KR101494207B1 - Apparatus for cleaning substrate - Google Patents

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Abstract

Disclosed is a substrate cleaning apparatus capable of removing photoresist to which an ion with high density is injected by efficiently heating SPM chemical solutions. The substrate cleaning apparatus includes a chamber which receives a substrate, a spin chuck which is formed in the chamber and rotates by gripping the substrate, a nozzle part which is formed to cover the upper side of the substrate gripped by the spin chuck and includes a plurality of spray holes for spraying the chemical solutions on the substrate and a cover part which includes a heater to heat the chemical solutions sprayed through the nozzle part.

Description

기판 세정장치{APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE}[0001] APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 반도체 기판의 습식 세정장치에 관한 것으로, SPM 약액의 가열을 효과적으로 수행하여 고농도의 이온 주입된 포토레지스트를 제거할 수 있는 기판 세정장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wet cleaning apparatus for a semiconductor substrate, and more particularly, to a substrate cleaning apparatus capable of effectively removing a highly-doped ion-implanted photoresist by heating a SPM chemical solution.

반도체 디바이스의 제조 공정에서는 이온 주입 기술을 이용하여, 반도체 기판 표면에 형성된 절연막 등의 각종 막 등에 이온을 주입하여 그 표면의 특성을 변화시킨다. 이온 주입 처리는 일반적으로 반도체 기판에 회로 패턴을 형성하기 위한 포토레지스트 막을 형성한 후에 처리된다. 그런데, 이온 주입 처리 후 포토레지스트 막을 제거하는 경우, 고농도(high dose)의 이온 주입에 의해 포토레지스트 막의 표면이 경화되어 기판에서 박리되기 어려운 상태가 된다. 따라서, 표면이 경화된 포토레지스트 막을 제거하기 위해, 일반적으로 포토레지스트 막을 플라즈마 애싱(plasma ashing) 공정을 처리한 후, 기판을 습식 세정하는 방법이 사용된다.In a semiconductor device manufacturing process, ions are implanted into various films such as an insulating film formed on the surface of a semiconductor substrate using an ion implantation technique to change the surface characteristics thereof. The ion implantation process is generally performed after forming a photoresist film for forming a circuit pattern on a semiconductor substrate. However, when the photoresist film is removed after the ion implantation process, the surface of the photoresist film is hardened by ion implantation at a high dose, and the film is difficult to peel off from the substrate. Therefore, in order to remove the surface-hardened photoresist film, a method of wet-cleaning the substrate is generally used after treating the photoresist film with a plasma ashing process.

그런데, 이러한 포토레지스트 막에 플라즈마 애싱 처리를 실시하면, 주입된 이온에 의해 기판이 산화되거나, 플라즈마 애싱에 의해 기판의 특성이 변화되는 등 기판이 손상된다. 또한, 포토레지스트 막에 플라즈마 애싱 처리를 실시하면, 가열된 포토레지스트 막이 폭발하는 포핑 현상이 발생된다. 이러한 포핑 현상으로 인하여, 기판에 불순물이 부착되어 기판 세정이 어렵다.However, when plasma ashing treatment is applied to such a photoresist film, the substrate is oxidized by the implanted ions, or the characteristics of the substrate are changed by plasma ashing, thereby damaging the substrate. Further, when the photoresist film is subjected to the plasma ashing treatment, a poking phenomenon occurs in which the heated photoresist film explodes. Due to such a popping phenomenon, impurities adhere to the substrate, which makes it difficult to clean the substrate.

이러한 문제점들을 해결하기 위하여, 플라즈마 애싱 공정을 이용하지 않고, 기판을 가열하면서 포토레지스트 막에 수분을 공급하여 포토레지스트 막의 경화층에 크랙(crack)을 발생시키고, 이 크랙을 통해 포토레지스트 막 내부로 수분을 침투시켜서 포토레지스트 막이 용이하게 기판으로부터 박리되게 하는 공정이 사용된다. 그러나 이러한 방법은, 포토레지스트 막을 효과적으로 제거하기 위해서 포토레지스트 막의 경화층에 많은 크랙을 형성할 필요가 있으며, 그 때문에 가열 온도를 높게 하면, 포핑 현상이 발생하여 포토레지스트 막을 완전히 제거하는 것이 곤란하다.In order to solve these problems, a method has been proposed in which moisture is supplied to the photoresist film while heating the substrate without using a plasma ashing process to generate a crack in the hardened layer of the photoresist film, A step of allowing the photoresist film to be easily peeled off from the substrate by permeating moisture is used. However, in such a method, it is necessary to form a large number of cracks in the cured layer of the photoresist film in order to effectively remove the photoresist film. Therefore, if the heating temperature is raised, it is difficult to completely remove the photoresist film due to the occurrence of the pore phenomenon.

한편, 고농도의 이온 주입된 포토레지스트(high dose implanted PR)를 세정 및 제거하는 경우, 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)가 혼합된 혼합액 즉, 고온의 SPM 약액을 이용하게 된다. 이 경우, 기판 세정장치는, SPM 약액이 보관 저장되는 히트 탱크에서 SPM 약액을 대략 150 ~ 180℃로 가열하여 기판에 공급함으로써, 기판에서 포토레지스트를 세정 및 제거한다. 그러나 기존의 기판 세정장치는 상부가 개방된 형태의 챔버로 형성되는데, 이와 같이 개방된 챔버에서는 기판 표면에서의 SPM 약액의 온도를 일정하게 유지하는 것이 어려워서 포토레지스트를 완전히 제거하는 것이 어렵다. 또한, SPM 약액에는 물 성분이 포함되어 있기 때문에, SPM 약액을 일정 온도예를 들어, 약 160℃) 이상으로 가열하게 되면, 수증기가 발생하면서 SPM 약액의 특성이 공정 조건과 달라지게 된다. 이로 인해, 기존에는 공정 시간이 증가되고, 생산성이 저하되는 등의 문제점이 있다.
On the other hand, when cleaning and removing a high dose implanted photoresist (PR), a mixed solution of sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide water (H2O2), that is, a high-temperature SPM chemical solution is used. In this case, the substrate cleaning apparatus heats the SPM chemical solution to approximately 150 to 180 DEG C in the heat tank in which the SPM chemical solution is stored, and supplies the substrate to the substrate, thereby cleaning and removing the photoresist from the substrate. However, the conventional substrate cleaning apparatus is formed as a chamber having an open top. In such an open chamber, it is difficult to keep the temperature of the SPM chemical solution at the surface of the substrate constant, so that it is difficult to completely remove the photoresist. In addition, since the SPM chemical liquid contains water components, when the SPM chemical liquid is heated to a certain temperature (for example, about 160 ° C) or more, the characteristics of the SPM chemical liquid differ from the process conditions while steam is generated. As a result, there is a problem that the process time is increased and the productivity is lowered.

본 발명의 실시예들에 따르면 이온 주입된 포토레지스트를 제거하기 위한 기판 세정장치를 제공하기 위한 것이다.According to embodiments of the present invention, there is provided a substrate cleaning apparatus for removing an ion-implanted photoresist.

또한, 본 발명의 실시예들에 따르면, 황산 및 과산화수소수의 SPM 약액의 온도를 종래보다 높게 구현하여 고농도의 이온 주입된 포토레지스트를 제거할 수 있는 기판 세정장치를 제공하기 위한 것이다.
It is another object of the present invention to provide a substrate cleaning apparatus capable of removing a high concentration of ion-implanted photoresist by realizing a higher temperature of the SPM chemical solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide than conventional ones.

상술한 본 발명의 실시예들에 따른 기판 세정장치는, 기판을 수용하는 챔버, 상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 파지하여 회전하는 스핀척 및 상기 스핀척에 파지된 상기 기판의 상부를 덮도록 구비되고, 상기 기판에 약액을 분사하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 노즐부와 상기 노즐부를 통해 분사되는 약액의 가열을 위한 히터가 구비된 커버부를 포함하여 구성된다.The substrate cleaning apparatus according to the above-described embodiments of the present invention includes a chamber for accommodating a substrate, a spin chuck provided in the chamber for holding and rotating the substrate, and an upper portion of the substrate held by the spin chuck And a cover unit having a nozzle unit having a plurality of ejection holes for ejecting the chemical liquid onto the substrate and a heater for heating the chemical liquid injected through the nozzle unit.

일 측에 따르면, 상기 커버부는, 상기 기판의 상부를 덮도록 형성된 프레임, 상기 프레임에서 상기 기판에 대응되는 크기로 구비되고, 상기 기판을 향하는 면에 다수의 상기 분사홀이 형성된 노즐부 및 상기 노즐부의 상면에 구비되는 원판형의 히터를 포함하고, 상기 약액은 상기 커버부의 테두리를 통해 유입되어 상기 노즐부로 유동하도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 히터는 세라믹 재질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 프레임은 상기 기판 및 상기 스핀척 상부를 덮는 형태를 가질 수 있다.According to one aspect of the present invention, the cover portion includes a frame formed to cover an upper portion of the substrate, a nozzle portion having a size corresponding to the substrate in the frame and having a plurality of the injection holes formed on a surface facing the substrate, And the chemical liquid may flow through the rim of the cover portion and flow to the nozzle portion. For example, the heater may be formed of a ceramic material. In addition, the frame may have a shape covering the substrate and the spin chuck.

일 측에 따르면, 상기 커버부의 테두리에는 상기 유입되는 약액의 가열을 위한 제2 히터가 더 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 히터는, 하부에 상기 약액이 유입되도록 유입 유로가 형성되고, 상부에는 상기 노즐부로 상기 약액을 유입시키는 유출 유로가 형성되고, 상기 제2 히터를 관통하여 상기 유입 유로의 약액을 상기 유출 유로로 유동시키는 다수의 유동홀이 형성될 수 있다. 그리고 상기 제2 히터의 하부에는 상기 약액의 유동을 안내하는 가이드 부재가 구비될 수 있다.
According to one aspect of the present invention, the cover may further include a second heater for heating the introduced chemical liquid. For example, the second heater may include an inflow channel formed at a lower portion thereof to allow the chemical liquid to flow therein, and an upper portion formed with an outflow channel for introducing the chemical solution into the nozzle portion, A plurality of flow holes for flowing a chemical solution into the outflow channel may be formed. A guide member for guiding the flow of the chemical liquid may be provided in the lower portion of the second heater.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 히터가 구비되므로 SPM 약액의 온도를 일정 수준 이상으로 가열 및 일정하게 유지시킬 수 있다.As described above, according to the embodiments of the present invention, since the heater is provided, the temperature of the SPM chemical solution can be maintained at a constant level or more by heating.

또한, 기판 표면의 반응 온도를 고온으로 유지시킬 수 있으므로 고농도의 이온 주입된 포토레지스트를 용이하게 제거할 수 있고, 포토레지스트를 제거하는 데 소요되는 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, since the reaction temperature of the surface of the substrate can be maintained at a high temperature, it is possible to easily remove the ion-implanted photoresist at a high concentration, shorten the time required to remove the photoresist, and improve the productivity.

또한, 고온의 SPM 약액을 이용하여 고농도의 이온 주입된 포토레지스트를 제거함으로써, 기판 손상을 방지할 수 있다.
In addition, damage to the substrate can be prevented by removing the ion-implanted photoresist at a high concentration using the high-temperature SPM chemical solution.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치의 모식도이다.
도 2는 도 1의 기판 세정장치에서 커버부를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 2의 커버부의 요부 단면도이다.
도 4는 도2의 커버부에서 노즐부의 사시도이다.1 is a schematic view of a substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view for explaining a cover portion in the substrate cleaning apparatus of FIG.
3 is a sectional view of the main portion of the cover portion of Fig.
Fig. 4 is a perspective view of the nozzle portion in the cover portion of Fig. 2;

이하 첨부된 도면들을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to or limited by the embodiments. In describing the embodiments, a detailed description of well-known functions or constructions may be omitted so as to clarify the gist of the present invention.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 기판의 기판 세정장치(100)에 대해서 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정장치(100)의 모식도이다. 그리고 도 2는 도 1의 기판 세정장치(100)에서 커버부(120)를 설명하기 위한 단면도이고, 도 3은 도 2의 커버부(120)의 요부 단면도이고, 도 4는 도2의 커버부(120)에서 노즐부(125)의 사시도이다.Hereinafter, a substrate cleaning apparatus 100 for a semiconductor substrate according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 4. FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate cleaning apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. 2 is a sectional view for explaining the cover 120 in the substrate cleaning apparatus 100 of FIG. 1, FIG. 3 is a sectional view of the main part of the cover 120 of FIG. 2, And the nozzle unit 125 is shown in FIG.

도면을 참조하면, 기판 세정장치(100)는, 기판(10)을 수용하여 세정 공정이 수행되는 챔버(110), 기판(10)을 파지하여 회전하는 스핀척(130), 기판(10)을 덮도록 구비되어 약액을 분사하는 커버부(120) 및 챔버(110)에 기판(10)의 세정을 위한 약액을 공급하는 약액 공급부(140)를 포함하여 구성된다.Referring to the drawings, a substrate cleaning apparatus 100 includes a chamber 110 for receiving a substrate 10 and performing a cleaning process, a spin chuck 130 for holding and rotating the substrate 10, a substrate 10, And a chemical solution supply unit 140 for supplying a chemical solution for cleaning the substrate 10 to the chamber 110. The cover unit 120 is provided to cover the substrate 110,

기판 세정장치(100)는 한 장의 기판(10)을 수용하여 기판(10) 표면에 약액을 제공하면서 회전시킴에 따라 세정이 수행되는 매엽식(single wafer processing) 장치가 사용된다.The substrate cleaning apparatus 100 uses a single wafer processing apparatus that receives a single substrate 10 and performs cleaning by rotating the substrate 10 while supplying a chemical solution to the surface of the substrate 10. [

챔버(110)는 기판(10)을 수용하여 세정이 수행되는 공간을 제공하고, 약액을 회수하기 위한 컵(111)이 챔버(110)의 측벽을 따라 다수개 구비된다.The chamber 110 is provided with a plurality of cups 111 along the side wall of the chamber 110 for receiving the substrate 10 to provide a space for performing cleaning and for recovering the chemical liquid.

약액 공급부(140)는 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)가 혼합된 혼합액, 즉, SPM(Sulfuric Peroxide Mixture) 약액을 제공한다. 참고적으로, 약액 공급부(140)는 SPM 약액을 저장하고 공정 조건에 적합한 온도로 가열하는 히터 및 히트 탱크와, 챔버(110)로 SPM 약액을 공급하는 공급 라인 및 순환 라인, 그리고 펌프와 밸브들을 포함하여 구성된다. 약액 공급부(140)의 상세한 기술구성은 공지의 기술로부터 이해 가능하므로 자세한 설명은 생략한다.The chemical solution supply unit 140 provides a mixed solution in which sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide solution (H2O2) are mixed, that is, a sulfuric peroxide mixture (SPM) chemical solution. For reference, the chemical solution supply unit 140 includes a heater and a heat tank for storing the SPM chemical solution and heating the chemical solution to a temperature suitable for the process conditions, a supply line and a circulation line for supplying the SPM chemical solution into the chamber 110, . The detailed construction of the chemical solution supply unit 140 can be understood from the known art and thus a detailed description thereof will be omitted.

커버부(120)는 스핀척(130)에 파지된 기판(10)을 덮도록 형성되고, 약액 공급부(140)에서 제공되는 SPM 약액을 가열하고 기판(10)에 제공한다. 커버부(120)는, 프레임(121), 기판(10)에 SPM 약액을 분사하기 위한 다수의 분사홀(252)이 형성된 노즐부(125)와, 노즐부(125) 상부에 구비되어 제공되는 SPM 약액을 가열하기 위한 히터(123)를 포함하여 구성된다. 그리고 SPM 약액은 커버부(120)의 테두리를 통해서 제공되어서 노즐부(125)에 형성된 분사홀(252)을 통해 기판(10)에 분사된다. 이로 인해, 커버부(120)의 테두리에는 제공되는 SPM 약액의 유동을 안내하기 위한 가이드 부재(129)가 구비되고, 가이드 부재(129)로 유입되는 SPM 약액의 가열을 위한 제2 히터(127)가 구비된다.The cover part 120 is formed to cover the substrate 10 gripped by the spin chuck 130 and heats the SPM chemical solution supplied from the chemical solution supply part 140 and provides the SPM chemical solution to the substrate 10. The cover unit 120 includes a frame 121, a nozzle unit 125 having a plurality of injection holes 252 for spraying the SPM chemical liquid on the substrate 10, And a heater 123 for heating the SPM chemical solution. The SPM chemical solution is supplied through the rim of the cover part 120 and is sprayed onto the substrate 10 through the injection hole 252 formed in the nozzle part 125. [ A guide member 129 for guiding the flow of the SPM chemical solution provided in the rim of the cover unit 120 and a second heater 127 for heating the SPM chemical solution flowing into the guide member 129, .

노즐부(125)는 기판(10)에 대응되는 크기로 형성되고, 기판(10)을 마주보는 하면에는 다수의 분사홀(252)이 형성되며, 내부에 테두리로 유입된 SPM 약액을 분사홀(252)로 유동시키기 위한 노즐 유로(251)가 형성된다. 노즐 유로(251)는 기판(10)에 균일하게 SPM 약액을 제공할 수 있도록 다수개가 형성되며, 기판(10)의 중심에 대해서 동일한 각도로 방사상으로 형성될 수 있다. 그리고 각 노즐 유로(251)에는 다수의 분사홀(252)이 형성된다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 노즐부(125)는 4개의 노즐 유로(251)가 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 노즐 유로(251)의 수와 형태는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.The nozzle unit 125 has a size corresponding to that of the substrate 10. A plurality of spray holes 252 are formed on the lower surface of the substrate 10 facing the substrate 10. The SPM chemical solution, 252 are formed. A plurality of nozzle flow paths 251 are formed on the substrate 10 so as to uniformly supply the SPM chemical solution. The nozzle flow paths 251 may be radially formed at the same angle with respect to the center of the substrate 10. A plurality of injection holes 252 are formed in each nozzle flow path 251. For example, as shown in FIG. 4, the nozzle unit 125 may be formed with four nozzle flow paths 251. However, the present invention is not limited by the drawings, and the number and shape of the nozzle flow path 251 can be substantially varied.

히터(123)는 노즐부(125) 상면에 구비되어서 노즐부(125)를 통해 유동 및 분사되는 SPM 약액을 가열한다. 히터(123)는 노즐부(125) 전면을 가열할 수 있도록, 기판(10)의 형태 및 크기에 대응되는 원판형으로 형성된다. 또한, 히터(123)는 세라믹 재질로 형성된다.The heater 123 is provided on the upper surface of the nozzle unit 125 to heat the SPM chemical liquid flowing and sprayed through the nozzle unit 125. The heater 123 is formed in a disc shape corresponding to the shape and size of the substrate 10 so as to heat the entire surface of the nozzle part 125. [ The heater 123 is formed of a ceramic material.

가이드 부재(129)는 커버부(120)의 테두리를 따르는 링 형상을 갖고, 내부에 SPM 약액이 유동될 수 있는 공간이 형성된다. 가이드 부재(129)의 상부에는 제2 히터(127)가 구비되고, 가이드 부재(129)와 제2 히터(127) 사이에 SPM 약액이 유동할 수 있는 유동 공간이 형성되도록 간격이 띄워진다.The guide member 129 has a ring shape along the rim of the cover portion 120, and a space through which the SPM chemical solution flows can be formed therein. A second heater 127 is provided on the upper portion of the guide member 129 and a gap is formed between the guide member 129 and the second heater 127 to form a flow space through which the SPM chemical solution can flow.

제2 히터(127)는 커버부(120)의 테두리를 따르는 링 형상을 갖는다. 그리고 제2 히터(127)의 하부에는 약액이 유입되는 유입 유로(271)가 형성되고, 상부에는 노즐부(125)의 노즐 유로(251)와 연통되어 SPM 약액을 노즐 유로(251)로 유입시키는 유출 유로(273)가 형성되며, 제2 히터(127)를 관통하여 유입 유로(271) 의 약액을 유출 유로(273)로 유동시키는 다수의 유동홀(272)이 형성된다.The second heater 127 has a ring shape along the rim of the cover portion 120. An inflow channel 271 through which the chemical solution flows is formed in the lower portion of the second heater 127 and an SPM chemical solution flows into the nozzle channel 251 through the nozzle channel 251 of the nozzle unit 125, And a plurality of flow holes 272 are formed through the second heater 127 to flow the chemical solution of the inflow channel 271 to the outflow channel 273.

커버부(120)로 제공된 SPM 약액은 가이드 부재(129)와 제2 히터(127) 사이의 공간인 유입 유로(271)를 통해 유입되어 제2 히터(127)의 측면을 타고 유동홀(272)을 통해 제2 히터(127) 상부의 유출 유로(273)로 유동한다. 그리고 유출 유로(273)와 연결된 노즐 유로(251)를 통해 노즐부(125)로 유입된 SPM 약액이 분사홀(252)을 통해 기판(10)에 분사된다. 이 때, SPM 약액은 제2 히터(127)를 통과하는 동안 가열되고, 더불어, 노즐부(125)를 통해 유동되는 동안 히터(123)에 의해 가열되므로 약 150 ~ 180℃ 범위로 가열된다.The SPM chemical solution supplied to the cover part 120 flows through the inflow channel 271 which is a space between the guide member 129 and the second heater 127 and flows into the flow hole 272 through the side surface of the second heater 127, And flows to the outflow channel 273 on the upper side of the second heater 127 through the through hole 273. The SPM chemical liquid flowing into the nozzle unit 125 through the nozzle flow channel 251 connected to the outflow channel 273 is injected onto the substrate 10 through the injection hole 252. At this time, the SPM chemical solution is heated while passing through the second heater 127, and is heated to about 150 to 180 占 폚 because it is heated by the heater 123 while flowing through the nozzle part 125. [

본 발명의 실시예들에 따르면, 기판(10) 상부에 히터(123)가 구비되므로 SPM 약액의 온도를 일정 수준 이상으로 가열하고 일정하게 유지시킬 수 있다. 또한, 노즐부(125)와 기판(10) 사이의 거리가 짧기 때문에, 노즐부(125)에서 분사된 SPM 약액이 공기 중에서 온도가 강하되는 것을 방지하여, 기판(10)에 도달하였을 때 고온을 유지할 수 있어서, 기판(10) 표면의 온도를 일정 수준 이상으로 고온으로 유지시킬 수 있다. 이로 인해, 고농도의 이온 주입된 포토레지스트를 용이하게 제거할 수 있고, 세정 공정의 시간을 단축시키고, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 고온의 SPM 약액을 이용하여 포토레지스트를 제거하므로, 기판(10)의 손상을 방지할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, since the heater 123 is provided on the substrate 10, the temperature of the SPM chemical solution can be heated to a certain level or more and maintained constant. Further, since the distance between the nozzle unit 125 and the substrate 10 is short, the SPM chemical solution injected from the nozzle unit 125 prevents the temperature of the SPM chemical solution from dropping in the air, So that the temperature of the surface of the substrate 10 can be maintained at a high temperature higher than a certain level. As a result, it is possible to easily remove the ion-implanted photoresist at a high concentration, shorten the time of the cleaning process, and improve the productivity. Further, since the photoresist is removed by using the high-temperature SPM chemical solution, the substrate 10 can be prevented from being damaged.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

10: 기판
100: 기판 세정장치
110: 챔버
111: 컵
120: 커버부
121: 프레임
123: 히터
125: 노즐부
251: 노즐 유로
252: 분사홀
127: 제2 히터
271: 유입 유로
272: 유동홀
273: 유출 유로
129: 가이드 부재
130: 스핀척
140: 약액 공급부10: substrate
100: substrate cleaning apparatus
110: chamber
111: cup
120: Cover part
121: frame
123: Heater
125:
251:
252: injection hole
127: second heater
271: Inflow channel
272: flow hole
273: Outflow channel
129: Guide member
130: Spin chuck
140:

Claims (7)

반도체 기판에서 포토레지스트를 제거하기 위한 기판 세정장치에 있어서,
기판을 수용하는 챔버;
상기 챔버 내부에 구비되어 상기 기판을 파지하여 회전하는 스핀척; 및
상기 스핀척에 파지된 상기 기판의 상부를 덮도록 구비되고, 테두리를 통해 유입된 약액이 노즐부로 유동되도록 형성된 커버부;
를 포함하고,
상기 커버부는,
상기 기판의 상부를 덮도록 형성된 프레임;
상기 프레임에서 상기 기판에 대응되는 크기로 구비되고, 상기 기판을 향하는 면에 상기 기판에 약액을 분사하기 위한 다수의 분사홀이 형성된 노즐부; 및
상기 노즐부의 상면에 구비되어서 상기 노즐부를 통해 분사되는 약액을 가열하는 원판형의 히터;
를 포함하는 기판 세정장치.
A substrate cleaning apparatus for removing photoresist from a semiconductor substrate,
A chamber for receiving a substrate;
A spin chuck provided in the chamber for holding and rotating the substrate; And
A cover portion covering the upper portion of the substrate held by the spin chuck, the cover portion being configured to flow the chemical solution flowing through the rim to the nozzle portion;
Lt; / RTI >
The cover portion
A frame formed to cover an upper portion of the substrate;
A nozzle unit having a size corresponding to the substrate in the frame and having a plurality of ejection holes for ejecting a chemical liquid on a surface thereof facing the substrate; And
A disk-shaped heater provided on an upper surface of the nozzle unit to heat the chemical liquid sprayed through the nozzle unit;
And a substrate cleaning apparatus.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 히터는 세라믹 재질로 형성된 기판 세정장치.
The method according to claim 1,
Wherein the heater is made of a ceramic material.
제1항에 있어서,
상기 프레임은 상기 기판 및 상기 스핀척 상부를 덮는 형태를 갖는 기판 세정장치.
The method according to claim 1,
Wherein the frame has a shape covering the substrate and the spin chuck top.
제1항에 있어서,
상기 커버부의 테두리에는 상기 유입되는 약액의 가열을 위한 제2 히터가 더 구비된 기판 세정장치.
The method according to claim 1,
And a second heater for heating the introduced chemical liquid is further provided at an edge of the cover portion.
제5항에 있어서,
상기 제2 히터는,
하부에 상기 약액이 유입되도록 유입 유로가 형성되고,
상부에는 상기 노즐부로 상기 약액을 유입시키는 유출 유로가 형성되고,
상기 제2 히터를 관통하여 상기 유입 유로의 약액을 상기 유출 유로로 유동시키는 다수의 유동홀이 형성된 기판 세정장치.
6. The method of claim 5,
The second heater
An inflow channel is formed so that the chemical liquid flows into the lower portion,
An outflow channel for introducing the chemical solution into the nozzle unit is formed on the upper part,
And a plurality of flow holes passing through the second heater to flow the chemical solution of the inflow path to the outflow path.
제5항에 있어서,
상기 제2 히터의 하부에는 상기 약액의 유동을 안내하는 가이드 부재가 구비된 기판 세정장치.6. The method of claim 5,
And a guide member for guiding the flow of the chemical liquid is provided at a lower portion of the second heater.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013521658A (en) 2010-03-03 2013-06-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Photoresist removal processor and method

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