KR101502995B1 - Method for formation of metal coating film, and electrically conductive particle - Google Patents
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Abstract
금속 피막 형성 방법은 직경이 0.5 μm ~ 100 μm의 비도전성 입자에, 금속 피막을 무전해도금에 의해 형성하는 방법이다. 무전해도금은 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시되는 것과 동시에, 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재하에서 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성한다. 도전성 입자에는 비도전성 입자의 표면 전체에 형성된 금속 피막에 의해 도전성이 부여된다. 비도전성 입자의 직경은 0.5 μm ~ 100 μm의 범위이다. 또한, 금속 피막은 은의 단일층으로부터 구성되어 있다.The metal film forming method is a method of forming a metal film by electroless plating on non-conductive particles having a diameter of 0.5 μm to 100 μm. The electroless plating is performed after the pretreatment of attaching the metal nuclei to the non-conductive particles, and at the same time, the metal coating derived from silver is formed in the presence of the silane compound having a thiol group. The conductive particles are imparted with conductivity by the metal coating formed on the entire surface of the non-conductive particles. The diameter of the non-conductive particle ranges from 0.5 μm to 100 μm. Further, the metal coating is composed of a single layer of silver.
Description
본 발명은 예를 들면 도전재, 전자파 쉴드(shield)재 등에 이용 가능한 도전성 입자, 및 비도전성 입자에 금속 피막을 형성하는 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to conductive particles usable in conductive materials, electromagnetic shielding materials, and the like, and a method of forming metal coatings on non-conductive particles.
비도전성 입자에 금속 피막을 형성하는 기술로서 무전해도금이 알려져 있다. 무전해도금의 반응을 촉진하기 위하여, 비도전성 입자의 표면에는 무전해도금을 개시하는 촉매를 부착시키기 위한 사전 처리가 수행된다. 공지의 처리방법에서는 예를 들면, 비도전성 입자를 염화제일주석의 수용액에 접촉시킨 후, 염화 팔라듐 수용액에 접촉시킨다. 이를 통하여, 비도전성 입자의 표면에 흡착한 주석 이온의 환원 작용에 의해, 팔라듐 콜로이드가 비도전성 입자의 표면에 흡착된다. 팔라듐 콜로이드는 무전해도금을 개시시키는 촉매로서 작용한다. 또한, 무전해도금욕에는 금속염, 금속착화제, pH조정제, 환원제 등이 포함되어 있다. 그러나, 상술한 바와 같은 사전 처리하여 실시하는 무전해도금에 대해서는 금속 피막의 두께가 지극히 불균일하고, 연속적인 피막을 형성할 수 없다는 문제점이 있다.
Electroless plating is known as a technique for forming a metal film on non-conductive particles. In order to promote the reaction of the electroless plating, a pretreatment for attaching a catalyst that initiates electroless plating is performed on the surface of the non-conductive particles. In the known treatment method, for example, the non-conductive particles are brought into contact with an aqueous solution of palladium chloride after being brought into contact with an aqueous solution of tin chloride. Through this, the palladium colloid is adsorbed on the surface of the non-conductive particle by the action of reducing tin ions adsorbed on the surface of the non-conductive particle. The palladium colloid acts as a catalyst for initiating electroless plating. The electroless plating bath contains a metal salt, a metal complexing agent, a pH adjuster, a reducing agent, and the like. However, with respect to the electroless plating to be carried out by pretreatment as described above, there is a problem that the thickness of the metal coating is extremely uneven and a continuous film can not be formed.
예를 들면, 특허 문헌 1에서는 균질하고 단단한 피복력을 가지는 금속 도금 분말이 제안되고 있다. 이 문헌에 명시된 금속 도금 분말은 귀금속 이온을 소지 표면에 담지하는 촉매화공정과, 그 후, 소지에 무전해도금을 실시하는 무전해도금 처리를 통하여 얻을 수 있다. 촉매화공정에서는 유기질 또는 무기질의 소지에 귀금속 이온을 포착시킨 후, 그 귀금속 이온을 환원하여 소지에 귀금속을 담지시킨다. 무전해도금 처리에서는 무전해도금액을 적어도 2액으로부터 구성해, 그것들을 개별적으로, 또는 동시에 첨가해 무전해도금을 실시한다.
For example,
또한, 특허 문헌 2 또는 특허 문헌 3에는 비도전성 입자에 귀금속 피막을 형성하는 기술로서 치환 도금이 개시되고 있다. 치환 도금으로는 무전해니켈 도금에 의해 기초층을 형성하여, 니켈을 귀금속과 치환하는 방법이 일반적이다. 무전해니켈 도금에 대하여, 통상적으로 도금액의 pH를 적정하게 조정하기 위하여, 차아인산 나트륨 1 수화물, 구연산 등이 첨가된다. 한편, 치환 도금에 대하여, 통상적으로 귀금속 피막의 결정 구조를 제어하기 위하여, 코발트의 농도가 수백 ppm이 되도록 도금액에 코발트가 첨가된다. 치환 도금에 의하여 제작한 금속 피막에는 은 및 금보다 전기 저항값이 높은 니켈이나, 불순물인 인, 코발트 등이 포함되어 있다.
In addition,
금 및 은은 도전율이 높은 귀금속으로서 알려져 있다. 은은 금보다 높은 도전율을 가지는 것에 더하여, 가격이 저렴한 면도 있다. 이 때문에, 비도전성 입자와 그 표면에 은으로부터 유래하는 금속 피막을 갖춘 도전성 입자의 이용가치는 높다. 그런데 , 은으로부터 유래하는 금속 피막을 치환 도금에 의해 형성하는 경우, 기초층인 니켈층, 및 은층의 적어도 2개의 층을 포함한 금속 피막이 형성된다. 이와 같이 복수의 층으로부터 유래하는 금속 피막은 비용적으로 불리하다. 비도전성 입자에 대하여, 예를 들면 커플링제를 이용한 사전 처리를 수행하고 나서 무전해도금을 실시하는 방법으로, 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성하는 방법도 생각할 수 있다. 그런데 , 마이크론 수준의 비도전성 입자에 사전 처리를 수행하여도, 비도전성 입자에 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성할 수 없던지, 또는 불연속인 금속 피막 밖에 형성되지 않는다. 이와 같이, 마이크론 크기의 비도전성 입자에 대해서, 은으로부터 유래하는 금속 피막을 단일층으로서 형성하는 기술의 실용성은 아직도 얻지 못하고 있다.Gold and silver are known as noble metals with high conductivity. In addition to having a higher conductivity than silver, gold is also inexpensive. For this reason, the non-conductive particles and the conductive particles having the metal coating derived from silver on the surface thereof have a high utilization value. When a metal film derived from silver is formed by displacement plating, a metal film containing at least two layers of a nickel layer as a base layer and a silver layer is formed. As described above, the metal coating derived from a plurality of layers is costly disadvantageous. It is also conceivable to form a metal coating derived from silver by performing a pretreatment with non-conductive particles using, for example, a coupling agent followed by electroless plating. However, even if the non-conductive particles of the micron level are pretreated, the metal coating derived from silver can not be formed on the non-conductive particles, or only the discrete metal coating is formed. As described above, with respect to the non-conductive particles of micron size, the technique of forming a metal coating derived from silver as a single layer has not yet been practically achieved.
<특허 문헌 1> 특공평 6-96771호 공보<
<특허 문헌 2> 특개 2007-242307호 공보Patent Document 2: JP-A-2007-242307
<특허 문헌 3> 특개 2004-14409호 공보
[Patent Document 3] JP-A-2004-14409
본 발명의 목적은 은으로부터 유래하는 금속 피막을 단일층으로 형성하는 것이 용이한 금속 피막 형성 방법을 제공하는 것에 있다. 또한, 본 발명의 목적은 도전성이 뛰어난 한편 저비용인 도전성 입자를 제공하는 것에 있다.
It is an object of the present invention to provide a method of forming a metal film which is easy to form a metal film derived from silver in a single layer. Another object of the present invention is to provide a conductive particle which is excellent in conductivity and low in cost.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제1의 구체예에 의하면, 직경이 0.5 μm ~ 50 μm인 비도전성 입자에, 금속 피막을 무전해도금에 의해 형성하는 금속 피막 형성 방법이 제공된다. 무전해도금은 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시되는 것과 동시에, 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재 하에서 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성한다.
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of forming a metal film by electroless plating of a metal film on non-conductive particles having a diameter of 0.5 to 50 μm. The electroless plating is performed after the pretreatment of attaching the metal nuclei to the non-conductive particles, and at the same time, the metal coating derived from silver is formed in the presence of the silane compound having a thiol group.
상기의 금속 피막 형성 방법에 대하여, 티올기를 가지는 실란 화합물과 물과의 혼합액을 비도전성 입자에 접촉한 후, 무전해도금을 개시하는 것이 바람직하다.
In the metal film forming method, it is preferable to initiate electroless plating after bringing the mixed liquid of the silane compound having a thiol group and water into contact with the non-conductive particles.
상기의 금속 피막 형성 방법에 대하여, 티올기를 가지는 실란 화합물은 3-머캅토프로필트리에톡시실란인 것이 바람직하다.
With respect to the metal film forming method, it is preferable that the silane compound having a thiol group is 3-mercaptopropyltriethoxysilane.
상기의 금속 피막 형성 방법에 대하여, 무전해도금이 은경 반응에 의해 실시되는 것이 바람직하다.
It is preferable that electroless plating be performed by a silver halide reaction with respect to the above metal film forming method.
상기의 금속 피막 형성 방법에 대하여, 사전 처리는 실란커플링제, 가수분해 촉매 및 금속염을 포함한 처리액을 비도전성 입자에 접촉시킨 후에, 환원제에 의해 금속염의 금속을 석출시키는 것으로 금속핵을 부착시키는 처리이며, 실란커플링제는 금속염의 금속에 대해서 킬레이트를 형성하는 관능기를 가지는 것이 바람직하다.
In the above-mentioned metal film forming method, the pretreatment is a treatment in which a treatment liquid containing a silane coupling agent, a hydrolysis catalyst and a metal salt is brought into contact with a non-conductive particle and a metal is precipitated by a reducing agent, , And the silane coupling agent preferably has a functional group that forms a chelate with respect to the metal salt.
상기의 금속 피막 형성 방법에 대하여, 금속핵의 금속은 금 또는 은인 것이 바람직하다.
With respect to the metal film forming method, it is preferable that the metal of the metal nucleus is gold or silver.
상기의 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 제2의 구체예에 의하면, 비도전성 입자의 표면 전체에 형성된 금속 피막에 의해 도전성이 부여된 도전성 입자가 제공된다. 비도전성 입자의 직경은 0.5 μm ~ 50 μm의 범위이다. 또한, 금속 피막은 은의 단일층으로부터 구성된다.According to a second embodiment of the present invention, there is provided a conductive particle imparted with conductivity by a metal coating formed on the entire surface of a non-conductive particle. The diameter of the non-conductive particle ranges from 0.5 μm to 50 μm. Further, the metal coating is composed of a single layer of silver.
상기의 도전성 입자에 대하여, 도전성 입자의 형광 X선 분석에 대해 비도전성 입자에 포함되는 원소 이외의 원소로서 금,은 및 유황만이 검출되는 것이 바람직하다.
As to the above conductive particles, it is preferable that only gold, silver and sulfur are detected as elements other than the elements contained in the non-conductive particles in the fluorescent X-ray analysis of the conductive particles.
상기의 도전성 입자에 대하여, 액정 표시 소자의 씰제로서 이용되는 것이 바람직하다.
The above conductive particles are preferably used as a sealing agent for a liquid crystal display element.
상기의 도전성 입자에 대하여, 이방도전성 재료로서 이용되는 것이 바람직하다.
The conductive particles are preferably used as an anisotropic conductive material.
본 발명에 따르면, 마이크론 크기의 비도전성 입자에 대해서, 은으로부터 유래하는 금속 피막을 단일층으로, 또한 연속하여 형성할 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, there is an effect that a metallic coating derived from silver can be formed continuously as a single layer with respect to micron-sized non-conductive particles.
도 1은 실시예 1을 이용한 실리카 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 2는 실시예 1에 대하여 사전 처리를 수행한 비도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 3은 실시예 1의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 4는 실시예 1의 도전성 입자에 대해 수지중의 분산 상태를 나타내는 광학 현미경 사진이고,
도 5는 실시예 1의 도전성 입자에 대해 은의 검출을 나타내는 형광 X선 분석차트이고,
도 6은 실시예 1의 도전성 입자에 대해 금의 검출을 나타내는 형광 X선 분석 차트이고,
도 7은 실시예 1의 도전성 입자에 대해 유황의 검출을 나타내는 형광 X선 분석 차트이고,
도 8은 실시예 2의 은 피막 실리카 입자에 대해 습열시험 전 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 9는 실시예 2의 은피막 실리카 입자에 대해 습열시험 후 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 10은 실시예 3의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 11은 실시예 4의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 12는 비교예 1의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 13은 비교예 2의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 14는 비교예 3의 도전성 입자에 대해 습열시험 전 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 15는 비교예 3의 도전성 입자에 대해 습열시험 후 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 16은 비교예 4의 도전성 입자에 대해 습열시험 전 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 17은 비교예 4의 도전성 입자에 대해 습열시험 후 상태를 나타내는 주사전자현미경 사진이고,
도 18은 비교예 5의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 19는 비교예 6의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 20은 비교예 7의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이고,
도 21은 비교예 8의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진이며,
도 22는 비교예 8의 도전성 입자에 대해 수지중의 분산 상태를 나타내는 광학 현미경 사진이다.1 is a scanning electron micrograph of silica particles using Example 1,
2 is a scanning electron micrograph of non-conductive particles pretreated with respect to Example 1,
3 is a scanning electron microscope (SEM) image of the conductive particles of Example 1,
4 is an optical microscope photograph showing the dispersion state of the conductive particles of Example 1 in the resin,
5 is a fluorescent X-ray analysis chart showing the detection of silver for the conductive particles of Example 1,
6 is a fluorescent X-ray analysis chart showing the detection of gold for the conductive particles of Example 1,
7 is a fluorescent X-ray analysis chart showing the detection of sulfur against the conductive particles of Example 1,
8 is a scanning electron micrograph showing the state before wet heat test for the silver-coated silica particles of Example 2,
9 is a scanning electron micrograph showing the state after the wet heat test on the silver niter silica particles of Example 2,
10 is a scanning electron microscope photograph of the conductive particles of Example 3,
11 is a scanning electron micrograph of the conductive particles of Example 4,
12 is a scanning electron microscope photograph of the conductive particles of Comparative Example 1,
13 is a scanning electron micrograph of the conductive particles of Comparative Example 2,
14 is a scanning electron micrograph showing the state before the wet heat test for the conductive particles of Comparative Example 3,
15 is a scanning electron microscope photograph showing the state after the wet heat test for the conductive particles of Comparative Example 3,
16 is a scanning electron microscope photograph showing the state before the heat and humidity test for the conductive particles of Comparative Example 4,
17 is a scanning electron microscope photograph showing the state after the wet heat test for the conductive particles of Comparative Example 4,
18 is a scanning electron micrograph of the conductive particles of Comparative Example 5,
19 is a scanning electron micrograph of the conductive particles of Comparative Example 6,
20 is a scanning electron microscope photograph of the conductive particles of Comparative Example 7,
21 is a scanning electron micrograph of the conductive particles of Comparative Example 8,
22 is an optical microscope photograph showing the dispersion state of the conductive particles of Comparative Example 8 in the resin.
이하, 본 발명을 구체화한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
<금속 피막 형성 방법>≪ Method of Forming Metal Film &
본 실시 형태의 금속 피막 형성 방법은 직경이 0.5 μm ~ 50 μm인 비도전성 입자에 금속 피막을 무전해도금에 의해 형성하는 방법이다. 무전해도금은 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시되는 것과 동시에, 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재하에서 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성한다.
The metal film forming method of the present embodiment is a method of forming a metal film on non-conductive particles having a diameter of 0.5 to 50 μm by electroless plating. The electroless plating is performed after the pretreatment of attaching the metal nuclei to the non-conductive particles, and at the same time, the metal coating derived from silver is formed in the presence of the silane compound having a thiol group.
비도전성 입자는 금속 피막이 형성되는 기재로서 구성된다. 비도전성 입자의 재질은 예를 들면, 실리카, 세라믹, 유리, 수지류로부터 선택되는 적어도 일종을 들 수 있다. 실리카로서 예를 들면, 완전 결정화한 건식 실리카(크리스토발라이트(cristobalite)), 수분산형실리카(콜로이달 실리카) 등을 들 수 있다. 세라믹으로서 예를 들면, 알루미나, 사파이어, 멀라이트(mullite), 이산화티타늄, 탄화 규소, 질화 규소, 질화 알루미늄, 산화 지르코늄 등을 들 수 있다. 유리로서 예를 들면, BK7, SF11, LaSFN9 등의 각종 쇼트 유리, 광학 크라운 유리, 소다 유리, 저팽창 보로 실리케이트 유리 등을 들 수 있다. 수지류로서 예를 들면, 실리콘 수지, 페놀 수지, 천연 변성 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리비닐 알코올계 수지, 셀룰로오스계 수지 등이나, 폴리올레핀(polyolefin)계 수지, 스틸렌계 수지, 아크릴계 수지 등의 변성물 또는 코로나 방전등에 의한 표면 처리물을 들 수 있다. 비도전성 입자로서 예를 들면, 직경의 격차가 작다는 관점으로부터, 바람직하게는, 실리카, 세라믹, 및 유리로부터 선택되는 적어도 일종을 들 수 있고, 더욱 바람직하게는, 실리카를 들 수 있다. 비도전성 입자의 형상으로는 예를 들면, 구상, 막대 모양, 판 모양, 침상, 중공형상 등을 들 수 있다. 비도전성 입자의 분산성 또는 얻을 수 있는 도전성 입자의 분산성 등을 고려하면, 비도전성 입자의 형상은 구상인 것이 바람직하다.
The non-conductive particles are constituted as a base on which a metal coating is formed. Examples of the material of the non-conductive particles include at least one selected from the group consisting of silica, ceramic, glass, and resin. Examples of the silica include, for example, fully crystallized dry silica (cristobalite) and water-dispersed silica (colloidal silica). Examples of the ceramics include alumina, sapphire, mullite, titanium dioxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum nitride and zirconium oxide. Examples of the glass include various kinds of short glass such as BK7, SF11 and LaSFN9, optical crown glass, soda glass, and low expansion borosilicate glass. Examples of the resin stream include a silicone resin, a phenol resin, a natural modified phenol resin, an epoxy resin, a polyvinyl alcohol resin, a cellulose resin, and the like, and a modified material such as a polyolefin resin, a styrene resin, Or a surface treatment by a corona discharge lamp. As non-conductive particles, for example, at least one kind selected from silica, ceramics and glass is preferable from the viewpoint of a small difference in diameter, and silica is more preferable. Examples of the shape of the non-conductive particle include a spherical shape, a rod shape, a plate shape, a needle shape, and a hollow shape. Considering the dispersibility of the non-conductive particles or the dispersibility of the conductive particles that can be obtained, the shape of the non-conductive particles is preferably spherical.
비도전성 입자의 직경은 0.5 μm ~ 100 μm의 범위이다. 비도전성 입자의 직경은 주사전자현미경의 사진을 이용해 측정된다. 금속 피막 형성 방법으로 제공되는 비도전성 입자의 평균 직경은 바람직하게는, 1 μm ~ 50 μm, 더욱 바람직하게는 1 μm ~ 20 μm이다.
The diameter of the non-conductive particle ranges from 0.5 μm to 100 μm. The diameter of the non-conductive particles is measured using a scanning electron microscope photograph. The average diameter of the non-conductive particles provided by the method for forming a metal film is preferably 1 μm to 50 μm, more preferably 1 μm to 20 μm.
특히, 액정 표시 소자용 부재 등에 이용하는 경우, 미리 비도전성 입자의 직경을 균일하게 해 둘 필요가 있다. 이 경우, 비도전성 입자의 직경 분포는 이하에 나타내는 식에서 요구되는 CV치가 10 %이하인 것이 바람직하고, 5 %이하인 것이 더욱 바람직하다.
Particularly, when used for a member for a liquid crystal display element, etc., it is necessary to make the diameter of non-conductive particles uniform in advance. In this case, the diameter distribution of the non-conductive particles preferably has a CV value of 10% or less, more preferably 5% or less, in the following expression.
CV치(%)={[입자 지름의 표준 편차(μm)]/[평균 직경(μm)]}×100
CV value (%) = {standard deviation of particle diameter (μm)] / [average diameter (μm)]} × 100
무전해도금은 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시된다. 사전 처리에 의해 부착되는 금속핵의 금속으로서는 금속 피막이 되는 은의 도전성에 악영향을 주기 어렵고, 금속 피막이 안정적으로 형성된다고 하는 관점으로부터, 금 또는 은이 바람직하다. 사전 처리로서 예를 들면, 실란커플링제, 가수분해 촉매 및 금속염을 포함한 처리액을 비도전성 입자에 접촉시키고, 그 후, 환원제에 의해 금속염의 금속을 석출시키는 것으로, 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 무전해도금에 의한 금속 피막의 형성을 균일하게 진행시킬 수가 있다. 이 때, 실란커플링제로서 금속염의 금속에 대해서 킬레이트를 형성하는 관능기를 가지는 실란커플링제가 이용된다.
Electroless plating is carried out after pretreatment to attach metal nuclei to non-conductive particles. As the metal of the metal nucleus to be adhered by the pretreatment, gold or silver is preferable from the viewpoint that the conductivity of silver which is a metal coating hardly adversely affects and the metal coating is stably formed. As a pretreatment, for example, a treatment liquid containing a silane coupling agent, a hydrolysis catalyst and a metal salt is brought into contact with non-conductive particles, and then metal of the metal salt is precipitated by a reducing agent, . Thus, the formation of the metal film by the electroless plating can be uniformly advanced. At this time, as the silane coupling agent, a silane coupling agent having a functional group capable of forming a chelate with respect to the metal salt is used.
금속염의 금속에 대해 킬레이트를 형성하는 관능기로서 극성기 또는 친수성기를 들 수 있다. 구체적으로는 질소 원자, 유황 원자 및 산소 원자의 원자로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 원자를 가지는 관능기인 것이 바람직하다. 그러한 관능기로서-SH,-CN,-NH2,-SO2OH,-SOOH,-OPO(OH)2,-COOH로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 관능기를 들 수 있다. 이러한 관능기는 염을 형성하고 있어도 괜찮다. 관능기가-OH,-SH,-SO2OH,-SOOH,-OPO(OH)2,-COOH등의 산성기인 경우, 그 염으로서 나트륨, 칼륨, 리튬 등의 알칼리 금속염, 또는 암모늄염 등을 들 수 있다. 한편,-NH2 등의 알칼리성기인 경우, 그 염으로서 염산, 황산, 아세트산 등의 무기산염, 개미산, 아세트산, 프로피온산, 트리플루오르 아세트산등의 유기산염을 들 수 있다.
Examples of the functional group which forms a chelate with respect to the metal salt include a polar group and a hydrophilic group. Specifically, it is preferably a functional group having at least one or more kinds of atoms selected from a nitrogen atom, a sulfur atom and an oxygen atom. Examples of such functional groups include at least one functional group selected from the group consisting of -SH, -CN, -NH 2 , -SO 2 OH, -SOOH, -OPO (OH) 2 , and -COOH. These functional groups may form salts. When the functional group is an acidic group such as -OH, -SH, -SO 2 OH, -SOOH, -OPO (OH) 2 or -COOH, examples of the salt include alkali metal salts such as sodium, potassium and lithium, have. Meanwhile, -NH 2 , Salts thereof include inorganic acid salts such as hydrochloric acid, sulfuric acid and acetic acid, and organic acid salts such as formic acid, acetic acid, propionic acid and trifluoroacetic acid.
실란커플링제는 가수분해에 의해 실라놀기를 생성하는 가수분해성 관능기를 가지고 있는 화합물이다. 가수분해성 관능기로서 Si원자에 직접 결합한 알콕시(-OR)기 등을 들 수 있어, 상기 알콕시기를 구성하는 R로서 탄소수가 1~6인 직쇄상, 분기상, 환상 중 하나의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기 등을 들 수가 있다.
The silane coupling agent is a compound having a hydrolyzable functional group that generates a silanol group by hydrolysis. (-OR) group directly bonded to the Si atom as the hydrolyzable functional group, and the like. As the R constituting the alkoxy group, one of linear, branched and cyclic alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms is preferable, Include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, sec-butyl group, tert- There are.
실란커플링제의 구체적인 예로서 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-2-(아미노 에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노 에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 실란커플링제로서 비용 및 취급의 용이함이라고 하는 관점으로부터, 3-아미노프로필트리메톡시실란이 특히 바람직하다.
Specific examples of the silane coupling agent include 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- ) -3-aminopropyltriethoxysilane, and the like. As the silane coupling agent, 3-aminopropyltrimethoxysilane is particularly preferable from the viewpoint of cost and ease of handling.
가수분해 촉매는 상술한 가수분해성 관능기의 가수분해를 촉진한다. 가수분해 촉매로서 예를 들면, 무수 아세트산, 빙아세트산, 프로피온산, 구연산, 개미산, 옥살산 등의 유기산, 알루미늄 알킬 아세테이트 등의 알루미늄 킬레이트 화합물, 암모니아수 등의 무기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중, 바람직한 실란커플링제인 3-아미노프로필트리메톡시실란과의 반응성 및, 비용을 고려하면, 암모니아수가 바람직하다.
The hydrolysis catalyst promotes the hydrolysis of the above-mentioned hydrolyzable functional groups. Examples of the hydrolysis catalyst include organic acids such as acetic anhydride, glacial acetic acid, propionic acid, citric acid, formic acid and oxalic acid, aluminum chelate compounds such as aluminum alkyl acetate, and inorganic alkaline compounds such as ammonia water. Among them, ammonia water is preferable considering the reactivity with 3-aminopropyltrimethoxysilane, which is a preferable silane coupling agent, and the cost.
실란커플링제 1 몰에 대한 가수분해 촉매의 사용량은 0.5 ~ 5.0 몰인 것이 바람직하고, 1.5 ~ 2.5 몰인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 실란커플링제 1 몰에 대한 금속염의 사용량은 0.005 ~ 0.05 몰인 것이 바람직하고, 0.015 ~ 0.025 몰인 것이 더욱 바람직하다. 나아가 금속염 1 몰에 대한 환원제의 사용량은 0.025 ~ 0.25 몰인 것이 바람직하고, 0.075 ~ 0.125 몰인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the hydrolysis catalyst to be used is preferably 0.5 to 5.0 moles, more preferably 1.5 to 2.5 moles per mole of the silane coupling agent. The amount of the metal salt to be used per mole of the silane coupling agent is preferably 0.005 to 0.05 mole, more preferably 0.015 to 0.025 mole. Furthermore, the amount of the reducing agent to be used is preferably 0.025 to 0.25 mol, more preferably 0.075 to 0.125 mol, per mol of the metal salt.
사전 처리의 처리액으로서 물 또는 수성 용매를 들 수 있다. 수성 용매는 물과 유기용매와의 혼합 용매이다. 유기용매로서 예를 들면, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올 등의 저급 알코올류, 아세톤 등의 케톤류 등을 들 수 있다. 이러한 유기용매는 단독으로 이용해도 되고, 복수종을 조합해 이용해도 괜찮다.
Water or an aqueous solvent may be used as the pretreatment treatment liquid. The aqueous solvent is a mixed solvent of water and an organic solvent. Examples of the organic solvent include lower alcohols such as methanol, ethanol, propanol and butanol, and ketones such as acetone. These organic solvents may be used alone or in combination of plural kinds.
무전해도금은 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재하에서, 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성한다. 티올기를 가지는 실란 화합물은 아래와 같이 일반식(1)에 나타난다.
In the presence of the silane compound having a thiol group, the electroless plating solution forms a metal film derived from silver. The silane compound having a thiol group is shown in the following general formula (1).
Xm(Y)3- mSi(CH2)nSH ···(1)X m (Y) 3 m Si (CH 2 ) n SH (1)
( 일반식(1)에서, X는 탄소수가 1 ~ 6인 알킬기, Y는 탄소수가 1 ~ 6의 알콕시기이며, m는 0 또는 1, n는 1 ~ 5의 정수이다)
(Wherein X is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, Y is an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, m is 0 or 1, and n is an integer of 1 to 5)
X로 나타나는 알킬기는 직쇄상, 분기상 및 환상 중 하나의 알킬기이며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기 등을 들 수 있다. Y로 나타나는 알콕시기는 -OR로 나타나며, 그 알콕시기를 구성하는 R로서는 직쇄상, 분기상 및 환상 중 하나의 알킬기이며, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소 부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로 펜틸기, 시클로 헥실기 등을 들 수 있다. 일반식(1)에서 나타나는 머캅토 화합물로서 금속 피막이 안정적으로 형성된다고 하는 관점으로부터, 3-머캅토프로필트리에톡시실란이 바람직하다.The alkyl group represented by X is an alkyl group of one of linear, branched and cyclic, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a n-propyl group, an isopropyl group, a n-butyl group, an isobutyl group, -Butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. The alkoxy group represented by Y is represented by -OR, and the R constituting the alkoxy group is an alkyl group of one of linear, branched and cyclic, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group, An isobutyl group, a sec-butyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. From the viewpoint that the metal coating is stably formed as the mercapto compound represented by the general formula (1), 3-mercaptopropyltriethoxysilane is preferable.
은은 금보다 높은 도전율을 가지는 것에 더하여, 가격도 저렴하다. 이 때문에 비도전성 입자와 그 표면에 은으로부터 유래하는 금속 피막을 갖춘 도전성 입자의 이용가치는 높다. 무전해도금으로서 금속염, 환원제 등을 이용하는 공지의 무전해도금법을 적용할 수 있다. 환원제로서 예를 들면, 테트라 히드로 붕산 나트륨 등의 수소화 붕소산염(수소화 붕소 나트륨 등의 알칼리 금속 수소화 붕산염류, 암모늄 수소화 붕산염류등), 히드라진계 화합물류, 차아염소산염 등의 무기계 환원제, 포름알데히드, 아세트알데히드, 구연산, 구연산 나트륨 등의 유기계 환원제가 이용된다. 이러한 환원제는 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합해 이용해도 괜찮다. 무전해도금으로서 반응의 안정성이 뛰어남과 동시에, 불순물을 가능한한 저감할 수 있다고 하는 관점으로부터, 은경 반응을 이용하는 것이 바람직하다. 은경 반응은 은의 안민 착물을 환원제로 환원해 은을 석출하는 반응이다. 구체적으로는 질산은의 암모니아 수용액중에 포르말린 등의 환원제를 첨가하는 것으로써 비도전성 입자의 표면에 은을 석출시킨다.In addition to having a higher conductivity than silver, the price is also cheaper. For this reason, the non-conductive particles and conductive particles having a metal coating derived therefrom on the surface thereof have a high utilization value. A known electroless plating method using a metal salt, a reducing agent, or the like can be applied as electroless plating. As the reducing agent, there may be mentioned, for example, a hydrogenated boronate such as sodium tetrahydroborate (alkali metal hydrogenboride salts such as sodium borohydride, ammonium hydrogenborate salts and the like), hydrazine compounds, inorganic reducing agents such as hypochlorite, Organic reducing agents such as aldehyde, citric acid and sodium citrate are used. These reducing agents may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint that the stability of the reaction is excellent as electroless plating, and impurities can be reduced as much as possible, it is preferable to use the silver halide reaction. The silver halide reaction is a reaction in which silver is precipitated by reducing an anthine complex of silver with a reducing agent. Specifically, silver is precipitated on the surface of the non-conductive particles by adding a reducing agent such as formalin to the aqueous ammonia solution of silver nitrate.
티올기를 가지는 실란 화합물과 물과의 혼합액을 비도전성 입자에 접촉시킨 후에, 무전해도금을 개시하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 실란 화합물이 안정적으로 작용하게 된다. 또한, 실란 화합물의 용해성을 고려해, 물과 상용하는 유기용매를 물에 혼합해도 괜찮다. 이러한 혼합액을 이용한 무전해도금의 온도 조건, 반응 시간 등은 무전해도금의 통상적인 방법에 따라 설정된다.It is preferable to initiate electroless plating after bringing the mixed solution of the silane compound having a thiol group and water into contact with the non-conductive particles. As a result, the silane compound stably works. In consideration of the solubility of the silane compound, an organic solvent compatible with water may be mixed in water. The temperature condition, the reaction time, and the like of the electroless plating using such a mixed solution are set according to a conventional method of electroless plating.
티올기를 가지는 실란 화합물 1 몰에 대한 금속염의 사용량은 0.005 ~ 0.05 몰인 것이 바람직하고, 0.015 ~ 0.025 몰인 것이 더욱 바람직하다. 게다가 금속염 1 몰에 대한 환원제의 사용량은 0.025 ~ 0.25 몰인 것이 바람직하고, 0.075 ~ 0.125 몰인 것이 더욱 바람직하다.The amount of the metal salt to be used with respect to 1 mole of the silane compound having a thiol group is preferably 0.005 to 0.05 mole, more preferably 0.015 to 0.025 mole. In addition, the amount of the reducing agent to be used is preferably 0.025 to 0.25 mol, more preferably 0.075 to 0.125 mol, per mol of the metal salt.
본 발명의 금속 피막 형성 방법에 의해 얻을 수 있는 금속 피막은 금속의 벌크재나 종래의 무전해도금법에 의해 형성된 금속 피막보다 낮은 밀도를 가지고 있다. 자세하게는 금속의 벌크재에 대한 본 발명의 금속 피막의 밀도비(본 발명의 금속 피막의 밀도/금속의 벌크재의 밀도(10.5g/cm3)×100)는 다소의 격차는 있지만, 대체로, 50 % ~ 85 %의 범위이며, 보다 구체적으로는 50 % ~ 70 %이다. 이 때문에, 예를 들면, 대향하는 전극간에 금속 피복을 포함한 기재를 배치해, 양전극을 접근시켜 기재를 압축했을 경우, 금속 피막은 밀도가 낮기 때문에 용이하게 변형한다. 그 결과, 전극과 금속 피막과의 접지 면적이 증가하여, 금속 피막을 개입시킨 양 전극간의 전도성에 관한 신뢰성이 향상된다.
The metal film obtained by the metal film forming method of the present invention has a lower density than the metal film formed by the bulk material of the metal or the conventional electroless plating method. In detail, although the density ratio of the metal coating of the present invention to the bulk material of the metal (the density of the metal coating of the present invention / the density of the bulk material of the metal (10.5 g / cm 3 ) x 100) is somewhat different, % To 85%, more specifically 50% to 70%. For this reason, for example, when a base material including a metal coating is disposed between opposing electrodes, and the base material is compressed by approaching the positive electrode, the metal film is easily deformed because the density is low. As a result, the ground contact area between the electrode and the metal coating is increased, and the reliability regarding the conductivity between both electrodes through the metal coating is improved.
<도전성 입자><Conductive Particle>
비도전성 입자의 표면 전체에는 금속 피막이 형성되고 있다. 도전성 입자에는 그 금속 피막에 의해 도전성이 부여되고 있다. 비도전성 입자의 직경은 0.5 μm ~ 50 μm의 범위이다. 금속 피막은 은의 단일층으로부터 유래된다.
A metal film is formed on the entire surface of the non-conductive particle. Conductive particles are imparted with conductivity by the metal coating. The diameter of the non-conductive particle ranges from 0.5 μm to 50 μm. The metal coating is derived from a single layer of silver.
금속 피막은 연속한 은미립자의 집합체로부터 유래된다. 즉, 금속 피막은 치밀하게 배열된 은미립자로부터 된 연속한 피막이다. 연속한 은미립자의 집합체란 주사형 현미경에 의해 금속 피막을 5000 배 ~ 10000 배의 배율로 관찰했을 경우에, 불연속이 되는 금속 피막을 확인할 수 없을 정도로 치밀하게 배열되고 있는 집합체를 가리킨다. 금속 피막의 두께는 안정된 도전성을 얻을 수 있는 관점으로부터, 50 nm이상인 것이 바람직하다.The metal coating is derived from an aggregate of continuous silver microparticles. That is, the metal film is a continuous film made of densely arranged silver fine particles. The aggregate of the continuous fine silver particles refers to an aggregate which is densely arranged so that the metal film to be discontinuous can not be confirmed when the metal film is observed at a magnification of 5,000 to 10,000 times by a scanning microscope. The thickness of the metal film is preferably 50 nm or more from the viewpoint of obtaining stable conductivity.
본 실시 형태의 금속 피막에서는 그 형광 X선 분석에 대해, 비도전성 입자에 포함되는 원소 이외의 원소로서 금,은 및 유황만이 검출되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 금속 피막의 순도를 높일 수 있어 안정된 전기 특성을 얻을 수 있다. 도전성 입자의 평균 직경은 액정 표시 소자용 부재나 이방성 도전재료로서 적합하다는 관점으로부터, 바람직하게는, 0.5 μm ~ 100 μm, 더욱 바람직하게는, 1 μm ~ 20 μm이다. 이와같은 방법으로 수득된 도전성 입자는 예를 들면, 액정 표시 소자의 씰제 외에, 각종의 이방도전성 재료에 적절하게 이용될 수 있다..In the metal film of the present embodiment, it is preferable that only gold, silver and sulfur are detected as elements other than the elements contained in the non-conductive particles in the fluorescent X-ray analysis. As a result, the purity of the metal coating can be increased and stable electric characteristics can be obtained. From the viewpoint that the average diameter of the conductive particles is suitable as a member for a liquid crystal display element or an anisotropic conductive material, it is preferably 0.5 m to 100 m, and more preferably 1 m to 20 m. The conductive particles obtained by this method can be suitably used for various anisotropically conductive materials in addition to, for example, sealing agents for liquid crystal display elements.
이상, 상술한 본 실시 형태에 의하면, 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.As described above, according to the present embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) 금속 피막 형성 방법으로서의 무전해도금은 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시되는 것과 동시에, 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재하에서 은으로부터 유래하는 금속 피막을 형성한다. 이 때문에, 마이크론 크기의 비도전성 입자에 금속 피막을 형성하는 경우에도, 은의 단일층을 용이하게 구성할 수가 있다.
(1) The electroless plating as the metal film forming method is carried out after the pretreatment for attaching the metal nuclei to the non-conductive particles, and at the same time, the metal coating derived from silver is formed in the presence of the silane compound having a thiol group. Therefore, even when a metal film is formed on a micron-sized non-conductive particle, a single layer of silver can be easily formed.
(2) 티올기를 가지는 실란 화합물과 물과의 혼합액을 비도전성 입자에 접촉한 후, 무전해도금이 개시된다. 이것에 의해, 실란 화합물의 작용을 보다 높일 수 있기 때문에, 금속 피막을 안정적으로 형성할 수가 있다.
(2) electroless plating is initiated after a mixture of the silane compound having a thiol group and water is brought into contact with the non-conductive particles. As a result, the action of the silane compound can be further enhanced, so that the metal film can be stably formed.
(3) 예를 들면, 티올기를 가지는 실란 화합물로서 3-머캅토프로필트리에톡시실란을 이용하거나 무전해도금을 은경 반응에 의해 실시함으로써, 금속 피막의 표면의 균일성을 높일 수가 있다.
(3) For example, by using 3-mercaptopropyltriethoxysilane as a silane compound having a thiol group or electroless plating by a silver halide reaction, the uniformity of the surface of the metal coating can be increased.
(4) 무전해도금의 사전 처리는 실란커플링제, 가수분해 촉매 및 금속염을 포함한 처리액을 비도전성 입자에 접촉시켜, 그 후, 환원제에 의해 금속염의 금속을 석출시키는 방법으로 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 처리인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 비도전성 입자에 대해 금속핵을 보다 균일하게 부착시킬 수가 있어 금속 피막의 표면의 균일성을 더욱 높일 수가 있다.(4) Pretreatment of the electroless plating involves contacting a non-conductive particle with a treatment liquid containing a silane coupling agent, a hydrolysis catalyst and a metal salt, and then depositing a metal of the metal salt with a reducing agent, It is preferable that the treatment is treatment for attaching nuclei. As a result, the metal nuclei can be more uniformly attached to the non-conductive particles, and the uniformity of the surface of the metal coating can be further increased.
(5) 금속핵의 금속은 금 또는 은이다. 이것에 의해, 금속 피막을 형성하는 은의 도전성에 악영향을 주기 어렵게 할 수가 있어 금속 피막을 안정적으로 형성할 수가 있다.(5) Metal of metal nucleus is gold or silver. Thus, it is possible to make it difficult to adversely affect the conductivity of the silver that forms the metal film, so that the metal film can be stably formed.
(6) 도전성 입자를 구성하는 금속 피막은 은의 단일층으로부터 유래한다. 이 때문에, 도전성이 뛰어난 한편 저비용인 도전성 입자를 제공할 수가 있다. 이러한 도전성 입자는 안정적인 도전성 및 뛰어난 전기적 특성에 의해, 예를 들면, 액정 표시 소자의 씰제용, 이방도전성 재료에 적절하게 이용될 수 있다.(6) The metal coating constituting the conductive particles is derived from a single layer of silver. For this reason, it is possible to provide conductive particles excellent in conductivity and low in cost. Such conductive particles can be suitably used for sealing an anisotropic conductive material, for example, of a liquid crystal display element, due to stable conductivity and excellent electrical properties.
(7) 도전성 입자의 형광 X선 분석에 대해, 비도전성 입자에 포함되는 원소 이외의 원소로서 금,은 및 유황만이 검출되는 것이 바람직하다. 이 경우, 도전성 입자의 전기 특성이 확실히 발휘된다.(7) For the fluorescent X-ray analysis of the conductive particles, it is preferable that only gold, silver and sulfur are detected as elements other than the elements contained in the non-conductive particles. In this case, the electrical characteristics of the conductive particles are clearly exhibited.
(8) 비도전성 입자에 귀금속 피막을 형성하는 기술중 하나인 치환 도금은 무전해니켈 도금을 기초층으로 형성하고, 니켈을 귀금속과 치환하는 방법이다. 그러나, 고온, 고습하 조건으로, 니켈의 내부식성은 불안정하다. 또한, 실리카, 세라믹, 유리는 수지류보다 열, 습도에 대해서 매우 안정한다. 이 때문에, 본 발명의 도전성 입자를 구성하는 비도전성 입자로서 실리카, 세라믹, 유리를 사용하는 것으로써, 열, 습도에 대한 안정성이 향상됨에 따라, 열안정성이 필요한 용도에 적절한 도전성 입자를 제공할 수가 있다.
(8) Substitution plating, which is one of techniques for forming a noble metal coating on non-conductive particles, is a method in which electroless nickel plating is formed as a base layer and nickel is replaced with a noble metal. However, under high-temperature and high-humidity conditions, the corrosion resistance of nickel is unstable. In addition, silica, ceramics, and glass are more stable than heat in terms of heat and humidity. Therefore, by using silica, ceramics and glass as the non-conductive particles constituting the conductive particles of the present invention, stability against heat and humidity is improved, so that it is possible to provide conductive particles suitable for applications requiring heat stability have.
덧붙여 상기 실시 형태는 이하와 같이 변경해도 좋다.
Incidentally, the above embodiment may be modified as follows.
본 실시 형태에 대해, 은으로부터 유래하는 금속 피막은 단일층으로부터 구성되어 있지만, 복수의 층에 의해 구성되어도 괜찮다. 또한, 은으로부터 유래하는 금속 피막은 1회의 무전해도금에 의해 형성해도 좋고, 여러 차례의 무전해도금에 의해 형성해도 좋다.
In the present embodiment, the metal film derived from silver is composed of a single layer, but it may be composed of a plurality of layers. Further, the metal film derived from silver may be formed by one electroless plating or may be formed by electroless plating several times.
이하, 실시예 및 비교예를 들어 상기 실시 형태를 한층 더 구체적으로 설명한다.
Hereinafter, the above embodiments will be described in more detail with reference to examples and comparative examples.
(실시예 1)(Example 1)
(A) 사전 처리(A) Pretreatment
500 mL의 삼각 플라스크에 실리카 입자(평균 직경:6.40μm, CV치:0.96 %, 주사전자현미경 사진을 통하여 입자 70개의 직경을 측정) 10 g을 넣어 이소프로필 알코올(IPA) 63 g을 더해 10분간 초음파 처리하였다. 이에 메탄올 63 g을 더해 마그네틱 교반기로 10분간 교반하고, 25 % 암모니아 수용액 50 g을 더해 30 ℃의 오일 중탕 중에서 10분간 교반하는 것으로써, A액을 제조하였다.63 g of isopropyl alcohol (IPA) was added to a 500 mL Erlenmeyer flask, and 10 g of silica particles (average diameter: 6.40 μm, CV value: 0.96%, measured by scanning electron microscope) And ultrasonicated. Then, 63 g of methanol was added and stirred for 10 minutes by a magnetic stirrer. Further, 50 g of a 25% aqueous ammonia solution was added and stirred for 10 minutes in an oil bath at 30 DEG C to prepare Solution A.
염화금산(HAuCl4·4 H2O) 0.23 g에 메탄올 50 mL를 더해 마그네틱 교반기로 10분간 교반 후, 3-아미노프로필트리메톡시실란 4. 5 mL를 더해 더욱 10분간 교반하는 것으로써, B액을 제조하였다.
50 ml of methanol was added to 0.23 g of chloroauric acid (HAuCl 4 .4H 2 O), and the mixture was stirred with a magnetic stirrer for 10 minutes. Then, 3.5 mL of 3-aminopropyltrimethoxysilane was added and stirred for 10 minutes. Lt; / RTI >
테트라 히드로 붕산 나트륨(NaBH4) 0.107 g에 메탄올 50 mL를 더해 마그네틱 교반기로 10분간 교반하는 것으로써, C액을 제조하였다.
50 mL of methanol was added to 0.107 g of sodium tetrahydroborate (NaBH 4 ), and the mixture was stirred for 10 minutes on a magnetic stirrer to prepare Solution C.
A액에 B액을 더해 30 ℃로 5분간 교반한 후, C액을 천천히 한방울씩 가하였고, 반응계는 적색으로 변화하였다. C액을 한방울씩 가한 후, 오일중탕을 65 ℃로 가열해 3시간 동안 교반하였다. 교반을 멈추어, 메탄올분급을 3회 수행하였다. 그 후, 흡인 여과하여 금속핵이 형성된 실리카 입자를 채취하고, 오븐으로 70 ℃, 3 시간동안 건조시켰다. 수득된 입자는 적색을 나타내고 있었다.
The liquid A was added to the liquid A, and the mixture was stirred at 30 ° C for 5 minutes. Then, the liquid C was slowly added dropwise, and the reaction system changed to red. C solution was added dropwise, and the oil bath was heated to 65 캜 and stirred for 3 hours. Stirring was stopped and methanol classification was performed three times. Thereafter, silica particles having metal nuclei formed by suction filtration were collected and dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours. The obtained particles showed red color.
도 1은 실리카 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 또한, 도 2는 금속핵이 형성된 실리카 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 2를 참조하면 실리카 입자의 전표면에 금의 초미립자가 균일하게 부착되어 있음을 알 수 있다. 주사전자현미경 사진을 통하여 입자 70개의 평균 직경을 측정함과 함께, 직경의 분포의 확대의 정도를 나타내는 CV치를 구하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.
1 shows a scanning electron microscope photograph of silica particles. 2 is a scanning electron micrograph of silica particles having metal nuclei formed thereon. Referring to FIG. 2, it can be seen that gold fine particles are uniformly adhered to the entire surface of the silica particles. The average diameter of 70 particles was measured by a scanning electron microscope photograph and a CV value indicating the degree of enlargement of the diameter distribution was obtained. The results are shown in Table 1.
(B) 금속 피막의 형성(B) Formation of metal film
상기 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 3-머캅토트리에톡시실란 0.015 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0.65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
To 1 g of the particles obtained in the "(A) pretreatment", 200 mL of water was added, and the mixture was ultrasonicated for 10 minutes. Then, 0.015 mL of 3-mercaptotriethoxysilane was added and stirred for 5 minutes by a magnetic stirrer. Thereafter, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 3은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 실리카 입자의 전표면에 금속 피막이 형성되어 있음을 알 수 있다.3 is a scanning electron microscope photograph of the conductive particles having the metal coating formed thereon. Referring to FIG. 3, it can be seen that a metal coating is formed on the entire surface of the silica particles.
주사전자현미경 사진을 통하여 입자 70개의 평균 직경을 측정해 CV치를 구하였다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
The average diameter of 70 particles was measured by scanning electron microscope photograph to obtain CV value. The results are shown in Table 2.
금속 피막의 두께는 0.11 μm였다.
The thickness of the metal coating was 0.11 μm.
<수지중에서의 분산성 평가>≪ Evaluation of dispersibility in resin >
수지(상품명:STRUCT BOND) 10 g을 혼련기로 1분간 교반하였다. 이 수지에 실시예 1의 도전성 입자 0.2 g을 더해 1분간 교반하였다. 도전성 입자가 배합된 수지를 슬라이드 글라스에 꽉 눌러 커버 유리를 씌워 광학 현미경으로 관찰하였다. 광학 현미경 사진을 도 4에 나타내었다.
10 g of Resin (trade name: STRUCT BOND) was stirred for 1 minute in a kneader. To this resin was added 0.2 g of the conductive particles of Example 1 and the mixture was stirred for 1 minute. The resin containing the conductive particles was pressed onto the slide glass, and the cover glass was covered and observed with an optical microscope. An optical microscope photograph is shown in Fig.
광학 현미경 관찰에 따르면, 입자 302 개중, 2개 이상의 흡착 입자수는 4개(1.32 %)여서, 수지중에서의 분산성은 매우 양호하였다.
According to observation under an optical microscope, the number of adsorbed particles of two or more in 302 particles was four (1.32%), and the dispersibility in the resin was very good.
<형광 X선 분석><Fluorescence X-ray analysis>
실시예 1로부터 수득된 도전성 입자를 전자동 형광 X선 분석장치(스펙트리스 사제, PW2400형, 관 모양의 가늘고 긴 전구:Rh, 측정 원소:Na~U, 조사 면적:25mmφ)를 사용해, 정성 분석을 실시하였다. 우선, 도전성 입자를 약 2 g채취해, 폴리프로필렌제 6 μm 필름상에 균일하게 도입하였다. 다음에, 그 필름을 전자동 형광 X선 분석장치에 놓고, 측정부를 헬륨으로 치환하였다. Na~U의 원소의 형광 X선을 검출할 수 있는 파장 범위를 주사하는 것으로써, 원소를 특정하였다. 그 결과, 검출된 원소는 유황, 은 및 금의 삼종뿐이었다. 상기 삼종의 원소 이외의 원소는 검출되지 않았다. 형광 X선 분석 차트를 도 5 ~ 도 7에 나타내었다. 덧붙여 도 5는 은의 검출을 나타내는 형광 X선 분석 차트이며, 도 6은 금의 검출을 나타내는 형광 X선 분석 차트이며, 도 7은 유황의 검출을 나타내는 형광 X선 분석 차트이다.
The electroconductive particles obtained in Example 1 were subjected to qualitative analysis using a fully automatic fluorescent X-ray analyzer (manufactured by Parent Company, PW2400 type, elongated bulb: Rh, measured element: Na to U, irradiation area: 25 mm) Respectively. First, about 2 g of the conductive particles were sampled and uniformly introduced onto a 6 탆 polypropylene film. Next, the film was placed in a fully automatic fluorescent X-ray analyzer, and the measuring portion was replaced with helium. The element was identified by scanning a wavelength range in which fluorescent X-rays of the elements of Na to U could be detected. As a result, only the three elements of sulfur, silver and gold were detected. Elements other than the above three kinds of elements were not detected. Fluorescence X-ray analysis charts are shown in Figs. 5 to 7. Fig. 5 is a fluorescence X-ray analysis chart showing the detection of silver, FIG. 6 is a fluorescence X-ray analysis chart showing detection of gold, and FIG. 7 is a fluorescence X-ray analysis chart showing detection of sulfur.
<전기 저항값의 측정>≪ Measurement of electric resistance value >
미소 압축 시험기(시마즈제작소 제)를 이용해, 실시예 1의 도전성 입자 20개의 전기 저항값을 측정해, 평균치를 구하였다. 얻을 수 있던 결과를 표준 편차와 함께 표 3에 나타내었다.
The electric resistance value of 20 conductive particles of Example 1 was measured using a micro compression tester (manufactured by Shimadzu Corporation), and an average value was obtained. The results obtained are shown in Table 3 together with the standard deviation.
(실시예 2)(Example 2)
실리카 입자(평균 직경:4.22 μm, CV:1.13 %)를 사용한 이외는, 실시예 1과 같은 방법으로 은층 피복 실리카 입자를 제작하였다.
Layer-coated silica particles were prepared in the same manner as in Example 1 except that silica particles (average diameter: 4.22 占 퐉, CV: 1.13%) were used.
<내습열평가><Wet heat resistance evaluation>
수득된 도전성 입자에 대해, 항습항온기(에스펙 제)를 이용해, 60 ℃, 90 % RH, 240 h의 조건으로, 습열시험을 실시하였다. 도 8은 습열시험 전에 있어서의 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타내며, 도 9는 습열시험 후에 있어서의 도전성 입자의 주사전자현미경의 사진을 나타낸다. 도 8 및 도 9를 비교한 결과, 습열시험의 전후로 은층 상태에 변화는 볼 수 없었다.
The obtained conductive particles were subjected to a wet heat test under the conditions of 60 占 폚, 90% RH and 240 hours using a constant-humidity constant-temperature heater (Especific). Fig. 8 shows scanning electron microscopic photographs of the conductive particles before the wet heat test, and Fig. 9 shows photographs of the scanning electron microscope of the conductive particles after the wet heat test. As a result of comparison between Fig. 8 and Fig. 9, no change in the state of the silver layer was observed before and after the wet heat test.
습열시험의 전후로 도전성 입자 50개의 전기 저항값을 측정해, 전기 저항값이 관측된 도전성 입자의 개수와 전기 저항값의 평균치를 각각 구하였다. 얻을 수 있던 결과를 표 4에 나타내었다.
The electric resistance value of 50 conductive particles was measured before and after the humid heat test, and the average value of the number of the conductive particles and the electric resistance value of the electric resistance value were obtained. The results obtained are shown in Table 4.
표 4의 결과로부터, 습열시험 전후로 전기 저항값이 관측되지 않았던 입자의 개수차이는 4개뿐이었다.
From the results shown in Table 4, there were only four differences in the number of particles in which the electric resistance value was not observed before and after the wet heat test.
(실시예 3)(Example 3)
실시예 1 「(A) 사전 처리」로부터 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란 0.015 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0. 65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70℃로 3시간 건조하였다.
Example 1 200 g of water was added to 1 g of the particles obtained from "(A) Pretreatment" and ultrasonicated for 10 minutes. Then, 0.015 ml of 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane was added and stirred for 5 minutes by a magnetic stirrer. Then, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 10은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 10을 참조하면, 실리카 입자의 거의 전표면에 금속 피막이 형성되고 있었다.
Fig. 10 shows a scanning electron microscope photograph of the conductive particles having the metal coating formed thereon. Referring to FIG. 10, a metal film was formed on almost the entire surface of the silica particles.
(실시예 4)(Example 4)
실시예 1 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 3-머캅토프로필트리메톡시실란 0.015 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0.65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3 시간동안 건조하였다.
Example 1 After adding 200 mL of water to 1 g of the particles obtained in "(A) Pretreatment" and sonicating for 10 minutes, 0.015 mL of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane was added and stirred for 5 minutes on a magnetic stirrer. Thereafter, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 11은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 11을 참조하면, 실리카 입자의 거의 전표면에 금속 피막이 형성되고 있었다.
11 is a scanning electron microscopic photograph of the conductive particle having the metal coating formed thereon. Referring to FIG. 11, a metal coating was formed on almost the entire surface of the silica particles.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
실시예 1 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 질산은 0.65 g을 더해 마그네틱 교반기로 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL 첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
Example 1 After adding 200 mL of water to 1 g of the particles obtained in "(A) Pretreatment" and sonicating for 10 minutes, 0.65 g of silver nitrate was added and stirred for 10 minutes on a magnetic stirrer. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 12는 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 12를 참조하면, 비교예 1의 도전성 입자에서는 비도전성 입자의 표면의 일부에 금속 피막이 형성되어 있지 않았다.
Fig. 12 shows a scanning electron microscope photograph of the conductive particles having the metal coating formed thereon. Referring to FIG. 12, in the conductive particles of Comparative Example 1, no metal film was formed on a part of the surface of the non-conductive particles.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
(A) 표면 처리(A) Surface treatment
500 mL의 삼각 플라스크에 비도전성 입자로서 실리카 입자(평균 직경 6.40 μm, COULTER 사제 MULTISIZERⅡ로 측정) 10 g을 넣어 이소프로필 알코올(IPA) 63 g을 더해 10 분간 초음파 처리하였다. 이에 메탄올 63 g을 더해 마그네틱 교반기로 10분간 교반하고, 25 % 암모니아 수용액 50 g을 더해 30 ℃의 오일중탕중에서 10 분간 교반하는 것으로써, A액을 제조하였다.
In a 500 mL Erlenmeyer flask, 10 g of silica particles (average diameter of 6.40 μm, measured by MULTISIZER II manufactured by COULTER) as non-conductive particles were added, and 63 g of isopropyl alcohol (IPA) was added and sonicated for 10 minutes. Then, 63 g of methanol was added and stirred for 10 minutes by a magnetic stirrer. Further, 50 g of a 25% aqueous ammonia solution was added and stirred for 10 minutes in an oil bath at 30 DEG C to prepare Solution A.
3-머캅토프로필트리에톡시실란 4.5 mL를 A액에 가하고 오일중탕을 65 ℃로 가열해 3 시간동안 교반하였다. 교반을 멈추어 메탄올분급을 3회 수행한 후, 흡인 여과 해 티올로 표면 처리된 실리카 입자를 채취하고, 오븐으로 70 ℃, 3시간동안 건조시켰다.
4.5 mL of 3-mercaptopropyltriethoxysilane was added to the solution A, and the oil bath was heated to 65 DEG C and stirred for 3 hours. Stirring was stopped and methanol classification was performed three times. Then, the silica particles surface-treated with thiol were collected by suction filtration and dried in an oven at 70 ° C for 3 hours.
(B) 금속 피막의 형성(B) Formation of metal film
(A) 표면 처리로부터 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10 분간 초음파 처리한 후, 질산은 0.65 g을 더해 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
To 1 g of the particles obtained from the surface treatment (A), 200 mL of water was added and the mixture was sonicated for 10 minutes. Then, 0.65 g of silver nitrate was added and stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 13은 수득된 실리카 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 13을 참조하면, 실리카 입자에 은이 피복되어 있지 않았다.
13 shows a scanning electron microscope photograph of the obtained silica particles. Referring to FIG. 13, the silica particles were not coated with silver.
(비교예 3)(Comparative Example 3)
수지 입자에 무전해니켈 도금에 의해 기초층을 형성하고, 니켈을 금과 치환하는 치환 금도금에 의해 수득된 도전성 입자(평균 직경:3.55 μm, CV치:4.50 %)에 대하여, 상기와 같은 조건으로 내습열평가를 실시하였다. 도 14는 습열시험 전에 있어서의 주사전자현미경 사진을 나타내고, 도 15는 습열시험 후에 있어서의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 14 및 도 15를 참조하면, 습열시험 후의 금속층 상태는 습열시험 전의 것과 비교해 크게 변화해 거칠어지고 있다. 이것은 니켈이 산화해 부식한 것에 따른 것이라고 생각된다.
The base layer was formed on the resin particles by electroless nickel plating and the conductive particles (average diameter: 3.55 μm, CV value: 4.50%) obtained by the replacement gold plating for substituting nickel for gold were subjected to the same conditions Moisture heat evaluation. FIG. 14 shows a scanning electron microscope photograph before the wet heat test, and FIG. 15 shows a scanning electron microscopic photograph after the wet heat test. Referring to Figs. 14 and 15, the state of the metal layer after the wet heat test is largely changed compared to that before the wet heat test. This is thought to be due to the oxidation of nickel and corrosion.
습열시험의 전후로 도전성 입자 50개의 전기 저항값을 측정해, 전기 저항값이 관측된 도전성 입자의 개수와 전기 저항값의 평균치를 각각 구하였다. 얻을 수 있던 결과를 표 5에 나타내었다.
The electric resistance value of 50 conductive particles was measured before and after the humid heat test, and the average value of the number of the conductive particles and the electric resistance value of the electric resistance value were obtained. The results obtained are shown in Table 5.
표 5의 결과로부터, 습열시험 전후로 전기 저항값이 관측되지 않았던 입자의 개수차이는 39개이며, 시험 후의 발현율은 불과 10 %(5/50개)였다.
From the results in Table 5, the difference in the number of particles was 39 before and after the wet heat test, and the rate of occurrence after the test was only 10% (5/50).
(비교예 4)(Comparative Example 4)
실리카 입자(평균 직경:6.42 μm, CV치:0.70 %)에 무전해니켈 도금에 의해 기초층을 형성하고, 니켈을 금과 치환하는 치환 금도금에 의해 수득된 도전성 입자(평균 직경:6.75 μm, CV치:0.77 %)에 대하여, 상기와 같은 조건으로 내습열평가를 실시하였다. 도 16은 습열시험 전에 있어서의 주사전자현미경 사진을 나타내고, 도 17은 습열시험 후에 있어서의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 16 및 도 17을 참조하면, 습열시험 후의 금속층 상태는 크게 변화하여 거칠어지고 있다. 이것은 니켈이 산화해 부식한 것에 따른 것이라고 생각된다.
The base layer was formed on the silica particles (average diameter: 6.42 μm, CV value: 0.70%) by electroless nickel plating and the conductive particles (average diameter: 6.75 μm, CV Value: 0.77%) was subjected to moisture resistance evaluation under the same conditions as above. FIG. 16 shows a scanning electron microscope photograph before the heat and humidity test, and FIG. 17 shows a scanning electron microscope photograph after the heat and humidity test. Referring to Figs. 16 and 17, the state of the metal layer after the wet heat test greatly changes and becomes rough. This is thought to be due to the oxidation of nickel and corrosion.
습열시험의 전후로 도전성 입자 50개의 전기 저항값을 측정해, 전기 저항값이 관측된 도전성 입자의 개수와 전기 저항값의 평균치를 각각 구하였다. 얻을 수 있던 결과를 표 6에 나타내었다.
The electric resistance value of 50 conductive particles was measured before and after the humid heat test, and the average value of the number of the conductive particles and the electric resistance value of the electric resistance value were obtained. The results obtained are shown in Table 6.
표 6의 결과로부터, 습열시험의 전후로 전기 저항값이 관측되지 않았던 입자의 개수차이는 40개이며, 시험 후의 발현율은 불과 12 %(6/50개)였다.
From the results shown in Table 6, the difference in the number of particles in which the electric resistance value was not observed before and after the wet heat test was 40, and the expression rate after the test was only 12% (6/50).
(비교예 5)(Comparative Example 5)
실시예 1의 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 2-머캅토 에탄올 0.020 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0. 65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
200 g of water was added to 1 g of the particles obtained in "(A) pretreatment" of Example 1 and ultrasonicated for 10 minutes. Then, 0.020 ml of 2-mercaptoethanol was added and stirred for 5 minutes on a magnetic stirrer. Then, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 18은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 18을 참조하면, 실리카 입자의 표면에 은이 피복되어 있지 않았다.
18 is a scanning electron microscope photograph of the conductive particles having the metal coating formed thereon. Referring to Fig. 18, silver particles were not coated on the surface of the silica particles.
(비교예 6)(Comparative Example 6)
실시예 1 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10 분간 초음파 처리한 후, 옥탄산 2-머캅토 에틸 0. 015 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0.65 g을 더해 더욱 10 분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70℃로 3시간동안 건조하였다.
Example 1 200 g of water was added to 1 g of the particles obtained in "(A) pretreatment" and ultrasonicated for 10 minutes. Then, 0.015 ml of 2-mercaptoethyl octanoate was added and stirred for 5 minutes on a magnetic stirrer. Thereafter, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 19는 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 19를 참조하면, 실리카 입자의 표면에 은이 피복되어 있지 않았다.
Fig. 19 shows a scanning electron microscope photograph of the conductive particle having the metal coating formed thereon. Referring to Fig. 19, silver was not coated on the surface of the silica particles.
(비교예 7)(Comparative Example 7)
실시예 1 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 머캅토 아세트산칼슘 삼수화물 0.013 g을 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0.65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
Example 1 After adding 200 mL of water to 1 g of the particles obtained in "(A) Pretreatment" and sonicating for 10 minutes, 0.013 g of calcium mercaptoacetate trihydrate was added and stirred for 5 minutes on a magnetic stirrer. Thereafter, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 20은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 20을 참조하면, 실리카 입자의 표면에 은이 피복되어 있지 않았다.
Fig. 20 shows a scanning electron microscope photograph of the conductive particles having the metal coating formed thereon. Referring to Fig. 20, silver particles were not coated on the surface of the silica particles.
(비교예 8)(Comparative Example 8)
실시예 1 「(A) 사전 처리」에서 수득된 입자 1 g에 물 200 mL를 더해 10분간 초음파 처리한 후, 3-아미노프로필트리메톡시실란 0.015 ml를 더해 마그네틱 교반기로 5분간 교반하였다. 그 후, 질산은 0. 65 g을 더해 더욱 10분간 교반하였다. 다음에, 25 % 암모니아 수용액 13 mL를 더한 후, 0.24 mmol/L 포르말린 수용액을 20 mL첨가해 5분간 교반하였다. 침전한 은층 피복 실리카 입자를 흡인 여과로 채취해, 메탄올로 세정한 후, 오븐에서 70 ℃로 3시간동안 건조하였다.
Example 1 200 g of water was added to 1 g of the particles obtained in "(A) pretreatment" and ultrasonicated for 10 minutes. Then, 0.015 ml of 3-aminopropyltrimethoxysilane was added and stirred for 5 minutes by a magnetic stirrer. Then, 0.65 g of silver nitrate was added, and the mixture was further stirred for 10 minutes. Next, 13 mL of a 25% ammonia aqueous solution was added, then 20 mL of a 0.24 mmol / L formalin aqueous solution was added, and the mixture was stirred for 5 minutes. The precipitated silver-coated silica particles were collected by suction filtration, washed with methanol, and then dried in an oven at 70 DEG C for 3 hours.
도 21은 금속 피막이 형성된 도전성 입자의 주사전자현미경 사진을 나타낸다. 도 21을 참조하면, 비도전성 입자의 표면의 일부에는 금속 피막이 형성되어 있지 않았다.
21 is a scanning electron micrograph of a conductive particle having a metal coating formed thereon. Referring to FIG. 21, no metal film was formed on a part of the surface of the non-conductive particles.
수득된 도전성 입자에 대해, 수지중에서의 분산성 평가를 실시하였다. 도 22는 분산성 평가에 사용한 광학 현미경 사진을 나타낸다. 도 22를 참조하면, 도전성 입자가 응집하고 있는 모습이 관찰되었다. 이것은 액정 표시 소자의 씰제로서 이용되는 단분산의 도전성 입자의 수율이 낮음을 시사하고 있다.
The resulting conductive particles were evaluated for dispersibility in the resin. 22 shows an optical microscope photograph used for evaluation of dispersibility. Referring to Fig. 22, a state in which the conductive particles are aggregated is observed. This suggests that the yield of the monodisperse conductive particles used as a sealing agent for a liquid crystal display element is low.
Claims (10)
상기 무전해도금은 상기 비도전성 입자에 금속핵을 부착시키는 사전 처리 이후에 실시되는 것과 동시에, 티올기를 가지는 실란 화합물의 존재하에서 은으로부터 유래하는 상기 금속 피막을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 피막 형성 방법.
A metal film is formed by electroless plating on a non-conductive particle having a diameter of 0.5 mu m to 100 mu m,
Wherein the electroless plating is performed after the pretreatment of attaching the metal nuclei to the non-conductive particles and that the metal coating derived from silver is formed in the presence of the silane compound having a thiol group .
The method for forming a metal film according to claim 1, wherein the electroless plating is initiated after the mixture of the silane compound having thiol group and water is brought into contact with the non-conductive particles.
The method for forming a metal film according to claim 1 or 2, wherein the silane compound having a thiol group is 3-mercaptopropyltriethoxysilane.
The method for forming a metal film according to claim 1 or 2, wherein the electroless plating is performed by a silver halide reaction.
상기 실란커플링제는 상기 금속염의 금속에 대해서 킬레이트를 형성하는 관능기를 가지는 것을 특징으로 하는 금속 피막 형성 방법.
The method according to claim 1 or 2, wherein the pretreatment comprises depositing a metal of the metal salt by a reducing agent after bringing a treatment liquid containing a silane coupling agent, a hydrolysis catalyst and a metal salt into contact with the non- ,
Wherein the silane coupling agent has a functional group that forms a chelate with respect to the metal of the metal salt.
The method for forming a metal film according to claim 1 or 2, wherein the metal of the metal nuclei is gold or silver.
상기 비도전성 입자의 직경은 0.5 μm ~ 100 μm의 범위이며,
상기 금속 피막은 은의 단일층으로부터 구성되되,
상기 도전성 입자의 형광 X선 분석에 대해, 상기 비도전성 입자에 포함되는 원소 이외의 원소로서 금,은 및 유황만이 검출되는 것을 특징으로 하는 도전성 입자.
Conductive particles that are imparted with conductivity by a metal coating formed on the entire surface of the non-conductive particles,
The diameter of the non-conductive particle ranges from 0.5 μm to 100 μm,
Wherein the metal coating is comprised of a single layer of silver,
Wherein only gold, silver and sulfur are detected as elements other than the elements contained in the non-conductive particles in the fluorescent X-ray analysis of the conductive particles.
The conductive particle according to claim 7, which is used as a sealing agent for a liquid crystal display element.
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