KR101105250B1 - ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지 - Google Patents

ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지 Download PDF

Info

Publication number
KR101105250B1
KR101105250B1 KR1020100001525A KR20100001525A KR101105250B1 KR 101105250 B1 KR101105250 B1 KR 101105250B1 KR 1020100001525 A KR1020100001525 A KR 1020100001525A KR 20100001525 A KR20100001525 A KR 20100001525A KR 101105250 B1 KR101105250 B1 KR 101105250B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
junction
type semiconductor
type
photoelectric conversion
tunnel diode
Prior art date
Application number
KR1020100001525A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110081385A (ko
Inventor
전동환
박용민
김창주
박상혁
김신근
성호근
강호관
박원규
고철기
Original Assignee
(재)나노소자특화팹센터
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (재)나노소자특화팹센터 filed Critical (재)나노소자특화팹센터
Priority to KR1020100001525A priority Critical patent/KR101105250B1/ko
Publication of KR20110081385A publication Critical patent/KR20110081385A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101105250B1 publication Critical patent/KR101105250B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/044—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes
    • H01L31/0443—PV modules or arrays of single PV cells including bypass diodes comprising bypass diodes integrated or directly associated with the devices, e.g. bypass diodes integrated or formed in or on the same substrate as the photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials

Abstract

본 발명은 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 직렬 저항을 낮출 수 있는 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지는 n형 기판과, n형 기판 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 p-n 터널 다이오드와, p-n 터널 다이오드 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀과, n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 구비한다.

Description

ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지{Solar cell having p-n tunnel diode}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 낮은 직렬저항을 갖도록 p-n 터널 다이오드를 구비한 태양전지에 관한 것이다.
도 1은 종래의 단일 접합 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 단일 접합 태양전지(100)는 p형 기판(110) 상에 광전 변환셀(120), 윈도우층(window layer)(130), 캡층(cap layer)(140) 및 상부 전극(150)이 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다. p형 기판(110)의 하부에는 하부 전극(160)이 형성되어 있다. 그리고 윈도우층(130)의 표면이 노출된 영역 상에는 무반사 코팅층(170)이 형성되어 있다.
p형 기판(110) 상에 광전 변환셀(120)이 형성되므로, 광전 변환셀(120)은 도 1에 도시된 바와 같이, p형 베이스(p-type base)(121)와 n형 에미터(n-type emitter)(122)가 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다. 따라서 n형 반도체가 태양광을 수광하는 층이 되어, 상부 전극(150)을 n형 오믹 접촉 전극(N- 오믹 전극)으로 만들 수 있다. 이와 같이 태양광을 수광하는 층을 n형 반도체가 되도록 하면, 전체 태양전지의 직렬 저항을 최소화시킬 수 있다.
한편, 일반적으로 p형 기판은 n형 기판에 비해 결정 결함이 상대적으로 많다. 예컨대, p형 GaAs 기판의 경우, EPD(etch pit density)가 5000/cm2 정도로, n형 GaAs(약 500/cm2)에 비해 약 10 배 정도 결함이 많다. 광전 변환셀은 일반적으로 에피(epi) 성장을 통해 형성시키므로, p형 기판 상에 광전 변환셀을 에피 성장시키면, n형 기판을 이용하는 경우에 비해 광전 변환셀의 결함이 많아지게 된다.
그러나 태양광을 수광하는 층이 n형 반도체가 되도록 하기 위해서는 p형 기판을 사용하여야 한다. 결국, n형 기판을 이용하면서, n형 반도체 물질로 태양광을 수광하는 층이 형성되도록 하기 위한 새로운 구조의 태양전지가 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용하면서, 낮은 직렬저항을 갖는 태양전지를 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 태양전지는 n형 기판; 상기 n형 기판 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 p-n 터널 다이오드; 상기 p-n 터널 다이오드 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀; 및 상기 n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 상기 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극;을 구비한다.
본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 태양전지에 있어서, 상기 하부 전극과 상부 전극은 n-오믹 접촉 전극일 수 있다. 그리고 상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 윈도우층이 더 형성되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 태양전지에 있어서, 상기 윈도우층과 상기 상부 전극 사이에, 상기 윈도우층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 다중 접합 p-n 터널 다이오드와, 상기 다중 접합 p-n 터널 다이오드 상에 형성되는 다중 접합 BSF(back surface field)층과, 상기 다중 접합 BSF층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 다중 접합 광전 변환셀과, 상기 다중 접합 광전 변환셀 상에 형성되는 다중 접합 윈도우층을 포함하여 이루어진 다중 접합 단위 구조물이 하나 이상 적층되어 있을 수 있다.
본 발명에 따르면, p-n 터널 다이오드가 기판과 광전 변환셀 사이에 형성됨으로써, n형 기판을 이용함에도, 태양광을 수광하는 층을 n형 반도체로 구성할 수 있다. 따라서 p형 기판에 비해 상대적으로 결함이 적은 n형 기판을 이용할 수 있으므로, 물성이 우수한(결함이 적은) 광전 변환셀을 형성할 수 있다. 그리고 상부 전극과 하부 전극을 모두 n-오믹 접촉 전극으로 구성할 수 있어, 직렬 저항을 낮출 수 있다.
도 1은 종래의 단일 접합 태양전지를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 단일 접합 태양전지에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 다중 접합 태양전지에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 p-n 터널 다이오드를 구비한 태양전지의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 단일 접합 태양전지에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 단일 접합 태양전지(200)는 기판(210), p-n 터널 다이오드(220), 광전 변환셀(230), 윈도우층(window layer)(240), 캡층(cap layer)(250), 상부 전극(260), 하부 전극(270) 및 무반사 코팅층(anti-reflection coating layer)(280)을 구비한다.
기판(210)은 n형 GaAs와 같은 n형 반도체로 이루어진다. 후술할 p-n 터널 다이오드(220)를 이용하면, n형 기판(210)을 이용하더라도 태양광을 수광하는 층을 n형 반도체로 만들 수 있게 된다. 따라서 상대적으로 결함이 적은 n형 기판(210)을 이용함에 따라, n형 기판(210) 상에 결함이 적은 박막을 에피 성장시킬 수 있다.
p-n 터널 다이오드(220)는 n형 기판(210) 상에 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, p-n 터널 다이오드(220)는 n형 반도체(221)와 p형 반도체(222)가 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다. 이와 같이 n형 반도체(221)를 하부에 p형 반도체(222)를 상부에 형성시키면, 태양광을 수광하는 층을 n형 반도체로 만들 수 있다. 그리고 터널 다이오드(220)는 수 mΩ 정도의 낮은 저항을 갖도록 형성한다.
광전 변환셀(230)은 p-n 터널 다이오드(230) 상에 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 광전 변환셀(230)은 p형 반도체로 이루어진 p형 베이스(base)(231)와 n형 반도체로 이루어진 n형 에미터(emitter)(232)가 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다. 광전 변환셀(230)은 이러한 p-n 접합을 이용하여 광신호를 전기적 신호로 변환한다. 이와 같이 n형 반도체로 이루어진 n형 에미터(232)가 상부에 형성되면, 태양광을 수광하는 층이 n형 반도체로 이루어지게 되므로, 상부 전극(260)이 n형 오믹 접촉 전극(N-오믹 전극)이 되도록 할 수 있어, 태양전지(200) 전체의 직렬 저항을 최소화할 수 있다.
윈도우층(240)은 광전 변환셀(230) 상에 형성된다. 윈도우층(240)은 태양전지로 입사되는 태양광을 광전 변환셀(230)로 통과시키고 광전 변환셀(230)에서 생성되는 전자 또는 정공과 같은 캐리어에게는 전위 장벽이 되어 캐리어의 이동을 방해하는 역할을 한다. 이를 위해 윈도우층(240)은 밴드갭이 커야 하므로 알루미늄(Al)을 함유하는 화합물 반도체로 형성할 수 있다.
캡층(250)은 윈도우층(240)의 일부 영역에 형성되며, 상부 전극(260)은 캡층(250) 상에 형성된다. 캡층(250)은 윈도우층(240)과 상부 전극(260)의 접촉 저항을 개선하기 위해 형성된다. 상부 전극(260)은 상술한 바와 같이 n형 오믹 접촉 전극이 되도록 형성될 수 있다. 하부 전극(270)은 기판(210)의 하부에 형성되며, 기판(210)이 n형이므로, 하부 전극(270)은 상부 전극(260)과 마찬가지로 n형 오믹 접촉 전극이 되도록 형성될 수 있다.
무반사 코팅층(280)은 윈도우층(240)의 표면이 노출된 영역에 형성된다. 윈도우층(240)이 반사율이 높기 때문에 입사되는 태양광이 반사되지 않고 광전 변환셀(230)에 잘 도달할 수 있도록, 무반사 코팅층(280)이 윈도우층(240) 상에 형성된다.
태양전지(200)가 상술한 바와 같이, p-n 터널 다이오드(220)을 구비하면, n형 기판(210)을 이용하면서도, 광전 변환셀(230)에서 n형 반도체로 이루어진 n형 에미터(232)를 상부에 형성되도록 할 수 있다. 이에 따라, 태양광을 수광하는 층이 n형 반도체로 이루어진 n형 에미터(232)가 되므로, 상부 전극(260)이 n형 오믹 접촉 전극(N-오믹 전극)이 되도록 할 수 있어, 태양전지(200) 전체의 직렬 저항을 최소화할 수 있다. 그리고 하부 전극(270) 역시 n형 기판(210)의 하부에 형성되므로 n형 오믹 접촉 전극이 되도록 할 수 있다. 또한, 상대적으로 결함이 적은 n형 기판(210)을 이용하여 p-n 터널 다이오드(220) 및 광전 변환셀(230)을 성장시킬 수 있으므로, 물성이 우수한(결함이 적은) 광전 변환셀(230)을 성장시킬 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 다중 접합 태양전지에 대한 바람직한 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 다중 접합 태양전지(300)는 기판(310), p-n 터널 다이오드(320), 광전 변환셀(330), 윈도우층(340), 복수의 다중 접합 단위 구조물(385), 캡층(390), 상부 전극(393), 하부 전극(395) 및 무반사 코팅층(397)을 구비한다.
본 실시예에서 기판(310), p-n 터널 다이오드(320), 광전 변환셀(330), 윈도우층(340), 캡층(390), 상부 전극(393), 하부 전극(395) 및 무반사 코팅층(397)은 각각 도 2의 기판(210), p-n 터널 다이오드(220), 광전 변환셀(230), 윈도우층(240), 캡층(250), 상부 전극(260), 하부 전극(270) 및 무반사 코팅층(280)에 대응된다.
본 실시예에서 다중 접합 단위 구조물(385)은 윈도우층(340)과 캡층(390)의 사이에 복수 개 적층될 수 있다. 본 실시예에서 나타내지 않았지만, 다중 접합 단위 구조물(385) 한 개가 윈도우층(340)과 캡층(390)의 사이에 적층되어 있는 경우에는 이중 접합 태양전지라고 할 수 있다. 이와 같이 다중 접합 단위 구조물(385)은 한 개 이상 적층될 수 있으며, 적층되는 다중 접합 단위 구조물(385)의 개수는 필요에 따라 적절히 선택될 수 있다.
하나의 다중 접합 단위 구조물(385)은 도 3에 도시된 바와 같이, 다중 접합 p-n 터널 다이오드(350), 다중 접합 BSF(back surface field)층(360), 다중 접합 광전 변환셀(370) 및 다중 접합 윈도우층(380)이 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다.
다중 접합 p-n 터널 다이오드(350)는 p-n 터널 다이오드(320)와 마찬가지로, 다중 접합 n형 반도체(351)와 다중 접합 p형 반도체(352)가 순차적으로 적층되어 있는 구조를 가진다. 이를 통해 각각의 다중 접합 단위 구조물(385)의 다중 접합 광전 변환셀(370)은 n형 반도체로 이루어진 n형 에미터(372)가 상부에, p형 반도체로 이루어진 p형 베이스(371)이 하부에 형성되는 구조를 가진다. 결과적으로, 태양광이 수광되는 층이 n형 반도체로 이루어지게 되므로, 상부 전극(393)은 n형 오믹 접촉 전극이 될 수 있다. 따라서 태양전지(300)의 전체 직렬 저항을 최소화할 수 있게 된다.
그리고 다중 접합 BSF층(360)은 각각의 다중 접합 p-n 터널 다이오드(350)와 다중 접합 광전 변환셀(370)의 사이에 형성되어, 캐리어가 재결합에 의해 소멸되는 것을 방지한다. 다중 접합 윈도우층(380)은 각각의 광전 변환셀(370) 상에 형성되어 각각의 다중 접합 단위 구조물(385)로 입사되는 태양광을 다중 접합 광전 변환셀(370)로 통과시키고 생성된 캐리어에게 전위 장벽이 되어 캐리어의 이동을 방해하는 역할을 한다.
이와 같이, 다중 접합 태양전지(300)는 각각의 다중 접합 단위 구조물(385)에 p-n 접합 다이오드(350)가 형성되어 있어, 태양광을 수광하는 층이 n형 반도체 물질로 이루어져 직렬 저항을 최소화할 수 있다. 그리고 이러한 태양전지는 n형 기판(310)이 이용될 수 있어, 기판(310) 상에 성장된 박막의 물성이 우수하게(결함이 적게) 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (4)

  1. 삭제
  2. n형 기판;
    상기 n형 기판 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 p-n 터널 다이오드;
    상기 p-n 터널 다이오드 상에 형성되며, n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전 변환셀; 및
    상기 n형 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 상기 광전 변환셀 상에 형성되는 상부 전극;을 포함하고,
    상기 하부 전극과 상부 전극은 n-오믹 접촉 전극인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부 전극과 하부 전극 사이에 윈도우층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 윈도우층과 상기 상부 전극 사이에,
    상기 윈도우층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 p-n 접합을 형성하는 다중 접합 p-n 터널 다이오드와,
    상기 다중 접합 p-n 터널 다이오드 상에 형성되는 다중 접합 BSF(back surface field)층과,
    상기 다중 접합 BSF층 상에 형성되며 n형 반도체와 p형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 다중 접합 광전 변환셀과,
    상기 다중 접합 광전 변환셀 상에 형성되는 다중 접합 윈도우층을 포함하여 이루어진 다중 접합 단위 구조물이 하나 이상 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 태양전지.
KR1020100001525A 2010-01-08 2010-01-08 ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지 KR101105250B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100001525A KR101105250B1 (ko) 2010-01-08 2010-01-08 ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100001525A KR101105250B1 (ko) 2010-01-08 2010-01-08 ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110081385A KR20110081385A (ko) 2011-07-14
KR101105250B1 true KR101105250B1 (ko) 2012-01-17

Family

ID=44919894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100001525A KR101105250B1 (ko) 2010-01-08 2010-01-08 ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101105250B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419527B1 (ko) 2012-05-30 2014-07-15 (재)한국나노기술원 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법
US9425329B2 (en) 2013-05-21 2016-08-23 Daegu Gyeongbuk Institute Of Science & Technology Rectifying device and method for manufacturing the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101429478B1 (ko) * 2013-10-11 2014-08-14 (재)한국나노기술원 도핑보상층이 형성된 태양전지의 제조방법 및 이에 의한 태양전지

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274532A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toyota Motor Corp 太陽電池
JP2001177120A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Toyota Motor Corp 太陽電池
JP2002368238A (ja) 2001-06-07 2002-12-20 Toyota Motor Corp タンデム型太陽電池およびその製造方法
KR20090121274A (ko) * 2006-12-11 2009-11-25 루멘즈, 인크 산화아연 다중 접합 광전지 및 광전자 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11274532A (ja) * 1998-03-19 1999-10-08 Toyota Motor Corp 太陽電池
JP2001177120A (ja) 1999-12-16 2001-06-29 Toyota Motor Corp 太陽電池
JP2002368238A (ja) 2001-06-07 2002-12-20 Toyota Motor Corp タンデム型太陽電池およびその製造方法
KR20090121274A (ko) * 2006-12-11 2009-11-25 루멘즈, 인크 산화아연 다중 접합 광전지 및 광전자 소자

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101419527B1 (ko) 2012-05-30 2014-07-15 (재)한국나노기술원 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법
US9425329B2 (en) 2013-05-21 2016-08-23 Daegu Gyeongbuk Institute Of Science & Technology Rectifying device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110081385A (ko) 2011-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9293615B2 (en) Low-bandgap, monolithic, multi-bandgap, optoelectronic devices
US8872020B2 (en) Heterojunction solar cell based on epitaxial crystalline-silicon thin film on metallurgical silicon substrate design
US6300557B1 (en) Low-bandgap double-heterostructure InAsP/GaInAs photovoltaic converters
AU2009319768B2 (en) Solar cell with a backside via to contact the emitter layer
CA1222043A (en) Solar cells and photodetectors
US7148417B1 (en) GaP/silicon tandem solar cell with extended temperature range
TWI591838B (zh) 用於太陽能電池之窗結構
JP2015073130A (ja) ２つの変性層を備えた４接合型反転変性多接合太陽電池
US20120103403A1 (en) Multi-junction solar cell with dilute nitride sub-cell having graded doping
KR101193810B1 (ko) 다중접합 태양전지 및 그 제조방법
JP2010118666A (ja) 反転変性多接合太陽電池の代替基板
KR100850641B1 (ko) 고효율 결정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법
KR20120034965A (ko) 태양 전지
US20140090700A1 (en) High-concentration multi-junction solar cell and method for fabricating same
JP2007115916A (ja) 化合物太陽電池及び製造方法
KR101105250B1 (ko) ｐ―ｎ 터널 다이오드를 구비한 태양전지
US20190288147A1 (en) Dilute nitride optical absorption layers having graded doping
US10944022B2 (en) Solar cell with delta doping layer
US20110278537A1 (en) Semiconductor epitaxial structures and semiconductor optoelectronic devices comprising the same
CN101740654A (zh) 一种半导体p-i-n结太阳能电池外延片及其制备方法
KR101357059B1 (ko) 전류 매칭 구조의 다중접합 태양전지
US20180309006A1 (en) Solar cell, preparation method thereof and solar cell module assembled thereof
KR101294770B1 (ko) 양자점 태양전지
KR101672404B1 (ko) 계면 재결합 억제 박막 태양전지
US9040342B2 (en) Photovoltaic cell and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141215

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151117

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190102

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200103

Year of fee payment: 9