KR101450613B1 - 방사선 검출 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 방사선 검출 장치는, 전리 방사선을 감지하기 위한 방사선 검출 장치로서, 방사선을 감지하는 센서부; 상기 센서부에서 전달되는 신호를 처리하여 전기 신호를 생성하는 전자부; 상기 전자부에서 생성된 전기 신호를 외부 기기에 전달하는 커넥터; 및 상기 센서부 및 상기 전자부가 내장되도록 구성되는 하우징;을 포함하고,
상기 센서부 및 전자부 중 적어도 하나의 적어도 일부는 상기 하우징의 내면과 소정의 이격공간을 갖도록 상기 하우징 내에 배치되며, 상기 이격공간은 진공 상태로 구성되는 것을 특징으로 한다.

Description

방사선 검출 장치{RADIOACTIVE RAYS SENSING DEVICE}

본 발명은 방사선 검출 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 센서부가 소정의 공간을 갖는 하우징 내에 위치하게 구성되되, 상기 하우징의 내면과 상기 센서부는 소정 거리만큼 이격되게 구성되고 상기 하우징 내부는 진공으로 이루어짐으로써 내장된 센서부와 전자부에 대하여 대류에 의한 열전달 및 그러한 환경요인에 의한 센서 계측 성능 저하를 방지하여 더욱 신뢰성 있고 정확한 방사선 검출이 가능하도록 구성한 방사선 검출 장치에 관한 것이다.

전기 에너지를 얻는 효율적인 발전 수단으로 원자력 발전이 널리 사용되고 있다.

원자력 발전은 전기 에너지를 효율적으로 얻을 수 있는 수단이기는 하나, 사고 등으로 방사선이 누출되는 경우 막대한 피해를 일으킬 수 있다. 따라서 원자력 발전소 등의 주변에 설치되어 방사선의 누출을 조기에 감지할 수 있는 장치의 필요성이 대두되었다.

예를 들면 요오드나트륨(NaI) 센서를 이용한 방사선 검출 장치와 같은 다양한 방사선 검출 장치가 개발되고, 사용되고 있다. NaI 센서는 상온에서 감마선을 검출하는 센서로서 유용하나 온도에 따른 섬광의 세기와 지속 시간에 대한 영향을 고려하여 설계되어야 높은 신뢰도의 센서를 구현할 수 있다. 특히, 야외에서 사용하는 경우 온도의 변화에 따른 섬광현상의 관계는 복잡한 함수관계를 보이며 센서의 성능저하의 원인이 된다. NaI 센서를 야외 특히 온도변화가 큰 곳에서 사용하는 경우 측정정확도를 보장하기 위해서는 센서의 온도를 유지하여야 한다.

외부의 열적 환경은 전도, 대류, 복사의 세가지 경로를 통하여 NaI　Scintillation 센서에 영향을 준다.

기존의 NaI Scintillation 센서를 이용한 방사선 검출기들은 외부의 물리적, 환경적 조건들로부터 센서를 보호하기 위하여 센서 외부에 시설물을 두어 거대한 공조 시스템을 별도로 설치하거나, 센서를 센서 하우징에 넣고 하우징과 NaI센서 사이는 공기층을 두거나 또는 열전도계수가 작은 재료를 채우는 구조로 제작하고 있다.

하우징과 센서간의 전도에 의한 열교환을 최소화하기 위해서는 센서와 하우징을 연결하는 구조물로 열전도성이 작은 소재를 사용하여야 한다. 또한 열전도량은 형상과도 관계가 있어 열전도의 경로를 길게 하고 단면적을 최소화하는 것이 효과적이다. 그러나 이 경우 내부에 빈 공간이 커지고 이를 채우고 있는 공기에 의하여 대류 열전달이 일어나게 된다.

대한민국 특허출원 10-2010-0068480

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서 방사선 검출 장치가 소정의 공간을 갖는 하우징 내에 위치하게 구성되며, 상기 하우징 내부는 진공으로 이루어짐으로써 대류 열전달이 방지되며 더욱 신뢰성있고 정확한 방사선 검출이 가능해지는 방사선 검출 장치를 제공하는 데 목적이 있다.

상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 방사선 검출 장치는, 전리 방사선을 감지하기 위한 방사선 검출 장치로서, 방사선을 감지하는 센서부; 상기 센서부에서 전달되는 신호를 처리하여 전기 신호를 생성하는 전자부; 상기 전자부에서 생성된 전기 신호를 외부 기기에 전달하는 커넥터; 및 상기 센서부 및 상기 전자부가 내장되도록 구성되는 하우징;을 포함하고, 상기 센서부 및 전자부 중 적어도 하나의 적어도 일부는 상기 하우징의 내면과 소정의 이격공간을 갖도록 상기 하우징 내에 배치되며, 상기 이격공간은 진공 상태로 구성된다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 센서부는, 방사능을 감지하여 광신호를 발생하는 NaI 센서, 및 상기 NaI 센서에서 생성된 신호를 상기 전자부에 전달하는 튜브를 포함한다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 튜브는 상기 NaI 센서에서 생성된 광신호를 증폭하여 상기 전자부에 전달하는 광증배관(Photomultiplier tube)으로 구성된다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 전자부는, 고압의 전압을 인가하거나 또는 전압을 강하하여 분리시키는 전압 변환부, 신호를 소폭 증폭하여 신호대 잡음비를 낮추는 노이즈 제거부, 및 신호를 증폭하여 처리하는 다중파고분석부를 포함한다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 다중파고분석부는, 신호별 특성을 조합하여 다수의 채널 별로 카운트 수를 배치하고 이에 따라서 스펙트럼을 산출한다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 하우징의 내면과 상기 센서부 사이에는 위치 고정부가 구비된다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 하우징의 외측면에는, 복사열을 차단할 수 있는 반사층이 구비된다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 코팅층은 은(Ag)을 포함한다.

본 발명의 바람직한 일 실시 형태에 따르면, 상기 하우징 내의 기체를 배출하고 상기 하우징 내부를 진공상태로 유지하도록 하는 진공 밸브가 구비된다.

본 발명의 방사선 검출 장치에 의하면, 하우징이 센서부를 둘러싸게 마련됨에 따라서, 센서부에 포함된 NaI 센서가 외부의 열에 의해서 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 또한, 상기 하우징의 내면과 상기 센서부의 적어도 일부는 소정의 이격거리를 가져서 상기 하우징의 내면과 상기 센서부 사이에는 이격공간이 형성도며, 상기 이격공간은 진공으로 이루어짐에 따라서, 센서부와 하우징이 열적으로 분리될 수 있다. 즉, 하우징이 센서부와 이격됨으로써 상기 하우징으로부터 상기 센서부로 열이 전도되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 하우징 내부가 진공 상태로 구성됨에 따라서 센서부와 하우징 사이의 기체의 열 대류에 의한 열 전달 또한 방지될 수 있다. 따라서 하우징을 통한 열의 유출입이 최소화될 수 있으며, 필요에 따라서 작은 전력으로 센서부의 온도를 제어할 수 있다. 따라서, 센서부에 포함된 NaI 센서 및 전자부에 대한 외부 열원 및 각종 환경 영향이 감소하며 따라서 더욱 신뢰성있고 정확한 방사선 검출이 가능해질 수 있다.

아울러, 하우징 내부에 공기와 같은 기체가 충진되었을 때에 비해 열 전달 차단 효과가 더욱 증대되므로, 기체가 충진되었을 경우에 비해 동일한 이격거리에서 더욱 우수한 열 차단 효과가 확보될 수 있으므로, 따라서 방사선 검출 장치를 소형으로 구성하면서 신뢰성있고 정확한 방사선 검출이 가능해질 수 있다.

특히, 센서부에 대한 외부 온도의 영향이 감소하므로, 본 발명에 따른 방사선 검출 장치는 NaI 센서의 사용에 최적화될 수 있다. 즉, 상기 NaI 센서는 방사선 핵종을 구분할 수 있되 온도에 대한 민감성이 커서 사용에 제약이 있을 수 있으나, 본 발명에 따른 방사선 검출 장치는 센서부를 하우징으로 감싸고 상기 하우징의 내면과 상기 센서부가 소정 거리 이격되게 하되 상기 하우징의 내부는 진공 상태로 이루어지도록 함으로써 외부 온도의 영향을 최소화시킬 수 있으므로, NaI 센서의 사용에 최적화된 조건을 제공할 수 있게 된다.

바람직하게는, 상기 하우징의 외측면에는 외부의 열을 반사하여 열 흡수를 차단할 수 있는 반사층이 구비될 수 있으며, 따라서 외부 복사열 전달이 차단되며 외부 열원에 의한 NaI 센서 및 전자부의 영향이 더욱 감소할 수 있다.

바람직하게는, 상기 하우징의 내부에는 상기 센서부에 포함된 NaI 센서 및 전자부를 고정시킬 수 있는 위치 고정부가 구비되어, 방사선 검출 장치에 진동 등이 인가되는 경우에도 센서부의 손상이 방지될 수 있다.

도 1 은 방사선 검출 장치의 구조를 나타낸 개념도이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출 장치를 나타낸 도면이다.
도 3 은 도 2 에 도시된 방사선 검출 장치의 일부 단면도이다.
도 4 는 도 2 에 도시된 방사선 검출 장치의 일부 단면도이다

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대하여 설명한다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

공간적으로 상대적인 용어인 “하부", "상부", “측부” 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 부재 또는 구성 요소들과 다른 부재 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 부재의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 부재를 뒤집을 경우, 다른 부재의 “상부"로 기술된 부재는 다른 부재의 "하부”에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "상부"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 부재는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다" 및/또는 "포함하는”은 언급된 부재 외의 하나 이상의 다른 부재의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.

도면에서 각부의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.

또한, 실시예에서 본 발명의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 본 발명을 이루는 구조에 대한 설명에서, 방향에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.

도 1 은 방사선 검출 장치(1)의 구조를 나타낸 개념도이며, 도 2 는 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 검출 장치(1)를 나타낸 도면이고, 도 3 및 도 4 는 도 2 에 도시된 방사선 검출 장치(1)의 일부 단면도이다.

도 1 에 도시된 바와 같이, 방사선 검출 장치(1)는, 전리 방사선을 검출하기 위한 방사선 검출 장치(1)로서, 방사선을 감지하는 센서부(30); 상기 센서부(30)에서 전달되는 신호를 처리하여 전기 신호를 생성하는 전자부(20); 상기 전자부(20)에서 생성된 전기 신호를 외부 기기에 전달하는 커넥터(10); 및 상기 센서부(30) 및 전자부(20)가 내장되도록 구성되는 하우징(40); 을 포함하여 구성될 수 있다.

커넥터(10)는 외부 전자 기기와 연결되어 신호를 송, 수신할 수 있으며, 연결 단자로 기능하는 수개의 전기 연결 핀(12)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 커넥터(10)는 예컨대 외장 컴퓨터에 연결되어 검사 결과를 외장 컴퓨터를 통해 출력할 수 있다.

센서부(30)는 방사선을 검출할 수 있는 방사선 검출 센서를 포함할 수 있다.

바람직하게는, 상기 센서부(30)는 NaI 센서(32)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 NaI 센서(32)는 Sodium Iodide 에 Thalum 을 불순물로 첨가한 섬광검출기형 검출기로서, 상기 센서부(30)가 NaI 센서(32)를 포함함으로써, 크리스탈 섬광 검출 방식의 방사선 검출이 가능해질 수 있다. NaI 센서(32)는 원자력시설에서 방출되는 방사성 핵종을 식별할 수 있으므로, 총 선량률 중에서 자연 기여분과 인공 기여분을 구분하여 더욱 정밀한 방사선 검출이 가능해질 수 있다. 상기 NaI 센서(32)는 방사능을 감지함에 따라서 광 신호를 생성할 수 있다.

한편, 상기 센서부(30)는 상기 NaI 센서(32)에서 발생된 광 신호를 후술하는 전자부(20)에 전달하는 소정의 튜브(34)를 포함할 수 있으며, 상기 튜브(34)는 상기 광 신호를 증폭하여 상기 전자부(20)로 전달하는 광증배관(Photomultiplier Tube)으로 구성될 수 있다. 이에 따라서, 상기 전자부(20)는 튜브(34)에 의해서 증폭된 광 신호를 수신할 수 있다.

전자부(20)는 센서부(30)에서 방사선을 감지함에 따라서 생성된 신호를 처리하며 센서부(30)에 대해 전압이 인가되도록 구비될 수 있다.

상술한 바와 같이, 센서부(30)가 NaI 센서(32)를 포함함에 따라서, 상기 전자부(20)는 센서부(30)에서 생성된 광 신호를 처리하여 외부 전자 기기에서 인식될 수 있는 전기 신호를 생성할 수 있다. 즉, 전자부(20)는 광 신호를 전기 신호로 변환할 수 있다. 이에 따라서, 전자부(20)는 소정의 포토멀티플라이어 튜브(photomultiplier tube)와 같은 구성을 가질 수 있다.

한편, 전자부(20)는 같이 전압 변환부, 노이즈 제거부(Preamplifier), 및 다중파고분석부(MCA)를 포함하여 구성될 수 있다.

전압 변환부는 센서부(30)에 대하여 소정의 전원이 인가되도록 구비되며, 예컨대 전압 변환부는 센서부(30)에 대해서 400 내지 1000 V 의 고압을 인가하는 High Voltage Module, 및/또는 전압을 강하시켜 분리하는 Voltage Divider 를 포함할 수 있다.

노이즈 제거부(Preamplifier) 는 후술하는 다중파고분석기(MCA) 내부에 포함된 Amplifier 의 전단에 배치되는 간이 증폭기(Amplifier)로서, 신호대 잡음비를 낮추기 위해 신호를 소폭 증폭시킬 수 있다. 따라서, 신호의 노이즈가 비교적 완화되며 보다 명료한 신호를 생성하여 방사선 검출의 신뢰성이 향상될 수 있다.

다중파고분석부(MCA : Multi Channel Analyzer)는 신호를 증폭하여 처리할 수 있도록 구비되며, 내부에 증폭기(Amplifier)를 포함할 수 있다. 다중파고분석기(MCA)는 신호별 특성을 조합하여 스펙트럼을 산출할 수 있으며, 예컨대 신호별 특성을 조합하여 다수의 다양한 채널 별로 카운트 수를 배치하고, 이에 따라서 스펙트럼을 산출하도록 구성될 수 있다.

한편, 상술한 전자부(20)의 구성은 일 실시예에 따른 예시이며, 이에 한정하지 아니함은 명백하다.

하우징(40)은 상기 커넥터(10), 전자부(20) 및 센서부(30)가 배치되는 소정의 공간을 가지며, 상기 전자부(20) 및 센서부(30)가 내장되어 둘러싸지도록 구성된다. 하우징(40)은 견고하면서 열 전달율이 낮은 재질로 구성되며, 예컨대 알루미늄과 같은 메탈, 또는 고분자 수지와 같은 재질로 구성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.

한편, 하우징(40) 내에는 상기 센서부(30)가 및 전자부(20)가 내장되되, 하우징(40)의 내면과 상기 센서부(30)의 적어도 일 부분은 소정 거리 이격되어 하우징(40)의 내면과 상기 센서부(30) 사이에는 소정의 이격공간이 형성되도록 구성된다. 즉, 도 3 에 도시된 바와 같이, 센서부(30)와 하우징(40)의 내면 사이에는 간극이 형성되어 이격공간이 형성되며, 상기 이격공간은 진공 상태로 이루어지게 구성될 수 있다.

하우징(40)이 센서부(30)를 둘러싸게 마련됨에 따라서, 센서부(30)가 외부의 열에 의해서 영향을 받는 것이 방지될 수 있다. 또한, 상기 하우징(40)의 내면과 상기 센서부(30)는 소정의 이격거리를 가져서 이격공간이 형성되며 상기 이격공간은 진공으로 이루어짐에 따라서, 센서부(30)와 하우징(40)이 열적으로 분리될 수 있다. 즉, 하우징(40)이 센서부(30)와 이격됨으로써 상기 하우징(40)으로부터 상기 센서부(30)로 열이 전도되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 하우징(40) 내부가 진공 상태로 구성됨에 따라서 센서부(30)와 하우징(40) 사이의 기체의 열 대류에 의한 열 전달 또한 방지될 수 있다. 따라서 하우징(40)을 통한 열의 유출입이 최소화될 수 있으며, 필요에 따라서 작은 전력으로 센서부(30)의 온도를 제어할 수 있다. 따라서, 센서부(30)에 대한 외부 열원 및 각종 환경 영향이 감소하며 따라서 더욱 신뢰성있고 정확한 방사선 검출이 가능해질 수 있다.

아울러, 하우징(40) 내부에 공기와 같은 기체가 충진되었을 때에 비해 열 전달 차단 효과가 더욱 증대되므로, 기체가 충진되었을 경우에 비해 동일한 이격거리에서 더욱 우수한 열 차단 효과가 확보될 수 있으므로, 따라서 방사선 검출 장치(1)를 소형으로 구성하면서 신뢰성있고 정확한 방사선 검출이 가능해질 수 있다.

특히, 상술한 바와 같이, 센서부(30)에 대한 외부 온도의 영향이 감소하므로, 본 발명에 따른 방사선 검출 장치(1)는 NaI 센서(32)의 사용에 최적화될 수 있다. 즉, 상기 NaI 센서(32)는 방사선 핵종을 구분할 수 있되 온도에 대한 민감성이 커서 사용에 제약이 있을 수 있으나, 본 발명에 따른 방사선 검출 장치(1)는 센서부(30)를 하우징(40)으로 감싸고 상기 하우징(40)의 내면과 상기 센서부(30)가 소정 거리 이격되게 하되 상기 하우징(40)의 내부는 진공 상태로 이루어지도록 함으로써 외부 온도의 영향을 최소화시킬 수 있으므로, NaI 센서(32)의 사용에 최적화된 조건을 제공할 수 있게 된다.

바람직하게는, 상기 하우징(40)의 외측면에는 외부의 열을 반사하여 열 흡수를 차단할 수 있는 반사층이 구비될 수 있다. 상기 반사층은 예컨대 높은 반사율을 갖는 재질로 구성되며, 예컨대 은(Ag)과 같은 재질로 구성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다. 하우징(40) 외측면에 외부의 열을 반사하여 열 흡수를 차단하는 반사층이 구비됨에 따라서, 외부 복사열 전달이 차단되며 외부 열원에 의한 센서부(30)의 영향이 더욱 감소할 수 있다.

바람직하게는, 하우징(40) 내부에는 상기 센서부(30)가 정위치에 배치되어 이탈하지 않도록 하는 위치 고정부(50)가 구비될 수 있다. 상기 위치 고정부(50)는 상기 센서부(30)와 상기 하우징(40)의 내면 사이에 배치되어 상기 센서부(30)를 고정시킬 수 있다. 한편, 상기 전자부(20)와 하우징(40)의 내면 사이에 상기 위치 고정부(50)가 배치될 수도 있으며, 이에 한정하지 아니함은 물론이다.

이때, 상기 위치 고정부(50)는 상기 하우징(40) 및 상기 센서부(30)와 접촉하며 상기 하우징(40)과 상기 센서부(30)는 상기 위치 고정부(50)를 통해서 서로 연결되므로, 상기 위치 고정부(50)를 통해서 열 전달이 이루어지는 것을 최소화할 수 있도록 열 전도율이 낮은 재질로 구성될 수 있으며, 예컨대 플라스틱과 같은 고분자 수지 등으로 구성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.

바람직하게는, 상기 하우징(40)의 일 측에는 상기 하우징(40) 내의 기체를 배출하고 하우징(40) 내부를 진공상태로 유지하도록 하는 진공 밸브(60)가 구비될 수 있다.

이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.

1: 방사능 검출 장치 10: 커넥터
12: 연결 핀 20: 전자부
30: 센서부 32: NaI 센서
34: 튜브 40: 하우징
50: 위치 고정부 60: 진공 밸브

Claims (9)

1. 전리 방사선을 감지하기 위한 방사선 검출 장치로서,
   방사선을 감지하는 센서부;
   상기 센서부에서 전달되는 신호를 처리하여 전기 신호를 생성하는 전자부;
   상기 전자부에서 생성된 전기 신호를 외부 기기에 전달하는 커넥터;
   상기 센서부 및 상기 전자부가 내장되도록 구성되는 하우징; 및
   진공 밸브; 를 포함하고,
   상기 센서부 및 전자부는 상기 하우징의 내면과 소정의 이격공간을 갖도록 상기 하우징 내에 배치되며,
   상기 이격공간은 진공 상태로 구성되고,
   상기 센서부는,
   방사능을 감지하여 광신호를 발생하는 NaI 센서, 및 상기 NaI 센서에서 생성된 신호를 상기 전자부에 전달하는 튜브를 포함하며,
   상기 튜브는 상기 NaI 센서에서 생성된 광신호를 증폭하여 상기 전자부에 전달하는 광증배관(Photomultiplier tube)으로 구성되고,
   상기 전자부는,
   고압의 전압을 인가하거나 또는 전압을 강하하여 분리시키는 전압 변환부,
   신호를 소폭 증폭하여 신호대 잡음비를 낮추는 노이즈 제거부, 및
   신호를 증폭하여 처리하는 다중파고분석부를 포함하며,
   상기 다중파고분석부는,
   신호별 특성을 조합하여 다수의 채널 별로 카운트 수를 배치하고 이에 따라서 스펙트럼을 산출하고,
   상기 하우징의 내면과,
   상기 센서부 및 전자부 사이에는,
   위치 고정부가 구비되며,
   상기 하우징의 외측면에는,
   복사열을 차단하도록 은(Ag)을 포함하는 반사층이 구비되며,
   상기 진공 밸브는,
   상기 하우징 내의 기체를 배출하고 상기 하우징 내부를 진공상태로 유지하도록 하며,
   상기 커넥터는,
   연결 단자로 기능하는 수개의 전기 연결 핀을 포함하여 외부 전자 기기와 연결되어 신호를 송 수신할 수 있는 것을 특징으로 하는 방사선 검출 장치.
   
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 삭제

Images