KR101462602B1 - Wafer mapping device and method using the same - Google Patents

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지근희
권중길
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주식회사 에스에프에이
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Abstract

A wafer mapping device includes a light emitting sensor mounted to a first arm of a robot arm to emit light in a direction perpendicular to a moving direction of a wafer; a light receiving sensor mounted to a second arm of the robot arm and receiving the passing light changed according to a state of the wafer among the light emitted from the light emitting sensor to output a detection signal corresponding to the received passing light; and a wafer discriminating block for discriminating the state of the wafer as any one of states by use of the detection signal. The light emitting sensor and the light receiving sensor have a given slope relative to a horizontal direction.

Description

웨이퍼 맵핑 장치와 이의 동작 방법{WAFER MAPPING DEVICE AND METHOD USING THE SAME}[0001] DESCRIPTION [0002] WAFER MAPPING DEVICE AND METHOD USING THE SAME [0003]

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 웨이퍼 맵핑 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 카세트에 탑재된 웨이퍼의 정렬 상태를 판단할 수 있는 장치와 상기 장치의 동작 방법에 관한 것이다.An embodiment according to the concept of the present invention relates to a wafer mapping apparatus, and more particularly to a device capable of judging an alignment state of a wafer mounted on a wafer cassette and a method of operating the apparatus.

반도체 제조 공정에서, 웨이퍼(wafer)는 일반적으로 웨이퍼 카세트에 탑재되어 다른 공정 또는 다른 장치로 이동한다. 상기 웨이퍼를 반송하거나 처리하려면, 상기 웨이퍼를 웨이퍼 카세트로부터 가져와야 하는데, 불필요한 이송을 방지하기 위해 웨이퍼 맵핑 작업이 선행되어야 한다.In a semiconductor manufacturing process, wafers are typically loaded onto wafer cassettes and transferred to other processes or other devices. In order to carry or process the wafer, the wafer must be taken from the wafer cassette, and a wafer mapping operation must be performed to prevent unnecessary transfer.

웨이퍼 맵핑 작업이란 웨이퍼 카세트에 탑재된 웨이퍼의 정렬 상태를 판단하는 것으로서, 기존의 방식은 광신호나 직접반사 타입의 레이저 센서를 사용하여 웨이퍼 카세트 내의 웨이퍼가 존재하는지의 여부만을 판단하였다.The wafer mapping operation is used to determine the alignment state of wafers mounted on a wafer cassette. In the conventional method, only optical signals or direct reflection type laser sensors were used to determine whether wafers existed in the wafer cassette.

기존의 방식은 웨이퍼 카세트 내에 웨이퍼가 있더라도 상기 웨이퍼가 비정상적으로 탑재된 경우, 예를 들어 하나의 웨이퍼 카세트 슬롯에 두 장 이상의 웨이퍼가 겹쳐져 탑재되거나, 웨이퍼가 웨이퍼 카세트의 서로 다른 슬롯에 걸쳐지거나, 웨이퍼가 웨이퍼 카세트로부터 돌출되어 있는 경우에 대해서는 판별하는데 어려움이 있다. In the conventional method, even if there is a wafer in the wafer cassette, if the wafer is abnormally mounted, for example, two or more wafers may be stacked on one wafer cassette slot, the wafer may span different slots of the wafer cassette, Is protruded from the wafer cassette.

본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 일정한 경사도를 갖는 발광 센서와 수광 센서를 이용하여, 웨이퍼 카세트에 웨이퍼의 탑재 유무뿐 아니라 상기 웨이퍼의 상태가 정상, 겹침, 걸침, 또는 돌출일 때를 판별할 수 있는 장치와 상기 장치의 동작 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a wafer cassette which is capable of discriminating whether or not a wafer is mounted on the wafer cassette and the state of the wafer is normal, overlapped, straddled, And a method of operating the device.

본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치는 로봇 암(arm)의 제1암에 장착되고 웨이퍼의 이동 방향과 수직 방향으로 광을 방출하는 발광 센서와, 상기 로봇 암의 제2암에 장착되고 상기 발광 센서로부터 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼의 상태에 따라 변경된 통과 광을 수신하고 수신된 통과 광에 상응하는 검출 신호를 출력하는 수광 센서와, 상기 검출 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 상태를 복수의 상태들 중에서 하나의 상태로 판별하는 웨이퍼 판별 블록을 포함하고, 상기 발광 센서와 상기 수광 센서는 수평 방향을 기준으로 일정한 경사도를 갖는다.A wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention includes a light emitting sensor mounted on a first arm of a robot arm and emitting light in a direction perpendicular to a moving direction of the wafer, A light receiving sensor for receiving a light passing through the light emitted from the light emitting sensor in accordance with the state of the wafer and outputting a detection signal corresponding to the received light passing through the light receiving sensor, The light emitting sensor and the light receiving sensor have a predetermined inclination with respect to the horizontal direction.

상기 경사도는 0.3도 내지 0.8도일 수 있다.The inclination may be 0.3 to 0.8 degrees.

상기 통과 광은 상기 광 중에서 상기 웨이퍼에 의해 차단된 광, 상기 웨이퍼의 길이, 상기 경사도, 및 상기 웨이퍼의 두께에 따라 결정될 수 있다.The passing light may be determined according to light blocked by the wafer among the light, the length of the wafer, the inclination, and the thickness of the wafer.

상기 복수의 상태들은 정상 상태와 비정상 상태를 포함하고, 상기 정상 상태에서의 상기 통과 광은 상기 비정상 상태에서의 상기 통과 광보다 많다.The plurality of states include a steady state and an abnormal state, and the passing light in the steady state is larger than the passing light in the abnormal state.

상기 복수의 상태들은 정상 상태와 비정상 상태를 포함하고, 상기 비정상 상태는 부재 상태, 돌출 상태, 겹침 상태, 및 걸침 상태 중 하나의 상태이다.The plurality of states include a normal state and an abnormal state, and the abnormal state is one of a member state, a protruding state, an overlap state, and a straddling state.

상기 웨이퍼 판별 블록은 상기 검출 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환기와, 상기 디지털 신호를 해석하고 해석의 결과에 기초하여 상기 웨이퍼의 상태를 상기 복수의 상태들 중에서 상기 하나의 상태로 판별하는 디지털 신호 프로세서를 포함한다.Wherein the wafer discrimination block comprises an analog-to-digital converter for converting the detection signal into a digital signal, and a controller for analyzing the digital signal and determining the state of the wafer as the one of the plurality of states based on a result of the analysis Digital signal processor.

상기 웨이퍼 맵핑 장치는 상기 디지털 신호를 해석하고 해석의 결과에 기초하여 상기 로봇 암을 제어하는 로봇 제어 블록을 더 포함한다.The wafer mapping apparatus further includes a robot control block that analyzes the digital signal and controls the robot arm based on a result of the analysis.

본 발명의 실시 예에 따른 로봇 암의 제1암에 장착된 발광 센서와 상기 로봇 암의 제2암에 장착된 수광 센서를 이용하여 웨이퍼의 상태를 판별하는 방법은, 상기 수광 센서를 이용하여, 상기 발광 센서로부터 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼의 상태에 따라 변경된 통과 광을 수신하고 수신된 통과 광에 상응하는 검출 신호를 출력하는 단계와, 상기 검출 신호를 디지털 신호로 변환하는 단계와, 상기 디지털 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 상태를 복수의 상태들 중에서 하나의 상태로 판별하는 단계를 포함하고, 상기 발광 센서와 상기 수광 센서는 수평 방향을 기준으로 일정한 경사도를 갖는다.A method of determining the state of a wafer using a light emitting sensor mounted on a first arm of a robot arm and a light receiving sensor mounted on a second arm of the robot arm according to an embodiment of the present invention, Receiving the light passing through the light emitted from the light emitting sensor according to the state of the wafer and outputting a detection signal corresponding to the received light; converting the detection signal into a digital signal; And determining the state of the wafer as one of a plurality of states, wherein the light emitting sensor and the light receiving sensor have a predetermined inclination with respect to a horizontal direction.

본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치는 웨이퍼 카세트에 탑재된 웨이퍼의 상태를 복수의 상태들 중에서 어느 하나의 상태로 구체적으로 판별하여 상기 웨이퍼의 반송을 위한 로봇의 불필요한 이동을 방지할 수 있다.The wafer mapping apparatus according to the embodiment of the present invention can specifically identify the state of the wafer mounted on the wafer cassette from any one of a plurality of states to prevent unnecessary movement of the robot for transporting the wafer.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치는 웨이퍼 카세트 내에 탑재된 웨이퍼의 상태를 디지털 신호를 이용하여 복수의 상태들 중에서 어느 하나의 상태로 정확하게 판별하여 상기 웨이퍼의 손실과 상기 웨이퍼 맵핑 장치의 고장을 감소시킬 수 있다. The wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention accurately identifies a state of a wafer mounted in a wafer cassette to any one of a plurality of states using a digital signal, The failure can be reduced.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼와 로봇 암을 나타낸 도면이다.
도 3의 (a)와 도 3의 (b)는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼가 정상 상태일 때의 센서와 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.
도 4의 (a)와 도 4의 (b)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 웨이퍼가 겹침 상태일 때의 센서와 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.
도 5의 (a), 도 5의 (b), 및 도 5의 (c)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 웨이퍼가 걸침 상태일 때의 센서와 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.
도 6의 (a)와 도 6의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 웨이퍼가 돌출 상태일 때의 센서와 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.
도 7은 웨이퍼의 상태에 따른 수신 광을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치의 블록도이다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 맵핑 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우차트(flowchart)이다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to more fully understand the drawings recited in the detailed description of the present invention, a detailed description of each drawing is provided.
1 is a perspective view of a wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a wafer and a robot arm according to an embodiment of the present invention.
3 (a) and 3 (b) are a front view and a plan view showing the arrangement of a sensor and a wafer when the wafer is in a steady state according to an embodiment of the present invention.
4 (a) and 4 (b) are a front view and a plan view showing the arrangement of the sensor and the wafer when the wafer is in the overlapped state according to another embodiment of the present invention.
FIGS. 5A, 5B and 5C are a front view and a plan view showing the arrangement of a sensor and a wafer when the wafer is stuck in accordance with another embodiment of the present invention .
6 (a) and 6 (b) are a front view and a plan view showing the arrangement of a sensor and a wafer when the wafer is in a protruding state according to another embodiment of the present invention.
7 is a graph showing a received light according to the state of the wafer.
8 is a block diagram of a wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention.
9 is a flowchart for explaining an operation method of the wafer mapping apparatus shown in FIG.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.It is to be understood that the specific structural or functional description of embodiments of the present invention disclosed herein is for illustrative purposes only and is not intended to limit the scope of the inventive concept But may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments set forth herein.

본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.The embodiments according to the concept of the present invention can make various changes and can take various forms, so that the embodiments are illustrated in the drawings and described in detail herein. It should be understood, however, that it is not intended to limit the embodiments according to the concepts of the present invention to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, or alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1구성 요소는 제2구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2구성 요소는 제1구성 요소로도 명명될 수 있다.The terms first, second, etc. may be used to describe various elements, but the elements should not be limited by the terms. The terms may be named for the purpose of distinguishing one element from another, for example, without departing from the scope of the right according to the concept of the present invention, the first element may be referred to as a second element, The component may also be referred to as a first component.

어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between. Other expressions that describe the relationship between components, such as "between" and "between" or "neighboring to" and "directly adjacent to" should be interpreted as well.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there are features, numbers, steps, operations, elements, parts or combinations thereof described herein, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 이하, 본 명세서에 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 상세히 설명한다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the meaning of the context in the relevant art and, unless explicitly defined herein, are to be interpreted as ideal or overly formal Do not. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings attached hereto.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치의 사시도이다. 1 is a perspective view of a wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 웨이퍼 맵핑 장치(10) 또는 웨이퍼 상태 판별 장치(10)는 로봇 암(20), 발광 센서(30), 및 수광 센서(40)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the wafer mapping apparatus 10 or the wafer state determination apparatus 10 may include a robot arm 20, a light emission sensor 30, and a light reception sensor 40.

도 1의 (a)를 참조하면, 로봇 암(20)은 서로 대향하는 위치에 구현된 제1암 (20-1)과 제2암(20-2)을 포함할 수 있고, 제1암(20-1)에는 발광 센서(30)가 장착될 수 있고, 제2암(20-2)에는 수광 센서(40)가 장착될 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 제1암(20-1)에는 수광 센서(40)가 장착될 수 있고, 제2암(20-2)에는 발광 센서 (30)가 장착될 수 있다.1 (a), the robot arm 20 may include a first arm 20-1 and a second arm 20-2, which are disposed at mutually opposing positions, The light emitting sensor 30 may be mounted on the first arm 20-1 and the light receiving sensor 40 may be mounted on the second arm 20-2. According to another embodiment, the light receiving sensor 40 may be mounted on the first arm 20-1 and the light emitting sensor 30 may be mounted on the second arm 20-2.

도 1의 (b)를 참조하면, 웨이퍼 카세트(60)는 웨이퍼(70)를 수직 방향으로 적재할 수 있도록 구현할 수 있다. 웨이퍼 카세트(60)는 웨이퍼(70)를 수용할 수 있을 정도의 용적을 갖는 용기이고, 상기 용기의 측면에 웨이퍼(70)의 측면부를 지지할 수 있도록 형성된 슬롯(slot)이 구현될 수 있다.Referring to FIG. 1 (b), the wafer cassette 60 can be implemented so that the wafer 70 can be vertically stacked. The wafer cassette 60 is a container having a volume enough to accommodate the wafer 70 and a slot formed so as to support the side surface of the wafer 70 on the side surface of the container.

로봇 암(20)은 웨이퍼 카세트(60)에 적재된 웨이퍼(70)와 인접한 위치에 구현되고, 웨이퍼(70)의 적재 방향으로 이동할 수 있다. 제1암(20-1)과 제2암(20-2)은 웨이퍼(70)가 적재되어 있을 때 웨이퍼(70)와 충돌하지 않도록 위치할 수 있다. The robot arm 20 is implemented at a position adjacent to the wafer 70 loaded on the wafer cassette 60 and can move in the loading direction of the wafer 70. [ The first arm 20-1 and the second arm 20-2 can be positioned so as not to collide with the wafer 70 when the wafer 70 is loaded.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼와 로봇 암을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a wafer and a robot arm according to an embodiment of the present invention.

발광 센서(30)는 광신호를 방출할 수 있고, 본 발명의 실시 예에 따라 상기 광 신호는 레이저 빔일 수 있다. 상기 광신호의 종류와 폭(width)은 실시 예들에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The light emitting sensor 30 may emit an optical signal, and the optical signal may be a laser beam according to an embodiment of the present invention. The type and width of the optical signal may be variously changed according to the embodiments.

수광 센서(40)는 발광 센서(30)로부터 방출된 광(또는 광신호) 중에서 웨이퍼(70)의 위치에 따라 변경된 통과 광을 수신할 수 있다.The light receiving sensor 40 can receive the changed passing light according to the position of the wafer 70 among the light (or optical signal) emitted from the light emitting sensor 30. [

웨이퍼(70)의 폭(또는 두께)은 상기 광신호의 폭보다 작을 수 있고, 본 발명의 실시 예에 따라, 광신호의 폭은 5mm일 수 있고, 웨이퍼(70)의 폭은 0.7mm 일 수 있으나 이는 예시적인 실시 예에 불과하므로 상기의 수치들은 실시 예들에 따라 다양하게 변경될 수 있다. The width (or thickness) of the wafer 70 may be less than the width of the optical signal, and according to an embodiment of the present invention, the width of the optical signal may be 5 mm and the width of the wafer 70 may be 0.7 mm However, since this is only an exemplary embodiment, the above-mentioned numerical values can be variously changed according to the embodiments.

도 3의 (a)와 도 3의 (b)는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼가 정상 상태일 때의 센서들과 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.3 (a) and 3 (b) are a front view and a plan view showing the arrangement of sensors and wafers when the wafer is in a steady state according to an embodiment of the present invention.

웨이퍼(70)의 정상 상태일 때란, 웨이퍼 카세트(60)의 슬롯에 웨이퍼(70)가 정상적으로 적재되어 있는 경우를 의미한다.When the wafer 70 is in the steady state, it means that the wafer 70 is normally loaded in the slot of the wafer cassette 60.

도 3의 (a) 및 도 3의 (b)를 참조하면, 광이 입사될 수 있는 웨이퍼(70)의 길이는 l이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)는 수평 방향, 예컨대 수평 방향으로 위치하는 웨이퍼(70)를 기준으로 a1°기울어져 있을 수 있다.3 (a) and 3 (b), the length of the wafer 70 on which light can be incident is 1, and the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are arranged in a horizontal direction, Direction relative to the wafer 70 positioned in the < RTI ID = 0.0 > direction. ≪ / RTI >

상술한 바와 같이, 로봇 암(20)은 서로 대향하는 위치에 구현된 제1암(20-1)과 제2암(20-2)을 포함할 수 있고, 제1암(20-1)에는 발광 센서(30)가 장착될 수 있고, 제2암(20-2)에는 수광 센서(40)가 장착될 수 있다. 다른 실시 예에 따라, 제1암(20-1)에는 수광 센서(40)가 장착되고 제2암(20-2)에는 발광 센서(30)가 장착될 수도 있다.As described above, the robot arm 20 may include a first arm 20-1 and a second arm 20-2, which are disposed at mutually opposing positions, and the first arm 20-1 The light emitting sensor 30 can be mounted, and the light receiving sensor 40 can be mounted on the second arm 20-2. According to another embodiment, the light receiving sensor 40 may be mounted on the first arm 20-1 and the light emitting sensor 30 may be mounted on the second arm 20-2.

본 명세서에서 차단 광(pt1)은 발광 센서(30)로부터 방출된 광신호가 웨이퍼 (70)에 의해 반사(또는 차단)되어 수광 센서(40)로 입사되지 않는 광신호, 광신호의 양, 또는 광신호의 폭을 의미할 수 있다.The blocking light pt1 is an optical signal in which the optical signal emitted from the light emitting sensor 30 is reflected (or blocked) by the wafer 70 and is not incident on the light receiving sensor 40, It can mean the width of the signal.

또한, 통과 광은 발광 센서(30)로부터 방출된 광신호가 웨이퍼(70)에 의해 반사(또는 차단)되지 않고 수광 센서(40)로 입사되는 광신호, 광신호의 양, 또는 광신호의 폭을 의미할 수 있다. 따라서, 발광 센서(30)로부터 출력된 광은 차단 광과 통과 광을 포함한다.The passing light is reflected by the optical signal emitted from the light emitting sensor 30 without being reflected (or blocked) by the wafer 70 and reflected by the light receiving sensor 40, the amount of the optical signal, It can mean. Accordingly, the light output from the light emission sensor 30 includes the blocking light and the passing light.

차단 광(pt1)은, 웨이퍼(70)가 정상 상태일 때, 수학식 1로 정의될 수 있다.The blocking light pt1 can be defined by Equation (1) when the wafer 70 is in a normal state.

[수학식 1][Equation 1]

pt1 = l * sin(a1) + tpt1 = l * sin (a1) + t

여기서, pt1은 차단 광이고, l은 웨이퍼(70)의 길이이고, a1은 발광 센서 (30)와 수광 센서(40)의 기울기이고, t는 웨이퍼(70)의 폭이다.Here, pt1 is the blocking light, 1 is the length of the wafer 70, a1 is the slope of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40, and t is the width of the wafer 70.

수학식 1에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이(l)가 149.67mm이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기(a1)가 0.5도이고, 웨이퍼(70)의 두께(t)가 0.8mm일 때, 차단 광(pt1)은 2.11mm 임을 알 수 있다.The length l of the wafer 70 on which the light is incident is 149.67 mm and the inclination a1 of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 is 0.5 deg. When the thickness t is 0.8 mm, the blocking light pt1 is 2.11 mm.

웨이퍼(70)가 부재 상태일 때, 본 발명의 실시 예에 따라, 웨이퍼(70)에 의해 반사되는 광이 없으므로, 차단 광(pt1)이 0mm임을 알 수 있다.When the wafer 70 is absent, according to the embodiment of the present invention, since there is no light reflected by the wafer 70, it can be seen that the blocking light pt1 is 0 mm.

도 4의 (a) 및 도 4의 (b)는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 웨이퍼(70)가 겹침 상태일 때의 센서들과 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.4A and 4B are a front view and a plan view showing the arrangement of the sensors and the wafers when the wafers 70 are in the overlapped state according to another embodiment of the present invention.

웨이퍼(70)의 겹침 상태일 때란, 비정상 상태의 일 실시 예로서, 웨이퍼 카세트(60)의 슬롯에 웨이퍼(70)가 두 장 이상 적재되어 있는 경우를 말한다.When the wafer 70 is in the overlapping state, it refers to a case where two or more wafers 70 are stacked in the slots of the wafer cassette 60 as an example of the abnormal state.

도 3, 도 4의 (a), 및 도 4의 (b)를 참조하면, 웨이퍼(70)의 길이는 l이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)는 웨이퍼(70)를 기준으로 a1°기울어져 있을 수 있다.Referring to FIGS. 3, 4A and 4B, the length of the wafer 70 is 1, and the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are arranged on the basis of the wafer 70 a1 °.

차단 광(pt2)은, 도 3의 차단 광(pt1)과 비교할 때, 웨이퍼(70)가 한 장 더 증가함에 따라 차단되는 광신호의 폭이 증가할 수 있다. The blocking light pt2 may increase the width of the optical signal that is blocked as the wafer 70 increases by one more as compared with the blocking light pt1 of Fig.

차단 광(pt2)은, 웨이퍼(70)가 겹침 상태일 때, 수학식 2로 정의될 수 있다.The blocking light pt2 can be defined by equation (2) when the wafer 70 is in the overlapping state.

[수학식 2]&Quot; (2) "

pt2 = l * sin(a1) + 2tpt2 = l * sin (a1) + 2t

여기서, pt2은 차단 광이고, l은 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이이고, a1은 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기이고, t는 웨이퍼(70)의 폭일 수 있다.Where a1 is the slope of the light emission sensor 30 and the slope of the light receiving sensor 40 and t is the width of the wafer 70. In this case, pt2 is the blocking light, l is the length of the wafer 70 on which the light is incident,

수학식 2에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이(l)가 149.67mm이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기(a1)가 0.5도이고, 웨이퍼(70)의 두께(t)가 0.8mm일 때, 차단 광(pt2)은 2.91mm 임을 알 수 있다. 도 3의 웨이퍼(70)가 정상 상태일 때의 차단 광(pt1)과 비교할 때, 웨이퍼(70)가 겹칩 상태일 때 차단 광(pt2)이 증가하는 것을 알 수 있다. The length l of the wafer 70 on which the light is incident is 149.67 mm and the inclination a1 of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 is 0.5 deg. When the thickness t is 0.8 mm, the blocking light pt2 is 2.91 mm. It can be seen that the blocking light pt2 increases when the wafer 70 is in the stacked state as compared with the blocking light pt1 when the wafer 70 shown in Fig. 3 is in the steady state.

도 5의 (a), 도 5의 (b), 및 도 5의 (c)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 웨이퍼가 걸침 상태일 때의 센서들과 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.5A, 5B and 5C are a front view and a plan view showing the arrangement of the sensors and the wafers when the wafers are in the staggered state according to another embodiment of the present invention. to be.

웨이퍼(70)의 걸침 상태일 때란, 비정상 상태의 일 실시 예로서, 웨이퍼 카세트(60)의 두 개 이상의 서로 다른 슬롯들에 웨이퍼(70)가 적재되어 있는 경우를 의미한다.When the wafer 70 is stuck, it means that the wafer 70 is loaded in two or more different slots of the wafer cassette 60 in an abnormal state.

도 5의 (a), 도 5의 (b), 및 도 5의 (c)를 참조하면, 도 5의 (a)는 발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 방향과 반대 방향으로 웨이퍼(70)가 걸쳐진 경우이고, 도 5의 (b)는 발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 방향과 같은 방향으로 웨이퍼(70)가 걸쳐진 경우일 수 있다.5A, 5A, 5B and 5C are views showing a state in which the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are disposed in a direction opposite to the tilting direction 5B shows a case where the wafer 70 is spread in the same direction as the direction in which the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are tilted.

광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이는 l이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)는 웨이퍼(70)를 기준으로, 도 5의 (a)에서는 a2°기울어져 있고, 도 5의 (b)에서는 a3°기울어져 있을 수 있다.The length of the wafer 70 on which the light is incident is 1 and the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are inclined at an angle of a 2 with respect to the wafer 70 in FIG. (b), it may be inclined a3 °.

발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 방향과 같은 방향으로 웨이퍼 (70)가 걸쳐진 경우(도 5의 (b))의 각도(a2°)는 발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 방향과 반대 방향으로 웨이퍼(70)가 걸쳐진 경우(도 5의 (a))의 각도(a3°)보다 클 수 있다.The angle a2 of the case where the wafer 70 is stretched in the same direction as the direction in which the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are tilted can be detected by the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor (A3 of Fig. 5 (a)) when the wafer 70 is stretched in the direction opposite to the tilting direction of the wafer 70 (Fig. 5 (a)).

차단 광(pt3)은 도 3의 차단 광(pt1)과 비해 웨이퍼(70)가 발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 반대 방향으로 서로 다른 슬롯에 적재됨에 따라 차단되는 광신호의 폭이 증가할 수 있다.The blocking light pt3 is shielded by the light 70 from the blocking light pt1 of FIG. 3 due to the fact that the wafer 70 is placed in different slots in the opposite direction in which the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are inclined The width can be increased.

차단 광(pt4)은 도 3의 차단 광(pt1)과 비해 웨이퍼(70)가 발광 센서(30)와 수광 센서(40)가 기울어진 방향으로 서로 다른 슬롯에 적재됨에 따라 차단되는 광이 증가될 수 있다.The blocking light pt4 is increased as the wafer 70 is placed in different slots in the direction in which the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are tilted as compared with the blocking light pt1 of FIG. .

차단 광(pt3)은, 웨이퍼(70)가 걸침 상태일 때, 수학식 3으로 정의될 수 있다.The blocking light pt3 can be defined by equation (3) when the wafer 70 is in the staggered state.

[수학식 3]&Quot; (3) "

pt3 = l * sin(a2) + tpt3 = l * sin (a2) + t

여기서 pt3는 차단 광이고, l은 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이이고, a2는 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기이고, t는 웨이퍼(70)의 두께일 수 있다.Here, pt3 is the blocking light, 1 is the length of the wafer 70 on which the light is incident, a2 is the slope of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40, and t is the thickness of the wafer 70.

수학식 3에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이(l)가 149.67mm이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기(a2)가 1.41°이고, 웨이퍼의 두께(t)가 0.8mm일 때, 차단 광(pt3)은 4.48mm임을 알 수 있다.The length l of the wafer 70 on which the light is incident is 149.67 mm and the slope a2 of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 is 1.41 deg. ) Is 0.8 mm, the blocking light pt3 is 4.48 mm.

차단 광(pt4)은, 웨이퍼(70)가 걸침 상태일 때, 수학식 4로 정의될 수 있다.The blocking light pt4 can be defined by the following equation (4) when the wafer 70 is stuck.

[수학식 4]&Quot; (4) "

pt4 = l * sin(a3) + tpt4 = l * sin (a3) + t

여기서, pt4는 차단 광이고, l은 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이이고, a3은 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기이고, t는 웨이퍼(70)의 두께일 수 있다.Where a3 is the slope of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 and t is the thickness of the wafer 70 .

수학식 4에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이(l)가 149.67mm이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기(a3)가 2.41°이고, 웨이퍼의 두께(t)가 0.8mm일 때, 차단 광(pt4)은 7.09mm임을 알 수 있다.The length l of the wafer 70 on which the light is incident is 149.67 mm and the slope a3 of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 is 2.41 deg. ) Is 0.8 mm, the blocking light pt4 is 7.09 mm.

도 6의 (a) 및 도 6의 (b)는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 웨이퍼가 돌출 상태일 때의 센서들과 웨이퍼의 배치를 나타낸 정면도 및 평면도이다.6 (a) and 6 (b) are a front view and a plan view showing the arrangement of sensors and wafers when the wafer is in a protruding state according to another embodiment of the present invention.

웨이퍼(70)의 돌출 상태일 때란, 비정상 상태의 일 실시 예로서, 웨이퍼(70)가 웨이퍼 카세트(60)에 적재되어 있으나, 웨이퍼(70)의 일부분이 웨이퍼 카세트 (60)의 외부로 돌출되어 있는 경우를 말한다.The wafer 70 is mounted on the wafer cassette 60 as an example of the abnormal state when the wafer 70 is in the protruded state but a part of the wafer 70 protrudes out of the wafer cassette 60 If there is.

도 3, 도 6의 (a), 및 도 6의 (b)를 참조하면, 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이는 l이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)는 웨이퍼(70)를 기준으로 a1°기울어져 있을 수 있다.3, 6A and 6B, the length of the wafer 70 on which light is incident is 1, and the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 are disposed on the wafer 70 ) With respect to each other.

실선으로 도시된 웨이퍼(70)가 정상 상태의 웨이퍼이고, 점선으로 도시된 웨이퍼(70')가 돌출 상태의 웨이퍼이다.The wafer 70 shown by a solid line is a wafer in a steady state, and the wafer 70 'shown by a dotted line is a wafer in a protruding state.

돌출 정도(e)는 돌출 상태일 때의 웨이퍼(70')가 정상 상태일 때의 웨이퍼 (70)보다 돌출되는 거리를 의미한다.The degree of protrusion (e) refers to the distance protruding from the wafer 70 when the wafer 70 'is in the normal state in the protruding state.

웨이퍼(70)가 돌출되는 경우, 광이 입사되는 웨이퍼의 길이는 l' 이고, 정상상태에서 광이 입사되는 웨이퍼의 길이(l)보다 클 수 있다. When the wafer 70 is projected, the length of the wafer on which light is incident is 1 ', which may be greater than the length l of the wafer on which light is incident in a steady state.

차단 광(pt5)은, 웨이퍼(70)가 돌출 상태일 때, 수학식 5로 정의될 수 있다.The blocking light pt5 can be defined by equation (5) when the wafer 70 is in the protruding state.

[수학식 5]&Quot; (5) "

Figure 112013089307410-pat00001
Figure 112013089307410-pat00001

pt5 = l' * sin(a1) + tpt5 = l '* sin (a1) + t

여기서, pt5는 차단 광이고, l'은 광이 입사되는 웨이퍼(70)의 길이이고, a1는 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기이고, t는 웨이퍼(70)의 두께이고, e는 돌출 정도이고, r은 웨이퍼(70)의 반지름이고, d는 웨이퍼(70)의 중심에서 광까지의 수선일 수 있다.Where a1 is the slope of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40, t is the thickness of the wafer 70, pt5 is the cut-off light, l 'is the length of the wafer 70 on which light is incident, e is the degree of protrusion, r is the radius of the wafer 70, and d can be the waterline from the center of the wafer 70 to the light.

차단 광(pt5)은 도 3의 차단 광(pt)과 비해 웨이퍼(70)가 돌출됨에 따라 차단되는 광이 증가할 수 있다.The blocking light pt5 may increase the amount of light blocked by the protrusion of the wafer 70 as compared with the blocking light pt of FIG.

수학식 5에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼의 길이(l)가 149.67mm이고, 발광 센서(30)와 수광 센서(40)의 기울기(a1)가 0.5이고, 웨이퍼(70)의 두께(t)가 0.8mm이고, 돌출 정도(e)가 10mm일 때, 차단 광(pt5)는 2.37mm임을 알 수 있다.The length l of the wafer on which the light is incident is 149.67 mm and the slope a1 of the light emitting sensor 30 and the light receiving sensor 40 is 0.5 and the thickness t of the wafer 70 is 0.5, Is 0.8 mm, and the degree of protrusion e is 10 mm, it can be understood that the blocking light pt5 is 2.37 mm.

도 7은 웨이퍼의 상태에 따른 수신 광을 나타낸 그래프이다.7 is a graph showing a received light according to the state of the wafer.

도 3부터 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따라, 광이 입사되는 웨이퍼의 길이(l)가 149.67mm이고, 웨이퍼의 두께(t)가 0.8mm일 때, 정상 상태((a))에서 차단 광(pt)이 2.11mm이고, 겹침 상태((b))에서 차단 광(pt)이 2.91mm, 돌출 상태 ((c))에서 차단 광(pt)이 2.37mm, 걸침 상태((d))에서 차단 광(pt)은 4.48mm 또는 7.09mm 일 수 있다.3 to 7, according to an embodiment of the present invention, when the length l of the wafer to which light is incident is 149.67 mm and the thickness t of the wafer is 0.8 mm, The blocking light pt is 2.11 mm in the overlap state (b), the blocking light pt is 2.91 mm in the overlap state (b), the blocking light pt is 2.37 mm in the protruded state (c) d), the blocking light (pt) may be 4.48 mm or 7.09 mm.

도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 맵핑 장치의 블록도이다.8 is a block diagram of a wafer mapping apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1과 도 8을 참조하면, 웨이퍼 맵핑 장치(10)는 로봇 암(20), 발광 센서 (30), 수광 센서(40), 웨이퍼 판별 블록(80), 및 로봇 제어 블록(90)을 포함할 수 있다. 실시 예에 따라, 웨이퍼 맵핑 장치(10)는 디스플레이(81)를 더 포함할 수 있다.1 and 8, the wafer mapping apparatus 10 includes a robot arm 20, a light emitting sensor 30, a light receiving sensor 40, a wafer discrimination block 80, and a robot control block 90 can do. According to the embodiment, the wafer mapping apparatus 10 may further include a display 81. [

로봇 암(20)의 제1암(20-1)에 장착된 발광 센서(30)는 광신호를 방출하고, 방출된 광신호를 수신하는 수광 센서(40)는 웨이퍼 판별 블록(80)으로 수신된 광 신호에 상응하는 검출 신호(DS)를 출력할 수 있다.The light emitting sensor 30 mounted on the first arm 20-1 of the robot arm 20 emits an optical signal and the light receiving sensor 40 receiving the emitted optical signal is received by the wafer discrimination block 80 It is possible to output the detection signal DS corresponding to the optical signal.

웨이퍼 판별 블록(80)은 아날로그 디지털 변환기(83)와 디지털 신호 프로세서(85)를 포함할 수 있다.The wafer discrimination block 80 may include an analog-to-digital converter 83 and a digital signal processor 85.

아날로그 디지털 변환기(83)는 대응하는 검출 신호(DS)를 대응하는 디지털 신호(CODE1-CODE5)로 변환할 수 있다. 즉, 아날로그 디지털 변환기(83)는 수광 센서(40)로 입사되는 광, 예컨대 통과 광에 상응하는 검출 신호(DS)를 디지털 신호 (CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, 또는 CODE5)를 생성할 수 있다.The analog-to-digital converter 83 can convert the corresponding detection signal DS into the corresponding digital signal CODE1-CODE5. That is, the analog-to-digital converter 83 can generate the digital signal CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, or CODE5 corresponding to the light incident on the light receiving sensor 40, for example, the detection signal DS corresponding to the passing light .

디지털 신호 프로세서(85)는 아날로그 디지털 변환기(83)로부터 변환된 디지털 신호를 수신하고, 수신된 디지털 신호를 해석하고 해석 결과에 따라 웨이퍼(70)의 상태를 판별할 수 있다.The digital signal processor 85 can receive the converted digital signal from the analog-to-digital converter 83, interpret the received digital signal and determine the state of the wafer 70 according to the analysis result.

본 발명의 실시 예에 따라, 차단 광(pt)에 상응하는 웨이퍼(70)의 상태들은 표 1과 같이 예시적으로 표현될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the states of the wafer 70 corresponding to the blocking light pt can be illustrated illustratively as shown in Table 1.

차단 광(mm)Blocking light (mm) 웨이퍼의 상태Wafer state 코드code 2.0 < pt < 2.22.0 <pt <2.2 정상상태Steady state CODE1CODE1 2.2 < pt < 2.82.2 <pt <2.8 돌출상태Protruding state CODE2CODE2 2.8 < pt < 3.02.8 <pt <3.0 겹침상태Overlap state CODE3CODE3 pt > 4.3pt> 4.3 걸침상태Stacked state CODE4CODE4 pt = 0pt = 0 부재상태Absent state CODE5CODE5

디지털 신호 프로세서(85)는 웨이퍼(70)의 상태에 따른 디지털 코드(CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, 또는 CODE5)를 해석하고 해석의 결과에 상응하는 제어 신호들을 로봇 제어 블록(90)으로 출력할 수 있다.The digital signal processor 85 analyzes the digital codes CODE1, CODE2, CODE3, CODE4 or CODE5 according to the state of the wafer 70 and outputs control signals corresponding to the results of the analysis to the robot control block 90 .

로봇 제어 블록(90)은 디지털 신호 프로세서(85)로부터 출력된 제어 신호들에 응답하여 로봇 암(20)을 제어할 수 있다.The robot control block 90 can control the robot arm 20 in response to control signals output from the digital signal processor 85. [

실시 예에 따라, 디지털 신호 프로세서(85)는 복수의 상태들 중에서 어느 하나의 상태를 나타내는 상태 지시 신호를 디스플레이(81)로 출력할 수 있다. 따라서, 디스플레이(81)는 상기 상태 지시 신호에 상응하는 웨이퍼의 상태를 디스플레이할 수 있다.According to the embodiment, the digital signal processor 85 may output a status indication signal to the display 81 indicating any one of a plurality of states. Accordingly, the display 81 can display the state of the wafer corresponding to the status indication signal.

도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 맵핑 장치의 동작 방법을 설명하기 위한 플로우차트(flowchart)이다.9 is a flowchart for explaining an operation method of the wafer mapping apparatus shown in FIG.

도 1부터 도 9를 참조하면, 웨이퍼 맵핑 장치(10)의 로봇 암(20)의 제1암 (20-1)에 장착된 발광 센서(30)는 수광 센서(40)로 광, 예컨대 레이저 빔을 방출한다(S101).1 to 9, the light emitting sensor 30 mounted on the first arm 20-1 of the robot arm 20 of the wafer mapping apparatus 10 receives light, for example, a laser beam (S101).

수광 센서(40)는 발광 센서(30)로부터 방출된 광 중에서 웨이퍼(70)가 놓인 상태(예컨대, 표 1의 정상 상태, 돌출 상태, 겹침 상태, 걸침 상태, 또는 부재 상태)에 따라 변경된 통과 광을 수신한다(S103).The light receiving sensor 40 detects the light passing through the light passing through the light passing through the light passing through the light passing through the light passing through the light receiving sensor 40, (S103).

아날로그 디지털 변환기(83)는 통과 광에 상응하는 검출 신호(DS)를 대응하는 디지털 신호(CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, 또는 CODE5)로 변환한다(S105).The analog-to-digital converter 83 converts the detection signal DS corresponding to the passing light into a corresponding digital signal CODE1, CODE2, CODE3, CODE4, or CODE5 (S105).

수광 센서(40)는 통과 광(또는 통과 광량)에 상응하는 검출 신호(DS)를 출력한다. 상기 통과 광(또는 상기 통과 광량)은 웨이퍼(70)의 상태에 따라 결정된 차단 광(pt)에 따라 결정된다.The light receiving sensor 40 outputs a detection signal DS corresponding to the passing light (or the amount of passing light). The passing light (or the passing light amount) is determined according to the blocking light pt determined according to the state of the wafer 70.

예컨대, 웨이퍼(70)의 상태가 부재 상태일 때, 아날로그 디지털 변환기(83)는 검출 신호(DS)에 관련된 디지털 신호(CODE5)를 출력할 수 있다. 또한, 웨이퍼 (70)의 상태가 정상 상태일 때, 아날로그 디지털 변환기(83)는 검출 신호(DS)에 관련된 디지털 신호(CODE1)를 출력할 수 있다.For example, when the state of the wafer 70 is absent, the analog-to-digital converter 83 can output the digital signal CODE5 related to the detection signal DS. Further, when the state of the wafer 70 is in the normal state, the analog-to-digital converter 83 can output the digital signal CODE1 related to the detection signal DS.

디지털 신호 프로세서(85)는 아날로그 디지털 변환기(83)로부터 출력된 디지털 신호를 해석하고 해석의 결과에 따라 웨이퍼(70)의 상태를 복수의 상태들 중에서 어느 하나의 상태를 판별한다(S107).The digital signal processor 85 analyzes the digital signal output from the analog-to-digital converter 83 and determines the state of the wafer 70 according to the result of the analysis in any one of a plurality of states (S107).

예컨대, 디지털 신호가 CODE5일 때 디지털 신호 프로세서(85)는 웨이퍼(70)의 상태를 부재 상태로 판별하고, 디지털 신호가 CODE1일 때 디지털 신호 프로세서 (85)는 웨이퍼(70)의 상태를 정상 상태로 판별한다(S107).For example, when the digital signal is CODE5, the digital signal processor 85 determines the state of the wafer 70 as absent, and when the digital signal is CODE1, the digital signal processor 85 changes the state of the wafer 70 to the normal state (S107).

20; 로봇 암(arm)
30; 발광 센서
40; 수광 센서
60; 웨이퍼 카세트
70; 웨이퍼
80; 웨이퍼 판별 블록
81; 디스플레이
83; 아날로그 디지털 변환기
85; 디지털 신호 프로세서
90; 로봇 제어 블록20; Robot arm
30; Light emitting sensor
40; Light receiving sensor
60; Wafer cassette
70; wafer
80; Wafer discrimination block
81; display
83; Analog-to-digital converter
85; Digital signal processor
90; Robot control block

Claims (8)

로봇 암의 제1암에 장착되고, 웨이퍼의 이동 방향과 수직 방향으로 광을 방출하는 발광 센서;
상기 로봇 암의 제2암에 장착되고, 상기 발광 센서로부터 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼의 상태에 따라 변경된 통과 광을 수신하고 수신된 통과 광에 상응하는 검출 신호를 출력하는 수광 센서;
상기 검출 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 상태를 복수의 상태들 중에서 하나의 상태로 판별하는 웨이퍼 판별 블록을 포함하고,
상기 발광 센서와 상기 수광 센서는 수평 방향을 기준으로 경사도를 가지며,
상기 통과 광은 상기 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼에 의해 차단된 광, 상기 웨이퍼의 길이, 상기 경사도, 및 상기 웨이퍼의 두께에 따라 결정되는 웨이퍼 맵핑 장치.A light emitting sensor mounted on the first arm of the robot arm and emitting light in a direction perpendicular to the moving direction of the wafer;
A light receiving sensor mounted on the second arm of the robot arm and adapted to receive the passing light changed according to the state of the wafer among the light emitted from the light emitting sensor and to output a detection signal corresponding to the received passing light;
And a wafer discrimination block for discriminating the state of the wafer as one of a plurality of states using the detection signal,
Wherein the light emitting sensor and the light receiving sensor have an inclination with respect to a horizontal direction,
Wherein the passing light is determined according to light blocked by the wafer among the emitted light, the length of the wafer, the inclination, and the thickness of the wafer. 제1항에 있어서,
상기 경사도는 0.3도 내지 0.8도인 웨이퍼 맵핑 장치.The method according to claim 1,
Wherein the inclination angle is in the range of 0.3 to 0.8 degrees. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 복수의 상태들은 정상 상태와 비정상 상태를 포함하고,
상기 정상 상태에서의 상기 통과 광은 상기 비정상 상태에서의 상기 통과 광보다 많은 웨이퍼 맵핑 장치.The method according to claim 1,
The plurality of states including a steady state and an abnormal state,
Wherein the passing light in the steady state is greater than the passing light in the abnormal state. 제1항에 있어서,
상기 복수의 상태들은 정상 상태와 비정상 상태를 포함하고,
상기 비정상 상태는 부재 상태, 돌출 상태, 겹침 상태, 및 걸침 상태 중 하나의 상태인 웨이퍼 맵핑 장치. The method according to claim 1,
The plurality of states including a steady state and an abnormal state,
Wherein the abnormal state is one of a member state, a protruded state, an overlap state, and a straddling state. 제1항에 있어서,
상기 웨이퍼 판별 블록은,
상기 검출 신호를 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환기; 및
상기 디지털 신호를 해석하고 해석의 결과에 기초하여 상기 웨이퍼의 상태를 상기 복수의 상태들 중에서 상기 하나의 상태로 판별하는 디지털 신호 프로세서를 포함하는 웨이퍼 맵핑 장치.The method according to claim 1,
The wafer discrimination block includes:
An analog-to-digital converter for converting the detection signal into a digital signal; And
And a digital signal processor for interpreting the digital signal and determining the state of the wafer as the one of the plurality of states based on the result of the analysis. 제6항에 있어서, 상기 웨이퍼 맵핑 장치는,
상기 디지털 신호를 해석하고 해석의 결과에 기초하여 상기 로봇 암을 제어하는 로봇 제어 블록을 더 포함하는 웨이퍼 맵핑 장치.7. The wafer mapping apparatus according to claim 6,
And a robot control block for interpreting the digital signal and controlling the robot arm based on a result of the analysis. 로봇 암의 제1암에 장착된 발광 센서와 상기 로봇 암의 제2암에 장착된 수광 센서를 이용하여 웨이퍼의 상태를 판별하는 방법에 있어서,
상기 수광 센서를 이용하여, 상기 발광 센서로부터 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼의 상태에 따라 결정된 통과 광을 수신하고 수신된 통과 광에 상응하는 검출 신호를 출력하는 단계;
상기 검출 신호를 디지털 신호로 변환하는 단계; 및
상기 디지털 신호를 이용하여 상기 웨이퍼의 상태를 복수의 상태들 중에서 하나의 상태로 판별하는 단계를 포함하고,
상기 발광 센서와 상기 수광 센서는 수평 방향을 기준으로 일정한 경사도를 가지며,
상기 통과 광은 상기 방출된 광 중에서 상기 웨이퍼에 의해 차단된 광, 상기 웨이퍼의 길이, 상기 경사도, 및 상기 웨이퍼의 두께에 따라 결정되는 웨이퍼의 상태를 판별하는 방법.









A method for determining the state of a wafer using a light emitting sensor mounted on a first arm of a robot arm and a light receiving sensor mounted on a second arm of the robot arm,
Receiving the passing light determined according to the state of the wafer among the light emitted from the light emitting sensor by using the light receiving sensor and outputting a detection signal corresponding to the received passing light;
Converting the detection signal into a digital signal; And
And using the digital signal to determine the state of the wafer as one of a plurality of states,
Wherein the light emitting sensor and the light receiving sensor have a predetermined inclination with respect to a horizontal direction,
Wherein the passing light is determined by the light cut off by the wafer, the length of the wafer, the slope, and the thickness of the wafer among the emitted light.









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