Preparing a probe plate,
And a second engaging portion that extends downward from the second probe portion and is inserted into the cylindrical plunger body and is engaged with the elastic member, wherein the second probe portion has a probe contacting the terminal of the semiconductor device, Preparing a probe plate,
Wherein the structure of the first probe portion and the second probe portion are different from each other, and the first plate electrode plate and the second probe plate are integrally connected to each other. 제13항에 있어서,
상기 제1 탐침판은 상기 제2 탐침판에 비해 경도가 높고, 상기 제2 탐침판은 상기 제1 탐침판에 비해 전기전도성이 높으며, 상기 제1 탐침판의 탐침의 최상단의 높이는 상기 제2 탐침판의 탐침의 최상단 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 포고핀 구조체를 제조하는 방법.14. The method of claim 13,
Wherein the first probe plate has a higher hardness than the second probe plate and the second probe plate has higher electrical conductivity than the first probe plate and the height of the uppermost tip of the probe of the first probe plate is higher than that of the second probe plate, Wherein the height of the top of the probe of the plate is higher than the top of the probe of the plate.
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