KR101500344B1 - 이미지 센서 - Google Patents
이미지 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101500344B1 KR101500344B1 KR1020080083464A KR20080083464A KR101500344B1 KR 101500344 B1 KR101500344 B1 KR 101500344B1 KR 1020080083464 A KR1020080083464 A KR 1020080083464A KR 20080083464 A KR20080083464 A KR 20080083464A KR 101500344 B1 KR101500344 B1 KR 101500344B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- inorganic film
- refractive index
- filter
- photoelectric conversion
- multilayer
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 23
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N2209/00—Details of colour television systems
- H04N2209/04—Picture signal generators
- H04N2209/041—Picture signal generators using solid-state devices
- H04N2209/042—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor
- H04N2209/045—Picture signal generators using solid-state devices having a single pick-up sensor using mosaic colour filter
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
이미지 센서가 제공된다. 이미지 센서는, 기판과, 기판 내에 픽셀마다 형성되고 입사광을 광전 변환하는 다수의 광전 변환 소자와, 광전 변화 소자 상에 형성되고 유기막 필터와 다층 무기막 필터를 포함하는 컬러 필터와, 컬러 필터 상에 형성된 다수의 렌즈를 포함한다. 여기서, 다층 무기막 필터는 굴절률이 서로 다른 고굴절률 무기막과 저굴절률 무기막이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
이미지 센서, 다층 무기막 필터, 유기막 필터
Description
본 발명은 이미지 센서에 관한 것이다.
이미지 센서는 광학 영상을 전기 신호로 변환시킨다. 최근 들어 컴퓨터 산업과 통신 산업의 발달에 따라 디지털 카메라, 캠코더, PCS(Personal Communication System), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서의 수요가 증대하고 있다.
특히, MOS 이미지 센서는 구동 방식이 간편하고 다양한 스캐닝(scanning) 방식으로 구현 가능하다. 또한, 신호 처리 회로를 단일 칩에 집적할 수 있어 제품의 소형화가 가능하며, MOS 공정 기술을 호환하여 이용할 수 있어 제조 단가를 낮출 수 있다. 전력 소모 또한 매우 낮아 배터리 용량이 제한적인 제품에 적용이 용이하다. 따라서, MOS 이미지 센서는 기술 개발과 함께 고해상도가 구현 가능함에 따라 그 이용이 급격히 늘어나고 있다.
MOS 이미지 센서는 다수의 단위 픽셀들이 형성되어 있는 센서 어레이 영역과, 다수의 단위 픽셀들을 제어/구동하기 위한 회로들이 형성되어 있는 주변 회로 영역으로 구분할 수 있다. 센서 어레이 영역은 다수의 광전 변환 소자 및 다수의 MOS 트랜지스터를 포함하고, 주변 회로 영역은 다수의 MOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 센서 어레이 영역과 주변 회로 영역은 하나의 기판에 집적될 수 있고, 센서 어레이 영역과 주변 회로 영역에 형성되는 MOS 트랜지스터들은 동시에 형성될 수 있다. 또한, 집광 효율을 높이기 위해서, 다수의 광전 변환 소자 각각에 대응되도록 다수의 렌즈가 형성되어 있다. 또한, 다수의 렌즈가 형성된 기판 상에는 예를 들어, LTO(Low Temperature Oxide)로 이루어진 보호막이 형성되어 있을 수 있다.
그런데, 유기물로 이루어진 컬러 필터를 사용하는 MOS 이미지 센서의 경우, 분광 투과율(spectral transmittance) 그래프에서 이미지 센서의 광학 특성에 주된 영향을 미치는 녹색 영역, 특히 550 nm에서의 투과율이 90% 이하로 측정되었다. 이는 포토 다이오드에 도달하는 입사광의 손실을 의미하므로, 이미지 센서의 광학 특성이 저하되게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 분광 특성이 개선된 이미지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해 될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서는, 기판과, 상기 기판 내에 픽셀마다 형성되고 입사광을 광전 변환하는 다수의 광전 변환 소자와, 상기 광전 변화 소자 상에 형성되고 유기막 필터와 다층 무기막 필터를 포함하는 컬러 필터와, 상기 컬러 필터 상에 형성된 다수의 렌즈를 포함한다. 여기서, 상기 다층 무기막 필터는 굴절률이 서로 다른 고굴절률 무기막과 저굴절률 무기막이 교대로 적층된 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링 된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 이용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 이용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 이용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 이용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다. 그리고, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 또, 이하 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 이용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용 어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 이용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 이용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 블록도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서는 광전 변환 소자를 포함하는 픽셀들이 이차원적으로 배열되어 이루어진 센서 어레이(10), 타이밍 발생기(timing generator)(20), 행 디코더(row decoder)(30), 행 드라이버(row driver)(40), 상관 이중 샘플러(Correlated Double Sampler, CDS)(50), 아날로그 디지털 컨버터(Analog to Digital Converter, ADC)(60), 래치부(latch)(70), 열 디코더(column decoder)(80) 등을 포함한다.
센서 어레이(10)는 2차원적으로 배열된 다수의 단위 픽셀들을 포함한다. 다수의 단위 픽셀들은 광학 영상을 전기적인 출력 신호로 변환하는 역할을 한다. 센서 어레이(10)는 행 드라이버(40)로부터 행 선택 신호, 리셋 신호, 전하 전송 신호 등 다수의 구동 신호를 수신하여 구동된다. 또한, 변환된 전기적인 출력 신호는 수직 신호 라인을 통해서 상관 이중 샘플러(50)에 제공된다.
타이밍 발생기(20)는 행 디코더(30) 및 열 디코더(80)에 타이밍(timing) 신호 및 제어 신호를 제공한다.
행 드라이버(40)는 행 디코더(30)에서 디코딩된 결과에 따라 다수의 단위 픽셀들을 구동하기 위한 다수의 구동 신호를 액티브 픽셀 센서 어레이(10)에 제공한 다. 일반적으로 행렬 형태로 단위 픽셀이 배열된 경우에는 각 행별로 구동 신호를 제공한다.
상관 이중 샘플러(50)는 액티브 픽셀 센서 어레이(10)에 형성된 출력 신호를 수직 신호 라인을 통해 수신하여 유지(hold) 및 샘플링한다. 즉, 특정한 잡음 레벨(noise level)과, 상기 출력 신호에 의한 신호 레벨을 이중으로 샘플링하여, 잡음 레벨과 신호 레벨의 차이에 해당하는 차이 레벨을 출력한다.
아날로그 디지털 컨버터(60)는 차이 레벨에 해당하는 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 출력한다.
래치부(70)는 디지털 신호를 래치(latch)하고, 래치된 신호는 컬럼 디코더(80)에서 디코딩 결과에 따라 순차적으로 영상 신호 처리부(도면 미도시)로 출력된다.
도 2는 도 1의 센서 어레이의 등가 회로도이다.
도 2를 참조하면, 픽셀(P)이 행렬 형태로 배열되어 센서 어레이(10)를 구성한다. 각 픽셀(P)은 광전 변환 소자(11), 플로팅 확산 영역(13), 전하 전송 소자(15), 드라이브 소자(17), 리셋 소자(18), 선택 소자(19)를 포함한다. 이들의 기능에 대해서는 i행 픽셀(P(i, j), P(i, j+1), P(i, j+2), P(i, j+3), … )을 예로 들어 설명한다.
광전 변환 소자(11)는 입사광을 흡수하여 광량에 대응하는 전하를 축적한다. 광전 변환 소자(11)로 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 포토 게이트, 핀형(pinned) 포토 다이오드 또는 이들의 조합이 적용될 수 있으며, 도면에는 포토 다이오드가 예시되어 있다.
각 광전 변환 소자(11)는 축적된 전하를 플로팅 확산 영역(13)으로 전송하는 각 전하 전송 소자(15)와 커플링된다. 플로팅 확산 영역(Floating Diffusion region)(FD)(13)은 전하를 전압으로 전환하는 영역으로, 기생 커패시턴스를 갖고 있기 때문에, 전하가 누적적으로 저장된다.
소오스 팔로워 증폭기로 예시되어 있는 드라이브 소자(17)는 각 광전 변환 소자(11)에 축적된 전하를 전달받은 플로팅 확산 영역(13)의 전기적 포텐셜의 변화를 증폭하고 이를 출력 라인(Vout)으로 출력한다.
리셋 소자(18)는 플로팅 확산 영역(13)을 주기적으로 리셋시킨다. 리셋 소자(18)는 소정의 바이어스(즉, 리셋 신호)를 인가하는 리셋 라인(RX(i))에 의해 제공되는 바이어스에 의해 구동되는 MOS 트랜지스터로 이루어질 수 있다. 리셋 라인(RX(i))에 의해 제공되는 바이어스에 의해 리셋 소자(18)가 턴 온되면 리셋 소자(18)의 드레인에 제공되는 소정의 전기적 포텐셜, 예컨대 전원 전압(VDD)이 플로팅 확산 영역(13)으로 전달된다.
선택 소자(19)는 행 단위로 읽어낼 픽셀(P)을 선택하는 역할을 한다. 선택 소자(19)는 행 선택 라인(SEL(i))에 의해 제공되는 바이어스(즉, 행 선택 신호)에 의해 구동되는 MOS 트랜지스터로 이루어질 수 있다. 행 선택 라인(SEL(i))에 의해 제공되는 바이어스에 의해 선택 소자(19)가 턴 온되면 선택 소자(19)의 드레인에 제공되는 소정의 전기적 포텐셜, 예컨대 전원 전압(VDD)이 드라이브 소자(17)의 드레인 영역으로 전달된다.
전하 전송 소자(15)에 바이어스를 인가하는 전송 라인(TX(i)), 리셋 소자(18)에 바이어스를 인가하는 리셋 라인(RX(i)), 선택 소자(19)에 바이어스를 인가하는 행 선택 라인(SEL(i))은 행 방향으로 실질적으로 서로 평행하게 연장되어 배열될 수 있다.
이하 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서를 설명한다. 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다. 도 3은 설명의 편의를 위해서, 센서 어레이 영역의 일부와 주변 회로 영역의 일부를 도시하고, 센서 어레이 영역에는 광전 변환 소자를 중심으로 도시하였다.
우선, 도 3을 참조하면, 이미지 센서는 센서 어레이 영역(I)과 주변 회로 영역(II)으로 구획될 수 있다. 센서 어레이 영역(I)에는 도 1의 센서 어레이(10)가 형성될 수 있고, 주변 회로 영역(II)에는 예를 들어, 타이밍 발생기(20), 행 디코더(30), 행 드라이버(40), 상관 이중 샘플러(50), 아날로그 디지털 컨버터(60), 래치부(70), 열 디코더(80) 등이 형성될 수 있다. 또한, 도시하지는 않았으나, 주변 회로 영역(II)은 센서 어레이 영역(I)을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
센서 어레이 영역(I)에는 광전 변환 소자(130)에 축적된 전하를 독출하기 위한 플로팅 확산 영역(Floating Diffusion Region)과 다수의 독출 소자가 형성될 수 있다. 독출 소자는 전하 전송 소자, 선택 소자(select element), 드라이브 소자(drive element) 및 리셋 소자(reset element)를 포함할 수 있다. 센서 어레이 영역(I)에는 독출 소자가, 주변 회로 영역(II)에는 MOS 소자, 저항체 및 커패시터 등이 배치될 수 있으며, 이들은 당업자에게 널리 알려진 다양한 형태로 구현될 수 있으므로, 설명의 편의를 위하여 생략한다.
기판(110) 내에는 STI(Shallow Trench Isolation)와 같은 소자 분리 영역(120)가 형성되어 있고, 소자 분리 영역(120)에 의해 액티브 영역이 정의된다. 액티브 영역은 크게 센서 어레이 영역(I) 내의 액티브 영역과 주변 회로 영역(II) 내의 액티브 영역으로 구분될 수 있다. 기판(110)은 예를 들어, 제1 도전형(예를 들어, p형) 기판을 이용할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 기판(110) 상에 에피층(epitaxial layer)이 형성되어 있거나, 기판(110) 내에 다수의 웰(well)이 형성되어 있을 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 하부 실리콘 기판과, 하부 실리콘 기판 상에 형성된 매립 절연층과, 매립 절연층 상에 형성된 실리콘 반도체층을 포함하는 SOI(Silicon On Insulator) 기판이 사용될 수 있다.
센서 어레이 영역(I) 내의 소자 분리 영역(120)은 단위 픽셀을 구획하는 역할을 할 수 있으며, 각 단위 픽셀에는 광전 변환 소자(130)가 배치된다. 광전 변환 소자(130)로는 포토 트랜지스터, 포토 게이트, 포토다이오드, 핀형(pinned) 포토다이오드, 또는 이들의 조합이 적용될 수 있다. 본 실시예에서는 광전 변화 소자(130)로서 포토다이오드를 예를 들어 설명한다.
광전 변환 소자(130)가 형성된 기판(110) 상에는 절연막 구조체(150)가 형성되어 있다. 절연막 구조체(150)는 제1 절연막(150a), 제1 절연막(150a) 상에 형성된 제1 배선층(M1), 제1 배선층(M1) 상에 형성된 제2 절연막(150b), 제2 절연막(150b) 상에 형성된 제2 배선층(M2), 제2 배선층(M2) 상에 형성된 제3 절연막(150c), 제3 절연막(150c) 상에 형성된 제3 배선층(M3), 및 제3 배선층(M3) 상에 형성된 제4 절연막(150d)을 포함한다.
제1 배선층(M1), 제2 배선층(M2) 및 제3 배선층(M3)은 단위 픽셀의 경계부, 즉 소자 분리 영역(120)과 중첩되도록 배치된다. 각 단위 픽셀로 입사된 입사광이 제1 배선층(M1), 제2 배선층(M2) 및 제3 배선층(M3)의 측면에서 반사되어 해당 단위 픽셀의 광전 변환 소자(130)로 향하도록 가이드한다. 따라서, 각 단위 픽셀로 입사된 입사광이 이웃하는 단위 픽셀로 유입되는 것을 방지함으로써 광학적 크로스토크(crosstalk)를 방지한다.
본 실시예에서는, 설명의 편의를 위해서 제1 배선층(M1), 제2 배선층(M2) 및 제3 배선층(M3)이 각각 제1 절연막(150a), 제2 절연막(150b) 및 제3 절연막(150c) 상에 형성되어 있는 경우를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 배선층(M1), 제2 배선층(M2) 및 제3 배선층(M3)은 다마신 배선(damascene interconnection)으로 구성될 수도 있다.
또한, 센서 어레이 영역(I)의 절연막 구조체(150)와, 주변 회로 영역(II)의 절연막 구조체(150)는 배선층과 절연막의 개수를 달리하여 서로 다른 높이를 가질 수 있다. 예를 들어, 센서 어레이 영역(I)의 절연막 구조체(150)를 구성하는 배선층 및 절연막의 개수를 줄임여서 센서 어레이 영역(I)의 절연막 구조체(150)의 높이를 낮춤으로써 광전 변환 소자(130)에 입사되는 광의 양을 증가시켜 이미지 센서의 감도를 증가시킬 수 있다.
또한, 이미지 센서의 감도를 증가시키기 위해, 절연막 구조체(150) 내에, 광전 변환 소자(130)에 대응하도록 광투과부(160R, 160G, 160B)가 형성될 수 있다. 제1 절연막(150a), 제2 절연막(150b) 및 제3 절연막(150c)이 광에 대한 투과율이 낮은 경우, 입사광이 광전 변환 소자(130)에 도달하는 것을 방해하게 된다. 따라서, 광전 변환 소자(130) 상의 제1 절연막(150a), 제2 절연막(150b) 및 제3 절연막(150c)에 적절한 캐버티(cavity)를 형성하고 캐버티 내에 광투과 물질을 충전하여 광투과부(160R, 160G, 160B)를 형성할 수 있다. 광투과부(160R, 160G, 160B)는 유기 고분자 화합물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 환구조를 갖는 불소계 고분자(Cytop™), 또는 PMMA 계열의 고분자 등으로 이루어질 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 광 투과율이 높은 제1 절연막(150a), 제2 절연막(150b) 및 제3 절연막(150c)을 사용하는 경우, 광투과부(160R, 160G, 160B)는 생략될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 광투과부(160R, 160G, 160B)는 제1 절연막(150a)의 일부까지 제거함으로써 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 제1 절연막(150a)을 제외한 절연막 구조체(150) 내에 형성될 수도 있다. 또한, 광투과부(160R, 160G, 160B)는 경사진 측벽과, 평탄한 저면을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 수직하게 뻗은 측벽으로 이루어질 수도 있고, 오목 또는 볼록한 형태의 저면으로 이루어질 수도 있다.
센서 어레이 영역(I)의 절연막 구조체(150) 상에는 하부 평탄화막(165), 컬러 필터(170R, 170G, 170B), 상부 평탄화막(180), 및 렌즈(180)가 순차적으로 형성되어 있고, 주변 회로 영역(II)의 절연막 구조체(150) 상에는 하부 평탄화막(165) 및 상부 평탄화막(180)이 순차적으로 형성될 수 있다. 여기서, 하부 평탄화막(165) 및/또는 상부 평탄화막(180)은 선택적으로 제외될 수 있다. 렌즈(190)는 감광성 수지와 같은 유기 물질, 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다.
컬러 필터(170R, 170G, 170B)는 감광성 유기물로 이루어진 유기막 필터(170R, 170B)와, 다층 무기막 필터(170G)를 포함한다. 유기막 필터(170R, 170B)와 다층 무기막 필터(170G)는 실질적으로 동일한 두께로 형성된다. 본 실시예에서는 적색 픽셀과 청색 픽셀에 대해서는 유기막 필터(170R, 170B)가 사용되고, 녹색 픽셀에 대해서는 다층 무기막 필터(170G)가 사용되는 경우를 예로 들어 설명한다.
다층 무기막 필터(170G)는 굴절률(refractive index)이 서로 다른 고굴절률 무기막(170a, 170c, 170e, 170g)과 저굴절률 무기막(170b, 170d, 170f)이 교대로 적층된 구조를 가진다. 다층 무기막 필터(170G)의 최상면 및 최하면에는 고굴절률 무기막(170a, 170g)이 배치되는 경우, 분광 투과율(spectral transmittance) 그래프 중 녹색 영역에서 실질적으로 100%에 가까운 투과율과, 상대적으로 넓은 밴드폭(band width)을 얻을 수 있으므로 분광 특성을 향상시킬 수 있다. 고굴절률 무기막(170a, 170c, 170e, 170g)은 1.8 내지 3.0의 굴절률을 가지는 산화물, 질화물, 또는 산질화물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 TiO2, SiON, Si3N4, Ta2O3, ZrO2, 또는 이들의 조합일 수 있다. 또한, 저굴절률 무기막(170b, 170d, 170f)은 1.2 내지 1.8의 굴절률을 가지는 산화물, 질화물, 또는 산질화물로 이루어질 수 있으며, 예를 들어 SiO2 등일 수 있다. 본 실시예에서는 4층의 고굴절률 무기막(170a, 170c, 170e, 170g)과 3층의 저굴절률 무기막(170b, 170d, 170f)이 교대로 배치된 경우를 예로 들어 설명하고 있으나 본 발명은 이러한 층수에 한정되지 않는다.
고굴절률 무기막(170a, 170c, 170e, 170g)과 저굴절률 무기막(170b, 170d, 170f)의 두께는 λ/(4n)의 정수배인 것이 바람직하다. 여기서, λ는 설정 중심 파장이고, n은 각 무기막의 굴절률이다. 고굴절률 무기막(170a, 170c, 170e, 170g)의 경우, 다층 무기막 필터(170G)의 외측에 위치하는 고굴절률 무기막(170a, 170g)은 다층 무기막 필터(170G)의 내측에 위치하는 고굴절률 무기막(170c, 170e)보다 두꺼운 것이 바람직하다. 저굴절률 무기막(170b, 170d, 170f)의 경우, 다층 무기막 필터(170G)의 외측에 위치하는 저굴절률 무기막(170b, 170f)은 다층 무기막 필터(170G)의 내측에 위치하는 저굴절률 무기막(170d)보다 얇은 것이 바람직하다. 다층 무기막 필터(170G)를 구성하는 무기막들이 위와 같은 상관 관계를 가지는 경우, 분광 투과율(spectral transmittance) 그래프 중 녹색 영역에서 실질적으로 100%에 가까운 투과율과, 상대적으로 넓은 밴드폭(band width)을 얻을 수 있으므로 분광 특성을 향상시킬 수 있다.
이하 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 분광 특성을 설명한다. 도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 분광 투과율을 측정한 그래프들이다.
도 4의 경우, B는 청색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, R은 적색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, G는 녹색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, G'는 다층 무기막 필터에 의한 분광 투과율을 나타낸다. 특히, 다층 무기막 필터 중 고굴 절률 무기막으로는 굴절률이 2.8인 TiO2가 사용되고, 저굴절률 무기막으로는 굴절률이 1.46인 SiO2가 사용되었다. 다층 무기막 필터는 고굴절률 무기막과 저굴절률 무기막이 교대로 적층된 구조를 가지며, 각 무기막은 순차적으로 180nm, 90nm, 45nm, 185nm, 45nm, 92nm, 180nm의 두께를 가진다.
도 4에 도시된 바와 같이, 유기막 필터(G)를 이용하는 경우 약 550nm에서 투과율이 90% 이하로 측정되었으나, 본 발명과 같이 다층 무기막 필터(G')를 이용하는 경우 실질적으로 100%의 투과율을 얻을 수 있었다. 나아가, 장파장 영역(A)에서, 유기막 필터(G)에 의한 크로스토크가 발생하지만, 다층 무기막 필터(G')의 경우 이러한 크로스토크를 방지할 수 있다.
도 5의 경우, B는 청색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, R은 적색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, G는 녹색 유기막 필터에 의한 분광 투과율을, G''는 다층 무기막 필터에 의한 분광 투과율을 나타낸다. 특히, 다층 무기막 필터 중 고굴절률 무기막으로는 SiON이 사용되고, 저굴절률 무기막으로는 SiO2가 사용되었다.
도 5에 도시된 바와 같이, 유기막 필터(G)를 이용하는 경우 약 550nm에서 투과율이 90% 이하로 측정되었으나, 본 발명과 같이 다층 무기막 필터(G'')를 이용하는 경우 실질적으로 100%의 투과율을 얻을 수 있었다. 나아가, 장파장 영역에서, 유기막 필터(G)에 의한 크로스토크가 발생하지만, 다층 무기막 필터(G'')의 경우 이러한 크로스토크를 방지할 수 있다.
이하 도 6a, 도 6b 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 설명한다. 도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 기판(110) 내에 소자 분리 영역(120)을 형성하여 센서 어레이 영역(I)과 주변 회로 영역(II)을 정의한다.
이어서, 센서 어레이 영역(I) 내에 광전 변환 소자(130)를 형성한다. 센서 어레이 영역(I)에는 다수의 독출 소자를 형성하고, 주변 회로 영역(II)에는 다수의 MOS 소자들을 형성한다.
이어서, 광전 변환 소자(130)가 형성된 기판(110) 상에 절연막 구조체(150)를 형성한다.
이어서, 절연막 구조체(150) 상에 하부 평탄화막(165), 및 제1 내지 제7 무기막(170a - 170g)을 순차적으로 형성한다. 제1 무기막(170a), 제3 무기막(170c), 제5 무기막(170e), 및 제7 무기막(170g)은 고굴절률 산화물, 질화물 또는 산질화물로 이루어지고, 제2 무기막(170b), 제4 무기막(170d), 및 제6 무기막(170f)는 저굴절률 산화물, 질화물 또는 산질화물로 이루어진다.
이어서, 제7 무기막(170g) 상에 녹색 영역의 광투과부(160G)와 중첩하는 감광막 패턴(175)을 형성한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 감광막 패턴(175)을 식각 마스크로 사용하여 제1 내지 제7 무기막(170a - 170g)을 패터닝하여 다층 무기막 필터(170G)를 형성한다.
이어서, 감광성 수지로 이루어진 적색 컬러 필터를 스핀 코팅(spin coating) 등의 방법으로 하부 평탄화막(165) 및 다층 무기막 필터(170G) 상에 형성한 후 사진 공정 및 현상 공정을 수행하여 적색 영역의 광투과부(160R)과 중첩하는 유기막 필터(170R)를 형성한다.
이어서, 감광성 수지로 이루어진 청색 컬러 필터를 스핀 코팅 등의 방법으로 하부 평탄화막(165), 유기막 필터(170R) 및 다층 무기막 필터(170G) 상에 형성한 후 사진 공정 및 현상 공정을 수행하여 청색 영역의 광투과부(160B)과 중첩하는 유기막 필터(170B)를 형성한다. 유기막 필터(170R)와 유기막 필터(170B)의 형성 순서는 임의로 바뀔 수 있다.
이어서 도 6b 및 도 3을 참조하면, 유기막 필터(170R, 170B) 및 다층 무기막 필터(170G) 상에 상부 평탄화막(180)을 형성한다.
이어서 상부 평탄화막(180) 상에 단위 픽셀마다 렌즈(190)를 형성한다.
이하에서, 도 7 및 도 8을 참조하여 컬러 필터의 다양한 변형예를 설명한다. 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 선세의 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다. 설명의 편의상, 상기 제1 실시예의 도면(도 1 내지 도 6b)에 나타낸 각 부재와 동일 기능을 갖는 부재는 동일 부호로 나타내고, 따라서 그 설명은 생략하며, 이하 차이점을 위주로 설명한다.
도 7에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 센서의 경우, 적색 영역의 컬러 필터가 다층 무기막 필터(270R)로 이루어져 있고, 녹색 및 청색 영역의 컬러 필터는 유기막 필터(270G, 170B)로 이루어져 있다. 설정 중심 파장(λ)을 적색 영역 내에서 선택하고 다층 무기막 필터(270R)를 구성하는 다수의 무기막(170a - 170g)의 두께를 설정 중심 파장(λ)에 대응하여 변경함으로써, 다층 무기막 필터(270R)를 분광 특성이 우수한 적색 컬러 필터로 사용할 수 있다.
도 8에 도시된 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 경우, 청색 영역의 컬러 필터가 다층 무기막 필터(270B)로 이루어져 있고, 적색 및 녹색 영역의 컬러 필터는 유기막 필터(170R, 270G)로 이루어져 있다. 설정 중심 파장(λ)을 청색 영역 내에서 선택하고 다층 무기막 필터(270B)를 구성하는 다수의 무기막(170a - 170g)의 두께를 설정 중심 파장(λ)에 대응하여 변경함으로써, 다층 무기막 필터(270B)를 분광 특성이 우수한 청색 컬러 필터로 사용할 수 있다.
이상의 실시예들에서는 적색, 녹색, 및 청색의 컬러 필터 중 어느 하나를 다층 무기막 필터로 형성하고 나머지 두 개를 유기막 필터로 형성한 경우를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 적색, 녹색 및 청색의 컬러 필터 중 어느 하나를 유기막 필터로 형성하고 나머지 두 개를 다층 무기막 필터로 형성할 수도 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 시스템을 나타내는 개략적 블록도이다.
도 9를 참조하면, 프로세서 기반 시스템(200)은 MOS 이미지 센서(210)의 출력 이미지를 처리하는 시스템이다. 시스템(200)은 컴퓨터 시스템, 카메라 시스템, 스캐너, 기계화된 시계 시스템, 네비게이션 시스템, 비디오폰, 감독 시스템, 자동 포커스 시스템, 추적 시스템, 동작 감시 시스템, 이미지 안정화 시스템 등을 예시할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
컴퓨터 시스템 등과 같은 프로세서 기반 시스템(200)은 버스(205)를 통해 입출력(I/O) 소자(230)와 커뮤니케이션할 수 있는 마이크로프로세서 등과 같은 중앙 정보 처리 장치(CPU)(220)를 포함한다. MOS 이미지 센서(210)는 버스(205) 또는 다른 통신 링크를 통해서 시스템과 커뮤니케이션할 수 있다. 또, 프로세서 기반 시스템(200)은 버스(205)를 통해 CPU(220)와 커뮤니케이션할 수 있는 RAM(240) 및/또는 포트(260)을 더 포함할 수 있다. 포트(260)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 소자 등을 프로세서 기판 시스템(200)과 커플링하거나, 또 다른 시스템과 데이터를 통신할 수 있는 포트일 수 있다. MOS 이미지 센서(210)는 CPU, 디지털 신호 처리 장치(DSP) 또는 마이크로프로세서 등과 함께 집적될 수 있다. 또한, 메모리가 함께 집적될 수도 있다. 물론 경우에 따라서는 프로세서와 별개의 칩에 집적될 수도 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서의 블록도이다.
도 2는 도 1의 센서 어레이의 등가 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서의 분광 투과율을 측정한 그래프들이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 이미지 선세의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 이미지 센서를 포함하는 프로세서 기반 시스템을 나타내는 개략적 블록도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10: 센서 어레이 20: 타이밍 발생기
30: 행 디코더 40: 행 드라이버
50: 상관 이중 샘플러 60: 아날로그 디지털 컨버터
70: 래치부 80: 열 디코더
110: 기판 120: 소자 분리 영역
130: 광전 변환 소자 150: 절연막 구조체
160R, 160G, 160B: 광투과부 165: 하부 평탄화막
170R, 170B, 170B: 컬러 필터 180: 상부 평탄화막
190: 렌즈
Claims (13)
- 기판;상기 기판 내에 형성되고, 입사광을 광전 변환하는 제1 및 제2 광전 변환 소자;상기 제1 광전 변화 소자 상에 형성되는 유기막 필터와, 상기 제2 광전 변환 소자 상에 형성되는 다층 무기막 필터를 포함하는 컬러 필터; 및상기 컬러 필터 상에 형성된 다수의 렌즈를 포함하되,상기 다층 무기막 필터는 굴절률이 서로 다른 고굴절률 무기막과 저굴절률 무기막이 교대로 적층된 구조를 가지는 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 유기막 필터와 상기 다층 무기막 필터는 동일한 두께를 가지는 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 고굴절률 무기막은 상기 다층 무기막 필터의 최상면 및 최하면에 배치된 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 고굴절률 무기막은 상기 제2 광전 변환 소자 상에 순차적으로 형성된 제1 내지 제3 무기막을 포함하고, 상기 제1 무기막 및 상기 제3 무기막은 각각 상기 제2 무기막보다 두꺼운 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 저굴절률 무기막은 상기 제2 광전 변화 소자 상에 순차적으로 형성된 제1 내지 제3 무기막을 포함하고, 상기 제1 무기막 및 상기 제3 무기막은 각각 상기 제2 무기막보다 얇은 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 다층 무기막 필터는 녹색 픽셀 내에 형성된 이미지 센서.
- 제6 항에 있어서,상기 고굴절률 무기막은 TiO2 또는 SiON으로 이루어지고, 상기 저굴절률 무기막은 SiO2로 이루어진 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 고굴절률 무기막은 1.8 내지 3.0의 굴절률을 가지는 이미지 센서.
- 제8 항에 있어서,상기 저굴절률 무기막은 1.2 내지 1.8의 굴절률을 가지는 이미지 센서.
- 제1 항에 있어서,상기 고굴절률 무기막과 상기 저굴절률 무기막의 두께는 λ/(4n)의 정수배인 이미지 센서.(여기서, 상기 λ는 설정 중심 파장이고, 상기 n은 각 무기막의 굴절률이다.)
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080083464A KR101500344B1 (ko) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 이미지 센서 |
| US12/583,813 US8427563B2 (en) | 2008-08-26 | 2009-08-26 | Image sensor with multiple types of color filters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080083464A KR101500344B1 (ko) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 이미지 센서 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100024759A KR20100024759A (ko) | 2010-03-08 |
| KR101500344B1 true KR101500344B1 (ko) | 2015-03-09 |
Family
ID=41724823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080083464A KR101500344B1 (ko) | 2008-08-26 | 2008-08-26 | 이미지 센서 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8427563B2 (ko) |
| KR (1) | KR101500344B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101772989B1 (ko) | 2016-03-31 | 2017-09-13 | 한국생산기술연구원 | 이중컬러코팅글래스 및 그 제조방법 |
| US10644073B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and electronic devices including the same |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102381391B1 (ko) * | 2015-04-16 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP5564847B2 (ja) * | 2009-07-23 | 2014-08-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法、及び電子機器 |
| US9123653B2 (en) * | 2009-07-23 | 2015-09-01 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| KR20120108565A (ko) | 2011-03-24 | 2012-10-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사판과 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| JP5759924B2 (ja) * | 2011-06-06 | 2015-08-05 | 富士フイルム株式会社 | カラーフィルタ、ｃｃｄセンサ、ｃｍｏｓセンサ、有機ｃｍｏｓセンサ、および固体撮像素子 |
| KR101860084B1 (ko) * | 2012-07-06 | 2018-05-23 | 삼성전자주식회사 | 유기 광전 재료, 상기 유기 광전 재료를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서 |
| KR102083550B1 (ko) | 2013-03-15 | 2020-04-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
| KR102240020B1 (ko) | 2014-08-29 | 2021-04-14 | 삼성전자주식회사 | 컬러 필터를 포함하는 전자 장치 |
| KR102302594B1 (ko) | 2014-09-16 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 고 굴절지수의 마이크로 렌즈를 갖는 이미지 센서 |
| CN106185802A (zh) * | 2016-07-02 | 2016-12-07 | 关笑天 | 水解氢能燃烧方法及装置 |
| TWI646678B (zh) * | 2017-12-07 | 2019-01-01 | 晶相光電股份有限公司 | 影像感測裝置 |
| US12073205B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-08-27 | Targus International Llc | Independently upgradeable docking stations |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020190254A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-19 | Turner Richard M. | Vertical color filter detector group and array |
| WO2005013369A1 (ja) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US20050167774A1 (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-04 | Rhodes Howard E. | Barrier regions for image sensors |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100790981B1 (ko) * | 2006-02-13 | 2008-01-02 | 삼성전자주식회사 | 칼라필터, 칼라필터 어레이 및 그의 제조방법과 이미지센서 |
| JP4500321B2 (ja) * | 2007-03-05 | 2010-07-14 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
-
2008
- 2008-08-26 KR KR1020080083464A patent/KR101500344B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-08-26 US US12/583,813 patent/US8427563B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020190254A1 (en) * | 2001-06-18 | 2002-12-19 | Turner Richard M. | Vertical color filter detector group and array |
| WO2005013369A1 (ja) * | 2003-08-01 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びこれを用いたカメラ |
| JP2005109490A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Hynix Semiconductor Inc | イメージセンサー及びその製造方法 |
| US20050167774A1 (en) * | 2004-02-02 | 2005-08-04 | Rhodes Howard E. | Barrier regions for image sensors |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101772989B1 (ko) | 2016-03-31 | 2017-09-13 | 한국생산기술연구원 | 이중컬러코팅글래스 및 그 제조방법 |
| US10644073B2 (en) | 2016-12-19 | 2020-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensors and electronic devices including the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8427563B2 (en) | 2013-04-23 |
| KR20100024759A (ko) | 2010-03-08 |
| US20100053387A1 (en) | 2010-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101500344B1 (ko) | 이미지 센서 | |
| KR101647779B1 (ko) | 이미지 센서, 그 제조 방법, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 장치 | |
| US10923518B2 (en) | Image sensor and method of fabricating the same | |
| KR100755666B1 (ko) | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR101688084B1 (ko) | 이미지 센서 및 이를 포함하는 패키지 | |
| KR100827445B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US7545423B2 (en) | Image sensor having a passivation layer exposing at least a main pixel array region and methods of fabricating the same | |
| KR101503683B1 (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US8847297B2 (en) | Image sensor having moisture absorption barrier layer, fabricating method thereof, and device comprising the image sensor | |
| US9064767B2 (en) | Solid state imaging device and method of manufacturing the same | |
| US8482641B2 (en) | Image sensor devices having peripheral circuits therein that use light guide materials as electrical insulators | |
| US11251229B2 (en) | Method of manufacturing an image sensor having an etch stop layer on an insulation layer | |
| KR20180080469A (ko) | 이미지 센서 | |
| TWI619238B (zh) | 影像感測器及其操作方法 | |
| KR20130106619A (ko) | 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US20100103288A1 (en) | Image sensor | |
| US20100128155A1 (en) | Image sensors and methods of manufacturing the same | |
| KR20110095696A (ko) | 씨모스 이미지 센서 | |
| US7972890B2 (en) | Methods of manufacturing image sensors | |
| KR20080100025A (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 이미지 센서 | |
| US20090194835A1 (en) | Image sensor | |
| KR20190038502A (ko) | 이미지 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180228 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200228 Year of fee payment: 6 |