KR101418308B1 - LED Wavelength Comparator and Method thereof - Google Patents

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KR101418308B1 KR1020130019653A KR20130019653A KR101418308B1 KR 101418308 B1 KR101418308 B1 KR 101418308B1 KR 1020130019653 A KR1020130019653 A KR 1020130019653A KR 20130019653 A KR20130019653 A KR 20130019653A KR 101418308 B1 KR101418308 B1 KR 101418308B1
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노영환
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우송대학교 산학협력단
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Abstract

The present invention relates to an LED wavelength measurement apparatus, whose configuration includes a first optical current measurement part (150) for measuring a first optical current as an optical signal generated by an LED driving part (110) driving an LED (1) passes through a first photo detection part (130); a second optical current measurement part (160) for measuring a second optical current as the optical signal passes through a second photo detection part (140) via an attenuation filter (120); and a comparison judgment part (170) for calculating a current ratio of the first optical current and the second optical current, and comparing the calculated current ratio with a pre-established current ratio for judgment. According to the LED wavelength measurement and comparison apparatus of the present invention, it is judged whether the LED wavelength is compliant with a reference wavelength by the comparison of the calculated current value by applying the attenuation filter (120), and thus it is judged rapidly and accurately whether an LED produced by mass production has a fault or not.

Description

엘이디 파장 측정 장치 및 이를 이용한 엘이디 파장 측정 방법{LED Wavelength Comparator and Method thereof}[0001] The present invention relates to an LED wavelength measuring apparatus and an LED wavelength measuring method using the LED wavelength measuring apparatus.

본 발명은 양산되는 엘이디의 파장을 측정하여 기준 파장에 적합한지 여부를 판단하기 위한 엘이디 파장 측정 장치 및 이를 이용한 엘이디 파장 측정 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to an LED wavelength measuring apparatus for measuring the wavelength of an LED to be produced and determining whether the wavelength is suitable for a reference wavelength and a method for measuring an LED wavelength using the same.

엘이디(LED, 발광소자)는 고유의 중심파장을 갖고 있으며 양산 중에 일정한 파장을 갖는 엘이디 생산이 요구된다. 종래에는 LED, LD, 또는 유기 EL과 같은 발광소자의 발광 특성의 불량 여부를 육안으로 판별하였다. 특히, 엘이디는 빠른 속도로 대량으로 생산되는데, 이러한 육안에 의한 판별 방법은 각 개인의 시각차, 육체적 피로도 그리고 착시 현상 등으로 인해 정확도가 떨어지고, 일관성이 부족하며, 효율도 떨어지는 문제점이 있다. An LED (light emitting device) has its own central wavelength, and it is required to produce an LED having a constant wavelength during mass production. Conventionally, whether or not the light emission characteristics of a light emitting device such as an LED, an LD, or an organic EL is defective is visually determined. Particularly, LEDs are produced in large quantities at a high speed. Such visual discrimination methods have problems in that accuracy, accuracy, and inconsistency are deteriorated due to visual difference, physical fatigue, and optical illusion of each individual.

현재까지 파장측정 및 분광특성을 위해 모노크로메터(monochrometer)를 이용하였는데 모노크로메터는 고가 장비이고 측정하는데 오랜 시간이 소요되어 현장에서 제품을 양산시 적용하는데 어려움이 있고, 비효율적인 측면이 있다.Until now, a monochrometer has been used for wavelength measurement and spectroscopic characteristics. Monochrometer is a high-priced equipment and takes a long time to measure, which makes it difficult to apply the product to mass production in the field and has an inefficient aspect.

또한, 엘이디 발광 특성을 자동으로 검사하는 장치가 개발되었으나, 이 장치는 엘이디로부터 발광되는 광을 분광기를 이용하여 수광하고 CCD로 촬영하도록 되어 있다. CCD에서 촬영된 영상을 컴퓨터를 이용하여 계산하여 컬러맵의 좌표값을 구한다. 하지만, 이러한 종래의 장치는 제조 단가가 매우 높고, 검사속도가 엘이디 생산속도에 비해 느려서 오히려 엘이디 제조 공정 속도를 늦추는 역효과가 발생하게 된다.
In addition, an apparatus for automatically checking the light emission characteristics of an LED has been developed. However, this apparatus is configured to receive light emitted from an LED by using a spectroscope and photograph it with a CCD. The coordinates of the color map are obtained by calculating the image taken by the CCD using a computer. However, such a conventional apparatus has a very high manufacturing cost, and the inspection speed is slower than the LED production speed, resulting in an adverse effect of slowing down the LED manufacturing process speed.

한국등록특허 제10-1052049호(2011.07.20, '발광소자의 광학적 특성을 측정하기 위한 광전지 장치')Korean Patent No. 10-1052049 (July 20, 2011, 'Photovoltaic Device for Measuring Optical Properties of Light Emitting Device')

따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 감쇄필터를 적용하여 중심 파장의 변화를 판별함으로써 양산되는 엘이디의 양호 여부를 판단하는 엘이디 파장 측정 장치 및 이를 이용한 엘이디 파장 측정 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and method for measuring wavelength of an LED by determining a change in center wavelength by using an attenuation filter, And the like.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치는 엘이디(1)를 구동시키는 LED구동부(110)에 의해 발생된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 측정되는 제1광전류측정부(150); 상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 측정되는 제2광전류측정부(160); 및 상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비를 산출하고, 기설정된 기준전류비와 비교 판단하는 비교판단부(170);를 포함한다.In order to solve the above problems, an LED wavelength measuring apparatus according to an embodiment of the present invention includes an LED driving unit 110 for driving an LED 1, an optical signal generated by the LED driving unit 110, A first photocurrent measuring unit 150 for measuring a photocurrent; A second photocurrent measuring unit 160 through which the optical signal passes through the attenuating filter 120 and passes through the second light receiving unit 140 to measure a second photocurrent; And a comparison determination unit 170 for calculating a current ratio between the first photocurrent and the second photocurrent and comparing the current ratio with a predetermined reference current ratio.

또한, 상기 비교판단부(170)는 상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장을 설정하고, 기준파장에 대응하는 기준전류비를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비와 상기 기준전류비를 비교하여 엘이디 파장의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 한다.The comparison determining unit 170 sets the reference wavelength using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, and calculates the reference current ratio corresponding to the reference wavelength The current ratio of the LED 1 to be measured is compared with the reference current ratio to judge whether the LED wavelength is good or not.

본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 방법은 엘이디 파장 측정 장치를 이용한 엘이디 파장 측정 방법에 있어서, 엘이디(1)가 구동되어 발광된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 산출되는 제1 광전류 산출 단계(S100); 상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 산출되는 제2 광전류 산출 단계(S102); 상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비가 산출되는 전류비 산출 단계(S104); 및 상기 산출된 전류비와 기설정된 기준전류비를 비교하여 엘이디(1)의 파장이 기준 파장에 적합한지 여부를 판단하는 파장 적합 여부 판단 단계(106);를 포함한다.The method of measuring an LED wavelength according to an embodiment of the present invention is a method of measuring an LED wavelength using an LED wavelength measuring apparatus. In the LED wavelength measuring method, an optical signal emitted by driving the LED 1 passes through a first light receiving unit 130, A first photocurrent calculation step (S100); A second photocurrent calculation step (S102) in which the optical signal passes through the attenuation filter (120) and passes through the second light receiving part (140) to calculate a second photocurrent; A current ratio calculation step (S104) of calculating a current ratio between the first photocurrent and the second photocurrent; And a wavelength suitability determination step (106) for comparing the calculated current ratio with a predetermined reference current ratio to determine whether the wavelength of the LED (1) is suitable for a reference wavelength.

또한, 상기 파장 적합 여부 판단 단계는 상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장을 설정하고, 기준파장에 대응하는 기준전류비를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비와 상기 기준전류비를 비교하여 엘이디 파장의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 한다.
In addition, in the wavelength suitability determination step, the reference wavelength is set using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, and the reference current ratio corresponding to the reference wavelength is calculated The current ratio of the LED 1 to be measured is compared with the reference current ratio to determine whether the LED wavelength is good or not.

본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치 및 이를 이용한 엘이디 파장 측정 방법에 의하면, 감쇄필터(120)를 적용하여 산출된 전류값의 비교에 의해 엘이디 파장이 기준 파장에 적합한지 판단하므로, 엘이디 양산시에 불량 여부를 신속하고 정확하게 판별할 수 있으며, 저렴한 비용으로 구성이 가능한 효과가 더욱 뛰어나다.
According to the LED wavelength measuring apparatus and the LED wavelength measuring method according to an embodiment of the present invention, it is determined whether the LED wavelength is suitable for the reference wavelength by comparing the current values calculated by applying the attenuation filter 120, It is possible to quickly and accurately determine whether or not a defect has occurred in mass production, and the effect of configuring at a low cost is more excellent.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치의 전체 구성도를 도시한 도면이다.
도 2a는 감쇄필터를 통과하지 않는 경우 개략적인 광전류 측정 회로를 보인 도면이다.
도 2b는 감쇄필터를 통과하는 경우, 개략적인 광전류 측정 회로를 보인 도면이다.
도 3a는 엘이디의 감도 특성의 예를 보인 도면이다.
도 3b는 엘이디의 파장에 따른 광전력 특성의 예를 보인 도면이다.
도 3c는 감쇄필터의 파장에 따른 투과특성의 예를 보인 도면이다.
도 4a는 감쇄필터를 통과하여 수광부에 생성 유도된 파장별 전류값을 보인 도면이다.
도 4b는 감쇄필터가 없는 경우 수광부에 생성 유도된 파장별 전류값을 보인 도면이다.
도 4c는 제2광전류를 제1광전류로 나눈 파장별 전류비를 보인 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 방법을 설명한 순서도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an LED wavelength measuring apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2A shows a schematic photocurrent measurement circuit when it does not pass through an attenuation filter.
Fig. 2b shows a schematic photocurrent measurement circuit when passing through a damping filter.
3A is a diagram showing an example of the sensitivity characteristic of the LED.
3B is a diagram showing an example of optical power characteristics according to the wavelength of the LED.
3C is a view showing an example of the transmission characteristic according to the wavelength of the attenuation filter.
FIG. 4A is a graph showing current values generated by the light receiving unit passing through the attenuation filter.
FIG. 4B is a graph showing a value of a current generated by the wavelength in the light receiving unit when there is no attenuation filter.
4C is a diagram showing a current ratio of the second photocurrent divided by the first photocurrent according to wavelength.
5 is a flowchart illustrating a method of measuring an LED wavelength according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 일 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary terms, and the inventor should appropriately interpret the concepts of the terms appropriately The present invention should be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention.

따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely examples of the present invention and are not intended to represent all of the technical ideas of the present invention. Therefore, various equivalents And variations are possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치의 전체 구성도를 도시한 도면이고, 도 2a는 감쇄필터를 통과하지 않는 경우 개략적인 광전류 측정 회로를 보인 도면이며, 도 2b는 감쇄필터를 통과하는 경우, 개략적인 광전류 측정 회로를 보인 도면이고, 도 3a는 엘이디의 감도 특성의 예를 보인 도면이며, 도 3b는 엘이디의 파장에 따른 광전력 특성의 예를 보인 도면이고, 도 3c는 감쇄필터의 파장에 따른 투과특성의 예를 보인 도면이며, 도 4a는 감쇄필터를 통과하여 수광부에 생성 유도된 파장별 전류값을 보인 도면이고, 도 4b는 감쇄필터가 없는 경우 수광부에 생성 유도된 파장별 전류값을 보인 도면이며, 도 4c는 제2광전류를 제1광전류로 나눈 파장별 전류비를 보인 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 방법을 설명한 순서도이다.
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an LED wavelength measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 (a) is a diagram showing a schematic photocurrent measurement circuit when it does not pass through an attenuation filter, FIG. 3B is a diagram showing an example of the optical power characteristic according to the wavelength of the LED, FIG. 3C is a diagram showing an example of the optical power characteristic according to the wavelength of the LED, FIG. 4A is a graph showing an example of the transmission characteristic according to the wavelength of the attenuation filter, FIG. 4A is a graph showing a current value according to wavelength generated in the light receiving unit after passing through the attenuation filter, FIG. FIG. 4C is a view showing a current ratio according to wavelengths of a second photocurrent divided by a first photocurrent, FIG. 5 is a view illustrating a method of measuring an LED wavelength according to an embodiment of the present invention It is a flow chart.

이하, 본 발명의 일실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an LED wavelength measuring apparatus according to an embodiment of the present invention will be described.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치는 LED구동부(110), 감쇄필터(120), 제1수광부(130), 제2수광부(140), 제1광전류측정부(150), 제2광전류측정부(160), 비교판단부(170)를 포함한다.1, an LED wavelength measuring apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes an LED driving unit 110, a attenuating filter 120, a first light receiving unit 130, a second light receiving unit 140, A measurement unit 150, a second photocurrent measurement unit 160, and a comparison determination unit 170.

제1광전류측정부(150)는 엘이디(1)를 구동시키는 LED구동부(110)에 의해 발생된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 측정된다.The first photocurrent measuring unit 150 measures the first photocurrent through the first photodetector 130 by the optical signal generated by the LED driver 110 driving the LED 1. [

제2광전류측정부(160)는 상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 측정된다. The second photocurrent measuring unit 160 measures the second photocurrent through the optical signal passing through the attenuating filter 120 and the second light receiving unit 140.

비교판단부(170)는 상기 제1광전류측정부(150)와 상기 제2광전류측정부(160)에 연결되며, 상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비를 산출하고, 기설정된 기준전류비와 비교 판단한다. 이때, 상기 비교판단부(170)는 상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장을 설정하고, 기준파장에 대응하는 기준전류비를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비와 상기 기준전류비를 비교하여 엘이디 파장의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 할 수 있다.The comparison determination unit 170 is connected to the first photocurrent measurement unit 150 and the second photocurrent measurement unit 160 and calculates a current ratio between the first photocurrent and the second photocurrent, Ratio. At this time, the comparison determination unit 170 sets the reference wavelength using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, and calculates the reference current ratio corresponding to the reference wavelength And comparing the current ratio of the LED 1 to be measured with the reference current ratio to determine whether the LED wavelength is good or not.

다시 말해, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치는 감쇄 필터를 적용하여 필터를 통과시킨 전류값과 필터를 통과시키지 않은 전류값을 비교하여 중심 파장의 변화를 판별함으로써 양산과정에서 원하는 파장의 대역을 갖는 엘이디 제품이 생산되었는지 판별할 수 있다.
In other words, the apparatus for measuring LED wavelength according to an embodiment of the present invention uses a damping filter to compare a current value passed through a filter with a current value not passed through a filter to determine a change in a central wavelength, It is possible to judge whether or not an LED product having a bandwidth of < RTI ID = 0.0 >

이제, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 장치를 이용하여 엘이디(1)의 파장을 측정하고 비교하는 원리를 설명하면, 먼저 파장을 측정할 엘이디(1)를 구비한다. 엘이디(1)는 감도(sensitivity) 특성인 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)을 측정하여 기준 파장에 적합한지 여부를 판단한다. Now, the principle of measuring and comparing the wavelength of the LED 1 using the LED wavelength measuring apparatus according to an embodiment of the present invention will be described. First, the LED 1 for measuring the wavelength is provided. The LED 1 measures a peak wavelength and a full width half maximum (FWHM), which are sensitivity characteristics, and determines whether the wavelength is suitable for the reference wavelength.

도 3a의 세로축은 전류를 전력으로 나눈 값이고(A/W), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)이며, 측정하려고 하는 엘이디를 실리콘 엘이디로 사용할 경우의 정규환된(normalized) 감도 특성을 나타내고 있다. 3A shows a value obtained by dividing a current by electric power (A / W) and a horizontal axis represents a value (nm) representing a wavelength, and shows a normalized sensitivity characteristic when an LED to be measured is used as a silicon LED .

또한, 도 3b의 세로축은 전력을 나타낸 값이고(W), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)이며, 엘이디의 파장에 따른 광전력(optical power) 특성을 나타내고 있다. 도 3b에서는 최대값이 1로 나타나 있지만 이에 한정되는 것은 아니고 다양한 결과가 나올 수 있다. The vertical axis in FIG. 3B represents the power (W) and the horizontal axis represents the wavelength (nm), which indicates the optical power characteristic according to the wavelength of the LED. In FIG. 3B, the maximum value is 1, but the present invention is not limited to this, and various results may be obtained.

아울러, 도 3c의 세로축은 감쇄필터를 통과한 파장별 광전력(optical power)(Po)을 감쇄필터를 통과하기 전인 파장별 광전력(Pi)으로 나눈 값이고(Po/Pi-단위 없음), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)이며, 감쇄필터의 투과특성을 나타내고 있다. 여기서, 감쇄필터의 투과특성을 나타내기 위한 예로 광전력을 예로 들었으나 이에 한정되는 것은 아니고 감쇄필터의 투과특성을 나타낼 수 있다면 다양하게 적용될 수 있다. 3C is a value obtained by dividing the optical power Po per wavelength passing through the attenuation filter by the optical power Pi per wavelength before passing through the attenuation filter (Po / Pi-unit) The abscissa is a value (nm) representing the wavelength, which indicates the transmission characteristic of the attenuation filter. Here, the optical power is shown as an example to show the transmission characteristics of the attenuation filter, but the present invention is not limited thereto, and various applications can be applied as long as it can show the transmission characteristics of the attenuation filter.

도 3c에 도시된 바와 같이, 감쇄필터의 투과율은 다음과 같이 나타낼 수 있다.As shown in FIG. 3C, the transmittance of the attenuation filter can be expressed as follows.

T(lambda) = Po(lambda) / Pi(lambda)T (lambda) = Po (lambda) / Pi (lambda)

(여기서, T(lambda)는 감쇄필터의 투과율, Po(lambda)는 감쇄필터를 통과한 후의 파장에 따른 광전력, Pi(lambda)는 감쇄필터를 통과하기 전의 파장에 따른 광전력을 뜻함.)
(Lambda) is the transmittance of the attenuation filter, Po (lambda) is the optical power according to the wavelength after passing through the attenuation filter, and Pi (lambda) is the optical power according to the wavelength before passing through the attenuation filter.

예컨데, 도 2a를 참조하면, LED구동부(110)로부터 엘이디(1)가 구동되어 광신호가 발생하면, 광신호는 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류측정부(150)에 의해 제1광전류(Ish)가 산출된다. 이때, 상기 제1수광부(130)는 포토다이오드를 이용하여 구성될 수 있다.2A, when the LED 1 is driven by the LED driving unit 110 to generate an optical signal, the optical signal passes through the first light receiving unit 130 and is transmitted to the first photocurrent measurement unit 150 by the first photocurrent measurement unit 150. Hereinafter, The photocurrent Ish is calculated. In this case, the first light receiving unit 130 may be configured using a photodiode.

한편, 도 2b를 참조하면, 엘이디(1)에서 발생된 광신호는 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하게 되고, 감쇄필터(120)를 통과한 광전류는 제2광전류측정부(160)에 의해 제2광전류(Ish,filter)가 별도로 산출된다. 이때, 상기 제2수광부(140)는 포토다이오드를 이용하여 구성될 수 있다.2B, the optical signal generated in the LED 1 passes through the attenuating filter 120 and the second photoreceptor 140, and the photocurrent passing through the attenuating filter 120 passes through the second photocurrent measurement And the second photocurrent Ish (filter) is separately calculated by the photodetector 160. At this time, the second light receiving unit 140 may be configured using a photodiode.

이제, 비교판단부(170)에서 산출된 제1광전류(Ish)와 제2광전류(Ish,filter)를 비교하여 전류비를 산출하게 되고, 파장별 전류비로부터 기준파장에 대응되는 기준전류비값을 설정하고, 이 기준전류비값을 이용하여 앞서 산출된 전류비가 기준전류비와 일치하는지에 따라 엘이디(1)의 파장이 기준 파장에 적합한지 여부를 판단할 수 있다. The current ratio is calculated by comparing the first photocurrent Ish and the second photocurrent Ish calculated by the comparison determining unit 170. The reference current ratio corresponding to the reference wavelength is calculated from the current- It is possible to determine whether or not the wavelength of the LED 1 is suitable for the reference wavelength according to whether the calculated current ratio matches the reference current ratio using the reference current ratio value.

예를 들어, 기준파장은 660nm, FWHM은 60nm일 경우, 정규분포의 파장은 도 3b(표준편차 30nm)와 같이 나타나며, 임의의 감쇄필터는 도 3c와 같은 특성을 보여준다.For example, when the reference wavelength is 660 nm and the FWHM is 60 nm, the wavelength of the normal distribution appears as shown in FIG. 3B (standard deviation 30 nm), and any attenuation filter shows characteristics as shown in FIG. 3C.

기준파장은 660nm, FWHM은 60nm일 경우, 광전류를 산출하는 방법은 다음과 같다. 기준파장이 660nm에서 감도가 최대값을 가질 때, 도 3a와 도 3b의 그래프를 곱하여 나온 면적을 적분하여 전류로 환산한 값을 제1광전류(Ish)로 하고, 도 3a, 도 3b, 도 3c를 곱하여 나온 면적을 적분하여 전류로 환산한 값을 제2광전류(Ish,filter)로 할 때, 전류비는 다음과 같은 수학식 1로 계산될 수 있다.When the reference wavelength is 660 nm and the FWHM is 60 nm, the method of calculating the photocurrent is as follows. When the sensitivity has a maximum value at a reference wavelength of 660 nm, an area obtained by multiplying the graph of FIG. 3A and FIG. 3B is integrated and converted into a current as a first photocurrent Ish, and FIGS. 3A, (Ish, filter), the current ratio can be calculated by the following equation (1). ≪ EMI ID = 1.0 >

Figure 112013016520619-pat00001
Figure 112013016520619-pat00001

그리고 계산된 전류비가 기준 전류비값과 비교하여 측정하고자 하는 엘이디(1)가 기준 엘이디(1) 중심파장의 범위 내에 들어오는지 판별함으로써, 엘이디(1)의 양호 여부를 판단하게 된다. The calculated current ratio is compared with the reference current ratio value to determine whether the LED 1 to be measured falls within the range of the center wavelength of the reference LED 1 to judge whether the LED 1 is good or not.

도 4a의 세로축은 포토 다이오드에 생성 유도된 전류(A), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)이며, 필터가 있을 경우 포토 다이오드에 유도된 전류의 특성을 나타내고 있다.
4A shows the current (A) induced in the photodiode and the horizontal axis shows the value (nm) indicating the wavelength, and shows the characteristics of the current induced in the photodiode when the filter is present.

또한, 도 4b의 세로축은 포토 다이오드에 생성 유도된 전류(A), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)이며, 필터가 없을 경우 포토 다이오드에 유도된 전류의 특성을 나타내고 있다. 아울러, 도 4c의 세로축은 전류비를 값이고(단위 없음), 가로축은 파장을 나타낸 값(nm)을 나타내고 있다.In FIG. 4B, the vertical axis indicates the current (A) induced in the photodiode, and the horizontal axis indicates the value (nm) indicating the wavelength, and shows the characteristics of the current induced in the photodiode in the absence of the filter. In addition, the vertical axis in FIG. 4C represents the current ratio (unit is absent), and the horizontal axis represents the value (nm) representing the wavelength.

예컨대, 감쇄 필터를 통과한 제2광전류(Ish,filter)는 도 4a와 같은 그래프를 보이게 되고, 감쇄필터(120)를 통과하지 않은 제1광전류(Ish)는 도 4b와 같은 그래프를 나타내는데, 이를 이용하여 파장별 전류비를 계산하여 그래프로 나타내면, 도 4c와 같은 그래프가 된다. 이 그래프에서 보면, 기준파장이 660nm라고 할 때, 기준전류비는 0.2538이 되고, 앞서 파장을 측정할 엘이디(1)의 산출된 전류비가 0.2417이면, 해당 엘이디(1)의 파장이 662nm가 되며, 또 다른 예로 전류비가 0.2556이면 파장은 658nm가 된다. 이때, 엘이디 제품의 양호 판단 기준을 655~665nm라고 하면 두 제품 모두가 양호하다는 판정을 받을 수 있다. 여기서 엘이디 파장의 양호 여부를 판단하는 기준은 엘이디 파장의 양호를 결정하는 전류비의 범위를 미리 설정하여 이용할 수 있다.
For example, a second photocurrent (Ish, filter) having passed through the attenuation filter shows a graph as shown in FIG. 4A, and a first photocurrent Ish that has not passed through the attenuating filter 120 shows a graph as shown in FIG. And the current ratio of each wavelength is calculated and shown in a graph. In this graph, when the reference wavelength is 660 nm, the reference current ratio is 0.2538. If the calculated current ratio of the LED 1 for measuring the wavelength is 0.2417, the wavelength of the LED 1 becomes 662 nm, As another example, if the current ratio is 0.2556, the wavelength is 658nm. At this time, if the quality criterion of the LED product is 655 to 665 nm, both products can be judged to be good. Here, the criterion for determining whether the wavelength of the LED is good or not can be set by previously setting a range of the current ratio that determines the goodness of the LED wavelength.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 엘이디 파장 측정 방법은 엘이디 파장 측정 장치를 이용한 엘이디 파장 측정 방법에 있어서, 제1 광전류 산출 단계(S100), 제2 광전류 산출 단계(S102), 전류비 산출 단계(S104) 및 파장 적합 여부 판단 단계(S106)를 포함한다.As shown in FIG. 5, the LED wavelength measuring method according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first photocurrent calculation step S100, a second photocurrent calculation step S102 ), A current ratio calculation step (S104), and a wavelength suitability determination step (S106).

제1 광전류 산출 단계(S100)는 엘이디(1)가 구동되어 발광된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 산출된다. In the first photocurrent calculation step S100, the optical signal emitted by driving the LED 1 passes through the first light receiving unit 130, and the first photocurrent is calculated.

제2 광전류 산출 단계(S102)는 상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 산출된다. In the second photocurrent calculation step (S102), the optical signal passes through the attenuating filter (120), passes through the second light receiving part (140), and the second photocurrent is calculated.

전류비 산출 단계(S104)는 상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비가 산출된다. 이때, 제1광전류(Ish)와 제2광전류(Ish,filter)의 전류비가 전술한 수학식 1에 의해 산출될 수 있다.The current ratio calculation step (S104) calculates the current ratio of the first photocurrent and the second photocurrent. At this time, the current ratio of the first photocurrent Ish and the second photocurrent Ish can be calculated by the above-described equation (1).

파장 적합 여부 판단 단계(S106)는 상기 산출된 전류비와 기설정된 기준전류비를 비교하여 엘이디(1)의 파장이 기준 파장에 적합한지 여부를 판단한다. 이때, 상기 파장 적합 여부 판단 단계는 상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장을 설정하고, 기준파장에 대응하는 기준전류비를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비와 상기 기준전류비를 비교하여 엘이디 파장의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 할 수 있다.
The wavelength suitability determination step S106 compares the calculated current ratio with a preset reference current ratio to determine whether the wavelength of the LED 1 is suitable for the reference wavelength. At this time, in the wavelength suitability determination step, the reference wavelength is set using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, the reference current ratio corresponding to the reference wavelength is calculated And comparing the current ratio of the LED 1 to be measured with the reference current ratio to determine whether the LED wavelength is good or not.

본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 적용범위가 다양함은 물론이고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이다.
It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.

1 : 엘이디 110 : LED구동부
120 : 감쇄필터 130 : 제1수광부
140 : 제2수광부 150 : 제1광전류측정부
160 : 제2광전류측정부 170 : 비교판단부 1: LED 110: LED driving part
120: attenuation filter 130: first light receiving section
140: second light receiving unit 150: first photocurrent measuring unit
160: Second photocurrent measuring unit 170:

Claims (4)

엘이디(1)를 구동시키는 LED구동부(110)에 의해 발생된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 측정되는 제1광전류측정부(150);
상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 측정되는 제2광전류측정부(160); 및
상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비를 산출하고, 기설정된 기준전류비와 비교하여 엘이디(1)의 양호 여부를 판단하는 비교판단부(170);
를 포함하며,
상기 비교판단부(170)는
상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장의 범위를 설정하고, 기준파장의 범위에 대응하는 기준전류비의 범위를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비가 상기 기준전류비의 범위 내에 포함되는지 여부를 확인하여 엘이디(1)의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 엘이디 파장 측정 장치.
A first photocurrent measuring unit 150 in which the optical signal generated by the LED driving unit 110 driving the LED 1 passes through the first light receiving unit 130 and the first photocurrent is measured;
A second photocurrent measuring unit 160 through which the optical signal passes through the attenuating filter 120 and passes through the second light receiving unit 140 to measure a second photocurrent; And
A comparison determination unit 170 for calculating a current ratio between the first photocurrent and the second photocurrent and compares the current ratio with a preset reference current ratio to determine whether the LED 1 is good or not;
/ RTI >
The comparison determination unit 170
The range of the reference wavelength is set by using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, the range of the reference current ratio corresponding to the range of the reference wavelength is calculated, And determines whether or not the LED (1) is good by checking whether the current ratio of the LED (1) is within the range of the reference current ratio.
삭제delete 엘이디 파장 측정 장치를 이용한 엘이디 파장 측정 방법에 있어서,
엘이디(1)가 구동되어 발광된 광신호가 제1수광부(130)를 통과하여 제1광전류가 산출되는 제1 광전류 산출 단계(S100);
상기 광신호가 감쇄필터(120)를 거쳐 제2수광부(140)를 통과하여 제2광전류가 산출되는 제2 광전류 산출 단계(S102);
상기 제1광전류와 상기 제2광전류의 전류비가 산출되는 전류비 산출 단계(S104); 및
상기 산출된 전류비와 기설정된 기준전류비를 비교하여 엘이디(1)의 양호 여부를 판단하는 파장 적합 여부 판단 단계(S106);
를 포함하며,
상기 파장 적합 여부 판단 단계(S106)는
상기 엘이디(1)의 중심파장(peak wavelength)과 FWHM(Full Width Half Maximum)값을 이용하여 기준파장의 범위를 설정하고, 기준파장의 범위에 대응하는 기준전류비의 범위를 산출하며, 측정되는 엘이디(1)의 전류비가 상기 기준전류비의 범위 내에 포함되는지 여부를 확인하여 엘이디(1)의 양호 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 엘이디 파장 측정 방법.
A method for measuring an LED wavelength using an LED wavelength measuring apparatus,
A first photocurrent calculation step (S100) in which an optical signal emitted by driving the LED (1) is passed through a first light receiving part (130) and a first photocurrent is calculated;
A second photocurrent calculation step (S102) in which the optical signal passes through the attenuation filter (120) and passes through the second light receiving part (140) to calculate a second photocurrent;
A current ratio calculation step (S104) of calculating a current ratio between the first photocurrent and the second photocurrent; And
Determining whether the LED 1 is good by comparing the calculated current ratio with a predetermined reference current ratio (S106);
/ RTI >
The wavelength suitability determination step (S106)
The range of the reference wavelength is set by using the peak wavelength of the LED 1 and the full width half maximum (FWHM) value, the range of the reference current ratio corresponding to the range of the reference wavelength is calculated, Determining whether the LED (1) is good or not by checking whether the current ratio of the LED (1) is within the range of the reference current ratio.
삭제delete
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US11467144B2 (en) * 2019-03-25 2022-10-11 Asahi Kasei Microdevices Corporation Light emitting and receiving apparatus and method of diagnosing deterioration
FR3104254B1 (en) * 2019-12-04 2021-12-03 Safran Optical spectrometer and associated source characterization method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05149793A (en) * 1991-11-29 1993-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Wavelength detecting device
JPH077212A (en) * 1993-06-15 1995-01-10 Nec Corp Apparatus for controlling wavelength of light emitted from laser diode
JPH109961A (en) * 1996-06-21 1998-01-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> Light wavelength monitoring apparatus
JP2003202272A (en) 2002-01-08 2003-07-18 Hitachi Cable Ltd High speed wavelength detecting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05149793A (en) * 1991-11-29 1993-06-15 Sanyo Electric Co Ltd Wavelength detecting device
JPH077212A (en) * 1993-06-15 1995-01-10 Nec Corp Apparatus for controlling wavelength of light emitted from laser diode
JPH109961A (en) * 1996-06-21 1998-01-16 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> Light wavelength monitoring apparatus
JP2003202272A (en) 2002-01-08 2003-07-18 Hitachi Cable Ltd High speed wavelength detecting device

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