JP2003092338A - Detector for semiconductor wafer housing state - Google Patents

Detector for semiconductor wafer housing state

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JP2003092338A
JP2003092338A JP2001283058A JP2001283058A JP2003092338A JP 2003092338 A JP2003092338 A JP 2003092338A JP 2001283058 A JP2001283058 A JP 2001283058A JP 2001283058 A JP2001283058 A JP 2001283058A JP 2003092338 A JP2003092338 A JP 2003092338A
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JP
Japan
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light
wafer
sensor
detection device
semiconductor wafer
Prior art date
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Application number
JP2001283058A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadayuki Ogasawara
忠行 小笠原
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detector which is capable of detecting abnormality in which plural wafers are stacked in a wafer housing container provided with a wafer housing slot, and has an improved detection rate of abnormalities such as cracks on a wafer or an obliquely inserted wafer. SOLUTION: The detector is provided with a means for projecting light beams 211a, 212a and 213a from a direction of the side of a wafer (W) housed in the wafer housing container (F), a means for receiving reflected light beams 211b, 212b and 213b, a means for measuring the quantity of the beams, a means for moving the beam projecting means and the beam receiving means along the slot of the wafer housing container, and a means for creating and recording correlated data of the quantity of the received beams by correlating the positions of the beam projecting means and the reflected beam receiving means with the quantity of the reflected beams.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ(以
下、ウェハ、と称す)を裁置する収納用スロットを備え
たウェハ収納容器に収納されているウェハの収納状態を
検知、測定する検知装置に係り、特にウェハの有無の測
定方法及びウェハの位置及び異常の検出方法の改良に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a detection device for detecting and measuring the storage state of a wafer stored in a wafer storage container having a storage slot for placing a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). In particular, the present invention relates to improvement of a method of measuring the presence or absence of a wafer and a method of detecting a position and an abnormality of a wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のウェハ検知装置の一例について、
ウェハがFOUP(Front Opening Un
ified Pod)カセットに収納されている場合を
例にとり説明を行う。
2. Description of the Related Art An example of a conventional wafer detection device is
Wafer is FOUP (Front Opening Un)
An explanation will be given taking as an example a case where the cassette is stored in an if Pod cassette.

【0003】図12は従来のウェハ検知装置で行ってい
る検知、測定の様子を模式的に示す構成図であり、図1
3、図14はそれぞれ従来のウェハ検知装置でのウェハ
の有無を測定するセンサの取り付け位置をウェハ上面、
ウェハ側面から見た図である。また図15は従来のウェ
ハ検知装置の検知、測定方法の手順を示すフローチャー
ト図である。
FIG. 12 is a schematic diagram showing the manner of detection and measurement performed by a conventional wafer detection apparatus.
3 and FIG. 14 respectively show the mounting position of the sensor for measuring the presence or absence of the wafer in the conventional wafer detection device on the upper surface of the wafer,
It is the figure seen from the wafer side surface. FIG. 15 is a flow chart showing the procedure of the detection and measurement method of the conventional wafer detection device.

【0004】従来のウェハ検知装置は、図12に示す様
に、プログラム制御により動作するコンピュータ120
と、FOUPカセット(F)のスロット(ウェハの一主
面の周辺箇所を保持する棚部)に沿って設置されたモー
タ軸122a及び122bと、モータ軸122a及びモ
ータ軸122bを回転させるためのモータ121と、モ
ータ軸122aに取り付けられその軸回転によって移動
するセンサブラケット123aと、モータ軸122bに
取り付けられその軸回転によって移動するセンサブラケ
ット123bと、センサブラケット123aに取り付け
られたFOUPカセットに収容されているウェハ(W)
の側面方向からビーム光111を投光する投光側センサ
101aと、センサブラケット123bに取り付けられ
た投光側センサ101aから投光されたビーム光111
を受光する受光側センサ101bと、ビーム光111の
受光量を測定し、この測定値をコンピュータ120に送
るセンサアンプ101cとを具備して構成されている。
As shown in FIG. 12, a conventional wafer detection apparatus has a computer 120 which operates under program control.
And motor shafts 122a and 122b installed along the slots of the FOUP cassette (F) (shelves that hold peripheral portions of one main surface of the wafer), and motors for rotating the motor shafts 122a and 122b. 121, a sensor bracket 123a that is attached to the motor shaft 122a and moves by its axis rotation, a sensor bracket 123b that is attached to the motor shaft 122b and moves by its axis rotation, and is housed in a FOUP cassette attached to the sensor bracket 123a. Wafer (W)
The light emitting side sensor 101a which emits the light beam 111 from the side surface direction of the light beam 111 and the light beam 111 emitted from the light emitting side sensor 101a attached to the sensor bracket 123b.
It is configured to include a light-receiving side sensor 101b that receives light, and a sensor amplifier 101c that measures the amount of light received by the light beam 111 and sends the measured value to the computer 120.

【0005】投光側センサ101a及び受光側センサ1
01bは図13、図14に示す様に、FOUPカセット
(F)のスロット(S)の枠が無い部分にビーム光がウ
ェハ面に沿って走る様にセンサブラケット123a及び
センサブラケット123bに取り付けられている。ま
た、センサブラケット123aとセンサブラケット12
3bはモータ121の動きにあわせて同じピッチで移動
するため、投光側センサ101aと受光側センサ101
bの相対位置は常に一定である。
Light emitting side sensor 101a and light receiving side sensor 1
As shown in FIGS. 13 and 14, 01b is attached to the sensor bracket 123a and the sensor bracket 123b so that the beam light travels along the wafer surface in a portion where the slot (S) of the FOUP cassette (F) does not have a frame. There is. In addition, the sensor bracket 123a and the sensor bracket 12
Since 3b moves at the same pitch in accordance with the movement of the motor 121, the light emitting side sensor 101a and the light receiving side sensor 101
The relative position of b is always constant.

【0006】コンピュータ120はモータ121に指令
を出す。また、コンピュータ120からの指令は、セン
サブラケット123aに取り付けられている投光側セン
サ101a及びセンサブラケット123bに取り付けら
れている受光側センサ101bの位置を制御する機能
と、投光側センサ101a及び受光側センサ101bの
位置とセンサアンプ101cの受光量を関連付けて、受
光量の関連付けデータを作成及び記録する機能と、ビー
ム光111が透過した領域と遮断された領域を明確にす
るに関連付けデータを2値化データに変換する関連付け
データ2値化手段とを有する。
The computer 120 issues a command to the motor 121. In addition, the command from the computer 120 controls the positions of the light emitting side sensor 101a attached to the sensor bracket 123a and the light receiving side sensor 101b attached to the sensor bracket 123b, and the light emitting side sensor 101a and the light receiving side sensor 101b. The function of creating and recording the association data of the received light amount by associating the position of the side sensor 101b with the received light amount of the sensor amplifier 101c, and the association data 2 to clarify the region where the light beam 111 is transmitted and the region where the light beam 111 is blocked are set. And associated data binarization means for converting into digitized data.

【0007】更に、コンピュータ120はFOUPカセ
ットのスロットにウェハが収容された際のウェハの基準
位置を登録しており、このウェハ基準位置と前記2値化
データとからウェハ斜め差し、ウェハ割れの異常を検出
するための異常解析手段と、前記ウェハ基準位置と前記
2値化データからウェハのスロット位置のマッピングデ
ータを算出するためのマッピングデータ解析手段とを有
する。
Further, the computer 120 registers the reference position of the wafer when the wafer is accommodated in the slot of the FOUP cassette. From the reference position of the wafer and the binarized data, the wafer is obliquely inserted, and the wafer crack is abnormal. And an anomaly analysis means for detecting the above, and a mapping data analysis means for calculating mapping data of the wafer slot position from the wafer reference position and the binarized data.

【0008】この構成で投光側センサ101aと受光側
センサ101bを移動させ、受光側センサ101bが受
光するビーム光111の光量を測定すると、ビーム光1
11の通り道にウェハがある場合はビーム光111が遮
断され、受光量はゼロに近づく、また、ビーム光111
の通り道にウェハが無い場合はビーム光111は透過
し、受光量は最大値となる。
With this configuration, when the light emitting side sensor 101a and the light receiving side sensor 101b are moved and the light amount of the beam light 111 received by the light receiving side sensor 101b is measured,
If there is a wafer in the path of 11, the light beam 111 is blocked and the amount of received light approaches zero.
When there is no wafer in the path, the light beam 111 is transmitted and the amount of received light is the maximum value.

【0009】次に上記構成の従来のウェハ検知装置の用
いているマッピング方法について図15を参照して説明
する。まずコンピュータ120はモータ121を動作さ
せ、センサブラケット123aに取り付けられている投
光側センサ101a及びセンサブラケット123bに取
り付けられている受光側センサ101bをFOUPカセ
ットの上から下に向けて移動させる。またコンピュータ
120は投光側センサ101a及び受光側センサ101
bを移動させるごとにセンサアンプ101cから受光量
の値を受け取り、投光側センサ101a及び受光側セン
サ101bの位置と関連付けて受光量の関連付けデータ
を作成及び記録する(図15のステップA1)。
Next, a mapping method used in the conventional wafer detecting apparatus having the above structure will be described with reference to FIG. First, the computer 120 operates the motor 121 to move the light emitting side sensor 101a attached to the sensor bracket 123a and the light receiving side sensor 101b attached to the sensor bracket 123b from the top to the bottom of the FOUP cassette. Further, the computer 120 includes a light emitting side sensor 101a and a light receiving side sensor 101.
Each time b is moved, the value of the amount of received light is received from the sensor amplifier 101c, and the associated data of the amount of received light is created and recorded in association with the positions of the light emitting side sensor 101a and the light receiving side sensor 101b (step A1 in FIG. 15).

【0010】前記関連付けデータの作成及び記録が完了
したら、この関連付けデータの2値化を行い、ビーム光
111が透過した領域、遮光された領域を明確にする
(図15のステップA2)。
When the creation and recording of the association data are completed, the association data is binarized to clarify the region where the light beam 111 is transmitted and the light-shielded region (step A2 in FIG. 15).

【0011】次に前記2値化データとウェハの基準位置
との比較を行い、以下のアルゴリズム(A)に基づい
て、ウェハが2段以上のスロットに跨って入っているウ
ェハ斜め差しの異常(図16)の検出、ウェハ割れの異
常(図17)の検出(図15のステップA3)、及びス
ロット位置のマッピングデータを作成する(図15のス
テップA4)。
Next, the binarized data is compared with the reference position of the wafer, and based on the following algorithm (A), the wafer is obliquely inserted into the slot over two or more slots (abnormality). 16), an abnormal wafer crack (FIG. 17) is detected (step A3 in FIG. 15), and slot position mapping data is created (step A4 in FIG. 15).

【0012】アルゴリズム(A)である(A−1、A−
2、A−3及びA−4)は次の通りである。 A−1:ウェハの基準位置の範囲にビーム光の遮光部分
が存在しない場合はスロット位置にウェハは無い。 A−2:ウェハの基準位置の範囲にビーム光の遮光部分
が存在する場合はスロット位置にウェハが有る。 A−3:ただし、隣接する2つのウェハの基準位置にビ
ーム光の遮光部分が跨って存在する場合は、ウェハ斜め
差し、あるいは、ウェハ割れの異常が発生している。 A−4:ウェハの基準位置の範囲以外にビーム光の遮光
部分が存在する場合はFOUPカセットの破損、異物混入等
の異常が発生している。
Algorithm (A) (A-1, A-
2, A-3 and A-4) are as follows. A-1: If there is no light-shielding portion in the range of the reference position of the wafer, there is no wafer at the slot position. A-2: If the light-shielding portion of the light beam exists in the range of the reference position of the wafer, the wafer exists at the slot position. A-3: However, when the light-shielding portion of the beam light is present across the reference positions of the two adjacent wafers, the wafer is obliquely inserted or the wafer cracking is abnormal. A-4: When there is a light-shielding portion other than the range of the reference position of the wafer, there is an abnormality such as damage of the FOUP cassette and inclusion of foreign matter.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】第1の問題点は、従来
装置のセンサ構造によるウェハの測定方法及びウェハ検
出のアルゴリズムでは、図18に示す様に、一つのスロ
ットにウェハが2枚重なって収容されている2枚重ねの
異常が発生していても、その不具合を検出できないこと
である。その理由は、一つのスロットにウェハが2枚重
なって収容されている場合と、FOUPカセットまたは
スロットが少し傾いており、その結果ウェハが傾いてい
る場合とで、ビーム光が遮光される範囲に大差がないた
めである。同様に一つのスロットにウェハが3枚以上
(複数)重なっている場合も、その不具合を検出できな
い。
The first problem is that in the wafer measuring method and the wafer detecting algorithm by the sensor structure of the conventional apparatus, as shown in FIG. 18, two wafers are overlapped in one slot. Even if there is an abnormality in the two stacked sheets, the failure cannot be detected. The reason is that when two wafers are stacked in one slot and when the FOUP cassette or the slot is slightly tilted and the wafer is tilted as a result, the beam light is blocked. This is because there is not much difference. Similarly, even if three or more (plural) wafers overlap one slot, the defect cannot be detected.

【0014】第2の問題点は、従来装置のセンサ構造に
よるウェハの測定方法及びウェハ検出のアルゴリズムで
はウェハ割れの検出において、図19に示す様に、ウェ
ハの破損が一部だけであり、残りの部分がビーム光を遮
断する状態で残っている場合にはその不具合を検出でき
ないということである。
The second problem is that in the wafer measuring method and the wafer detection algorithm using the sensor structure of the conventional apparatus, in the detection of a wafer crack, the wafer is only partially damaged as shown in FIG. That is, if the part of the part remains in a state of blocking the light beam, the defect cannot be detected.

【0015】したがって本発明の第1の目的は、FOU
Pカセットに収納されたウェハの複数枚重ねの異常を検
出することができる装置を提供することである。
Therefore, the first object of the present invention is to provide a FOU.
An object of the present invention is to provide an apparatus capable of detecting an abnormality in stacking a plurality of wafers stored in a P cassette.

【0016】本発明の第2の目的は、FOUPカセット
に収納されたウェハ割れの異常の検出ミスを低減させる
ことである
A second object of the present invention is to reduce the detection error of an abnormal wafer crack stored in a FOUP cassette.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴は、ウェハを裁置するスロットを備え
たウェハ収納容器に収納されているウェハの収納状態を
検知、測定する検知装置において、前記ウェハ収納容器
に収容された前記ウェハの側面方向からビーム光を投光
する手段と、前記ビーム光の反射光を受光する手段と、
前記ビーム光の反射光を受光する手段が受光したビーム
光の光量を測定する手段と、前記ビーム光を投光する手
段及び前記ビームの反射光を受光する手段をウェハ収納
容器のスロットに沿って移動させる手段とを複数組有す
るウェハ収納状態の検知装置にある。
In order to achieve the above object, a feature of the present invention is to detect and measure a storage state of a wafer stored in a wafer storage container having a slot for placing a wafer. In the apparatus, means for projecting a beam of light from a side surface direction of the wafer accommodated in the wafer container, means for receiving a reflected light of the beam of light,
A means for measuring the light quantity of the light beam received by the means for receiving the reflected light of the light beam, a means for projecting the light beam and a means for receiving the reflected light of the light beam are provided along the slot of the wafer container. A detection device for a wafer storage state having a plurality of sets of moving means.

【0018】ここで、前記検知装置に、更に、前記ビー
ム光を投光する手段及び前記ビームの反射光を受光する
手段の位置と前記ビーム反射光の受光量とを関連付け
て、受光量の関連付けデータを作成及び記録する手段を
有することが好ましい。この場合、更に、前記関連付け
データから前記ウェハの複数重ね、前記ウェハの斜め差
し、前記ウェハの割れの異常を検出するための異常解析
手段と、前記関連付けデータから前記ウェハのスロット
位置のマッピングデータを算出するためのマッピングデ
ータ解析手段とを有することができる。
Here, the detection device is further associated with the positions of the means for projecting the light beam and the means for receiving the reflected light of the beam and the received light amount of the reflected light of the beam to associate the received light amount. It is preferable to have means for creating and recording data. In this case, further, an abnormality analysis unit for detecting an abnormality of a plurality of the wafers, the oblique insertion of the wafers, and a crack of the wafer from the association data, and mapping data of the slot position of the wafer from the association data. And mapping data analysis means for calculating.

【0019】また、前記移動させる手段はモータ軸と、
前記モータ軸に結合してモータ軸の回転により前記スロ
ットに沿って移動するセンサブラケットとを具備し、そ
れぞれのセンサブラケットに前記投光する手段および前
記受光する手段の対が取り付けられていることが好まし
い。
The means for moving is a motor shaft,
A sensor bracket that is coupled to the motor shaft and moves along the slot by rotation of the motor shaft, and a pair of the light projecting unit and the light receiving unit is attached to each sensor bracket. preferable.

【0020】さらに、前記スロットを内部に形成するス
ロットの枠が存在しないで前記ウェハの側面が露出して
いる箇所に対向して前記投光する手段、前記受光する手
段および前記移動させる手段が設けられていること、好
ましくはそれぞれ複数設けられていることができる。
Further, the means for projecting the light, the means for receiving the light, and the means for moving are provided so as to face a portion where the side surface of the wafer is exposed without the frame of the slot for forming the slot inside. That is, preferably, a plurality of them can be provided.

【0021】また、前記ウェハ収納容器は直径が200
mm以上の半導体ウェハを裁置するウェハカセットであ
ることができる。またこの場合、前記ウェハカセットは
FOUPカセットであることができる。
The wafer storage container has a diameter of 200.
It may be a wafer cassette for placing semiconductor wafers of mm or more. Also in this case, the wafer cassette may be a FOUP cassette.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明のウェハ検知装置の実施の
形態について、ウェハがFOUPカセットに収納されて
いる場合を例にとり説明を行う。図1(A)は本発明の
一実施の形態のウェハ検知装置で行っているウエハ収納
状態を検知、測定する様子を模式的に示す斜視図であ
り、図1(B)はその測定系を示す図である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a wafer detecting apparatus of the present invention will be described by taking a case where a wafer is stored in a FOUP cassette as an example. FIG. 1 (A) is a perspective view schematically showing how a wafer detection state of a wafer detecting apparatus according to an embodiment of the present invention is detected and measured, and FIG. 1 (B) shows its measurement system. FIG.

【0023】図2、図3はそれぞれ本発明の一実施の形
態のウェハ検知装置でのウェハの有無を測定するセンサ
の取り付け位置をウェハ上面、ウェハ側面から見た図で
ある。また図4は本発明のウェハ検知装置の検知、測定
方法の手順を示すフローチャート図である。
FIG. 2 and FIG. 3 are views of the mounting position of a sensor for measuring the presence / absence of a wafer in the wafer detection apparatus according to the embodiment of the present invention, as viewed from the top surface and the side surface of the wafer. FIG. 4 is a flow chart showing the procedure of the detection and measurement method of the wafer detection device of the present invention.

【0024】図1において、本発明の一実施の形態のウ
ェハ検知装置の実施の状態は、プログラム制御により動
作するコンピュータ220と,FOUPカセットのスロ
ット(ウェハの一主面の周辺箇所を保持するために同じ
形状、ピッチで軸方向に多数配列された棚部)に沿って
設置されたモータ軸222a、モータ軸222b及びモ
ータ軸222cと、モータ軸222a、モータ軸222
b及びモータ軸222cを回転させるためのモータ22
1と、モータ軸222aに取り付けられその軸回転によ
って移動するセンサブラケット223aと、モータ軸2
22bに取り付けられその軸回転によって移動するセン
サブラケット223bと、モータ軸222cに取り付け
られその軸回転によって移動するセンサブラケット22
3cと、センサブラケット223aに取り付けられてF
OUPカセットに収容されているウェハの側面方向から
ビーム光211aを投光する投光側センサ201aと、
センサブラケット223aに取り付けられて前記ビーム
光211aがウェハ側面にあたって反射したビーム反射
光211bを受光する受光側センサ201bと、受光側
センサ201bの受けた受光量を測定し、この値をコン
ピュータ220に送るセンサアンプ201cと、センサ
ブラケット223bに取り付けられてFOUPカセット
に収容されているウェハの側面方向からビーム光212
aを投光する投光側センサ202aと、センサブラケッ
ト223bに取り付けられて前記ビーム光212aがウ
ェハ側面にあたって反射したビーム反射光212bを受
光する受光側センサ202bと、受光側センサ202b
の受けた受光量を測定し、この値をコンピュータ220
に送るセンサアンプ202cと、センサブラケット22
3cに取り付けられてFOUPカセットに収容されてい
るウェハの側面方向からビーム光213aを投光する投
光側センサ203aと、センサブラケット223cに取
り付けられて前記ビーム光213aがウェハ側面にあた
って反射したビーム反射光213bを受光する受光側セ
ンサ203bと、受光側センサ203bの受けた受光量
を測定し、この値をコンピュータ220に送るセンサア
ンプ203cとを具備して構成されている。
Referring to FIG. 1, a wafer detecting apparatus according to an embodiment of the present invention is implemented in a computer 220 operated by program control and a slot of a FOUP cassette (for holding a peripheral portion of one main surface of a wafer). A motor shaft 222a, a motor shaft 222b, and a motor shaft 222c installed along a plurality of shelves arranged in the axial direction with the same shape and pitch, and the motor shaft 222a and the motor shaft 222.
b and the motor 22 for rotating the motor shaft 222c
1, a sensor bracket 223a attached to the motor shaft 222a and moved by the rotation of the shaft, and a motor shaft 2
The sensor bracket 223b mounted on the motor shaft 222b and moved by its shaft rotation, and the sensor bracket 22 mounted on the motor shaft 222c and moved by its shaft rotation.
3c and F attached to the sensor bracket 223a.
A light projecting side sensor 201a for projecting a beam light 211a from the side surface direction of the wafer housed in the OUP cassette;
The light receiving side sensor 201b which is attached to the sensor bracket 223a and receives the beam reflected light 211b reflected by the beam light 211a hitting the wafer side surface, and the light receiving amount received by the light receiving side sensor 201b are measured, and this value is sent to the computer 220. The sensor amplifier 201c and the beam light 212 is attached to the sensor bracket 223b from the side surface of the wafer housed in the FOUP cassette.
a light emitting side sensor 202a for emitting a, a light receiving side sensor 202b attached to a sensor bracket 223b for receiving the beam reflected light 212b reflected by the beam light 212a hitting the side surface of the wafer, and a light receiving side sensor 202b.
The amount of light received by the computer 220 is measured, and this value is calculated by the computer 220.
To send to the sensor amplifier 202c and the sensor bracket 22
3c, a light-projecting side sensor 203a that projects a beam light 213a from a side surface direction of a wafer housed in a FOUP cassette, and a beam reflection that the beam light 213a is attached to a sensor bracket 223c and reflected on the wafer side surface. The light-receiving side sensor 203b receives the light 213b, and the sensor amplifier 203c that measures the amount of light received by the light-receiving side sensor 203b and sends the measured value to the computer 220.

【0025】コンピュータ220はモータ221に指令
を出す。また、コンピュータ220からの指令は、セン
サブラケット223aに取り付けられている投光側セン
サ201a及び受光側センサ201bと、センサブラケ
ット223bに取り付けられている投光側センサ202
a及び受光側センサ202bと、センサブラケット22
3cに取り付けられている投光側センサ203a及び受
光側センサ203bとの位置を制御する機能と、投光側
センサ201a及び受光側センサ201bの位置とセン
サアンプ201cの受光量を関連付けて関連付けデータ
を作成及び記録する機能と、投光側センサ202a及び
受光側センサ202bの位置とセンサアンプ202cの
受光量を関連付けて関連付けデータを作成及び記録する
機能と、投光側センサ203a及び受光側センサ203
bの位置とセンサアンプ203cの受光量を関連付けて
作成及び記録する機能とを有する。
The computer 220 issues a command to the motor 221. In addition, a command from the computer 220 includes a light emitting side sensor 201a and a light receiving side sensor 201b attached to the sensor bracket 223a, and a light emitting side sensor 202 attached to the sensor bracket 223b.
a and the light receiving side sensor 202b, and the sensor bracket 22
The function of controlling the positions of the light emitting side sensor 203a and the light receiving side sensor 203b attached to the 3c, the positions of the light emitting side sensor 201a and the light receiving side sensor 201b, and the light receiving amount of the sensor amplifier 201c are associated with each other to obtain association data. A function of creating and recording, a function of creating and recording association data by associating the positions of the light emitting side sensor 202a and the light receiving side sensor 202b with the light receiving amount of the sensor amplifier 202c, and the light emitting side sensor 203a and the light receiving side sensor 203.
It has a function of creating and recording by associating the position of b with the amount of light received by the sensor amplifier 203c.

【0026】更に、コンピュータ220はFOUPカセ
ット(F)のスロットにウェハ(W)が収容された際の
ウェハの基準位置を登録しており、このウェハ基準位置
と前記関連付けデータからウェハ複数枚重ね、ウェハ斜
め差し、ウェハ割れの異常を検出するためのデータ解析
手段と、前記ウェハ基準位置と前記関連付けデータから
ウェハのスロット位置のマッピングデータを算出するた
めの関連付けデータ解析手段とを有する。
Further, the computer 220 registers the reference position of the wafer when the wafer (W) is accommodated in the slot of the FOUP cassette (F), and a plurality of wafers are superposed from the reference position of the wafer and the association data. It has a data analysis means for detecting an abnormality of a wafer oblique insertion and a wafer crack, and an association data analysis means for calculating mapping data of a wafer slot position from the wafer reference position and the association data.

【0027】投光側センサ201aは図2、図3に示す
ように、FOUPカセット(F)のスロット(S)の枠
が無いウェハ(W)の周辺にビーム光211aがウェハ
中心方向に向く様に取り付けられている。また、投光側
センサ201aはビーム光211aがウェハ面と平行な
面に対してθ°の角度をもってウェハ側面にあたる様に
取り付けられている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the light projecting side sensor 201a is designed so that the beam light 211a is directed toward the center of the wafer around the wafer (W) without the frame of the slot (S) of the FOUP cassette (F). Is attached to. Further, the light emitting side sensor 201a is attached so that the beam light 211a strikes the wafer side surface at an angle of θ ° with respect to a plane parallel to the wafer surface.

【0028】受光側センサ201bはウェハ面と平行な
面を基準にして投光側センサ201aの反対側に受光方
向がウェハ中心を向く様に取り付けられている。また、
ウェハ面と平行な面に対して−θ°の受光角度で取り付
けられている。
The light receiving side sensor 201b is mounted on the opposite side of the light projecting side sensor 201a with the plane parallel to the wafer surface as a reference, with the light receiving direction facing the wafer center. Also,
It is attached at a light-receiving angle of −θ ° with respect to a plane parallel to the wafer surface.

【0029】投光側センサ202a及び投光側センサ2
03aも、投光側センサ201aと同様にFOUPカセット
のスロット枠が無い部分にビーム光212a、213a
がウェハ中心方向を向き、ウェハ面と平行な面に対して
θ°の角度をもってウェハ側面にあたる様に取り付けら
れている。また、受光側センサ202b及び受光側セン
サ203bも、投光側センサ201bと同様にウェハ面
と平行な面を基準にして投光側センサ202a、投光側
センサ203aの反対側に受光方向がウェハ中心を向
き、ウェハ面と平行な面に対して−θ°の受光角度にな
る様に取り付けられている。
Light emitting side sensor 202a and light emitting side sensor 2
03a also has beam lights 212a and 213a on a portion of the FOUP cassette where there is no slot frame, like the light emitting side sensor 201a.
Is oriented so as to face the center of the wafer and is attached to the side surface of the wafer at an angle of θ ° with respect to a plane parallel to the wafer surface. Further, the light-receiving side sensor 202b and the light-receiving side sensor 203b also have a light-receiving direction on the opposite side of the light-projecting side sensor 202a and the light-projecting side sensor 203a with respect to the plane parallel to the wafer surface, like the light-projecting side sensor 201b. It is attached so that the light receiving angle is −θ ° with respect to the plane parallel to the wafer surface with the center facing.

【0030】また、投光側センサ201aと受光側セン
サ201b、投光側センサ202aと受光側センサ20
2b、投光側センサ203aと受光側センサ203bは
それぞれ異なるウェハ側面を測定する様に分散して取り
付けられている。
The light emitting side sensor 201a and the light receiving side sensor 201b, and the light emitting side sensor 202a and the light receiving side sensor 20.
2b, the light emitting side sensor 203a and the light receiving side sensor 203b are separately attached so as to measure different wafer side surfaces.

【0031】この構成で投光側センサ及び受光側センサ
を移動させ、受光側センサが受光するビーム光の光量を
測定すると、その光量は以下の様になる。 (a)ビーム光がウェハ側面の中でウェハ面と直角な部
分にあたった場合に、受光側センサが受光するビーム反
射光の光量は一番強くなる(図5)。 (b)ビーム光のあたる部分がウェハ側面の中でウェハ
面との角度が直角から離れるほど、受光側センサが受光
するビーム反射光の光量は弱くなる(図6)。 (c)ビーム光がウェハ面にあたった場合は、受光側セ
ンサの受光するビーム反射光の光量はゼロになる(図
7)。 (d)ビーム光がウェハにあたらなかった場合は、受光
側センサの受光するビーム反射光の光量はゼロになる
(図8)。
When the light emitting side sensor and the light receiving side sensor are moved with this structure and the light amount of the light beam received by the light receiving side sensor is measured, the light amount is as follows. (A) When the light beam hits a portion of the side surface of the wafer that is perpendicular to the wafer surface, the light amount of the reflected light beam received by the light-receiving side sensor becomes the strongest (FIG. 5). (B) The farther the angle of the beam light from the side surface of the wafer is from the right angle with the wafer surface, the weaker the light amount of the beam reflected light received by the light receiving side sensor is (FIG. 6). (C) When the light beam hits the wafer surface, the light amount of the light beam reflected by the light-receiving side sensor becomes zero (FIG. 7). (D) When the beam light does not hit the wafer, the light amount of the beam reflected light received by the light receiving side sensor becomes zero (FIG. 8).

【0032】また、ウェハの側面は両端に面取りされた
部分があるため、一枚のウェハにおいて受光側センサが
受光するビーム反射光の受光量の測定を行うと、その受
光量の変移は図9の様になる。また、2枚のウェハが重
なった状態において受光側センサが受光するビーム反射
光の受光量の測定を行うと、その受光量の変移は図10
の様になる。このことからビーム反射光の受光量とウェ
ハのスロット位置の関係について次のことがいえる。 (e)ビーム反射光の受光量はウェハの中心部分が一番
高く、ウェハの両端に低い部分がある(図9)。 (f)ビーム反射光の受光量がゼロの場合にはその領域
にウェハは存在しない(図9)。 (g)ウェハが2枚重なっている場合はウェハとウェハ
の間に受光量の谷間が存在する(図10)。
Further, since the side surface of the wafer has chamfered portions at both ends, when the amount of beam reflected light received by the light receiving side sensor on one wafer is measured, the change in the amount of received light is shown in FIG. It becomes like. Further, when the light receiving amount of the beam reflected light received by the light receiving side sensor is measured in a state where the two wafers are overlapped, the change in the light receiving amount is shown in FIG.
It becomes like. From this, the following can be said regarding the relationship between the amount of received beam reflected light and the slot position of the wafer. (E) The amount of received beam reflected light is highest at the central portion of the wafer and low at both ends of the wafer (FIG. 9). (F) When the amount of received beam reflected light is zero, no wafer exists in that region (FIG. 9). (G) When two wafers are overlapped, there is a valley in the amount of received light between the wafers (FIG. 10).

【0033】また、FOUPカセットに収納されたウェ
ハの側面から投光側センサ及び受光側センサまでの距離
に誤差があった場合についても、図11の様にビーム光
には幅があるため、ある範囲であればウェハ側面にあた
ったビーム反射光を受光することができる。この場合に
も全体の受光量は減少するが受光量のピークと谷間は発
生するので上記(a)から(g)と同様のことがいえ
る。
Even when there is an error in the distance from the side surface of the wafer housed in the FOUP cassette to the light emitting side sensor and the light receiving side sensor, the beam light has a width as shown in FIG. Within the range, it is possible to receive the beam reflected light that hits the side surface of the wafer. In this case as well, the total amount of received light decreases, but peaks and valleys of the amount of received light occur, so the same can be said as from (a) to (g) above.

【0034】また、FOUPカセットに収納さているウ
ェハはFOUPカセットの突き当てで位置決めされてお
り、上記誤差は一般のセンサのビーム幅で対応できる範
囲である。
The wafers stored in the FOUP cassette are positioned by abutting the FOUP cassette, and the above error is within a range that can be dealt with by the beam width of a general sensor.

【0035】次に上記構成による本発明の一実施の形態
のウェハ検知装置によるウェハ裁置状態の検知、測定の
方法について説明する。
Next, a method of detecting and measuring the wafer placement state by the wafer detecting apparatus of the embodiment of the present invention having the above structure will be described.

【0036】まずコンピュータ220はモータ221に
指令を出し、センサブラケット223aに取り付けられ
ている投光側センサ201aと受光側センサ201b、
センサブラケット223bに取り付けられている投光側
センサ202aと受光側センサ202b、及びセンサブ
ラケット223cに取り付けられている投光側センサ2
03aと受光側センサ203bをFOUPカセットの上
から下に向けて移動させる。
First, the computer 220 issues a command to the motor 221, and the light emitting side sensor 201a and the light receiving side sensor 201b mounted on the sensor bracket 223a are
The light emitting side sensor 202a and the light receiving side sensor 202b attached to the sensor bracket 223b, and the light emitting side sensor 2 attached to the sensor bracket 223c.
03a and the light-receiving side sensor 203b are moved downward from the top of the FOUP cassette.

【0037】またコンピュータ220は投光側センサ2
01aと受光側センサ201b、投光側センサ202a
と受光側センサ202b、投光側センサ203aと受光
側センサ203bを移動させるごとにセンサアンプ20
1c、センサアンプ202c、及びセンサアンプ203
cから受光量の値を受け取り、投光側センサ201a及
び受光側センサ201bの位置とセンサアンプ201c
の受光量、投光側センサ202a及び受光側センサ20
2bの位置とセンサアンプ202cの受光量、投光側セ
ンサ203a及び受光側センサ203bの位置とセンサ
アンプ203cの受光量をそれぞれ関連付けた受光量の
関連付けデータの作成及び記録を行う(図4のステップ
B1)。
Further, the computer 220 uses the light emitting side sensor 2
01a, the light receiving side sensor 201b, and the light emitting side sensor 202a
And the light receiving side sensor 202b, and the light emitting side sensor 203a and the light receiving side sensor 203b are moved every time the sensor amplifier 20 is moved.
1c, sensor amplifier 202c, and sensor amplifier 203
The value of the amount of received light is received from c and the positions of the light emitting side sensor 201a and the light receiving side sensor 201b and the sensor amplifier 201c are received.
Light receiving amount, light emitting side sensor 202a and light receiving side sensor 20
2b and the amount of light received by the sensor amplifier 202c, and the relation between the positions of the light emitting side sensor 203a and the light receiving side sensor 203b and the amount of light received by the sensor amplifier 203c are created and recorded (step in FIG. 4). B1).

【0038】前記関連付けデータの作成及び記録が完了
したら、コンピュータ220は個々の関連付けデータと
ウェハ基準位置との比較を行い、以下のアルゴリズム
(B)に基づいて、ウェハ複数重ね、ウェハ斜め差し、
ウェハ割れの異常の検出(図4のステップB2)、及び
スロット位置のマッピングデータを作成する(図4のス
テップB3)。
When the creation and recording of the association data are completed, the computer 220 compares the individual association data with the wafer reference position, and based on the following algorithm (B), stacks a plurality of wafers, obliquely inserts wafers,
Abnormality of wafer crack is detected (step B2 in FIG. 4) and slot position mapping data is created (step B3 in FIG. 4).

【0039】アルゴリズム(B)である(B−1、B−
2、B−3、B−4、B−5及びB−4’)は次の通り
である。 B−1:ウェハの基準位置の範囲でビーム反射光を検出
しない場合はスロット位置にウェハが存在しない。 B−2:ウェハの基準位置の範囲でビーム反射光を検出
した場合はスロット位置にウェハが存在する。 B−3:1つのウェハの基準位置の範囲でビーム反射光
のピーク値を2ヶ所以上検出した場合はウェハの複数枚
重ねの異常が発生している(ピーク値が2ヶ所存在した
場合は2枚重ね、3ヶ所検出した場合は3枚重ね、nヶ
所検出した場合はn枚重ねとなる)。 B−4:同じウェハの基準位置の範囲で、1つの受光側
センサでビーム反射光を検出し、他の2つの受光側セン
サでビーム反射光を検出しない場合、または2つの受光
側センサでビーム反射光を検出し、他の1つの受光側セ
ンサでビーム反射光を検出しない場合はウェハ斜め差
し、またはウェハ割れの異常が発生している。 B−5:ウェハの基準位置の範囲以外でビーム反射光を
検出した場合はFOUPカセットの破損、異物混入等の
異常が発生している。
Algorithm (B) (B-1, B-
2, B-3, B-4, B-5 and B-4 ') are as follows. B-1: If the beam reflected light is not detected in the range of the reference position of the wafer, there is no wafer at the slot position. B-2: When the beam reflected light is detected within the range of the reference position of the wafer, the wafer exists at the slot position. B-3: When two or more peak values of the beam reflected light are detected within the range of the reference position of one wafer, an abnormality of stacking a plurality of wafers has occurred (when there are two peak values, it is 2 If three sheets are stacked, three sheets will be stacked, and if n locations will be stacked, n sheets will be stacked.) B-4: When the beam reflected light is detected by one light receiving side sensor and the beam reflected light is not detected by the other two light receiving side sensors within the range of the reference position of the same wafer, or when the beam is detected by the two light receiving side sensors When the reflected light is detected and the beam reflected light is not detected by the other one light receiving side sensor, the wafer is obliquely inserted or the wafer is broken. B-5: When the beam reflected light is detected outside the range of the reference position of the wafer, an abnormality such as breakage of the FOUP cassette or mixing of foreign matter has occurred.

【0040】なお、上記実施の形態では、投光側セン
サ、受光側センサ、センサアンプ、センサヘッド及びモ
ータ軸の組が3組ある例を用いて説明しているが、これ
は前記アルゴリズムB−4を以下のB−4’とすること
で、2組以上の全ての場合に対応できる。 B−4’:同じウェハの基準位置の範囲で、1つの受光
側センサでビーム反射光を検出し、残りの受光側センサ
でどれか一つでもビーム反射光を検出しない場合はウェ
ハ斜め差し、またはウェハ割れの異常が発生している。
The above embodiment has been described by using an example in which there are three sets of the light emitting side sensor, the light receiving side sensor, the sensor amplifier, the sensor head and the motor shaft. By setting 4 to the following B-4 ', it is possible to handle all cases of two or more sets. B-4 ′: When the beam reflected light is detected by one light receiving side sensor and the beam receiving light is not detected by any one of the other light receiving side sensors within the range of the reference position of the same wafer, the wafer is obliquely inserted, Or, an abnormality of wafer crack has occurred.

【0041】また、上記実施の形態ではウェハ収納容器
がFOUPカセットの例を用いて説明しているが、この
収納容器は直径が200mm以上のウェハ、例えば20
0mmウェハあるいは300mmウェハを収納するウェ
ハカセット等、ウェハ収納用スロットを備えたウェハ収
納容器であれば本発明を適用するのが適している。
In the above embodiment, the wafer storage container is described as an example of a FOUP cassette, but this storage container has a diameter of 200 mm or more, for example, 20 wafers.
The present invention is suitably applied to any wafer storage container having a wafer storage slot, such as a wafer cassette for storing 0 mm wafers or 300 mm wafers.

【0042】[0042]

【発明の効果】本発明の第1の効果は、ビーム反射光の
ピーク値の検出によるウェハマッピングを行うことで、
ウェハカセットに収容されたウェハの複数枚重ねの異常
を検出することができ、この異常を検出できずに後工程
の処理を続行した場合に発生が予想されるウェハの破損
や散乱したウェハが原因による装置品質の低下を未然に
防ぐことができるということである。
The first effect of the present invention is to perform wafer mapping by detecting the peak value of the beam reflected light,
It is possible to detect an anomaly in which multiple wafers are stacked in a wafer cassette, and if this anomaly cannot be detected and subsequent processing is continued, it is expected that the wafer will be damaged or scattered. That is, it is possible to prevent deterioration of the device quality due to the above.

【0043】本発明の第2の効果は、複数の方向からウ
ェハの検出を行うことにより、従来の技術でも可能であ
ったウェハ斜め差しの異常検出やウェハ割れの異常検出
はもちろんのこと、ウェハカセットに収容されたウェハ
の一部だけが破損しているウェハ割れの場合でも異常を
検出することができ、この異常を検出できずに後工程の
処理を続行した場合に発生が予想されるウェハの破損や
散乱したウェハが原因による装置品質の低下を未然に防
ぐことができるということである。
The second effect of the present invention is to detect the wafers from a plurality of directions, so that it is possible to detect abnormalities in the oblique insertion of the wafer and abnormalities in the cracking of the wafer, which are also possible in the conventional technique. Abnormality can be detected even if a wafer is cracked in which only a part of the wafers stored in the cassette is damaged. If this abnormality cannot be detected and subsequent processing is continued, the wafer is expected to occur. That is, it is possible to prevent the deterioration of the device quality due to the damage and scattered wafers.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施の形態の検知装置を示す構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態の検知装置におけるセン
サの取り付け方を上面から見た図である。
FIG. 2 is a top view showing how to install a sensor in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態の検知装置におけるセン
サの取り付け方を側面から見た図である。
FIG. 3 is a side view showing how to install the sensor in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態の検知装置においてウェ
ハ収納状態を検知、測定する方法の手順を示すフローチ
ャート図である。
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure of a method for detecting and measuring a wafer storage state in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウェ
ハ側面の角度と受光状態の関係を説明する図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a wafer side surface angle and a light receiving state in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウェ
ハ側面の角度と受光状態の関係を説明する図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between an angle of a wafer side surface and a light receiving state in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウェ
ハ側面の角度と受光状態の関係を説明する図である。
FIG. 7 is a diagram illustrating a relationship between an angle of a wafer side surface and a light receiving state in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウェ
ハ側面の角度と受光状態の関係を説明する図である。
FIG. 8 is a diagram illustrating a relationship between a wafer side surface angle and a light receiving state in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウェ
ハ一枚について受光量を測定した結果を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a result of measuring the amount of received light with respect to one wafer in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図10】本発明の一実施の形態の検知装置におけるウ
ェハ2枚重ねの受光量を測定した結果を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a result of measuring the amount of received light when two wafers are stacked in the detection apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施の形態の検知装置におけるセ
ンサからウェハ側面までの距離による受光の様子を説明
する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating how light is received depending on the distance from the sensor to the side surface of the wafer in the detection device according to the embodiment of the present invention.

【図12】従来技術の検知装置を示す構成図である。FIG. 12 is a configuration diagram showing a conventional detection device.

【図13】従来技術の検知装置におけるセンサの取り付
け方を上面から見た図である。
FIG. 13 is a top view of how to install a sensor in a conventional detection device.

【図14】従来技術の検知装置におけるセンサの取り付
け方を側面から見た図である。
FIG. 14 is a side view showing how to install a sensor in a detection device of the related art.

【図15】従来技術の検知装置においてウェハ収納状態
を検知、測定する方法の手順を示すフローチャート図で
ある。
FIG. 15 is a flowchart showing a procedure of a method for detecting and measuring a wafer storage state in a conventional detection device.

【図16】従来技術の検知装置におけるウェハ斜めざし
の状態を説明するための概略図である。
FIG. 16 is a schematic diagram for explaining the state of the wafer diagonally facing in the detection device of the related art.

【図17】従来技術の検知装置におけるウェハ割れの状
態を説明するための概略図である。
FIG. 17 is a schematic diagram for explaining a state of a wafer crack in a conventional detection device.

【図18】従来技術の検知装置におけるウェハ複数枚重
ね及びウェハ傾きの異常状態の検出を説明するための概
略図である。
FIG. 18 is a schematic diagram for explaining detection of an abnormal state of stacking of a plurality of wafers and wafer inclination in a detection device of the related art.

【図19】従来技術の検知装置におけるウェハ割れの状
態を説明するための概略図である。
FIG. 19 is a schematic diagram for explaining a state of a wafer crack in a conventional detection device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101a 投光側センサ 101b 受光側センサ 101c センサアンプ 111 ビーム光 120 コンピュータ 121 モータ 122a モータ軸 122b モータ軸 123a センサブラケット 123b センサブラケット 201a 投光側センサ 201b 受光側センサ 201c センサアンプ 202a 投光側センサ 202b 受光側センサ 202c センサアンプ 203a 投光側センサ 203b 受光側センサ 203c センサアンプ 211a ビーム光 211b ビーム反射光 212a ビーム光 212b ビーム反射光 213a ビーム光 213b ビーム反射光 220 コンピュータ 221 モータ 222a モータ軸 222b モータ軸 222c モータ軸 223a センサブラケット 223b センサブラケット 223c センサブラケット W ウェハ F FOUPカセット S スロット 101a Light emitting side sensor 101b Light receiving side sensor 101c sensor amplifier 111 beam light 120 computers 121 motor 122a motor shaft 122b motor shaft 123a Sensor bracket 123b sensor bracket 201a Light emitting side sensor 201b Light receiving side sensor 201c sensor amplifier 202a Light emitting side sensor 202b Light receiving side sensor 202c sensor amplifier 203a Emitter side sensor 203b Light receiving side sensor 203c sensor amplifier 211a beam light 211b Beam reflected light 212a beam light 212b Beam reflected light 213a beam light 213b Beam reflected light 220 computers 221 motor 222a Motor shaft 222b Motor shaft 222c motor shaft 223a Sensor bracket 223b Sensor bracket 223c sensor bracket W wafer F FOUP cassette S slot

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハを裁置するスロットを備え
たウェハ収納容器に収納されている半導体ウェハの収納
状態を検知、測定する検知装置において、前記ウェハ収
納容器に収容された前記半導体ウェハの側面方向からビ
ーム光を投光する手段と、前記ビーム光の反射光を受光
する手段と、前記ビーム光の反射光を受光する手段が受
光したビーム光の光量を測定する手段と、前記ビーム光
を投光する手段及び前記ビームの反射光を受光する手段
をウェハ収納容器のスロットに沿って移動させる手段と
を複数組有することを特徴とする半導体ウェハ収納状態
の検知装置。
1. A detection device for detecting and measuring a storage state of a semiconductor wafer stored in a wafer storage container provided with a slot for placing a semiconductor wafer, wherein a side surface of the semiconductor wafer stored in the wafer storage container. Means for projecting the light beam from a direction, means for receiving the reflected light of the light beam, means for measuring the light amount of the light beam received by the means for receiving the reflected light of the light beam, and the light beam A semiconductor wafer storage state detection device comprising a plurality of sets of means for projecting light and means for receiving the reflected light of the beam along a slot of a wafer storage container.
【請求項2】 前記検知装置に、更に、前記ビーム光を
投光する手段及び前記ビームの反射光を受光する手段の
位置と前記ビーム反射光の受光量とを関連付けて、受光
量の関連付けデータを作成及び記録する手段を有するこ
とを特徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ収納状態
の検知装置。
2. The detection device is further associated with the positions of the means for projecting the light beam and the means for receiving the reflected light of the beam and the received light amount of the reflected light of the beam, to associate data of the received light amount. 2. The semiconductor wafer storage state detection device according to claim 1, further comprising means for creating and recording the.
【請求項3】 前記検知装置に、更に、前記関連付けデ
ータから前記半導体ウェハの複数重ね、前記半導体ウェ
ハの斜め差し、前記半導体ウェハの割れの異常を検出す
るための異常解析手段と、前記関連付けデータから前記
半導体ウェハのスロット位置のマッピングデータを算出
するためのマッピングデータ解析手段とを有することを
特徴とする請求項2に記載の半導体ウェハ収納状態の検
知装置。
3. The detection device further comprises abnormality analysis means for detecting a plurality of semiconductor wafers stacked from the association data, oblique insertion of the semiconductor wafers, and cracks in the semiconductor wafer, and the association data. 3. The semiconductor wafer storage state detection device according to claim 2, further comprising: mapping data analysis means for calculating mapping data of the slot position of the semiconductor wafer.
【請求項4】 前記移動させる手段はモータ軸と、前記
モータ軸に結合してモータ軸の回転により前記スロット
に沿って移動するセンサブラケットとを具備し、それぞ
れのセンサブラケットに前記投光する手段および前記受
光する手段の対が取り付けられていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体ウェハ収納状態の検知装置。
4. The means for moving comprises a motor shaft and a sensor bracket which is coupled to the motor shaft and moves along the slot by rotation of the motor shaft, and the means for projecting light to each sensor bracket. The semiconductor wafer storage state detection device according to claim 1, further comprising a pair of means for receiving light.
【請求項5】 前記スロットを内部に形成するスロット
の枠が存在しないで前記半導体ウェハの側面が露出して
いる箇所に対向して前記投光する手段、前記受光する手
段および前記移動させる手段が設けられていることを特
徴とする請求項1に記載の半導体ウェハ収納状態の検知
装置。
5. The means for projecting light, the means for receiving light, and the means for moving are opposed to a position where a side surface of the semiconductor wafer is exposed without a frame of the slot for forming the slot inside. The semiconductor wafer storage state detection device according to claim 1, wherein the detection device is provided.
【請求項6】 前記投光する手段、前記受光する手段お
よび前記移動させる手段をそれぞれ複数設けたことを特
徴とする請求項5に記載の半導体ウェハ収納状態の検知
装置。
6. The semiconductor wafer storage state detection device according to claim 5, wherein a plurality of the light projecting means, the light receiving means, and the moving means are provided.
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