KR101477193B1 - 저잡음 증폭 제어 회로 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소정의 주파수 밴드를 통과한 주파수 신호를 제공하는 신호 제공부 및 신호 제공부에 의해 제공된 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 저잡음 증폭시키는 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부를 포함하는 저잡음 증폭 제어 회로를 제공한다.
저잡음 증폭 제어 회로, 신호 제공부, 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부

Description

저잡음 증폭 제어 회로{Circuit for controlling low noise amplification}
실시예는 저잡음 증폭 제어 회로에 관한 것이다.
일반적으로, 종래 저잡음 증폭 제어 회로는 모든 주파수 밴드영역을 일정하게 증폭하였다.
이러한, 종래 저잡음 증폭 제어 회로는 모든 주파수 밴드영역을 증폭하므로, 수신하고 있지 않은 주파수 외의 다른 주파수 밴드영역까지도 동시에 증폭되었다.
따라서, 종래 저잡음 증폭 제어 회로는 주파수 혼신에 대한 노이즈를 발생시키는 문제점이 있었다.
실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로는 주파수 혼신에 대한 노이즈를 억제시킬 수 있다.
실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로는 소정의 주파수 밴드를 통과한 주파수 신호를 제공하는 신호 제공부 및 신호 제공부에 의해 제공된 주파수 신호를 주 파수 밴드별로 구분시켜 저잡음 증폭시키는 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부를 포함한다.
실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로는 주파수 혼신에 대한 노이즈를 억제시킬 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로(100)는 신호 제공부(102)와 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부(104)등을 포함한다.
신호 제공부(102)는 소정의 주파수 밴드를 통과한 주파수 신호를 제공하도록 구비된다.
이때, 신호 제공부(102)는 외부 전원 단자(+5V), 주파수 신호 제공 단자(ANT_IN), 제 1, 2, 3, 4, 5, 6 인덕터(L1, L2, L3, L4 ,L5, L6), 제 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 캐패시터(C1, C2, C3, C4 C5, C6, C7, C8), 제 1 순방향 다이오드(D1)등을 포함할 수가 있다.
즉, 외부 전원 단자(+5V)는 제 1, 2, 3 인덕터(L1, L2, L3) 각각과 전기적으로 연결될 수가 있다.
이때, 제 1 캐패시터(C1)의 일단은 외부 전원 단자(+5V)와 제 1 인덕터(L1)의 사이에 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 1 캐패시터(C1)의 타단은 접지될 수가 있다.
또한, 제 2 캐패시터(C2)의 일단은 제 1 인덕터(L1)와 제 2 인덕터(L2)의 사이에 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 2 캐패시터(C2)의 타단은 접지될 수가 있다.
또한, 제 3 인덕터(L3)의 일단은 병렬형태로 제 1 저항(R1) 및 제 3 캐패시터(C3)가 전기적으로 연결될 수가 있다.
이때, 제 1 저항(R1) 및 제 3 캐패시터(C3)에 직렬형태로 제 2 저항(R2) 및 제 3 저항(R3)이 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 3 캐패시터(C3)에 제 4 캐패시터(C4)가 전기적으로 연결될 수가 있다.
주파수 신호 제공 단자(ANT_IN)는 제 5 캐패시터(C5)에 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 4 인덕터(L4)는 제 5 캐패시터(C5)에 전기적으로 연결될 수가 있으며, 제 6 캐패시터(C6)는 제 4 인덕터(L4)에 전기적으로 연결될 수가 있다.
이때, 제 1 순방향 다이오드(D1)의 애노드단은 접지되고 제 1 순방향 다이오드(D1)의 캐소드단은 제 6 캐패시터(C6)에 전기적으로 연결될 수가 있으며, 제 1 순방향 다이오드(D1)의 캐소드단에 직렬형태로 제 8 캐패시터(C8)와 제 6 인덕터(L6)가 전기적으로 연결될 수가 있다.
또한, 제 8 캐패시터(C8)에 제 7 캐패시터(C7)가 전기적으로 연결될 수가 있다. 이때, 제 5 인덕터(L5)의 일단은 제 7 캐패시터(C7)에 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 5 인덕터(L5)의 타단은 제 2 저항(R2)과 제 3 저항(R3)의 사이에 전기적으로 연결되면서 이후에 진술할 제 1 스위칭 소자(Q1)의 일단에 전기적으로 연결될 수가 있다.
주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부(104)는 신호 제공부(102)에 의해 제공된 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 저잡음 증폭시키도록 구비된다.
이때, 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부(104)는 제 1 스위칭 소자(Q1), 적어도 하나 이상의 저항(R4, R5, R6), 하나 이상의 캐패시터(C9, C10, C11, C12, C13, C14), 하나 이상의 주파수 밴드별 제어용 포트(P0, P1, P2), 하나 이상의 순방향 다이오드(D2, D3, D4)를 포함할 수가 있다.
여기서, 제 1 스위칭 소자(Q1)는 제 1 BJT(Bipolar Junction Transistor)일 수가 있다.
즉, 제 1 BJT(Bipolar Junction Transistor)의 베이스단에 신호 제공부(102)의 제 5 인덕터(L5)와 제 2, 3 저항(R2, R3)이 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 1 BJT의 컬렉터단에 신호 제공부(102)의 제 3, 4 캐패시터(C3, C4)가 전기적으로 연결될 수가 있다.
또한, 제 1 BJT의 에미터단에 제 9, 10, 11 캐패시터(C9, C10, C11) 각각이 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 9, 10, 11 캐패시터(C9, C10, C11)에 제 2, 3, 4 순방향 다이오드(D2, D3, D4) 각각이 전기적으로 연결될 수가 있다.
여기서, 제 9, 10, 11 캐패시터(C9, C10, C11)는 DC 성분을 제거하기 위한 평활 캐패시터일 수가 있다.
이때, 제 9, 10, 11 캐패시터(C9, C10, C11)와 제 2, 3, 4 순방향 다이오드(D2, D3, D4)의 사이에 제 1, 2, 3 주파수 밴드별 제어용 포트(P0, P1, P2)가 전기적으로 연결될 수가 있다.
이러한, 제 1, 2, 3 주파수 밴드별 제어용 포트(P0, P1, P2)는 주파수 신호 제공부(102)에 의해 제공된 소정의 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 제어할 수가 있게 된다.
즉, 제 1, 2, 3 주파수 밴드별 제어용 포트는 PLL(Phase Locked Loop) IC와 전기적으로 연결되어 낮은 VHF(Very High Frequency) 신호, 높은 VHF(Very High Frequency) 신호, UHF(Ultra high Frequency) 신호중 적어도 하나의 신호를 구분하여 선택적으로 제 2, 3, 4 순방향 다이오드(D2, D3, D4)를 온/오프(on/off)시킬 수가 있게 된다.
또한, 제 4, 5, 6 저항(R4, R5, R6)의 일단들은 제 2, 3, 4 순방향 다이오드(D2, D3, D4)의 캐소드단 각각에 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 4, 5, 6 저항(R4, R5, R6)의 타단들은 접지될 수가 있다.
또한, 제 12, 13, 14 캐패시터(C12, C13, C14)의 일단들은 제 4, 5, 6 저항(R4, R5, R6) 각각과 전기적으로 연결될 수가 있고, 제 4, 5, 6 저항(R4, R5, R6)의 타단들은 접지될 수가 있다.
이와 같은, 본 발명의 일실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로(100)는 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부(104)를 포함하므로, 신호 제공부(102)에 의해 제공된 소정의 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 선택적으로 증폭하므로, 수신 하고 있지 않은 주파수 외의 다른 주파수 밴드영역에 영향을 주지 않게 된다.
따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로(100)는 주파수 혼신에 대한 노이즈를 억제시킬 수가 있게 된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 저잡음 증폭 제어 회로를 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 설명 *
100 : 저잡음 증폭 제어 회로 102 : 신호 제공부
104 : 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부

Claims (5)

  1. 소정의 주파수 밴드를 통과한 주파수 신호를 제공하는 신호 제공부; 및
    상기 신호 제공부에 의해 제공된 상기 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 저잡음 증폭시키는 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부를 포함하며,
    상기 신호 제공부는 외부 전원 단자, 주파수 신호 제공단자, 제 1 순방향 다이오드, 적어도 하나 이상의 인덕터, 캐패시터를 포함하고, 상기 외부 전원 단자는 상기 적어도 하나 이상의 인덕터에 전기적으로 연결되며, 상기 주파수 신호 제공단자는 상기 적어도 하나 이상의 캐패시터에 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 순방향 다이오드는 상기 적어도 하나 이상의 캐패시터에 전기적으로 연결되며, 상기 적어도 하나 이상의 캐패시터는 상기 적어도 하나 이상의 인덕터에 전기적으로 연결되는 저잡음 증폭 제어 회로.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부는 제 1 스위칭 소자, 적어도 하나 이상의 저항, 캐패시터, 주파수 밴드별 제어용 포트, 순방향 다이오드를 포함하며,
    상기 제 1 스위칭 소자는 상기 적어도 하나 이상의 저항, 캐패시터에 각각 전기적으로 연결되고, 상기 주파수 밴드별 제어용 포트는 상기 적어도 하나 이상의 캐패시터와 상기 순방향 다이오드 사이에 전기적으로 연결되는 저잡음 증폭 제어 회로.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 주파수 밴드별 저잡음 증폭 제어부는,
    상기 신호 제공부에 연결되고, 베이스단과 컬렉터단에 연결된 제 1 스위칭 소자와;
    상기 제 1 스위칭 소자의 일단에 각각 연결된 제 9, 10, 11 캐패시터와;
    상기 제 9, 10, 11 캐패시터에 각각 연결된 제 2, 3, 4 순방향 다이오드와;
    상기 제 9, 10, 11 캐패시터와 상기 제 2, 3, 4 순방향 다이오드의 사이에 연결되어 상기 주파수 신호를 주파수 밴드별로 구분시켜 제어하는 제 1, 2, 3 주파수 밴드별 제어용 포트와;
    일단들이 상기 제 2, 3, 4 순방향 다이오드의 캐소드단 각각에 연결되고, 타단들이 접지된 제 4, 5, 6 저항; 및
    일단들이 상기 제 4, 5, 6 저항과 연결되고, 타단들이 접지된 제 12, 13, 14 캐패시터를 포함하는 저잡음 증폭 제어 회로.
  5. 삭제
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR970001308B1 (ko) * 1994-08-09 1997-02-05 현대전자산업 주식회사 국제해사위성통신-씨 용 저잡음 증폭기
KR19990001331A (ko) * 1997-06-13 1999-01-15 이형도 무선통신단말기의 듀얼밴드 저잡음 증폭기

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970001308B1 (ko) * 1994-08-09 1997-02-05 현대전자산업 주식회사 국제해사위성통신-씨 용 저잡음 증폭기
KR19990001331A (ko) * 1997-06-13 1999-01-15 이형도 무선통신단말기의 듀얼밴드 저잡음 증폭기

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