KR101447982B1 - 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 압력 센서 패키지는 멤스 기술이 적용된 압력 센서 소자를 구비한다. 압력 센서 패키지는 압력 센서 소자를 포함하는 부품 소자들이 실장되는 기판 상부에 몰드부재가 적층 결합된다. 몰드부재는 절연 재질의 몰드로 사출 성형하고 고착화하여 기판에 실장된 부품 소자들을 보호하도록 압력 센서 패키지의 외형을 형성한다. 또 몰드부재 외부로부터 가압되는 압력 신호를 압력 센서 소자로 전달한다. 이러한 몰드부재는 기판과의 결합력이 향상될 수 있으며, 다양한 형상으로 사출 가능하므로, 압력 센서 패키지가 적용되는 어플리케이션에 대응하여 그 형상을 다양하게 제작할 수 있다. 따라서 본 발명에 의하면, 몰드부재를 이용하여 패키지의 제조 공정이 간소화되며, 이로 인해 제조 비용을 줄일 수 있다.

Description

압력 센서 패키지 및 그 제조 방법{SENSOR PACKAGE AND METHOD FOR PRODUCTING OF THE SAME}
본 발명은 압력 센서 패키지에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 압력 센서 소자가 실장된 기판 상부에 사출 성형으로 적층 결합되는 몰드부재를 구비하여, 제조 원가 절감, 공정 단순화 및 다양한 형상의 패키지 제작이 가능한 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근들어, 휴대폰, 스마트폰 등의 이동 통신용 단말기나, 타블랫 PC, MP3 플레이어 등과 같은 소형 전자 장치들은 보다 소형화 및 경량화되고 있는 추세이다. 이러한 추세에 따라 소형 전자 장치들을 구성하는 부품 또한 더욱 소형화 및 경량화되어가고 있다. 그러나 소형 전자기기에 사용되던 센서는 기계적인 가동 부위가 포함되어 있기 때문에 최소한의 크기 이하로는 더 이상 축소가 어려운 물리적 한계가 있다.
따라서 센서 크기의 물리적 한계를 해결할 수 있는 멤스(Micro Electro Mechanical System : MEMS) 기술 개발이 집중적으로 이루어지고 있다. 예를 들어 멤스 기술이 적용된 음향 센서, 압력 센서 등이 있다.
멤스 기술이란, 반도체 공정 특히, 집적 회로 기술을 응용한 마이크로 머시닝(micro machining) 기술을 이용하여 마이크로 단위의 초소형 센서나 액츄에이터 및 전기 기계적 구조체물을 제작하는데 일반적으로 응용된다. 이와 같은 멤스 기술이 적용된 실시예로 멤스 마이크로폰, 멤스 압력 센서 등은 초소형의 소자를 구현할 수 있을 뿐만 아니라, 하나의 기판 예컨대, 실리콘 웨이퍼 상에서 복수 개의 멤스 마이크로폰 또는 멤스 압력 센서를 제조할 수 있어 대량 생산이 가능하여 생산성 향상 및 제조 단가를 절감할 수 있다.
이러한 멤스 마이크로폰 또는 멤스 압력 센서를 구비하는 센서 패키지는 신호를 받아들이기 위하여 프론트(front) 타입으로서 하우징 또는 케이스의 전면에 음향홀 또는 압력홀을 구비하거나, 리어(rear) 타입으로서 인쇄 회로 기판의 후면에 음향홀 또는 압력홀을 구비한다.
이러한 멤스 기술이 적용된 압력 센서 패키지에 대한 기술은 이미 다양하게 공개되어 있다. 공개된 기술에는 예를 들어, 국내 공개특허공보 제10-2011-0128293호(공개일 2011년 11월 29일)의 '노출 패드 후면 압력 센서 패키지', 동 공개특허공보 제10-2004-0080558호(공개일 2004년 9월 20일)의 '압력 센서 패키지 및 그 제조 방법', 동 등록특허공보 제10-0437493호(공고일 2004년 6월 15일)의 '압력 센서 패키지', 동 등록특허공보 제10-0344229호(공고일 2002년 7월 2일)의 '압력센서 패키지의 글래스 가공방법', 그리고 동 등록특허공보 제10-0505810호(공고일 2005년 8월 3일)의 '압력센서 패키지 및 그 제조 방법' 등이 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 일반적으로 멤스 기술이 적용된 압력 센서 패키지(2)는 외부로부터 압력 신호를 받아들여서 압력 센서 패키지(2)의 내부로 인가하는 관통홀(32)이 커버(30)의 전면에 배치되는 프론트(front) 타입의 압력 센서로, 기판(10)과, 멤스 트랜스듀서(20), 반도체 회로 소자(22) 및 커버(30)를 포함한다.
기판(10)은 예를 들어, 반도체 기판, 세라믹 기판 등으로 구비되며, 상부면에 멤스 트랜스듀서(20)와 반도체 회로 소자(22)가 표면 실장되는 칩 본딩 패드(12, 14)가 구비된다.
멤스 트랜스듀서(MEMS transducer)(20)는 관통홀(32)을 통해 유입되는 압력 신호의 세기를 감지하여 전기적인 신호로 변환하고, 반도체 회로 소자(22)로 전기적인 신호를 제공한다. 반도체 회로 소자(22)는 멤스 트랜스듀서(20)로부터 제공되는 전기적인 신호를 받아서 증폭 및 신호 처리한다. 이를 위해 멤스 트랜스듀서(20)와 반도체 회로 소자(22), 반도체 회로 소자(22)와 기판(10) 사이에는 복수 개의 금속 와이어(wire)(24)들을 통해 전기적으로 연결된다.
커버(30)는 예컨대, 금속 재질 등을 이용하여 단일층으로 형성되는 캔(can) 타입으로 구비되며, 하부면이 개방되고, 상부면의 일측에서 상하로 관통되는 관통홀(32)을 구비한다. 커버(30)는 상부면이 대체로 평편한 형상으로 제공된다. 또 커버(30)는 측벽을 통하여 하부에 기판(10)의 가장자리(16)와 결합된다. 커버(30)와 기판(10)은 실링부재(미도시됨)에 의해 결합 밀폐된다. 커버(30)와 기판(10)이 결합된 내부 공간에는 멤스 트랜스듀서(20)와 반도체 회로 소자(22)가 수용된다.
상술한 바와 같이, 종래기술의 압력 센서 패키지(2)는 기판(10)의 상부에 부품 소자(20, 22)들을 보호하는 캔(can) 타입의 커버(30)를 용이하게 조립하고, 내부의 와이어(24)와의 쇼트를 방지하기 위하여, 커버(30)의 측벽과 와이어(24) 사이의 공간이 필요하며, 이로 인해 커버(30)와 기판(10) 간의 조립 공차가 필요하므로 소형화가 어렵다.
또 종래기술의 압력 센서 패키지(2)는 커버를 별도의 단품으로 제작하는 등으로 인해 제조 공정이 복잡하고, 획일적인 형태로 제작되므로 이를 적용하는 다양한 어플리케이션들 예를 들어, 자동차, 가전, 헬스케어, 스마트폰, 태블릿, PMP, 게임기, 디지털 카메라 및 리모콘 등과 같은 모바일 장치 등에 대응하여 설치가 용이하지 않은 문제점 등이 있다.
본 발명의 목적은 소형화 및 제조 공정이 단순한 압력 센서 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 기판 상에 결합되는 몰드부재를 다양한 형상으로 제작하여 다양한 어플리케이션에 적용 가능한 압력 센서 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 패키지의 견고성 향상과 이물질 투입 방지 및 방수 효과를 얻을 수 있을 압력 센서 패키지 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 압력 센서 패키지는 기판 상에 실장된 부품 소자들을 보호하고, 압력 신호를 받아들여서 압력 센서 소자로 전달하는 몰드부재를 기판 상에 구비하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 압력 센서 패키지는 제조 공정이 간단하고, 제품의 다양화가 가능하다.
이 특징에 따른 본 발명의 압력 센서 패키지는, 기판과; 상기 기판에 표면에 실장되어 상기 기판과 전기적으로 연결되고, 압력 신호를 감지하는 압력 센서 소자 및; 절연 재질로 구비되고, 상기 압력 센서 소자가 실장된 상기 기판 상에 설치되어 상기 압력 센서 소자를 보호하고 , 외부로부터 가압되는 압력 신호를 받아들여서 상기 압력 센서 소자로 전달하는 몰드부재를 포함한다.
이 특징의 한 실시예에 있어서, 상기 압력 센서 패키지는; 상기 압력 센서 소자와 상기 기판 사이에 설치되어, 상기 압력 센서 소자로부터 감지된 신호를 전기적인 신호로 변환하여 상기 기판으로 제공하는 반도체 회로 소자를 더 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 제작 공정을 간소화하고, 제조 단가를 줄일 수 있는 압력 센서 패키지의 제조 방법이 제공된다.
이 특징에 따른 압력 센서 패키지의 제조 방법은, 기판 상에 외부로부터 발생되는 압력 신호를 감지하는 압력 센서 소자와 상기 압력 센서 소자로부터 감지된 신호를 전기적으로 변환하도록 신호 처리하는 반도체 회로 소자를 실장하는 단계 및; 상기 압력 센서 소자 및 상기 반도체 회로 소자가 실장된 상기 기판 상에 절연 재질으로 구비되고 외부로부터 압력 신호를 받아서 상기 압력 센서 소자로 전달하는 몰드부재를 적층, 결합하는 단계를 포함한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 압력 센서 패키지는 기판의 상부에 사출 성형하여 적층, 결합되는 몰드부재를 다양한 형상으로 제작 가능하므로, 압력 센서 패키지를 이용하는 다양한 어플리케이션에 따른 제품 다양화가 가능하다.
또 본 발명의 압력 센서 패키지는 기판의 상부에 사출 성형하여 적층, 결합되는 몰드부재를 구비함으로써, 종래기술의 압력 센서 패키지의 커버 제작이 불필요하므로 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 이로 인해 제조 비용을 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 압력 센서 패키지는 몰드부재가 사출 성형되어 부품 소자들이 실장된 기판 상에 직접 적층 결합되므로, 기판과의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 몰드부재를 통해 패키지의 견고성 향상과 이물질 투입 방지 및 방수 효과를 얻을 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 캔 타입의 커버를 구비하는 압력 센서 패키지의 구성을 도시한 분해 사시도;
도 2는 도 1에 도시된 압력 센서 패키지의 구성을 나타내는 단면도;
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 압력 센서 패키지의 구성을 도시한 사시도;
도 4는 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 구성을 나타내는 분해 사시도;
도 5는 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 구성을 나타내는 단면도;
도 6 및 도 7은 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 변형예들을 각각 도시한 사시도들; 그리고
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 압력 센서 패키지의 제조 수순을 도시한 흐름도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 압력 센서 패키지의 구성을 도시한 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 구성을 나타내는 분해 사시도이고, 도 5는 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 구성을 나타내는 단면도이며, 도 6 및 도 7은 도 3에 도시된 압력 센서 패키지의 변형예들을 각각 도시한 사시도들이다.이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 압력 센서 패키지(100)는 기판(110)의 상부에 사출 성형하여 적층, 결합되는 몰드부재(140)를 구비한다. 이 실시예의 몰드부재(140)는 예를 들어, 트랜스퍼 사출 성형(transfer injection molding)으로 제작되어 기판(110)과 결합되어, 압력 센서 패키지(100)의 외형을 구성한다.
이러한 몰드부재(140)는 압력 센서 패키지(100)가 설치되는 다양한 어플리케이션(미도시됨)의 내부 구조나 형태 등에 따라 다양한 형상으로 제작 가능하므로, 압력 센서 패키지(100)의 제품 다양화가 가능하다.
구체적으로 이 실시예의 압력 센서 패키지(100)는 기판(110)과, 압력 센서 소자(130)와, 반도체 회로 소자(120) 및, 몰드부재(140)를 포함한다.
기판(110)은 예를 들어, 반도체 기판, 세라믹 기판 및 표면이 절연 재질로 형성되는 금속 기판 등으로 구비되며, 상부면에 압력 센서 소자(130)와 반도체 회로 소자(120)가 표면 실장된다. 이 실시예에서 기판(110)은 상부에 반도체 회로 소자(120)가 실장되고, 반도체 회로 소자(120)의 상부에 압력 센서 소자(130)가 적층된다. 이 때, 반도체 회로 소자(120)는 복수 개의 접촉 단자(122)들을 구비하고, 이 접촉 단자(122)들 중 일부 각각이 기판(110) 상에 형성되는 복수 개의 콘텍 패드(112)들과 와이어(124)를 통해 각각 본딩되어 전기적으로 연결된다. 또 압력 센서 소자(130)는 복수 개의 접촉 단자(132)들을 구비하고, 이 접촉 단자(132)들 각각이 반도체 회로 소자(120)의 복수 개의 다른 접촉 단자(122)들과 와이어(134)를 통해 각각 본딩되어 전기적으로 연결된다.
압력 센서 소자(130)는 예컨대, 멤스 기술이 적용된 압력 센서 소자 즉, 멤스 트랜스듀서(MEMS transducer)로 구비되고, 외부로부터 발생되는 압력 신호를 몰드부재(140)를 통해 전달받아서 압력의 세기를 감지한다. 압력 센서 소자(130)는 몰드부재(140)로부터 압력 신호를 전달받아서 압력 신호의 세기를 감지하고 이를 전기적인 신호로 변환하여 반도체 회로 소자(120)로 제공한다.
반도체 회로 소자(120)는 압력 센서 소자(130)로부터 제공되는 전기적인 신호를 받아서 증폭 및 신호 처리하여 기판(110)으로 제공한다. 이를 위해 압력 센서 소자(130)와 반도체 회로 소자(120), 반도체 회로 소자(120)와 기판(110) 사이에는 복수 개의 금속 와이어(124, 134)들을 통해 전기적으로 연결된다. 이 실시예에서 반도체 회로 소자(120)는 압력 센서 패키지(100)의 내부에 실장되어 있는 것으로 설명하지만, 압력 센서 패키지(100)의 내부에 압력 센서 소자(130)만이 기판(110)에 실장되고, 반도체 회로 소자(120)는 압력 센서 패키지(100)의 외부에 구비될 수도 있다.
그리고 몰드부재(140)는 기판(110)의 상부에 적층 결합되어 기판(110)에 실장된 부품 소자(120, 130)들을 보호하도록 압력 센서 패키지(100)의 외형을 형성한다. 즉, 몰드부재(140)는 예컨대, 실리콘 등의 절연 재질의 몰드로 트랜스터 사출 성형하고 고착화하여 기판(110)의 상부에 적층 결합된다. 이 몰드부재(140)는 기판(110) 상에 실장된 압력 센서 소자(130) 또는 압력 센서 소자(130)와 반도체 회로 소자(120)를 보호한다.
또 몰드부재(140)는 도 5에 도시된 바와 같이, 외부로부터 가압되는 압력의 세기에 대응하여 가압되는 부분이 변형되고, 그로 인한 압력 신호의 세기를 압력 센서 소자(130)로 전달한다.
이러한 몰드부재(140)는 트랜스퍼 사출 성형되어 부품 소자(120, 130)들이 실장된 기판(110) 상에 직접 적층 결합되므로, 기판(110)과의 결합력이 향상될 수 있으며, 다양한 형상으로 사출 가능하므로, 압력 센서 패키지(100)가 적용되는 어플리케이션(미도시됨)의 종류에 대응하여 그 형상을 다양하게 제작할 수 있다.
뿐만 아니라, 몰드부재(140)는 기판(110)과 직접 결합되므로, 패키지의 견고성을 향상시킬 수 있으며, 종래기술의 커버에 형성되는 관통홀을 통해 유입 가능한 이물질 및 수분의 투입을 원천적으로 차단할 수 있다.
따라서 이 실시예의 몰드부재(140)는 예를 들어, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 다양한 형태로 변형 제작이 가능하다. 즉, 압력 센서 패키지(100a 또는 100b)가 설치되는 어플리케이션의 구조나 형상에 대응하여 몰드부재(140a 또는 140b)의 일부가 버튼 형태로 돌출되거나 평판 형상 등으로 다양하게 변형 가능하다. 예를 들어, 몰드부재(140)는 어플리케이션이 펜 형상으로 구비되는 경우, 뽀쪽한 형태로 트랜스퍼 사출 성형된다.
계속해서 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 압력 센서 패키지의 제조 수순을 도시한 흐름도이다.
도 8을 참조하면, 이 실시예의 압력 센서 패키지(100, 100a, 100b)는 단계 S200에서 패키지의 센싱 특성에 적합하도록 기판(110)을 설계 제작하고, 동시에 몰드부재(140, 140a, 140b)를 트랜스퍼 사출 성형한다. 단계 S210에서 기판(110) 상에 반도체 회로 소자(120)를 실장하고, 그 상부에 압력 센서 소자(130)를 순차적으로 적층한다. 이 때, 압력 센서 소자(130)와 반도체 회로 소자(120) 및 기판(110)들 간에는 상호 전기적으로 연결되도록 와이어 본딩된다.
이어서 단계 S220에서 압력 센서 소자(130)와 반도체 회로 소자(120)가 실장된 기판(110)의 상부면에 몰드부재(140, 140a, 140b)를 적층 결합한다. 이 때, 몰드부재(140, 140a, 140b)는 절연 재질의 몰드로 트랜스퍼 사출 성형하여 기판(110) 상에 직접 결합한 후 고착화된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 압력 센서 패키지(100, 100a, 100b)의 제조 방법은 패키지의 커버와, 커버에 형성되는 관통홀 등의 제작이 불필요하고, 기판(110) 상에 몰드부재(140, 140a, 140b)를 트랜스퍼 사출 성형하여 결합함으로써, 제조 공정이 간소화될 수 있다. 그러므로, 본 발명의 압력 센서 패키지(100, 100a, 100b)는 제조 비용을 줄일 수 있으며, 몰드부재(140, 140a, 140b)의 형상을 다양하게 제작 가능하여 제품의 다양화를 얻을 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 압력 센서 패키지의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
100, 100a, 100b : 압력 센서 패키지
110 : 기판
120 : 반도체 회로 소자
130 : 멤스 트랜스듀서
140, 140a, 140b : 몰드부재

Claims (3)

  1. 압력 센서 패키지에 있어서:
    기판과;
    상기 기판에 표면에 실장되어 상기 기판과 전기적으로 연결되고, 압력 신호를 감지하는 압력 센서 소자 및;
    절연 재질로 사출 성형되어 상기 압력 센서 패키지의 외형을 이루고, 상기 압력 센서 소자가 실장된 상기 기판 상에 직접 적층 결합 설치되어 상기 압력 센서 소자를 보호하고, 외부로부터 가압되는 압력의 세기에 대응하여 가압되는 부분이 변형되고, 그로 인한 압력 신호의 세기를 받아들여서 상기 압력 센서 소자로 전달하는 몰드부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 압력 센서 패키지는;
    상기 압력 센서 소자의 일측에 설치되어, 상기 압력 센서 소자로부터 감지된 신호를 전기적인 신호로 변환하여 상기 기판으로 제공하는 반도체 회로 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지.
  3. 압력 센서 패키지의 제조 방법에 있어서:
    기판 상에 외부로부터 발생되는 압력 신호를 감지하는 압력 센서 소자와 상기 압력 센서 소자로부터 감지된 신호를 전기적으로 변환하도록 신호 처리하는 반도체 회로 소자를 실장하는 단계 및;
    상기 압력 센서 소자 및 상기 반도체 회로 소자가 실장된 상기 기판 상에 직접 적층 결합 설치되는 절연 재질로 구비되고 외부로부터 가압되는 압력의 세기에 대응하여 가압되는 부분이 변형되고, 그로 인한 압력 신호를 받아서 상기 압력 센서 소자로 전달하는 몰드부재를 사출 성형하여 적층, 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 패키지의 제조 방법.
KR1020130002101A 2013-01-08 2013-01-08 압력 센서 패키지 및 그 제조 방법 KR101447982B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH09138172A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Fujikura Ltd 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP2007114205A (ja) 2006-11-06 2007-05-10 Hitachi Ltd タイヤモニタセンサ
JP4893123B2 (ja) 2006-06-23 2012-03-07 株式会社デンソー 半導体式圧力センサおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09138172A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Fujikura Ltd 半導体圧力センサおよびその製造方法
JP4893123B2 (ja) 2006-06-23 2012-03-07 株式会社デンソー 半導体式圧力センサおよびその製造方法
JP2007114205A (ja) 2006-11-06 2007-05-10 Hitachi Ltd タイヤモニタセンサ

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