KR101477598B1 - Deposition apparatus - Google Patents

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KR101477598B1 KR1020140061159A KR20140061159A KR101477598B1 KR 101477598 B1 KR101477598 B1 KR 101477598B1 KR 1020140061159 A KR1020140061159 A KR 1020140061159A KR 20140061159 A KR20140061159 A KR 20140061159A KR 101477598 B1 KR101477598 B1 KR 101477598B1
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노병훈
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주식회사 아르케
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a deposition apparatus includes: a base where a substrate is arranged; an injection unit which includes a source nozzle section which injects a source material toward the substrate and a reactant nozzle section alternately arranged with the source nozzle section, and injects a reactant material toward the substrate; and a driving unit which moves the base in a first direction from one side to the other side of the injection unit, and in a second direction from the other side to one side. When the movement of the base in the first direction is completed, the driving unit drives the base such that the source nozzle section or the reactant nozzle section arranged on the other side of the injection unit faces the substrate. When the movement of the base in the second direction is completed, the driving unit drives the base such that the source nozzle section or the reactant nozzle section arranged on one side of the injection unit faces the substrate.

Description

증착장치{DEPOSITION APPARATUS}[0001] DEPOSITION APPARATUS [0002]

본 발명은 증착장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition apparatus.

최근 디스플레이 장치는 대형화 및 고해상도화되고 있다. 이에 따라 디스플레이 장치를 제조하는데 사용되는 제조장치 역시 대형화되고 있는 추세이다.Recently, display devices have become larger and higher in resolution. Accordingly, a manufacturing apparatus used for manufacturing a display device is also becoming larger.

제조장치의 대형화에 따라 다양한 문제들이 발생하고 있다. 즉, 제조장치의 대형화에 따라 제조장치를 설치할 공간이 증가할 뿐만 아니라 설치 공간의 청정도 등을 유지하기 어려워지고 있다. Various problems have arisen as the manufacturing apparatus has become larger. That is, as the size of the manufacturing apparatus is increased, the space for installing the manufacturing apparatus is increased and it is becoming difficult to maintain the cleanliness of the installation space.

또한 제조장치가 대형화되면 제조장치의 설치나 유지보수 등이 어려워지는 문제점 역시 발생한다. Further, when the manufacturing apparatus becomes large, there arises a problem that the installation and maintenance of the manufacturing apparatus become difficult.

이에 따라 대형 디스플레이 장치를 제조할 수 있으면서 제조장치의 크기를 줄이기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. Accordingly, various studies have been made to reduce the size of a manufacturing apparatus while manufacturing a large display device.

공개특허 10-2012-0018113 (공개일 : 2012.02.29)[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-0018113 (published on February 29, 2012)

본 발명은 챔버의 크기를 줄일 수 있는 증착장치를 제공하기 위한 것이다. The present invention is to provide a deposition apparatus capable of reducing the size of a chamber.

본 출원의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The task of the present application is not limited to the above-mentioned problems, and another task which is not mentioned can be clearly understood by a person skilled in the art from the following description.

본 발명의 일측면에 따르면, 기판이 배치되는 베이스; 소스물질을 상기 기판을 향하여 분사하는 소스 노즐부와, 상기 소스 노즐부와 교대로 배치되어 반응물질을 상기 기판을 향하여 분사하는 리액턴트 노즐부를 포함하는 분사부; 및 상기 베이스를 상기 분사부의 일측에서 타측으로 향하는 제1 방향 그리고 상기 타측에서 상기 일측으로 향하는 제2 방향으로 상기 베이스를 이동시키는 구동부를 포함하는 증착장치가 제공된다. 상기 구동부는, 상기 베이스의 상기 제1 방향 이동이 완료될 때, 상기 분사부의 타측에 배치된 상기 소스 노블부 또는 상기 리액턴트 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동하고, 상기 베이스의 상기 제2 방향 이동이 완료될 때, 상기 분사부의 일측에 배치된 상기 소스 노블부 또는 상기 리액턴트 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a base on which a substrate is disposed; A source nozzle portion for spraying a source material toward the substrate, and a reactant nozzle portion disposed alternately with the source nozzle portion and for spraying a reaction material toward the substrate; And a driving unit for moving the base in a first direction from one side of the ejection unit to the other side and in a second direction from the other side to the one side. Wherein the drive unit drives the base so that the source noble portion or the reactant nozzle portion disposed on the other side of the injection portion faces the substrate when the movement of the base in the first direction is completed, When the two-direction movement is completed, drives the base so that the source noble portion disposed at one side of the ejection portion or the reactant nozzle portion faces the substrate.

상기 소스 노즐부는 하나 이상의 소스 노즐을 포함하고, 상기 리액턴트 노즐부는 하나 이상의 리액턴트 노즐을 포함할 수 있다. The source nozzle portion may include one or more source nozzles, and the reactant nozzle portion may include one or more reactant nozzles.

상기 분사부는 하나의 바디를 포함하며, 상기 바디에 상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부가 형성될 수 있다. The injection unit may include one body, and the source nozzle unit and the reactant nozzle unit may be formed in the body.

상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부는 서로 다른 바디에 형성될 수 있다. The source nozzle portion and the reactant nozzle portion may be formed in different bodies.

상기 리액턴트 노즐부가 상기 분사부의 일측 및 타측 각각에 배치될 수 있다. And the reactant nozzle portion may be disposed at one side and the other side of the jetting portion.

상기 소스 노즐부가 상기 분사부의 일측 및 타측 각각에 배치될 수 있다. And the source nozzle portion may be disposed on one side and the other side of the jetting portion.

상기 기판이 상기 제1 방향으로의 이동이 완료될 때, 상기 기판의 일측은 상기 분사부의 영역과 중첩될 수 있다. When the movement of the substrate in the first direction is completed, one side of the substrate may overlap the area of the ejection portion.

상기 구동부는, 상기 기판이 상기 제1 방향으로 이동할 때 상기 기판 상에 증착된 상기 소스물질의 전체 영역이 상기 기판이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이동할 때 상기 반응물질과 반응하도록 상기 베이스를 구동할 수 있다. 상기 기판의 폭은 상기 분사부의 폭에 비하여 상기 베이스의 이동거리만큼 작을 수 있다. Wherein the driver is configured to cause the entire region of the source material deposited on the substrate to react with the reactant when the substrate moves in the first and second directions when the substrate moves in the first direction, Can be driven. The width of the substrate may be smaller than the width of the ejection portion by the movement distance of the base.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판이 배치되는 베이스; 소스물질과 반응물질의 혼합물을 상기 기판을 향하여 분사하는 복수의 노즐부를 포함하는 분사부; 및 상기 베이스를 상기 분사부의 일측에서 타측으로 향하는 제1 방향 그리고 상기 타측에서 상기 일측으로 향하는 제2 방향으로 상기 베이스를 이동시키는 구동부를 포함하는 증착장치가 제공된다. 상기 구동부는, 상기 베이스의 상기 제1 방향 이동이 완료될 때, 상기 복수의 노즐부들 중 상기 분사부의 타측에 배치된 상기 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동하고, 상기 베이스의 상기 제2 방향 이동이 완료될 때, 상기 복수의 노즐부들 중 상기 분사부의 일측에 배치된 상기 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus comprising: a base on which a substrate is disposed; A jetting portion including a plurality of nozzle portions for jetting a mixture of a source material and a reactive material toward the substrate; And a driving unit for moving the base in a first direction from one side of the ejection unit to the other side and in a second direction from the other side to the one side. The driving unit drives the base so that the nozzle portion disposed on the other side of the jetting portion of the plurality of nozzle portions faces the substrate when the movement of the base in the first direction is completed, When the direction movement is completed, drives the base so that the nozzle portion disposed at one side of the jetting portion of the plurality of nozzle portions faces the substrate.

상기 분사부는 하나의 바디를 포함하며, 상기 바디에 상기 복수의 노즐부가 형성될 수 있다. The injection unit may include one body, and the plurality of nozzle units may be formed on the body.

상기 복수의 노즐부 각각은 서로 다른 바디에 형성될 수 있다. Each of the plurality of nozzle units may be formed in different bodies.

상기 기판이 상기 제1 방향으로의 이동이 완료될 때, 상기 기판의 일측은 상기 분사부의 영역과 중첩될 수 있다. When the movement of the substrate in the first direction is completed, one side of the substrate may overlap the area of the ejection portion.

상기 기판은 서로 인접하는 상기 노즐부들 사이의 거리 이상 움직일 수 있다. The substrate may move over a distance between adjacent nozzle portions.

본 발명의 실시예에 따른 증착장치는 베이스의 제1 방향 이동 및 제2 방향 이동이 완료될 때, 분사부의 타측 및 일측에 배치된 소스 노블부 또는 리액턴트 노즐부가 기판과 마주보도록 베이스가 구동됨으로써 챔버의 크기를 줄일 수 있다. When the base is moved in the first direction and the second direction is completed, the base is driven so that the source noble portion or the reactant nozzle portion disposed on the other side and the one side of the injection portion faces the substrate The size of the chamber can be reduced.

본 출원의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present application are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치에서 분사부에 대한 베이스 및 기판의 이동을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치의 비교예를 나타낸다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치의 분사부의 변형예를 나타낸다.
도 7 내지 도 10은 기판의 이동과 분사부에 따른 박막 형성을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치를 나타낸다.
도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치에서 분사부에 대한 베이스 및 기판의 이동을 나타낸다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 분사부의 변형예를 나타낸다.
도 14 및 도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 베이스 이동을 설명하기 위한 도면이다.1 shows a deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 shows movement of the base and the substrate relative to the jetting section in the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
Fig. 3 shows a comparative example of the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
Figs. 4 to 6 show modifications of the ejection unit of the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention.
Figs. 7 to 10 show the movement of the substrate and the thin film formation according to the jetting portion.
11 shows a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.
12 shows movement of the base and the substrate with respect to the jetting section in the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
13 shows a modified example of the ejection portion of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.
14 and 15 are views for explaining the movement of the base of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the appended drawings illustrate the present invention in order to more easily explain the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. You will know.

또한, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Also, the terms used in the present application are used only to describe certain embodiments and are not intended to limit the present invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치를 나타낸다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치는 베이스(110), 분사부(120) 및 구동부(130)를 포함한다. 베이스(110)와 분사부(120)는 챔버(140)의 내부에 구비될 수 있다. 1 shows a deposition apparatus according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a base 110, a jetting unit 120, and a driving unit 130. The base 110 and the jetting unit 120 may be provided inside the chamber 140.

베이스(110)에는 기판(150)이 배치된다. 이 때 기판(150)은 LCD(Liquid Crystal Display)나 OLED(Organic Light Emitting Diodes)에 사용되는 유리 기판일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. A substrate 150 is disposed on the base 110. In this case, the substrate 150 may be a glass substrate used for an LCD (Liquid Crystal Display) or an OLED (Organic Light Emitting Diodes), but is not limited thereto.

분사부(120)는 소스 노즐부(SN)와 리액턴트 노즐부(RN)를 포함한다. 소스 노즐부(SN)는 소스물질(S)을 기판(150)을 향하여 분사한다. 또한 리액턴트 노즐부(RN)는 소스 노즐부(SN)와 교대로 배치되어 반응물질(R)을 기판(150)을 향하여 분사한다. The jetting section 120 includes a source nozzle section SN and a reactant nozzle section RN. The source nozzle portion SN ejects the source material S toward the substrate 150. [ The reactant nozzle unit RN is arranged alternately with the source nozzle unit SN to inject the reactive material R toward the substrate 150. [

소스물질(S)은 기판(150) 상에 형성하고자하는 박막의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판(150) 상에 Al2O3 층을 형성하기 위하여 소스 노즐부(SN)는 알루미늄 함유 소스물질(S)을 기판(150) 상에 분사할 수 있다. The source material S may vary depending on the type of the thin film to be formed on the substrate 150. [ For example, the source nozzle portion SN may spray an aluminum containing source material S onto the substrate 150 to form an Al 2 O 3 layer on the substrate 150.

기판(150) 상에 형성가능한 박막은 Al2O3 층, HFO2 층, TiN 층일 수 있으나 이에 한정되지 않으며 다양한 절연막 또는 도전막일 수 있다. The thin film that can be formed on the substrate 150 may be an Al 2 O 3 layer, an HFO 2 layer, a TiN layer, but not limited thereto, and may be various insulating films or conductive films.

소스 노즐부(SN)는 소스물질(S)이 이송되는 튜브나 파이프와 같은 소스물질(S) 이송부(미도시)에 연결될 수 있다. 또한 소스물질(S)의 이송에 필요한 압력을 공급하는 분사용 펌프(미도시)가 소스물질(S) 이송부에 설치될 수 있으며, 소스물질(S)의 유량을 제어하기 위한 소스물질용 밸브(미도시)가 소스물질 이송부에 설치될 수 있다. The source nozzle portion SN may be connected to a source material S transporting portion (not shown) such as a tube or a pipe through which the source material S is transported. A dispensing pump (not shown) for supplying a pressure necessary for transferring the source material S may be provided in the transferring part of the source material S and a valve for source material (for controlling the flow rate of the source material S Not shown) may be provided in the source material transfer section.

리액턴트 노즐부(RN)는 소스물질(S)과 반응하는 반응물질(R)을 공급한다. 이 때 반응물질(R)은 플라즈마 상태의 O2, N2, Ar 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The reactant nozzle portion RN supplies a reactive material R that reacts with the source material S. At this time, the reactant (R) may be O 2 , N 2 , Ar in a plasma state, but is not limited thereto.

플라즈마는 다양한 방법에 의하여 생성될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마는 양 전극 사이 또는 코일에 인가되는 직류 전기 또는 교류 전기에 의하여 생성될 수 있다. 플라즈마의 생성 방법은 통상의 기술자에게 일반적인 것이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.Plasma can be generated by various methods. For example, the plasma may be generated by galvanic or alternating current applied between both electrodes or on the coil. Since the method of generating the plasma is common to those of ordinary skill in the art, a detailed description thereof will be omitted.

반응물질(R) 역시 기판(150) 상에 형성하고자 하는 박막에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 기판(150) 상에 Al2O3 층을 형성하기 위하여 리액턴트 노즐부(RN)는 산소가 포함된 플라즈마 상태의 반응물질(R)을 기판(150) 상에 분사할 수 있다.The reactive material R may also vary depending on the thin film to be formed on the substrate 150. For example, in order to form the Al 2 O 3 layer on the substrate 150, the reactant nozzle portion RN may spray the reactive material R in the plasma state containing oxygen onto the substrate 150 .

도 1 및 도 2에서는 분사부(120)의 일측(A1) 및 타측(A2)에 리액턴트 노즐부(RN)가 배치되나 이와 다르게 분사부(120)의 일측(A1) 및 타측(A2)에 소스 노즐부(SN)가 배치될 수도 있다. 1 and 2, the reactant nozzle unit RN is disposed on one side A1 and the other side A2 of the jetting unit 120, but on the other hand, one side A1 and the other side A2 of the jetting unit 120 A source nozzle portion SN may be disposed.

도면에는 도시되어 있지 않으나 분사부(120)는 소스물질(S)을 챔버(140) 외부로 방출시키는 배기부를 포함할 수 있다. 이를 위하여 배기부는 소스물질(S)을 챔버(140) 외부로 이송시키는데 필요한 압력을 제공하는 배기용 펌프(미도시)와 튜브와 파이프를 통하여 연결될 수 있다. Although not shown in the drawings, the jetting unit 120 may include an exhaust unit for discharging the source material S to the outside of the chamber 140. To this end, the exhaust can be connected to a tube via an exhaust pump (not shown) which provides the pressure necessary to transfer the source material S out of the chamber 140.

역시 도면에는 도시되어 있지 않으나 퍼지(purge) 공정을 위한 퍼지 분사부(120)가 교대로 배치되는 소스 노즐부(SN)와 리액턴트 노즐부(RN) 사이에 배치될 수 있다. 퍼지 공정은 퍼지 물질을 챔버(140) 내로 분사함으로써 이루어질 수 있으며, 퍼지 물질은 아르곤이나 질소와 같은 불활성 물질로 이루어질 수 있다. The purge injection part 120 for the purge process may be disposed between the source nozzle part SN and the reactant nozzle part RN alternately arranged. The purge process may be performed by injecting the purge material into the chamber 140, and the purge material may be made of an inert material such as argon or nitrogen.

한편, 구동부(130)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스(110)를 분사부(120)의 일측(A1)에서 분사부(120)의 타측(A2)으로 향하는 제1 방향으로 이동시키고, 분사부(120)의 타측(A2)에서 분사부(120)의 일측(A1)으로 향하는 제2 방향으로 상기 베이스(110)를 이동시킨다. 2, the driving unit 130 moves the base 110 in a first direction from one side A1 of the jetting unit 120 to the other side A2 of the jetting unit 120 And moves the base 110 in the second direction from the other side A2 of the jetting unit 120 to one side A1 of the jetting unit 120. [

이 때 구동부(130)는, 베이스(110)의 제1 방향 이동이 완료될 때, 분사부(120)의 타측(A2)에 배치된 소스 노즐부(SN) 또는 리액턴트 노즐부(RN)가 기판(150)과 마주보도록 베이스(110)를 구동한다. At this time, when the movement of the base 110 in the first direction is completed, the driving unit 130 moves the source nozzle unit SN or the ratchet nozzle unit RN disposed on the other side A2 of the jetting unit 120 The base 110 is driven so as to face the substrate 150.

또한 구동부(130)는, 베이스(110)의 제2 방향 이동이 완료될 때, 분사부(120)의 일측(A1)에 배치된 소스 노즐부(SN) 또는 상기 리액턴트 노즐부(RN)가 기판(150)과 마주보도록 상기 베이스(110)를 구동한다. The driving unit 130 further includes a source nozzle unit SN or the reactant nozzle unit RN disposed at one side A1 of the jetting unit 120 when the base 110 is moved in the second direction And drives the base 110 to face the substrate 150.

도 3은 본 발명의 실싱례에 따른 증착장치의 비교예를 나타낸다. 도 3의 증착장치는 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치와 다르게 제1 방향 및 제2 방향으로의 베이스(110) 이동이 완료되었을 때, 기판(150)이 분사부(120)의 일측(A1) 및 타측(A2)에 위치한 리액턴트 노즐부(RN)가 기판(150)을 마주보지 않는다. 3 shows a comparative example of a deposition apparatus according to the present invention. The deposition apparatus of FIG. 3 differs from the deposition apparatus of the first embodiment in that when the movement of the base 110 in the first direction and the second direction is completed, The reactant nozzle unit RN located on the other side A2 does not face the substrate 150.

이에 따라 도 3의 기판(150)의 이동 거리가 도 1 및 도 2에 도시된 기판(150)의 이동 거리보다 큼을 알 수 있다. 도 3의 비교예에 따른 증착장치와 같이 기판(150)의 이동 거리가 증가할 경우 증착 장치의 부피가 커질 수 있다. Accordingly, it can be seen that the moving distance of the substrate 150 shown in FIG. 3 is greater than the moving distance of the substrate 150 shown in FIGS. As the moving distance of the substrate 150 increases as in the vapor deposition apparatus according to the comparative example of FIG. 3, the volume of the vapor deposition apparatus can be increased.

예를 들어, 디스플레이 장치가 대형화되어 수십 인치의 크기를 가짐에 따라 기판(150)의 크기 역시 대형화되고 있다. 기판(150)의 크기가 2 m × 2 m 인 경우 비교예의 증착장치는 베이스(110)의 이동 거리 증가에 따라 2 m × 10 m의 공간을 확보해야 한다. For example, as the size of the display device is increased to have a size of several tens of inches, the size of the substrate 150 is also becoming larger. When the size of the substrate 150 is 2 m × 2 m, the deposition apparatus of the comparative example needs to secure a space of 2 m × 10 m according to the increase of the movement distance of the base 110.

반면에 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치는 베이스(110)의 이동 거리가 비교예에 비하여 작기 때문에 베이스(110)의 이동 거리를 고려하여 최소 2 m × 3 m의 공간을 지닐 수 있다. On the other hand, since the movement distance of the base 110 is smaller than that of the comparative example, the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention can have a space of at least 2 m x 3 m considering the movement distance of the base 110 .

따라서 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치는 비교예의 증착장치에 비하여 훨씬 작은 크기를 지닐 수 있다. 증착장치의 크기 감소는 증착 장치의 설치, 유지관리 및 보수 등을 보다 용이하게 할 수 있다. Therefore, the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention can have a much smaller size than the deposition apparatus of the comparative example. The reduction in the size of the deposition apparatus can facilitate the installation, maintenance and repair of the deposition apparatus.

아울러 베이스(110)의 이동 거리가 짧아짐에 따라 베이스(110)의 동작에 따른 파티클(particle)의 발생 확률이 감소하고, 이에 따라 챔버(140) 내부의 오염이 감소할 수 있다. In addition, as the moving distance of the base 110 is shortened, the probability of generation of particles due to the operation of the base 110 is reduced, so that the contamination inside the chamber 140 can be reduced.

한편, 구동부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 구동력을 생성하는 모터(M)와, 모터(M)와 연결되어 구동력을 전달하는 구동력 전달부(DFT)를 포함할 수 있다. 이 때 모터(M)는 챔버(140)의 외부에 구비되고, 구동력 전달부(DFT)는 챔버(140)의 내부에 구비될 수 있다. 1, the driving unit 130 may include a motor M for generating driving force and a driving force transmitting unit (DFT) connected to the motor M for transmitting the driving force. At this time, the motor M may be provided outside the chamber 140, and the driving force transmitting portion DFT may be provided inside the chamber 140.

구동력 전달부(DFT)는 볼스크류(ball-screw) 방식일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니며 와이어 방식이나 마그넷 방식과 같이 다양한 방식으로 구동력을 전달할 수 있다.The driving force transmitting portion (DFT) may be a ball-screw type, but the present invention is not limited thereto, and the driving force can be transmitted in various ways such as a wire type or a magnet type.

한편, 소스 노즐부(SN)는 하나 이상의 소스 노즐을 포함하고, 리액턴트 노즐부(RN)는 하나 이상의 리액턴트 노즐을 포함할 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2에서는 하나의 소스 노즐부(SN) 및 하나의 리액턴트 노즐부(RN) 당 하나의 소스 노즐과 하나의 리액턴트 노즐이 형성되나, 이와 다르게 도 4에 도시된 바와 같이, 하나의 소스 노즐부(SN) 및 하나의 리액턴트 노즐부(RN) 당 하나의 소스 노즐과 하나의 리액턴트 노즐이 형성될 수 있다. On the other hand, the source nozzle portion SN may include one or more source nozzles, and the reactant nozzle portion RN may include one or more reactant nozzles. That is, in FIG. 1 and FIG. 2, one source nozzle and one reactance nozzle are formed per one source nozzle portion SN and one reactant nozzle portion RN, but alternatively, as shown in FIG. 4 One source nozzle portion SN and one source nozzle and one reactance nozzle may be formed per one reactant nozzle portion RN.

또한, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 소스 노즐부(SN)와 리액턴트 노즐부(RN)는 서로 다른 바디에 형성가능하고, 서로 다른 바디가 접착제나 용접 등에 의하여 연결됨으로써 분사부(120)가 형성될 수 있다. 1 and 2, the source nozzle portion SN and the reactant nozzle portion RN can be formed in different bodies, and different bodies are connected to each other by an adhesive, welding, or the like, 120 may be formed.

이와 다르게 도 5에 도시된 바와 같이, 분사부(120)는 하나의 바디를 포함하여 하나의 바디에 소스 노즐부(SN)와 리액턴트 노즐부(RN)가 형성될 수도 있다. Alternatively, as shown in FIG. 5, the jetting unit 120 may include a body, and a source nozzle unit SN and a reactant nozzle unit RN may be formed in one body.

다음으로 도 7 및 도 10을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 증착장치의 분사부(120)를 설명한다. 설명의 편의를 위하여 도 7 내지 도 10의 리액턴트 노즐부의 도면번호는 RN 대신에 RN1, RN2로 사용하고, 소스 노즐부의 도면 번호는 SN 대신에 SN1, SN2로 사용된다. Next, the jetting unit 120 of the deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 10. FIG. 7 to 10 are used as RN1 and RN2 instead of RN, and reference numerals of the source nozzle portion are used as SN1 and SN2 instead of SN.

도 7 및 도 10의 분사부(120)는 두 개의 리액턴트 노즐부(RN1, RN2)와 하나의 소스 노즐부(SN1)를 포함하나 이는 설명의 편의를 위한 것으로 이에 한정되는 것은 아니다. 도 7 및 도 10에 도시된 바와 같이, 리액턴트 노즐부(RN1, RN2)가 분사부(120)의 일측(A1) 및 타측(A2) 각각에 배치될 수 있다. 소스 노즐부(SN1)은 리액턴트 노즐부(RN1, RN2)와 교대로 배치되므로 리액턴트 노즐부들(RN1, RN2) 사이에 배치될 수 있다. The jetting unit 120 of FIGS. 7 and 10 includes two reactant nozzle units RN1 and RN2 and one source nozzle unit SN1, however, the present invention is not limited thereto. 7 and 10, the ratchet nozzle units RN1 and RN2 may be disposed on one side A1 and the other side A2 of the jetting unit 120, respectively. The source nozzle portion SN1 is disposed alternately with the reactant nozzle portions RN1 and RN2 and can be disposed between the reactant nozzle portions RN1 and RN2.

박막은 기판(150)에 소스물질(S)이 흡착된 후 반응물질(R)과의 반응에 의하여 형성된다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 2개의 리액턴트 노즐부(RN)와 1개의 소스 노즐부(SN)가 교대로 배치되고, 분사부(120)의 양측에 리액턴트 노즐부(RN)가 배치될 경우, 베이스(110)의 왕복 운동에 따라 기판(150)에 흡착된 소스물질(S)이 반응물질(R)과 반응하여 기판(150) 상에 박막이 형성된다.The thin film is formed by reaction with the reactive material (R) after the source material (S) is adsorbed on the substrate (150). For example, as shown in FIG. 7, two reactant nozzle units RN and one source nozzle unit SN are alternately arranged, and a rectan- taneous nozzle unit RN The source material S adsorbed to the substrate 150 reacts with the reactive material R to form a thin film on the substrate 150 in accordance with the reciprocating motion of the base 110.

이 때 3 STEP에서 박막의 성장이 완료될 경우, 구동부(130)는 베이스(110)를 리액턴트 노즐(RN1)으로 이동시킴으로써 3 STEP에서 박막으로 변환되지 않은 소스물질(S)이 박막으로 변환될 수 있다. 이 때 소스 노즐(SN1)은 소스 물질의 공급을 중지할 수 있다. In this case, when the growth of the thin film is completed at 3 STEP, the driving unit 130 moves the base 110 to the reactant nozzle RN1 so that the source material S which has not been converted into the thin film at 3 STEP is converted into the thin film . At this time, the source nozzle SN1 can stop supplying the source material.

도 7에 도시된 분사부(120)의 리액턴트 노즐부(RN1, RN2)와 소스 노즐부(SN1, SN2)의 배치가 역전, 즉, 소스 노즐부(SN1, SN2)가 분사부(120)의 일측(A1) 및 타측(A2) 각각에 배치될 경우, 베이스(110)의 왕복 운동에 따라 기판(150)에 흡착된 소스물질(S)이 반응물질(R)과 반응하여 기판(150) 상에 박막이 형성된다.The arrangement of the source nozzle portions SN1 and SN2 of the repellent nozzle portions RN1 and RN2 and the source nozzle portions SN1 and SN2 of the jetting portion 120 shown in Fig. The source material S adsorbed to the substrate 150 is reacted with the reactive material R to form the substrate 150 in response to the reciprocating motion of the base 110. In this case, A thin film is formed.

반면에 도 8에 도시된 바와 같이, 2개의 리액턴트 노즐부(RN1, RN2)와 2개의 소스 노즐부(SN1, SN2)가 교대로 배치되고, 분사부(120)의 양측에 각각 리액턴트 노즐부(RN1)와 소스 노즐부(SN2)가 배치될 경우, 도 7의 이동 거리만큼 베이스(110)가 왕복 운동함에 따라 기판(150)에 흡착된 소스물질(S)이 반응물질(R)과 반응하여 기판(150) 상에 박막이 형성되나 기판(150)의 일부 영역에는 박막이 형성되지 않고 소스물질만이 증착되는 영역이 있을 수 있다. 이에 따라 원하는 영역의 박막이 형성되지 않을 수 있다. 8, two reactant nozzle units RN1 and RN2 and two source nozzle units SN1 and SN2 are alternately arranged and the reactant nozzles RN1 and RN2 are alternately arranged on both sides of the jetting unit 120, The source material S adsorbed to the substrate 150 may react with the reactive material R and the source material S may be adsorbed to the substrate 150 as the base 110 reciprocates by the moving distance of FIG. There may be a region where a thin film is formed on the substrate 150 by reaction but a thin film is not formed on a part of the substrate 150 but only a source material is deposited. Accordingly, a thin film in a desired region may not be formed.

한편, 도 7 및 도 10에 도시된 바와 같이, 구동부(130)가 베이스(110)를 제1 방향으로 구동함에 따라 기판(130) 상에 소스물질(S)이 증착된다. 7 and 10, a source material S is deposited on the substrate 130 as the driving unit 130 drives the base 110 in the first direction.

이와 같이 증착된 소스물질(S)의 전체 영역은 구동부(130)의 베이스(110) 구동에 따라 기판(150)이 제1 방향 및 제2 방향으로 이동할 때 반응물질(R)과 반응하여 박막으로 변환된다. The entire region of the source material S thus deposited reacts with the reactive material R when the substrate 150 moves in the first direction and the second direction in accordance with the driving of the base 110 of the driving unit 130, .

이 때 기판(130) 상에 증착된 소스물질(S)이란 기판(130) 표면에 증착된 소스물질(S)이거나 기판(130)에 형성된 박막 상에 증착된 소스물질(S)일 수 있다.The source material S deposited on the substrate 130 may be a source material S deposited on the surface of the substrate 130 or a source material S deposited on the thin film formed on the substrate 130.

반면에 베이스(110)의 이동 거리가 충분하지 않을 경우, 즉, 도 9와 같이, 베이스(110)가 제1 방향으로 이동하여 기판(130) 상에 소스물질(S)이 증착될 때, 기판(130)의 이동거리가 충분하지 않아 기판(150)이 제1 방향 및 제2 방향으로 이동하더라도 소스물질(S)의 전체 영역 중 일부가 반응물질(R)과 반응하지 않으면 박막의 품질이 떨어질 수 있다. On the other hand, when the movement distance of the base 110 is not sufficient, that is, as shown in FIG. 9, when the base 110 moves in the first direction and the source material S is deposited on the substrate 130, Even if the substrate 150 moves in the first direction and the second direction because the moving distance of the substrate 130 is not sufficient, the quality of the thin film deteriorates if a part of the entire region of the source material S does not react with the reactive material R .

한편, 도 7에 도시된 바와 같이, 기판의 폭이 분사부의 폭보다 같거나 클 경우, 기판(150) 일부 영역에 박막이 형성되지 않는 영역이 있을 수 있다. 7, when the width of the substrate is equal to or greater than the width of the ejection portion, there may be a region where a thin film is not formed in a part of the substrate 150. [

도 10에 도시된 바와 같이, 기판(150)의 폭이 분사부의 폭에 비하여 베이스(110)의 이동거리만큼 작을 경우 기판(150) 전체에 박막을 형성할 수 있다. 10, a thin film may be formed on the entire substrate 150 when the width of the substrate 150 is smaller than the width of the ejection portion by the movement distance of the base 110. [

이상에서 도 2, 도 4 내지 도 7, 및 도 10을 참조하여 설명된 바와 같이, 기판(150)이 제1 방향으로 이동이 완료될 때, 기판(150)의 일측은 분사부(120)의 영역과 중첩될 수 있다.As described above with reference to FIG. 2, FIG. 4 to FIG. 7, and FIG. 10, when the substrate 150 is completely moved in the first direction, Area. ≪ / RTI >

다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치를 설명한다.Next, a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치를 나타내고, 도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치에서 분사부(120)에 대한 베이스(110) 및 기판(150)의 이동을 나타낸다. FIG. 11 shows a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention. FIG. 12 shows the movement of the base 110 and the substrate 150 with respect to the jetting unit 120 in the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention. .

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치는 베이스(110), 분사부(125), 및 구동부(135)를 포함한다. 11, the vapor deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention includes a base 110, a jetting section 125, and a driving section 135. As shown in Fig.

베이스(110)에는 기판(150)이 배치된다. A substrate 150 is disposed on the base 110.

분사부(125)는 소스물질(S)과 반응물질(R)의 혼합물을 기판(150)을 향하여 분사하는 복수의 노즐부(N)를 포함한다. 제1 실시예에서는 소스물질(S)과 반응물질(R)이 별도의 소스 노즐부(SN)와 리액턴트 노즐부(RN)로부터 분사되나 제2 실시예의 노즐부(N)는 소스물질(S)과 반응물질(R)의 혼합물을 분사하여 기판(150)에 박막이 형성된다. The ejection portion 125 includes a plurality of nozzle portions N for ejecting a mixture of the source material S and the reactive material R toward the substrate 150. [ In the first embodiment, the source material S and the reactive material R are injected from the separate source nozzle portion SN and the reactant nozzle portion RN, but the nozzle portion N of the second embodiment diffuses the source material S ) And the reactive material (R) is sprayed to form a thin film on the substrate (150).

구동부(135)는 베이스(110)를 분사부(125)의 일측(a1)에서 분사부(125)의 타측(a2)으로 향하는 제1 방향 그리고 분사부(125)의 타측(a2)에서 분사부(125)의 일측(a1)으로 향하는 제2 방향으로 베이스(110)를 이동시킨다.The driving unit 135 drives the base 110 in a first direction from one side a1 of the jetting unit 125 to the other side a2 of the jetting unit 125 and at a second side a2 of the jetting unit 125, And moves the base 110 in a second direction toward one side a1 of the first side 125.

이 때 구동부(135)는, 베이스(110)의 제1 방향 이동이 완료될 때, 복수의 노즐부(N)들 중 분사부(125)의 타측(a2)에 배치된 노즐부(N)가 기판(150)과 마주보도록 베이스(110)를 구동한다. 또한 구동부(135)는, 베이스(110)의 제2 방향 이동이 완료될 때, 복수의 노즐부(N)들 중 분사부(125)의 일측(a1)에 배치된 노즐부(N)가 기판(150)과 마주보도록 베이스(110)를 구동한다. At this time, when the movement of the base 110 in the first direction is completed, the nozzle unit N disposed on the other side a2 of the jetting unit 125 among the plurality of nozzle units N The base 110 is driven so as to face the substrate 150. The nozzle unit N disposed on one side a1 of the jetting unit 125 among the plurality of nozzle units N is positioned on the side of the substrate 110 in the first direction a1, And drives the base 110 so as to face the main body 150.

이에 따라 앞서 제1 실시예를 통하여 설명된 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치 역시 베이스(110)의 이동 거리가 짧아져 크기가 작은 증착 장치의 구현이 가능하고 챔버(140) 내의 파티클 발생을 줄일 수 있다. Accordingly, as described above with reference to the first embodiment, the evaporation apparatus according to the second embodiment of the present invention is also capable of realizing a vapor deposition apparatus having a small size because the moving distance of the base 110 is short, Particle generation can be reduced.

이와 같이 베이스(110)가 움직이므로 기판(150)이 제1 방향으로의 이동이 완료될 때, 기판(150)의 일측은 분사부(125)의 영역과 중첩될 수 있다.Since the base 110 moves in this manner, when the substrate 150 is completely moved in the first direction, one side of the substrate 150 may overlap with the region of the jetting unit 125.

도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 복수의 노즐부(N) 각각은 서로 다른 바디에 형성되나, 도 13에 도시된 바와 같이, 분사부(125)가 하나의 바디를 포함하며, 상기 바디에 복수의 노즐부(N)가 형성될 수 있다. 11 and 12, each of the plurality of nozzle units N is formed on different bodies. However, as shown in FIG. 13, the jetting unit 125 includes one body, A plurality of nozzle units N may be formed.

다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 베이스 이동에 대해 설명한다. Next, the movement of the base of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 14 및 도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 베이스 이동을 설명하기 위한 도면이다. 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치와 다르게 베이스(110)의 이동이 없는 경우를 나타낸다. 도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 베이스(110) 이동을 나타낸다.14 and 15 are views for explaining the movement of the base of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention. 14 shows a case where the base 110 does not move unlike the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention. Fig. 15 shows movement of the base 110 of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 14에 도시된 바와 같이, 베이스(110)의 이동이 없는 경우 서로 인접하는 노즐부(N)들과 대향하는 기판(150) 영역 상에 박막이 형성된다. 앞서 설명된 바와 같이, 노즐부(N)는 소스물질(S)과 반응물질(R)이 섞여 분사되므로 제1 실시예와 다르게 기판(150) 상에 박막이 바로 형성될 수 있다. 14, a thin film is formed on the region of the substrate 150 opposite to the adjacent nozzle units N when the base 110 is not moved. As described above, since the source material S and the reactive material R are mixed and injected in the nozzle unit N, the thin film can be directly formed on the substrate 150 differently from the first embodiment.

이 때 인접하는 노즐부(N)들은 거리(L)만큼 떨어져 있으므로 박막이 형성되지 않는 기판 영역(SA)이 존재할 수 있다. At this time, adjacent nozzle portions N are spaced apart by a distance L, so that a substrate region SA in which a thin film is not formed may exist.

이와 같이 박막이 형성되지 않은 기판 영역(SA)을 없애기 위하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착장치의 베이스(110)는 노즐부(N)들 사이의 거리(L) 이상 움직일 수 있다. 이에 따라 기판(150)은 서로 인접하는 노즐부(N)들 사이의 거리(L) 이상 움직이게 되어 박막이 형성되지 않는 기판 영역(SA)이 없어지게 된다. The base 110 of the deposition apparatus according to the second embodiment of the present invention can move over a distance L between the nozzle units N in order to eliminate the substrate area SA on which no thin film is formed. Accordingly, the substrate 150 moves more than the distance L between adjacent nozzle units N, and the substrate area SA where no thin film is formed is eliminated.

이상과 같이 본 발명에 따른 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. . Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.

베이스(110) 분사부(120)
일측(A1) 타측(A2)
분사부(125) 일측(a1)
타측(a2) 구동부(130)
구동부(135) 모터(M)
구동력 전달부(DFT) 챔버(140)
기판(150) 소스 노즐부(SN)
리액턴트 노즐부(RN) 소스물질(S)
반응물질(R) 노즐부(N)In the base 110,
One side (A1) and the other side (A2)
On one side a1 of the jetting section 125,
The other side (a2)
The driving unit 135, the motor M,
The driving force transmitting portion (DFT)
The substrate 150 has a source nozzle portion SN,
The reactant nozzle portion (RN) source material (S)
The reaction material (R) nozzle portion (N)

Claims (14)

기판이 배치되는 베이스;
소스물질을 상기 기판을 향하여 분사하는 소스 노즐부와, 상기 소스 노즐부와 교대로 배치되어 반응물질을 상기 기판을 향하여 분사하는 리액턴트 노즐부를 포함하는 분사부; 및
상기 베이스를 상기 분사부의 일측에서 타측으로 향하는 제1 방향 그리고 상기 타측에서 상기 일측으로 향하는 제2 방향으로 상기 베이스를 이동시키는 구동부를 포함하고,
상기 구동부는,
상기 베이스의 상기 제1 방향 이동이 완료될 때, 상기 분사부의 타측에 배치된 상기 소스 노즐부 또는 상기 리액턴트 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동하고,
상기 베이스의 상기 제2 방향 이동이 완료될 때, 상기 분사부의 일측에 배치된 상기 소스 노즐부 또는 상기 리액턴트 노즐부가 상기 기판과 마주보도록 상기 베이스를 구동하며,
상기 구동부가 상기 베이스를 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이동시키는 동안 상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부는 상기 소스 물질과 상기 반응 물질을 분사하고,
상기 구동부는, 상기 기판이 상기 제1 방향으로 이동할 때 상기 기판 상에 증착된 상기 소스물질의 전체 영역이 상기 기판이 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 이동할 때 상기 반응물질과 반응하도록 상기 베이스를 구동하고,
상기 기판의 폭은 상기 분사부의 폭에 비하여 상기 베이스의 이동거리만큼 작으며,
상기 기판의 일측은 서로 인접한 상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부 사이를 왕복 이동하는 증착장치.
A base on which the substrate is disposed;
A source nozzle portion for spraying a source material toward the substrate, and a reactant nozzle portion disposed alternately with the source nozzle portion and for spraying a reaction material toward the substrate; And
And a driving unit for moving the base in a first direction from one side of the jetting unit to the other side and in a second direction from the other side toward the one side,
The driving unit includes:
Driving the base so that the source nozzle portion or the reactant nozzle portion disposed on the other side of the ejection portion faces the substrate when the movement of the base in the first direction is completed,
Driving the base so that the source nozzle portion or the reactant nozzle portion disposed on one side of the ejection portion faces the substrate when the movement of the base in the second direction is completed,
Wherein the source nozzle portion and the reactant nozzle portion inject the reactant and the source material while the driving portion moves the base in the first direction and the second direction,
Wherein the driver is configured to cause the entire region of the source material deposited on the substrate to react with the reactant when the substrate moves in the first and second directions when the substrate moves in the first direction, Lt; / RTI >
Wherein a width of the substrate is smaller than a width of the ejection portion by a movement distance of the base,
Wherein one side of the substrate reciprocates between the source nozzle portion and the reactant nozzle portion which are adjacent to each other.
제1항에 있어서,
상기 소스 노즐부는 하나 이상의 소스 노즐을 포함하고, 상기 리액턴트 노즐부는 하나 이상의 리액턴트 노즐을 포함하는 증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the source nozzle portion comprises at least one source nozzle and the reactant nozzle portion comprises at least one reactant nozzle.
제1항에 있어서,
상기 분사부는 하나의 바디를 포함하며, 상기 바디에 상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부가 형성된 증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the injection unit includes one body, and the source nozzle unit and the reactant nozzle unit are formed in the body.
제1항에 있어서,
상기 소스 노즐부와 상기 리액턴트 노즐부는 서로 다른 바디에 형성되는 증착장치.
The method according to claim 1,
Wherein the source nozzle portion and the reactant nozzle portion are formed in different bodies.
제1항에 있어서,
상기 리액턴트 노즐부가 상기 분사부의 일측 및 타측 각각에 배치되는 증착장치.

The method according to claim 1,
Wherein the reactant nozzle portion is disposed on one side and the other side of the jetting portion.

제1항에 있어서,
상기 소스 노즐부가 상기 분사부의 일측 및 타측 각각에 배치되는 증착장치. The method according to claim 1,
Wherein the source nozzle portion is disposed on one side and the other side of the ejection portion. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 기판이 상기 제1 방향으로의 이동이 완료될 때, 상기 기판의 일측은 상기 분사부의 영역과 중첩되는 증착장치.
7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein one side of the substrate overlaps with a region of the ejection portion when the substrate is moved in the first direction.
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