KR101442780B1 - 리쏘그래피 노광 툴용 탄화수소 게터 - Google Patents

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Abstract

탄화수소 게터를 포함시킴으로써 노광 툴 내의 광학 요소들의 탄소 오염이 최소화된다. 실시예들은, 적어도 하나의 탄화수소 게터가 제공된 EUV 리쏘그래피 툴을 포함하며, 상기 탄화수소 게터는 기판(10, 11) 및 탄화수소를 분해하여 탄소를 형성하기에 충분한 에너지를 가지는 에너지를 상기 기판(10, 11)으로 향하게 하도록 위치된 전자 총 또는 별도의 EUV 소스와 같은 고 에너지 소스를 포함한다. 실시예들은 또한 수정결정 모니터(10, 11) 상에 에너지 빔을 충돌시키도록 위치된 에너지 소스를 포함하는 탄화수소 게터와, 잔류 가스 분석기와, 그리고 시스템 내의 탄화수소의 양을 미리정해진 낮은 레벨로 유지시키도록 전자-전류를 제어하는 제어기를 구비한 노광 툴을 포함한다.

Description

리쏘그래피 노광 툴용 탄화수소 게터{HYDROCARBON GETTER FOR LITHOGRAPHIC EXPOSURE TOOLS}
본 발명은 초정밀 디자인 피쳐들을 가진 반도체 디바이스의 효율적인 제조에 관한 것이다. 본 발명은 다운타임을 최소화함으로써, 특히 초극자외선(EUV) 리쏘그래피 장치와 같은 리쏘그래피 노광 장치의 효율적인 사용을 위해 적용될 수 있다.
반도체 디바이스 피쳐들의 치수는 종래의 제조 성능에 도전하는 매우 낮은 서브-마이크론 범위의 치수로 끊임없이 축소되고 있다. 임계 치수가 축소됨에 따라, 높은 제조 산출량과 함께 효과적인 방식으로 높은 치수 정밀성을 달성하는 것은 더욱 어려운 일이 되었다. 최소의 피쳐 사이즈는, 특정 리쏘그래피 시스템의 화학적 제약조건 및 광학적 제약조건 그리고 왜곡에 대한 공차(tolerance for distortion)에 의존한다. 종래의 리쏘그래피의 제약조건들에 부가하여, 치수가 축소되고 메모리 용량이 증가됨에 따라, 제조 비용이 증가하며, 따라서 설비의 효율적인 사용과 높은 제조 산출량을 위한 제조에서의 진보가 요구된다. 최근의 경쟁적인 시장에서, 수익성을 위해서는 적어도 70%의 수율(yield)이 요구된다.
최근, 더욱 짧은 파장 복사(예를 들어, 약 3 내지 20nm)를 사용하는 방법이 제시되었다. 그러한 복사는 통상적으로 EUV 또는 소프트 X-레이라고 지칭된다. 소스는, 예를 들어, 레이저-생성 플라즈마 소스(laser-produced plasma source), 방전 플라즈마 소스(discharge plasma source), 또는 전자 저장 링(electron storage ring)들로부터의 싱크로트론 복사(synchrotron radiation)를 포함한다. 그러나, 그러한 EUV 리쏘그래피 노광 툴들은 문제점을 가진다. 주로 고려되는 문제는 진공 환경으로부터의 잔류 가스로 인한 공정(operation) 중의 반사성 광학 요소의 오염이다.
반도체 부품들의 EUV 리쏘그래피에서의 사용을 위하여, 소프트 X-레이부터 EUV 파장까지의 범위에 대한 반사성 광학 요소들(예를 들어, 포토마스크 또는 다중층 미러(multi-layer mirrors))이 요구된다. 일반적인 EUV 리쏘그래피 노광 장치들은 8개 또는 그 이상의 반사성 광학 요소들을 가진다. 전체 강도는 개별 미러들의 반사도의 곱에 비례하므로, 동작하는 복사에 대해 충분한 전체 강도를 달성하기 위해서는, 미러들은 가능한 가장 높은 반사도를 가져야만 한다. 가능하다면, 반사성 광학 요소들의 수명기간 전체에 대해, 이러한 높은 반사도가 유지되어야만 한다. 더욱이, 전체 수명기간 동안, 반사성 광학 요소의 표면에 걸쳐 반사도(reflectivity)의 균일성(homogeneity)이 유지되어야만 한다. 이러한 반사성 광학 요소들의 수명 및 반사도는 특히, 탄소 증착 형태의 표면 오염과 공정 파장(operating wavelength)에 노출되는 동안의 표면 산화에 의해 악화된다.
반사성 광학 요소들은 공정 중에 진공 환경에서의 잔류 가스에 의해 오염된다. 오염 메커니즘은, 반사성 광학 요소 표면 상의 잔류 가스의 흡수(absorption)을 포함한다. 흡수된 가스들은, 광전자의 방출(emission)을 통해 고에너지 광자(photon) 복사에 의해 분해될 수 있다. 탄화수소들이 잔류 가스 환경에 존재할 때, 탄소층이 형성되며, 상기 탄소층은 반사성 광학 요소의 반사도를 두께 1nm 당 약 1% 만큼 감소시킨다. 탄화수소의 부분 압력은 약 10-9 mbar이고, 1nm의 두께는 20 시간 정도 후에 형성될 것이다. 프로젝션 옵틱(projection optics)의 수명기간에 대한 상용 규격은 스퀘어(square)당 1% 미만의 반사율 손실이다. 그래파이트(graphite) 형태의 15Å두께의 탄소 필름은, EUV 옵틱의 반사도를 2%만큼 줄여줄 것이다. 예를 들어, 반사성 광학 요소 당 1%의 반사도 손실을 가진 EUV 리쏘그래피 장치들은 더 이상 필요한 생산 페이스를 허용하지 않기 때문에, 이러한 오염 층은 일반적으로 5시간에 이르는 세정 공정에 의해 제거되어야만 하며, 따라서 제조 산출량을 감소시킨다. 더욱이, 그러한 세정은, 표면을 거칠게하거나 산화시킴에 따라 광학적 반사 요소의 표면에 손상을 주기 쉬우며, 따라서 초기의 반사도로 되돌아가지 못하게 된다.
탄소 증착 문제에 대한 종래의 기법들은 또한 유리 기판 위에 증착된 다양한 원소 조합의 다중층을 포함하는 EUV 이미징 옵틱들의 사용을 포함한다. 실리콘은 공기에 노출되었을 때 몰리브덴보다 산화가 덜 될 수 있으므로, 통상적으로 최종 캡핑 층용으로 선택되어왔다. 그러나, 실리콘은 수증기에 의한 고속 EUV-유발 산화(rapid EUV-induced oxidation)가 될 수 있다. 루테늄(Ru)은 복사-유발 산화에 덜 민감하므로, 대안적인 캡핑층으로서 유망해 보였다. 그러나, Ru-캡핑된 다중층들에는 탄소가 증착될 수 있다. 최대 EUV 노광이 되게하기 위하여, EUV 옵틱들이 공정 중에 가능한한 깨끗하게 유지되게 하는 것은 필수적인 일이다.
따라서, 사용중 반사성 요소들에 대한 탄소 오염이 줄어든, 리쏘그래피 노광 툴, 특히 EUV 리쏘그래피 노광 툴에 대한 필요가 존재한다. 또한, 탄화수소 레벨을, 깨지기 쉬운 다중층 반사 층들을 산화로부터 보호할만큼 충분히 높고 EUV 복사에 의한 탄화수소의 분해로 인해 광학 요소들 위에 탄소가 쌓이는 것을 방지할만큼 충분히 낮은 탄화수소 레벨이 되도록 정밀하게 제어할 수 있게 해주는 방법이 필요하다.
본 발명의 이점은, 사용하는 동안 광학 요소들 상의 탄소 증착이 감소된 리쏘그래피 노광 장치이다.
본 발명의 또 다른 이점은, 반사성 광학 요소들 상의 유해한 탄소 증착 및 상기 반사성 광학 요소들의 유해한 산화를 방지하도록 탄화수소 레벨을 유지해줄 수 있는 EUV 리쏘그래피 노광 툴이다.
본 발명의 또 다른 이점은, EUV 장치의 반사성 광학 요소들 상의 탄소 증착을 줄이는 방법이다.
본 발명의 또 다른 이점은, 반사성 광학 요소들 상의 탄소 증착을 최소화하고 산화를 방지하기에 충분한 레벨로 EUV 리쏘그래피 노광 장치 내의 탄화수소의 양을 제어하는 방법이다.
본 발명의 추가적인 이점들 및 다른 피쳐들은 하기의 설명에서 설명될 것이고, 하기의 설명을 검토함에 따라 일반적인 당업자들에게 명백해지거나 본 발명의 실시로부터 얻어질 수 있을 것이다. 본 발명의 이점은, 첨부의 청구항들에서 구체적으로 명시된 것에 따라 실현되고 획득될 수 있다.
본 발명에 따르면, 상술한 이점들 및 다른 이점들이 탄화수소 게터를 포함하는 리쏘그래피 노광 장치에 의해 부분적으로 달성된다.
본 발명의 또 다른 이점은, 초극자외선(EUV) 리쏘그래피 노광 장치를 제공하는 것인바, 상기 노광 장치는, 제1 EUV 소스와, 소프트 X-레이 또는 EUV 파장 복사 범위에 대한 반사성 광학 요소와, 그리고 탄화수소 게터를 포함하며, 상기 탄화수소 게터는 기판 및 에너지 빔이 상기 기판을 향하게 하도록 위치된 별도의 EUV 소스 또는 전자총을 포함한다.
본 발명의 또 다른 이점은, 리쏘그래피 노광 장치에서 탄소 증착을 줄이는 방법이며, 상기 방법은 리쏘그래피 노광 장치 내에 탄화수소 게터를 통합시키는 것을 포함한다.
본 발명의 실시예들은, 종래의 제1 EUV 소스 및 적어도 하나의 탄화수소 게터를 포함하는 EUV 리쏘그래피 노광 장치를 포함하며, 상기 탄화수소 게터는 기판 및 에너지 빔을 상기 기판에 향하게 하도록 위치된 고에너지 소스를 포함하고, 상기 에너지 빔은 시스템에서 탄화수소를 분해하기에 충분한 강도(예를 들어, 적어도 주요 EUV 소스에 의해 방출된 에너지 빔만큼 큰 강도)를 가진다.
적절한 고 에너지 소스들은, 전자 총 및 별도의 EUV 소스를 포함한다. 적절한 기판들은 유리, Ru와 같은 금속, 금속 코팅된 유리, 그리고 수정결정 두께 측정기(quartz crystal thickness monitor)를 포함한다. 본 발명의 실시예들은, EUV 리쏘그래피 노광 툴들을 포함하는바, 상기 노광 툴들은, 장치에서 탄화수소 레벨을 결정하기 위한 잔류 가스 분석기와, 그리고 수정결정 두께 측정기 상에 증착된 탄소의 측정된 두께에 응답하여, 반사성 광학 요소들의 유해한 탄소 오염 및 산화를 방지하기에 충분한 소정의 낮은 레벨로 탄화수소의 양을 제어하기 위해 전자 빔 전류를 제어하는 제어기를 포함한다.
본 발명의 추가적인 이점들은 하기의 상세한 설명으로부터 당업자에게 쉽게 명백해질 것이며, 하기에서, 간단히 본 발명을 실행하기 위해 고려되는 최고의 모드의 예에 의해, 본 발명의 실시예들이 설명된다. 이해될 바와 같이, 본 발명은 본 발명으로부터 벗어나지 않는 모든 다른 상이한 실시예들에 적용될 수 있으며, 그것의 몇몇 세부사항들은 다양한 명백한 관점에서 수정될 수 있다. 따라서, 도면 및 설명은 그 특성상 제한적인 것이 아닌 예시적인 것으로서 여겨져야 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 탄화수소 게터를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따라 반사성 광학 요소 상의 탄소 증착을 최소화하기 위한 전자 빔 탄화수소 게터의 사용을 개략적으로 도시한다.
도 3은 EUV 리쏘그래피 노광 툴에서 탄화 수소 레벨을 제어하기 위한 본 발명의 실시예를 개략적으로 도시한다.
본 발명은 반사성 광학 요소들의 산화를 방지하고 반사성 광학 요소들 상에 탄소 증착을 제어 및 최소화함으로써, 매우 짧은 파장(예를 들어, 소프트 X-레이 및 EUV 파장 범위 복사)하에서 동작하는 리쏘그래피 노광 툴과 같은 리쏘그래피 노광 툴의 사용에 수반되는 문제점들을 해결해 주며, 그럼으로써 다운타임을 단축하고 제조 쓰루풋을 증대시킨다.
본 발명의 실시예들은 EUV 리쏘그래피 노광 툴에서 무거운 탄화수소의 부분 압력을 반사성 광학 코팅의 산화를 방지하기에는 충분히 높으면서 반사성 광학 코팅 상에 탄소 필름이 빠르게 쌓이는 것을 방지하기에는 충분히 낮도록 약 10-9 mbar 내지 약 10-7 mbar와 같이 정밀하게 제어하는 것을 포함한다. 탄소 오염은, 노광 툴의 주요 EUV 소스로부터의 EUV 복사에 의한 탄화수소 분해로부터 기인된다.
본 발명의 실시예들은 종래의 EUV 리쏘그래피 노광 툴과 같은 종래의 리쏘그래피 노광 툴 내에 탄화수소 게터를 위치시키는 것을 포함한다. 본 발명의 실시예들은, 적어도 하나의 탄화수소 게터를 구비한 리쏘그래피 노광 툴을 포함하며, 상기 탄화수소 게터는 기판과, 탄화수소를 분해하여 상기 기판 위에 탄소 필름을 형성하기에 충분한 에너지를 갖는 빔을 충돌시키도록(impinge) 위치된 고 에너지 소스를 포함한다. 본 발명의 실시예들에서 사용되는 적절한 에너지 소스들은 적어도 별도의 EUV 소스 또는 전자 총(예를 들어, 1-2kV에서 동작하는 전자총)과 같은 노광 툴의 주요 EUV 소스에 의해 생성되는 것과 같은 정도의 큰 강도를 갖는 에너지 빔을 발생시킬 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 탄화수소 게터에서 사용하기 위한 적절한 기판은 Ru 코팅, 라미네이트, 그리고 금속 기판과 같이 금속 코팅되거나 코팅되지 않은, 유리, 석영, 수정결정 두께 측정기를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따라 게터를 사용하여 탄화수소를 소기(scavenging)함으로써, 탄소로 분해될 수 있거나 반사성 광학 요소 위에 증착물들을 형성할 수 있는 탄화수소의 양은 현저히 줄어든다.
본 발명의 실시예들은 또한 탄화수소 게터를 구비한 EUV 리쏘그래피 노광 툴을 포함하는 바, 상기 탄화수소 게터는 전자 총 및 석영 두께 모니터, 또는 금속(예를 들어, Ru) 코팅된 수정결정 두께 측정기를 포함한다. 그러한 툴에는, 시스템 내의 탄화수소의 양을 결정하기 위하여 잔류 가스 분석기가 통합되며, 제어기가 제공된다. 수정결정 두께 측정기 상의 탄소의 증착 속도(rate)에 응답하여, 제어기는 잔류 가스 분석기에 의해 결정된 것과 같은 시스템 내의 탄화수소의 양을 소정의 낮은 레벨, 그러나 제한된 레벨(예를 들어, 약 10-9 mbar 내지 약 10-7 mbar의 부분 압력)에서 유지하게끔 전자 빔 전류를 제어한다. 이러한 방식으로, 탄화수소의 양은 미세한 반사성 광학 요소들의 산화를 방지하기에는 충분하지만 그 위에 탄소 코팅이 빠르게 형성되는 것은 방지할 만큼 충분히 낮은 레벨로 유지되며, 그럼으로써 다운타임(downtime)을 현저히 줄여주고 제조 쓰루풋을 증가시켜준다.
본 발명에 따른 탄화수소 게터는 도 1에 개략적으로 도시되며, 1-2kV에서 동작하는 전자 총을 포함한다. 전자 총은, 예를 들어, 위에 Ru 층이 약 2nm 내지 약 200nm의 두께로 증착된 유리 기판(10)을 포함하는 기판의 표면 위로 전자들을 바로 쏠 수 있도록 위치된다. 시스템 내의 탄화수소(HxCy), 특히 예를 들어, 44 내지 200 사이의 원자 질량 단위(AMU: automic mass units)의 무거운 탄화수소는, 기판 부근에서 전자 총으로부터의 전자들에 의해 크랙되고, 그럼으로서 기판 위에 탄소 필름을 형성한다. 탄소로 크랙되어 기판 위에 증착된 탄화수소들은, 반사성 광학 요소들 위에 탄소를 증착하도록 리쏘그래피 노광 툴의 주 EUV 소스에 의해 발생된 EUV 복사에 의해 크랙될 수가 없다.
도 2에는, EUV 복사가 위에 충돌되는 EUV 옵틱을 포함하는 EUV 리소그래피 노광 툴의 내부를 개략적으로 도시된다. 도 1에 도시된 것과 같은 두 개의 전자빔 탄화수소 게터들은 EUV 옵틱에 매우 가까이 위치되며, 따라서 탄소가 바람직하게는 게터들의 기판 위에 증착되고, 그럼으로써 EUV 옵틱 위의 탄소 증착을 현저히 줄여준다. 본 발명의 실시예들에서, 탄화수소 게터는 EUV 옵틱으로부터 약 1cm 내지 약 10cm 거리에 위치될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에서는, 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이, EUV 리쏘그래피 노광 툴에 탄화수소 게터가 제공되며, 상기 탄화수소 게터는 수정결정 두께 측정기(31) 위의 약 2nm 내지 약 200nm 두께의 선택적인 Ru 코팅(30)을 포함하는 기판 위에 전자들을 충돌시키도록 위치된 전자총을 포함한다. Ru 코팅 위 탄소 증착의 비율은 수정결정 두께 측정기에 의해 기록된다. 제어기는 탄소 증착 비율을 모니터하고 전자 총 전류를 제어하여, 시스템 내의 탄화수소 레벨이 잔류 가스 분석기(설명의 편이를 위해 도시되지 않음)에 의해 측정된 것과 같은 미리정해진 낮은 레벨 내로 유지되게 한다. 일반적으로, 탄화수소 레벨은 약 10-9 mbar 내지 10-7 mbar의 부분압력에서 유지되며, 이 압력은 미세 광학 요소들의 산화를 막을 만큼 충분히 높으나, 그 위에 탄소 증착을 최소화할 만큼 충분히 낮고, 따라서, 툴을 유효 수명이 연장되고, 세정을 위한 빈번한 다운타임이 방지된다.
본 발명의 실시예들에 따라, 탄화수소 게터를 사용함으로써, EUV 옵틱 상의 EUV 유발 탄소 증착이 최소화되고 제어된다. EUV 옵틱들의 표면에서의 복사-유발 화학 현상은, 발생된 2차 전자들의 수가 비슷한 한, 입사 복사(incident radiation)가 EUV 광자 이거나 1-2keV 전자이거나에 관계없이 성질상 동일한 것으로 알려져 있다. 예를 들어, 2keV 빔 에너지에서 5μA/mm2의 입사 전자 전류 밀도는 5μA/mm2의 2차 전자들을 발생시키는 것으로 알려져 있다. 이것은 EUV 옵틱이 ~10mW/mm2의 전력밀도에서 13.4nm의 복사에 노출될 때 관찰되는 제2의 광전자 방출(photoemission) 전류와 거의 동일한다. ~10mW/mm2의 전력 밀도는 상용 EUVL 노광 툴 내에 존재할 전력 밀도의 범위의 상단에 위치한다. 그러므로, 본 발명에 따른 탄화수소 게터는, EUV 광자에 의해 탄화수소가 분해되는 것과 유사하게 동작하며, EUV 툴의 미세 광학 요소들 위의 증착될 수 있는 탄화수소의 양을 감소시켜 준다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 탄화후소 게터들은, 적어도 ~10mW/mm2의 전력 밀도에서 1~2KeV의 에너지와 같은, 무거운 탄화수소를 분해하여 탄소를 증착시키기에 충분한 에너지를 가지는 빔을 발생시킬 수 있는 에너지 소스를 포함한다.
본 발명은, 탄화수소를 소기하는 게터를 제공함으로써 리쏘그래피 노광 툴의 효율적인 사용을 가능하게 해주며, 그럼으로써, 광학 요소 상의 초과의 탄소 증착을 방지해 준다. 본 발명의 실시예들은, 인시츄(in-situ) 세정이 필요하기 전에, 긴 시간 기간 동안 EUV 리쏘그래피 노광 툴의 사용을 가능하게 해줌으로써, 광학 요소들의 유효 수명을 연장시켜주고 제조 산출물을 증가시켜 준다. 본 발명의 실시예들은, EUV 리쏘그래피 노광 툴에서, 반사성 광학 요소의 산화를 방지하기에 충분하며 그 위의 탄소 증착을 최소화하기에 충분한 레벨로 탄화 수소의 양을 제어할 수 있게 해준다.
본 발명은 높은 제조 산출물 및 높은 수율의 효율적인 방식으로, 작은 서브마이크론 범위의 정밀하게 형성된 피쳐들을 지닌 장치들을 포함하는 반도체 칩의 제조를 가능하게 해준다. 본 발명은 반도체 EEPROM, FEPROM과 같은 반도체 메모리 장치를 포함하는 다양한 타입의 반도체 장치들 중 어느 것을 포함하는 반도체 칩을 제조하는데 있어서 산업적으로 사용될 수 있다.
앞의 설명에서, 본 발명은 구체적인 예시적인 실시예들을 참조로 설명되었다. 그러나, 청구항들에서 설명된 바와 같은 본 발명의 취지 및 범주에서 벗어나지 않고, 본 발명에 대한 다양한 변형 및 수정이 이루어질 수 있음은 자명한 것이다. 따라서, 설명 및 도면들은 예시적인 것으로 고려되어야 하며, 제한적인 것으로 고려되어서는 안된다. 본 발명은 다른 다양한 실시예들의 조합을 사용하는 것이 가능하며, 본 명세서에 명시된 발명의 개념의 범주 내에서 임의의 변경 및 수정이 가능하다.

Claims (10)

  1. 초 극자외선(EUV) 리쏘그래피 노광 장치로서,
    소프트 X-레이(soft X-ray) 또는 초 극자외선 파장(EUV) 범위 복사(radiation)를 위한 적어도 하나의 반사성 광학 요소 및 제1 EUV 소스(primary EUV source)와;
    상기 반사성 광학 요소 위의 탄소 증착(deposition)을 감소시키기 위하여 상기 반사성 광학 요소에 충분히 인접하게 위치된 적어도 하나의 탄화수소 게터(hydrocarbon getter)를 포함하며, 여기서 상기 탄화수소 게터는 기판(10, 11) 및 탄화수소를 크랙(crack)하여 탄소를 형성하기에 충분한 에너지를 가진 에너지 빔을 상기 기판(10, 11)에 향하게 하도록 위치된 고 에너지 소스를 포함하고,
    상기 초 극자외선 리쏘그래피 노광 장치는,
    상기 장치 내의 탄화수소 레벨을 결정하기 위한 잔류 가스 분석기와; 그리고
    상기 탄화수소 레벨을 소정의(predetermined) 낮은 레벨로 유지하기 위하여 상기 에너지 빔의 세기를 제어하는 제어기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초 극자외선 리쏘그래피 노광 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 에너지 소스는 전자총 또는 개별 EUV 소스(seperate EUV source)이며; 그리고
    상기 기판(10, 11)은 유리 또는 루테늄(Ru) 코팅된 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 초 극자외선 리쏘그래피 노광 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 기판(10, 11)은 수정결정 두께 측정기(quartz crystal thickness monitor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 초 극자외선 리쏘그래피 노광 장치.
  4. 소프트 X-레이 또는 초 극자외선 리쏘그래픽 노광 장치의 EUV 파장 범위 복사를 위한 반사성 광학 요소들 상의 탄소 증착을 감소시키는 방법으로서,
    리쏘그래피 노광 장치에 탄화수소 게터를 통합(integration)시키는 단계와, 상기 리쏘그래피 노광 장치는 상기 장치의 반사성 광학 요소 상에 탄소 증착을 감소시키기 위해 상기 반사성 광학 요소에 충분히 인접하게 위치되며, 상기 탄화수소 게터는 기판(10, 11) 및 상기 기판(10, 11)에 에너지 빔을 충돌(impingement) 시키도록 위치된 고 에너지 소스를 포함하고;
    상기 고 에너지 소스로부터의 에너지 빔을 상기 기판으로 향하게 하는 단계와, 상기 에너지 빔은 탄화수소를 크랙하여 탄소를 형성하기에 충분한 에너지를 가지며;
    상기 장치 내의 탄화수소 레벨을 결정하는 단계와;
    상기 기판에 증착된 탄소의 두께를 측정하는 단계와; 그리고
    상기 증착된 탄소의 측정된 두께에 응답하여, 상기 장치 내의 상기 탄화수소 레벨이 소정의 레벨로 유지되도록 상기 에너지 빔의 강도를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사성 광학 요소들 상에 탄소 증착을 감소시키는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    잔류 가스 분석기(residual gas analyzer)를 사용하여, 상기 장치 내의 상기 탄화수소의 레벨을 결정하는 단계와; 그리고
    상기 탄화수소 레벨을 소정의 낮은 레벨로 유지시키기 위하여, 제어기를 사용하여 상기 고 에너지 소스의 전자 빔 전류를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사성 광학 요소들 상에 탄소 증착을 감소시키는 방법.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 고 에너지 소스는 전자총 또는 개별 EUV 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사성 광학 요소들 상에 탄소 증착을 감소시키는 방법.
  7. 제4 항에 있어서,
    EUV 반사성 광학 요소 위의 탄소 증착을 감소시키기 위하여 상기 고 에너지 소스를 상기 EUV 반사성 광학 요소에 충분히 근접하게 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 증착을 감소시키는 방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 기판(10, 11)은 수정결정 두께 측정기(quartz crystal thickness monitor)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사성 광학 요소들 상에 탄소 증착을 감소시키는 방법.
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