KR101419527B1 - 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.

Description

수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법{Horizontal Type Solar cell and Method for Manufacturing the Same}
본 발명은 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Si 기판에 다양한 화합물반도체를 증착, 성장하여 저가 및 고효율의 태양전지를 구현하려는 방법이 시도되고 있다. 그러나 실리콘 기판과 성장되는 화합물 반도체의 격자 상수차이로 인해 실리콘 기판 표면 위에 형성되는 버퍼층의 격자 불일치 전위(misfit dislocation) 결함 생성을 피할 수 없고, 결함 부분에서 캐리어 수명 감소가 일어난다.
기판과 성장 물질의 격자 상수 차이에 의한 misfit dislocation은 임계 (critical thickness)두께 이상에서 발생한다. 대표적인 Si, GaAs의 경우 4%의 격자 상수 차이를 보이며 임계 두께 이상의 두께를 갖는 소자 제작을 위해 misfit dislocation은 피할 수 없다. misfit dislocation은 기판 바로 위층에 밀도가 높으며 이런 영역을 포함하는 태양전지 셀은 결함에 의한 캐리어 수명이 낮아지기 때문에 효율이 감소하는 문제가 있다.
도 1은 일반적인 격자 부정합에 의한 misfit dislocation이 존재하는 소자의 구조와 단면 사진이다. 액티브 층에 misfit dislocation을 포함할 경우 소수 캐리어의 수명이 짧아지므로 이에 영향을 많이 받는 반도체 소자의 성능도 떨어진다.
특히, 도 2에 도시된 화합물 반도체 태양전지의 경우 p-type Si 기판에 Ge을 포함하는 물질을 버퍼로 사용할 경우 Auto doped n-Ge 층이 형성될 수 있으므로, misfit dislocation 층에서 흡수되는 광이 전류로 변환되어 전류 매칭에 악영향을 줄 수 있고 또한 심각한 개방회로 전압의 감소도 수반될 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 본 발명에서는 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 캐리어 수명이 짧은 misfit dislocation 영역에 캐리어 전송이 일어나지 않도록 다수 캐리어를 저지하는 와이드 밴드갭(wide bandgap) 층을 misfit dislocation이 일어나는 층 위에 형성하고, 저항이 낮고 두꺼운 오믹 층을 성장하고, 두꺼운 오믹 층을 전하 전송 층으로 활용하여 캐리어 수명 감소 영향을 제거할 수 있도록 하는 태양전지 및 그 제조방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어진 수평형 전극구조 태양전지가 제공된다.
상기 기판은 4족 원소, 3-5족 원소, 2-6족 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 기판은 4족 원소로 이루어지고, 상기 기판 위에 4족 원소를 성장하여 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 상기 박막을 형성하고, 상기 와이드 밴드갭 층은 2종 이상의 화합물이 성장되어 이루어질 수 있다.
상기 소자층은 단일접합 또는 다중접합으로 이루어질 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 소자층 상부에 터널 다이오드가 형성되고, 상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층이 형성되어 이중접합을 이룰 수 있다.
여기서, 상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고, 상기 기판 상부에 Ge를 포함하는 물질로 이루어진 박막을 성장시키고, 상기 박막 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 와이드 밴드갭 층을 성장시키고, 상기 와이드 밴드캡 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 오믹 층을 성장시키고, 상기 오믹 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 소자층을 성장시키고, 상기 소자층의 상부에 터널 다이오드를 성장시키고, 상기 터널 다이오드 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 제2 소자층을 성장시키고, 상기 제2 소자층 상부에 GaAs 계열을 물질로 이루어진 층을 성장시켜 이중 접합될 수 있는 것이다.
또한, 상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성되는 방식으로, 상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이룰 수 있다.
여기서, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어진다.
또한, 본 발명의 제2 전극은, 대향되는 위치에 일정 간격 이격된 상태에서 수평으로 배열되는 상하부 제1 라인 패턴과, 일측단부가 상기 상하부 제1 라인 패턴에 선택적으로 결합되도록 배열되는 제2 라인 패턴들로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 복수의 제2 라인 패턴들의 일측단부가, 순차적으로 상부 제1 라인 패턴과 하부 제1 라인 패턴에 서로 엇갈리게 결합되어 제2 전극을 이룰 수 있다.
한편, 중심에 위치한 제2 라인 패턴의 일측단부가 하부 제1 라인 패턴에 결합되고, 또다른 제2 라인패턴들이 상기 제2 라인 패턴을 중심으로 양측에 배열되되 일측단부가 상부 제1 라인 패턴에 결합되어 제2 전극을 이룰 수 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지 제조방법은 기판 상에 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막을 형성하는 단계와, 상기 박막 상부에 와이드 밴드갭 층을 형성하는 단계와, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 오믹 층을 형성하는 단계와, 상기 오믹 층 상부에 소자층을 형성하는 단계와, 상기 소자층 상부에 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 오믹 층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 소자층 상부에 터널 다이오드를 형성하는 단계와, 상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이중접합을 이룰 수 있다.
또한, 상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드를 형성하는 단계와, 상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이룰 수 있다.
이상에서와 같이 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 따르면, 캐리어 수명이 짧은 misfit dislocation 영역에 캐리어 전송이 일어나지 않도록 와이드 밴드갭(wide bandgap) 층과 두꺼운 오믹 층을 성장하고, 두꺼운 오믹 층을 전하 전송 층으로 활용하여 캐리어 수명 감소 영향을 제거할 수 있다.
따라서, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.
도 1은 active 층에 misfit dislocation을 포함하는 수평형 소자 모식도(좌) 및 SiGe을 이용한 버퍼의 misfit dislocation TEM 사진(우)이다.
도 2는 화합물 반도체 태양전지를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 misfit dislocation 에 의한 영향을 최소화하는 수평형 전극구조 태양전지 모식도이다.
도 4는 본 발명이 적용된 단일 접합 태양전지의 구조도이다.
도 5는 본 발명이 적용된 이중 접합 태양전지의 구조도이다.
도 6은 본 발명이 적용된 삼중 접합 태양전지의 구조도이다.
도 7은 실리콘 기판에 GaAs 근처 격자상수의 물질 성장 후 다시 InP 근처 격자 상수 물질을 성장한 소자를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명에 따른 이중 접합 태양전지의 예를 나타낸 구조도이다.
도 9는 종래 기술에 따른 제2 전극을 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 제2 전극의 제1 실시예를 도시한 도면이다.
도 11은 본 발명에 따른 제2 전극의 제2 실시예를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다.
도 3은 본 발명에 따른 misfit dislocation 에 의한 영향을 최소화하는 수평형 소자 모식도이고, 도 4는 본 발명이 적용된 단일 접합 태양전지의 구조도이고, 도 5는 본 발명이 적용된 이중 접합 태양전지의 구조도이고, 도 6은 본 발명이 적용된 삼중 접합 태양전지의 구조도이고, 도 7은 실리콘 기판에 GaAs 근처 격자상수의 물질 성장 후 다시 InP 근처 격자 상수 물질을 성장한 소자를 도시한 도면이고, 도 8은 본 발명에 따른 이중 접합 태양전지 실시예이고, 도 9는 종래 기술에 따른 제2 전극을 도시한 도면이고, 도 10은 본 발명에 따른 제2 전극의 제1 실시예를 도시한 도면이며, 도 11은 본 발명에 따른 제2 전극의 제2 실시예를 도시한 도면이다.
본 발명의 수평형 태양 전지는 캐리어 수명이 짧은 misfit dislocation 층에 캐리어 전송이 일어나지 않도록 다수 캐리어를 저지하는 와이드 밴드갭(wide bandgap) 층을 misfit dislocatin 이 일어나는 층 상부에 형성시키고, 저항이 낮고 두꺼운 오믹 층을 성장시킨 후, 그 상부에 단일 또는 다중 접합 태양전지를 성장하는 구조에서 제2 전극을 두꺼운 오믹 층 상부에 형성시키는데 특징이 있다.
도 3은 본 발명에 따른 misfit dislocation 에 의한 영향을 최소화하는 수평형 소자 모식도이며, 도 4는 단일 접합 태양전지 구조를 도시한 도면으로서, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지(100)는 기판(110), 박막(130), 와이드 밴드갭 층(140), 오믹 층(150), 소자층(160), 제1 전극(170) 및 제2 전극(180)으로 이루어진다.
상기 기판(110)은 4족 원소, 3-5족 원소 및 2족~6족 원소를 포함한 화합물로 이루어진 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어질 수 있다. 예를 들면 상기 기판(110)은 Si, GaAs, 사파이어 및 유리로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종으로 이루어질 수 있다.
상기 기판(110) 상부에는 misfit dislocation(120)을 포함하는 박막(130)이 형성된다. 즉, misfit dislocation(120)은 상기 기판(110)과 성장 물질의 격자 상수 차이에 의해 발생하며, 상기 기판(110)이 Si 기판으로 이루어지는 경우, 상기 박막(130)은 Ge을 포함하는 물질로 이루어지거나, 또는 3(Ⅲ)족-5(V)족 원소들 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질 또는 그 물질들의 조합으로 이루어질 수 있다. 즉 Si 기판(110) 상부에 Ge 층 또는 SiGe 층을 성장시키게 되면 자동으로 성장되면서 misfit dislocation 층(120)이 형성된다.
또한, 상기 박막(130) 상부에는 와이드 밴드갭 층(140)이 형성되고, 상기 와이드 밴드갭 층(140) 상부에는 두꺼운 오믹 층(150)이 형성된다.
상기와 같이 형성된 misfit dislocation 층(120)은 소자층(160)의 지지대(기판) 역할을 수행할 뿐이고, 와이드 밴드갭 층(140)의 물질이 misfit dislocation 층(120)으로 캐리어가 진행하는 것을 막고, 오믹 층(150) 상부에 형성된 제2 전극(180)이 낮은(높은) 전위를 유지하여 전자를 공급(수집)한다.
따라서, 캐리어의 움직임에 misfit dislocation 층(120)은 영향을 미지치 않으므로, misfit dislocation 층(120)에 의한 소자의 성능을 감소시키는 원인을 제거할 수 있도록 한다.
그리고 상기 소자층(160)은 도 4 내지 도 6에서 보는 바와 같이, 단일접합 또는 다중접합으로 이루어질 수 있다.
적층형 태양전지의 경우 각각의 파장 대역에 적합한 태양전지를 흡수 에너지 대역이 높은 순서로 수직 배치되도록 하고 있으며, 이때 터널 다이오드 층을 도 5 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 서로 다른 흡수 대역을 가지는 태양전지들 사이에 삽입시킴으로써, 한 번의 박막 증착 공정만으로 다중 접합 태양전지 제작을 가능하도록 한다.
이중 접합된 태양전지는 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 소자층 상부에 터널 다이오드가 형성되고, 상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층이 형성되어 이중접합을 이룰 수 있다.
여기서, 상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고, 상기 기판 상부에 Ge를 포함하는 물질로 이루어진 박막을 성장시키고, 상기 박막 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 와이드 밴드갭 층을 성장시키고, 상기 와이드 밴드캡 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 오믹 층을 성장시키고, 상기 오믹 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 소자층을 성장시키고, 상기 소자층의 상부에 터널 다이오드를 성장시키고, 상기 터널 다이오드 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 제2 소자층을 성장시키고, 상기 제2 소자층 상부에 GaAs 계열을 물질로 이루어진 층을 성장시켜 이중 접합될 수 있는 것이다.
또한, 상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성되는 방식으로, 상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이룰 수 있다. 여기서, n은 2 이상의 정수로 이루어지며, 상기 단일 접합 또는 다중 접합은 GaAs 계열로 이루어진다.
한편, 상기 제2 전극(180)은 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이 대향되는 위치에 일정 간격 이격된 상태에서 수평으로 배열되는 상하부 제1 라인 패턴(181)(182)과, 일측단부가 상기 상하부 제1 라인 패턴(181)(182)에 선택적으로 결합되도록 배열되는 제2 라인 패턴들(183)(184)로 이루어진다.
제2 전극(180)의 배열 구조에 대해서 좀 더 상세히 기술하면 2가지 실시예가 있는데 제1 실시예는 도 10에 도시된 바와 같이 상기 복수의 제2 라인 패턴(183)(184)들의 일측단부가 순차적으로 상부 제1 라인 패턴(181)과 하부 제1 라인 패턴(182)에 서로 엇갈리게 결합되어 제2 전극(180)을 이룬다.
또한, 제2 실시예는 도 11에 도시된 바와 같이 중심에 위치한 제2 라인 패턴(184)의 일측단부가 하부 제1 라인 패턴(182)에 결합되고, 또다른 제2 라인패턴(183)들이 상기 제2 라인 패턴(184)을 중심으로 양측에 배열되되 일측단부가 상부 제1 라인 패턴(181)에 결합되어 제2 전극(180)을 이룬다.
한편, 제2 전극(180)은 도 9에 도시된 바와 같이 오믹(Ohmic)층(150)에서 전하의 흐름은 수평방향이므로 25mm2 정사각형 셀에서 일반적인 마스크라면 셀의 한 변의 길이 1/2, 약 2500um와 mesa edge(녹색)에서 전극까지 약 2um(align margin) 정도를 지나면서 오믹 손실이 발생한다. 그러므로 도 10 및 도 11과 같이 직렬 저항을 줄이기 위한 식각 마스크를 사용하여 제2 전극(180)의 구조를 변경시켜 줌으로써 그 손실을 최소화 할 수 있다.
즉, 도 12에 도시된 바와 같이 금속패턴인 전극(180)을 형성시키기 위해 소자층(10) 상부에 감광막(PR)을 증착시킨 후 오믹 층(150) 상부와 상기 감광막(PR) 상부의 전체 영역에 그리드 금속을 증착시킨 후 감광막을 lateral etching 공정을 통해 제거함으로써 상기 오믹층(150) 상부에 제2 전극(180)을 형성시킨다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 기술하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형 또는, 변경하여 실시할 수 있을 것이지만, 이는 첨부된 청구항에서 포함되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
100 : 태양전지
110 : 기판
120 : misfit dislocation 층
130 : 박막
140 : 와이드 밴드갭 층
150 : 오믹층
160 : 소자층
170 : 제1 전극
180 : 제2 전극

Claims (16)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막;
    상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층;
    상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층;
    상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층;
    상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극; 및
    상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극;
    을 포함하여 이루어진 수평형 전극구조 태양전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 4족 원소, 3-5족 원소, 2-6족 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은 4족 원소로 이루어지고,
    상기 기판 위에 4족 원소를 성장하여 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 소자층은 단일접합 또는 다중접합으로 이루어진 수평형 전극구조 태양전지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 소자층 상부에 터널 다이오드가 형성되고,
    상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층이 형성되어 이중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고,
    상기 기판 상부에 Ge를 포함하는 물질로 이루어진 박막을 성장시키고,
    상기 박막 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 와이드 밴드갭 층을 성장시키고,
    상기 와이드 밴드캡 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 오믹 층을 성장시키고,
    상기 오믹 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 소자층을 성장시키고,
    상기 소자층의 상부에 터널 다이오드를 성장시키고,
    상기 터널 다이오드 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 제2 소자층을 성장시키고,
    상기 제2 소자층 상부에 GaAs 계열을 물질로 이루어진 층을 성장시켜 이중 접합된 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고,
    상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성되는 방식으로,
    상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이루며,
    상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 전극이, 대향되는 위치에 일정 간격 이격된 상태에서 수평으로 배열되는 상하부 제1 라인 패턴과, 일측단부가 상기 상하부 제1 라인 패턴에 선택적으로 결합되도록 배열되는 제2 라인 패턴들로 이루어진 수평형 전극구조 태양전지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 복수의 제2 라인 패턴들의 일측단부가, 순차적으로 상부 제1 라인 패턴과 하부 제1 라인 패턴에 서로 엇갈리게 결합되어 제2 전극을 이루는 수평형 전극구조 태양전지.
  10. 청구항 8에 있어서,
    중심에 위치한 제2 라인 패턴의 일측단부가 하부 제1 라인 패턴에 결합되고, 또다른 제2 라인패턴들이 상기 제2 라인 패턴을 중심으로 양측에 배열되되 일측단부가 상부 제1 라인 패턴에 결합되어 제2 전극을 이루는 수평형 전극구조 태양전지.
  11. 삭제
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 와이드 밴드갭 층은 2종 이상의 화합물이 성장되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지.
  13. 기판 상에 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막을 형성하는 단계;
    상기 박막 상부에 와이드 밴드갭 층을 형성하는 단계;
    상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 오믹 층을 형성하는 단계;
    상기 오믹 층 상부에 소자층을 형성하는 단계;
    상기 소자층 상부에 제1 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 오믹 층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계;
    를 포함하여 이루어진 수평형 전극구조 태양전지 제조방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 소자층 상부에 터널 다이오드를 형성하는 단계; 및
    상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지 제조방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드를 형성하는 단계;
    상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성하는 단계를 더 포함하며,
    상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이루며,
    상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지 제조방법.
  16. 삭제
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