KR101610783B1 - Apparatus for dealing flexible substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치는 감겨진 플렉서블 기판이 풀리는 제1 부재; 상기 제1 부재로부터 풀려진 상기 플렉서블 기판이 감기는 제2 부재; 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 접촉 영역을 가지며 상기 플렉서블 기판을 지지하는 지지 롤러; 상기 플렉서블 기판을 기준으로 상기 지지 롤러 맞은 편에 위치하고, 막 형성 물질을 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역 상의 상기 플렉서블 기판에 분사하는 노즐부; 및 상기 노즐부의 양측에 상기 플렉서블 기판을 향하여 상기 노즐부로부터 돌출된 배리어부를 포함한다. An apparatus for processing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention includes: a first member in which a wound flexible substrate is unwound; A second member on which the flexible substrate unwound from the first member is wound; A supporting roller having a contact area in contact with the flexible substrate and supporting the flexible substrate; A nozzle unit located on the opposite side of the support roller with respect to the flexible substrate and ejecting the film forming material onto the flexible substrate on at least a part of the contact region; And barrier portions protruding from the nozzle portion toward both sides of the nozzle portion toward the flexible substrate.
Description
본 발명은 플렉서블 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a flexible substrate processing apparatus.
최근 플렉서블 기판을 이용한 다양한 전자 장치가 상용화되고 있다. 스마트 폰이나 웨어러블(wearable) 기기와 같은 통신 기기나 TV와 같이 이미지를 표시하는 전자 장치는 디자인적인 요소나 착용의 편리함 그리고 생생산 이미지 표현 등을 위하여 플렉서블 기판을 채용하고 있다.Recently, various electronic devices using flexible substrates have been commercialized. Communication devices such as smart phones and wearable devices, and electronic devices for displaying images such as TVs, use flexible substrates for design elements, convenience of wearing, and expression of raw images.
플렉서블 기판을 이용하여 전자 장치를 생산함에 있어 다양한 기술적 어려움이 발생할 수 있다. 이와 같은 기술적 어려움 중 하나는 원하는 두께의 적층막을 균일하게 생성하거나 적층막의 질을 높이는 것이다. Various technical difficulties may occur in producing an electronic device using a flexible substrate. One of such technical difficulties is to uniformly produce a laminated film having a desired thickness or to improve the quality of the laminated film.
전자 장치의 이미지 표시 영역이 대면적화 됨에 따라 대면적의 플렉서블 기판에 균일한 두께의 적층막이나 품질이 우수한 적층막이 형성되어야 하나, 이미지 표시 영역이 대면적화될수록 적층막을 형성하는 과정에서 플렉서블 기판의 처짐이나 적층막의 오염에 따라 균일한 두께의 적층막을 형성하거나 고품질의 적층막을 형성하기 어렵다.As the image display area of the electronic device becomes larger, a laminated film having a uniform thickness or a high quality is formed on a flexible substrate having a large area. However, as the image display area becomes larger, the deflection of the flexible substrate It is difficult to form a laminated film of uniform thickness or to form a laminated film of high quality in accordance with the contamination of the laminated film.
따라서 플렉서블 기판 상에 균일한 두께의 적층막을 형성하고 고품질질의 적층막을 형성하기 위한 연구가 진행되고 있다. Therefore, research for forming a laminated film of uniform thickness on a flexible substrate and for forming a laminated film of high quality quality is underway.
본 발명의 플렉서블 기판의 처리 장치는 플렉서블 기판 상에 균일한 두께의 박막을 형성하고 고품질의 적층막을 형성하기 위한 것이다.The processing apparatus of the flexible substrate of the present invention is for forming a thin film of uniform thickness on a flexible substrate and forming a high quality laminated film.
본 출원의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The task of the present application is not limited to the above-mentioned problems, and another task which is not mentioned can be clearly understood by a person skilled in the art from the following description.
본 발명의 일측면에 따르면, 감겨진 플렉서블 기판이 풀리는 제1 부재; 상기 제1 부재로부터 풀려진 상기 플렉서블 기판이 감기는 제2 부재; 상기 플렉서블 기판과 접촉하는 접촉 영역을 가지며 상기 플렉서블 기판을 지지하는 지지 롤러; 상기 플렉서블 기판을 기준으로 상기 지지 롤러 맞은 편에 위치하고, 막 형성 물질을 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역 상의 상기 플렉서블 기판에 분사하는 노즐부; 및 상기 노즐부의 양측에 상기 플렉서블 기판을 향하여 상기 노즐부로부터 돌출된 배리어부를 포함하는 플렉서블 기판의 처리 장치가 제공된다. According to an aspect of the present invention, there is provided a flexible printed circuit board comprising: a first member in which a wound flexible substrate is unwound; A second member on which the flexible substrate unwound from the first member is wound; A supporting roller having a contact area in contact with the flexible substrate and supporting the flexible substrate; A nozzle unit located on the opposite side of the support roller with respect to the flexible substrate and ejecting the film forming material onto the flexible substrate on at least a part of the contact region; And a barrier portion protruding from the nozzle portion toward both sides of the nozzle portion toward the flexible substrate.
상기 배리어부의 끝단과 상기 지지 롤러 사이의 최단 거리는 상기 노즐부와 상기 지지 롤러 사이의 최단 거리보다 작을 수 있다.The shortest distance between the end of the barrier part and the support roller may be smaller than the shortest distance between the nozzle part and the support roller.
상기 노즐부는 소스 물질을 분사하는 소스 노즐과 반응 물질을 분사하는 리액턴트 노즐을 포함할 수 있다. The nozzle portion may include a source nozzle for spraying a source material and a reactant nozzle for spraying a reactive material.
본 발명의 일측면에 다른 플렉서블 기판의 처리 장치는 상기 소스 노즐과 상기 리액턴트 노즐 사이에 상기 지지 롤러를 향하여 상기 노즐부로부터 돌출된 보조 배리어부를 더 포함할 수 있다. Another flexible substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention may further include an auxiliary barrier portion protruding from the nozzle portion toward the support roller between the source nozzle and the reactant nozzle.
상기 노즐부는 소스 물질과 반응 물질의 혼합 물질을 분사할 수 있다.The nozzle unit may inject a mixed material of a source material and a reactive material.
상기 노즐부는 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역과 같은 곡률을 지닐 수 있다. The nozzle portion may have the same curvature as at least a part of the contact region.
상기 노즐부는 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역과 일정한 간격을 유지할 수 있다. The nozzle unit may maintain a predetermined gap with at least a part of the contact area.
상기 지지 롤러 내부에 히터가 배치될 수 있다. A heater may be disposed inside the support roller.
상기 지지 롤러의 내측면과 상기 히터 사이에는 갭이 있을 수 있다. There may be a gap between the inner surface of the support roller and the heater.
본 발명의 플렉서블 기판의 처리 장치는 지지 롤러와 접촉하는 플렉서블 기판 상에 노즐부가 소스 물질이나 반응 물질을 분사함으로써 균일한 두께의 적층막을 형성할 수 있다. The apparatus for processing a flexible substrate of the present invention can form a laminated film of uniform thickness by spraying a source material or a reactive material on a flexible substrate in contact with a supporting roller.
본 발명의 플렉서블 기판의 처리 장치는 노즐부로부터 돌출된 배리어부를 포함하여 오염을 방지함으로써 적층막의 품질을 높일 수 있다. The processing apparatus of the flexible substrate of the present invention includes a barrier portion protruded from the nozzle portion to prevent contamination, thereby improving the quality of the laminated film.
본 출원의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 효과는 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present application are not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치를 나타낸다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치의 노즐부를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치의 노즐부의 비교예를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시예와 다르게 지지 롤러가 없는 플렉서블 기판의 처리 장치를 나타낸다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치를 나타낸다.
도 9 및 도 10은 도 7의 노즐부의 구현예를 나타낸다.
도 11 및 도 12는 도 1의 배치와 다른 지지 롤러의 배치를 나타낸다.
도 13은 모서리를 지닌 지지 부재가 플렉서블 기판을 지지하는 것을 나타낸다. 1 and 2 show an apparatus for processing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 and Fig. 4 show the nozzle unit of the processing apparatus of the flexible substrate according to the embodiment of the present invention.
5 shows a comparative example of a nozzle unit of a processing apparatus for a flexible substrate according to an embodiment of the present invention.
6 shows an apparatus for processing a flexible substrate without a supporting roller different from the embodiment of the present invention.
7 and 8 show a processing apparatus for a flexible substrate according to another embodiment of the present invention.
9 and 10 show an embodiment of the nozzle portion of Fig.
Figs. 11 and 12 show the arrangement of the support rollers different from the arrangement of Fig.
Fig. 13 shows that the support member having the corners supports the flexible substrate.
이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It is to be understood, however, that the appended drawings illustrate the present invention in order to more easily explain the present invention, and the scope of the present invention is not limited thereto. You will know.
또한, 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Also, the terms used in the present application are used only to describe certain embodiments and are not intended to limit the present invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, elements, components, or combinations thereof.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판(100)의 처리 장치를 나타낸다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 다른 플렉서블 기판(100)의 처리 장치는 제1 부재(110), 제2 부재(120), 지지 롤러(130), 노즐부(140) 및 배리어부(150)를 포함한다.1 and 2 show a processing apparatus for a
제1 부재(110)에 감겨진 플렉서블 기판(flexible substrate)(100)이 제1 부재(110)로부터 풀린다. 예를 들어, 플렉서블 기판(100)은 휠 수 있는 OLED나 LCD 등을 구현하기 위한 것으로 플라스틱 기판일 수 있다. The
제1 부재(110)로부터 풀려진 플렉서블 기판(100)은 제2 부재(120)에 감긴다. 이와 같은 제1 부재(110) 및 제2 부재(120) 및 플렉서블 기판(100)은 챔버(105) 내부에 배치될 수 있다. 이와 같이 제1 부재(110)에서 풀린 플렉서블 기판(100)이 제2 부재(120)에 의하여 감기므로 플렉서블 기판(100)에는 인장력이 인가될 수 있다. The
지지 롤러(130)는 플렉서블 기판(100)과 접촉하는 접촉 영역(CA)을 가지며 플렉서블 기판(100)을 지지한다. The
노즐부(140)는 플렉서블 기판(100)을 기준으로 지지 롤러(130) 맞은 편에 위치하고, 막 형성 물질을 접촉 영역(CA) 중 적어도 일부 영역 상의 플렉서블 기판(100)에 분사한다. The
막 형성 물질은 소스 물질 및 반응 물질을 포함하거나 소스 물질과 반응 물질의 혼합 물질을 포함할 수 있다. The film-forming material may include a source material and a reactive material, or may comprise a mixture of a source material and a reactive material.
소스 물질은 OLED나 LCD를 제조하는 과정에서 기판 상에 다양한 박막을 형성하기 위한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플렉서블 기판(100) 상에 Al2O3 층을 형성하기 위하여 노즐부(140)는 알루미늄 함유 소스물질을 기판(100) 상에 분사할 수 있다. The source material may include a material for forming various thin films on the substrate in the course of manufacturing the OLED or LCD. For example, in order to form an Al 2 O 3 layer on the
기판(100) 상에 형성가능한 박막은 Al2O3 층, HFO2 층, TiN 층일 수 있으나 이에 한정되지 않으며 다양한 절연막 또는 도전막일 수 있다.The thin film that can be formed on the
반응 물질이 소스 물질과 반응함으로써 플렉서블 기판(100) 상에 박막이 형성될 수 있다. 이 때 반응물질(R)은 플라즈마 상태의 O2, N2, Ar 일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. A thin film can be formed on the
플라즈마는 다양한 방법에 의하여 생성될 수 있다. 예를 들어, 플라즈마는 양 전극 사이 또는 코일에 인가되는 직류 전기 또는 교류 전기에 의하여 생성될 수 있다. 플라즈마의 생성 방법은 통상의 기술자에게 일반적인 것이므로 이에 대한 상세한 설명은 생략된다.Plasma can be generated by various methods. For example, the plasma may be generated by galvanic or alternating current applied between both electrodes or on the coil. Since the method of generating the plasma is common to those of ordinary skill in the art, a detailed description thereof will be omitted.
노즐부는 박막 형성 공정에 따라 소스 물질과 반응 물질을 별도의 노즐을 통하여 분사할 수도 있고, 소스 물질과 반응 물질의 혼합 물질을 분사할 수도 있다.The nozzle unit may spray the source material and the reactive material through separate nozzles or spray the mixed material of the source material and the reactive material according to the thin film forming process.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 노즐부(140)는 소스 물질을 분사하는 소스 노즐(141)과 반응 물질을 분사하는 리액턴트 노즐(143)을 포함할 수 있다. 박막이 ALD(atomic layer depostion) 공정에 의하여 형성될 경우, 소스 노즐(141)로부터 분사되어 플렉서블 기판(100) 상에 흡착된 소스 물질이 리액턴트 노즐(143)로부터 분사된 반응 물질과 반응함으로써 플렉서블 기판(100) 상에 박막이 형성될 수 있다. For example, as shown in FIG. 3, the
소스 노즐(141)과 리액턴트 노즐(143)을 포함하는 노즐부(140)에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다. The
한편, 도 4에 도시된 바와 같이, 노즐부(140)는 소스 물질과 반응 물질의 혼합 물질을 분사할 수 있다. 즉, 노즐부(140)는 상기 혼합 물질을 플렉서블 기판을 통하여 분사하는 혼합 노즐(144)을 포함할 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 4, the
박막이 CVD(chemical vapor deposition) 공정에 의하여 형성될 경우, 혼합 물질이 혼합 노즐(144)로부터 분사되며 플렉서블 기판(100) 상에는 소스 물질과 반응 물질이 서로 반응하여 박막이 형성될 수 있다. When the thin film is formed by a chemical vapor deposition (CVD) process, the mixed material is injected from the
혼합 노즐(144)을 포함하는 노즐부(140)에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다. The
한편, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 배리어부(150)는 노즐부(140)의 양측에 플렉서블 기판(100)을 향하여 노즐부(140)로부터 돌출된다. 배리어부(150)는 노즐부(140)로부터 분사되는 소스 물질, 반응 물질 및 혼합 물질이 노즐부(140) 외부로 누출되는 것을 방지하거나 누출량을 줄일 수 있다. 1 and 2, the
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치의 노즐부의 비교예를 나타낸다. 도 5는 설명의 편의를 위하여 평평한 플렉서블 기판 상에 배치된 노즐부(20a, 20b)를 도시한다. 도 5의 노즐부(20a, 20b)는 커튼 노즐(25a, 25b)을 포함하며, 커튼 노즐(25a, 25b)은 커튼용 가스를 플렉서블 기판(100)을 향하여 분사하며, 커튼용 가스는 에어 커튼과 유사한 기능을 함으로써 소스 물질이나 반응 물질이 노즐부(20a, 20b) 바깥으로 누출되는 것을 막는다.5 shows a comparative example of a nozzle unit of a processing apparatus for a flexible substrate according to an embodiment of the present invention. Fig. 5 shows
하지만 커튼 노즐(25a)이 커튼용 가스를 분사하면, 커튼용 가스는 플렉서블 기판(100)과 부딪혀 노즐부(20a) 안쪽으로 이동하는 흐름과 동시에 노즐부(20a) 바깥쪽으로 이동하는 흐름 역시 생성된다. However, when the curtain nozzle 25a injects the curtain gas, the curtain gas is also generated in the flow that moves to the inside of the nozzle portion 20a and the outside of the nozzle portion 20a while colliding with the
노즐부(20a)에서 분사된 소스 물질이 노즐부(20a) 바깥쪽으로 이동하는 흐름의 커튼용 가스와 섞이게 되면, 커튼용 가스가 소스 물질을 노즐부(20a) 바깥쪽으로 이동시키는 캐리어(carrier)의 역할을 하게 된다. When the source material injected from the nozzle unit 20a is mixed with the curtain gas flowing in the flow that moves out of the nozzle unit 20a, the curtain gas causes the carrier material to move the source material out of the nozzle unit 20a .
캐리어의 역할을 하는 커튼용 가스로 인하여 소스 물질이 인접한 다른 노즐부(20b)로 유입되면 노즐부(20a)의 소스 물질과 노즐부(20b)의 반응 물질이 서로 반응하게 되어 원하지 않는 반응물이 생성되고 이로 인하여 노즐부(20b)가 생성하는 박막이 오염될 수 있다. When the source material flows into another
뿐만 아니라 도 5의 노즐부(20a, 20b)는 커튼용 가스를 분사하는 커튼 노즐(25a, 25b)을 포함해야 하므로 노즐부(20a, 20b)의 부피가 커진다. 플렉서블 기판(100) 상에 다수의 박막이 형성되려면 노즐부(20a, 20b)의 개수 역시 증가하므로 노즐부(20a, 20b)의 부피가 커지면 챔버(105)의 부피가 커질 수 있다. In addition, since the
이에 비하여 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판 처리장치는 노즐부(140)로부터 돌출된 배리어부(150)를 포함하여 소스 물질이나 반응 물질이 노즐부(140) 외부로 누출되는 것을 방지하믈 도 5의 비교예와 같은 커튼 노즐(25a, 25b)이 필요없다. In contrast, the flexible substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention includes the
이에 따라 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판 처리장치는 캐리어 역할을 하는 커튼용 가스에 의해 소스 물질이 외부로 유출되지 않으므로 고품질의 박막을 형성할 수 있다. Accordingly, in the flexible substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, since the source material does not flow out to the outside due to the curtain gas serving as a carrier, a high-quality thin film can be formed.
뿐만 아니라 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판 처리장치는 커튼 노즐(25a, 25b)이 없으므로 노즐부(140)의 부피 및 챔버(105)의 부피를 줄일 수 있다. In addition, since the flexible substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention has no
한편, 배리어부(150)의 끝단과 지지 롤러(130) 사이의 최단 거리(D1)는 노즐부(140)와 지지 롤러(130) 사이의 최단 거리(D2)보다 작을 수 있다. The shortest distance D1 between the end of the
이와 같이 배리어부(150)의 끝단과 지지 롤러(130) 사이의 최단 거리(D1)가 노즐부(140)와 지지 롤러(130) 사이의 최단 거리(D2)보다 작으므로 노즐부(140)에서 분사된 소스 물질과 반응 물질이 노즐부(140) 외부로 누출되는 양을 줄이거나 최소화할 수 있다. Since the shortest distance D1 between the end of the
한편, 도 3에 도시된 바와 같이, 소스 노즐(141)과 리액턴트 노즐(143) 사이에 지지 롤러(130)를 향하여 노즐부(140)로부터 돌출된 보조 배리어부(155)를 더 포함할 수 있다. 3, it may further include an
이와 같은 보조 배리어부(155)는 노즐부(140)와 플렉서블 기판(100) 사이의 공간에서 소스 물질과 반응 물질이 섞이는 것을 줄일 수 있다. 즉, 플렉스블 기판(100)에 흡착된 소스 물질 상에 반응 물질이 분사됨으로써 플렉서블 기판(100) 상에 박막이 형성될 수 있다. The
만약 노즐부(140)와 플렉서블 기판(100) 사이의 공간에서 소스 물질과 반응 물질이 섞이게 되면 반응 결과물이 챔버(105) 내부의 공간에 흩어질 수 있으므로 챔버(105) 오염의 원인이 될 수 있다. If the source material and the reactive material are mixed in the space between the
따라서 보조 배리어부(155)는 노즐부(140)와 플렉서블 기판(100) 사이의 공간에서 소스 물질과 반응 물질이 섞일 가능성을 줄임으로써 챔버(105) 오염을 줄일 수 있다. Therefore, the
다음으로 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8을 참조하여 지지 롤러에 대해 상세히 설명한다. Next, the support roller will be described in detail with reference to Figs. 1, 2, 7, and 8. Fig.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치를 나타낸다.7 and 8 show a processing apparatus for a flexible substrate according to another embodiment of the present invention.
먼저 도 6을 참조하여 지지 롤러(130)가 없는 플렉서블 기판의 처리장치에 대해 설명한다. First, referring to Fig. 6, a description will be given of a processing apparatus for a flexible substrate without the supporting
도 6은 본 발명의 실시예와 다르게 지지 롤러(130)가 없는 플렉서블 기판의 처리 장치를 나타낸다. 도 6에 도시된 바와 같이, 플렉서블 기판(100)이 감겨있는 제1 부재(110)와 제2 부재(120)가 플렉서블 기판(100)에 인장력을 인가하더라도 제1 부재(110)와 제2 부재(120) 사이에 있는 플렉서블 기판(100)에 처짐이 발생할 수 있다. 6 shows a processing apparatus of a flexible substrate without the
이와 같이 플렉서블 기판(100)이 처지면 노즐부(140)와 플렉서블 기판(100) 사이의 거리가 일정하게 유지되지 않으므로 노즐부(140)를 통하여 분사된 소스 물질이 플렉서블 기판(100)에 증착될 때 증착층의 막두께가 일정하지 않을 수 있다. Since the distance between the
이에 비하여 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치의 경우, 지지 롤러(130)가 딱딱한 재질로 이루어져 있고 지지 롤러(130)의 회전축(미도시)의 위치가 고정되어 있다.1, 2, 7, and 8, in the apparatus for processing a flexible substrate according to an embodiment of the present invention, the
또한 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 노즐부(140)는 지지 롤러(130)와 플렉서블 기판(100)과 접촉하는 접촉 영역 중 적어도 일부 영역과 같은 곡률을 지닐 수 있다. 7 and 8, the
이에 따라 플렉서블 기판(100)을 기준으로 지지 롤러(130) 맞은 편에 위치한 노즐부(140)는 지지 롤러(130)의 접촉 영역(CA) 중 적어도 일부 영역과 일정한 간격을 유지한다. 이와 같은 노즐부(140)가 소스 물질을 적어도 일부 영역 상의 플렉서블 기판(100)에 분사할 경우 플렉서블 기판(100) 상에 균일한 두께를 지닌 증착층이 형성될 수 있다. The
한편, 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8 에 도시된 바와 같이, 지지 롤러(130)의 내부에는 히터(135)가 구비될 수 있다. 플렉서블 기판(100) 상에 박막이 형성되려면 플렉서블 기판(100)이 적정 온도까지 상승하여야 한다. Meanwhile, as shown in FIGS. 1, 2, 7 and 8, a
본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 기판의 처리 장치는 지지 롤러(130)와, 지지 롤러(130)에 인접한 노즐부(140)에 의하여 박막이 형성되므로 히터(135)는 지지 롤러(130) 내부에 배치될 수 있다.Since the thin film is formed by the
이 때 플렉서블 기판(100)이 플라스틱인 경우 플렉서블 기판(100)의 온도가 섭씨 20 도 초과 섭씨 400 도 미만이 되도록 히터(135)가 열을 공급할 수 있다. 플렉서블 기판(100)의 온도가 섭씨 20 도보다 크면 박막의 형성이 원활하게 이루어질 수 있고, 플렉서블 기판(100)의 온도가 섭씨 400 도 미만이 되면 플라스틱으로 이루어진 플렉서블 기판(100)이 녹는 현상이 방지될 수 있다. At this time, when the
한편, 도 2 및 도 8에 도시된 바와 같이, 지지 롤러(130)의 내측면과 히터(135) 사이에는 갭(G)이 있을 수 있다. 예를 들어, 지지 롤러(130)의 내측면과 히터(135)는 서로 이격될 수 있다. 2 and 8, there may be a gap G between the inner surface of the
갭(G)이 없이 지지 롤러(130)가 직접적으로 플렉서블 기판(100)에 접촉되는 경우 히터(135)의 열에 의하여 플렉서블 기판(100)이 녹아 플렉서블 기판(100)이 지지 롤러(130)에 눌러 붙을 수 있다. 따라서 이와 같은 구조를 통하여 플렉서블 기판(100)이 지지 롤러(130)에 눌러 붙는 현상이 방지될 수 있다. When the
예를 들어, 지지 롤러(130)의 내측면과 히터(135)는 서로 이격되는 경우, 히터(135)의 열은 복사열 형태로 지지 롤러(130)를 통하여 플렉서블 기판(100)에 전달될 수 있다. For example, if the inner surface of the
도 9 및 도 10은 도 7 및 도 8의 노즐부(140)의 구현예를 나타낸다. 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 노즐부(140)는 소스 노즐(141), 리액턴트 노즐(143) 및 배기 노즐(145)를 포함할 수 있다.Figs. 9 and 10 show an embodiment of the
소스 노즐(141)는 소스 물질을 분사하며, 리액턴트 노즐(143)는 반응 물질을 적어도 일부 영역 상의 플렉서블 기판(100)에 분사할 수 있다. 배기 노즐(145)는 소스 노즐(141) 및 리액턴트 노즐(143) 사이에 위치하여 소스 물질 및 반응 물질 중 먼저 분사된 물질을 배기할 수 있다. The
도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 노즐부(140)는 하나 이상의 소스 노즐(141)과, 하나 이상의 리액턴트 노즐(143) 및 하나 이상의 배기 노즐(145)를 포함할 수 있다. 이와 같은 배기 노즐(145)는 펌프(미도시)와 연결되어 소스 물질 및 반응 물질을 챔버(105) 외부로 배기할 수 있다. 7 and 8, the
이후에서는 플렉서블 기판(100) 상에 Al2O3 층을 형성하는 과정을 통해 이와 같은 노즐부(140)를 설명한다. Hereinafter, such a
도 9 및 도 10의 소스 노즐(141)에서 알루미늄 함유 소스 기체가 플렉서블 기판(100) 상에 분사될 수 있다. 이에 따라 소스 기체가 플렉서블 기판(100) 상에 흡착된다. 이후 배기 노즐(145)를 통하여 알루미늄 함유 소스 기체에 대한 배기 공정이 진행되고 나면 플렉서블 기판(100) 상에 단일층의 알루미늄 원자층 또는 복수층의 알루미늄 원자층이 형성될 수 있다. In the
이후 리액턴트 노즐(143)를 통하여 산소 원자를 함유하는 반응 물질이 분사될 수 있다. 이 때 반응 물질은 플라즈마로 여기된 상태일 수 있다. 이에 따라 반응 물질이 단일층 또는 복수층의 알루미늄 원자층 상에 흡착되어 단일층 또는 복수층의 산소 원자층이 형성될 수 있다. Thereafter, the reaction material containing oxygen atoms may be injected through the
산소 원자를 함유하는 반응 물질에 대한 배기 공정은 배기 노즐(145)를 통하여 이루어질 수 있다. 이에 따라 챔버(105) 내에 있는 산소 플라즈마가 챔버(105) 외부로 배기될 수 있다. The exhaust process for the reaction material containing oxygen atoms may be performed through the
이를 통하여 플렉서블 기판(100)의 상에 소스 물질의 성분 및 반응 물질의 성분으로 구성된 단일층 또는 복수층의 원자층이 형성된다. 즉, 알루미늄 산화막(AlxOy, x 및 y는 공정 조건에 따라 제어 가능)이 형성될 수 있다. Whereby a single layer or a plurality of atomic layers composed of the components of the source material and the components of the reactant are formed on the
이상에서 설명된 배기 공정과 더불어 퍼지 공정이 이루어질 수 있다. 퍼지 공정은 배기 공정과 동시에 이루어질 수도 있고 배기 공정 직후에 이루어질 수도 있다.The purge process can be performed together with the exhaust process described above. The purge process may be performed simultaneously with the exhaust process or may be performed immediately after the exhaust process.
퍼지(purge) 공정은 퍼지 노즐(147)이 퍼지 물질을 챔버(105) 내로 분사함으로써 이루어질 수 있으며, 퍼지 물질은 아르곤이나 질소와 같은 불활성 물질로 이루어질 수 있다. The purge process may be performed by the
본 실시예에서는 알루미늄 산화막을 형성하는 공정을 개시하였으나 이는 설명의 편의를 위한 것으로 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명은 산화막을 포함한 다양한 절연막 및 도전막을 형성하는 공정에 적용될 수 있음은 물론이다.Although the process of forming an aluminum oxide film is described in this embodiment, this is for convenience of description, and the present invention is not limited thereto. That is, it goes without saying that the present invention can be applied to a process of forming various insulating films including an oxide film and a conductive film.
이상에서 노즐부(140)가 플렉서블 기판(100) 상에 Al2O3 층을 형성하는 과정에 대해 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며 도 5와 같이 플렉서블 기판 상에 형성될 증착층에 따라 다양한 소스 물질 및 반응 물질을 분사할 수 있다. Although the process of forming the Al 2 O 3 layer on the
도 9 및 도 10은 도 7 및 도 8의 곡률을 가진 노즐부(140)를 도시하였으나, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 노즐부(140)는 평평한 형태를 가질 수도 있다.한편, 도 1, 도 2, 도 7, 도 8 및 도 11에 도시된 바와 같이, 지지 롤러(130)는 제1 부재(110)로부터 플렉서블 기판(100)이 풀리는 제1 진행 방향을 제1 진행 방향과 다른 제2 진행 방향으로 바꿀 수 있다. 9 and 10 illustrate the
이와 다르게 도 12와 같이 지지 롤러(130)는 제1 부재(110)로부터 플렉서블 기판(100)이 풀리는 제1 진행 방향을 그대로 유지할 수 있다. 12, the
이와 같이 플렉서블 기판(100)과 지지 롤러(130) 사이에서 플렉서블 기판(100)에 인가되는 인장력은 지지 롤러(130)가 진행 방향을 변경하는 경우가 진행 방향을 변경하지 않는 경우에 비하여 클 수 있다. The tensile force applied to the
따라서 노즐부(140)에 의하여 플렉서블 기판(100)에 박막이 형성될 경우 진행 방향을 변경하는 경우가 진행 방향을 변경하지 않는 경우에 비하여 원하는 두께의 균일한 막이 형성될 수 있다. Therefore, when a thin film is formed on the
한편, 지지 롤러(130)가 플렉서블 기판(100)의 방향을 제1 진행 방향에서 제2 진행 방향으로 바꾸는 경우, 지지 롤러(130)의 중심은, 제1 부재(110) 및 제2 부재(120)의 중심을 잇는 가상선을 벗어나도록 제1 부재(110) 및 제2 부재(120) 사이에 위치할 수 있다. On the other hand, when the
이 때 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판(100)의 처리 장치는 가상선을 벗어나는 중심을 지닌 복수 개의 지지 롤러(130)를 포함할 수 있으며, 복수 개의 지지 롤러(130) 전체의 중심은 가상선 상부 또는 하부에 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8은 가상선의 상부에 2 개의 지지 롤러(130) 중심이 위치하는 것을 나타낸다. In this case, the processing apparatus of the
또한 복수 개의 지지 롤러(130)의 일부 중심은 가상선 상부 또는 하부 중 어느 하나에 위치하고, 복수 개의 지지 롤러(130)의 나머지 중심은 가상선 상부 또는 하부 중 나머지 하나에 위치할 수 있다. Also, the center of a part of the plurality of
예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 가상선의 상부에 4 개의 지지 롤러(130) 중 2개의 지지 롤러(130)의 중심이 가상선 상부에 위치하고, 나머지 2개의 지지 롤러(130)의 중심이 가상선 하부에 위치하는 것을 나타낸다. 11, the center of two
이상에서 설명된 바와 같이, 지지 롤러(130)가 제1 부재(110) 및 제2 부재(120) 사이에 위치하여 플렉서블 기판(100)의 진행 방향을 변경시키고, 지지 롤러(130)의 중심이 가상선을 벗어나므로 제1 부재(110)와 제2 부재(120) 사이에 있는 플렉서블 기판(100)의 길이가 증가할 수 있다. As described above, the
즉, 제1 부재(110)와 제2 부재(120) 사이의 플렉서블 기판(100)의 길이는, 도 6과 같이 지지 롤러(130)가 없는 경우에 비하여 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8과 같은 지지 롤러(130)가 배치될 경우가 더 클 수 있으며, 이에 따라 챔버(105)의 부피를 줄일 수 있다. That is, the length of the
한편, 도 13에 도시된 바와 같이, 지지 부재(10)가 모서리를 지닐 경우 플렉서블 기판(100)이 진행하는 과정에서 지지 부재(10)로 인하여 손상될 수 있다. 이와 다르게 도 1, 도 2, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 지지 롤러(130)는 곡면을 지닌 원형 형상을 가질 수 있으므로 노즐부(140)와의 거리를 일정하게 유지하면서도 플렉서블 기판(100)의 손상을 방지할 수 있다. On the other hand, as shown in FIG. 13, when the support member 10 has corners, the
이상에서 설명된 배리어부(150)는 노즐부(140)와 동일한 재질로 이루어질수도 있고 다른 재질로 이루어질 수 있다. 보조 배리어부(155) 역시 노즐부(140)와 동일한 재질로 이루어질수도 있고 다른 재질로 이루어질 수 있다.The
이상과 같이 본 발명에 따른 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. . Therefore, the above-described embodiments are to be considered as illustrative rather than restrictive, and the present invention is not limited to the above description, but may be modified within the scope of the appended claims and equivalents thereof.
지지 부재(10)
플렉서블 기판(100)
챔버(105)
제1 부재(110)
제2 부재(120)
지지 롤러(130)
히터(135)
노즐부(20a, 20b, 140)
지지 롤러(130)
커튼 노즐(25a, 25b)
소스 노즐(141)
리액턴트 노즐(143)
혼합 노즐(144)
배기 노즐(145)
퍼지 노즐(147)
접촉 영역(CA)
배리어부(150)
보조 배리어부(155)The support member (10)
In the
In the
The
The
The
The
The
The
The
The
The reactant nozzle (143)
The mixing
The
The purge nozzle (147)
Contact area (CA)
The
The
Claims (9)
상기 제1 부재로부터 풀려진 상기 플렉서블 기판이 감기는 제2 부재;
상기 플렉서블 기판과 접촉하는 접촉 영역을 가지며 상기 플렉서블 기판을 지지하는 지지 롤러;
상기 플렉서블 기판을 기준으로 상기 지지 롤러 맞은 편에 위치하고, 막 형성 물질을 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역 상의 상기 플렉서블 기판에 분사하는 노즐부; 및
상기 노즐부의 양측에 상기 플렉서블 기판을 향하여 상기 노즐부로부터 돌출되도록 형성되어, 상기 막 형성 물질이 상기 노즐부 외부로 누출되는 것을 방지하는 배리어부;
를 포함하는 플렉서블 기판의 처리 장치.
A first member in which the wound flexible substrate is unwound;
A second member on which the flexible substrate unwound from the first member is wound;
A supporting roller having a contact area in contact with the flexible substrate and supporting the flexible substrate;
A nozzle unit located on the opposite side of the support roller with respect to the flexible substrate and ejecting the film forming material onto the flexible substrate on at least a part of the contact region; And
A barrier portion protruding from the nozzle portion toward the flexible substrate on both sides of the nozzle portion to prevent the film forming material from leaking to the outside of the nozzle portion;
And a processing unit for processing the flexible substrate.
상기 배리어부의 끝단과 상기 지지 롤러 사이의 최단 거리는 상기 노즐부와 상기 지지 롤러 사이의 최단 거리보다 작은 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the shortest distance between the end of the barrier part and the support roller is smaller than the shortest distance between the nozzle part and the support roller.
상기 노즐부는 소스 물질을 분사하는 소스 노즐과 반응 물질을 분사하는 리액턴트 노즐을 포함하는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle unit includes a source nozzle for spraying a source material and a reactant nozzle for spraying a reactive material.
상기 소스 노즐과 상기 리액턴트 노즐 사이에 상기 지지 롤러를 향하여 상기 노즐부로부터 돌출된 보조 배리어부를 더 포함하는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method of claim 3,
Further comprising an auxiliary barrier portion protruding from the nozzle portion toward the support roller between the source nozzle and the reactant nozzle.
상기 노즐부는 소스 물질과 반응 물질의 혼합 물질을 분사하는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle unit ejects a mixed material of a source material and a reactive material.
상기 노즐부는 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역과 같은 곡률을 지니는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle portion has the same curvature as at least a part of the contact region.
상기 노즐부는 상기 접촉 영역 중 적어도 일부 영역과 일정한 간격을 유지하는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the nozzle section maintains a constant gap with at least a part of the contact area.
상기 지지 롤러 내부에 히터가 배치되는 플렉서블 기판의 처리 장치.
The method according to claim 1,
And a heater is disposed inside the support roller.
상기 지지 롤러의 내측면과 상기 히터 사이에는 갭이 있는 플렉서블 기판의 처리 장치. 9. The method of claim 8,
Wherein a gap is provided between the inner surface of the support roller and the heater.
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006152416A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Plasma cvd apparatus |
WO2010032530A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 | Thin film structural body and method for manufacturing the same |
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Family Cites Families (1)
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006152416A (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Sharp Corp | Plasma cvd apparatus |
WO2010032530A1 (en) * | 2008-09-18 | 2010-03-25 | 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 | Thin film structural body and method for manufacturing the same |
JP2012052170A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Fujifilm Corp | Method of producing functional film |
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