KR101401248B1 - 마스크 블랭크 및 포토마스크 - Google Patents

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호야 일렉트로닉스 말레이지아 센드리안 베르하드
호야 가부시키가이샤
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Abstract

FPD용 대형 마스크에서의 프로세스(묘화 방법이나 레지스트 도포 방법)나 상이한 조건(레지스트의 종류나 레지스트막 두께)에 적합한 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공한다. 투광성 기판 상에, 차광성막을 적어도 갖고, 상기 차광성막 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 형성하기 위한 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크로서, 상기 차광성막은, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되도록 제어된 막인 것을 특징으로 한다.

Description

마스크 블랭크 및 포토마스크{MASK BLANK AND PHOTOMASK}
본 발명은, 마스크 블랭크 및 포토마스크에 관한 것으로, 특히, FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크(포토마스크용의 블랭크), 이러한 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크(전사 마스크) 등에 관한 것이다.
최근, 대형 FPD용 마스크의 분야에서, 반투광성 영역(소위 그레이톤부)을 갖는 그레이톤 마스크를 이용하여 마스크 매수를 삭감하는 시도가 이루어지고 있다(비특허 문헌1).
여기서, 그레이톤 마스크는, 도 6의 (1) 및 도 7의 (1)에 도시한 바와 같이, 투명 기판 상에, 차광부(1)와, 투과부(2)와, 반투광성 영역인 그레이톤부(3)를 갖는다. 그레이톤부(3)는, 투과량을 조정하는 기능을 갖고, 예를 들면, 도 6의 (1)에 도시한 바와 같이 그레이톤 마스크용 반투광성막(하프 투광성막)(3a')을 형성한 영역, 혹은, 도 7의 (1)에 도시한 바와 같이 그레이톤 패턴(그레이톤 마스크를 사용하는 대형 LCD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴(3a) 및 미세 투과부(3b))을 형성한 영역으로서, 이들 영역을 투과하는 광의 투과량을 저감하고 이 영역에 의한 조사량을 저감하여, 이러한 영역에 대응하는 포토레지스트의 현상 후의 막 감소된 막 두께를 원하는 값으로 제어하는 것을 목적으로 하여 형성된다.
대형 그레이톤 마스크를, 미러 프로젝션 방식이나 렌즈를 사용한 렌즈 프로젝션 방식의 대형 노광 장치에 탑재하여 사용하는 경우, 그레이톤부(3)를 통과한 노광광은 전체적으로 노광량이 부족해지기 때문에, 이 그레이톤부(3)를 개재하여 노광한 포지티브형 포토레지스트는 막 두께가 얇아질 뿐이며 기판 상에 남는다. 즉, 레지스트는 노광량의 차이에 의해 통상의 차광부(1)에 대응하는 부분과 그레이톤부(3)에 대응하는 부분에서 현상액에 대한 용해성에 차가 생기기 때문에, 현상 후의 레지스트 형상은, 도 6의 (2) 및 도 7의 (2)에 도시한 바와 같이, 통상의 차광부(1)에 대응하는 부분(1')이 예를 들면 약 1㎛, 그레이톤부(3)에 대응하는 부분(3')이 예를 들면 약 0.4∼0.5㎛, 투과부(2)에 대응하는 부분은 레지스트가 없는 부분(2')으로 된다. 그리고, 레지스트가 없는 부분(2')에서 피가공 기판의 제1 에칭을 행하고, 그레이톤부(3)에 대응하는 얇은 부분(3')의 레지스트를 애싱 등에 의해 제거하고 이 부분에서 제2 에칭을 행함으로써, 1매의 마스크로 종래의 마스크 2매분의 공정을 행하여, 마스크 매수를 삭감한다.
[비특허 문헌1] 월간 FPD Intelligence, p.31-35, 1999년 5월 [비특허 문헌2] 「포토마스크 기술의 이야기」, 田邊功, 法元盛久, 竹花洋저, 공업조사회간, 「제4장 LCD용 포토마스크의 실제」 p.151-180
그런데, 마이크로프로세서, 반도체 메모리, 시스템 LSI 등의 반도체 디바이스를 제조하기 위한 LSI용 마스크는, 최대라도 6인치(132㎜)각 정도로 상대적으로 소형으로, 스테퍼(쇼트-스텝 노광) 방식에 의한 축소 투영 노광 장치에 탑재되어 사용되는 경우가 많다. 또한，LSI용 마스크 상에 형성되는 마스크 패턴의 최소 선폭은 0.26㎛ 정도(웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 최소 선폭은 0.07㎛ 정도)를 실현하고 있다.
이러한 LSI용 마스크의 제조에서는, 일반적으로 상기의 고정세 패턴 형성이 필요하기 때문에, 마스크 블랭크 상에 전자선 레지스트를 도포하고(레지스트막 두께 N은 통상 400∼500㎚로 상대적으로 작음), 전자선 묘화를 행하여, 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마스크 패턴을 형성하고 있다.
또한，LSI용 마스크를 제조하기 위한 소형 마스크 블랭크에서는, 소형 마스크 블랭크에 대한 도포 정밀도, 양산성, 코스트 등을 종합적으로 감안하여, 스핀 코트에 의해 레지스트가 도포된다.
이에 대하여, FPD(플랫 패널 디스플레이)용 대형 마스크는, 최소라도 330㎜×450㎜ 정도(최대로 1220㎜×1400㎜ 정도)로 상대적으로 대형으로서, 미러 프로젝션(스캐닝 노광 방식에 의한 등배 투영 노광) 방식이나 렌즈 프로젝션 방식의 노광 장치에 탑재되어 사용된다. 또한，FPD용 대형 마스크에 형성되는 패턴의 최소 선폭은 1㎛ 정도 이하, 피전사용 대형 글래스 기판 상에 형성되는 패턴의 최소 선폭은 모두 2∼3㎛ 정도로, 최선단 LSI의 최소 선폭에 비해 크다.
이러한 FPD용 대형 마스크의 제조에서는, 마스크 블랭크 상에 포토레지스트를 도포하고(레지스트막 두께 N은 통상 1000㎚로 상대적으로 큼), 레이저 묘화를 행하여, 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마스크 패턴을 형성하고 있다.
또한，FPD용 대형 마스크를 제조하기 위한 대형 마스크 블랭크에서는, 대형 마스크 블랭크에 대한 도포 정밀도, 수율 등을 종합적으로 감안하여, 슬릿 형상의 노즐을 기판 상에서 주사하여 레지스트를 도포하는 슬릿식 레지스트 코터 장치에 의해 레지스트가 도포된다.
이상과 같이, FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크에서는, 마스크 사이즈의 상위 등에 기초하여，LSI용 마스크와는 다른 프로세스(묘화 방법이나 레지스트 도포 방법)나 상이한 조건(레지스트의 종류나 레지스트막 두께)이 적용되며, 이들 프로세스나 조건을 FPD용 대형 마스크 블랭크 및 마스크에 적용한 경우에 기판이 대형인 것에 기인하여 발생하는 문제에 대해서 검토할 필요가 있다.
본원의 목적은, FPD용 대형 마스크에서의 프로세스(묘화 방법이나 레지스트 도포 방법)나 상이한 조건(레지스트의 종류나 레지스트막 두께)에 적합한 마스크 블랭크 및 포토마스크를 안출하는 것에 있다.
상기 목적 하에서, 본 발명자는, FPD용 대형 마스크 블랭크 및 FPD용 대형 마스크에 관하여, 예의 연구, 개발을 행하였다. 그 결과, 이하의 것이 판명되었다.
FPD용 대형 마스크 블랭크 상에 도포되는 레지스트막 두께는, 레이저 묘화 파장에 의한 정재파가 실질적으로 발생하지 않도록, 현상, 약 1000㎚로 설정하고 있다. 그러나, 상기 슬릿식 레지스트 코터 장치를 이용하여 형성되는 레지스트막의 면내 막 두께 변동 n은, 비교적 커서, 레지스트막 두께의 면내 막 두께 변동 폭 2n이, 레이저 묘화 파장 L의 반파장 1/2L과 동일한 정도로 되는 경우가 있다. 이 경우, 레지스트막 두께가 반파장의 정수배로 되는 막 두께 개소가 면내에서 생기게 되며, 이러한 반파장의 정수배로 되는 막 두께 개소에서는, 레지스트막에 입사되어 레지스트막을 통과하는 레이저 묘화광의 입사광과, 레지스트막을 통과하여 차광성막의 막면에서 반사되는 레이저 묘화광의 반사광이 서로 간섭하여 상대적으로 진폭 강도가 작은 정재파가 발생함과 함께, 차광성막의 막면에서 반사된 레이저 묘화광의 반사광이 레지스트막을 통과하여 레지스트막의 막면에서 반사되어, 마치 반파장의 정수배로 되는 거리에 상대하는 벽이 존재하는 경우와 마찬가지로 되므로, 반사를 반복할 때마다 합성파로서 상대적으로 진폭 강도가 큰 정재파가 발생하여, 공진으로 취할 수 있게 되는 현상이 발생한다. 이러한 특수한 정재파는 기준 공진 모드로 불린다.
FPD용 대형 마스크 블랭크에서는, 레지스트막 두께가 반파장의 정수배로 되는 막 두께 개소에서 발생하는 기준 공진 모드의 정재파는, 기준 공진 모드의 정재파의 불룩한 부분에서 발생하는 레지스트의 감광 작용에 기초하여, 레지스트 패턴을 평면에서 보았을 때의 레지스트 패턴 엣지에 요철(깔쭉깔쭉한 모양)을 발생시키는 것을 본 발명자들은 밝혀내었고, 그리고, FPD용 대형 마스크 블랭크에서는, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 웨트 에칭에 의해 차세대의 규격인 1㎛ 이하의 마스크 패턴(예를 들면, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하로 미세 차광 패턴 및 미세 투과부로 이루어지는 패턴)을 형성하자고 하였을 때에, 0.1㎛ 초과의 깔쭉깔쭉한 모양이 발생하고, 그리고 이 깔쭉깔쭉한 모양은, FPD 디바이스에서 표시 얼룩의 원인으로 되는 것이 판명되었다.
또한，FPD용 대형 마스크에서도, 패턴의 미세화와, 패턴 정밀도의 향상의 점에서, 한층 더한 레지스트막 두께의 박막화가 필요하다고 생각되는데, 이 경우에서도, 레지스트막 두께 N과 면내 막 두께 변동의 범위에서, 레이저 묘화 파장의 반파장의 정수배로 되는 막 두께 개소에서, 기준 공진 모드의 정재파에 의한 레지스트 패턴 엣지의 요철(깔쭉깔쭉한 모양)이 발생하여, FPD 디바이스에서 표시 얼룩의 원인으로 된다.
그리고, 본 발명자들은, 상기 과제 해결을 위해서는, 상기 차광성막은, 기준 공진 모드의 정재파의 영향에 의한 레지스트막 패턴에 미치는 영향을 실질적으로 회피할 수 있는 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율로 하는 것이 유효한 것을 발견하고 본 발명에 이르렀다.
본 발명 방법은, 이하의 구성을 갖는다.
(구성 1)
투광성 기판 상에, 차광성막을 적어도 갖고, 상기 차광성막 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 형성하기 위한 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크로서,
상기 차광성막은, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되도록 제어된 막인 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 2)
상기 레이저 묘화 파장은, 350㎚∼500㎚의 파장 범위로부터 선택된 파장으로 하는 것을 특징으로 하는 구성 1에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 3)
상기 차광성막은, 반사 방지층과, 그 반사 방지층의 결정성을 제어하는 결정성 제어층을 적어도 갖는 것을 특징으로 하는 구성 1 또는 2에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 4)
상기 차광성막의 막면 반사율이 최소로 되는 최소 반사율이 350㎚∼500㎚의 파장 범위 내에 존재하는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 3에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 5)
상기 차광성막의 반사율 곡선이 아래로 볼록한 곡선을 그리도록 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 4에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 6)
상기 차광성막 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 갖는 것을 특징으로 하는 구성 1 내지 5에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 7)
상기 레지스트막의 막 두께는, 400∼1200㎚인 것을 특징으로 하는 구성 6에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 8)
상기 레지스트막의 막 두께는, 400∼800㎚인 것을 특징으로 하는 구성 6에 기재된 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
(구성 9)
구성 6 내지 8에 기재된 마스크 블랭크를 이용하여, 상기 레지스트막에 대하여 레이저 묘화를 행하여, 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 마스크 패턴을 형성하여, 제조되는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크.
본 발명에 따르면, FPD용 대형 마스크에서의 프로세스(묘화 방법이나 레지스트 도포 방법)나 상이한 조건(레지스트의 종류나 레지스트막 두께)에 적합한 마스크 블랭크 및 포토마스크를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에서 작성한 반사 방지 기능을 갖는 차광성막의 분광 투과율을 도시하는 도면.
도 2는 실시예에서 작성한 반사 방지 기능을 갖는 차광성막의 분광 투과율을 도시하는 도면.
도 3은 실시예 및 비교예에서 사용한 슬릿 코터 장치를 설명하기 위한 모식도.
도 4는 FPD용 대형 마스크의 양태를 설명하기 위한 도면.
도 5는 FPD용 대형 마스크의 다른 양태를 설명하기 위한 도면.
도 6은 반투광성막을 갖는 레지스트막를 설명하기 위한 도면으로서, (1)은 부분 평면도, (2)는 부분 단면도.
도 7은 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴을 갖는 레지스트막를 설명하기 위한 도면으로서, (1)은 부분 평면도, (2)는 부분 단면도.
<실시예>
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크는,
투광성 기판 상에, 차광성막을 적어도 갖고, 상기 차광성막 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 형성하기 위한 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크로서, 상기 차광성막은, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되도록 제어된 막인 것을 특징으로 한다(구성 1).
본 발명에서, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율을 15% 이하로 함으로써, 기준 공진 모드의 정재파에 의한 레지스트 패턴 엣지의 요철(깔쭉깔쭉한 모양)의 발생을 방지할 수 있다. 이에 의해, 레지스트 패턴을 마스크로 하여 웨트 에칭에 의해 차세대의 규격인 1㎛ 이하의 마스크 패턴(예를 들면, 대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부로 되는 패턴)을 형성하자고 하였을 때에, 0.1㎛ 초과의 깔쭉깔쭉한 모양이 발생하고, 그리고 이 깔쭉깔쭉한 모양에 의해 FPD 디바이스에서의 표시 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 패턴의 미세화와, 패턴 정밀도의 향상의 점에서, 한층 더한 레지스트막의 박막화(예를 들면, 400㎚∼800㎚)가 필요하다고 생각되는데, 이 경우에서도, 기준 공진 모드의 정재파에 의한 레지스트 패턴 엣지의 요철(깔쭉깔쭉한 모양)이 발생하고, 그리고 이 깔쭉깔쭉한 모양에 의한 FPD 디비이스에서의 표시 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에서는, 상기 차광성막은, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 12% 이하, 나아가서는 10% 이하로 되도록 제어된 막인 것이 더 바람직하다.
본 발명에서는, 상기 레이저 묘화 파장은, 350㎚∼500㎚의 파장 범위로부터 선택된다(구성 2). 예를 들면, 레이저 묘화 파장으로서는, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚, 488㎚를 들 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 차광성막 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 갖는 레지스트막 부착 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크로 한다(구성 3). 그 때, 본 발명에서는, 상기 레지스트막의 막 두께는, 400∼1200㎚이며(구성 4), 패턴의 미세화와, 패턴 정밀도의 향상의 점에서 바람직하게는, 400∼800㎚인 것이 바람직하다(구성 5). 전술한 바와 같이, FPD용 대형 마스크 블랭크 상에, 이러한 막 두께 범위의 상대적으로 두꺼운 레지스트막(예를 들면, 900㎚∼1200㎚)을 형성하는 경우에, 레지스트막의 막 두께의 면내 변동 폭 2n이 큰 것에 기인하여, 기준 공진 모드의 정재파에 의해 레지스트막 패턴에 영향을 미치는 문제가 발생하기 때문에, 이러한 문제가 발생하지 않도록 하기 위해서이다. 또한, 패턴의 미세화와, 패턴 정밀도의 향상의 점에서 레지스트막의 박막화가 필요하다고 생각되는데, 이 레지스트막의 박막화의 경우에서 기준 공진 모드의 정재파에 의해 레지스트막 패턴에 영향을 미치는 문제가 발생하지 않도록 하기 위해서이며, 박막화의 제약을 해소하기 위해서이다.
본 발명에서는, 한 방향으로 연장되는 레지스트액 공급구를 갖는 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 차광성막 표면에 대하여 해당 한 방향으로 교차하는 방향으로 노즐을 상대 이동시켜 레지스트막을 형성하는, 소위, 슬릿 코터 장치에 의해 대면적의 차광성막 면 상에 레지스트가 도포되는 경우에 특히 유익하다. 또한, 본 발명에서는, 상기 슬릿 코터 장치는, 하향으로 유지한 기판에 대하여, 모세 형상의 노즐에 의해 모세관 현상을 이용하여 상승한 레지스트액을 노즐 선단을 기판에 대하여 주사시킴으로써, 레지스트를 도포하는 장치(예를 들면 도 3 참조)의 경우에 특히 유익하다. 이것은, 이들의 경우에, 차광성막의 표면 상태 등에 의해 레이저 묘화 파장 L의 반파장 1/2L과 동일한 정도의 면내 막 두께 변동 폭 2n이 존재하여, 레지스트막 패턴에 영향을 미치는 문제가 발생할 가능성이 높기 때문이다.
또한, 각종 막 재료에 대해서 검토한 결과, 이하의 것을 알 수 있었다.
(ⅰ) 크롬산화막계의 반사 방지막(예를 들면 CrO막 단층 등) 등, 막 내에 O를 포함하기 때문에(막 내의 O가 많기 때문에), 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)의 대역, 또한 이러한 대역을 포함하는 보다 넓은 대역에서 분광 반사율 선의 커브(기울기)가 심하여, 분광 반사율의 변동 폭이 커지는 경향이 있는 것이 판명되었다.
(ⅱ) 크롬산화막계의 반사 방지막에 비해, 크롬산질화막계의 반사 방지 막(예를 들면 CrON)에서는, 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)의 대역, 또한 이러한 대역을 포함하는 보다 넓은 대역에서 분광 반사율 선의 커브(기울기)가 완만하여, 분광 반사율의 변동 폭이 작아지므로 바람직하다.
단, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율의 하한의 추구나, 막면의 표면 상태 변동에 의한 슬릿 코터의 면내 변동에 의한 패턴 깔쭉깔쭉한 모양 등의 레지스트막 패턴에 영향을 미치는 문제 해결을 위해서는, 어떤 크롬산질화막계의 반사 방지막이라도 이러한 목적의 달성에 적합한 것은 아니고, 또한 크롬산질화막계의 반사 방지막의 하층이 어떤 차광성막이라도 이러한 목적의 달성에 적합한 것은 아니다. 따라서, 이러한 목적의 달성에 적합한 소정의 조건을 만족시키는 차광성막을 찾아내어 사용하는 것이 바람직한 것이 판명되었다.
상기 양 목적을 달성하기 위해서는, 상기 크롬산질화막계의 반사 방지막의 하층에, 크롬질화계 막(예를 들면, CrN)을 형성함으로써, 그 상층에 형성되는 막의 결정성이 미세화, 또한, 균일하게 막 형성되기 때문에, 차광성막의 표면 상태가 안정되어, 슬릿 코터에 의해 레지스트막을 형성하는 경우에서도 면내 막 두께 변동을 억제할 수 있다. 또한, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율의 하한을 추구할 수 있어, 분광 반사율의 변동 폭을 작게 할 수 있으므로 바람직하다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에서는, 투광성 기판 상에, 적어도 차광성막을 갖는 양태가 포함된다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 4에 도시한 바와 같이, 투광성 기판(10) 상에 차광성막(12)을 형성하고, 이것에 패터닝을 실시하여, 그레이톤 패턴(12a)과 통상의 차광성막 패턴(12b)을 형성하여 이루어지는 양태가 포함된다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에서, 상기 차광성막은, 그 차광성막의 막면 반사율이 최소로 되는 최소 반사율이 350㎚∼450㎚의 파장 범위로 되도록 제어된 막인 것이 바람직하다.
이 이유는, 차광성막의 막면 반사율이 최소로 되는 최소 반사율(즉 보텀 피크의 위치)이 350㎚∼450㎚의 파장 범위 내에 존재하도록 제어된 막은, FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크를 제조할 때에 일반적으로 사용되는 레이저 묘화 파장에 관해서, 프로세스 변동 등에 수반되는 분광 곡선의 상하 좌우 방향의 시프트에 대하여 분광 반사율 값이 크게 변동되는 경우가 적기 때문이다.
상기한 바와 같은, 프로세스 변동 등에 수반되는 분광 곡선의 좌우 방향의 시프트에 대하여 반사율 값이 크게 변동되지 않는(시프트가 적은) 차광성막으로서는, 상층막의 결정성을 제어하는 결정성 제어층과, 차광 기능을 갖는 하층부와 반사 방지 기능을 갖는 상층부로 적어도 구성되는 차광성막이 바람직하다.
여기서, 결정성 제어층은, 그 상에 형성되는 막의 결정성을 제어시키는 부분이다. 차광 기능을 갖는 하층부는, 차광 성능이 높은 부분으로서 요구되는 차광 성능의 대부분 또는 전부를 발현시키는 부분이다. 또한, 반사 방지 기능을 갖는 상층부는, 차광 기능을 갖는 하층부 상에 형성되어, 차광 기능을 갖는 하층부의 반사율을 저감시켜, 반사 방지 기능을 발현시키는 부분이다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에서, 상기 차광성막은, 결정성을 제어하는 질화 크롬계의 결정성 제어층과, 차광 기능을 갖는 크롬 또는 탄화 크롬계의 하층부와 반사 방지 기능을 갖는 산질화 크롬계의 상층부로 구성되며, 상기 결정성 제어층, 하층부 및 상층부는, 상기 요건을 만족시키기 위해 광학 설계되어, 작성되어 있는 것이 바람직하다.
이 이유는, 이들 재료계로 이루어지는 막(예를 들면, CrN 결정성 제어층/CrC 차광성층(하층부)/CrON 반사 방지층(상층부)으로 이루어지는 막, CrN 결정성 제어층/CrCN 차광성층(하층부)/CrON 반사 방지층(상층부)으로 이루어지는 막 등)은, 다른 재료계의 막에 비해, 막 조성의 조정, 제조 조건, 제조 장치 등의 선정 및 제어, 이들에 의한 막질의 제어, 차광성막의 재료 등, 보텀 피크의 위치, 막 구성 등에 의해, 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 차광성막의 막면 반사율의 변동 폭이 2% 미만의 범위로 되도록 제어된 막이 얻어지기 쉽고, 이에 의해, 프로세스 변동 등에 수반되는 분광 곡선의 좌우 방향의 시프트에 대하여 분광 반사율 값이 크게 변동되지 않는 막이 얻어지기 때문이다. 또한, 이러한 구성의 막에서는, 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율의 하한의 추구가 가능하고, 슬릿 코터에 의해 레지스트막을 형성하는 경우에서도 면내 막 두께 변동을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에서는, 상기 차광성막을 인라인형 스퍼터링 장치에 의해 연속적으로 형성하는 것이 바람직하다. 인라인형 스퍼터링 장치에 의해 연속적으로 성막된 상기 결정성 제어층/차광성층(하층부)/반사 방지층(상층부)으로 이루어지는 막에서, 각 막의 계면에 산화층이 형성되지 않으므로, 광학 특성(반사율 등)을 엄밀하게 제어하기 쉬워진다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크에서는，그레이톤 마스크용 반투광성막과 차광성막을 투광성 기판 상에 갖는 양태가 포함된다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 5에 도시한 바와 같이, 투광성 기판(10) 상에 그레이톤 마스크용 반투광성막(11)과 차광성막(12)을 이 순서로 형성하고, 이들 막의 패터닝을 실시하여, 그레이톤 마스크용 반투광성막 패턴과 차광성막 패턴을 형성하여 이루어지는 반투광성막 밑칠(선장착) 타입의 레지스트막 등의 양태가 포함된다.
여기서, 반투광성막의 재료로서는, Mo와 Si를 함유하는 MoSi계 재료나, 금속 및 실리콘(MSi, M:Mo, Ni, W, Zr, Ti, Cr, Ta 등의 천이 금속), 산화 질화된 금속 및 실리콘(MSiON), 산화 탄화된 금속 및 실리콘(MoSiCO), 산화 질화 탄화된 금속 및 실리콘(MSiCON), 산화된 금속 및 실리콘(MSiO), 질화된 금속 및 실리콘(MoSiN) 등을 들 수 있다.
본 발명에서, 투광성 기판의 재료로서는, 합성 석영, 소다 라임 글래스, 무알카리 글래스 등을 들 수 있다.
본 발명에서, 레이저 묘화용 레지스트로서는, 노볼락계의 포토레지스트 등을 들 수 있다.
본 발명에서，FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크는, 레이저 묘화용의 레지스트막을 형성하기 전의, 투광성 기판 상에 적어도 차광성막을 갖는 마스크 블랭크가 포함된다.
본 발명에서，FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크로서는, LCD(액정 디스플레이), 플라즈마 디스플레이, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 디스플레이 등의 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크 및 마스크를 들 수 있다.
여기서, LCD 제조용 마스크에는, LCD의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함되고, 예를 들면, TFT(박막 트랜지스터), 특히 TFT 채널부나 컨택트홀부, 저온 폴리실리콘 TFT, 컬러 필터, 반사판(블랙 매트릭스) 등을 형성하기 위한 마스크가 포함된다. 다른 표시 디바이스 제조용 마스크에는, 유기 EL(일렉트로루미네센스) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등의 제조에 필요한 모든 마스크가 포함된다.
본 발명에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크는, 상기 본 발명 에 따른 FPD 디바이스를 제조하기 위한 마스크 블랭크를 이용하여, 마스크 블랭크에 형성되어 있는 레지스트막에 대하여 레이저 묘화를 행하여, 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 차광성막 패턴으로 이루어지는 마스크 패턴을 형성하여, 제조되는 것을 특징으로 한다(구성 6).
이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
(실시예1)
대형 글래스 기판(합성 석영(QZ) 10㎜ 두께, 사이즈 850㎜×1200㎜) 상에, 대형 인라인형 스퍼터링 장치를 사용하여, 결정성 제어층과, 차광 기능을 갖는 하층부와, 반사 방지 기능을 갖는 상층부로 구성되는 차광성막의 성막을 행하였다. 성막은, 대형 인라인형 스퍼터링 장치 내에 기판 반송 방향에 대하여 연속하여 배치된 각 스페이스(스퍼터실)에 Cr 타겟을 각각 배치하고, 우선 Ar 가스와 N2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrN층(그 후에 형성하는 막의 결정성을 제어하는 것을 목적으로 한 막)을 150옹스트롬, 계속해서, Ar 가스와 CH4 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrC층(차광 기능을 갖는 하층부)을 650옹스트롬, 계속해서, Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부)을 250옹스트롬, 연속 성막하여, 마스크 블랭크를 제작하였다. 또한, 각 막은 각각 조성 경사 막이었다. 또한，CrC층(차광 기능을 갖는 하층부)은, CrN층이나 CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부)의 성막 시에 사용한 N2 가스나 NO 가스에 의해 N(질소)이 포함되어 있고, 상기 CrN층, CrC층(차광 기능을 갖는 하층부), CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부) 모두에 Cr과 N이 포함되어 있었다.
상기 마스크 블랭크의 분광 반사율 선을 도 1에 도시한다. 또한, 분광 반사율은 분광 광도계에 의해 측정하였다.
도 1에 도시하는 분광 반사율 선에서는，FPD용 대형 마스크를 제조할 때에 사용되는 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)을 포함하는 레이저 묘화 파장 대역(350㎚∼500㎚)에서, 차광성막의 막면 반사율은 15% 이하이었다. 또한, 상기 레이저 묘화 파장 대역을 포함하는 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 막면 반사율의 변동이 2% 미만의 범위 내(파장 365㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서 막면 반사율의 변동이 1% 미만의 범위 내)이었다.
상기에서 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 도 3에 도시하는 슬릿 코터를 이용하여 노볼락계의 레이저 묘화용 포토레지스트를 도포하고, (레지스트막 두께 범위 : 1000㎚±100㎚), 레지스트막에 레이저 묘화로 패턴 묘화하고, 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 3층 구조의 막(CrN층, CrC층, CrON층)을 일체적으로 웨트 에칭으로 패터닝하여, 5㎛ 폭의 통상 패턴(12b) 및 1㎛ 폭의 그레이톤 패턴(대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부로 이루어지는 패턴)(12a)을 갖는 FPD용 대형 마스크를 제작하였다(도 4 참조).
상기 공정에서, 주사형 전자 현미경(SEM)으로, 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여, 통상 패턴, 그레이톤 패턴의 쌍방을 관찰한 결과, 패턴을 평면에서 보았을 때의 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 0.1㎛ 미만으로 양호하였다.
얻어진 FPD용 대형 마스크를 사용하여 제조된 FPD 디바이스도 표시 얼룩이 없이 양호하였다.
(실시예2)
상기 실시예1에서，Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부)을 250옹스트롬의 두께로 형성한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 하여, 레지스트 패턴을 형성하여，FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
도 2에 도시하는 분광 반사율 선에서는，FPD용 대형 마스크를 제조할 때에 사용되는 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)을 포함하는 레이저 묘화 파장 대역(365㎚∼450㎚)에서, 차광성막의 막면 반사율은 12% 이하이었다. 또한, 상기 레이저 묘화 파장 대역을 포함하는 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 막면 반사율의 변동이 2% 미만의 범위 내(파장 365㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서 막면 반사율의 변동이 1% 미만의 범위 내)이었다.
주사형 전자 현미경(SEM)에 의해, 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여 관찰한 결과, 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 실시예1과 마찬가지로 0.1㎛ 미만으로 양호하였다.
(실시예3)
상기 실시예1에서，Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부)을 320옹스트롬의 두께로 형성한 것 이외에는 실시예1 과 마찬가지로 하여, 레지스트 패턴을 형성하여，FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
도 2에 도시하는 분광 반사율 선에서는，FPD용 대형 마스크를 제조할 때에 사용되는 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)을 포함하는 레이저 묘화 파장 대역(365㎚∼450㎚)에서, 차광성막의 막면 반사율은 11% 이하이었다. 또한, 상기 레이저 묘화 파장 대역을 포함하는 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 막면 반사율의 변동이 2% 미만의 범위 내(파장 365㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서 막면 반사율의 변동이 1% 미만의 범위 내)이었다.
주사형 전자 현미경(SEM)에 의해, 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여 관찰한 결과, 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 실시예1과 마찬가지로 0.1㎛ 미만으로 양호하였다.
(실시예4)
상기 실시예1에서，Ar 가스와 NO 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrON층(반사 방지 기능을 갖는 상층부)을 200옹스트롬의 두께로 형성한 것 이외에는 실시예1 과 마찬가지로 하여, 레지스트 패턴을 형성하여，FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
도 2에 도시하는 분광 반사율 선에서는，FPD용 대형 마스크를 제조할 때에 사용되는 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)을 포함하는 레이저 묘화 파장 대역(365㎚∼450㎚)에서, 차광성막의 막면 반사율은 14% 이하이었다. 또한, 상기 레이저 묘화 파장 대역을 포함하는 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 막면 반사율의 변동이 2% 미만의 범위 내(파장 365㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서 막면 반사율의 변동이 1% 미만의 범위 내)이었다.
주사형 전자 현미경(SEM)에 의해, 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여 관찰한 결과, 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 실시예1과 마찬가지로 0.1㎛ 미만으로 양호하였다.
(실시예5)
상기 실시예1에서, 레지스트막의 막 두께를 400㎚∼800㎚까지 복수 막 두께의 레지스트막을 형성한 것 이외에는 실시예1과 마찬가지로 하여, 레지스트 패턴을 형성하여，FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여 관찰한 결과, 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 실시예1과 마찬가지로 0.1㎛ 미만으로 양호하였다.
(비교예)
대형 글래스 기판(합성 석영(QZ) 10㎜ 두께, 사이즈 850㎜×1200㎜) 상에, 스퍼터링 장치를 사용하여, 차광성막의 성막을 행하였다. 성막은, 2개의 스퍼터실 내에 각각 Cr 타겟을 배치하고, 우선，Ar 가스를 스퍼터링 가스로 하여 Cr막(차광 막)을 900옹스트롬, 계속해서, Ar 가스와 O2 가스를 스퍼터링 가스로 하여 CrO막(반사 방지막)을 300옹스트롬 성막하여 마스크 블랭크를 제작하였다.
그 결과, FPD용 대형 마스크를 제조할 때에 사용되는 레이저 묘화 파장(예를 들면, 365㎚, 405㎚, 413㎚, 436㎚, 442㎚)을 포함하는 레이저 묘화 파장 대역(350㎚∼500㎚)에서, 차광성막의 막면 반사율은 15% 초과(18.3%)이었다. 또한, 상기 레이저 묘화 파장 대역을 포함하는 파장 350㎚∼450㎚에 걸치는 파장 대역에서, 막면 반사율의 변동이 2% 초과(4.2%)이었다.
상기에서 제작한 마스크 블랭크를 이용하여, 실시예1과 마찬가지로 하여 차광성막 상에 레지스트막을 형성하고, 레지스트막에 레이저 묘화로 패턴 묘화하고, 현상에 의해 레지스트 패턴을 형성하고, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 2층 구조의 막(Cr막, CrO막)을 일체적으로 웨트 에칭으로 패터닝하여, 5㎛ 폭의 통상 패턴(12b) 및 1㎛ 폭의 그레이톤 패턴(대형 FPD용 노광기의 해상 한계 이하의 미세 차광 패턴 및 미세 투과부로 이루어지는 패턴)(12a)을 갖는 FPD용 대형 마스크를 제작하였다.
상기 공정에서, 주사형 전자 현미경(SEM)으로, 레지스트 패턴, 마스크 패턴의 쌍방에 대하여, 통상 패턴, 그레이톤 패턴의 쌍방을 관찰한 결과, 패턴을 평면에서 보았을 때의 패턴 엣지의 요철(소위 깔쭉깔쭉한 모양)은 0.1㎛ 초과(0.3㎛)이었다.
얻어진 FPD용 대형 마스크를 사용하여 제조된 FPD 디바이스는 표시 얼룩이 발생하였다.
이상, 바람직한 실시예를 들어 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
1 : 차광부
2 : 투과부
3 : 그레이톤부
3a : 미세 차광 패턴
3b : 미세 투과부
3a' : 반투광성막
10 : 투광성 기판
11 : 반투광성막
12 : 차광성막

Claims (20)

  1. 투광성 기판 상에 차광성막을 적어도 갖고, 상기 차광성막 상에 슬릿 코터 장치로 형성된 레이저 묘화용 레지스트막을 갖는 마스크 블랭크의 상기 레지스트막에 레이저 묘화 및 현상 처리를 행하여 마스크를 제작할 때에 사용하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법으로서,
    상기 차광성막은, 350㎚∼500㎚의 파장 대역으로부터 선택된 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되도록 설계하고,
    상기 레지스트막은, 400㎚~1200㎚의 막두께로부터 선택되고,
    상기 슬릿 코터 장치는 일 방향으로 연장되는 레지스트액 공급구를 갖는 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 차광성막 표면에 대하여 상기 일 방향에 교차하는 방향으로 노즐을 상대 이동시켜 레지스트막을 형성하는 장치인 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차광성막은, 막면 반사율이 최소가 되는 최소 반사율이 350㎚∼450㎚의 파장 대역에 존재하도록 설계하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 차광성막은, 상층에 반사 방지층을 구비하고, 상기 반사 방지층의 하층에 크롬 질화계 막을 구비하는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 차광성막은, 적어도 상층막의 결정성을 제어하는 결정성 제어층과, 차광 기능을 갖는 하층부와, 반사 방지 기능을 갖는 상층부로 구성되는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 결정성 제어층은 크롬 질화계 막으로 하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 차광성막은, 상기 레이저 묘화 파장을 포함하는 350㎚∼450㎚에 걸친 파장 대역에 있어서, 막면 반사율의 변동폭이 2% 미만의 범위가 되도록 설계하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  7. 투광성 기판 상에 차광성막을 적어도 갖는 마스크 블랭크 상에, 레이저 묘화용의 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막에 레이저 묘화 및 현상 처리를 행하여 마스크를 제작하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법으로서,
    상기 차광성막은, 350㎚∼500㎚의 파장 대역으로부터 선택된 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되는 마스크 블랭크를 선정하고, 상기 마스크 블랭크 상에 레이저 묘화용의 레지스트막을 슬릿 코터 장치에 의해 형성하고,
    상기 레지스트막은, 400㎚~1200㎚의 막두께로부터 선택되어 형성되고,
    상기 슬릿 코터 장치는 일 방향으로 연장되는 레지스트액 공급구를 갖는 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 차광성막 표면에 대하여 상기 일 방향에 교차하는 방향으로 노즐을 상대 이동시켜 레지스트막을 형성하는 장치인 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 차광성막은, 막면 반사율이 최소가 되는 최소 반사율이 350㎚∼450㎚의 파장 대역에 존재하는 마스크 블랭크를 선정하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 차광성막은, 상기 레이저 묘화 파장을 포함하는 350㎚∼450㎚에 걸친 파장 대역에 있어서, 막면 반사율의 변동폭이 2% 미만의 범위가 되는 마스크 블랭크를 선정하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 마스크 블랭크 상에 형성하는 레지스트막은, 400∼800㎚의 막두께로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  11. 투광성 기판 상에, 차광성막을 적어도 갖고, 상기 차광성막 상에 슬릿 코터 장치로 형성되는 레이저 묘화용 레지스트막을 갖는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크로서,
    상기 차광성막은, 350㎚∼500㎚의 파장 대역으로부터 선택된 레이저 묘화 파장에 대한 막면 반사율이 15% 이하로 되도록 제어된 막이고,
    상기 레지스트막은, 400㎚~1200㎚로부터 선택되는 막두께를 갖고,
    상기 슬릿 코터 장치는, 일 방향으로 연장 되는 레지스트액 공급구를 갖는 노즐로부터 레지스트액을 토출시키면서, 상기 차광성막 표면에 대하여 상기 일 방향에 교차하는 방향으로 노즐을 상대 이동시켜 레지스트막을 형성하는 장치인 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 레지스트막은, 400∼800㎚의 막두께로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트막의 면내 막두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장과 동일한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 차광성막은 상층에 크롬산 질화계 막인 반사 방지층을 구비하고, 상기 반사 방지층의 하층에 크롬 질화계 막을 구비하고,
    상기 레지스트막의 면내 막 두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장보다 작은 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크의 설계방법.
  17. 제7항에 있어서,
    상기 레지스트막의 면내 막 두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장과 동일한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  18. 제7항에 있어서,
    상기 차광성막은, 상층에 크롬산 질화계 막인 반사 방지층을 구비하고, 상기 반사 방지층의 하층에 크롬 질화계 막을 구비하고,
    상기 레지스트막의 면내 막 두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장보다 작은 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크의 제조방법.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 레지스트막의 면내 막 두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장과 동일한 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 차광성막은, 상층에 크롬산 질화계 막인 반사 방지층을 구비하고, 상기 반사 방지층의 하층에 크롬 질화계 막을 구비하고,
    상기 레지스트막의 면내 막 두께 편차 폭은, 상기 레이저 묘화 파장의 반파장보다 작은 것을 특징으로 하는 FPD 디바이스 제조용 마스크 블랭크.
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