KR101428137B1 - 고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법 - Google Patents

고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101428137B1
KR101428137B1 KR1020107008163A KR20107008163A KR101428137B1 KR 101428137 B1 KR101428137 B1 KR 101428137B1 KR 1020107008163 A KR1020107008163 A KR 1020107008163A KR 20107008163 A KR20107008163 A KR 20107008163A KR 101428137 B1 KR101428137 B1 KR 101428137B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tip
debris
substrate
surface energy
present
Prior art date
Application number
KR1020107008163A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100076973A (ko
Inventor
토드 에반 로빈슨
베르나베 제이. 아루자
케네스 길버트 뢰슬러
Original Assignee
레이브 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 레이브 엘엘씨 filed Critical 레이브 엘엘씨
Publication of KR20100076973A publication Critical patent/KR20100076973A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101428137B1 publication Critical patent/KR101428137B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C—MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
    • B03C7/00—Separating solids from solids by electrostatic effect
    • B03C7/006—Charging without electricity supply, e.g. by tribo-electricity, pyroelectricity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

잔해물 제거 방법이 제공된다. 본 방법은 기판상의 잔해물 조각에 인접하게 나노미터 규모의 팁을 배치하는 단계를 포함한다. 본 방법은 잔해물 조각을 팁에 물리적으로 부착하는 단계도 포함한다. 또한, 본 방법은 팁을 기판에서 멀리 이동시켜 기판으로부터 잔해물 조각을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법{DEBRIS REMOVAL IN HIGH ASPECT STRUCTURES}
본 발명은 일반적으로 나노 가공 공정에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 나노 가공 공정 중에 및/또는 나노 가공 공정에 따른 잔해물 제거에 관한 것이다.
나노 가공(nanomachining)은 정의상 예컨대 포토리소그래피 마스크, 반도체 기판/웨이퍼 또는 기타 모놀리스(monolith)에서 나오는 나노 규모 부피의 물질을 기계적으로 제거하는 것을 포함한다. 본 논의를 위해, "기판"은 나노 기계 가공이 행해지는 소정의 물체을 지칭한다.
통상적으로, 나노 기계 가공은 원자력 현미경(AFM)의 캔티레버 아암에 위치하는 팁(예컨대, 다이어몬드 커팅 비트)으로 기판 표면에 힘을 인가하는 것에 의해 수행된다. 보다 구체적으로, 팁은 통상 일차적으로 기판 표면으로 삽입된다. 그런 다음, 팁은 표면에 평행한 평면(즉, xy-평면)에서 기판을 통해 드래그 이동된다. 이로써, 물질은 팁이 드래그 이동되는 동안 기판으로부터 변위 및/또는 제거된다.
이런 나노 기계 가공의 결과, 기판 상에는 잔해물이 발생한다. 보다 구체적으로, 물질이 제거됨에 따라 작은 입자들이 나노 가공 공정 중에 형성될 수 있다. 이들 입자는 나노 가공 공정이 완료된 때에도 기판에 잔류하는 경우가 있다. 이런 입자는 예컨대 기판 상에 존재하는 트랜치 및/또는 캐비티 내에서 발견된다.
특히 고 종횡비를 갖는 포토리소그래피 마스크 구조와 전자 회로에서 이런 잔해물의 제거를 위해 습식 세정 기술이 종종 사용된다. 보다 구체적으로, 통상 액체 상태의 화학 물질의 사용 및/또는 마스크 또는 회로 전체의 교반이 채용된다. 그러나, 화학적 방법 및 고음 교반과 같은 교반 방법 모두는 높은 종횡비 구조와 마스크의 광학 근접 보정 특징부(즉, 일반적으로 너무 작아서 이미지화되지 않지만 마스크 설계자에 의해 패턴을 형성하도록 유리하게 사용되는 회절 패턴을 형성하는 특징부) 모두를 파괴할 수 있다.
높은 종횡비 형상과 구조가 특히 화학 물질과 교반에 의한 파괴에 민감한 이유를 더 잘 이해하려면 그런 형상과 구조가 정의상 넓은 표면적을 포함하며, 이에 따라 열역학적으로 매우 불안정하다는 점을 상기해야 한다. 이와 같이, 이들 형상과 구조는 화학적 및/또는 기계적 에너지가 인가될 때 박리 및/또는 기타 형태의 파괴에 매우 민감하다.
전술한 바를 고려하여, 기판에서 잔해물을 제거하기 위한 오늘날 이용 가능한 다른 방법은 극저온 세정 시스템 및 기술을 사용한다. 이런 시스템과 기술을 이용할 때 높은 종횡비의 형상 및/또는 구조를 포함하는 기판은 모래 대신에 이산화탄소를 사용하여 효율적으로 "샌드 블라스트"된다.
불행하게도, 극저온 세정 시스템과 공정도 역시 고 종횡비 특징부를 파괴하는 것으로 알려져 있다. 또한, 극저온 세정 공정은 기판 중 상대적으로 큰 영역(예컨대, 대략 10 mm 이상일 수 있는 영역)에 영향을 미친다. 따라서, 이것은 잔해물 제거가 필요하지 않을 수 있는 기판의 영역도 세정 공정에 노출되어 그와 관련된 잠재적인 구조-파괴 에너지에 노출됨을 의미한다.
전술한 바를 적어도 일부 고려하면, 높은 종횡비 구조, 마스크의 광학 근접 보정 특징부 등을 갖는 기판을 이런 구조 및/또는 특징부의 파괴없이 세정할 수 있는 새로운 잔해물 제거 방법 및 장치가 요구된다.
전술한 요구는 본 발명의 실시예에 의해 상당 정도 만족된다. 이런 일 실시예에 따르면, 잔해물 제거 방법이 제공된다. 본 방법은 기판 상의 잔해물 조각에 인접하게 나노 규모의 팁을 배치하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 잔해물 조각을 팁에 물리적으로 부착하는 단계를 포함한다. 또한, 본 방법은 팁을 기판에서 멀리 이동시켜 기판에서 잔해물 조각을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 잔해물 제거 장치가 제공된다. 본 장치는 기판에 인접하게 배치된 나노 규모의 팁을 포함한다. 본 장치는 팁에 형성된 코팅부를 포함하며, 코팅부는 낮은 표면 에너지의 물질을 포함한다. 또한, 본 장치는 기판에 인접하게 배치된 낮은 표면 에너지의 물질 조각을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 잔해물 제거 장치가 제공된다. 본 장치는 나노 규모의 팁을 기판 상의 잔해물 조각에 인접하게 배치하는 수단을 포함한다. 본 장치는 잔해물 조각을 팁에 물리적으로 부착하는 수단을 포함한다. 또한, 본 장치는 팁을 기판에서 멀리 이동시켜 잔해물 조각을 기판에서 제거하는 수단을 포함한다.
해당 상세한 설명이 보다 잘 이해될 수 있고 본 발명의 종래 기술에 대한 기여를 보다 잘 알 수 있도록 하기 위해 본 발명의 실시예들을 다소 넓게 기술한다. 아래에 설명하는 것으로서 첨부된 특허청구범위의 주제를 형성하는 본 발명의 추가 실시예들이 존재함은 물론이다.
이와 관련하여 본 발명의 실시예 중 적어도 하나를 상세히 설명하기에 앞서 본 발명은 그 적용이 구성의 세부 사항과 하기의 설명에서 언급되거나 도면에 도시되는 구성요소의 배열에 한정되지 않음을 이해하여야 한다. 전술한 실시예를 포함하는 본 발명의 실시예들은 다른 방식으로 실시되고 실행될 수 있다. 또한, 여기에 사용되는 표현과 용어 및 요약은 설명을 목적으로 한 것이므로 제한적인 것으로서 간주되어서는 안된다.
이와 같이 당업자들은 본 명세서가 기초로 하는 개념이 본 발명의 여러 목적을 수행하기 위한 다른 구조, 방법 및 시스템의 구성을 위한 기초로서 용이하게 활용될 수 있음을 알 것이다. 따라서 특허청구범위는 본 발명의 취지와 범위를 벗어나지 않는 한 이런 등가의 구성을 포함하는 것으로 간주되는 것이 중요하다.
이상과 같이, 본 발명에 따르는 잔해물 제거 방법과 장치는 높은 종횡비 구조, 마스크의 광학 근접 보정 특징부 등을 갖는 기판을 이런 구조 및/또는 특징부의 파괴없이 세정할 수 있는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잔해물 제거 장치의 일부의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 잔해물 제거 장치의 다른 부분의 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해물 제거 장치의 일부의 단면도이고, 패치에 입자가 매립된 상태를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 잔해물 제거 장치의 일부의 단면도이고, 팁이 더 이상 패치와 접촉하지 않는 상태를 나타낸다.
도 5는 본 발명에 따른 팁의 단면도이다.
이하, 도면을 참조로 본 발명을 설명하며 도면에서 유사 참조 번호는 유사 요소를 지칭한다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 잔해물 제거 장치(10)의 일부의 단면도이다. 잔해물 제거 장치(10)는 낮은 표면 에너지의 물질로 된 패치(14)에 인접하게 배치된 나노 규모의 팁(12)을 포함한다.
팁(12) 상에는 코팅부(16)가 형성된다. 코팅부(16)를 형성하기 전에, 팁(12)은 팁(12)의 표면 에너지를 변형(예컨대, 모세관 작용, 젖음성(wetting) 및/또는 표면장력 효과의 변형)하기 위해 예비 코팅되거나 표면 처리될 수 있다. 코팅부(16)는 적절히 선택될 경우 코팅되지 않은 팁에 비해 팁(12)이 장기간 동안 날카로운 상태로 유지될 수 있도록 한다. 예컨대 PTFE-코팅된 다이아몬드 팁은 코팅되지 않은 다이아몬드 팁에 비해 긴 작동 수명을 가질 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 코팅부(16)는 패치(14)에서 발견되는 것과 동일한 저 표면 에너지 물질을 포함한다. 또한, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 팁(12)은 패치(14)에 직접 접촉될 수 있고 코팅부(16)는 팁(12)을 패치(14)에 문지르는 것에 의해 팁에 형성(또는 보충)될 수 있다. 통상적으로, 팁을 패치에 문지르고 그리고/또는 팁(12)으로 패치(14)를 비비는 것은 팁(12) 표면 위로 저 표면 에너지를 갖는 물질의 표면 확산을 증진시키키도 한다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 코팅부(16)와 패치(14)는 이들 모두가 폴리 테트라플루오로에틸렌(poly-tetrafluoroethylene, PTFE) 또는 기타 유사한 물질로 이루어지거나 적어도 그러한 물질을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 코팅부(16)는 필수적인 것은 아니지만, 팁(12)과 코팅부 내에 포함된 저 표면 에너지의 물질 사이에 금속 재료, 산화물, 금속 산화물 또는 다른 기타의 높은 표면 에너지 코팅부 또는 처리부(예컨대, 표면 연마 또는 도핑)를 포함할 수 있다. 이런 높은 표면 에너지 물질은 통상 낮은 표면 에너지 물질을 팁(12)에 보다 강력히 결합시키고 입자를 우선적으로 팁 표면에 끌어당기거나 부착시키도록 작용한다.
높은 표면 에너지 전처리는 본 발명의 특정 실시예에 따른 저 표면 에너지 코팅부(16) 없이 사용된다. 이런 실시예에서, 아래에 논의되는 입자(20)가 여기에서 논의되는 것과 유사한 방법을 이용하여 소정의 다른 연성 표적(예컨대, 금, 알루미늄)에 매립될 수 있거나, 또는 팁은 소모성일 수 있다. 또한, 팁 처리 및/또는 입자 포집/제거를 향상시키기 위해 그 밖의 물리적 및/또는 환경적 파라미터들이 변형될 수 있다(예컨대, 온도, 압력, 화학적 성질, 습도).
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 도 1 및 도 2에 도시된 구성요소 모두가 AFM 내에 포함된다. 일부의 그러한 구성에서 패치(14)는 실질적으로 편평하고 기판(18)을 지지하는 스테이지에 부착된다. 또한, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 패치(14)는 스테이지로부터 제거 가능하고 쉽게 대체될 수 있다. 예컨대 패치(14)는 쉽게 해제 가능한 클램프(도시 생략)를 사용하여 원자력 현미경에 부착될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 잔해물 제거 장치(10)의 다른 부분의 단면도이다. 도 2에는 통상 도 1에 도시된 패치(14)에 인접하게 위치된 기판(18)이 도시되어 있다. 또한, 도 2에는 기판(18) 표면에 형성된 트렌치(22)에 존재하는 복수의 입자(20)가 도시되어 있다. 입자(20)는 통상 반데르발스 힘에 의해 표면에 부착된다. 트렌치(22) 바닥에 도달하기 위해 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시예의 팁(12)은 높은 종횡비의 팁으로 구성된다. 도 2에 트렌치(22)가 도시되어 있지만 입자(20)는 다른 구조 내에 포함될 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 잔해물 제거 장치(10)의 일부의 단면도이고, 패치(14)에 입자(20)가 매립된 상태를 나타낸다. 도 4는 도 3에 도시된 잔해물 제거 장치(10)의 일부의 단면도이고, 팁(12)이 더 이상 패치(14)와 접촉하지 않은 상태를 나타낸 도면이다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 도 1 내지 도 4에 도시된 장치(10)는 잔해물 제거 방법의 실시를 위해 사용된다. 본 발명의 특정 실시예들은 여기에 언급되는 방법에 앞서 또는 방법에 따라 다른 입자 세정 공정과 함께 사용될 수 있다. 또한, 아래에서 하나의 팁(12)만이 설명되더라도 본 발명의 특정 실시예를 실시함에 있어 복수의 팁을 사용할 수도 있다. 예컨대 복수의 팁은 여기에서 언급되는 방법의 실시예들을 병행하여 동시에 수행할 수 있다.
전술한 잔해물 제거 방법은 도 2에서 기판(18) 상에 있는 것으로 도시된 하나 이상의 입자(20)(즉, 잔해물 조각)에 인접하게 팁(12)을 배치하는 단계를 포함한다. 본 방법은 입자(들)과 주변 표면에 접촉시 있을 수 있는 팁의 반복 운동과 함께 도 2에 도시된 바와 같이 입자(20)를 팁(12)에 물리적으로 부착하는(정전 부착과는 반대됨) 단계를 포함한다. 입자(20)를 팁(12)에 물리적으로 부착하는 단계에 따르면, 본 방법은 팁(12)을 기판(18)에서 멀리 이동시켜서 도 3에 도시된 바와 같이 입자(20)를 패치(14)로 이동시킴으로써 입자(20)를 기판(18)에서 제거하는 것을 포함한다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 본 방법은 팁(12)의 일부에 코팅부(16)를 형성하는 것을 포함한다. 이들 실시예에 따르면, 코팅부(16)는 기판(18)보다 낮은 표면 에너지의 코팅 물질을 포함한다.
전술한 것 외에, 본 발명의 일부 실시예는 팁(12)이 잔해물(도시 생략)의 다른 조각에 인접하도록 팁(12)을 기판(18)에 대해 이동시키는 단계도 포함한다. 그런 다음, 이들 부착된 다른 조각의 잔해물들은 도 3에 도시된 것과 유사한 방식으로 팁(12)을 기판(18)에서 멀리 이동시킴으로써 기판(18)에서 제거된다.
잔해물(예컨대, 전술한 입자(20))이 기판(18)에서 제거되면, 본 발명에 따른 일부 방법은 기판(예컨대, 전술한 패치(14))에서 벗어나 배치된 물질 조각에 잔해물 조각을 적치시키는 단계를 포함한다.
팁(12)은 많은 양의 잔해물을 제거하기 위해 반복적으로 사용될 수 있기 때문에, 본 발명의 특정 실시예에 따른 방법은 팁(12)을 패치(14)로 밀어 넣음으로써 코팅부(16)를 보충하는 단계를 포함한다. 이들 실시예에서, 패치로부터의 저 표면 에너지 물질이 시간이 지남에 따라 코팅부(16)에서 전개될 수 있는 홀이나 갭을 코팅할 수 있다. 이런 보충은 팁(12)을 패치 내로 밀어넣거나 표면을 문지르거나 그 밖의 일부 물리적 파라미터(예컨대, 온도)를 변경하는 것에 따라 팁(12)을 패치(14) 내에서 측방으로 이동시키는 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 소정의 방법은 보수 이전에 입자 또는 결함 근처의 작은 영역을 저 표면 에너지 물질에 노출시켜, 제거된 물질이 보수가 완료된 후 뭉쳐져서 다시 기판에 강력하게 고착되는 단계를 포함함에 유의하여야 한다. 예컨대 본 발명의 특정 실시예에 따라 결함/입자와 결함 근처 대략 1-2 미크론의 영역이 PTFE로 예비 코팅된다. 이런 경우, 저 표면 에너지 물질로 코팅되거나 그것으로 구성된 팁(12)(예컨대, PTFE 팁)은 다른 보수 도구(예컨대, 레이저, 전자 빔)를 사용하는 경우에도 다량의 저 표면 에너지 물질을 보수 영역에 도포하는 데 사용될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따른 방법은 패치(14)를 사용하여 팁(12)의 정점으로부터 멀리 팁(12)을 지지하고 있는 AFM 캔티레버(도시 생략) 쪽으로 입자를 밀어넣는 것을 포함한다. 이런 입자(20)의 밀어 넣기는 팁(12)의 정점 근처 공간을 해방시켜 물리적으로 보다 많은 입자들을 부착시킬 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 팁(12)은 통상 패치(14)에서 발견되는 연질(즉, "무른") 물질의 팔레트에 교대로 팁(12)을 "묻힘(dipping)"(또는 압입)함으로써 높은 종횡비 구조, 예컨대 트렌치(22)에서 나온 나노 가공 잔해물을 제거하는 데 사용된다. 이런 연질 물질은 일반적으로 자체에 대한 것보다 팁(12)과 잔해물 물질(예컨대, 입자(20)에 있는)에 대한 점착성이 크다. 연질 물질은 나노 가공 잔해물 입자(20)를 팁(12)에 정전 부착하기 위해 극성을 갖도록 선택될 수 있다. 예컨대, 이동형 계면활성제가 사용될 수 있다.
전술한 것 이외에, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 팁(12)은 하나 이상의 유전성 표면(즉, 전기적으로 절연된 표면)을 포함할 수 있다. 이들 표면은 특정 환경적 조건(예컨대, 낮은 습도)에서는 정전 표면 대전에 기인한 입자 포집을 용이하게 하기 위해 유사한 유전성 표면에 마찰될 수 있다. 또한, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 코팅부(16)는 여러 가지 다른 단거리 메커니즘(예컨대, 수소 결합, 화학 반응, 향상된 표면 확산)에 의해 입자를 끌어당긴다.
연질의 팔레트 물질에 침투(즉 압입)되기에 충분하게 강하고 경질인 임의의 팁이 사용될 수 있다. 따라서, 매우 높은 종횡비의 팁 형상은 본 발명의 범위 내에 있다. 팁이 연질의 (가능하게는 점착성) 물질에 침투되기에 충분하게 경질이면, 약하면서도 및/또는 덜 유연한 팁보다 강하면서 유연한 높은 종횡비의 팁이 선택되는 것이 보통이다. 이것은 세정 벡터 박스의 경계가 보수시보다 크도록 허용한다. 따라서, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 팁은 보수 트렌치(22)의 측면과 코너 안으로 마찰될 수 있다. 대략적인 거시적 규모로 이런 동작과 유사한 것은 깊은 내경 안으로 이동되는 강모(stiff bristle)이다. 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 팁(12)은 복수의 미소 강모 섬유(예컨대, 탄소 나노 튜브, 금속 휘스커 등)를 포함함으로써 보다 "강모형"이 되도록 선택될 수 있다. 다른 방안으로서, 팁(12)은 복수의 유연한/무른 나노 미소 섬유(예컨대, 폴리머 등)를 포함하는 것에 의해 보다 "몹(mop)과 같이" 되도록 선택될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 하나 이상의 입자가 포집되었는지 여부를 검출하는 것은 관심 영역(ROI)의 비접촉 원자력 현미경 스캔을 수행하여 입자를 검출하는 것을 포함한다. 그 후, 팁(12)은 타겟에서 후처리 시까지 재스캐닝을 하지 않고 기판으로부터 회수된다. 그러나, 팁에 의해 포집된 잔해물 물질의 전체 질량은 팁의 공명 주파수의 상대적 변이에 의해 관측될 수 있다. 또한, 동일 기능을 위해 다른 동력이 사용된다.
전술하고 도 4에 도시된 바와 같이, 입자(20) 제거를 위해 연질 물질에 압입되는 것 대신에, 팁(12)은 입자(20) 제거를 위해 패치(14) 내로 배향될 수 있다. 이와 같이, 팁이 우발적으로 입자(20)를 포집하면, 입자(20)는 다른 보수를 수행함으로써 제거될 수 있다. 특히, 배향에 의해 입자(20)를 적치하기 위해 다른 물질이 사용될 때, 금박과 같은 연질 금속이 사용될 수 있다.
전술한 것 이외에, 자외선(UV) 광경화성 물질 또는 화학적 비가역 반응에 민감한 유사한 소정의 다른 물질이 팁(12)을 코팅하고 코팅부(16)를 형성하는 데 사용될 수 있다. UV 경화 이전에 상기 물질은 기판(18)에서 입자(20)를 포집한다. 팁(12)이 기판(18)에서 제거되면, 팁(12)은 UV 광원에 노출됨으로써 물질 특성이 팁(12)에 덜 부착되고 패치(14) 내의 물질에는 더 부착되도록 변형될 수 있다. 이런 공정 또는 소정의 다른 비가역적 공정은 입자의 포집 및 제거의 선택성을 더욱 향상시키거나 가능케 한다.
본 발명의 특정 실시예는 다양한 장점을 제공한다. 예컨대 본 발명의 특정 실시예는 매우 높은 종횡비의 AFM 팁 형상을 사용하여 높은 종횡비의 트렌치 구조로부터 잔해물을 능동적으로 제거할 수 있도록 한다. 또한, 본 발명의 특정 실시예는 매우 높은 종횡비의 팁을 사용하고 현재 원자력 현미경 조작자에 의해 사용되는 소프트웨어 보수 시퀀스를 상대적으로 조금만 조정하는 것과 함께 원자력 현미경에 저 표면 에너지 물질 또는 연성 물질 팔레트를 부착함으로써 비교적 쉽게 수행될 수 있다. 또한, 본 발명의 특정 실시예에 따르면, 다른 방법으로는 제거될 수 없는 마스크 표면에서 입자를 선택적으로 제거하기 위해 사용될 수 있는 (나노-핀셋(tweezers)처럼) 새로운 나노 기계 가공 도구가 실현될 수 있다. 이것은 우선 코팅되지 않은 팁에 의해 잔해물이 표면으로부터 제거된 후 코팅된 팁에 의해 포집되는 보다 전통적인 보수와 함께 결합될 수 있다.
일반적으로, 저 표면 에너지 물질이 전술한 국부적 세정 방법에 사용되지만, 다른 가능한 변형도 본 발명의 범위 내에 있음은 물론이다. 통상, 이들 변형은 입자(20)를 팁(12)으로 이끌고 뒤이어 소정의 다른 처리에 의해 팁(12)에서 입자(20)를 해제하도록 반전되는 표면 에너지 구배(즉, Gibbs 자유 에너지 구배)를 생성한다.
예컨대 사용될 수 있는 하나의 변형은 고 표면 에너지 팁 코팅을 이용하는 것이다. 다른 변형은 입자들을 분리하기 위해 저 표면 에너지 물질로 입자들을 전처리한 후 고 표면 에너지 팁 코팅(때로 다른 팁에 대해 행함)으로 입자들을 접촉시키는 것이다. 또 다른 변형은 팁 표면 코팅과 입자 표면 사이에 발생하여 양자를 결합시키는 화학 반응에 대응하는 화학적 에너지 구배를 이용하는 것이다. 이것은 팁이 소모되거나 소정의 다른 처리로 가역적일 때까지 수행된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 하나 이상의 전술한 요인들과 조합하여 접착제나 점착 코팅이 사용된다. 또한, 표면 요철 또는 작은 규모(예컨대, 나노미터 규모)의 조직이 입자 세정 공정 효율성을 최대화하기 위해 구성될 수 있다.
전술한 것 이외에, 통상적으로 팁(12)이 몹(mop)과 유사하게 기계적으로 입자를 얽히게 할 수 있는 미소 섬유를 포함하는 경우에 기계적 결합이 이용될 수 있다. 본 발명의 특정 실시예에 따른 기계적 얽힘은 접촉 또는 환경에 따른 표면 에너지 또는 화학적 변화에 의해 구동 및/또는 향상된다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 팁(12)은 분자 핀셋(즉, 분자 클립)으로 코팅될 수 있다. 이들 핀셋은 이물질(예컨대, 전술한 입자(20))을 결합시킬 수 있는 개방 공동을 갖는 비고리형 성분이다. 핀셋의 개방 공동은 통상 수소 결합, 금속 배위 결합, 소수성 힘, 반데르발스 힘, π-π 상호 작용 및/또는 정전 효과를 포함하는 비공유 결합을 이용하여 이물질을 결합시킨다. 이들 핀셋은 이물질을 결합하는 2개의 아암이 통상 일단에서만 연결된다는 것을 제외하고 큰 고리형 분자 수용체(receptor)와 유사한 경우가 있다.
전술한 것 이외에, 입자(20)는 확산 결합 또는 카시미르 효과(Casimir effects)를 이용하여 팁에 의해 제거될 수 있다. 또한, 도 5에 도시된 본 발명의 실시예에서와 같이, 강모 또는 미소 섬유(30)가 팁(12)의 말단에 부착될 수 있다. 전락적이든 무작위적이든 이들 강모 또는 미소 섬유(30)는 다양한 방식으로 국부적 세정을 향상시킬 수 있다. 예컨대 관련된 표면적 증가는 입자에 대한 표면 (단거리) 결합을 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예 중 일부에 따르면, 미소 섬유(30)는 (예컨대, 표면 또는 환경에 의해) 선택적으로 입자(20)를 감거나 입자를 얽히게 하여 표면 접촉을 최대화하는 분자가 되도록 공학적으로 설계된다. 또한, 특히 강모(30)가 팁(12)에 부착되는 경우, 본 발명의 특정 실시예에 따라 입자(20)의 제거가 수행된다. 그러나, 미소 섬유(30)는 입자(20)를 끌어당겨 부착함으로써 기계적으로 입자(20)를 얽어서 제거할 수 있다. 이에 비해, 상대적으로 강한 강모(30)는 통상적으로 팁(12)을 도달하기 어려운 틈 내로 연장할 수 있게 한다. 그러면, 강모(30)의 충격 변형 스트레스에 의해, 입자(20)를 거부하는 팁(12)의 표면 변형에 의해 또는 소정의 조합에 의해 입자(20)는 제거된다. 또한, 본 발명의 특정 실시예는 입자(20)를 기계적으로 팁(12)에 결합시킨다. 미소 섬유가 팁(12)에 존재할 때, 전체 또는 일부의 풀어진 미소 섬유 중 하나 이상의 미소 섬유가 얽힐 수 있다. 강모가 팁(12)에 존재할 때, 입자(20)는 (탄성적으로) 압박된 강모 사이에 박힐 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 잔해물 제거 방법은 국부적 세정을 용이하게 하기 위해 환경을 변경하는 것을 포함한다. 예컨대 기체 또는 액체 매체를 도입하거나 화학적 및/또는 물리적 성질(예컨대, 압력, 온도, 습도)이 변경될 수 있다.
전술한 성분 이외에, 본 발명의 특정 실시예는 제거 대상의 잔해물을 식별하는 이미지 인식 시스템을 포함한다. 이와 같이 자동 잔해물 제거 장치도 본 발명의 범위 내에 있다.
본 발명의 특정 실시예에 따르면, 복잡한 형상의 내부 형태, 벽 및/또는 바닥에 원치 않는 손상을 피하기 위해 상대적으로 연질의 세정 팁이 사용된다. 적절한 경우, 스캔 속도를 높이면서도 상대적으로 연질의 팁을 표면에 아주 강하게 접촉하도록 강한 힘을 사용한다.
저 표면 에너지 물질에 노출되고 그리고/또는 그것으로 코팅된 팁은 나노미터 수준 구조의 잔해물을 제거(세정)하는 것 외에도 다른 목적을 위해 사용될 수 있다. 예컨대 이런 팁은 본 발명의 특정 실시예에 따라 미크론 수준 또는 미소 규모의 장치(예컨대, MEMS/NEMS)에 주기적으로 윤활제를 공급하여 화학적 반응을 억제시키도록 사용될 수 있다.
본 발명의 많은 특징과 장점들은 상세한 설명에서 자명하게 알 수 있으며, 따라서 본 발명의 진정한 취지 및 범위 내에 있는 이런 본 발명의 특징 및 장점들 모두는 첨부된 특허청구범위에 의해 포괄되도록 의도된다. 또한, 당업자들에게는 다양한 변경 및 변형이 용이하게 이루어질 수 있으므로, 본 발명을 예시되고 설명된 것과 같은 구성과 동작으로 한정되는 것은 바람직하지 않으며, 그에 따라 적절한 변형 및 등가물은 본 발명의 범위 내에 속하는 것으로 정해질 수 있다.
10: 잔해물 제거 장치 12: 팁
14: 패치 16: 코팅부
18: 기판 20: 입자
22: 트렌치 30: 강모(미소 섬유)

Claims (20)

  1. 기판의 표면에 형성된 트렌치로부터 잔해물을 제거하는 방법이고,
    상기 기판의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는 나노미터 규모의 코팅부를 갖는 팁을 상기 트렌치 내부에 배치하는 단계;
    상기 팁을 상기 트렌치 내부에서 이동시켜 상기 잔해물을 상기 팁에 물리적으로 부착하는 단계;
    상기 팁을 상기 부착된 잔해물과 함께 상기 트렌치로부터 멀리 이동시키는 단계; 및
    상기 기판을 지지하는 스테이지에 부착된, 상기 잔해물의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는 패치 물질 내에 상기 잔해물을 매립시키는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 팁 코팅부은 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 팁 코팅부를 상기 패치 물질로 밀어 넣음으로써 보충하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보충하는 단계는 상기 패치 물질을 따라 측방으로 상기 팁을 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 패치를 사용하여, 상기 팁의 정점으로부터 상기 팁을 지지하는 원자력 현미경(AFM)의 캔티레버 쪽으로 상기 잔해물을 밀어 넣는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 팁 코팅부가 금속 물질인 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 기판의 표면으로부터 잔해물을 제거하기 위한 시스템이고,
    캔티레버, 및 상기 캔티레버에 의해 지지된, 상기 기판의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는 나노미터 규모의 코팅부를 갖는 팁을 포함하는 원자력 현미경(AFM); 및 상기 기판을 지지하는 스테이지에 부착된, 상기 잔해물의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지를 갖는 패치 물질을 포함하는 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 팁 코팅부은 폴리테트라플루오로에틸렌인 것을 특징으로 하는 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 팁 코팅부가 금속 물질인 것을 특징으로 하는 시스템.
  10. 제7항에 있어서, 상기 패치 물질이 상기 기판 스테이지로 제거 가능하게 부착된 것을 특징으로 하는 시스템.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020107008163A 2007-09-17 2008-09-16 고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법 KR101428137B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/898,836 US8287653B2 (en) 2007-09-17 2007-09-17 Debris removal in high aspect structures
US11/898,836 2007-09-17
PCT/US2008/076514 WO2009039088A1 (en) 2007-09-17 2008-09-16 Debris removal in high aspect structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100076973A KR20100076973A (ko) 2010-07-06
KR101428137B1 true KR101428137B1 (ko) 2014-08-07

Family

ID=40453164

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020107008163A KR101428137B1 (ko) 2007-09-17 2008-09-16 고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8287653B2 (ko)
EP (4) EP3147937B1 (ko)
JP (1) JP5386490B2 (ko)
KR (1) KR101428137B1 (ko)
PL (1) PL3726566T3 (ko)
TW (1) TWI460773B (ko)
WO (1) WO2009039088A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10618080B2 (en) 2007-09-17 2020-04-14 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
US8287653B2 (en) * 2007-09-17 2012-10-16 Rave, Llc Debris removal in high aspect structures
US10330581B2 (en) 2007-09-17 2019-06-25 Rave Llc Debris removal from high aspect structures
US10384238B2 (en) 2007-09-17 2019-08-20 Rave Llc Debris removal in high aspect structures
KR20090103200A (ko) * 2008-03-27 2009-10-01 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 파티클 제거방법
DE102011004214A1 (de) 2011-02-16 2012-08-16 Carl Zeiss Sms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Analysieren und Verändern einer Probenoberfläche
US10418527B2 (en) * 2014-10-31 2019-09-17 eLux, Inc. System and method for the fluidic assembly of emissive displays
US10446728B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-15 eLux, Inc. Pick-and remove system and method for emissive display repair
JP6548277B2 (ja) * 2015-04-09 2019-07-24 ジェン−プローブ・インコーポレーテッド 自動清掃の試料検査システムおよび方法
US11001785B2 (en) * 2015-10-30 2021-05-11 Yale University Systems and methods for particulate removal using polymeric microstructures
EP3748431B1 (en) * 2016-01-29 2021-09-08 Bruker Nano, Inc. Debris removal from high aspect structures
TWI787181B (zh) * 2016-05-20 2022-12-21 美商瑞弗股份有限公司 從高深寬比結構移除碎片
TWI770024B (zh) * 2016-05-20 2022-07-11 美商瑞弗股份有限公司 決定粒子及從基板移除之粒子的組成物的方法
KR20230042400A (ko) 2017-07-21 2023-03-28 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 포토리소그래피 마스크의 과잉 재료의 폐기를 위한 방법 및 장치
CN109513691B (zh) * 2017-09-20 2021-06-01 台湾积体电路制造股份有限公司 晶圆座的清洁方法、半导体制作方法与清洁系统
DE102018206278A1 (de) 2018-04-24 2019-10-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske
DE102018210098B4 (de) 2018-06-21 2022-02-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Untersuchen und/oder zum Bearbeiten einer Probe
JP7131456B2 (ja) 2019-03-27 2022-09-06 株式会社デンソーウェーブ Ｒｆｉｄリーダ装置
DE102020208568A1 (de) 2020-07-08 2022-01-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Entfernen eines einzelnen Partikels von einem Substrat
CN112834786B (zh) * 2021-01-08 2022-05-17 南京大学 基于扫描探针的纳米颗粒三维操控方法
CN112934859B (zh) * 2021-01-29 2022-06-07 泉意光罩光电科技(济南)有限公司 光罩杂质去除设备和光罩杂质去除方法
DE102021201669B4 (de) 2021-02-22 2023-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und vorrichtung zum bearbeiten einer probe
KR20230097245A (ko) * 2021-12-23 2023-07-03 삼성전자주식회사 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법
CN116988134A (zh) * 2023-07-17 2023-11-03 哈尔滨工业大学 一种搅拌摩擦增材制造成形工具清理装置及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260326A (ja) * 1996-03-18 1997-10-03 Motorola Inc 粒子を除去するため半導体ウェハの表面をクリーニングする方法
JP2003167003A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Kanai Hiroaki プローブカード用プローブ針
US20030138644A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Khandros Igor Y. Apparatus and method for cleaning test probes

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5102768A (en) * 1990-03-12 1992-04-07 Eastman Kodak Company Transfer of high resolution toned images to rough papers
JPH04364746A (ja) * 1991-06-12 1992-12-17 Tokyo Electron Yamanashi Kk プローブ装置
US6337479B1 (en) * 1994-07-28 2002-01-08 Victor B. Kley Object inspection and/or modification system and method
TW285721B (ko) * 1994-12-27 1996-09-11 Siemens Ag
US5935339A (en) * 1995-12-14 1999-08-10 Iowa State University Decontamination device and method thereof
TW377482B (en) * 1997-04-08 1999-12-21 Tokyo Electron Ltd Cleaner with protuberances for inspection, inspection apparatus and inspection method for integrated circuits
US6175984B1 (en) * 1997-09-02 2001-01-23 International Business Machines Corporation Apparatus for cleaning precision components
JPH1187438A (ja) * 1997-09-03 1999-03-30 Mitsubishi Electric Corp プローブ先端のクリーニング部材ならびにクリーニング方法、および半導体ウェーハのテスト方法
KR20000051782A (ko) * 1999-01-26 2000-08-16 윤종용 인쇄기기의 전사롤러 및 감광매체 크리닝장치
US6353221B1 (en) * 1999-01-29 2002-03-05 Veeco Instruments Inc. Method and apparatus for cleaning a tip of a probe of a probe-based measuring instrument
US6777966B1 (en) * 1999-07-30 2004-08-17 International Test Solutions, Inc. Cleaning system, device and method
US6908364B2 (en) * 2001-08-02 2005-06-21 Kulicke & Soffa Industries, Inc. Method and apparatus for probe tip cleaning and shaping pad
US6817052B2 (en) * 2001-11-09 2004-11-16 Formfactor, Inc. Apparatuses and methods for cleaning test probes
CN1659657A (zh) * 2002-06-14 2005-08-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于扫描和清洁信息载体的设备
US6896741B2 (en) * 2002-08-13 2005-05-24 William N. Stelcher Tool for gathering materials including particles and hairs
US20050208304A1 (en) * 2003-02-21 2005-09-22 California Institute Of Technology Coatings for carbon nanotubes
US7785422B2 (en) * 2004-01-05 2010-08-31 Lewis & Clark College Self-cleaning adhesive structure and methods
EP1587113B1 (en) * 2004-04-15 2012-10-03 Fei Company Stylus system for modifying small structures
JP2005326250A (ja) 2004-05-14 2005-11-24 Sumitomo Electric Ind Ltd プローブ用クリーニングシート及びクリーニング方法
CN100484867C (zh) * 2004-10-22 2009-05-06 中国科学院上海应用物理研究所 分离并再放置纳米颗粒的方法
JP2006184081A (ja) 2004-12-27 2006-07-13 Kanai Hiroaki プローブカード用プローブピン
JP2006184061A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Fujitsu Ltd 電気的接続部品及びその製造方法
US7323699B2 (en) * 2005-02-02 2008-01-29 Rave, Llc Apparatus and method for modifying an object
US7998865B2 (en) 2005-05-31 2011-08-16 Texas Instruments Incorporated Systems and methods for removing wafer edge residue and debris using a residue remover mechanism
US20080169003A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 Nasa Headquarters Field reactive amplification controlling total adhesion loading
US8287653B2 (en) * 2007-09-17 2012-10-16 Rave, Llc Debris removal in high aspect structures
US8002899B2 (en) 2008-09-30 2011-08-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for mask pellicle adhesive residue cleaning

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09260326A (ja) * 1996-03-18 1997-10-03 Motorola Inc 粒子を除去するため半導体ウェハの表面をクリーニングする方法
JP2003167003A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Kanai Hiroaki プローブカード用プローブ針
US20030138644A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Khandros Igor Y. Apparatus and method for cleaning test probes

Also Published As

Publication number Publication date
EP3726566A1 (en) 2020-10-21
EP4239407A3 (en) 2023-12-13
JP2010539714A (ja) 2010-12-16
EP2198451B1 (en) 2016-07-13
EP3147937B1 (en) 2020-07-15
EP2198451A4 (en) 2014-05-14
US20140176922A1 (en) 2014-06-26
US20090071506A1 (en) 2009-03-19
TWI460773B (zh) 2014-11-11
US8287653B2 (en) 2012-10-16
TW200924039A (en) 2009-06-01
PL3726566T3 (pl) 2024-04-15
EP3726566B1 (en) 2023-08-02
EP2198451A1 (en) 2010-06-23
JP5386490B2 (ja) 2014-01-15
EP3147937A1 (en) 2017-03-29
KR20100076973A (ko) 2010-07-06
US20130037053A1 (en) 2013-02-14
EP4239407A2 (en) 2023-09-06
WO2009039088A1 (en) 2009-03-26
US8696818B2 (en) 2014-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101428137B1 (ko) 고 종횡비 구조에서의 잔해물 제거 방법
US11391664B2 (en) Debris removal from high aspect structures
US10618080B2 (en) Debris removal from high aspect structures
JP2022050485A (ja) 高アスペクト構造からのデブリ除去
KR102433627B1 (ko) 고종횡비 구조물에서 잔해물 제거
KR102306619B1 (ko) 고종횡비 구조물에서 잔해물 제거

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170724

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180726

Year of fee payment: 5