KR101474024B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것으로, 고전위 전원전압이 공급되는 구동소자; 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 제1 노드와 데이터라인 사이의 전류패스를 절환하는 제1 스위치소자; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 제3 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 기준전압원과 상기 제1 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제2 스위치소자; 상기 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 제2 노드와 상기 구동소자의 드레인전극 사이의 전류패스를 절환하는 제3 스위치소자; 상기 제3 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 구동소자의 드레인전극과 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제4 스위치소자; 상기 제3 노드와 저전위 전원전압원 사이에 접속되는 유기발광다이오드소자; 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 기준전압원, 상기 저전위 전원전압원, 상기 제1 스캔라인 중 어느 하나와, 상기 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제5 스위치소자; 및 제1 내지 제4 기간 동안 제1 스캔펄스를 상기 제1 스캔라인에 공급한 후, 제3 기간 동안 제2 스캔펄스를 상기 제2 스캔라인에 공급하고 상기 제3 기간 동안 발광제어펄스를 상기 제3 스캔라인에 공급하는 스캔 구동회로를 구비한다. The present invention relates to an organic light emitting diode (OLED) display, and more particularly, A first switch element that turns on / off according to the voltage of the second scan line to switch a current path between the first node and the data line; A storage capacitor connected between the first node and the second node; A second switch element that turns on / off according to the voltage of the third scan line to switch the current path between the reference voltage source and the first node; A third switch element that turns on / off according to a voltage of the second scan line to switch a current path between the second node and a drain electrode of the driving element; A fourth switch element that turns on / off according to the voltage of the third scan line to switch the current path between the drain electrode of the driving element and the third node; An organic light emitting diode (OLED) element connected between the third node and a low potential power source; A fifth switch element that turns on / off according to the voltage of the first scan line to switch the current path between any one of the reference voltage source, the low potential power source voltage source, the first scan line, and the third node; And supplying a first scan pulse to the first scan line during a first period to a fourth period, supplying a second scan pulse to the second scan line during a third period, And a scan driving circuit for supplying the scan signal to the third scan line.
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display.
음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display : FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다. Various flat panel displays (FPDs) have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes (CRTs). Such a flat panel display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP) And a light emitting device (Electroluminescence Device).
전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기 전계발광소자와 유기발광다이오드소자(Organic Light Emitting Diode, OLED)로 대별되며 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.The electroluminescent device is divided into an inorganic electroluminescent device and an organic light emitting diode (OLED) according to the material of the light emitting layer, and is a self-luminous device which emits itself, has a high response speed and a large luminous efficiency, luminance and viewing angle have.
유기발광다이오드 표시장치는 전압구동, 전압보상, 전류구동, 디지털구동, 외부보상 등의 구동방법으로 구동될 수 있고, 최근에는 전압보상 구동방법이 가장 많이 선택되고 있다. 전압보상 구동방법은 유기발광다이오드소자(OLED)에 전류를 공급하는 구동소자의 문턱전압을 저장하기 전에 구동소자를 초기화한다. 구동소자의 초기화 전압으로는 기저전압(GND)을 주로 이용하게 되는데 이 때, 구동소자에 연결된 유기발광다이오드소자(OLED)에 전류가 순간적으로 흐르게 되어 명암 대비비(Contrast ratio)가 떨어지게 된다. 초기화 시간을 적절히 작게 조절하여 명암 대비비를 증가시킬 수 있지만, 초기화 시간 조절이 어렵고, 이 경우에 구동소자의 초기화가 불완전하게 되어 표시화상의 지연이 발생할 수 있고, 각 화소들의 초기 전압 차이로 인하여 균일한 보상이 되지 않는다. The organic light emitting diode display device can be driven by driving methods such as voltage driving, voltage compensation, current driving, digital driving, and external compensation, and in recent years, voltage compensation driving methods have been selected the most. The voltage compensation driving method initializes the driving element before storing the threshold voltage of the driving element that supplies the current to the organic light emitting diode element OLED. The ground voltage (GND) is mainly used as the initializing voltage of the driving device. At this time, a current flows instantaneously to the organic light emitting diode OLED connected to the driving device, and the contrast ratio is lowered. The contrast ratio can be increased by adjusting the initialization time appropriately, but it is difficult to adjust the initialization time. In this case, the initialization of the driving element becomes incomplete, and the display image may be delayed. Uniform compensation can not be obtained.
따라서, 본 발명의 목적은 명암 대비비를 높일 수 있고, 구동소자의 초기화 시간을 줄이면서도 구동소자의 초기화를 안정화하고 수명 연장 효과가 있는 유기발광다이오드 표시장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic light emitting diode display device capable of increasing the contrast ratio, stabilizing the initialization of the driving device while reducing the initialization time of the driving device, and extending the service life.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 전원전압이 공급되는 구동소자; 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 제1 노드와 데이터라인 사이의 전류패스를 절환하는 제1 스위치소자; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 제3 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 기준전압원과 상기 제1 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제2 스위치소자; 상기 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 제2 노드와 상기 구동소자의 드레인전극 사이의 전류패스를 절환하는 제3 스위치소자; 상기 제3 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 구동소자의 드레인전극과 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제4 스위치소자; 상기 제3 노드와 저전위 전원전압원 사이에 접속되는 유기발광다이오드소자; 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 기준전압원, 상기 저전위 전원전압원, 상기 제1 스캔라인 중 어느 하나와, 상기 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제5 스위치소자; 및 제1 내지 제4 기간 동안 제1 스캔펄스를 상기 제1 스캔라인에 공급한 후, 제3 기간 동안 제2 스캔펄스를 상기 제2 스캔라인에 공급하고 상기 제3 기간 동안 발광제어펄스를 상기 제3 스캔라인에 공급하는 스캔 구동회로를 구비한다. According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including: a driving device to which a high-potential power supply voltage is supplied; A first switch element that turns on / off according to the voltage of the second scan line to switch a current path between the first node and the data line; A storage capacitor connected between the first node and the second node; A second switch element that turns on / off according to the voltage of the third scan line to switch the current path between the reference voltage source and the first node; A third switch element that turns on / off according to a voltage of the second scan line to switch a current path between the second node and a drain electrode of the driving element; A fourth switch element that turns on / off according to the voltage of the third scan line to switch the current path between the drain electrode of the driving element and the third node; An organic light emitting diode (OLED) element connected between the third node and a low potential power source; A fifth switch element that turns on / off according to the voltage of the first scan line to switch the current path between any one of the reference voltage source, the low potential power source voltage source, the first scan line, and the third node; And supplying a first scan pulse to the first scan line during a first period to a fourth period, supplying a second scan pulse to the second scan line during a third period, And a scan driving circuit for supplying the scan signal to the third scan line.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 전원전압이 공급되는 구동소자; 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 제1 노드와 데이터라인 사이의 전류패스를 절환하는 제1 스위치소자; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 스토리지 커패시터; 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 기준전압원과 상기 제1 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제2 스위치소자; 상기 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 제2 노드와 상기 구동소자의 드레인전극 사이의 전류패스를 절환하는 제3 스위치소자; 상기 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 구동소자의 드레인전극과 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제4 스위치소자; 상기 제3 노드와 저전위 전원전압원 사이에 접속되는 유기발광다이오드소자; 상기 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 기준전압원, 상기 저전위 전원전압원 및 상기 제1 스캔라인 중 어느 하나와, 상기 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제5 스위치소자; 및 제1 스캔펄스를 상기 제1 스캔라인에 공급하고 제2 스캔펄스를 상기 제2 스캔라인에 공급하여 상기 제1 내지 제3 노드를 초기화하는 스캔 구동회로를 구비한다. According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including: a driving device to which a high potential power supply voltage is supplied; A first switch element that turns on / off according to the voltage of the first scan line to switch a current path between the first node and the data line; A storage capacitor connected between the first node and the second node; A second switch element that turns on / off according to the voltage of the second scan line to switch the current path between the reference voltage source and the first node; A third switch element that turns on / off according to a voltage of the first scan line to switch a current path between the second node and a drain electrode of the driving element; A fourth switch element that turns on / off according to the voltage of the second scan line to switch the current path between the drain electrode of the driving element and the third node; An organic light emitting diode (OLED) element connected between the third node and a low potential power source; And a fifth switch element for switching the current path between the reference voltage source, the low potential power supply voltage source, and the first scan line and the current path between the third node and the third node by turning on / off according to the voltage of the first scan line. ; And a scan driver circuit for supplying a first scan pulse to the first scan line and supplying a second scan pulse to the second scan line to initialize the first to third nodes.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 고전위 전원전압이 공급되는 구동소자; N(N은 양의 정수) 번째 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 제1 노드와 데이터라인 사이의 전류패스를 절환하는 제1 스위치소자; 상기 제1 노드와 제2 노드 사이에 접속된 부스트 커패시터; 상기 제2 노드와 상기 고전위 전원전압을 발생하는 고전위 전압원 사이에 접속되는 스토리지 커패시터; N-1 번째 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 기준전압원과 상기 제1 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제2 스위치소자; 상기 N-1 번째 제2 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 제2 노드와 상기 구동소자의 드레인전극 사이의 전류패스를 절환하는 제3 스위치소자; 제3 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 구동소자의 드레인전극과 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제4 스위치소자; 상기 제3 노드와 저전위 전원전압원 사이에 접속되는 유기발광다이오드소자; 제1 스캔라인의 전압에 따라 턴-온/오프하여 상기 기준전압원, 상기 저전위 전원전압원 및 상기 제1 스캔라인 중 어느 하나와, 상기 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제5 스위치소자; 및 제1 내지 제3 기간 동안 제1 스캔펄스를 상기 제1 스캔라인에 공급하고, 제2 및 제3 기간 동안 N-1 번째 제2 스캔펄스를 상기 N-1 번째 제2 스캔라인에 공급하여 상기 제1 및 제2 기간 동안 상기 제1 내지 제3 노드를 초기화한 후, 제3 기간 동안 발광제어펄스를 상기 제3 스캔라인에 공급하고 제4 기간 동안 동안 N 번째 제2 스캔펄스를 상기 N 번째 제2 스캔라인에 공급하는 스캔 구동회로를 구비한다. According to another aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting diode display device including: a driving device to which a high potential power supply voltage is supplied; A first switch element for turning on / off according to the voltage of the second scan line (N is a positive integer) second scan line to switch the current path between the first node and the data line; A boost capacitor connected between the first node and the second node; A storage capacitor connected between the second node and a high potential source for generating the high potential power supply voltage; A second switch element that turns on / off according to the voltage of the (N-1) th scan line and switches the current path between the reference voltage source and the first node; A third switch element for turning on / off according to a voltage of the (N-1) th scan line and switching a current path between the second node and a drain electrode of the driving element; A fourth switch element that turns on / off according to the voltage of the third scan line to switch the current path between the drain electrode of the driving element and the third node; An organic light emitting diode (OLED) element connected between the third node and a low potential power source; A fifth switch element that turns on / off according to the voltage of the first scan line to switch the current path between any one of the reference voltage source, the low potential power source voltage source, and the first scan line, and the third node; And supplies a first scan pulse to the first scan line during the first to third periods, and supplies an (N-1) th second scan pulse to the (N-1) th scan line during the second and third periods Wherein the scan driver supplies a light emission control pulse to the third scan line during a third period and supplies an Nth second scan pulse to the Nth scan line during a fourth period after initializing the first to third nodes during the first and second periods, Th scan line to the first scan line.
본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 기준전압원, 저전위 전원, 제1 스캔라인 중 어느 하나와, 제3 노드 사이의 전류패스를 절환하는 제5 스위치소자를 이용하여 제1 내지 제3 노드를 초기함과 동시에 유기발광다이오드의 애노드 전압을 낮추어 명암 대비비를 높일 수 있고, 구동소자의 초기화 시간을 줄이면서도 구동소자의 초기화를 안정화하고 유기발광다이오드소자의 수명을 연장시킬 수 있다. The organic light emitting diode display device according to the embodiment of the present invention may be applied to any one of a first voltage source, a low potential power source, and a first scan line, and a fifth switch element for switching a current path between a third node, It is possible to increase the contrast ratio by lowering the anode voltage of the organic light emitting diode simultaneously with the initialization of the three nodes, stabilize the initialization of the driving device while extending the lifetime of the organic light emitting diode device while reducing the initialization time of the driving device.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 도면들을 참조한 실시예의 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention will become apparent from the following description of embodiments with reference to the accompanying drawings.
이하, 도 1 내지 도 17을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 터치센서를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to Figs. 1 to 17, focusing on a touch sensor.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 m×n(m 및 n 각각은 양의 정수) 개의 발광셀들(11)이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(10), 데이터전압을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급하기 위한 데이터 구동부(13), 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 제1 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 제1 스캔 구동부(14), 제2 스캔라인들(R11~Rn)에 제2 스캔펄스를 순차적으로 공급하기 위한 제2 스캔 구동부(16), 제3 스캔라인들(E1~En)에 발광제어펄스를 순차적으로 공급하기 위한 제3 스캔 구동부(15), 및 상기 구동부들(13~16)을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(12)를 구비한다. 1 to 5, an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention includes a plurality of
발광셀들(11)은 데이터라인들(D1~Dm)과 스캔라인들(S1~Sn, R1~Rn, E1~En)의 교차로 정의된 화소 영역들에 형성된다. 표시패널(10)의 발광셀들(11)에는 도 2 내지 도 5와 같이 고전위 전원전압(VDD EL), 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND), 기준전압(Vref) 등이 공통으로 공급된다. 기준전압(Vref)은 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND)과의 차가 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압이 될 수 있도록 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압으로 설정된다. 이 기준전압(Vref)은 유기발광다이오드(OLED)에 접속된 구동소자의 초기화시에 유기발광다이오드소자(OLED)에 역바이어스를 인가할 수 있도록 부극성 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우에, 유기발광다이오드소자(OLED)에 주기적으로 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드소자(OLED)의 열화를 줄여 그 수명을 연장시킬 수 있다. The
발광셀들(11) 각각은 도 2 내지 도 5와 같이 유기발광다이오드(OLED), 5 개 의 TFT들(T1~T5), 구동소자(DTFT) 및 스토리지 커패시터(Cstg)를 구비한다. Each of the
데이터 구동부(13)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(DATA)으로 변환하여 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(13)는 도 3과 같이 제3 기간(③) 동안 데이터라인들(D1~Dm)에 데이터전압(Data)을 공급한다. The
제1 스캔 구동부(14)는 도 3과 같이 제1 내지 제4 기간(①~④) 동안 로우논리전압의 제1 스캔펄스(SCAN)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 제1 스캔펄스(SCAN)를 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 순차적으로 공급한다. 제2 스캔 구동부(16)는 도 3과 같이 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 로우논리전압의 제2 스캔펄스(SRO1)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 제2 스캔펄스(SRO1)를 제2 스캔라인들(R1~Rn)에 순차적으로 공급한다. 제3 스캔 구동부(15)는 도 3과 같이 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 하이논리로 발생되는 발광제어펄스(EM1)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 발광제어펄스(EM1)를 제3 스캔라인들(E1~En)에 순차적으로 공급한다. 발광제어펄스(EM1)는 제2 스캔펄스(SRO1)의 역위상으로 발생된다. 3, the
타이밍 콘트롤러(12)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(13)에 공급하고 수직/수평 동기신호와 클럭신호 등을 이용하여 데이터 구동부(13), 제1 내지 제3 스캔 구동부(14~16)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(CS, CG1~CG3)를 발생한다. The
도 2는 도 1에 도시된 발광셀들(11)의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 3은 도 2에 도시된 발광셀들(11)에 인가되는 구동 신호 파형을 보여 주는 파형도이다. FIG. 2 is a circuit diagram showing the first embodiment of the
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광셀들(11)은 제1 내지 제5 TFT(T1 내지 T5), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT들(T1 내지 T5), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT(Metal Oxide Semiconductor TFT)로 구현된다. 2 and 3, the
제1 TFT(T1)는 제2 스캔펄스(SRO1)에 응답하여 데이터전압(DATA)을 제1 노드(N1)에 공급하는 스위치 TFT이다. 제1 TFT(T1)는 제2 스캔펄스(SR01)가 인가되는 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 턴-온(turn-on)되어 데이터라인(D1~Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 전류패스를 형성한다. 제1 TFT(T1)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 소스전극은 데이터라인(D1~Dm)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다. The first TFT T1 is a switch TFT which supplies the data voltage DATA to the first node N1 in response to the second scan pulse SRO1. The first TFT T1 is turned on during the second and third periods (2 and 3) during which the second scan pulse SR01 is applied to turn on the data lines D1 to Dm and the first node RTI ID = 0.0 > N1. ≪ / RTI > The drain electrode of the first TFT T1 is connected to the first node N1, and the source electrode thereof is connected to the data lines D1 to Dm. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제2 TFT(T2)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제3 기간(③) 동안 제1 노드(N1)와 기준전압(Vref) 사이의 전류패스를 차단하고 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1 및 제4 기간(①,④) 동안 턴-온되어 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 드레인전극에는 기준전압(Vref)이 공급되고, 그 소스전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 제3 스캔라인(E1~En)에 접속된다. The second TFT T2 blocks the current path between the first node N1 and the reference voltage Vref during the third period (3) in response to the emission control pulse EM and the third scan line E1 to En Is turned on during the first and fourth periods (1, 4) for maintaining the low logic voltage to supply the reference voltage Vref to the first node N1. A reference voltage Vref is supplied to the drain electrode of the second TFT T2, and the source electrode thereof is connected to the first node N1. And the gate electrode of the second TFT T2 is connected to the third scan lines E1 to En.
제3 TFT(T3)는 제2 스캔펄스(SRO1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 제2 노드(N2)의 전압을 제4 TFT(T4)의 소스전극에 공급한다. 제3 TFT(T3)의 소스전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 그 드레인전극은 제4 TFT(T4)의 소스전극 및 구동소자(DTFT)의 드레인전극에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 제2 스캔라 인(R1~Rn)에 접속된다. The third TFT T3 supplies the voltage of the second node N2 to the source electrode of the fourth TFT T4 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SRO1 . The source electrode of the third TFT T3 is connected to the second node N2 and the drain electrode thereof is connected to the source electrode of the fourth TFT T4 and the drain electrode of the driving element DTFT. And the gate electrode of the third TFT T3 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제4 TFT(T4)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1 기간(①) 이전과 제4 기간(④) 동안 턴-온되어 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드소자(OLED) 사이의 전류패스를 형성한다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)의 애노드전극에 접속되고, 그 소스전극은 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)의 드레인전극들에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제3 스캔라인(E1~En)에 접속된다. The fourth TFT T4 is turned on during the second and third periods (2, 3) in response to the light emission control pulse EM and the driving TFT DTFT, the third TFT T3, and the organic light emitting diode OLED The current path is blocked and the voltage of the third scan lines E1 to En is turned on for the first period (1) before and the fourth period (4) during which the low logic voltage is maintained, Thereby forming a current path between the TFT T3 and the organic light emitting diode OLED. The drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode device OLED and the source electrode thereof is connected to the driving TFT DTFT and the drain electrodes of the third TFT T3. And the gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the third scan lines E1 to En.
제5 TFT(T5)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제4 기간(①~④) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기준 전압원(Vref) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제1 스캔펄스(SCAN)의 펄스폭은 제2 스캔펄스(SRO1)의 펄스폭보다 넓다. 또한, 제1 스캔펄스(SCAN)의 라이징 타임은 제2 스캔펄스(SRO1)의 라이징 타임보다 제1 기간(①)만큼 빠르고, 제1 스캔펄스(SCAN)의 폴링 타임은 소정 시간만큼 제2 스캔펄스(SRO1)의 폴링 타임보다 늦다. 제5 TFT(T5)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극은 기준 전압원(Vref)에 접속된다. 제5 TFT(T5)의 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T5 is turned on during the first through fourth periods (1 through 4) in response to the first scan pulse SCAN to generate a current path between the third node N3 and the reference voltage source Vref . The pulse width of the first scan pulse SCAN is wider than the pulse width of the second scan pulse SRO1. The rising time of the first scan pulse SCAN is faster than the rising time of the second scan pulse SRO1 by a first period (1), and the falling time of the first scan pulse SCAN is a second scan It is later than the polling time of the pulse SRO1. The drain electrode of the fifth TFT T5 is connected to the third node N3, and the source electrode thereof is connected to the reference voltage source Vref. The gate electrode of the fifth TFT T5 is connected to the first scan lines S1 to Sn.
구동소자(DTFT)는 고전위 전원전압원(VDD EL)로부터의 전류를 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동소자(DTFT)의 드레인전극은 제3 TFT(T3)의 드레인전극과 제4 TFT(T4)의 소스전극에 접속되고, 그 소스전극은 고전위 전원전압원(VDD EL)에 접속된다. 구동소자(DTFT)의 게이트전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The driving element DTFT supplies a current from the high potential power source voltage source VDD EL to the organic light emitting diode element OLED and controls the current to the gate-source voltage. The drain electrode of the driving element DTFT is connected to the drain electrode of the third TFT T3 and the source electrode of the fourth TFT T4, and the source electrode thereof is connected to the high potential power source voltage source VDD EL. The gate electrode of the driving element DTFT is connected to the second node N2.
스토리지 커패시터(Cstg)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 구동소자(DTFT)의 게이트전압을 유지한다. The storage capacitor Cstg is connected between the first node N1 and the second node N2 to maintain the gate voltage of the driving element DTFT.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동소자(DTFT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제3 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제4 기간(④) 동안 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 캐소드전극은 저전위 전압원 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer EIL). The organic light emitting diode OLED emits light for a fourth period (4) during which the voltage of the third scan lines E1 to En maintains the low logic voltage according to the current supplied under the control of the driving device DTFT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source or the ground voltage source GND.
이 발광셀(11)의 동작을 상세히 살명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the
제1 기간(①) 동안, 제5 TFT(T5)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 턴-온되고 그 결과, 제3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 제1 기간(①) 동안, 제3 노드(N3)의 전압은 기준전압원(Vref)으로 방전된다. 이 때, 기준전압(Vref)과 기저전압(GND)의 전압차가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 이하이거나 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드(OLED)의 양단에 전류가 흐르지 않는다. 제1 기간(①) 동안, 제2 스캔라인들(R1~Rn)에는 하이논리전압이 인가되고 제3 스캔라인들(E1~En)에는 로우논리전압 이 인가된다. 따라서, 제1 기간(①) 동안 제2 및 제4 TFT(T2, T4)는 턴-온되는 반면, 제1 및 제3 TFT(T1,T3)는 턴-오프된다. During the first period (1), the fifth TFT T5 is turned on in response to the first scan pulse SCAN, and as a result, the voltage of the third node N3 is initialized to the reference voltage Vref. During the first period (1), the voltage of the third node N3 is discharged to the reference voltage source Vref. At this time, since the voltage difference between the reference voltage Vref and the ground voltage GND is equal to or lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED or a reverse bias is applied to the organic light emitting diode OLED, Does not flow. During the first period (1), a high logic voltage is applied to the second scan lines (
제2 기간(②) 동안, 제1 및 제3 TFT(T1,T3)는 로우논리전압의 제2 스캔펄스(SR01)에 응답하여 턴-온된다. 제2 및 제4 TFT(T2,T4)의 게이트전극에는 제2 기간(②) 동안 로우논리전압에서 하이논리전압으로 변하는 발광제어펄스(EM1)가 인가된다. 그 결과, 제1 및 제2 노드(N1, N2)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 제5 TFT(T5)는 온(On) 상태를 유지하므로 제3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지한다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전압이 기준전압(Vref)으로 낮기 때문에 제2 기간(②) 동안 비발광 상태를 유지한다. During the second period (2), the first and third TFTs T1 and T3 are turned on in response to the second scan pulse SR01 of the low logic voltage. The emission control pulse EM1 changing from the low logic voltage to the high logic voltage is applied to the gate electrodes of the second and fourth TFTs T2 and T4 during the second period (2). As a result, the first and second nodes N1 and N2 are initialized to the reference voltage Vref. At this time, since the fifth TFT T5 maintains the On state, the third node N3 maintains the reference voltage Vref. The organic light emitting diode OLED maintains the non-emission state during the second period (2) because the anode voltage is low as the reference voltage Vref.
제3 기간(③) 동안, 구동소자(DTFT)의 문턱전압이 스토리지 커패시터(Cstg)에 저장된다. 제3 기간(③) 동안, 제2 및 제4 TFT(T2,T4)는 오프(Off) 상태를 유지하고 제3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지한다. During the third period (3), the threshold voltage of the driving element DTFT is stored in the storage capacitor Cstg. During the third period (3 & cirf), the second and fourth TFTs T2 and T4 are kept off and the third node N3 is maintained at the reference voltage Vref.
제4 기간(④) 동안, 제2 및 제4 TFT(T2,T4)는 제3 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압으로 반전되므로 턴-온되는 반면, 제1, 제3 및 제5 TFT(T1, T3,T5)는 턴-오프된다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)는 제4 기간(④)부터 대략 1 프레임기간 동안 발광한다. During the fourth period (4), the second and fourth TFTs T2 and T4 are turned on because the voltages of the third scan lines E1 to En are inverted to a low logic voltage, while the first and third And the fifth TFTs (T1, T3, T5) are turned off. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light for about one frame period from the fourth period (4).
발광셀들(11)은 제1 내지 제4 기간(①~④)을 반복하여 구동소자(DTFT)의 문턱전압과 고전위 전원전압(VDD EL)을 보상하면서 구동된다. The light emitting
도 2에서, 제1 기간(①)은 생략될 수 있다. 이 경우, 제1 스캔펄스(SCAN)와 제2 스캔펄스(SRO1)은 동기되어 제2 기간(②) 동안 동시에 로우논리전압으로 반전 될 수 있다. 제2 기간(②) 동안, 제2 및 제3 노드(N2, N3)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. In FIG. 2, the first period (1) may be omitted. In this case, the first scan pulse SCAN and the second scan pulse SRO1 are synchronized and can be simultaneously inverted to the low logic voltage during the second period (2). During the second period (2), the second and third nodes N2 and N3 are initialized to the reference voltage Vref.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 초기화 시간(①,②) 동안 제3 노드(N3)를 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 아래로 유지시킬 수 있기 때문에 그 초기화 시간 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있다. 초기화를 효과적으로 하기 위해서는 제5 TFT(T5)의 채널비(W/L)를 적당히 크게 설계할 필요가 있다. As described above, according to the present invention, since the third node N3 can be kept below the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during the initialization times (①, ②), the organic light emitting diode OLED, The contrast ratio can be increased. It is necessary to design the channel ratio (W / L) of the fifth TFT T5 to be appropriately large in order to effectively perform initialization.
도 4는 발광셀들(11)의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 4의 발광셀들(11)에 인가되는 구동 신호 파형은 도 3과 실질적으로 동일하다. 이 실시예에서 전술한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소들에 대하여는 동일한 도면부호를 붙이고 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 4 is a circuit diagram showing the second embodiment of the light emitting
도 3 및 도 4를 참조하면, 발광셀들(11)은 제1 내지 제5 TFT(T1 내지 T51), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT들(T1 내지 T51), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다. 제1 내지 제4 TFT(T1~T4)는 전술한 실시예와 실질적으로 동일하다. Referring to FIGS. 3 and 4, the
제5 TFT(T51)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제4 기간(①~④) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기저전압원(GND) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제5 TFT(T51)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극은 기저전압원(GND)에 접속된다. 제5 TFT(T51)의 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T51 is turned on during the first to fourth periods (1 to 4) in response to the first scan pulse SCAN to generate a current path between the third node N3 and the ground voltage source GND . The drain electrode of the fifth TFT (T51) is connected to the third node (N3), and the source electrode thereof is connected to the ground voltage source (GND). The gate electrode of the fifth TFT T51 is connected to the first scan lines S1 to Sn.
이 실시예의 회로 동작은 전술한 도 2의 실시예와 실질적으로 동일하다. 다만, 도 4의 제2 실시예는 초기화 시간(①,②) 동안 제3 노드(N3)에 기준전압(Vref)이 아니라, 기저전압(GND)을 인가한다. The circuit operation of this embodiment is substantially the same as the embodiment of Fig. 2 described above. However, the second embodiment of FIG. 4 applies the ground voltage GND to the third node N3 during the initialization time (1, 2) instead of the reference voltage Vref.
도 5는 발광셀들(11)의 제3 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 5의 발광셀들(11)에 인가되는 구동 신호 파형은 도 3과 실질적으로 동일하다. 이 실시예에서 전술한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소들에 대하여는 동일한 도면부호를 붙이고 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 5 is a circuit diagram showing the third embodiment of the light emitting
도 3 및 도 5를 참조하면, 발광셀들(11)은 제1 내지 제5 TFT(T1 내지 T52), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT들(T1 내지 T52), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다. 제1 내지 제4 TFT(T1~T4)는 전술한 실시예와 실질적으로 동일하다. 3 and 5, the
제5 TFT(T52)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제4 기간(①~④) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 제1 스캔라인(S1~Sn) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제1 내지 제4 기간(①~④) 동안 제1 스캔라인(S1~Sn)에는 로우논리전압이 인가된다. 이 로우논리전압은 부극성 전압이다. 제5 TFT(T52)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극과 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T52 is turned on during the first to fourth periods (1 to 4) in response to the first scan pulse SCAN and is turned on between the third node N3 and the first scan lines S1 to Sn Thereby forming a current path. A low logic voltage is applied to the first scan lines S1 to Sn during the first to fourth periods (1 to 4). This row logic voltage is a negative voltage. The drain electrode of the fifth TFT T52 is connected to the third node N3, and the source electrode and the gate electrode thereof are connected to the first scan lines S1 to Sn.
제3 실시예는 초기화 시간(①,②) 동안 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스를 인가하므로 그 초기화 시간(①,②) 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있고 유기발광다이오드(OLED)의 수명을 연장 시킬 수 있다.The third embodiment applies a reverse bias to the organic light emitting diode OLED during the initialization times (1, 2), and controls the organic light emitting diode OLED to be in a non-light emitting state during the initialization times (1, And the lifetime of the organic light emitting diode (OLED) can be prolonged.
도 6 및 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타낸다. 도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광셀들에 인가되는 구동 신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 6 and 7 show an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention. 8 is a waveform diagram illustrating a driving signal waveform applied to the light emitting cells of the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 m×n 개의 발광셀들(61)이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(60), 데이터전압을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급하기 위한 데이터 구동부(63), 제1 스캔라인들(R1~Rn)에 스캔펄스(SCAN)를 순차적으로 공급하기 위한 제1 스캔 구동부(64), 제2 스캔라인들(E1~En)에 발광제어펄스(EM1)를 순차적으로 공급하기 위한 제2 스캔 구동부(65), 및 상기 구동부들(63~65)을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(62)를 구비한다. Referring to FIG. 6, the organic light emitting diode display according to the second embodiment of the present invention includes a
발광셀들(61)은 데이터라인들(D1~Dm)과 스캔라인들(S1~Sn, R1~Rn)의 교차로 정의된 화소 영역들에 형성된다. 표시패널(60)의 발광셀들(61)에는 도 7과 같이 고전위 전원전압(VDD EL), 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND), 기준전압(Vref) 등이 공통으로 공급된다. 기준전압(Vref)은 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND)과의 차가 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압이 될 수 있도록 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압으로 설정된다. 이 기준전압(Vref)은 유기발광다이오드(OLED)에 접속된 구동소자의 초기화시에 유기발광다이오드소자(OLED)에 역바이어스를 인가할 수 있도록 부극성 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우에, 유기발광다이오드소자(OLED)에 주기적으로 역바이어스가 인 가되므로 유기발광다이오드소자(OLED)의 열화를 줄여 그 수명을 연장시킬 수 있다. The light emitting
발광셀들(61) 각각은 도 7과 같이 유기발광다이오드(OLED), 5 개 의 TFT들(T1~T4, T53), 구동소자(DTFT) 및 스토리지 커패시터(Cstg)를 구비한다. Each of the light emitting
데이터 구동부(63)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(DATA)으로 변환하여 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(63)는 도 8과 같이 제2 기간(②) 동안 데이터라인들(D1~Dm)에 데이터전압(Data)을 공급한다. The
제1 스캔 구동부(64)는 도 8과 같이 제1 기간(①) 동안 하이논리전압에서 로우논리전압으로 변하고 제2 기간(②) 동안 로우논리전압을 유지한 후에, 제3 기간(③) 동안 하이논리전압으로 반전되는 제2 스캔펄스(SRP1)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 제2 스캔펄스(SRP1)를 제1 스캔라인들(R1~Rn)에 순차적으로 공급한다. 제2 스캔 구동부(65)는 도 8과 같이 제2 스캔펄스(SRP1)의 역위상으로 발생되는 발광제어펄스(EM1)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 발광제어펄스(EM1)를 제2 스캔라인들(E1~En)에 순차적으로 공급한다.8, the
타이밍 콘트롤러(62)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(63)에 공급하고 수직/수평 동기신호와 클럭신호 등을 이용하여 데이터 구동부(63), 스캔 구동부(64, 65)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(CS,CG1,CG2)를 발생한다. The timing controller 62 supplies the digital video data RGB to the
도 7 및 도 8을 참조하면, 발광셀들(61)은 제1 내지 제5 TFT(T1~T4,T53), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT 들(T1~T4,T53), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다. 7 and 8, the
제1 TFT(T1)는 제2 스캔펄스(SRO1)에 응답하여 데이터전압(DATA)을 제1 노드(N1)에 공급하는 스위치 TFT이다. 제1 TFT(T1)는 제1 스캔펄스(SR01)가 인가되는 제1 및 제2 기간(①,②) 동안 턴-온되어 데이터라인(D1~Dm)과 제1 노드(N1) 사이에 전류패스를 형성한다. 제1 TFT(T1)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 소스전극은 데이터라인(D1~Dm)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 제1 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다. The first TFT T1 is a switch TFT which supplies the data voltage DATA to the first node N1 in response to the second scan pulse SRO1. The first TFT T1 is turned on during the first and second periods (1, 2) during which the first scan pulse SR01 is applied to turn on the current between the data lines D1 to Dm and the first node N1 Thereby forming a path. The drain electrode of the first TFT T1 is connected to the first node N1, and the source electrode thereof is connected to the data lines D1 to Dm. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the first scan lines R1 to Rn.
제2 TFT(T2)는 발광제어펄스(EM1)에 응답하여 제1 및 제2 기간(①,②) 동안 제1 노드(N1)와 기준전압(Vref) 사이의 전류패스를 차단하고 제2 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1 기간(①) 이전 시간과, 제3 기간(③) 동안 턴-온되어 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 소스전극에는 기준전압(Vref)이 공급되고, 그 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 제2 스캔라인(E1~En)에 접속된다. The second TFT T2 blocks the current path between the first node N1 and the reference voltage Vref during the first and second periods (1, 2) in response to the emission control pulse EM1, The reference voltage Vref is supplied to the first node N1 while the voltage of the lines E1 to En is kept turned on during the third period (3) before the first period (1) do. A reference voltage Vref is supplied to the source electrode of the second TFT T2, and the drain electrode thereof is connected to the first node N1. And the gate electrode of the second TFT T2 is connected to the second scan lines E1 to En.
제3 TFT(T3)는 스캔펄스(SRO1)에 응답하여 제1 및 제2 기간(①,②) 동안 제2 노드(N2)의 전압을 제4 TFT(T4)의 소스전극에 공급한다. 제3 TFT(T3)의 소스전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 그 드레인전극은 제4 TFT(T4)의 소스전극 및 구동소자(DTFT)의 드레인전극에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 제1 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다. The third TFT T3 supplies the voltage of the second node N2 to the source electrode of the fourth TFT T4 during the first and second periods (1, 2) in response to the scan pulse SRO1. The source electrode of the third TFT T3 is connected to the second node N2 and the drain electrode thereof is connected to the source electrode of the fourth TFT T4 and the drain electrode of the driving element DTFT. The gate electrode of the third TFT T3 is connected to the first scan lines R1 to Rn.
제4 TFT(T4)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제1 및 제2 기간(①,②) 동안 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차 단하고 제2 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1 기간(①) 이전과 제3 기간(④) 동안 턴-온되어 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드소자(OLED) 사이의 전류패스를 형성한다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)의 애노드전극에 접속되고, 그 소스전극은 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)의 드레인전극들에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제2 스캔라인(E1~En)에 접속된다. The fourth TFT T4 is turned on during the first and second periods (1, 2) in response to the light emission control pulse EM and between the driving TFT DTFT and the third TFT T3 and the organic light emitting diode OLED The first and second scan lines E1 to En are turned on during the first period (1) and the third period (4) during which the voltage of the second scan line (E1 to En) 3 TFT (T3) and the organic light emitting diode element OLED. The drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode device OLED and the source electrode thereof is connected to the driving TFT DTFT and the drain electrodes of the third TFT T3. And the gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the second scan lines E1 to En.
제5 TFT(T53)는 스캔펄스(SRO1)에 응답하여 제1 및 제2 기간(①,②) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기준 전압원(Vref) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제5 TFT(T53)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극은 기준 전압원(Vref)에 접속된다. 제5 TFT(T53)의 게이트전극은 제1 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다. The fifth TFT T53 is turned on during the first and second periods (1, 2) in response to the scan pulse SRO1 to form a current path between the third node N3 and the reference voltage source Vref . The drain electrode of the fifth TFT T53 is connected to the third node N3, and the source electrode thereof is connected to the reference voltage source Vref. The gate electrode of the fifth TFT T53 is connected to the first scan lines R1 to Rn.
구동소자(DTFT)는 고전위 전원전압원(VDD EL)로부터의 전류를 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동소자(DTFT)의 드레인전극은 제3 TFT(T3)의 드레인전극과 제4 TFT(T4)의 소스전극에 접속되고, 그 소스전극은 고전위 전원전압원(VDD EL)에 접속된다. 구동소자(DTFT)의 게이트전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The driving element DTFT supplies a current from the high potential power source voltage source VDD EL to the organic light emitting diode element OLED and controls the current to the gate-source voltage. The drain electrode of the driving element DTFT is connected to the drain electrode of the third TFT T3 and the source electrode of the fourth TFT T4, and the source electrode thereof is connected to the high potential power source voltage source VDD EL. The gate electrode of the driving element DTFT is connected to the second node N2.
스토리지 커패시터(Cstg)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 구동소자(DTFT)의 게이트전압을 유지한다. The storage capacitor Cstg is connected between the first node N1 and the second node N2 to maintain the gate voltage of the driving element DTFT.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광 층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동소자(DTFT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제2 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제3 기간(③) 동안 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 캐소드전극은 저전위 전압원 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). The organic light emitting diode OLED emits light for a third period (3) during which the voltage of the second scan lines E1 to En maintains the low logic voltage according to the current supplied under the control of the driving device DTFT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source or the ground voltage source GND.
이 발광셀(61)의 동작을 상세히 살명하면 다음과 같다. The operation of the
제1 기간(①) 동안, 제1, 제3 및 제5 TFT(T1, T3, T53)는 스캔펄스(SR01)에 응답하여 턴-온되고 그 결과, 제2 및 제3 노드(N2, N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 기준전압(Vref)과 기저전압(GND)의 전압차가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 이하이거나 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드(OLED)의 양단에 전류가 흐르지 않는다. 제1 기간(①) 동안, 제2 스캔라인들(E1~En)의 전압은 로우논리전압에서 하이논리전압으로 반전된다. 따라서, 제1 기간(①) 동안 제2 및 제4 TFT(T2, T4)는 턴-온된다. During the first period (1), the first, third and fifth TFTs T1, T3 and T53 are turned on in response to the scan pulse SR01 so that the second and third nodes N2 and N3 Is initialized to the reference voltage Vref. At this time, since the voltage difference between the reference voltage Vref and the ground voltage GND is equal to or lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED or a reverse bias is applied to the organic light emitting diode OLED, Does not flow. During the first period (1), the voltages of the second scan lines E1 to En are inverted from the low logic voltage to the high logic voltage. Therefore, the second and fourth TFTs T2 and T4 are turned on during the first period (1).
제2 기간(②) 동안, 구동소자(DTFT)의 문턱전압이 스토리지 커패시터(Cstg)에 저장된다. 제2 기간(②) 동안, 제2 및 제4 TFT(T4)는 오프 상태를 유지하고 제3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지한다. During the second period (2), the threshold voltage of the driving element DTFT is stored in the storage capacitor Cstg. During the second period (2), the second and fourth TFTs T4 maintain the off state and the third node N3 maintains the reference voltage Vref.
제3 기간(③) 동안, 제2 및 제4 TFT(T2,T4)는 제2 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압으로 반전되므로 턴-온되는 반면, 제1, 제3 및 제5 TFT(T1,T3,T53)는 턴-오프된다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)는 제3 기간(③)부터 대략 1 프레임기간 동안 발광한다. During the third period (3), the second and fourth TFTs T2 and T4 are turned on because the voltages of the second scan lines E1 to En are inverted to a low logic voltage, while the first and third And the fifth TFTs (T1, T3, T53) are turned off. Therefore, the organic light emitting diode OLED emits light for about one frame period from the third period (3).
발광셀들(61)은 제1 내지 제3 기간(①~③)을 반복하여 구동소자(DTFT)의 문턱전압과 고전위 전원전압(VDD EL)을 보상하면서 구동된다. The light emitting
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 초기화 시간(①) 동안 제3 노드(N3)를 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 아래로 유지시킬 수 있기 때문에 그 초기화 시간 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있다. 초기화를 효과적으로 하기 위해서는 제5 TFT(T5)의 채널비(W/L)를 적당히 크게 설계할 필요가 있다. As described above, according to the present invention, since the third node N3 can be kept below the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during the initialization time period (1), the organic light emitting diode OLED The contrast ratio can be increased by controlling the light emitting state. It is necessary to design the channel ratio (W / L) of the fifth TFT T5 to be appropriately large in order to effectively perform initialization.
도 9, 도 10 및 도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타낸다. 도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광셀들에 인가되는 구동 신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 9, 10 and 12 show an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention. 11 is a waveform diagram showing driving signal waveforms applied to the light emitting cells of the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 m×n 개의 발광셀들(91)이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(90), 데이터전압을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급하기 위한 데이터 구동부(93), 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 제1 스캔펄스(SCAN)를 순차적으로 공급하기 위한 제1 스캔 구동부(94), 제2 스캔라인들(SEL1~SELn)에 제2 스캔펄스(SELN-1,SELN)를 순차적으로 공급하기 위한 제2 스캔 구동부(96), 제3 스캔라인들(E1~En)에 발광제어펄스(EM1)를 순차적으로 공급하기 위한 제3 스캔 구동부(95), 및 상기 구동부들(93~96)을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(92)를 구비한다. 9, the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention includes a
발광셀들(91)은 데이터라인들(D1~Dm)과 스캔라인들(S1~Sn,SEL1~SELn,E1~En)의 교차로 정의된 화소 영역들에 형성된다. 표시패널(90)의 발광셀들(91)에는 도 10과 같이 고전위 전원전압(VDD EL), 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND), 기준전압(Vref) 등이 공통으로 공급된다. 기준전압(Vref)은 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND)과의 차가 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압이 될 수 있도록 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압으로 설정된다. 이 기준전압(Vref)은 유기발광다이오드(OLED)에 접속된 구동소자의 초기화시에 유기발광다이오드소자(OLED)에 역바이어스를 인가할 수 있도록 부극성 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우에, 유기발광다이오드소자(OLED)에 주기적으로 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드소자(OLED)의 열화를 줄여 그 수명을 연장시킬 수 있다. The light emitting
발광셀들(91) 각각은 도 10 및 도 12와 같이 유기발광다이오드(OLED), 5 개 의 TFT들(T1~T4, T54), 구동소자(DTFT), 스토리지 커패시터(Cstg) 및 부스트 커패시터(Cboost)를 구비한다. Each of the light emitting
데이터 구동부(93)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(DATA)으로 변환하여 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(93)는 N(N은 n 이하의 양의 정수) 번째 라인의 발광셀들(91)을 선택하기 위한 제2 스캔펄스(SELN)에 동기되어 도 11과 같이 제4 기간(④) 동안 데이터라인들(D1~Dm)에 데이터전압(Data N)을 공급한다. The
제1 스캔 구동부(94)는 도 11과 같이 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 로우논리전압의 제1 스캔펄스(SCAN)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 제1 스캔펄스(SCAN)를 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 순차적으로 공급한다. 제2 스캔 구동 부(96)는 도 11과 같이 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 로우논리전압의 제2 스캔펄스(SELN-1,SELN)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 제2 스캔펄스(SELN-1,SELN)를 제2 스캔라인들(SEL1~SELn)에 순차적으로 공급한다. 제3 스캔 구동부(95)는 도 11과 같이 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 하이논리전압의 발광제어펄스(EM)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 발광제어펄스(EM)를 제3 스캔라인들(E1~En)에 순차적으로 공급한다.11, the
타이밍 콘트롤러(92)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(93)에 공급하고 수직/수평 동기신호와 클럭신호 등을 이용하여 데이터 구동부(93), 스캔 구동부들(94~96)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(CS,CG1~CG3)를 발생한다. The
도 10은 도 9에 도시된 발광셀들(91)의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. 10 is a circuit diagram showing details of the first embodiment of the light emitting
도 10 및 도 11을 참조하면, 발광셀들(91)은 제1 내지 제5 TFT(T1~T4,T54), 스토리지 커패시터(Cstg), 부스트 커패시터(Cboost), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT들(T1~T4,T54), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다. 10 and 11, the
제1 TFT(T1)는 N 번째 제2 스캔펄스(SELN)에 응답하여 제4 기간(④) 동안 데이터전압(DATA)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제1 TFT(T1)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 소스전극은 데이터라인(D1~Dm)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 N 번째 제2 스캔라인(SELN)에 접속된다.The first TFT T1 supplies the data voltage DATA to the first node N1 during the fourth period (4) in response to the Nth second scan pulse SELN. The drain electrode of the first TFT T1 is connected to the first node N1, and the source electrode thereof is connected to the data lines D1 to Dm. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the Nth second scan line SELN.
제2 TFT(T2)는 N-1 번째 제2 스캔펄스(SELN-1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 드레인전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 소스전극은 기준전압원(Vref)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 N-1 번째 제2 스캔라인(SELN-1)에 접속된다.The second TFT T2 supplies the reference voltage Vref to the first node N1 during the second and third periods (2, 3) in response to the (N-1) th second scan pulse SELN-1 . The drain electrode of the second TFT T2 is connected to the first node N1, and the source electrode thereof is connected to the reference voltage source Vref. And the gate electrode of the second TFT T2 is connected to the (N-1) th scan line SELN-1.
제3 TFT(T3)는 N-1 번째 제2 스캔펄스(SELN-1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 제2 노드(N2)의 전압을 제4 TFT(T4)의 소스전극에 공급한다. 제3 TFT(T3)의 소스전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 그 드레인전극은 제4 TFT(T4)의 소스전극 및 구동소자(DTFT)의 드레인전극에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 N-1 번째 제2 스캔라인(SELN-1)에 접속된다.The third TFT T3 applies the voltage of the second node N2 to the fourth TFT T4 during the second and third periods (2, 3) in response to the (N-1) th second scan pulse SELN- To the source electrode of the transistor. The source electrode of the third TFT T3 is connected to the second node N2 and the drain electrode thereof is connected to the source electrode of the fourth TFT T4 and the drain electrode of the driving element DTFT. And the gate electrode of the third TFT T3 is connected to the (N-1) th scan line SELN-1.
제4 TFT(T4)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제3 기간(③) 동안 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1, 제2 및 제4 기간(①,②,④) 동안 턴-온되어 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드소자(OLED) 사이의 전류패스를 형성한다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)의 애노드전극에 접속되고, 그 소스전극은 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)의 드레인전극들에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제3 스캔라인(E1~En)에 접속된다. The fourth TFT T4 blocks the current path between the driving element DTFT and the third TFT T3 and the organic light emitting diode OLED during the third period (3) in response to the emission control pulse EM The voltages of the third scan lines E1 to En are turned on during the first, second and fourth periods (1, 2, and 4) during which the voltage of the third scan lines E1 to En maintains the low logic voltage, ), And the organic light emitting diode device OLED. The drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode device OLED and the source electrode thereof is connected to the driving TFT DTFT and the drain electrodes of the third TFT T3. And the gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the third scan lines E1 to En.
제5 TFT(T54)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기저 전압원(GND) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제5 TFT(T54)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극은 기저 전압 원(GND)에 접속된다. 제5 TFT(T54)의 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T54 is turned on during the first to third periods (? To?) In response to the first scan pulse SCAN to generate a current path between the third node N3 and the ground voltage source GND . The drain electrode of the fifth TFT (T54) is connected to the third node (N3), and the source electrode thereof is connected to the ground voltage source (GND). A gate electrode of the fifth TFT (T54) is connected to the first scan lines (S1 to Sn).
구동소자(DTFT)는 고전위 전원전압원(VDD EL)으로부터의 전류를 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동소자(DTFT)의 드레인전극은 제3 TFT(T3)의 드레인전극과 제4 TFT(T4)의 소스전극에 접속되고, 그 소스전극은 고전위 전원전압원(VDD EL)에 접속된다. 구동소자(DTFT)의 게이트전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The driving element DTFT supplies a current from the high potential power source voltage source VDD EL to the organic light emitting diode element OLED and controls the current to the gate-source voltage. The drain electrode of the driving element DTFT is connected to the drain electrode of the third TFT T3 and the source electrode of the fourth TFT T4, and the source electrode thereof is connected to the high potential power source voltage source VDD EL. The gate electrode of the driving element DTFT is connected to the second node N2.
부스트 커패시터(Cboost)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 접속되어 제4 기간(④) 동안 제1 노드(N1)에 인가되는 데이터전압(DATAN)을 저장하여 미리 저장된 초기화전압만큼 부스트한다. 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2)는 부스트 커패시터(Cboost)를 사이에 두고 커플링된다. The boost capacitor Cboost is connected between the first node N1 and the second node N2 to store the data voltage DATAN applied to the first node N1 during the fourth period Boost by voltage. The first node N1 and the second node N2 are coupled through a boost capacitor Cboost.
스토리지 커패시터(Cstg)는 제2 노드(N1)와 고전위 전원전압원(VDD EL) 사이에 접속되어 구동소자(DTFT)의 게이트-소스간 전압을 유지한다.The storage capacitor Cstg is connected between the second node N1 and the high potential power source VDD EL to maintain the gate-source voltage of the driving element DTFT.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동소자(DTFT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제2 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제4 기간(④) 동안 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 캐소드전극은 저전위 전압원 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). The organic light emitting diode OLED emits light for a fourth period (4) during which the voltage of the second scan lines E1 to En maintains the low logic voltage according to the current supplied under the control of the driving device DTFT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source or the ground voltage source GND.
이 발광셀(91)의 동작을 상세히 살명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the
제1 기간(①) 동안, 제5 TFT(T54)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 턴-온된다. 제1 기간(①) 동안, 제4 TFT(T4)는 제3 스캔라인(E1~En)의 로우논리전압에 따라 온 상태를 유지한다. 제1 기간(①) 동안, 제1 내지 제3 TFT(T1~T3)는 오프 상태를 유지한다. 이 제1 제1 기간(①)은 초기화 준비기간에 해당한다. During the first period (1), the fifth TFT (T54) is turned on in response to the first scan pulse (SCAN). During the first period (1), the fourth TFT T4 maintains the on state according to the row logic voltage of the third scan lines E1 to En. During the first period (1), the first to third TFTs (T1 to T3) maintain the off state. The first first period (1) corresponds to the initialization preparation period.
제2 기간(②) 동안, N-1 번째 제2 스캔펄스(SELN-1)이 로우논리전압으로 발생되고, 그 결과 제2 기간(②) 동안, 제2 및 제3 TFT(T2, T3)은 턴-온되고 제4 및 제5 TFT(T4, T54)는 온 상태를 유지한다. 제2 기간(②) 동안, 제1 TFT(T1)는 오프 상태를 유지한다. 따라서, 제1, 제2 및 제3 노드(N1~N3)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 제2 노드(N2)는 기준전압(Vref)이 인가되는 제1 노드(N1)와의 커플링으로 초기화된다. 제2 기간(②) 동안, 제3 노드(N3)의 전압과 기저전압(GND)의 전압차가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 이하이거나 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드(OLED)의 양단에 전류가 흐르지 않는다. During the second period (2), the (N-1) -th second scan pulse SELN-1 is generated as a low logic voltage, and as a result, the second and third TFTs T2 and T3 during the second period And the fourth and fifth TFTs T4 and T54 remain on. During the second period (2), the first TFT (T1) remains off. Therefore, the first, second and third nodes N1 to N3 are initialized to the reference voltage Vref. At this time, the second node N2 is initialized by coupling with the first node N1 to which the reference voltage Vref is applied. Since the voltage difference between the voltage of the third node N3 and the ground voltage GND is lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED or the reverse bias is applied to the organic light emitting diode OLED during the second period (2) No current flows through both ends of the diode (OLED).
제3 기간(③) 동안, 하이논리전압의 발광제어펄스(EM)가 발생된다. 제3 기간(③) 동안, 제4 TFT(T4)는 하이논리전압의 발광제어펄스(EM)에 응답하여 턴-오프된다. 제3 기간(③) 동안, 제2, 제3 및 제5 TFT(T2,T3,T54)는 온 상태를 유지하고 제1 TFT(T1)는 오프 상태를 유지한다. 따라서, 구동소자(DTFT)의 게이트-소스간 전압이 스토리지 커패시터(Cst)와 부스트 커패시터(Cboost)에 저장되어 구동소자(DTFT)의 문턱전압이 샘플링된다. During the third period (3), the emission control pulse EM of the high logic voltage is generated. During the third period (3), the fourth TFT T4 is turned off in response to the emission control pulse EM of the high logic voltage. During the third period (3), the second, third and fifth TFTs (T2, T3, T54) maintain the on state and the first TFT (T1) maintains the off state. Therefore, the gate-source voltage of the driving element DTFT is stored in the storage capacitor Cst and the boost capacitor Cboost so that the threshold voltage of the driving element DTFT is sampled.
제4 기간(④) 동안, 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압으로 반전되는 반면, N-1 번째 제2 스캔라인(SELN-1)과 스캔라인(SCAN)의 전압이 하인논리전압으로 반전된다. 제4 기간(④) 동안, 제4 TFT(T4)는 턴-온되는 반면, 제2, 제3 및 제5 TFT(T1,T3,T54)는 턴-오프된다. N 번째 제2 스캔펄스(SELN)는 제4 기간(④) 내에서 N-1 번째 스캔펄스(SELN-1) 뒤에 발생된다. 제1 TFT(T1)는 N-1 번째 스캔펄스(SELN-1) 뒤에 발생되는 N 번째 스캔펄스(SELN)에 응답하여 턴온되어 데이터전압(DATAN)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)는 제4 기간(④)부터 대략 1 프레임기간 동안 발광한다. The voltages of the (N-1) th scan line SELN-1 and the scan line SCAN are inverted to the low logic voltage during the fourth period (4) Inverted to the sub-logic voltage. During the fourth period (4), the fourth TFT (T4) is turned on while the second, third and fifth TFTs (T1, T3, T54) are turned off. The Nth second scan pulse SELN is generated after the (N-1) th scan pulse SELN-1 in the fourth period (4). The first TFT T1 is turned on in response to the Nth scan pulse SELN generated after the (N-1) th scan pulse SELN-1 and supplies the data voltage DATAN to the first node N1. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light for about one frame period from the fourth period (4).
발광셀들(91)은 제1 내지 제4 기간(①~④)을 반복하여 구동소자(DTFT)의 문턱전압과 고전위 전원전압(VDD EL)을 보상하면서 구동된다. The light emitting
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 초기화 시간(①,②) 동안 제3 노드(N3)를 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 아래로 유지시킬 수 있기 때문에 그 초기화 시간 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있다. 초기화를 효과적으로 하기 위해서는 제5 TFT(T5)의 채널비(W/L)를 적당히 크게 설계할 필요가 있다. As described above, according to the present invention, since the third node N3 can be kept below the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during the initialization times (①, ②), the organic light emitting diode OLED, The contrast ratio can be increased. It is necessary to design the channel ratio (W / L) of the fifth TFT T5 to be appropriately large in order to effectively perform initialization.
도 12는 도 9에 도시된 발광셀들(91)의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. 도 12의 발광셀에서 전술한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소들에 대하여는 동일한 도면 부호를 붙이고 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. 12 is a detailed circuit diagram of a second embodiment of the light emitting
도 11 및 도 12를 참조하면, 발광셀들(91)은 제1 내지 제5 TFT(T1~T4,T55), 구동소자(DTFT), 스토리지 커패시터(Cstg), 부스트 커패시터(Cboost), 및 발광다이 오드(OLED)를 구비한다. 제1 내지 제5 TFT들(T1~T4,T55), 및 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다.11 and 12, the
제5 TFT(T55)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 제1 스캔라인(S1~Sn) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 제1 스캔라인(S1~Sn)에는 로우논리전압이 인가된다. 이 로우논리전압은 부극성 전압이다. 제5 TFT(T56)의 드레인전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극과 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T55 turns on during the first to third periods (1 to 3) in response to the first scan pulse SCAN and is turned on between the third node N3 and the first scan lines S1 to Sn Thereby forming a current path. A low logic voltage is applied to the first scan lines S1 to Sn during the first to third periods (1 to 3). This row logic voltage is a negative voltage. The drain electrode of the fifth TFT (T56) is connected to the third node (N3), and the source electrode and the gate electrode thereof are connected to the first scan line (S1 to Sn).
도 12의 발광셀(91)은 초기화 시간(①,②) 동안 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스를 인가하므로 그 초기화 시간(①,②) 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있고 유기발광다이오드(OLED)의 수명을 연장시킬 수 있다.Since the
도 13, 도 14 및 도 16은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타낸다. 도 15 및 도 17은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치의 발광셀들에 인가되는 구동 신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 도 13 내지 도 17에 도시된 유기발광다이오드 표시장치는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 공정을 이용하여 발광셀들(131)의 스위치 TFT들 중 일부를 p 타입 MOS TFT로 구현하고 다른 일부의 스위치 TFT들을 n 타입 MOS TFT로 구현한 예이다. 13, 14 and 16 show an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention. FIGS. 15 and 17 are waveform charts showing driving signal waveforms applied to the light emitting cells of the organic light emitting diode display device according to the third embodiment of the present invention. 13 to 17, a part of the switch TFTs of the light emitting
도 13을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치 는 m×n 개의 발광셀들(131)이 매트릭스 형태로 배치된 표시패널(130), 데이터전압을 데이터라인들(D1~Dm)에 공급하기 위한 데이터 구동부(133), 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 제1 스캔펄스(SCAN)를 순차적으로 공급하기 위한 제1 스캔 구동부(134), 제2 스캔라인들(R1~Rn)에 제2 스캔펄스(SR01)를 순차적으로 공급하기 위한 제2 스캔 구동부(136), 제3 스캔라인들(E1~En)에 발광제어펄스(EM1)를 순차적으로 공급하기 위한 제3 스캔 구동부(135), 및 상기 구동부들(133~136)을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러(132)를 구비한다. 13, the organic light emitting diode display device according to the fourth embodiment of the present invention includes a
발광셀들(131)은 데이터라인들(D1~Dm)과 스캔라인들(S1~Sn,R1~Rn,E1~En)의 교차로 정의된 화소 영역들에 형성된다. 표시패널(130)의 발광셀들(131)에는 도 14 및 도 16과 같이 고전위 전원전압(VDD EL), 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND), 기준전압(Vref) 등이 공통으로 공급된다. 기준전압(Vref)은 저전위 전원전압 또는 그라운드전압(GND)과의 차가 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압이 될 수 있도록 유기발광다이오드소자(OLED)의 문턱전압 미만의 전압으로 설정된다. 이 기준전압(Vref)은 유기발광다이오드(OLED)에 접속된 구동소자의 초기화시에 유기발광다이오드소자(OLED)에 역바이어스를 인가할 수 있도록 부극성 전압으로 설정될 수 있다. 이 경우에, 유기발광다이오드소자(OLED)에 주기적으로 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드소자(OLED)의 열화를 줄여 그 수명을 연장시킬 수 있다. The light emitting
발광셀들(131) 각각은 도 14 및 도 16과 같이 유기발광다이오드(OLED), 5 개 의 TFT들(T1~T4, T56, T57), 구동소자(DTFT), 및 스토리지 커패시터(Cstg) 등을 구 비한다. Each of the light emitting
데이터 구동부(133)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 아날로그 데이터전압(DATA)으로 변환하여 데이터라인들(D1 내지 Dm)에 공급한다. 데이터 구동부(133)는 제2 스캔펄스(SR01)에 동기되어 도 15와 제3 기간(③) 동안 데이터라인들(D1~Dm)에 데이터전압(Data N)을 공급한다. The
제1 스캔 구동부(134)는 도 15 및 도 17과 같이 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 제1 스캔펄스(SCAN)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 제1 스캔펄스(SCAN)를 제1 스캔라인들(S1~Sn)에 순차적으로 공급한다. 제2 스캔 구동부(136)는 도 15 및 도 17과 같이 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 제2 스캔펄스(SRO1)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 제2 스캔펄스(SRO1)를 제2 스캔라인들(R1~Rn)에 순차적으로 공급한다. 제3 스캔 구동부(135)는 도 15 및 도 17과 같이 제3 기간(③) 동안 발광제어펄스(EM)를 발생하고, 쉬프트 레지스터를 이용하여 그 발광제어펄스(EM)를 제3 스캔라인들(E1~En)에 순차적으로 공급한다.15 and 17, the
타이밍 콘트롤러(132)는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 데이터 구동부(133)에 공급하고 수직/수평 동기신호와 클럭신호 등을 이용하여 데이터 구동부(133), 스캔 구동부들(134~136)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들(CS,CG1~CG3)를 발생한다. The
도 14는 도 13에 도시된 발광셀들(131)의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 14 is a circuit diagram showing the first embodiment of the light emitting
도 14 및 도 15를 참조하면, 발광셀들(131)은 제1 내지 제5 TFT(T1~T4,T56), 구동소자(DTFT), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1, 제3 및 제5 TFT들(T1,T3,T56)은 n 타입 MOS TFT들로 구현되고, 제2 및 제4 TFT들(T2,T4)과 구동소자(DTFT)는 p 타입 MOS TFT로 구현된다. 14 and 15, the
제1 TFT(T1)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 데이터전압(DATA)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제1 TFT(T1)의 소스전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 드레인전극은 데이터라인(D1~Dm)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The first TFT T1 supplies the data voltage DATA to the first node N1 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1. The source electrode of the first TFT T1 is connected to the first node N1, and the drain electrode thereof is connected to the data lines D1 to Dm. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제2 TFT(T2)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 소스전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 드레인전극은 기준전압원(Vref)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The second TFT T2 supplies the reference voltage Vref to the first node N1 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1. The source electrode of the second TFT T2 is connected to the first node N1, and the drain electrode thereof is connected to the reference voltage source Vref. And the gate electrode of the second TFT T2 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제3 TFT(T3)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 제2 노드(N2)의 전압을 제4 TFT(T4)의 소스전극에 공급한다. 제3 TFT(T3)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 그 소스전극은 제4 TFT(T4)의 소스전극 및 구동소자(DTFT)의 드레인전극에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The third TFT T3 supplies the voltage of the second node N2 to the source electrode of the fourth TFT T4 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1 . The drain electrode of the third TFT T3 is connected to the second node N2 and its source electrode is connected to the source electrode of the fourth TFT T4 and the drain electrode of the driving element DTFT. And the gate electrode of the third TFT T3 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제4 TFT(T4)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1, 제2 및 제4 기간(①,②,④) 동안 턴-온되어 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오 드소자(OLED) 사이의 전류패스를 형성한다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)의 애노드전극에 접속되고, 그 소스전극은 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)의 드레인전극들에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제3 스캔라인(E1~En)에 접속된다.The fourth TFT T4 is turned on during the second and third periods (2, 3) in response to the light emission control pulse EM and the driving TFT DTFT, the third TFT T3, and the organic light emitting diode OLED Second, and fourth periods (1, 2, and 4) during which the current path is blocked and the voltages of the third scan lines E1 to En hold the low logic voltage to turn off the driving elements DTFT and Thereby forming a current path between the third TFT T3 and the organic light emitting diode OLED. The drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode device OLED and the source electrode thereof is connected to the driving TFT DTFT and the drain electrodes of the third TFT T3. And the gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the third scan lines E1 to En.
제5 TFT(T56)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기준 전압원(Vref) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제5 TFT(T56)의 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 드레인전극은 기준전압원(Vref)에 접속된다. 제5 TFT(T54)의 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T56 is turned on during the first to third periods (1 to 3) in response to the first scan pulse SCAN to generate a current path between the third node N3 and the reference voltage source Vref . The source electrode of the fifth TFT (T56) is connected to the third node (N3), and the drain electrode thereof is connected to the reference voltage source (Vref). A gate electrode of the fifth TFT (T54) is connected to the first scan lines (S1 to Sn).
구동소자(DTFT)는 고전위 전원전압원(VDD EL)으로부터의 전류를 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동소자(DTFT)의 드레인전극은 제3 및 제4 TFT들(T3,T4)의 소스전극들에 접속되고, 그 소스전극은 고전위 전원전압원(VDD EL)에 접속된다. 구동소자(DTFT)의 게이트전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The driving element DTFT supplies a current from the high potential power source voltage source VDD EL to the organic light emitting diode element OLED and controls the current to the gate-source voltage. The drain electrode of the driving element DTFT is connected to the source electrodes of the third and fourth TFTs T3 and T4, and the source electrode thereof is connected to the high potential power source voltage source VDD EL. The gate electrode of the driving element DTFT is connected to the second node N2.
스토리지 커패시터(Cstg)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N1) 사이에 접속되어 구동소자(DTFT)의 게이트-소스간 전압을 유지한다.The storage capacitor Cstg is connected between the first node N1 and the second node N1 to maintain the gate-source voltage of the driving element DTFT.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동소자(DTFT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제2 스캔라인 들(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제4 기간(④) 동안 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 캐소드전극은 저전위 전압원 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). The organic light emitting diode OLED emits light for a fourth period (4) during which the voltage of the second scan lines E1 to En maintains the low logic voltage according to the current supplied under the control of the driving device DTFT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source or the ground voltage source GND.
이 발광셀(131)의 동작을 상세히 살명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the
제1 기간(①) 동안, 제5 TFT(T56)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 턴-온되고 그 결과, 제3 노드(N3)의 전압은 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 제1 기간(①) 동안, 제3 노드(N3)의 전압은 기준전압원(Vref)으로 방전된다. 이 때, 기준전압(Vref)과 기저전압(GND)의 전압차가 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 이하이거나 유기발광다이오드(OLED)에 역바이어스가 인가되므로 유기발광다이오드(OLED)의 양단에 전류가 흐르지 않는다. 제1 기간(①) 동안, 제2 및 제3 스캔라인들(R1~Rn, E1~En)에는 로우논리전압이 인가된다. 따라서, 제1 기간(①) 동안 제2 및 제4 TFT(T2, T4)는 턴-온되는 반면, 제1 및 제3 TFT(T1,T3)는 턴-오프된다. During the first period (1), the fifth TFT (T56) is turned on in response to the first scan pulse (SCAN), and as a result, the voltage of the third node (N3) is initialized to the reference voltage (Vref). During the first period (1), the voltage of the third node N3 is discharged to the reference voltage source Vref. At this time, since the voltage difference between the reference voltage Vref and the ground voltage GND is equal to or lower than the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED or a reverse bias is applied to the organic light emitting diode OLED, Does not flow. During the first period (1), a low logic voltage is applied to the second and third scan lines (R1 to Rn, E1 to En). Thus, during the first period (1), the second and fourth TFTs (T2, T4) are turned on while the first and third TFTs (T1, T3) are turned off.
제2 기간(②) 동안, 제1, 내지 제3 TFT(T1~T3)의 게이트전극들에는 하이논리전압의 제2 스캔펄스(SR01)이 인가된다. 그 결과, 제1 및 제3 TFT들(T1, T3)은 턴-온되고 제2 TFT(T2)는 턴-오프된다. 제4 및 제5 TFT(T4,T5)는 온 상태를 유지한다. 제2 기간(②) 동안, 제2 및 제3 노드(N2, N3)는 기준전압(Vref)으로 초기화된다. 이 때, 제5 TFT(T56)는 온 상태를 유지하므로 제3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지한다. 유기발광다이오드(OLED)는 애노드전압이 기준전압(Vref)으로 낮기 때문에 제2 기간(②) 동안 비발광 상태를 유지한다. During the second period (2), the second scan pulse SR01 having a high logic voltage is applied to the gate electrodes of the first to third TFTs T1 to T3. As a result, the first and third TFTs T1 and T3 are turned on and the second TFT T2 is turned off. The fourth and fifth TFTs T4 and T5 maintain the ON state. During the second period (2), the second and third nodes N2 and N3 are initialized to the reference voltage Vref. At this time, since the fifth TFT (T56) maintains the on state, the third node (N3) maintains the reference voltage (Vref). The organic light emitting diode OLED maintains the non-emission state during the second period (2) because the anode voltage is low as the reference voltage Vref.
제3 기간(③) 동안, 구동소자(DTFT)의 문턱전압이 스토리지 커패시터(Cstg) 에 저장된다. 제3 기간(③) 동안, 제2 및 제4 TFT(T2,T4)는 오프 상태를 유지하고 제3 노드(N3)는 기준전압(Vref)을 유지한다. During the third period (3), the threshold voltage of the driving element DTFT is stored in the storage capacitor Cstg. During the third period (3), the second and fourth TFTs (T2, T4) maintain the off state and the third node (N3) maintains the reference voltage (Vref).
제4 기간(④) 동안, 제2 및 제4 TFT(T2,T4)는 제2 및 제3 스캔라인들(R1~Rn, E1~En)의 전압이 로우논리전압으로 반전되므로 턴-온되는 반면, 제1, 제3 및 제5 TFT(T1,T3,T5)는 턴-오프된다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)는 제4 기간(④)부터 대략 1 프레임기간 동안 발광한다. During the fourth period (4), the second and fourth TFTs (T2, T4) are turned on since the voltages of the second and third scan lines (R1 to Rn, E1 to En) On the other hand, the first, third and fifth TFTs T1, T3 and T5 are turned off. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light for about one frame period from the fourth period (4).
발광셀들(131)은 제1 내지 제4 기간(①~④)을 반복하여 구동소자(DTFT)의 문턱전압과 고전위 전원전압(VDD EL)을 보상하면서 구동된다. The light emitting
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 초기화 시간(①,②) 동안 제3 노드(N3)를 유기발광다이오드(OLED)의 문턱전압 아래로 유지시킬 수 있기 때문에 그 초기화 시간 동안 유기발광다이오드(OLED)를 비발광상태로 제어하여 명암 대비비를 높일 수 있다. 초기화를 효과적으로 하기 위해서는 제5 TFT(T5)의 채널비(W/L)를 적당히 크게 설계할 필요가 있다. As described above, according to the present invention, since the third node N3 can be kept below the threshold voltage of the organic light emitting diode OLED during the initialization times (①, ②), the organic light emitting diode OLED, The contrast ratio can be increased. It is necessary to design the channel ratio (W / L) of the fifth TFT T5 to be appropriately large in order to effectively perform initialization.
도 16은 도 13에 도시된 발광셀들(131)의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 16 is a circuit diagram showing the second embodiment of the light emitting
도 16 및 도 17을 참조하면, 발광셀들(131)은 제1 내지 제5 TFT(T1~T4,T56), 구동소자(DTFT), 스토리지 커패시터(Cstg), 및 발광다이오드(OLED)를 구비한다. 제1, 제3 및 제5 TFT들(T1,T3,T57)은 p 타입 MOS TFT들로 구현되고, 제2 및 제4 TFT들(T2,T4)과 구동소자(DTFT)는 n 타입 MOS TFT로 구현된다. 16 and 17, the
제1 TFT(T1)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 데이터전압(DATA)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제1 TFT(T1)의 소스전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 드레인전극은 데이터라인(D1~Dm)에 접속된다. 제1 TFT(T1)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The first TFT T1 supplies the data voltage DATA to the first node N1 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1. The source electrode of the first TFT T1 is connected to the first node N1, and the drain electrode thereof is connected to the data lines D1 to Dm. The gate electrode of the first TFT T1 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제2 TFT(T2)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 기준전압(Vref)을 제1 노드(N1)에 공급한다. 제2 TFT(T2)의 소스전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 그 드레인전극은 기준전압원(Vref)에 접속된다. 제2 TFT(T2)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The second TFT T2 supplies the reference voltage Vref to the first node N1 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1. The source electrode of the second TFT T2 is connected to the first node N1, and the drain electrode thereof is connected to the reference voltage source Vref. And the gate electrode of the second TFT T2 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제3 TFT(T3)는 제2 스캔펄스(SOR1)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 제2 노드(N2)의 전압을 제4 TFT(T4)의 소스전극에 공급한다. 제3 TFT(T3)의 드레인전극은 제2 노드(N2)에 접속되고, 그 소스전극은 제4 TFT(T4)의 소스전극 및 구동소자(DTFT)의 드레인전극에 접속된다. 제3 TFT(T3)의 게이트전극은 제2 스캔라인(R1~Rn)에 접속된다.The third TFT T3 supplies the voltage of the second node N2 to the source electrode of the fourth TFT T4 during the second and third periods (2, 3) in response to the second scan pulse SOR1 . The drain electrode of the third TFT T3 is connected to the second node N2 and its source electrode is connected to the source electrode of the fourth TFT T4 and the drain electrode of the driving element DTFT. And the gate electrode of the third TFT T3 is connected to the second scan lines R1 to Rn.
제4 TFT(T4)는 발광제어펄스(EM)에 응답하여 제2 및 제3 기간(②,③) 동안 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드(OLED) 사이의 전류패스를 차단하고 제3 스캔라인(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제1, 제2 및 제4 기간(①,②,④) 동안 턴-온되어 구동소자(DTFT) 및 제3 TFT(T3)와, 유기발광다이오드소자(OLED) 사이의 전류패스를 형성한다. 제4 TFT(T4)의 드레인전극은 유기발광다이오드소자(OLED)의 애노드전극에 접속되고, 그 소스전극은 구동소자(DTFT)의 드레인전극 및 제3 TFT(T3)의 소스전극에 접속된다. 제4 TFT(T4)의 게이트전극은 제3 스캔라인(E1~En)에 접속된다.The fourth TFT T4 is turned on during the second and third periods (2, 3) in response to the light emission control pulse EM and the driving TFT DTFT, the third TFT T3, and the organic light emitting diode OLED Second, and fourth periods (1, 2, and 4) during which the current path is blocked and the voltages of the third scan lines E1 to En hold the low logic voltage to turn off the driving elements DTFT and Thereby forming a current path between the third TFT T3 and the organic light emitting diode OLED. The drain electrode of the fourth TFT T4 is connected to the anode electrode of the organic light emitting diode OLED and the source electrode thereof is connected to the drain electrode of the driving TFT DTFT and the source electrode of the third TFT T3. And the gate electrode of the fourth TFT T4 is connected to the third scan lines E1 to En.
제5 TFT(T57)는 제1 스캔펄스(SCAN)에 응답하여 제1 내지 제3 기간(①~③) 동안 턴-온되어 제3 노드(N3)와 기준 전압원(Vref) 사이에 전류패스를 형성시킨다. 제5 TFT(T57)의 소스전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 소스전극은 기준전압원(Vref)에 접속된다. 제5 TFT(T54)의 게이트전극은 제1 스캔라인(S1~Sn)에 접속된다. The fifth TFT T57 is turned on during the first to third periods (1 to 3) in response to the first scan pulse SCAN to generate a current path between the third node N3 and the reference voltage source Vref . The source electrode of the fifth TFT (T57) is connected to the third node (N3), and the source electrode thereof is connected to the reference voltage source (Vref). A gate electrode of the fifth TFT (T54) is connected to the first scan lines (S1 to Sn).
구동소자(DTFT)는 고전위 전원전압원(VDD EL)으로부터의 전류를 유기발광다이오드소자(OLED)에 공급하고, 그 전류를 게이트-소스간 전압으로 제어한다. 구동소자(DTFT)의 드레인전극은 제3 및 제4 TFT들(T3,T4)의 소스전극들에 접속되고, 그 소스전극은 고전위 전원전압원(VDD EL)에 접속된다. 구동소자(DTFT)의 게이트전극은 제2 노드(N2)에 접속된다. The driving element DTFT supplies a current from the high potential power source voltage source VDD EL to the organic light emitting diode element OLED and controls the current to the gate-source voltage. The drain electrode of the driving element DTFT is connected to the source electrodes of the third and fourth TFTs T3 and T4, and the source electrode thereof is connected to the high potential power source voltage source VDD EL. The gate electrode of the driving element DTFT is connected to the second node N2.
스토리지 커패시터(Cstg)는 제1 노드(N1)와 제2 노드(N1) 사이에 접속되어 구동소자(DTFT)의 게이트-소스간 전압을 유지한다.The storage capacitor Cstg is connected between the first node N1 and the second node N1 to maintain the gate-source voltage of the driving element DTFT.
유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에는 다층의 유기 화합물층이 형성된다. 유기 화합물층은 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL) 및 전자주입층(EIL)을 포함한다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동소자(DTFT)의 제어 하에 공급되는 전류에 따라 제2 스캔라인들(E1~En)의 전압이 로우논리전압을 유지하는 제4 기간(④) 동안 발광한다. 유기발광다이오드(OLED)의 애노드전극은 제3 노드(N3)에 접속되고, 그 캐소드전극은 저전위 전압원 또는 기저전압원(GND)에 접속된다. A multilayer organic compound layer is formed between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode (OLED). The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer (EIL). The organic light emitting diode OLED emits light for a fourth period (4) during which the voltage of the second scan lines E1 to En maintains the low logic voltage according to the current supplied under the control of the driving device DTFT. The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the third node N3, and the cathode electrode thereof is connected to the low potential voltage source or the ground voltage source GND.
이 발광셀(131)의 동작은 전술한 도 14 및 도 15와 실질적으로 동일하므로 그에 대한 상세한 설명을 생략하기로 한다. The operation of the
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블록도이다. 1 is a block diagram showing an organic light emitting diode display device according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 발광셀의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 2 is a circuit diagram showing the first embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 1 in detail.
도 3은 도 2, 도 4 및 도 5에 도시된 발광셀의 구동신호 파형을 보여 주는 파형도이다. FIG. 3 is a waveform diagram showing driving signal waveforms of the light emitting cells shown in FIG. 2, FIG. 4, and FIG.
도 4는 도 1에 도시된 발광셀의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 1 in detail.
도 5는 도 1에 도시된 발광셀의 제3 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 1 in detail.
도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블록도이다. 6 is a block diagram showing an organic light emitting diode display device according to a second embodiment of the present invention.
도 7은 도 6에 도시된 발광셀을 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 7 is a circuit diagram showing the light emitting cell shown in FIG. 6 in detail.
도 8은 도 7에 도시된 발광셀에 인가되는 구동 신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 8 is a waveform diagram showing a drive signal waveform applied to the light emitting cell shown in FIG.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블록도이다. 9 is a block diagram showing an organic light emitting diode display device according to a third embodiment of the present invention.
도 10은 도 9에 도시된 발광셀의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 10 is a circuit diagram showing the first embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 9 in detail.
도 11은 도 10 및 도 12에 도시된 발광셀의 구동신호 파형을 보여 주는 파형도이다. FIG. 11 is a waveform diagram showing driving signal waveforms of the light emitting cells shown in FIGS. 10 and 12. FIG.
도 12는 도 10에 도시된 발광셀의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이 다. FIG. 12 is a circuit diagram showing the second embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 10 in detail.
도 13은 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타낸다. 13 shows an organic light emitting diode display device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 14는 도 13에 도시된 발광셀의 제1 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 14 is a circuit diagram showing the first embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 13 in detail.
도 15는 도 14에 도시된 발광셀의 구동신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 15 is a waveform diagram showing a driving signal waveform of the light emitting cell shown in FIG.
도 16은 도 13에 도시된 발광셀의 제2 실시예를 상세히 보여 주는 회로도이다. FIG. 16 is a circuit diagram showing a second embodiment of the light emitting cell shown in FIG. 13 in detail.
도 17은 도 16에 도시된 발광셀의 구동신호 파형을 보여 주는 파형도이다. 17 is a waveform diagram showing a driving signal waveform of the light emitting cell shown in FIG.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art
10, 60, 90, 130 : 표시패널 10, 60, 90, 130: display panel
11, 61, 91, 131 : 발광셀11, 61, 91, 131: light emitting cells
12, 62, 92, 132 : 타이밍 콘트롤러12, 62, 92, 132: timing controller
13, 63, 93, 133 : 데이터 구동부13, 63, 93, 133:
14~16, 64, 65, 94~96, 134~136 : 스캔 구동부14 to 16, 64, 65, 94 to 96, and 134 to 136:
T1~T5, T51~T57, DTFT : TFTT1 to T5, T51 to T57, DTFT: TFT
Cstg, Cboost : 스토리지 커패시터Cstg, Cboost: storage capacitor
OLED : 발광다이오드OLED: Light emitting diode
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