KR101517323B1 - Connection method, connected-body production method and connected body - Google Patents

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신이찌 하야시
유지 다나까
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데쿠세리아루즈 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 실장 온도의 저온화를 도모하면서, 접속 신뢰성을 확보한다. 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고, 접착제에 광을 조사함으로써, 접착제를 경화시켜, 접속 대상물과 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고, 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시킨다.The present invention assures connection reliability while reducing the mounting temperature. A step of bonding an object to be connected and an object to be connected via a light curable adhesive and curing the adhesive by irradiating the adhesive with light so as to connect the object to be connected and the object to be connected, .

Figure R1020137034948
Figure R1020137034948

Description

접속 방법, 접속체의 제조 방법, 접속체{CONNECTION METHOD, CONNECTED-BODY PRODUCTION METHOD AND CONNECTED BODY}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a connection method,

본 발명은 광 경화형의 접착제를 이용한 접속 방법, 광 경화형의 접착제에 의하여 접속된 접속체의 제조 방법, 광 경화형의 접착제에 의하여 제조된 접속체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a connection method using a photo-curing type adhesive, a connection method using a photo-curing type adhesive, and a connector made by a photo-curing type adhesive.

본 출원은 일본에서 2011년 6월 6일에 출원된 일본 특허 출원 번호 특허 출원 2011-126642를 기초로서 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원은 참조됨으로써, 본 출원에 원용된다.This application is based upon and claims the benefit of priority from Japanese Patent Application No. 2011-126642, filed June 6, 2011, the entirety of which is incorporated herein by reference.

종래, 기판과 IC칩이나 플렉시블 플랫 케이블 등의 전자 부품을 접속하는 접착제로서, 자외선 경화형의 접착제가 이용되고 있다. 자외선 경화형의 접착제는 기판과 전자 부품 사이에 도포되어, 자외선이 조사됨으로써 경화함으로써, 기판과 전자 부품과의 접속을 도모하는 것이다. 이 자외선 경화형의 접착제는 열 경화형의 접착제와 다르고, 기판이나 전자 부품을 가열 압압하는 공정이 없기 때문에, 기판의 가열에 의한 휘어짐의 발생이 없어, 최근의 박형화한 기판에의 접속에 적합하다. 또한, 자외선 경화형의 접착제는 기판이나 전자 부품에 대한 열에 의한 손상도 없다.BACKGROUND ART Conventionally, an ultraviolet curable adhesive has been used as an adhesive for connecting a substrate with an electronic component such as an IC chip or a flexible flat cable. The ultraviolet curing type adhesive is applied between the substrate and the electronic component and is cured by being irradiated with ultraviolet rays to thereby connect the substrate and the electronic component. This ultraviolet curing type adhesive differs from the thermosetting type adhesive and does not have a step of heating and pressing the substrate or the electronic component, so that the substrate is not warped by heating and is suitable for connection to a recent thinned substrate. Further, the ultraviolet curing type adhesive does not cause damage to the substrate or the electronic parts by heat.

한편으로, 자외선 경화형의 접착제를 이용하여 접속된 접속체는 접속 신뢰성이 떨어지는 경우가 있다. 예를 들면, 고온 고습 환경에 장기간에 걸쳐 노출된 경우 등으로, 기판과 전자 부품과의 접속 저항이 상승한다.On the other hand, the connection member connected by using the ultraviolet curable adhesive sometimes has poor connection reliability. For example, when the substrate is exposed to a high-temperature and high-humidity environment over a long period of time, the connection resistance between the substrate and the electronic component increases.

일본 특허 공개 제2000-597378호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-597378

따라서, 본 발명은 광 경화형의 접착제를 이용하여 접속 신뢰성을 확보할 수 있는 접속 방법, 접속체의 제조 방법, 및 이 접속 방법에 의하여 제조된 접속체를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a connection method capable of securing connection reliability using a photo-curable adhesive, a method of manufacturing a connection body, and a connection body manufactured by the connection method.

상술한 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 따른 접속 방법은 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고, 상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고, 상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시킨다.In order to solve the above-described problems, a connection method according to the present invention is a method for connecting a connection object and a connection object via a light-curable adhesive, curing the adhesive by irradiating the adhesive with light, And connecting the object to be connected to each other, and raising the light intensity continuously or stepwise.

또한, 본 발명에 따른 접속체의 제조 방법은 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고, 상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고, 상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시킨다.A method of manufacturing a connector according to the present invention comprises the steps of bonding an object to be connected and an object to be connected through a light curable adhesive and curing the adhesive by irradiating light to the adhesive, And connecting the connection object, thereby raising the light intensity continuously or stepwise.

또한, 본 발명에 따른 접속체는 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고, 상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고, 상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시켜 접속된다.Further, the connector according to the present invention is characterized in that the connection object is made to adhere the object to be connected and the object to be connected via a photo-curable adhesive, and the adhesive is cured by irradiating light to the adhesive, And is connected by continuously or stepwise raising the illuminance of the light.

본 발명에 따르면, 광의 조사량을 점차 상승시킴으로써, 광 조사의 초기에서는 결합제 수지의 경화 반응의 진행이 느려지고, 광 조사의 후기에서 결합제 수지의 경화 반응을 급속히 진행시킨다. 이것은 광 조사의 초기에서 강한 조도로 하면, 결합제 수지의 반응 개시점이 너무 많아져 버려 분자쇄가 짧은 내열성이 떨어지는 경화물이 되어 버리기 때문이다. 본 발명에서는, 광 조사의 초기는 비교적 약한 조도로 조사하고, 후기에서 조도를 강화하기 때문에, 내열성이 우수한 경화물로 할 수 있고, 접속 신뢰성을 높일 수 있다.According to the present invention, by gradually increasing the irradiation amount of light, the progress of the curing reaction of the binder resin is slowed at the initial stage of light irradiation, and the curing reaction of the binder resin is rapidly advanced at the latter stage of light irradiation. This is because, when the light intensity is high in the initial stage of the light irradiation, the reaction starting point of the binder resin becomes too large, and the molecular chain becomes a cured product having a short heat resistance. In the present invention, since the initial irradiation of light is performed at a relatively low illuminance and the illuminance is enhanced at a later stage, a cured product having excellent heat resistance can be obtained, and connection reliability can be improved.

도 1은 본 발명에 따른 접속 방법이 적용된 실장 장치에 의해서, 유리 기판에 IC칩 및 플렉시블 기판을 실장하는 공정을 나타내는 단면도이다.
도 2는 이방성 도전 필름을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a step of mounting an IC chip and a flexible substrate on a glass substrate by a mounting apparatus to which a connection method according to the present invention is applied.
2 is a cross-sectional view showing an anisotropic conductive film.

이하, 본 발명이 적용된 접속 방법, 접속체의 제조 방법 및 접속체에 대해서, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 본 발명은 이하의 실시 형태에만 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에 있어서 여러 가지의 변경이 가능한 것은 물론이다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a connection method to which the present invention is applied, a method for manufacturing a connection body, and a connection body will be described in detail with reference to the drawings. It is needless to say that the present invention is not limited to the following embodiments, and that various changes can be made within the scope of the present invention.

이하에서는 접속 대상물 및 피접속 대상물로서, 전자 부품을 접속하는 경우를 예로 설명하지만, 본 기술은 전자 부품의 접속 이외에도 적용할 수 있다. 예를 들면, 액정 표시 패널의 유리 기판에 액정 구동용의 IC칩을 실장하는 이른바 COG(chip on glass) 실장을 행한다. 이 액정 표시 패널(10)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 유리 기판 등을 포함하는 2장의 투명 기판(11, 12)이 대향 배치되고, 이들 투명 기판(11, 12)이 프레임상의 밀봉(13)에 의하여 서로 접합되어 있다. 그리고, 액정 표시 패널(10)은 투명 기판(11, 12)에 의하여 위요된 공간 내에 액정(14)이 봉입됨으로써 패널 표시부(15)가 형성되어 있다.Hereinafter, a case of connecting an electronic part as an object to be connected and an object to be connected will be described as an example, but the present technology can be applied to other than the connection of electronic parts. For example, a so-called COG (chip on glass) mounting in which a liquid crystal driving IC chip is mounted on a glass substrate of a liquid crystal display panel is performed. 1, the liquid crystal display panel 10 includes two transparent substrates 11 and 12 opposed to each other including a glass substrate and the like. These transparent substrates 11 and 12 are sealed in a frame 13, Respectively. In the liquid crystal display panel 10, the liquid crystal 14 is sealed in the space defined by the transparent substrates 11 and 12, thereby forming the panel display portion 15. [

투명 기판(11, 12)은 서로 대향하는 양 내측 표면에, ITO(산화인듐주석) 등을 포함하는 줄무늬상의 한쌍의 투명 전극(16, 17)이 서로 교차하도록 형성되어 있다.The transparent substrates 11 and 12 are formed such that a pair of striped transparent electrodes 16 and 17 including ITO (indium tin oxide) or the like cross each other on both inner surfaces opposed to each other.

그리고, 양 투명 전극(16, 17)은 이들 양 투명 전극(16, 17)의 해당 교차 부위에 의하여 액정 표시의 최소 단위로서의 화소가 구성되도록 되어 있다.The two transparent electrodes 16 and 17 are formed as the minimum unit of the liquid crystal display by the crossing portions of the transparent electrodes 16 and 17.

양 투명 기판(11, 12) 중, 한쪽의 투명 기판(12)은 다른 쪽의 투명 기판(11)보다 평면 치수가 크게 형성되어 있고, 이 크게 형성된 투명 기판(12)의 가장자리(12a)에는 액정 구동용 IC 등의 전자 부품(18)이 실장되는 COG 실장부(20)가 설치되고, 또한 COG 실장부(20)의 외측 근방에는 액정 구동 회로가 형성된 플렉시블 기판(21)이 실장되는 FOG 실장부(22)가 설치되어 있다.One of the transparent substrates 12 is formed to have a larger planar dimension than the other of the transparent substrates 11 and 12. The edge 12a of the transparent substrate 12, A FOG mounting portion 20 in which a COG mounting portion 20 on which an electronic component 18 such as a driving IC is mounted and a flexible substrate 21 on which a liquid crystal driving circuit is formed are mounted in the vicinity of the outside of the COG mounting portion 20. [ (22) is provided.

또한, 액정 구동용 IC나 액정 구동 회로는 화소에 대하여 액정 구동 전압을 선택적으로 인가함으로써, 액정의 배향을 부분적으로 변화시켜 소정의 액정 표시를 행할 수 있게 되어 있다.In addition, the liquid crystal driving IC and the liquid crystal driving circuit can selectively perform liquid crystal display by partially changing the orientation of the liquid crystal by selectively applying the liquid crystal driving voltage to the pixels.

각 실장부(20, 22)에는 투명 전극(17)의 단자부(17a)가 형성되어 있다. 단자부(17a) 상에는 도전성의 접착제로서 이방성 도전 필름(1)을 이용하여 액정 구동용 IC 등의 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)이 접속된다. 이방성 도전 필름(1)은 도전성 입자(4)를 함유하고 있고, 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)의 전극과 투명 기판(12)의 가장자리(12a)에 형성된 투명 전극(17)의 단자부(17a)를, 도전성 입자(4)를 통해 전기적으로 접속시키는 것이다. 이 이방성 도전 필름(1)은 자외선 경화형 및 열 경화형의 접착제이고, 후술하는 가열 가압 헤드(30)에 의해 열 압착됨과 동시에 자외선 조사기(31)에 의해 자외선이 조사됨으로써, 도전성 입자(4)가 단자부(17a)와 전자 부품이나 플렉시블 기판(21)의 각 전극 사이에서 압궤된 상태에서 경화하여, 투명 기판(12)과 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)을 접속시킨다.A terminal portion 17a of the transparent electrode 17 is formed in each of the mounting portions 20 and 22. On the terminal portion 17a, an electronic component 18 such as a liquid crystal driving IC or a flexible substrate 21 is connected by using an anisotropic conductive film 1 as a conductive adhesive. The anisotropic conductive film 1 contains the conductive particles 4 and the terminal portions of the transparent electrodes 17 formed on the edges 12a of the transparent substrate 12 and the electrodes of the electronic component 18 and the flexible substrate 21 (17a) are electrically connected through the conductive particles (4). This anisotropic conductive film 1 is an ultraviolet curing type and a thermosetting type adhesive and thermally pressed by a heating and pressing head 30 to be described later and simultaneously irradiated with ultraviolet rays by the ultraviolet ray irradiator 31, Cured in a state of being crushed between the electrodes 17a and the electrodes of the electronic component or the flexible substrate 21 to connect the transparent substrate 12 and the electronic component 18 or the flexible substrate 21. [

또한, 양 투명 전극(16, 17) 상에는 소정의 러빙 처리가 실시된 배향막(24)이 형성되어 있고, 이 배향막(24)에 의하여 액정 분자의 초기 배향이 규제되도록 되어 있다. 또한, 양 투명 기판(11, 12)의 외측에는 한쌍의 편광판(25, 26)이 배치되어 있고, 이들 양 편광판(25, 26)에 의하여 백 라이트 등의 광원(도시하지 않음)으로부터의 투과광의 진동 방향이 규제되도록 되어 있다.An alignment film 24 subjected to a predetermined rubbing treatment is formed on both the transparent electrodes 16 and 17 so that the initial alignment of the liquid crystal molecules is regulated by the alignment film 24. [ A pair of polarizers 25 and 26 are disposed outside the transparent substrates 11 and 12 so that the polarizers 25 and 26 can transmit the light from a light source such as a backlight The vibration direction is regulated.

[이방성 도전 필름][Anisotropic conductive film]

이방성 도전 필름(1)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 통상, 기재가 되는 박리 필름(2) 상에 도전성 입자 함유층(3)이 형성된 것이다. 이방성 도전 필름(1)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 액정 표시 패널(10)의 투명 기판(12)에 형성된 투명 전극(17)과 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21) 사이에 도전성 입자 함유층(3)을 개재시킴으로써, 액정 표시 패널(10)과 전자 부품(18) 또는 플렉시블 기판(21)을 접속하고, 도통시키기 위하여 이용된다.As shown in Fig. 2, the anisotropic conductive film 1 is usually formed by forming the conductive particle-containing layer 3 on the release film 2 to be a substrate. 1, the anisotropic conductive film 1 is provided between the transparent electrode 17 formed on the transparent substrate 12 of the liquid crystal display panel 10, the conductive particle-containing layer 17 between the electronic component 18 and the flexible substrate 21, Is used to connect the liquid crystal display panel 10 to the electronic component 18 or the flexible substrate 21 and to conduct the liquid crystal display panel 10 therebetween.

박리 필름(2)으로서는 이방성 도전 필름(ACF)에 있어서 일반적으로 이용되고 있는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 기재를 사용할 수 있다.As the release film 2, for example, a substrate such as a polyethylene terephthalate film commonly used in an anisotropic conductive film (ACF) can be used.

도전성 입자 함유층(3)은 결합제 중에 도전성 입자(4)를 분산하여 이루어지는 것이다. 결합제는 막 형성 수지, 경화성 수지, 경화제, 실란 커플링제 등을 함유하는 것이고, 통상의 이방성 도전 필름에 이용되는 결합제와 동일하다.The conductive particle-containing layer (3) is formed by dispersing conductive particles (4) in a binder. The binder contains a film-forming resin, a curing resin, a curing agent, a silane coupling agent, and the like, and is the same as the binder used in a conventional anisotropic conductive film.

막 형성 수지로서는 평균 분자량이 10000 내지 80000 정도인 수지가 바람직하다. 막 형성 수지로서는 페녹시 수지, 에폭시 수지, 변형 에폭시 수지, 우레탄 수지 등의 각종 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 막 형성 상태, 접속 신뢰성 등의 관점에서 페녹시 수지가 특히 바람직하다.As the film-forming resin, a resin having an average molecular weight of about 10,000 to 80,000 is preferable. Examples of the film-forming resin include various resins such as phenoxy resin, epoxy resin, modified epoxy resin and urethane resin. Among them, a phenoxy resin is particularly preferable from the viewpoints of film formation state, connection reliability, and the like.

경화성 수지로서는 특별히 한정되지 않으며, 에폭시 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.The curable resin is not particularly limited, and examples thereof include an epoxy resin and an acrylic resin.

에폭시 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있다. 구체예로서, 예를 들면 나프탈렌형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리페닐메탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독이거나, 2종 이상의 조합일 수도 있다.The epoxy resin is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. Specific examples thereof include naphthalene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, steel benzyl type epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, Type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, and triphenylmethane type epoxy resins. These may be used singly or in combination of two or more.

아크릴 수지로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있고, 구체예로서, 예를 들면 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 테트라메틸렌글리콜테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴옥시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 우레탄아크릴레이트, 에폭시아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들은 단독이거나, 2종 이상의 조합일 수도 있다.The acrylic resin is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. Specific examples thereof include acrylic acid esters such as methyl acrylate, ethyl acrylate, isopropyl acrylate, isobutyl acrylate, epoxy acrylate, ethylene glycol diacryl Diethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dimethylol tricyclodecane diacrylate, tetramethylene glycol tetraacrylate, 2-hydroxy-1,3-diacryloxypropane, 2,2- Bis [4- (acryloxyethoxy) phenyl] propane, dicyclopentenyl acrylate, tricyclodecanyl acrylate, tris (acryloxy methoxy) Ethyl) isocyanurate, urethane acrylate, and epoxy acrylate. These may be used singly or in combination of two or more.

경화제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있지만, 경화성 수지가 에폭시 수지인 경우에는 양이온계 경화제가 바람직하고, 경화성 수지가 아크릴 수지인 경우에는 라디칼계 경화제가 바람직하다.The curing agent is not particularly limited and can be appropriately selected according to the purpose. When the curable resin is an epoxy resin, a cationic curing agent is preferable. When the curable resin is an acrylic resin, a radical curing agent is preferable.

양이온계 경화제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있고, 예를 들면 술포늄염, 오늄염 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 방향족 술포늄염이 바람직하다. 라디칼계 경화제로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적절하게 선택할 수 있고, 예를 들면 유기 과산화물을 들 수 있다.The cationic curing agent is not particularly limited and can be appropriately selected in accordance with the purpose. Examples thereof include sulfonium salts and onium salts. Of these, aromatic sulfonium salts are preferable. The radical-type curing agent is not particularly limited and can be appropriately selected in accordance with the purpose, and examples thereof include organic peroxides.

실란 커플링제로서는 에폭시계, 아미노계, 머캅토·술피드계, 우레이도계 등을 들 수 있다. 실란 커플링제를 첨가함으로써, 유기 재료와 무기 재료와의 계면에서의 접착성이 향상된다.Examples of the silane coupling agent include epoxy-based, amino-based, mercapto-sulfide-based, ureido-based and the like. By adding the silane coupling agent, the adhesion at the interface between the organic material and the inorganic material is improved.

도전성 입자(4)로서는 이방성 도전 필름에 있어서 사용되고 있는 공지된 모든 도전성 입자를 들 수 있다. 도전성 입자(4)로서는, 예를 들면 니켈, 철, 구리, 알루미늄, 주석, 납, 크롬, 코발트, 은, 금 등의 각종 금속이나 금속 합금의 입자, 금속 산화물, 카본, 그래파이트, 유리, 세라믹, 플라스틱 등의 입자의 표면에 금속을 코팅한 것, 또는 이들 입자의 표면에 추가로 절연 박막을 코팅한 것 등을 들 수 있다. 수지 입자의 표면에 금속을 코팅한 것인 경우, 수지 입자로서는, 예를 들면 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 아크릴로니트릴·스티렌(AS) 수지, 벤조구아나민 수지, 디비닐벤젠계 수지, 스티렌계 수지 등의 입자를 들 수 있다.As the conductive particles (4), all known conductive particles used in the anisotropic conductive film can be mentioned. Examples of the conductive particles 4 include particles of various metals and metal alloys such as nickel, iron, copper, aluminum, tin, lead, chromium, cobalt, silver and gold, metal oxides, carbon, graphite, Plastics or the like coated with a metal, or a surface of these particles further coated with an insulating thin film. When the surface of the resin particle is coated with a metal, examples of the resin particle include an epoxy resin, a phenol resin, an acrylic resin, an acrylonitrile · styrene (AS) resin, a benzoguanamine resin, a divinylbenzene resin, Styrene-based resin, and the like.

[접속 방법][Connection method]

이어서, 이방성 도전 필름(1)을 통해 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)을 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에 접속하는 공정에 대하여 설명한다. 우선, 이방성 도전 필름(1)을 투명 전극(17) 상에 가압착한다. 이방성 도전 필름(1)을 가압착하는 방법은 액정 표시 패널(10)의 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에, 도전성 입자 함유층(3)이 투명 전극(17)측이 되도록, 이방성 도전 필름(1)을 배치한다.A process of connecting the electronic component 18 and the flexible substrate 21 to the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 through the anisotropic conductive film 1 will be described. First, the anisotropic conductive film 1 is pressed on the transparent electrode 17. The method of pressing the anisotropic conductive film 1 is a method in which the conductive particle containing layer 3 is formed on the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 of the liquid crystal display panel 10 so that the anisotropic conductive film 1 is anisotropically The conductive film 1 is disposed.

그리고, 도전성 입자 함유층(3)을 투명 전극(17) 상에 배치한 후, 박리 필름(2)측에서 도전성 입자 함유층(3)을 예를 들면 가열 가압 헤드(30)에서 가열 및 가압하고, 가열 가압 헤드(30)를 박리 필름(2)으로부터 분리하여, 박리 필름(2)을 투명 전극(17) 상의 도전성 입자 함유층(3)으로부터 박리함으로써, 도전성 입자 함유층(3)만이 투명 전극(17) 상에 가압착된다. 가열 가압 헤드(30)에 의한 가압착은 박리 필름(2)의 상면을 근소한 압력(예를 들면 0.1 MPa 내지 2 MPa 정도)으로 투명 전극(17)측에 가압하면서 가열한다. 다만, 가열 온도는 이방성 도전 필름(1) 중의 에폭시 수지나 아크릴 수지 등의 열 경화성 수지가 경화하지 않는 정도의 온도(예를 들면 70 내지 100℃ 정도)로 한다.Then, after the conductive particle-containing layer 3 is disposed on the transparent electrode 17, the conductive particle-containing layer 3 is heated and pressurized, for example, by the heating and pressing head 30 on the side of the release film 2, The peeling film 2 is peeled from the conductive particle containing layer 3 on the transparent electrode 17 by separating the pressing head 30 from the peeling film 2 so that only the conductive particle containing layer 3 is peeled off from the transparent electrode 17 . The pressing by the heating and pressing head 30 heats the top surface of the peeling film 2 while pressing the top surface of the peeling film 2 to the side of the transparent electrode 17 at a slight pressure (for example, about 0.1 MPa to 2 MPa). However, the heating temperature is a temperature (for example, about 70 to 100 占 폚) at which the epoxy resin or acrylic resin or other thermosetting resin in the anisotropic conductive film 1 does not cure.

다음으로, 투명 기판(12)의 투명 전극(17)과 전자 부품(18)의 전극 단자가 도전성 입자 함유층(3)을 통해 대향하도록, 전자 부품(18)을 배치한다.Next, the electronic component 18 is arranged so that the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 and the electrode terminal of the electronic component 18 are opposed to each other through the conductive particle-containing layer 3.

다음으로, 전자 부품(18)의 상면을 소정의 가열 온도로 승온된 가열 가압 헤드(30)에 의해, 소정의 온도 및 소정의 압력으로 열 가열한다. 가열 가압 헤드(30)에 의한 열 가압 온도는, 경화 개시 전에 도전성 입자 함유층(3)이 용융했을 때의 점도(최저 용융 점도)를 나타내는 소정의 온도에 대하여 ±10 내지 20℃의 온도(예를 들면 120℃ 전후)로 설정된다. 이에 따라, 투명 기판(12)의 휘어짐을 최소로 억제하고, 또한 전자 부품(18)에 열에 의한 손상을 가하는 것도 없다.Next, the upper surface of the electronic component 18 is thermally heated at a predetermined temperature and a predetermined pressure by a heating and pressing head 30 heated to a predetermined heating temperature. The heat pressurization temperature by the heating and pressing head 30 is set at a temperature of 占 0 to 20 占 폚 (for example, at a temperature of 10 to 20 占 폚) relative to a predetermined temperature representing the viscosity (lowest melt viscosity) of the conductive particle- About 120 deg. C). Thereby, the warpage of the transparent substrate 12 is minimized, and the electronic component 18 is not damaged by heat.

가압 헤드(30)가 전자 부품(18)을 가압한 후, 투명 기판(12)의 이면에 설치된 자외선 조사기(31)에 의하여 이방성 도전 필름(1)에 자외선을 조사한다. 자외선 조사기(31)에 의해 발광된 자외선은 투명 기판(12)을 지지하는 유리 등의 투명한 지지대 및 이 지지대에 지지된 투명 기판(12)을 투과하여 도전성 입자 함유층(3)으로 조사된다. 이 자외선 조사기(31)로서는 수은 램프, 메탈할라이드 램프, LED 램프 등을 사용할 수 있다.The pressurizing head 30 presses the electronic component 18 and then irradiates the anisotropic conductive film 1 with ultraviolet rays by the ultraviolet irradiator 31 provided on the back surface of the transparent substrate 12. [ The ultraviolet light emitted by the ultraviolet irradiator 31 is transmitted through the transparent support 12, such as glass, which supports the transparent substrate 12 and the transparent substrate 12 supported by the support, and is irradiated with the conductive particle-containing layer 3. As the ultraviolet irradiator 31, a mercury lamp, a metal halide lamp, an LED lamp, or the like can be used.

이 가열 가압 헤드(30)에 의한 발열 및 자외선 조사기(31)에 의한 자외선에 의해서, 이방성 도전 필름(1)은 경화 반응을 일으키고, 이에 따라, 이방성 도전 필름(1)을 통해 전자 부품(18)이 단자부(17a) 상에 본압착된다. 가열 가압 헤드(30)에 의한 열 가압 및 자외선 조사기(31)에 의한 자외선 조사는 동시에 또는 전후하여 종료한다.The anisotropic conductive film 1 causes a curing reaction due to the heat generated by the heating and pressing head 30 and ultraviolet rays generated by the ultraviolet irradiator 31 to thereby cause the anisotropic conductive film 1 to pass through the anisotropic conductive film 1, Is finally compressed on the terminal portion 17a. The heat pressurization by the heating and pressing head 30 and the ultraviolet irradiation by the ultraviolet irradiator 31 are concurrently or ending before and after.

본 기술에서는 가열 가압 헤드(30)에 의하여 전자 부품(18)을 가압함과 동시에, 자외선 조사기(31)에 의하여 자외선을 조사한다. 이때, 자외선 조사기(31)는 단계적으로 조사량을 상승시킨다. 또한, 본 기술은 가열 가압 헤드(30)에 의하여 전자 부품(18)을 가압한 후, 소정 시간이 경과한 후부터 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.In this technique, the electronic component 18 is pressed by the heating and pressing head 30 and ultraviolet rays are irradiated by the ultraviolet ray irradiator 31. At this time, the ultraviolet irradiator 31 increases the irradiation amount stepwise. Further, it is preferable that the present technology irradiate ultraviolet rays after a predetermined time has elapsed after pressing the electronic component 18 by the heating and pressing head 30.

자외선 조사기(31)에 의해서, 단계적으로 조사량을 상승시킴으로써, 자외선 조사의 초기에서는 결합제 수지의 경화 반응의 진행이 느려져, 자외선 조사의 후기에서 결합제 수지의 경화 반응을 급속히 진행시킨다. 이것은 자외선 조사의 초기에서 강한 조도로 하면, 결합제 수지의 반응 개시점이 너무 많아져 버려 분자쇄가 짧은 내열성이 떨어진 경화물이 되어 버리기 때문이다. 본 기술에서는 자외선 조사의 초기는 비교적 약한 조도로 조사하고, 후기에서 조도를 강화하기 때문에, 내열성이 우수한 경화물로 할 수 있고, 실장 온도의 저온화를 도모하면서, 접속 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 자외선의 조도는 복수의 단계로 나누어 올라가고, 단계 수는 자외선의 총 조사량이나 조사 시간 등에 따라서 적절하게 설정할 수 있고, 바람직하게는 2 내지 10 단계로 설정된다.By raising the irradiation amount stepwise by the ultraviolet ray irradiator 31, the progress of the curing reaction of the binder resin is slowed at the initial stage of the ultraviolet ray irradiation, and the curing reaction of the binder resin proceeds rapidly at the latter stage of ultraviolet irradiation. This is because, when the irradiating intensity is high at the initial stage of ultraviolet irradiation, the reaction starting point of the binder resin becomes too large, and the molecular chain becomes a cured product having a short heat resistance. In the present technology, since the initial irradiation of the ultraviolet ray is conducted with relatively low illuminance and the illuminance is strengthened in the latter period, it is possible to obtain a cured product excellent in heat resistance, and the reliability of connection can be improved while lowering the mounting temperature. The illuminance of the ultraviolet rays is divided into a plurality of steps. The number of steps can be appropriately set according to the total irradiation amount of the ultraviolet rays, the irradiation time, and the like, and is preferably set to 2 to 10 steps.

가열 가압 헤드(30)에 의한 열 가압을 자외선 조사에 선행시킴으로써, 이방성 도전 필름(1)의 도전성 입자 함유층(3)을 유동화시켜, 투명 기판(12)의 투명 전극(17)과 전자 부품(18)의 전극 단자 사이에서 결합제 수지를 유출시켜, 도전성 입자(4)를 협지시킬 수 있다. 열 가압에 의하여 결합제 수지를 유동화시킨 상태에서, 추가로 열 가압을 계속함과 동시에 자외선을 조사함으로써, 도전성 입자 함유층(3)을, 투명 기판(12)의 투명 전극(17)과 전자 부품(18)의 전극 단자가 도전성 입자(4)를 협지한 상태에서 경화시킬 수 있다.The conductive particle containing layer 3 of the anisotropic conductive film 1 is fluidized so that the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 and the electronic component 18 And the conductive particles 4 can be sandwiched between the electrode terminals. The conductive particle containing layer 3 is formed so as to cover the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 and the electronic component 18 (see FIG. 1) by irradiating ultraviolet light while continuing the thermal pressurization while fluidizing the binder resin by heat pressurization. Can be cured in a state in which the conductive particles 4 are sandwiched.

또한, 가열 가압 헤드(30)에 의한 전자 부품의 가열 가압 후, 소정 시간, 바람직하게는 1 내지 10초 정도 경과한 후에 자외선을 조사한다. 또한, 자외선을 조사하고 있는 사이, 가열 가압 헤드(30)의 가압을 연속 또는 단속적으로 행할 수도 있다.After heating and pressing of the electronic component by the heating and pressing head 30, ultraviolet light is irradiated for a predetermined time, preferably about 1 to 10 seconds. While the ultraviolet light is being irradiated, the pressing of the heating and pressing head 30 may be performed continuously or intermittently.

자외선 조사기(31)에 의한 조사 시간이나, 조사 단계 및 조사량, 총 조사량은 결합제 수지의 조성이나, 가열 가압 헤드(30)에 의한 열 가압 온도, 압력 및 시간으로부터, 가장 결합제의 경화 반응이 효율적으로 진행하는 조건을 설정한다.The irradiation time, the irradiation step, the irradiation amount, and the total irradiation amount by the ultraviolet ray irradiator 31 are determined so that the curing reaction of the binder is the most efficient from the composition of the binder resin and the heat pressing temperature, pressure and time by the heating pressing head 30 Set the progress condition.

예를 들면, 조사량의 바람직한 범위는 500 내지 3000 mJ/초이고, 조사 단계의 바람직한 범위는 2 내지 10 단계로 설정된다. 또한, 〔최종 단계의 조사량〕/〔제1 단계의 조사량〕을 4 내지 10으로 하는 것이 바람직하다.For example, a preferable range of the irradiation amount is 500 to 3000 mJ / sec, and a preferable range of the irradiation step is set to 2 to 10 steps. It is also preferable to set [irradiation amount in the final step] / [irradiation amount in the first step] to 4 to 10.

전자 부품(18)을 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에 접속한 후, 동일하게 하여 플렉시블 기판(21)이 투명 기판(12)의 투명 전극(17) 상에 실장되는 이른바 FOG(film on glass) 실장이 행해진다. 이때에도, 자외선 조사기(31)는 가열 가압 헤드(30)에 의하여 플렉시블 기판(21)을 눌러, 소정 시간(예를 들면 1 내지 10초 정도)이 경과한 후부터 자외선을 조사한다. 또한, 자외선을 조사하고 있는 사이, 가열 가압 헤드(30)의 가압을 연속 또는 단속적으로 행할 수도 있다. 또한, 자외선 조사기(31)는 단계적으로 조사량을 상승시킨다.Called FOG (FOG) in which the flexible substrate 21 is mounted on the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 after the electronic component 18 is connected to the transparent electrode 17 of the transparent substrate 12 film on glass) mounting is performed. At this time, the ultraviolet ray irradiator 31 presses the flexible substrate 21 by the heating and pressing head 30 and irradiates ultraviolet rays after a predetermined time (for example, about 1 to 10 seconds) has elapsed. While the ultraviolet light is being irradiated, the pressing of the heating and pressing head 30 may be performed continuously or intermittently. Further, the ultraviolet irradiator 31 increases the irradiation amount stepwise.

이에 따라, 이방성 도전 필름(1)을 통해 투명 기판(12)과 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)이 접속된 접속체를 제조할 수 있다. 또한, 이들 COG 실장과 FOG 실장은 한번의 열 가압 및 자외선 조사에 의해서 일괄하여 행할 수도 있다.This makes it possible to manufacture a connection body to which the transparent substrate 12 and the electronic component 18 or the flexible substrate 21 are connected via the anisotropic conductive film 1. [ These COG packaging and FOG packaging may be performed collectively by a single heat press and ultraviolet irradiation.

이상, 액정 구동용 IC를 직접 액정 표시 패널의 유리 기판 상에 실장하는 COG 실장, 및 플렉시블 기판을 직접 액정 표시 패널의 기판 상에 실장하는 FOG 실장을 예로 설명했지만, 본 기술은 COG 실장, FOG 실장 이외의 그 밖의 각종 접속에 사용할 수 있다.Although the COG mounting in which the liquid crystal driving IC is directly mounted on the glass substrate of the liquid crystal display panel and the FOG mounting in which the flexible substrate is mounted directly on the substrate of the liquid crystal display panel have been described above, It can be used for various other connections.

특히, 기판과 IC칩이나 플렉시블 플랫 케이블 등의 전자 부품을 접속하는 경우에, 접속 신뢰성을 확보하기 위해, 종래는 자외선 경화 및 열 경화를 병용하는 접속 방법도 있지만, 이 경우도 열 가압에 의한 기판의 휘어짐이나 전자 부품의 손상을 방지할 필요가 있다.Particularly, in the case of connecting an electronic component such as an IC chip or a flexible flat cable to a substrate, in order to secure connection reliability, conventionally, there is a connection method using both ultraviolet curing and thermal curing. In this case, It is necessary to prevent the electronic component from being bent or being damaged.

예를 들면, LCD 패널에 이용하는 유리 기판에 IC칩을 COG 실장하는 경우, 유리 기판 외주부의 실장 영역의 협소화나, 유리 기판의 박형화에 의해, 열 가압에 의한 유리 기판의 휘어짐이 발생하기 쉽다. 유리 기판에 휘어짐이 발생하면, COG 실장 영역 주변의 액정 화면에 색 얼룩이 생겨 버린다. 이 유리 기판의 휘어짐은 IC칩과 유리 기판의 열 팽창율의 차에 기인하는 점에서, 실장 온도의 저온화가 요구되지만, 접속 신뢰성의 저하도 막을 필요가 있다.For example, when the IC chip is COG mounted on a glass substrate used for an LCD panel, the glass substrate tends to warp due to the thermal pressurization due to the narrowing of the mounting area of the outer periphery of the glass substrate and the thinning of the glass substrate. When warpage occurs in the glass substrate, color unevenness occurs on the liquid crystal screen around the COG mounting region. This warp of the glass substrate is caused by a difference in thermal expansion coefficient between the IC chip and the glass substrate, so that the mounting temperature is required to be lowered, but it is also necessary to prevent deterioration of the connection reliability.

본 기술에 따르면, 광의 조사량을 단조롭게 상승시킴으로써, 광 조사의 초기에서는 결합제 수지의 경화 반응의 진행이 느려져, 광 조사의 후기에서 결합제 수지의 경화 반응을 급속히 진행시킴으로써, 내열성이 우수한 경화물로 할 수 있다. 즉, 본 기술에 따르면, 열 경화에 요하는 고온 가열을 필요로 하지 않고, 이방성 도전 필름의 용융에 필요한 최저한의 가열만으로 실장 온도의 저온화를 도모하여, 이에 따라 기판의 휘어짐을 방지하면서, 접속 신뢰성을 확보할 수 있다.According to the present technology, by monotonously increasing the irradiation amount of light, the progress of the curing reaction of the binder resin is slowed at the initial stage of light irradiation, and the curing reaction of the binder resin is rapidly advanced at the latter stage of light irradiation, have. That is, according to the present technology, it is not necessary to heat at a high temperature required for thermal curing, but the mounting temperature can be lowered only by the minimum heating required for melting the anisotropic conductive film, .

[기타][Etc]

또한, 본 기술은 상술한 자외선 경화형의 도전성 접착제를 이용하는 것 이외에, 예를 들면 적외광 등의 다른 파장의 광선에 의하여 경화하는 광 경화형의 도전성 접착제를 이용할 수도 있다.In addition to the above-described ultraviolet curable conductive adhesive, the present technology may also employ a photo-curable conductive adhesive which is cured by light of another wavelength, such as infrared light.

상기에서는 도전성의 접착제로서 필름 형상을 갖는 이방성 도전 필름(1)에 대하여 설명했지만, 페이스트상이라도 문제는 없다. 본원에서는 도전성 입자(4)를 함유하는 이방성 도전 필름(1) 등의 필름상의 도전성 접착 필름 또는 페이스트상의 도전성 접착 페이스트를 「접착제」라고 정의한다.In the above description, the anisotropic conductive film 1 having a film shape as the conductive adhesive has been described. However, there is no problem even in paste form. In the present application, a conductive adhesive film on a film such as an anisotropic conductive film (1) containing conductive particles (4) or a paste-like conductive adhesive paste is defined as an " adhesive ".

또한, 상기에서는 상온에서 고상이고, 가열함으로써 용융하는 도전성 접착제를 이용했지만, 상온에서 유동성을 갖는 도전성 접착제를 이용할 수도 있다. 이 경우, 가열은 요건이 아니고, COG 실장부(20)나 FOG 실장부에 도전성 접착제를 도포하여, 전자 부품(18)이나 플렉시블 기판(21)을 배치한 후, 적절하게 소정의 압력으로 가압하면서 자외선을 조사함으로써 접속을 도모한다.In the above, a conductive adhesive which is solid at room temperature and melts by heating is used, but a conductive adhesive having fluidity at room temperature may also be used. In this case, heating is not a requirement, and a conductive adhesive is applied to the COG mounting portion 20 and the FOG mounting portion to dispose the electronic component 18 and the flexible substrate 21, The connection is planned by irradiating ultraviolet rays.

또한, 상기에서는 자외선의 조사량을 다단계로 변경하여 자외선의 조사량을 상승시켜 갔지만, 자외선 조사기(31)에 의한 자외선의 조사량을 선형으로 상승시킬 수도 있다. 이 경우도, 총 조사량을 고려하여 조사 시간당의 조도를 설정하여, 선형으로 상승시킨다. 자외선 조사기(31)로서 LED 램프를 이용함으로써, 조사 시간과 조도를 용이하게 다단계로, 또는 선형으로 상승시킬 수 있다.In the above example, the irradiation amount of ultraviolet rays is changed in multiple stages to increase the irradiation amount of ultraviolet rays, but it is also possible to linearly increase the irradiation amount of ultraviolet rays by the ultraviolet ray irradiator 31. In this case, the illuminance per irradiation time is set in consideration of the total irradiation amount, and the irradiation is linearly increased. By using an LED lamp as the ultraviolet ray irradiator 31, the irradiation time and illuminance can be easily raised in a multistage or linear manner.

<실시예><Examples>

이어서, 본 기술의 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는 자외선의 조사 조건을 달리하여 제조한 각 샘플에 있어서의 결합제 수지의 경화 반응률(％), 초기 도통 저항치(Ω), 고온 고습 시험(85℃/85％RH 500 hr) 후의 도통 저항치(Ω), 및 기판의 휘어짐 양(㎛)을 측정하였다.Next, an embodiment of the present technology will be described. This example shows the results of the curing reaction rate (%), the initial conduction resistance value (?) And the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test (85 DEG C / 85% RH for 500 hours) of the binder resin in each sample prepared with different irradiation conditions of ultraviolet rays. (?), And the amount of warp of the substrate (占 퐉) were measured.

도전성 입자 함유층은The conductive particle-containing layer

페녹시 수지(YP-50: 신닛본 가가꾸 가부시끼가이샤 제조); 45 질량부Phenoxy resin (YP-50: manufactured by Shin-Nippon Kayaku Co.); 45 parts by mass

에폭시 수지(EP-828: 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 제조); 50 질량부Epoxy resin (EP-828, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation); 50 parts by mass

실란 커플링제(KBM-403: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조); 1 질량부Silane coupling agent (KBM-403; manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); 1 part by mass

경화제(SI-60 L: 산신 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조); 4 질량부A curing agent (SI-60L: manufactured by Sanshin Chemical Industry Co., Ltd.); 4 parts by mass

도전성 입자; (AUL704: 세키스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조): 50000개/㎟로 분산을 혼합하여 수지 조성물을 조정하고, 두께 20 ㎛의 양이온 경화계 전극 접착용 시트를 제조하였다.Conductive particles; (AUL704, manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.): Dispersion was mixed at 50000 / mm &lt; 2 &gt; to adjust the resin composition to prepare a sheet for cationic curing electrode bonding with a thickness of 20 mu m.

평가 소자로서,As the evaluation element,

외형; 1.8 mm×20 mmAppearance; 1.8 mm x 20 mm

범프 높이; 15 ㎛Bump height; 15 탆

의 평가용 IC를 이용하였다.Were used.

평가용 IC가 접속되는 평가 기재로서, 유리 두께 0.5 mm의 ITO 코팅 글래스를 이용하였다.As the evaluation substrate to which the evaluation IC is connected, ITO coated glass having a glass thickness of 0.5 mm was used.

이 ITO 코팅 글래스에 도전성 입자 함유층을 통해 평가용 IC를 열 가압 및 적절하게 자외선 조사에 의하여 접속한 접속체 샘플을 형성하였다. 자외선 조사기로서, UV 조사기 ZUV-C30H(옴론 가부시끼가이샤 제조)를 이용하였다. 또한, 자외선 조사를 행하는 각 접속체 샘플에 있어서는, 총 조사량은 900 mJ로 하고, 조사 시간이 3초인 접속체 샘플로서는 가열 가압 헤드(30)에 의한 평가용 IC에의 열 가압의 개시 후 1초 후에 자외선 조사를 개시하고, 조사 시간이 4초인 접속체 샘플로서는 가열 가압 헤드(30)에 의한 평가용 IC에의 열 가압의 개시와 동시에 자외선 조사를 개시하였다. 또한, 가열 가압 헤드의 가열 온도는 비교예 1을 제외하고, 경화 개시 전에 도전성 입자 함유층이 용융했을 때의 점도(최저 용융 점도)를 나타내는 온도(120℃)에 대하여 ± 약 40℃의 범위로 설정하였다.A connection IC sample was connected to the ITO-coated glass through a conductive particle-containing layer by heat-pressurizing the evaluation IC and appropriately irradiating it with ultraviolet light. As the ultraviolet ray irradiator, a UV irradiator ZUV-C30H (manufactured by OMRON Kabushiki Kaisha) was used. In addition, in each of the contact samples subjected to the ultraviolet irradiation, the total irradiation amount was 900 mJ, and as the connection sample having the irradiation time of 3 seconds, 1 second after the initiation of heat pressurization to the evaluation IC by the heating and pressing head 30 Ultraviolet light irradiation was started and ultraviolet light irradiation was initiated simultaneously with the start of heat pressurization to the evaluation IC by the heating and pressing head 30 as a contact sample having an irradiation time of 4 seconds. The heating temperature of the heating and pressing head was set to be within a range of about -40 占 폚 to the temperature (120 占 폚) representing the viscosity (lowest melt viscosity) at the time of melting the conductive particle-containing layer before initiation of curing, Respectively.

실시예 1에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 온도를 120℃, 압력 60 MPa, 열 가압 시간을 4초로 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 100 mJ에서 2초, 제2 단계에서는 UV 조도 700 mJ에서 1초로 하였다.In Example 1, the heating temperature by the heating and pressing head was set to 120 ° C, the pressure was set to 60 MPa, and the heat pressing time was set to 4 seconds. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for 3 seconds divided into two steps. In the first step, the UV illuminance was set to 100 mJ for 2 seconds, and in the second step, the UV illuminance was set to 700 mJ for 1 second.

실시예 2에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 50 mJ에서 2초, 제2 단계에서는 UV 조도 800 mJ에서 1초로 하였다.In Example 2, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for 3 seconds divided into two steps. In the first step, the UV illuminance was 50 mJ for 2 seconds, and in the second stage, the UV illuminance was 800 mJ for 1 second.

실시예 3에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 100 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 400 mJ에서 2초로 하였다.In Example 3, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. In addition, ultraviolet irradiation was performed for two seconds in three steps. In the first step, the UV illuminance was 100 mJ for 1 second, and in the second stage, the UV illuminance was 400 mJ for 2 seconds.

실시예 4에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 3단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 100 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 300 mJ에서 1초, 제3 단계에서는 UV 조도 500 mJ에서 1초로 하였다.In Example 4, the heating conditions by the heating pressurizing head were the same as those in Example 1. In the first stage, the UV illuminance was 100 mJ for 1 second, for the second stage, the UV illuminance was 300 mJ for 1 second, and for the third stage, the UV illuminance was 500 mJ for 1 second.

실시예 5에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 50 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 425 mJ에서 2초로 하였다.In Example 5, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for two seconds in three steps. In the first step, the UV illuminance was 50 mJ for 1 second, and in the second stage, the UV illuminance was 425 mJ for 2 seconds.

실시예 6에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 3단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 50 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 300 mJ에서 1초, 제3 단계에서는 UV 조도 550 mJ에서 1초로 하였다.In Example 6, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. The UV irradiation was performed at 50 mJ for 1 second in the first step, 1 second in the UV irradiation at 300 mJ in the second step, and 1 second at 550 mJ in the third step.

실시예 7에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 3단계로 나눠 4초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 50 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 200 mJ에서 2초, 제3 단계에서는 UV 조도 450 mJ에서 1초로 하였다.In Example 7, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. The UV irradiation was performed at 50 mJ for 1 second in the first step, 2 seconds at 200 mJ in the second step, and 1 second at 450 mJ in the third step.

실시예 8에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 3단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 100 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 200 mJ에서 1초, 제3 단계에서는 UV 조도 600 mJ에서 1초로 하였다.In Example 8, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. The UV irradiation was performed at 100 mJ for 1 second, the UV irradiation at 200 mJ for 1 second, and the UV irradiation at 600 mJ for 1 second in the first stage, the first stage, and the second stage, respectively.

실시예 9에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 결합제 수지의 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)로부터 -40℃인 80℃로 설정하고, 그 밖의 조건은 실시예 8과 동일하다고 하였다.In Example 9, the heating conditions by the heating and pressing head were set at 80 占 폚, which is -40 占 폚, from the temperature (120 占 폚) representing the lowest melt viscosity of the binder resin, and the other conditions were the same as those in Example 8.

실시예 10에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 결합제 수지의 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)로부터 -30℃인 90℃로 설정하고, 그 밖의 조건은 실시예 8과 동일하다고 하였다.In Example 10, the heating conditions by the heating and pressing head were set at 90 占 폚, which is -30 占 폚, from the temperature (120 占 폚) representing the lowest melt viscosity of the binder resin, and the other conditions were the same as those of Example 8.

실시예 11에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 결합제 수지의 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)로부터 +20℃인 140℃로 설정하고, 그 밖의 조건은 실시예 8과 동일하다고 하였다.In Example 11, the heating conditions by the heating and pressing head were set at 140 占 폚, which is + 20 占 폚, from the temperature (120 占 폚) indicating the lowest melt viscosity of the binder resin.

실시예 12에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 결합제 수지의 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)로부터 +30℃인 150℃로 설정하고, 그 밖의 조건은 실시예 8과 동일하다고 하였다.In Example 12, the heating conditions by the heating and pressing head were set at 150 ° C, which is + 30 ° C from the temperature (120 ° C), which indicates the lowest melt viscosity of the binder resin, and the other conditions were the same as those of Example 8.

비교예 1에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 온도를 170℃, 압력 60 MPa, 열 가압 시간을 4초로 하였다. 또한, 자외선 조사는 행하지 않았다.In Comparative Example 1, the heating temperature by the heating pressurizing head was 170 DEG C, the pressure was 60 MPa, and the heat pressing time was 4 seconds. Further, no ultraviolet ray irradiation was performed.

비교예 2에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사는 행하지 않았다.In Comparative Example 2, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. Further, no ultraviolet ray irradiation was performed.

비교예 3에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사 조건으로서, UV 조도 300 mJ에서 3초로 하였다.In Comparative Example 3, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. As ultraviolet irradiation conditions, the UV illuminance was set at 300 mJ for 3 seconds.

비교예 4에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 200 mJ에서 2초, 제2 단계에서는 UV 조도 500 mJ에서 1초로 하였다.In Comparative Example 4, the heating conditions by the heating pressurizing head were the same as those in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for two seconds in three steps. In the first step, the UV illuminance was 200 mJ for 2 seconds, and in the second stage, the UV illuminance was 500 mJ for 1 second.

비교예 5에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 150 mJ에서 2초, 제2 단계에서는 UV 조도 600 mJ에서 1초로 하였다.In Comparative Example 5, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for 3 seconds divided into two steps. In the first step, the UV illuminance was 150 mJ for 2 seconds, and in the second stage, the UV illuminance was 600 mJ for 1 second.

비교예 6에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 200 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 350 mJ에서 2초로 하였다.In Comparative Example 6, the heating conditions by the heating and pressing head were the same as those in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for 3 seconds divided into two steps. In the first step, the UV illuminance was 200 mJ for 1 second, and in the second stage, the UV illuminance was 350 mJ for 2 seconds.

비교예 7에서는 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건을 실시예 1과 동일하게 하였다. 또한, 자외선 조사를 2단계로 나눠 3초간 행하고, 제1 단계에서는 UV 조도 150 mJ에서 1초, 제2 단계에서는 UV 조도 375 mJ에서 2초로 하였다.In Comparative Example 7, the heating conditions by the heating pressurizing head were the same as those in Example 1. In addition, the ultraviolet irradiation was performed for 3 seconds divided into two steps. In the first step, the UV illuminance was 150 mJ for 1 second, and in the second stage, the UV illuminance was 375 mJ for 2 seconds.

이상의 실시예 및 비교예의 각 접속체 샘플에 대해서, 도전성 입자 함유층에 있어서의 에폭시환의 감소를 측정함으로써, 도전성 입자 함유층의 반응률(％)을 측정하였다. 또한, 각 접속체 샘플에 대해서, 디지털 멀티 미터를 이용하여 4 단자법으로 전류 2 mA를 흘렸을 때의 접속 저항을 측정하였다. 또한, 각 접속체 샘플에 대해서, 침 접촉식 표면 조도계(SE-3H: 가부시끼가이샤 코사까 겐뀨쇼 제조)를 이용하여 평가 기재의 ITO 코팅 글래스 하면에서 스캔하여, 평가용 IC의 접속 후의 ITO 코팅 글래스의 유리 기판면의 휘어짐 양(㎛)을 측정하였다. 측정 결과를 표 1, 표 2에 나타내었다.With respect to each of the connector samples of the above Examples and Comparative Examples, the reduction rate of the epoxy ring in the conductive particle-containing layer was measured, and the reaction rate (%) of the conductive particle-containing layer was measured. Further, for each of the connector samples, the connection resistance was measured when a current of 2 mA was passed through the four-terminal method using a digital multimeter. Each of the contact samples was scanned on the bottom surface of the ITO-coated glass substrate using an acupuncture type surface roughness meter (SE-3H, manufactured by Kosaka Kagaku Co., Ltd.), and the ITO coating (占 퐉) of the glass substrate surface of the glass was measured. The measurement results are shown in Tables 1 and 2.

Figure 112013120422379-pct00001
Figure 112013120422379-pct00001

Figure 112013120422379-pct00002
Figure 112013120422379-pct00002

표 1, 표 2에 나타내는 바와 같이, 반응률은 비교예 2를 제외하고, 모든 접속체 샘플에 있어서 95％ 이상이 되었다. 이것은 실시예 1 내지 12, 비교예 3 내지 7에 있어서는 반응률이 90％ 이상이 되도록 열 가압 조건(80℃ 내지 150℃, 60 MPa, 4초)이나 자외선 조사 조건(900 mJ, 3초 또는 4초)을 설정한 것에 의한 것이고, 비교예 1에 있어서는 열 가압만으로 반응률이 90％ 이상이 되도록 열 가압 조건(170℃, 60 MPa, 4초)을 설정한 것에 의한 것이다.As shown in Tables 1 and 2, the reaction rate was 95% or more in all the connector samples, except for Comparative Example 2. In the examples 1 to 12 and the comparative examples 3 to 7, the reaction rate was 90% or more and the heat pressurization conditions (80 to 150 DEG C, 60 MPa, 4 seconds) or ultraviolet irradiation conditions (900 mJ, 3 or 4 seconds (170 DEG C, 60 MPa, 4 seconds) was set so that the reaction rate became 90% or more with only the heat pressurization in Comparative Example 1.

한편, 비교예 2에서는 자외선 조사의 병용을 전제로 설정한 실시예 1 내지 8과 동일 열 가압 조건이면서, 자외선 조사를 행하지 않았기 때문에, 반응률이 41％로 낮게 되었다. 이 때문에, 비교예 2에서는 초기 도통 저항치가 1.8(Ω)로 높고, 고온 고습 시험 후의 도통 저항치로서는 100(Ω)을 초과하여 버렸다.On the other hand, in Comparative Example 2, since the ultraviolet ray irradiation was not performed under the same thermal pressurizing conditions as in Examples 1 to 8 in which the combined use of ultraviolet irradiation was assumed, the reaction rate was as low as 41%. Therefore, in Comparative Example 2, the initial conduction resistance value was as high as 1.8 (?) And exceeded 100 (?) As the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test.

실시예 1 내지 12와 비교예 1을 비교하면, 모두 도전성 입자 함유층이 91％ 이상의 반응률을 나타내고, 초기 도통 저항치가 0.2(Ω), 고온 고습 시험 후의 도통 저항치가 9.6(Ω) 이하로 낮았다. 한편으로, 실시예 1 내지 12에서는 자외선 조사를 병용함으로써 가열 가압 헤드에 의한 열 가압 온도를 80℃ 내지 150℃로 낮게 억제할 수 있고, 유리 기판의 휘어짐을 12.4(㎛) 이하로 억제할 수 있었다. 비교예 1에서는 자외선 조사를 병용하는 것 없이 도전성 입자 함유층이 높은 반응률(％)을 내기 위하여 가열 가압 헤드의 열 가압 온도를 170℃로 높게 설정했기 때문에, 유리 기판의 휘어짐이 16.2(㎛)로 커져 버렸다.Comparing Examples 1 to 12 and Comparative Example 1, all of the conductive particle-containing layers exhibited a response rate of 91% or more, an initial conduction resistance value of 0.2 (?) And a conduction resistance value after a high temperature and high humidity test of 9.6 (?) Or less. On the other hand, in Examples 1 to 12, by using ultraviolet irradiation in combination, the heat pressurizing temperature by the heating and pressing head can be suppressed to 80 to 150 DEG C, and the warp of the glass substrate can be suppressed to 12.4 (mu m) or less . In Comparative Example 1, since the thermal pressurizing temperature of the heating and pressing head was set to 170 占 폚 so as to give a high reaction rate (%) of the conductive particle-containing layer without using ultraviolet irradiation, the warpage of the glass substrate increased to 16.2 I abandoned it.

실시예 1 내지 12와 비교예 3을 비교하면, 비교예 3에서는 자외선 조사를 단계적으로 행하지 않고, 전 조사 시간(3초)에 걸쳐 높은 조도(300 mJ/초)로 자외선 조사를 행하였다.Comparing Examples 1 to 12 and Comparative Example 3, in Comparative Example 3, ultraviolet irradiation was performed at a high illuminance (300 mJ / sec) over the entire irradiation time (3 seconds) without stepwise irradiation of ultraviolet rays.

이러한 비교예 3에서는 고온 고습 시험 후의 도통 저항치가 20.2(Ω)로 상승하여, 접속 신뢰성이 떨어진다. 한편, 실시예 1 내지 12는 자외선 조사를 단계적으로 UV 조도가 상승하도록 행했기 때문에, 고온 고습 시험 후의 도통 저항치도 9.6(Ω) 이하였다. 이것으로부터, 비교예 3에서는 내열성이 떨어지는 경화물이 되어 버린 것을 알 수 있었다. 이것은 자외선 조사의 초기에서 강한 UV 조도로 조사했기 때문에, 결합제 수지의 반응 개시점이 너무 많아져 버려 분자쇄가 짧은 내열성이 떨어지는 경화물이 되어 버렸기 때문이라고 생각된다.In this Comparative Example 3, the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test rises to 20.2 (?), And the connection reliability deteriorates. On the other hand, in Examples 1 to 12, since the ultraviolet irradiation was carried out so that the UV illuminance was increased stepwise, the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test was 9.6 (Ω) or less. Thus, in Comparative Example 3, it was found that the cured product had poor heat resistance. This is attributed to the fact that since the irradiation with strong UV light was performed at the initial stage of ultraviolet irradiation, the reaction starting point of the binder resin became too large, and the molecular chain became a cured product having a short heat resistance.

실시예 1 내지 12와 비교예 4 내지 비교예 7을 비교하면, 비교예 4 내지 비교예 7에 있어서도, 자외선 조사의 초기에서 강한 UV 조도(200 mJ/초, 150 mJ/초)로 조사했기 때문에, 분자쇄가 짧은 내열성이 떨어지는 경화물이 되어 버리고, 고온 고습 시험 후의 도통 저항치가 13.5(Ω)로 상승하여, 실시예 1 내지 12에 비하여 접속 신뢰성이 떨어지는 것을 알 수 있었다.Comparing Examples 1 to 12 with Comparative Examples 4 to 7, also in Comparative Examples 4 to 7, irradiation with strong UV illuminance (200 mJ / sec, 150 mJ / sec) at the beginning of ultraviolet irradiation , The molecular chain became short cured product with low heat resistance, and the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test increased to 13.5 (Ω), and the connection reliability was lowered than in Examples 1 to 12.

한편, 실시예 1 내지 12는 고온 고습 시험 후의 도통 저항치도 9.6(Ω) 이하로 억제할 수 있었다. 이것은 자외선 조사의 초기에서 150 mJ/초보다 낮은 UV 조도로 조사하고 있기 때문에, 내열성이 우수한 도전성 입자 함유층의 경화물이 되었기 때문이라고 생각된다.On the other hand, in Examples 1 to 12, the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test was also suppressed to 9.6 (Ω) or less. This is because it is irradiated at a UV illuminance lower than 150 mJ / sec at the beginning of the ultraviolet irradiation, and thus it is considered that the cured product is a conductive particle containing layer having excellent heat resistance.

이에 의해, UV 조사의 최초의 단계에서의 UV 조도는 소정의 자외선 조사 조건(본 실시예에서는 900 mJ, 3초 또는 4초)에 있어서, 총 조사량(900 mJ)의 약 17％ 미만(약 150 mJ/초 미만)의 조도로 조사하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다.Thus, the UV illuminance at the initial stage of UV irradiation is less than about 17% (about 150 mJ) of the total irradiation amount (900 mJ) in a predetermined ultraviolet irradiation condition (900 mJ, 3 seconds, or 4 seconds in this embodiment) mJ / sec or less).

또한, UV 조사의 최초의 단계에서의 UV 조도에 의한 조사 시간은 소정의 자외선 조사 조건(본 실시예에서는 900 mJ, 3초 또는 4초)에 있어서, 총 조사 시간(3초 또는 4초)의 약 20 내지 40％ 정도(약 1초 내지 2초)로 하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다.The irradiation time by the UV illuminance at the initial stage of the UV irradiation is set to a total irradiation time (3 seconds or 4 seconds) in a predetermined ultraviolet irradiation condition (900 mJ, 3 seconds, or 4 seconds in this embodiment) About 20 to 40% (about 1 second to 2 seconds) is preferable.

가열 가압 헤드에 의한 가열 조건에 대해서, 실시예 8 내지 실시예 12를 비교하면, 실시예 9에서는 가열 온도가, 결합제 수지가 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)에 대하여 -40℃로 낮췄기 때문에, 다른 실시예에 비하여 수지의 유동성이 나쁘고, 단자 사이에서 결합제 수지를 충분히 배제할 수 없기 때문에, 고온 고습 시험 후의 도통 저항치가 9.6(Ω)으로 비교적 높아졌다.Comparing Example 8 to Example 12 with respect to the heating conditions by the heating and pressing head, in Example 9, the heating temperature was lowered to -40 占 폚 with respect to the temperature (120 占 폚) at which the binder resin exhibited the lowest melt viscosity Therefore, the flowability of the resin is worse than in the other embodiments, and since the binder resin can not be sufficiently removed between the terminals, the conduction resistance value after the high temperature and high humidity test becomes relatively high at 9.6 (?).

또한, 실시예 11, 실시예 12로부터, 가열 온도가 결합제 수지가 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)에 대하여 높게 하여 가면, 다른 실시예에 비하여 기판의 휘어짐이 커져 가는 것을 알 수 있었다.It can also be seen from Examples 11 and 12 that when the heating temperature is made higher with respect to the temperature (120 ° C) at which the binder resin exhibits the lowest melt viscosity, the warp of the substrate becomes larger than in the other Examples.

이상으로부터, 가열 가압 헤드에 의한 가열 조건으로서는 결합제 수지가 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)에 대하여 -40℃ 내지 +30℃의 범위(80℃ 내지 150℃)로 사용 가능하지만, 결합제 수지가 최저 용융 점도를 나타내는 온도(120℃)에 대하여 -30℃ 정도까지의 범위(90℃ 내지 120℃ 부근)에서 사용하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다.From the above, as the heating conditions by the heating and pressing head, the binder resin can be used in the range of -40 DEG C to + 30 DEG C (80 DEG C to 150 DEG C) relative to the temperature (120 DEG C) at which the binder resin exhibits the lowest melt viscosity, It was found that it is preferable to use it in the range of about -30 DEG C (about 90 DEG C to 120 DEG C) with respect to the temperature (120 DEG C) showing the lowest melt viscosity.

1 이방성 도전 필름, 2 박리 필름, 3 도전성 입자 함유층, 4 도전성 입자, 10 액정 표시 패널, 11 투명 기판, 12 투명 기판, 13 밀봉, 14 액정, 15 패널 표시부, 16 투명 전극, 17 투명 전극, 17a 단자부, 18 전자 부품, 20 COG 실장부, 21 플렉시블 기판, 22 FOG 실장부, 23 이방성 도전 필름, 24 배향막, 25 편광판, 26 편광판, 30 가열 가압 헤드, 31 자외선 조사기A liquid crystal display panel comprising a first transparent substrate and a second transparent substrate, wherein the first transparent substrate and the second transparent substrate are laminated in this order on a transparent substrate; A polarizing plate, 26 a polarizing plate, 30 a heating pressure head, 31 an ultraviolet ray irradiator,

Claims (11)

삭제delete 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고,
상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고,
상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시키며,
가열 가압 헤드에 의하여 상기 접속 대상물을 소정의 온도 및 소정의 압력으로 열 가압하고,
상기 소정의 온도와 상기 접착제가 최저 용융 점도를 나타내는 온도와의 차가 40℃ 이내인 접속 방법.The object to be connected and the object to be connected are bonded to each other through a photo-
And a step of curing the adhesive by irradiating light onto the adhesive to connect the connection object and the object to be connected,
The light intensity of the light is continuously or stepwise increased,
Heating the connection object with a heating pressure head at a predetermined temperature and a predetermined pressure,
Wherein a difference between the predetermined temperature and a temperature at which the adhesive exhibits the lowest melt viscosity is within 40 占 폚. 제2항에 있어서, 상기 가열 가압 헤드에 의한 열 가압을 개시한 후에, 상기 광을 조사하는 접속 방법.The connection method according to claim 2, wherein after the heat pressing by the heating and pressing head is started, the light is irradiated. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 광의 조사를 3단계로 행하고,
최초의 단계에서, 상기 광의 총 조사량의 17％ 미만의 조사량을 맞히는 접속 방법.4. The method according to claim 2 or 3, wherein the irradiation of the light is performed in three steps,
In a first step, a dose of less than 17% of the total dose of light is met. 제4항에 있어서, 최초의 단계는 상기 광의 총 조사 시간의 20 내지 40％의 조사 시간인 접속 방법.5. The method according to claim 4, wherein the first step is an irradiation time of 20 to 40% of the total irradiation time of the light. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 광의 조사를 다단계로 행하고,
〔최종 단계의 조사량〕/〔제1 단계의 조사량〕을 4 내지 10으로 하는 접속 방법.4. The method according to claim 2 or 3, wherein the irradiation of the light is performed in multiple steps,
[The irradiation amount of the final step] / [the irradiation amount of the first step] is 4 to 10. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 접착제는 도전성 입자를 함유하고, 상기 접속 대상물 및 상기 피접속 대상물에 각각 설치된 전극끼리를 전기적으로 접속하는 이방성 도전 접착제이고,
상기 광은 자외선인 접속 방법.4. The anisotropic conductive adhesive according to claim 2 or 3, wherein the adhesive contains conductive particles, and the electrodes to be connected to the connection object and the object to be connected respectively are electrically connected to each other,
Wherein the light is ultraviolet light. 삭제delete 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고,
상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고,
상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시키며,
가열 가압 헤드에 의하여 상기 접속 대상물을 소정의 온도 및 소정의 압력으로 열 가압하고,
상기 소정의 온도와 상기 접착제가 최저 용융 점도를 나타내는 온도와의 차가 40℃ 이내인 접속체의 제조 방법.The object to be connected and the object to be connected are bonded to each other through a photo-
And a step of curing the adhesive by irradiating light onto the adhesive to connect the connection object and the object to be connected,
The light intensity of the light is continuously or stepwise increased,
Heating the connection object with a heating pressure head at a predetermined temperature and a predetermined pressure,
Wherein the difference between the predetermined temperature and a temperature at which the adhesive exhibits the lowest melt viscosity is within 40 占 폚. 삭제delete 접속 대상물과, 피접속 대상물을, 광 경화형의 접착제를 통해 접합시키고,
상기 접착제에 광을 조사함으로써, 상기 접착제를 경화시켜, 상기 접속 대상물과 상기 피접속 대상물을 접속하는 공정을 갖고,
상기 광의 조도를 연속적 또는 단계적으로 상승시키며,
가열 가압 헤드에 의하여 상기 접속 대상물을 소정의 온도 및 소정의 압력으로 열 가압하고,
상기 소정의 온도와 상기 접착제가 최저 용융 점도를 나타내는 온도와의 차가 40℃ 이내로 접속된 접속체.The object to be connected and the object to be connected are bonded to each other through a photo-
And a step of curing the adhesive by irradiating light onto the adhesive to connect the connection object and the object to be connected,
The light intensity of the light is continuously or stepwise increased,
Heating the connection object with a heating pressure head at a predetermined temperature and a predetermined pressure,
And a difference between the predetermined temperature and a temperature at which the adhesive exhibits the lowest melt viscosity is within 40 占 폚.
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