KR101519138B1 - 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
태양전지 및 이의 제조방법이 개시되어 있다. 태양전지는 광-전 변환층; 광-전 변환층 상에 배치되는 제 1 전극; 및 광-전 변환층 아래에 배치되며, 다수 개의 반사부재들을 포함하는 제 2 전극을 포함한다. 제 2 전극은 반사부재들을 포함하기 때문에, 광-전 변환층을 통과한 광을 반사시켜, 효율적으로 광-전 변환층에 다시 입사시킨다. 따라서, 태양전지는 광-전 변환 효율을 향상시킨다.
태양, 전지, 후면, 전극, 반사, 판상형, 입자들
Description
실시예는 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
최근 에너지의 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지들에 대한 개발이 진행되고 있다. 이러한 태양전지들 중 실리콘 웨이퍼를 이용한 태양전지가 상업적으로 널리 사용되고 있다.
이러한 태양전지들의 효율을 높이기 위해서, 많은 광이 실리콘 웨이퍼로 입사되어야 하고, 실리콘 웨이퍼를 통과한 광을 효율적으로 반사시켜 다시 실리콘 웨이퍼로 입사시켜야 한다.
실시예는 향상된 발전 효율을 가지는 태양전지를 제공하고자 한다.
실시예에 따른 태양전지는 광-전 변환층; 상기 광-전 변환층 상에 배치되는 제 1 전극; 및 상기 광-전 변환층 아래에 배치되며, 다수 개의 반사부재들을 포함하는 제 2 전극을 포함한다.
실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 광-전 변환층 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 광-전 변환층 아래에 반사부재를 포함하는 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 태양전지는 반사부재를 포함하는 제 2 전극을 포함한다. 따라서, 외부 광은 광-전 변환층에 입사되고, 입사된 광 중 일부는 광-전 변환층을 통과한다.
이때, 광-전 변환층을 통과한 광은 반사부재에 의해서 효율적으로 반사되고, 다시 광-전 변환층에 입사될 수 있다.
특히, 반사부재가 평평한 반사면을 가지고, 반사면이 일정한 방향을 가지도록 반사부재가 정렬된 경우, 반사부재는 효율적으로 광을 반사시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 많은 광을 흡수하여 발전할 수 있고, 향상된 발전 효율을 가진다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 막, 전극, 입자 또는 층 등이 각 기판, 전극, 막, 입자 또는 층 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다. 도 2는 후면전극의 단면을 확대한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 태양전지는 실리콘 기판(100), 반사 방지막(200), 전면전극(300), 후면전극(400) 및 서로 다른 태양전지들을 직렬로 연결하기 위한 태빙전극(500)을 포함한다.
상기 실리콘 기판(100)은 플레이트 형상을 가지며, 상기 실리콘 기판(100)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 등을 들 수 있다. 상기 실리콘 기판(100)은 pn 접합을 가진다.
상기 실리콘 기판(100)은 n형 불순물이 고농도로 주입된 n+층(110), p형 불순물이 저농도로 주입된 p-층(120) 및 p형 불순물이 고농도로 확산되어 형성되는 BSF층(130)을 포함한다.
상기 실리콘 기판(100)은 광을 입사받아 전기에너지로 변환시킨다. 즉, 상기 실리콘 기판(100)은 외부 광을 입사받아, 전자 및 정공을 형성한다.
상기 반사 방지막(200)은 상기 실리콘 기판(100) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사 방지막(200)은 상기 n+층(110) 상에 배치된다. 상기 반사 방지막(200)은 상기 실리콘 기판(100)으로의 입광 효율을 향상시키며, 상기 반사 방지막(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 질화물(SiNx) 등을 들 수 있다.
상기 전면전극(300)은 상기 실리콘 기판(100) 상에 배치된다. 상기 전면전극(300)은 상기 n+층(110)에 접촉하며, 상기 n+층(110)에 전기적으로 접속된다. 상기 전면전극(300)은 상기 실리콘 기판(100)의 상면 면적에 대해 약 5% 이하를 차지할 수 있다.
상기 전면전극(300)은 도전체로 이루어지며, 상기 전면전극(300)으로 사용되는 물질의 예로서는 은(Ag), 텅스텐(W), 니켈(Ni), 백금(Pt) 및 이들의 합금 등을 들 수 있다.
상기 후면전극(400)은 상기 실리콘 기판(100) 아래에 배치된다. 상기 후면전극(400)은 상기 BSF층(130)에 접촉하며, 상기 BSF층(130)에 전기적으로 접속된다. 상기 후면전극(400)은 다수 개의 반사부재(410)들 및 무기 바인더(미도시)를 포함한다.
상기 반사부재(410)들은 플레이트 형상을 가지며, 인접하는 반사부재(410)들은 서로 연결된다. 상기 반사부재(410)들은 도전체이며, 서로 전기적으로 연결된다. 상기 반사부재(410)들로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄(Al) 및 이의 합금 등을 들 수 있다.
상기 반사부재(410)들은 반사면(411)을 포함하고, 상기 반사부재(410)들의 각각의 반사면(411)은 상방을 향한다. 즉, 상기 반사부재(410)들은 상기 반사면(411)이 상방을 향하도록 정렬된다.
예를 들어, 상기 반사부재(410)들의 두께(T)는 약 0.1 내지 4㎛이며, 상기 반사부재(410)들의 형상이 원 판형 또는 타원 판형일 경우에는 직경(D)이 약 4 내지 30㎛일 수 있다. 또한, 상기 반사부재(410)들의 평면적은 12.56 내지 706.5㎛2 일 수 있다.
상기 반사부재(410)들은 상기 실리콘 기판(100)과 접촉한다. 특히, 상기 반사면(411)이 상기 실리콘 기판(100)과 접촉한다.
도면에는 도시되지 않았지만, 상기 무기 바인더는 상기 반사부재(410)들의 주위를 둘러싼다. 상기 무기 바인더는 상기 반사부재(410)들의 결합력을 향상시킨다. 상기 무기 바인더는 PbO-SiO2계, PbO-SiO2-B2O3계, ZnO-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO2 계 또는 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2계 글래스 프릿일 수 있다.
상기 후면전극(400)은 상기 반사부재(410)들을 포함하기 때문에, 광을 효율적으로 반사시킬 수 있다. 특히, 상기 후면전극(400)은 장파장 대의 광을 효율적으로 반사시킨다.
상방으로부터 상기 실리콘 기판(100)으로 입사되는 광의 일부는 상기 실리콘 기판(100)을 통과하고, 상기 후면전극(400)에 의해서 반사된다. 상기 후면전극(400)에 의해서 반사된 광은 실리콘 기판(100)에 입사되고, 전기로 변환된다.
이때, 상기 반사부재(410)들은 플레이트 형상을 가지고, 상기 반사면(411)이 상방을 향하도록 정렬되므로, 상기 실리콘 기판(100)을 통과하는 광을 상방으로 효율적으로 반사시킬 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 향상된 광-전 변환 효율을 가지고, 향상된 발전효율을 가진다.
또한, 상기 반사부재(410)들의 반사면(411)은 상기 반사부재(410)들 서로간의 접촉면적을 향상시킬 뿐만 아니라, 상기 후면전극(400)과 상기 실리콘 기판(100)의 접촉면적을 향상시킨다.
즉, 상기 반사부재(410)들은 도전체이며, 플레이트 형상을 가지기 때문에, 각 반사부재(410)들 사이의 접촉면적을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 후면전극(400)의 접촉저항은 감소되고, 그에 따라 상기 후면전극(400)은 얇은 두께로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 반사부재(410)들 사이에 발생하는 공극을 통해 보우잉을 억제할 수 있다. 그리고, 상기 실리콘 기판(100)과의 접촉면적을 증가시킬 수 있어서, 상기 후면전극(400)과 상기 실리콘 기판(100)과의 안정적인 접착(adhesion) 특성을 갖는다.
추가적으로, 접촉 저항이 감소됨에 따라서, 상기 후면전극(400)은 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이는 곧 상기 후면전극(400)의 우수한 휨 억제 특성으로 나타날 수 있다. 또한, 안정적인 접착 특성을 갖게 됨에 따라서 우수한 신뢰성 특성을 가질 수 있다.
도 3a 내지 도 3e는 실시예에 따른 공정을 도시한 순서도이다. 도 4는 플레 이트 형상을 가진 도전입자들을 도시한 사시도이다.
도 3a을 참조하면, p형 실리콘 기판(100)에 n형 불순물이 주입되어, n+층(110)이 형성된다.
도 3b를 참조하면, 상기 n+층(110) 상에 실리콘 질화막이 형성되고, 상기 실리콘 질화막은 패터닝되어, 반사 방지막(200)이 형성된다.
이후, 은 입자들를 포함하는 제 1 페이스트 조성물이 형성되고, 상기 실리콘 기판(100) 상에 프린팅되고 건조된다.
도 3c를 참조하면, 서로 다른 태양전지들을 직렬로 연결하기 위한 리본을 부착하기 위해, 태빙 전극을 형성하기 위한 제 3 페이스트 조성물(501)이 상기 실리콘 기판(100)의 하면에 프린팅되고, 건조된다. 이후, 상기 실리콘 기판(100)의 하면에 후면전극(400)을 형성하기 위한 제 2 페이스트 조성물이 프린팅된다.
상기 제 2 페이스트 조성물은 다음과 같은 방법에 의해서 형성된다.
먼저, 바인더 폴리머를 솔벤트에 넣고, 혼합하여, 유기 비히클을 제조한다. 상기 유기 비히클은 소포제 및 분산제를 더 포함할 수 있다.
이후, 상기 유기 비히클, 플레이트 형상을 가지는 도전입자(402)들 및 무기 바인더(420)를 혼합하여 혼합물을 형성한다.
이때, 상기 도전입자(402)들은 알루미늄으로 이루어지며, 도 4를 참조하면, 약 0.1 내지 4㎛의 두께(T)를 가지며, 상기 도전입자(402)들의 형상이 원판 형상이나 타원판 형상을 가질 때, 약 4 내지 30㎛의 평균 직경(D)을 가진다. 상기 도전입자(402)들은 약 30 내지 79 wt%의 비율로 포함될 수 있다.
또한, 상기 도전입자(402)들은 원, 타원 또는 다각형 등의 평면 형상을 가질 수 있다.
상기 무기 바인더(420)는 PbO-SiO2계, PbO-SiO2-B2O3계, ZnO-SiO2계, ZnO-B2O3-SiO2 계 또는 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2계 글래스 프릿일 수 있다. 또한, 상기 무기 바인더(420)는 약 1 내지 20 wt%의 비율로 포함될 수 있으며, 약 300 내지 600℃의 연화점을 가진다. 또한, 상기 무기 바인더(420)의 평균 입경은 약 1 내지 10㎛이다.
상기 유기 비히클은 약 20 내지 69wt%의 비율로 혼합될 수 있다.
이후, 상기 혼합물은 1 내지 12 시간 동안 숙성(aging)되고, 3롤밀(3 roll mill) 또는 플래너터리 밀(planetary mil)에 의해서 기계적으로 2차 혼합된다.
이후, 상기 2차 혼합된 혼합물은 필터링(filtering) 및 탈포 공정을 거치고, 상기 제 2 페이스트 조성물이 형성된다.
이후, 상기 제 2 페이스트 조성물은 상기 실리콘 기판(100)의 하면에, 스크린 프린팅법에 의해서, 프린팅된다.
도 3d를 참조하면, 상기 도전입자(402)들은 중력 또는 압력에 의해서, 상면이 상방을 향하도록 정렬된다. 즉, 상기 도전입자(402)들은 측면에서 보았을 때, 층층이 쌓인 형상을 가진다.
이후, 상기 프린팅된 제 1 페이스트 조성물(301), 제 2 페이스트 조성물(401) 및 제 3 페이스트 조성물(501)은 약 80 내지 200℃에서 건조된다.
도 3e를 참조하면, 상기 프린팅된 제 1 페이스트 조성물(301), 제 2 페이스트 조성물(401) 및 제 3 페이스트 조성물(501)은 급속 열처리된다. 이때, 상기 제 1 페이스트 조성물(301)은 상기 반사방지막(200)을 관통하여, n+층(110)에 접속되고, 상기 제 2 페이스트 조성물(401)의 알루미늄은 상기 실리콘 웨이퍼(100)로 도핑되어 p+층인 BSF층(130)이 형성된다. 결국, 상기 프린팅된 제 1 페이스트 조성물(301), 제 2 페이스트 조성물(401) 및 제 3 페이스트 조성물(501)은 소결되고, 상기 전면전극(300), 상기 후면전극(400) 및 상기 태빙 전극(500)이 형성된다. 이때, 상기 급속 열처리 공정은 약 700 내지 900℃의 온도에서 진행될 수 있다.
이때, 상기 도전입자(402)들은 연화되고, 서로 엉겨붙어, 반사부재(410)들을 형성하고, 상기 반사부재(410)들을 포함하는 상기 후면전극(400)이 형성된다. 또한, 상기 도전입자(402)들에 포함된 알루미늄이 상기 실리콘 기판(100)으로 확산되어, p+층인 BSF층(130)이 형성된다.
상기 반사부재(410)들에 의해서, 상기 후면전극(400)의 반사율이 향상되고, 상기 후면전극(400)의 저항이 감소하며, 상기 실리콘 기판(100)과의 접착력이 향상된다.
따라서, 실시예에 따른 태양전지는 향상된 발전 효율을 가진다.
도 5는 다른 실시예에 따른 태양전지의 후면전극을 확대한 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예를 참조하고, 후면전극에 대해서, 추가적으로 설명한다.
후면전극(400)은 도전부재(430)들, 반사부재(410)들 및 무기 바인더를 포함한다.
상기 도전부재(430)들은 구 형상을 가질 수 있다. 이와는 다르게, 상기 도전부재(430)들은 구 형상에 한정되지 않고, 플레이트 형상을 제외하는, 기둥 형상, 뿔 형상 또는 다면체 형상과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 도전부재(430)들로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 및 이의 합금 등을 들 수 있다.
상기 도전부재(430)들은 상기 반사부재(410)들 사이에 형성된다. 또한, 상기 도전부재(430)들 및 상기 반사부재(410)들은 서로 연결된다.
본 실시예에 따른 태양전지를 제조하는 방법에서는, 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 제 2 페이스트 조성물을 제조하는 과정에 대해서 추가적으로 설명한다.
제 2 페이스트 조성물을 형성하기 위해서, 유기 비히클, 도전입자들 및 무기 바인더를 혼합하여, 혼합물을 형성한다.
상기 도전입자들은 구 형상을 가지는 제 1 도전입자들 및 플레이트 형상을 가지는 제 2 도전입자들을 포함한다.
이때, 상기 제 1 도전입자들의 직경은 약 2 내지 4㎛ 일 수 있다. 상기 제 2 도전입자들의 두께는 0.1 내지 4㎛이며, 직경은 4 내지 30㎛일 수 있다.
상기 제 1 도전입자들 및 상기 제 2 도전입자들의 비율은 약 5:5 내지 9:1 이며, 상기 도전입자들은 약 30 내지 70wt%의 비율로 혼합된다.
상기 제 1 도전입자(402)들은 구 형상을 가지기 때문에, 상기 제 2 페이스트 조성물은 실리콘 기판(100)의 하면에 용이하게 인쇄될 수 있다.
즉, 플레이트 형상을 가지는 도전입자들만 포함하는 페이스트 조성물보다 상기 제 2 페이스트 조성물은 향상된 인쇄성과 두께 균일성을 가진다.
또한, 상기 페이스트 조성물은 상기 제 2 도전입자들을 포함하기 때문에, 후면전극(400)은 높은 반사율을 가진다.
이에 따라서, 본 실시예에 따른 태양전지는 향상된 발전 효율을 가지며, 용이하게 형성될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실험예 1
폴리머 및 유기 용매를 혼합하여 유기 비히클을 형성하였다. 유기 비히클에 약 15 내지 19㎛의 입경 및 약 1㎛의 두께를 가지고, 플레이트 형상을 가지는 알루미늄 입자들#1을 약 65wt%의 비율로 혼합하였다. 또한, 유기 비히클에 약 3%wt 비율로 글래스 프릿을 혼합하였다. 이후, 상기 혼합물은 약 12 시간 동안 숙성되고, 플래너터리 밀을 사용하여 기계적으로 혼합되어, 페이스트 조성물#1이 형성되었다.
또한, 상기 알루미늄 입자들#1 대신에, 약 19 내지 23㎛의 입경 및 약 1.5㎛의 두께를 가지고, 플레이트 형상을 가지는 알루미늄 입자들#2를 약 75wt%의 비율로 혼합하고, 숙성 및 기계적 혼합과정을 거쳐 페이스트 조성물#2가 형성되었다.
이후, 약 200㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼들에 상기 페이스트 조성물#1 및 페이스트 조성물#2는 각각 프린트되었다. 이후, 상기 실리콘 웨이퍼들은 약 180℃의 온도에서 2분간 건조되고, 약 2분동안 소성 공정을 진행하였다. 소성 공정 중 약 5 초동안 약 850℃의 피크 온도를 유지하여, 후면전극#1 및 후면전극#2이 형성되었다.
또한, 대조군은 상기 페이스트 조성물 #1 및 상기 페이스트 조성물#2와 동일한 비율로 약 2 내지 4㎛의 입경을 가지는 구형 알루미늄 입자들#3를 사용하여 형성되었다. 즉, 구형 알루미늄 입자들#3를 사용하여 위와 같은 조건으로 대조군이 형성되었다.
도 6은 후면전극#1 및 #2에 직접 광을 직접 반사시켜서 구한 파장대별 반사율을 도시한 그래프이다. 도 7은 후면전극#1 및 #2이 부착된 실리콘 웨이퍼에서, 후면전극 #1 및 #2가 부착된 면과 반대쪽의 실리콘 웨이퍼의 면에 광을 조사하고, 반사될 때, 반사율을 측정한 그래프이다.
도 6을 참조하면, 반사율은 UV-vis를 이용하여, 상기 후면전극#1 및 #2 및 대조군의 파장대별 반사율을 측정하였다.
도 7을 참조하면, 상기 실리콘 웨이퍼를 통과하여, 상기 후면전극#1 및 #2 및대조군의 파장대별 반사율을 측정하였다.
도 6 및 도 7에서 보이는 바와 같이 후면전극#1 및 후면전극#2은 대조군에 비하여 향상된 반사율을 가지는 것을 볼 수 있다.
실험예 2
실험예 1과 동일하게 폴리머 및 유기 용매를 혼합하여 유기 비히클을 형성하였다. 유기 비히클에 알루미늄 입자들#3과 알루미늄 입자들#2를 약 7:3의 비율로 혼합하였다. 또한, 유기 비히클에 약 3%wt 비율로 글래스 프릿을 혼합하였다. 이후, 상기 혼합물은 약 12 시간 동안 숙성되고, 플래너터리 밀을 사용하여 기계적으로 혼합되어, 페이스트 조성물#4이 형성되었다.
이후, 약 200㎛의 두께를 가지는 실리콘 웨이퍼들에 상기 페이스트 조성물#4는 프린트되었다. 이후, 상기 실리콘 웨이퍼들은 실험예 1과 동일한 조건의 건조와 소성 공정을 진행하여 후면전극#4가 형성되었다.
또한, 대조군은 실험예 1과 동일하게 상기 페이스트 조성물#3으로서 도 8은 후면전극#4에 직접 광을 직접 반사시켜서 구한 파장대별 반사율을 도시한 그래프이다. 도 9는 후면전극#4가 부착된 실리콘 웨이퍼에서, 후면전극 #4가 부착된 면과 반대쪽의 실리콘 웨이퍼의 면에 광을 조사하고, 반사될 때, 반사율을 측정한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 반사율은 UV-vis를 이용하여, 상기 후면전극#4 및 대조군의 파장대별 반사율을 측정하였다.
도 9을 참조하면, 상기 실리콘 웨이퍼를 통과하여, 상기 후면전극#4 및 대조군의 파장대별 반사율을 측정하였다.
도 8 및 도 9에서 보이는 바와 같이 후면전극#4 또한 대조군에 비하여 향상된 반사율을 가지는 것을 볼 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 태양전지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 2는 후면전극의 단면을 확대한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3e는 실시예에 따른 공정을 도시한 순서도이다.
도 4는 플레이트 형상을 가진 도전입자들을 도시한 사시도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 태양전지의 후면전극을 확대한 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 후면전극#1 및 #2에 직접 광을 직접 반사시켜서 구한 파장대별 반사율을 도시한 그래프이다.
도 7은 후면전극#1 및 #2이 부착된 실리콘 웨이퍼에서, 후면전극 #1 및 #2가 부착된 면과 반대쪽의 실리콘 웨이퍼의 면에 광을 조사하고, 반사될 때, 반사율을 측정한 그래프이다.
도 8은 후면전극#4에 직접 광을 직접 반사시켜서 구한 파장대별 반사율을 도시한 그래프이다.
도 9은 후면전극#4가 부착된 실리콘 웨이퍼에서, 후면전극 #4가 부착된 면과 반대쪽의 실리콘 웨이퍼의 면에 광을 조사하고, 반사될 때, 반사율을 측정한 그래프이다.
Claims (11)
- 광-전 변환층;상기 광-전 변환층 상에 배치되는 제 1 전극; 및상기 광-전 변환층 아래에 배치되며, 다수 개의 반사부재들을 포함하는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 플레이트 형상의 도전입자를 분산시킨 페이스트 조성물을 포함하고,상기 반사부재들은 플레이트 형상을 가지는 도전입자를 포함하는 태양전지.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 반사부재의 두께는 0.1 내지 4㎛인 태양전지.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 알루미늄을 포함하는 태양전지.
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- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
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| KR1020080082577A KR101519138B1 (ko) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
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-
2008
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Patent Citations (2)
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