KR20230097245A - 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법 - Google Patents

펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20230097245A
KR20230097245A KR1020210185830A KR20210185830A KR20230097245A KR 20230097245 A KR20230097245 A KR 20230097245A KR 1020210185830 A KR1020210185830 A KR 1020210185830A KR 20210185830 A KR20210185830 A KR 20210185830A KR 20230097245 A KR20230097245 A KR 20230097245A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pellicle
particle
removal device
particles
particle removal
Prior art date
Application number
KR1020210185830A
Other languages
English (en)
Inventor
이병훈
박진구
김태곤
박상욱
정창영
안진호
Original Assignee
삼성전자주식회사
한양대학교 에리카산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사, 한양대학교 에리카산학협력단 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210185830A priority Critical patent/KR20230097245A/ko
Priority to US17/889,472 priority patent/US12032281B2/en
Priority to CN202211663432.1A priority patent/CN116329193A/zh
Publication of KR20230097245A publication Critical patent/KR20230097245A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/02—Devices for holding articles during cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0028—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by adhesive surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/02—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by distortion, beating, or vibration of the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

펠리클의 일면 상에 위치한 파티클을 상기 펠리클의 상기 일면으로부터 제거하는 파티클 제거 장치; 및 상기 펠리클의 타면 상에 위치하는 유체의 압력을 제어하는 압력 제어 장치; 를 포함하되, 상기 파티클 제거 장치는: 캔틸레버 부재; 및 상기 캔틸레버 부재의 하면의 일측에 위치하는 점착 물질; 을 포함하는 펠리클 세정 장치가 제공된다.

Description

펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법{Pellicle cleaning apparatus and pellicle cleaning method using the same}
본 발명은 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 펠리클 상의 파티클을 제거할 수 있는 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자는 다양한 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자는 실리콘 등의 웨이퍼에 대한 포토 공정, 식각 공정, 증착 공정 등을 거쳐 제조될 수 있다. 포토 공정에서, 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위해 포토 마스크가 사용될 수 있다. 포토 마스크 상에 미세한 패턴이 존재할 수 있다. 이러한 미세한 패턴은 오염에 취약할 수 있다. 포토 마스크 상의 패턴을 보호하기 위해, 펠리클이 사용될 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 펠리클 상의 입자를 타겟팅하여 제거할 수 있는 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 펠리클의 파손을 방지하며 펠리클을 세정할 수 있는 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 펠리클의 사용 수명을 증가시킬 수 있는 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 세정 장치는 펠리클의 일면 상에 위치한 파티클을 상기 펠리클의 상기 일면으로부터 제거하는 파티클 제거 장치; 및 상기 펠리클의 타면 상에 위치하는 유체의 압력을 제어하는 압력 제어 장치; 를 포함하되, 상기 파티클 제거 장치는: 캔틸레버 부재; 및 상기 캔틸레버 부재의 하면의 일측에 위치하는 점착 물질; 을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 세정 방법은 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것; 상기 펠리클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것; 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클 상에서 이동시키는 것; 상기 펠리클의 일면 상의 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것; 및 상기 파티클이 결합된 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클로부터 제거하는 것; 을 포함하되, 상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것은, 상기 파티클이 상기 파티클 제거 장치의 점착 물질에 점착되는 것을 포함할 수 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 펠리클 세정 방법은 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것; 상기 펠리클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것; 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클 상에서 이동시키는 것; 상기 펠리클의 일면 상의 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것; 및 상기 파티클이 결합된 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클로부터 제거하는 것; 을 포함하되, 상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것은, 상기 파티클이 상기 파티클 제거 장치의 점착 물질에 점착되는 것을 포함할 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 따르면, 펠리클 상의 입자를 타겟팅하여 제거할 수 있다.
본 발명의 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 따르면, 펠리클의 파손을 방지하며 펠리클을 세정할 수 있다.
본 발명의 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 따르면, 펠리클의 사용 수명을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 5 내지 도 12는 도 4의 순서도에 따른 펠리클 세정 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 13은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 14 내지 도 18은 도 13의 순서도에 따른 펠리클 세정 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 19는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 20은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 21은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 22는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 23은 도 22의 Y 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 24는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 대하여 설명한다. 명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 사시도이다.
이하에서, 도 1의 D1을 제1 방향, 제1 방향(D1)에 교차되는 D2를 제2 방향, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)의 각각에 교차되는 D3를 제3 방향이라 칭할 수 있다.
도 1을 참고하면, 펠리클 세정 장치(A)가 제공될 수 있다. 펠리클 세정 장치(A)는 펠리클 상의 파티클 등의 이물질을 제거하는 장치일 수 있다.
펠리클이란, 반도체 제조를 위한 노광 공정에 사용되는 포토 마스크를 보호하는 멤브레인을 의미할 수 있다. 예를 들어, 펠리클은 EUV 노광 장치에서, 포토 마스크의 패턴을 보호하기 위해 사용될 수 있다. 펠리클은 마스크의 패턴을 오염으로부터 보호할 수 있다. 그러나 이러한 용도에 한정하는 것은 아니며, 펠리클은 각종 오염 방지 필터(filter) 등으로 사용될 수도 있다. 펠리클은 다양한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펠리클이 포토 마스크의 보호를 위해 사용되는 경우, 펠리클은 탄소(carbon)를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 펠리클은 그라파이트(graphite), 그래핀(graphene), 카본나노튜브(carbon nanotube, CNT), 나노 혼(nanohorn), 나노 카본 프레이크(nano carbof flake), 나노 결정 그라파이트(nanocrystalline graphite), 아몰포스 카본(amorphous carbon), 다이아몬드 라이크 흑연(diamond like carbon, DLC), 하이드로 카본(hydrocarbon) 및/또는 그라핀산화물(graphene oxide) 등을 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 펠리클은 EUV 파장에 대해 투과율이 있는 다양한 물질을 포함할 수도 있다. 즉, 펠리클은 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 지르코늄(Zr), 지르코늄 카바이드(ZrC), 붕소(B), 탄화붕소(BxCy), 질화붕소(BN), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 황화텅스텐(WxSy), 니오븀(Nb), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn) 및/또는 니켈(Ni) 등을 포함할 수도 있다. 펠리클이 다른 용도로 사용되는 경우, 그에 적합한 다른 물질을 포함할 수 있다.
펠리클 세정 장치(A)는 펠리클 상의 파티클 등의 이물질을 제거하기 위한 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 펠리클 세정 장치(A)는 스테이지(3), 파티클 제거 장치(1), 촬상 장치(5), 압력 제어 장치(PC), 제거 장치 구동부(CM) 및 제어부(C)를 포함할 수 있다.
스테이지(3)는 펠리클(PE)을 지지할 수 있다. 예를 들어, 스테이지(3)는 펠리클 프레임(PF) 상에 결합된 펠리클(PE)을 지지할 수 있다. 펠리클(PE)의 두께는 약 30nm 내지 120nm일 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 펠리클 프레임(PF)은 펠리클(PE)을 포토 마스크 상에 연결하는 부재일 수 있다. 펠리클(PE)은 펠리클 프레임(PF)과 함께 포토 마스크로부터 제거된 상태로 세정될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 펠리클(PE)은 펠리클 프레임(PF)에 의해 포토 마스크 상에 고정된 상태로 세정될 수도 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다. 스테이지(3)는 압력 제어 장치(PC)에 연결될 수 있다. 스테이지(3) 상에 배치된 펠리클(PE)은, 압력 제어 장치(PC)에 의해 진동이 제어될 수 있다.
파티클 제거 장치(1)는 펠리클(PE)의 일면 상에 위치한 파티클을 제거할 수 있다. 파티클 제거 장치(1)는 캔틸레버 구조를 포함할 수 있다. 파티클 제거 장치(1)는 제거 장치 구동부(CM)에 의해 수평 방향 및/또는 수직 방향으로 이동 가능할 수 있다.
촬상 장치(5)는 펠리클(PE)의 일면을 촬영할 수 있다. 이를 위해 촬상 장치(5)는 펠리클(PE)의 일면 상에 배치될 수 있다. 촬상 장치(5)는 시각적 이미지를 얻기 위한 다양한 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 촬상 장치(5)는 이미지 센서 등을 포함할 수 있다. 촬상 장치(5)는 제어부(C)에 연결될 수 있다. 촬상 장치(5)가 획득한 펠리클(PE)의 일면에 대한 이미지 정보는, 제어부(C)로 전달될 수 있다.
압력 제어 장치(PC)는 펠리클(PE)의 진동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 압력 제어 장치(PC)는 스테이지(3) 상에 배치된 펠리클(PE)에 인접한 공간의 유체의 압력을 제어하여, 펠리클(PE)의 진동을 제어할 수 있다. 이를 위해 압력 제어 장치(PC)는 압축기, 진공 펌프, 배관 및/또는 모터 등을 포함할 수 있다. 이러한 압력 제어 장치(PC)는 스테이지(3)에 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 압력 제어 장치(PC)는 스테이지(3)의 압력 전달공(3h)에 연결될 수 있다. 이에 대한 상세한 내용은 후술하도록 한다.
제거 장치 구동부(CM)는 파티클 제거 장치(1)를 이동시킬 수 있다. 예를 들어, 제거 장치 구동부(CM)는 파티클 제거 장치(1)를 수평 방향 및/또는 수직 방향으로 이동시킬 수 있다. 이를 위해 제거 장치 구동부(CM)는 전기 모터 및/또는 유압 모터 등의 액츄에이터를 포함할 수 있다.
제어부(C)는 촬상 장치(5), 제거 장치 구동부(CM) 및 압력 제어 장치(PC)를 제어할 수 있다. 제어부(C)는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로 구현될 수 있다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체로는 컴퓨터에 의하여 해독될 수 있는 명령어가 저장된 모든 종류의 기록 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기록 매체는 SRAM(Static RAM), DRAM(Dynamic RAM), SDRAM(Synchronous DRAM) 등과 같은 휘발성 메모리, ROM(Read Only Memory), PROM(Programmable ROM), EPROM(Electrically Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리 장치, PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM) 또는 FRAM(Ferroelectric RAM) 등을 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 2의 X 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 스테이지(3)는 압력 전달공(3h)을 제공할 수 있다. 압력 전달공(3h)은, 스테이지(3) 상의 공간에 연결될 수 있다. 또한, 도 1에 도시된 것과 같이, 압력 전달공(3h)은 압력 제어 장치(PC, 도 1 참고)에 연결될 수 있다. 따라서 압력 제어 장치(PC)는 압력 전달공(3h)을 통해, 스테이지(3) 상의 공간에 연결될 수 있다.
펠리클 프레임(PF)은 프레임 공간(PFh)을 제공할 수 있다. 프레임 공간(PFh)은 펠리클 프레임(PF)에 의해 가운데 정의된 공간일 수 있다. 펠리클 프레임(PF)이 스테이지(3) 상에 배치될 때, 프레임 공간(PFh)은 압력 전달공(3h)에 연결될 수 있다.
펠리클(PE)의 일면(PEa)은, 위를 향할 수 있다. 펠리클(PE)의 타면(PEb)은, 아래를 향할 수 있다. 펠리클(PE)이 스테이지(3) 상에 배치되었을 때, 펠리클(PE)의 타면(PEb)은 압력 전달공(3h)을 마주할 수 있다. 즉, 펠리클(PE)의 타면(PEb)은 프레임 공간(PFh) 및 압력 전달공(3h)에 노출될 수 있다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 파티클 제거 장치(1)는 캔틸레버 부재(11) 및 점착 물질(13)을 포함할 수 있다.
캔틸레버 부재(11)는 지지 부재(111) 및 팁(113)을 포함할 수 있다. 지지 부재(111)는 수평 방향으로 연장되는 막대 형상을 가질 수 있다. 지지 부재(111)는 제거 장치 구동부(CM, 도 1 참고)에 연결될 수 있다. 지지 부재(111)는 팁(113) 및 점착 물질(13)을 지지할 수 있다. 팁(113)은 지지 부재(111)에 결합될 수 있다. 예를 들어, 팁(113)은 지지 부재(111)의 단부에 연결될 수 있다. 팁(113)은 지지 부재(111)로부터 아래로 일정 길이 연장될 수 있다. 팁(113)은 아래로 갈수록 좁아지는 형상을 가질 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 팁(113)의 하면은, 점착면(11b)을 포함할 수 있다. 점착면(11b)은 지지 부재(111)를 향해 함입된 곡면 형상을 가질 수 있다.
점착 물질(13)은 캔틸레버 부재(11)의 하면의 일측에 위치할 수 있다. 예를 들어, 점착 물질(13)은 팁(113)의 하면 상에 위치할 수 있다. 보다 구체적으로, 점착 물질(13)은 팁(113)의 점착면(11b) 상에 위치할 수 있다. 점착 물질(13)은 펠리클(PE, 도 2 참고) 상의 파티클을 점착시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 펠리클(PE) 상의 파티클과 접하면, 파티클이 펠리클(PE)로부터 떨어지도록 파티클과 결합되는 성질을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 점착 물질(13)은 실리콘(Si)을 기반으로 하는 고무를 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 점착 물질(13)은 Polydimethylsiloxane(PDMS) 등을 포함할 수 있다. 혹은, 점착 물질(13)은 감압 접착제(Pressure sensitive adhesive, PSA) 명명되는 종류의 물질을 포함할 수 있다.
점착 물질(13)은 캔틸레버 부재(11)의 하면 일측에 도포될 수 있다. 예를 들어, 점착 물질(13)은 점착면(11b) 상에 디핑, 코팅, 스프레이 공정 등을 이용해 도포될 수 있다. 이를 위해 점착면(11b)에 점착 물질(13)을 도포하기 위한 점착 공급 노즐(미도시)이 더 제공될 수 있다.
점착 물질(13)이 점착면(11b) 상에 도포된 상태에서, 점착 물질(13)은 경화될 수 있다. 이를 위해 점착면(11b) 상의 점착 물질(13)을 경화시키기 위한 경화 장비가 제공될 수 있다. 예를 들어, 점착 물질(13)은 UV 등의 특정 파장대의 레이져에 의해 경화될 수 있다. 이 경우 점착 물질(13)을 경화시키기 위한 UV 경화 장비가 제공될 수 있다. 혹은, 점착 물질(13)은 열을 이용한 경화 반응에 의해 경화될 수 있다. 즉, 점착 물질(13)이 점착면(11b) 상에 도포된 상태에서 가열되어, 점착 물질(13)이 캔틸레버 부재(11)에 경화된 상태로 결합될 수 있다. 이 경우 점착 물질(13)을 가열하기 위한 가열 경화 장비가 제공될 수 있다. 혹은, 점착 물질(13)은 화학 반응에 의해 경화될 수 있다. 즉, 점착 물질(13)이 점착면(11b) 상에 도포된 상태에서 케미컬이 분사되어, 점착 물질(13)이 캔틸레버 부재(11)에 경화된 상태로 결합될 수 있다. 이 경우 점착 물질(13)에 케미컬을 분사하기 위한 케미컬 분사 경화 장치가 제공될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 점착 물질(13)은 다른 다양한 방식으로 캔틸레버 부재(11)의 하면 상에 배치될 수 있다.
이상에서 펠리클 세정 장치(A, 도 1 참고)가 독립적인 장비인 것으로 서술하였으나, 이에 한정하는 것은 아니다. 즉, 펠리클 세정 장치(A)는 노광 장비와는 별개의 구성으로 노광 장비의 외부에 위치할 수도 있지만, 노광 장비 내부에 위치할 수도 있다. 즉, 펠리클 세정 장치(A)는 노광 장비의 일부일 수도 있다. 보다 구체적으로, 펠리클 세정 장치(A)는 모듈화되어 노광 장비의 내부에 결합될 수 있다. 펠리클 세정 장치(A)는 노광 장비 내부에서 노광 공정에 사용되는 펠리클을 세정할 수 있다. 이 경우, 펠리클 및/또는 마스크를 노광 장비의 외부로 꺼낼 필요 없이, 노광 장비 내부에서 펠리클에 대한 세정 공정을 진행할 수 있다. 따라서 펠리클 및/또는 마스크를 노광 장비의 외부로 꺼내는 과정에서 발생할 수 있는 오염을 방지할 수 있다. 또한, 노광 장비 내부에서 펠리클에 대한 세정 공정이 진행되므로, 세정 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다. 따라서 노광 공정에 소요되는 전체 시간을 줄일 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4를 참고하면, 펠리클 세정 방법(S)이 제공될 수 있다. 펠리클 세정 방법(S)은, 도 1 내지 도 3을 참고하여 설명한 펠리클 세정 장치(A, 도 1 참고)를 이용해 펠리클 상의 파티클을 제거하는 방법을 의미할 수 있다.
펠리클 세정 방법(S)은 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것(S1), 펠리클의 진동을 제어하는 것(S2), 펠리클의 일면 상의 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것(S3), 파티클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것(S4), 파티클 제거 장치를 펠리클의 일면을 향해 이동시키는 것(S5), 파티클을 파티클 제거 장치에 결합시키는 것(S6), 점착 물질이 파티클을 가압했는지 여부를 확인하는 것(S7), 파티클 제거 장치를 펠리클로부터 제거하는 것(S8) 및 파티클이 펠리클로부터 제거되었는지 확인하는 것(S9)을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 5 내지 도 12를 참고하여 도 4의 펠리클 세정 방법(S)을 순차적으로 서술하도록 한다.
도 5 내지 도 12는 도 4의 순서도에 따른 펠리클 세정 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 5 및 도 4를 참고하면, 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것(S1)은 펠리클(PE)을 스테이지(3) 상에 배치하는 것을 포함할 수 있다. 펠리클(PE)은 펠리클 프레임(PF) 상에 결합된 채로 스테이지(3) 상에 배치될 수 있다. 실시 예들에서, 펠리클(PE)은 포토 마스크로부터 분리된 채 스테이지(3) 상에 배치될 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 펠리클(PE)은 포토 마스크에 결합된 상태로 스테이지(3) 상에 배치될 수도 있다. 이에 대한 상세한 내용은 도 19를 참고하여 후술하도록 한다.
펠리클의 진동을 제어하는 것(S2)은 스테이지(3) 상에 배치된 펠리클(PE)의 진동을 제어하는 것을 포함할 수 있다. 압력 제어 장치(PC, 도 1 참고)가 펠리클(PE)의 진동을 제어할 수 있다. 보다 구체적으로, 압력 전달공(3h)을 통해 펠리클(PE)의 타면(PEb) 상의 유체의 압력을 조절할 수 있다. 즉, 압력 제어 장치(PC)가 제공하는 내부 기류(IA)가 압력 전달공(3h)을 통해 프레임 공간(PFh)으로 이동하여, 펠리클(PE)의 진동을 제거할 수 있다. 예를 들어, 펠리클(PE)의 일면(PEa) 상의 공간에 위치하는 유체의 흐름인 외부 기류(OA)와 수평을 이루도록, 내부 기류(IA)를 제어할 수 있다. 이에 따라 펠리클(PE)의 진동이 사라지고, 펠리클(PE)은 평평하게 펴질 수 있다.
도 6, 도 7 및 도 4을 참고하면, 펠리클의 일면 상의 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것(S3)은, 촬상 장치(5)를 이용해 파티클(PA)의 위치를 알아내는 것을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 촬상 장치(5)로 펠리클(PE)의 일면(PEa)을 촬영하여, 일면(PEa)에 대한 이미지 정보를 획득할 수 있다. 제어부(C, 도 1 참고)는 일면(PEa)에 대한 이미지 정보로부터, 파티클(PA)의 위치에 대한 정보를 획득할 수 있다. 펠리클 세정 장치(A, 도 1 참고)에 의해 제거되는 파티클(PA)은, 일정 크기 이상의 파티클을 의미할 수 있다. 예를 들어, 펠리클 세정 장치(A)에 의해 제거되는 파티클(PA)은 약 5μm 이상의 직경을 갖는 파티클일 수 있다. 보다 구체적으로, 약 10μm 이상의 직경을 갖는 파티클이 펠리클 세정 장치(A)에 의해 제거될 수 있다.
도 8, 도 9 및 도 4를 참고하면, 파티클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것(S4)은 제거 장치 구동부(CM, 도 1 참고)에 의해 파티클 제거 장치(1)가 이동하여 파티클(PA) 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다. 점착 물질(13)이 파티클(PA)로부터 위로 일정 간격 이격된 위치에 오도록, 파티클 제거 장치(1)의 위치를 제어할 수 있다.
도 10A 및 도 4를 참고하면, 파티클 제거 장치를 펠리클의 일면을 향해 이동시키는 것(S5)은, 파티클 제거 장치(1)가 이동하여 펠리클(PE)의 일면(PEa)에 접근하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파티클 제거 장치(1)가 일면(PEa)을 향해 하강할 수 있다.
파티클을 파티클 제거 장치에 결합시키는 것(S6)은, 파티클 제거 장치(1)가 하강하여 점착 물질(13)에 파티클(PA)이 점착되는 것을 포함할 수 있다. 이 과정에서 점착 물질(13)은 파티클(PA)을 가압할 수 있다. 즉, 파티클(PA)에 아래로 힘이 가해질 수 있다. 점착 물질(13)과 파티클(PA) 간의 인력에 의해, 파티클(PA)은 점착 물질(13)에 점착될 수 있다.
도 10B 및 도 4를 참고하면, 점착 물질이 파티클을 가압했는지 여부를 확인하는 것(S7)은, 파티클 제거 장치(1)를 관측하여 가압이 이루어졌는지 확인하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 캔틸레버 부재(11)의 형상이 변형되었는지 여부를 확인하여, 가압 여부를 확인할 수 있다. 보다 구체적으로, 지지 부재(111)가 휘어지는지 여부를 통해, 가압 여부를 확인할 수 있다. 이러한 과정은 촬상 장치(5)에 의해 수행될 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
도 11 및 도 4를 참고하면, 파티클 제거 장치를 펠리클로부터 제거하는 것(S8)은 파티클(PA)이 점착된 상태의 파티클 제거 장치(1)를 펠리클(PE)로부터 들어 올리는 것을 포함할 수 있다. 점착 물질(13)에 파티클(PA)이 점착된 상태의 파티클 제거 장치(1)는, 펠리클(PE)로부터 제거될 수 있다. 파티클 제거 장치(1)는 버려질 수 있다. 보다 구체적으로, 제거 장치 구동부(CM, 도 1 참고)로부터 기존의 파티클 제거 장치(1)가 탈착되고, 새로운 파티클 제거 장치(1)가 부착될 수 있다. 즉, 파티클 제거 장치(1)는 제거 장치 구동부(CM)로부터 탈부착되는 형태의 일회용 구성일 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 파티클 제거 장치(1)로부터 파티클(PA)이 제거되어, 파티클 제거 장치(1)가 재사용될 수도 있다.
도 12 및 도 4를 참고하면, 파티클이 펠리클로부터 제거되었는지 확인하는 것(S9)은, 촬상 장치(5, 도 1 참고)가 다시 펠리클(PE)의 일면(PEa)을 촬영하여 획득한 이미지 정보를 이용해, 파티클이 펠리클(PE)의 일면(PEa)으로부터 제거되었는지 여부를 확인하는 것을 포함할 수 있다. 확인 결과 파티클이 제거되지 않았으면, 동일한 과정을 반복 수행할 수 있다.
실시 예들에서, 파티클의 성분을 분석하기 위한 성분 분석기가 더 제공될 수 있다. 즉, 파티클 세정 장치는 성분 분석기를 더 포함할 수 있다. 성분 분석기는 스테이지(3) 부근에 배치될 수 있다. 예를 들어, 성분 분석기는 스테이지(3)으로부터 옆으로 이격 배치될 수 있다. 성분 분석기는, 파티클의 성분을 분석할 수 있다. 보다 구체적으로, 성분 분석기는 파티클 제거 장치(1)에 의해 펠리클(PE)로부터 제거된 파티클(PA)의 성분을 분석할 수 있다. 예를 들어, 펠리클(PE)로부터 제거된 파티클 제거 장치(1)가 성분 분석기 상에 파티클(PA)을 배치하면, 성분 분석기는 파티클(PA)의 성분을 분석할 수 있다. 이 경우, 펠리클 세정 방법(S, 도 4 참고)은 파티클의 성분을 분석하는 것을 더 포함할 수 있다. 이를 위해, 성분 분석기는 파티클(PA)의 성분을 분석할 수 있는 구성을 포함할 수 있다. 예를 들어, 성분 분석기는 EDS(Energy Dispersive Spectrometry)를 포함할 수 있다. 또는, 성분 분석기는 IC(Ion Chromatography) 또는 ICP-MS(Mass Spectrometer) 장치를 포함할 수 있다. 그러나 이에 한정하는 것은 아니며, 성분 분석기는 분자 형광 이미지(Fluorescence imaging) 등을 통해 파티클(PA)의 성분을 분석할 수도 있다. 성분 분석기가 분석한 파티클(PA)의 성분에 대한 정보를 바탕으로, 파티클(PA)의 발생 소스를 파악할 수 있다. 즉, 펠리클 세정 방법(S, 도 4 참고)는 파티클의 발생 위치를 파악하는 것을 더 포함할 수 있다. 파티클(PA)의 발생 위치를 파악하면, 공정 및/또는 장비를 개선해 파티클(PA)의 발생을 줄일 수 있다. 이에 따라 펠리클(PE)의 오염을 줄일 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 펠리클로부터 파티클을 타게팅하여 제거할 수 있다. 따라서 일정 크기 이상으로 노광 공정에 방해가 되는 파티클을 펠리클로부터 제거하여, 공정의 정확성을 높여 수율을 향상시킬 수 있다. 또한 오염된 펠리클을 세정하여 다시 사용할 수 있으므로, 펠리클의 수명을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 압력 제어 장치 등을 이용해 펠리클의 진동을 제어할 수 있다. 따라서 미세한 파티클을 픽업하는 과정에서, 펠리클의 진공에 의해 펠리클이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이하에서, 도 1 내지 도 12를 참고하여 설명한 것과 실질적으로 동일 또는 유사한 내용에 대한 것은 편의 상 설명을 생략하도록 한다.
도 13은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법을 나타낸 순서도이다.
도 13을 참고하면, 펠리클 세정 방법(S')이 제공될 수 있다. 펠리클 세정 방법(S')은, 도 1 내지 도 3을 참고하여 설명한 펠리클 세정 장치(A, 도 1 참고)를 이용해 펠리클 상의 파티클을 제거하는 방법을 의미할 수 있다.
펠리클 세정 방법(S')은 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것(S1'), 펠리클의 진동을 제어하는 것(S2'), 펠리클의 일면 상의 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것(S3'), 파티클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것(S4'), 파티클 제거 장치를 펠리클 상에서 이동시키는 것(S5'), 파티클을 파티클 제거 장치에 결합시키는 것(S6'), 파티클 제거 장치를 펠리클로부터 제거하는 것(S7') 및 파티클이 펠리클로부터 제거되었는지 확인하는 것(S8')을 포함할 수 있다.
이하에서, 도 14 내지 도 18을 참고하여 도 13의 펠리클 세정 방법(S')을 순차적으로 서술하도록 한다.
도 14 내지 도 18은 도 13의 순서도에 따른 펠리클 세정 방법을 순차적으로 나타낸 도면들이다.
도 14, 도 15 및 도 13을 참고하면, 파티클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것(S4')은 파티클 제거 장치(1)가 펠리클(PE)의 일면(PEa) 상에 배치되는 것을 포함할 수 있다. 점착 물질(13)이 파티클(PA)의 상측의 높이와 근접한 높이에 배치되도록 파티클 제거 장치(1)가 배치될 수 있다.
도 16을 참고하면, 파티클 제거 장치를 펠리클 상에서 이동시키는 것(S5')은 파티클 제거 장치(1)가 파티클(PA) 부근에서 수평 방향으로 이동하는 것을 포함할 수 있다. 이 과정에서 파티클 제거 장치(1)는 상하로 이동하지 않을 수 있다. 점착 물질(13)이 파티클(PA)과 인력에 의한 상호작용을 할 수 있을 정도의 높이에 위치할 상태로, 파티클 제거 장치(1)는 수평 방향으로 이동할 수 있다.
도 17 및 도 18을 참고하면, 파티클을 파티클 제거 장치에 결합시키는 것(S6')은 파티클(PA)이 점착 물질(13)에 점착되는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파티클 제거 장치(1)가 수평 방향으로 이동하며 파티클(PA)의 상측을 지나는 와중에, 파티클(PA)이 점착 물질(13)에 점착될 수 있다. 파티클(PA)과 점착 물질(13)의 점착은, 상호 간의 인력에 의해 이루어질 수 있다. 예를 들어, 파티클(PA)과 점착 물질(13)이 서로 약간 이격된 상태에서, 상호 간의 인력에 의해 파티클(PA)이 펠리클(PE)의 일면(PEa)으로부터 떨어져 점착 물질(13)에 결합될 수 있다. 혹은, 점착 물질(13)의 하부의 높이가 파티클(PA)의 상부의 높이보다 낮아, 수평적으로 양자가 중첩된 상태에서, 수평 방향으로 이동하는 점착 물질(13)이 파티클(PA)에 접하여 양자가 결합될 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 파티클 제거 장치를 수평 방향으로 이동시켜가며 파티클을 제거할 수 있다. 즉, 점착 물질이 파티클을 아래로 가압하지 아니할 수 있다. 파티클을 아래로 가압하지 않고 파티클을 제거할 수 있으므로, 펠리클에 힘이 가해지는 것을 방지할 수 있다. 따라서 펠리클의 손상을 최소화할 수 있다. 또한, 파티클의 제거 전에, 파티클의 정확한 위치를 파악하지 않더라도, 파티클의 제거가 가능할 수 있다.
도 19는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 19를 참고하면, 펠리클 세정 장치(Ab)가 제공될 수 있다. 펠리클 세정 장치(Ab)는 스테이지(3b)를 포함할 수 있다. 스테이지(3b) 상에 펠리클(PE)이 배치될 수 있다. 펠리클(PE)은 펠리클 프레임(PF)에 의해 마스크(M) 상에 지지된 상태로 스테이지(3b) 상에 배치될 수 있다. 마스크는 노광 공정에 사용되는 포토 마스크를 의미할 수 있다. 마스크(M) 상에 미세 패턴(PT)이 제공될 수 있다. 펠리클(PE)은 마스크 프레임(MF)에 의해 마스크(M) 상에 결합될 수 있다. 마스크 프레임(MF)은 프레임 측면공(MFh)을 제공할 수 있다. 프레임 측면공(MFh)에 압력 제어 장치(PC, 도 1 참고)가 연결될 수 있다. 프레임 측면공(MFh)을 통해, 압력 제어 장치(PC)가 펠리클(PE)의 진동을 제어할 수 있다. 이 경우 스테이지(3b)는 도 2에 도시된 것과는 달리 압력 전달공을 제공하지 아니할 수도 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 마스크에 펠리클이 결합된 상태로 펠리클에 대한 세정 공정을 진행할 수 있다. 이 경우 펠리클을 마스크로부터 분리할 필요가 없어, 세정 공정이 신속하게 진행될 수 있다. 또한 스테이지에는 압력 전달공이 요구되지 아니하여, 스테이지가 간소화될 수 있다.
도 20은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 20을 참고하면, 펠리클(PE)의 진동이 다양하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 펠리클(PE)의 일면(PEa)이 위로 볼록하게 올라가도록 제어될 수 있다. 이를 위해 압력 제어 장치(PC, 도 1 참고)는 내부 기류(IAc)가 외부 기류(OAc)보다 강하게 되도록 제어할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 펠리클이 위로 볼록하게 올라오도록 제어될 수 있다. 이 경우 외부 기류에 난류 등의 예상치 못한 움직임이 있더라도, 펠리클의 진동을 억제할 수 있다.
도 21은 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 방법의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 21을 참고하면, 펠리클(PE)의 진동이 다양하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 펠리클(PE)의 일면(PEa)이 아래로 오목하게 내려가도록 제어될 수 있다. 이를 위해 압력 제어 장치(PC, 도 1 참고)는 내부 기류(IAd)가 외부 기류(OAd)보다 약하게 되도록 제어할 수 있다.
도 22는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이고, 도 23은 도 22의 Y 영역을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 22 및 도 23을 참고하면, 펠리클 세정 장치(Ae)가 제공될 수 있다. 펠리클 세정 장치(Ae)는 스테이지(3), 촬상 장치(5) 및 파티클 제거 장치(1e)를 포함할 수 있다. 파티클 제거 장치(1e)는 지지 부재(11e)를 포함할 수 있다. 즉, 도 2를 참고하여 설명한 것과는 달리, 팁이 제공되지 않을 수 있다. 점착 물질(13e)은 지지 부재(11e)의 하면 상에 위치할 수 있다. 점착면(11eb)은 지지 부재(11e)의 하면에 제공될 수 있다. 이 경우 지지 부재(11e)는 수평 방향과 일정한 각도를 형성하도록 기울어져 있을 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 별도의 팁 없이 지지 부재에 점착 물질이 결합될 수 있다. 따라서 파티클 제거 장치의 구조가 간소화될 수 있다.
도 24는 본 발명의 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치를 나타낸 단면도이다.
도 24를 참고하면, 펠리클 세정 장치(Af)가 제공될 수 있다. 펠리클 세정 장치(Af)는 스테이지(3f), 파티클 제거 장치(1f) 및 촬상 장치(5f)를 포함할 수 있다. 그러나 도 1에 도시된 것과는 달리 스테이지(3f)에 결합된 펠리클(PE)은 아래를 향할 수 있다. 파티클 제거 장치(1f) 및 촬상 장치(5f)는 스테이지(3f)의 아래에 위치할 수 있다. 파티클 제거 장치(1f)는 스테이지(3f)의 아래에서, 펠리클(PE)의 일면(PEa) 상의 파티클을 제거할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시 예들에 따른 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법에 의하면, 펠리클 상의 파티클이 아래를 향한 상태로, 파티클 제거 작업을 수행할 수 있다. 파티클은 중력에 의해 아래로 힘을 받을 수 있다. 따라서 파티클 제거 장치에 의한 파티클 제거 작업이 용이하게 수행될 수 있다. 또한, 펠리클로부터 제거된 파티클이, 중력에 의해 떨어져 다시 펠리클에 달라 붙는 것을 방지할 수 있다. 즉, 펠리클에 대한 역오염을 방지할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
A: 펠리클 세정 장치
1: 파티클 제거 장치
11: 캔틸레버 부재
111: 지지 부재
113: 팁
11b: 점착면
13: 점착 물질
3: 스테이지
3h: 압력 전달공
5: 촬상 장치
C: 제어부
CM: 제거 장치 구동부
PC: 압력 제어 장치
PE: 펠리클
PF: 펠리클 프레임
PFh: 프레임 공간

Claims (20)

  1. 펠리클의 일면 상에 위치한 파티클을 상기 펠리클의 상기 일면으로부터 제거하는 파티클 제거 장치; 및
    상기 펠리클의 타면 상에 위치하는 유체의 압력을 제어하는 압력 제어 장치; 를 포함하되,
    상기 파티클 제거 장치는:
    캔틸레버 부재; 및
    상기 캔틸레버 부재의 하면의 일측에 위치하는 점착 물질; 을 포함하는 펠리클 세정 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 펠리클을 지지하는 스테이지를 더 포함하는 펠리클 세정 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 스테이지는, 상기 펠리클을 상기 스테이지에 연결하는 펠리클 프레임의 안에 제공되는 프레임 공간과 연결되는 압력 전달공을 제공하되,
    상기 펠리클의 상기 타면은 상기 프레임 공간에 노출되며,
    상기 압력 제어 장치는 상기 압력 전달공에 연결되는 펠리클 세정 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 캔틸레버 부재는:
    지지 부재; 및
    상기 지지 부재로부터 아래로 연장되는 팁; 을 포함하되,
    상기 점착 물질은 상기 팁의 하면 상에 위치하는 펠리클 세정 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 팁의 상기 하면은 상기 지지 부재를 향해 일정 깊이 함입된 점착면을 포함하고,
    상기 점착 물질은 상기 점착면 상에 위치하는 펠리클 세정 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 펠리클의 상기 일면을 촬영하는 촬상 장치를 더 포함하는 펠리클 세정 장치.
  7. 펠리클의 일면 상의 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것;
    상기 파티클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것;
    상기 파티클 상에 배치된 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클의 상기 일면을 향해 이동시키는 것;
    상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것; 및
    상기 파티클이 결합된 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클로부터 제거하는 것; 을 포함하되,
    상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것은, 상기 파티클이 상기 파티클 제거 장치의 점착 물질에 점착되는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것은, 상기 파티클 제거 장치가 상기 펠리클의 상기 일면을 향해 이동하여 상기 점착 물질이 상기 파티클을 가압하는 것을 더 포함하는 펠리클 세정 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 점착 물질이 상기 파티클을 가압했는지 여부를 확인하는 것을 더 포함하는 펠리클 세정 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 펠리클의 진동을 제어하는 것을 더 포함하는 펠리클 세정 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 펠리클의 진동을 제어하는 것은, 상기 펠리클의 타면 상에 위치하는 유체의 압력을 제어하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 펠리클의 상기 타면 상에 위치하는 상기 유체의 압력을 제어하는 것은, 상기 펠리클의 상기 일면이 아래로 오목하게 내려가도록 압력 제어 장치를 이용해 상기 유체의 압력을 제어하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것은:
    촬상 장치로 상기 펠리클의 상기 일면을 촬영하여 상기 펠리클의 상기 일면에 대한 이미지 정보를 획득하는 것; 및
    상기 이미지 정보로부터 상기 파티클의 위치에 대한 정보를 획득하는 것; 을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 파티클이 상기 펠리클로부터 제거되었는지 확인하는 것을 더 포함하는 펠리클 세정 방법.
  15. 스테이지 상에 펠리클을 로딩하는 것;
    상기 펠리클 상에 파티클 제거 장치를 배치하는 것;
    상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클 상에서 이동시키는 것;
    상기 펠리클의 일면 상의 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것; 및
    상기 파티클이 결합된 상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클로부터 제거하는 것; 을 포함하되,
    상기 파티클을 상기 파티클 제거 장치에 결합시키는 것은, 상기 파티클이 상기 파티클 제거 장치의 점착 물질에 점착되는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 파티클 제거 장치를 상기 펠리클 상에서 이동시키는 것은, 상기 파티클 제거 장치가 상기 펠리클 상에서 수평 방향으로 이동하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 파티클이 상기 파티클 제거 장치의 상기 점착 물질에 점착되는 것은, 수평 방향으로 이동하는 상기 파티클 제거 장치의 상기 점착 물질에 상기 파티클이 점착되는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 펠리클의 진동을 제어하는 것을 더 포함하되,
    상기 펠리클의 진동을 제어하는 것은, 상기 펠리클의 타면 상에 위치하는 유체의 압력을 제어하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 펠리클의 상기 타면 상에 위치하는 상기 유체의 압력을 제어하는 것은, 상기 펠리클이 평평하게 펴지도록 압력 제어 장치를 이용해 상기 유체의 압력을 제어하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 펠리클의 상기 타면 상에 위치하는 상기 유체의 압력을 제어하는 것은, 상기 펠리클의 상기 일면이 위로 볼록하게 올라가도록 압력 제어 장치를 이용해 상기 유체의 압력을 제어하는 것을 포함하는 펠리클 세정 방법.
KR1020210185830A 2021-12-23 2021-12-23 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법 KR20230097245A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210185830A KR20230097245A (ko) 2021-12-23 2021-12-23 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법
US17/889,472 US12032281B2 (en) 2021-12-23 2022-08-17 Pellicle cleaning apparatus and pellicle cleaning method using the same
CN202211663432.1A CN116329193A (zh) 2021-12-23 2022-12-23 保护膜清洁装置和使用其的保护膜清洁方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210185830A KR20230097245A (ko) 2021-12-23 2021-12-23 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230097245A true KR20230097245A (ko) 2023-07-03

Family

ID=86879674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210185830A KR20230097245A (ko) 2021-12-23 2021-12-23 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20230097245A (ko)
CN (1) CN116329193A (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116329193A (zh) 2023-06-27
US20230205078A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7231475B2 (ja) インプリントリソグラフィ
EP3221747B1 (en) Mask assembly
US7998528B2 (en) Method for direct fabrication of nanostructures
KR102011192B1 (ko) 포토리소그래픽 마스크 또는 웨이퍼 결함 분석 장치 및 방법
TWI458561B (zh) 用於輸送可聚合材料至基板之壓印微影術裝置
JP5320058B2 (ja) 樹脂被覆方法および樹脂被覆装置
US20140001675A1 (en) Nanoimprinting method and nanoimprinting apparatus for executing the nanoimprinting method
EP2458629B1 (en) Substrate processing system, substrate holder, substrate holder pair, substrate joining apparatus and device manufacturing method
TWI538797B (zh) 奈米壓印方法、用於執行該奈米壓印方法的奈米壓印裝置、以及圖案化基底的製造方法
TW201332747A (zh) 奈米壓印設備及奈米壓印方法、以及變形賦予裝置及變形賦予方法
KR20230097245A (ko) 펠리클 세정 장치 및 이를 이용한 펠리클 세정 방법
JP2001188035A (ja) 走査型プローブ顕微鏡
Shafqat et al. Cool, dry, nano-scale DIC patterning of delicate, heterogeneous, non-planar specimens by micro-mist nebulization
US12032281B2 (en) Pellicle cleaning apparatus and pellicle cleaning method using the same
US20230335428A1 (en) Chuck assembly, planarization process, apparatus and method of manufacturing an article
KR102030888B1 (ko) 액체 토출 장치, 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
TWI787181B (zh) 從高深寬比結構移除碎片
KR20180098626A (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP6370539B2 (ja) パターン形成装置およびそれを用いたパターン形成方法
JP6245080B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡を用いた異物除去方法
TWI845860B (zh) 卡盤組件、平坦化製程、裝置及製造物品的方法
Pannier et al. Electrohydrodynamic jet printing: A 3d printing technique for sensor fabrication
US11587795B2 (en) Planarization apparatus including superstrate chuck with bendable periphery
Jääskeläinen et al. Environmental effects on droplet self-alignment assisted hybrid microassembly
JP6328460B2 (ja) 走査型プローブ顕微鏡