KR101399836B1 - Wafer wetting appartus and method after chemical mechanical polishing rpocess - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a device and a method for wetting a wafer after a chemical mechanical polishing process. The wetting device for removing foreign materials while maintaining the process surface of a wafer finishing a chemical mechanical polishing process in a wet state comprises a water tank for receiving deionized water; a deionized water inlet introducing the deionized water into the water tank through the bottom surface of the water tank and inclined outward from the center part of the water tank to introduce the deionized water into the water tank; and a deionized water outlet formed on the outer edge of the water tank. The present invention can remove the foreign materials from the processed surface and can maintain the processed surface in the wet state by flowing the deionized water introduced from the deionized water inlet until the deionized water is discharged to the deionized water outlet positioned in the edge of the water tank in a state where the processed surface of the wafer is in contact with the deionized water flowing in the water tank.

Description

화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 웨팅 장치 및 방법 {WAFER WETTING APPARTUS AND METHOD AFTER CHEMICAL MECHANICAL POLISHING RPOCESS}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus and a wafer polishing apparatus,

본 발명은 웨이퍼의 웨팅 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태를 유지하면서 슬러리 등의 상대적으로 큰 찌꺼기 등의 이물질을 웨이퍼의 공정면으로부터 제거하는 웨이퍼 웨팅 장치 및 방법을 제안한다.
The present invention relates to a wafer wetting apparatus and method, and more particularly, to a wafer wetting apparatus and method for wafers, which are capable of holding a relatively large wet residue such as a slurry from a process surface of a wafer And removing the wafer from the wafer.

화학기계적 연마(CMP) 공정은 반도체소자 제조과정 중 마스킹, 에칭 및 배선공정 등을 반복 수행하면서 생성되는 웨이퍼 표면의 요철로 인한 셀 지역과 주변 회로지역간 높이 차를 제거하는 광역 평탄화와, 회로 형성용 콘택/배선막 분리 및 고집적 소자화에 따른 웨이퍼 표면 거칠기 향상 등을 도모하기 위하여, 웨이퍼의 표면을 정밀 연마 가공하는데 사용된다. The chemical mechanical polishing (CMP) process is widely used for planarization to remove the height difference between the cell area and the peripheral circuit area due to the irregularities of the wafer surface generated by repeatedly performing masking, etching, and wiring processes during the semiconductor device manufacturing process, The surface of the wafer is subjected to precision polishing to improve the surface roughness of the wafer due to contact / wiring film separation and highly integrated elements.

이러한 CMP 공정은 웨이퍼의 공정면이 연마 패드에 가압된 상태로 회전시켜 기계적 연마를 행하며, 동시에 웨이퍼 공정면에 슬러리가 공급되어 화학적 연마를 행하여, 웨이퍼의 공정면을 정교하게 평탄화한다. 이와 같은 CMP 공정을 마치면, CMP공정을 마친 웨이퍼는 세정 공정으로 이동하여 표면에 묻은 이물질을 말끔히 세정된다. In the CMP process, the process surface of the wafer is rotated while being pressed against the polishing pad to perform mechanical polishing, and at the same time, the slurry is supplied to the wafer process surface to chemically polish the wafer surface to finely planarize the process surface of the wafer. After completing the CMP process, the wafer that has undergone the CMP process moves to the cleaning process, and the foreign substances on the surface are cleanly cleaned.

그러나, 최근 CMP 공정은 본 출원인이 출원하여 특허등록된 대한민국 등록특허공보 제10-1188579호에 개시된 바와 같이 연속적으로 웨이퍼의 연마 공정이 행해지는 경우에는, CMP공정을 마친 웨이퍼가 곧바로 세정 공정에 투입되지 못하고 대기하는 시간이 발생된다. 그런데, 웨이퍼의 대기 시간 동안 연마된 웨이퍼의 공정 면이 대기에 노출되면, 연마 입자 및 슬러리가 웨이퍼의 공정면에 들러붙어, 차후에 세정 공정을 거치더라도 웨이퍼의 공정면이 손상될 수 있다. 따라서, CMP 공정을 마친 웨이퍼는 대기 시간 동안 젖음 상태를 유지하는 것이 필요하다.However, in the recent CMP process, when the polishing process of the wafer is continuously performed as disclosed in Korean Patent Registration No. 10-1188579 filed by the present applicant and patented, the wafer after the CMP process is immediately put into the cleaning process And a waiting time occurs. However, if the process surface of the polished wafer is exposed to the atmosphere during the waiting time of the wafer, the abrasive particles and slurry may stick to the process surface of the wafer, and the process surface of the wafer may be damaged even if the cleaning process is subsequently performed. Therefore, it is necessary that the wafer after the CMP process is maintained in the wet state during the waiting time.

이를 위하여, 종래에는 도1에 도시된 바와 같이 CMP공정을 마친 웨이퍼(W)는 캐리어 헤드(10)에 파지된 상태에서, 다수의 분사 노즐(20)로부터 분사되는 순수(55, Deionized Water; DIW)에 의하여 웨이퍼(W)의 공정면(99)은 젖은 상태로 유지된다. 그러나, 도 1에 도시된 종래의 웨이퍼 웨팅 장치(1)는 매우 많은 양의 순수가 소요될 뿐만 아니라, 노즐(20)이 촘촘하게 배열되지 않거나 노즐(20)로부터 순수가 방사 형태로 분사되되지 않으면 공정면(99)을 골고루 웨팅(wetting)하기 어려우며, 분사된 순수(55)가 다른 공기 중에 부유하여 다른 공정으로 전이되는 문제가 발생될 수 있는 문제가 있었다. 1, the wafer W having undergone the CMP process is immersed in the pure water 55 (Deionized Water; DIW), which is sprayed from the plurality of injection nozzles 20 while being held by the carrier head 10, The process surface 99 of the wafer W is kept wet. However, not only does the conventional wafer-wetting apparatus 1 shown in Fig. 1 require a very large amount of pure water, but also when the nozzles 20 are not arranged densely or pure water is not ejected in a radial pattern from the nozzles 20 It is difficult to uniformly wet the surface 99 and there is a problem that the sprayed pure water 55 may be floated in other air and transferred to another process.

한편, 도1에 도시된 종래의 방안과 다른 도2에 도시된 웨팅 장치(2)를 고려해볼 수 있다. 이는, 도2에 도시된 수조(30)에 유입구(31)를 통해 순수를 유입(55i)하여 순조(30)를 채운 후, CMP공정을 마친 웨이퍼(W)를 그 다음 세정 공정으로 이동시킬 때까지 담가두는 방식이다. 그러나, 이 방식은 수조(30)에 담긴 순수(55)에 웨이퍼(W)의 공정면(99)이 잠기도록 캐리어 헤드(10)를 하강하는 공정이 필요하여 공정 시간이 증가하며, 수조에 채워진 순수를 주기적으로 교체해야 하는 단점이 있고, 무엇보다도 공정면(99)에 묻어있는 큰 이물질을 거의 제거할 수 없는 한계가 있다.
On the other hand, the wetting apparatus 2 shown in Fig. 2 different from the conventional scheme shown in Fig. 1 can be considered. This is because when the pure water 30 is filled in the water tank 30 shown in FIG. 2 through the inlet 31 through the inlet 31 and then the wafer W after the CMP process is moved to the next cleaning process . However, this method requires a step of lowering the carrier head 10 so that the processing surface 99 of the wafer W is immersed in the pure water 55 contained in the water tank 30, thereby increasing the processing time, There is a disadvantage that the pure water needs to be periodically replaced, and most of all, there is a limit in that large foreign matters on the processing surface 99 can hardly be removed.

본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태를 유지하면서 슬러리 등의 상대적으로 큰 찌꺼기 등의 이물질을 웨이퍼의 공정면으로부터 제거하는 웨이퍼 웨팅 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned technical background, and an object of the present invention is to provide a wafer polishing method and a wafer polishing method for polishing a surface of a wafer on which a chemical mechanical polishing process has been performed, It is an object of the present invention to provide a wetting apparatus and method.

이와 동시에, 본 발명은 웨이퍼의 웨팅 상태를 지속하는 동안에 소비되는 순수의 사용량을 최소화하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
At the same time, the present invention has another object to minimize the amount of pure water consumed while maintaining the wafer's wetting state.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학 기계적 연마 공정을 마친 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 이물질을 제거하는 웨팅 장치로서, 순수를 수용하는 수조와; 상기 수조의 바닥면을 통해 상기 수조 내에 유입시키되, 상기 수조의 중앙부로부터 바깥을 향하는 방향 성분을 갖고 순수를 상기 수조 내에 유입시키는 순수 유입구와; 상기 수조의 바깥 가장자리에 형성된 순수 배출구를; 포함하여 구성되어, 상기 수조 내에서 유동하는 순수에 상기 웨이퍼의 상기 공정면이 접촉하게 한 상태에서, 상기 순수 유입구로부터 유입된 순수가 상기 수조의 가장자리에 위치한 상기 순수 배출구에 배출될 때까지 유동하면서 상기 공정면의 이물질을 떼어내며 젖음 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a wetting apparatus for removing foreign substances while maintaining a process surface of a wafer after a chemical mechanical polishing process in a wet state, comprising: a water tank for containing pure water; A pure water inlet for introducing pure water into the water tank through a bottom surface of the water tank, the purified water having a direction component directed outward from a central portion of the water tank; A pure water outlet formed at an outer edge of the water tank; Wherein pure water flowing from the pure water inlet is discharged to the pure water outlet located at the edge of the water tank while the process surface of the wafer is in contact with the pure water flowing in the water tank And removing the foreign matter on the processing surface to maintain the wetted state.

이는, 수조에 담긴 순수가 중앙부로부터 바깥으로 흘러나가도록 유도하면서, 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 큰 이물질을 씻어낼 수 있으므로, 순수의 사용량을 최소화하면서 웨이퍼 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 슬러리 등 큰 이물질을 제거할 수 있도록 하기 위함이다. This is because it is possible to wash away large foreign matter while maintaining the process surface of the wafer in a wet state while guiding the pure water contained in the water tank to flow outward from the center portion. Therefore, while maintaining the wafer process surface in a wet state while minimizing the amount of pure water And to remove large foreign substances such as slurry.

여기서, 상기 순수 유입구는 경사진 통로를 통해 순수를 상기 수조 내에 유입하여, 유입 방향으로 상기 순수가 상기 수조 내에서 의도한 방향으로 유동하도록 유도할 수 있다. 즉, 통로의 경사진 방향으로 순수가 수조 내에 흐르므로, 수조 내에서의 유동 방향을 원하는 대로 유도할 수 있다. Here, the pure water inlet may introduce pure water into the water tank through an inclined passage so that the pure water flows in an intended direction in the water tank. That is, since pure water flows in the water tank in the inclined direction of the passage, the flow direction in the water tank can be guided as desired.

이를 이용하여, 본 발명은, 상기 순수 유입구의 경사진 통로는 반경 바깥 방향과 원주 방향 성분을 갖도록 형성되어, 상기 순수 유입구로부터 유입된 순수는 상기 수조 내에서 나선(spiral) 방향으로 유동하도록 구성된다는 점에 큰 특징이 있다. 이를 통해, 수조로 유입된 순수는 나선 방향의 유동 경로를 따라 중앙부에서 바깥으로 이동하면서, 웨이퍼의 공정면을 적시면서 이물질을 제거한다. 이와 같이 나선 방향의 유동 경로는 수조에 유입된 순수의 이동 경로를 길게 연장하여 공정면과의 접촉시간을 극대화할 수 있으므로, 적은 양의 순수를 수조에 공급하더라도 보다 오랜 시간 동안 공정면의 젖음 상태를 유지할 수 있으며, 나선 형태의 유동 경로에 의하여 공정면으로부터 이물질을 보다 효과적으로 분리시킬 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다.Using this, the present invention is characterized in that the inclined passage of the pure water inlet is formed to have a radially outward direction and a circumferential component, and pure water introduced from the pure water inlet is configured to flow in a spiral direction in the water tank There is a big feature in point. Through this, the pure water introduced into the water tank moves away from the center portion along the flow path in the spiral direction while removing impurities while wetting the wafer surface. As described above, the spiral flow path maximizes the contact time with the process surface by prolonging the flow path of the pure water introduced into the water tank. Therefore, even if a small amount of pure water is supplied to the water tank, And it is possible to obtain an advantageous effect that the foreign matter can be more effectively separated from the processing surface by the spiral flow path.

이 때, 상기 순수 유입구는 다수로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 순수 유입구는 상기 수조의 중앙부로부터 반경 바깥으로 여러개 배열될 수 있는데, 수조 중심으로부터 반경 바깥으로 멀리 떨어진 위치에 배열될 수록, 상기 순수 유입구의 경사진 통로의 경사도가 더 낮게 형성됨으로써, 수조 내의 순수의 유동을 나선 형태로 보다 확실하게 유도할 수 있다.
At this time, the pure water inlet may be formed in a plurality of. For example, the pure water inflow port may be arranged in a plurality of radial outward directions from the center of the water tank, and the inclined path of the inclined path of the pure water inflow port is formed to be lower as the water inflow port is arranged far away from the center of the water tank , The flow of the pure water in the water tank can be reliably guided in a spiral form.

한편, 순수 배출구는 상기 수조의 순수 유입구와 멀리 이격된 수조의 가장 자리 부근에 위치할 수 있다. 그리고, 상기 순수 배출구는 수조의 가장 자리를 흘러 넘치는 순수를 배출하도록 구성될 수 있다. 이를 통해, 수조에 유입되는 순수의 유동 경로를 최대로 길게 유도할 수 있다. On the other hand, the pure water outlet may be located near the edge of the water tank remote from the pure water inlet of the water tank. The pure water outlet may be configured to discharge pure water flowing over the edge of the water tank. As a result, the flow path of the pure water flowing into the water tank can be maximally guided.

무엇보다도, 순수가 수조에 채워진 후 수조의 가장 자리를 흘러 넘치는 것에 의해 배출되도록 구성함에 따라, 캐리어 헤드에 파지된 웨이퍼는 하방으로 이동하지 않고 수평 이동만으로도 웨이퍼의 젖음 상태로 유지할 수 있다. 즉, 순수 유입구를 통해 순수가 수조에 공급되지 않은 상태에서는, 웨이퍼의 공정면이 수조의 수면에 근접 배치되지만, 순수 유입구를 통해 순수가 수조에 공급되면서, 웨이퍼의 공정면까지 수조의 수위가 높아지면서 순수가 공정면까지 채워지고, 공정면을 젖은 상태로 유지하면서 반경 바깥으로 흘러나가면서 큰 이물질을 분리하면서 수조 가장자리를 흘러 넘쳐 배출된다. 이에 의하여, 캐리어 헤드의 이동 경로를 수평 방향으로만 제어하여도 웨이퍼 웨팅 장치에서 젖음 상태를 유지할 수 있으므로, 공정 시간이 단축되는 잇점을 얻을 수 있다.First of all, by structuring the pure water to be discharged by overflowing the edge of the water tank after being filled in the water tank, the wafer gripped by the carrier head can be kept in the wet state of the wafer by horizontal movement without moving downward. That is, in the state where pure water is not supplied to the water tank through the pure water inlet, the process surface of the wafer is disposed close to the water surface of the water tank, but pure water is supplied to the water tank through the pure water inlet, The pure water is filled up to the process surface and flows over the edge of the water tank while discharging large foreign matter while flowing out of the radius while keeping the process surface wet. Thus, even if the movement path of the carrier head is controlled only in the horizontal direction, it is possible to maintain the wet state in the wafer wetting apparatus, so that the processing time can be shortened.

이 때, 상기 수조의 가장 자리에는 수조의 깊이를 유지하는 걸림턱이 형성된 것이 바람직하다. 그리고, 상기 걸림턱의 내측은 경사면으로 형성되어, 수조 내의 순수가 바깥으로 흘러넘칠 때에 와류를 유도하지 않고 부드럽게 배출되어, 웨이퍼의 공정면으로부터 분리해낸 이물질도 함께 수조 바깥으로 일부 배출시킬 있다.At this time, it is preferable that a latching jaw for maintaining the depth of the water tank is formed at the edge of the water tank. The inner side of the latching jaw is formed as an inclined surface so that when the pure water in the water tank overflows, the vortex is smoothly discharged without inducing a vortex so that foreign substances separated from the processing surface of the wafer can be partially discharged to the outside of the water tank.

상기 걸림턱은 상기 웨이퍼를 파지하고 있는 캐리어 헤드의 리테이너 링과 마주보게 배치된다. 이를 통해, 걸림턱과 리테이너 링의 좁은 사잇 공간을 통해 순수가 수조 바깥으로 흘러 넘치므로, 순수 유입구에서 유입되는 순수의 유량이 과도하지 않더라도, 웨이퍼와 걸림턱 상면 사이의 공간을 채워 웨이퍼를 젖음 상태로 하는 것이 매우 용이해진다.
The retaining jaw is disposed to face the retainer ring of the carrier head holding the wafer. Thus, even if the flow rate of the pure water flowing from the pure water inlet is not excessively large, the space between the wafer and the upper surface of the engaging jaw is filled with the pure water flowing out of the water tank through the narrow quadrant space of the catching jaw and the retainer ring, Is very easy.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 화학 기계적 연마 공정을 마친 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 이물질을 제거하는 웨팅 방법으로서, 상기 수조의 바닥면을 통해 순수를 유입시키는 순수 유입 단계와; 상기 수조의 중앙부로부터 바깥을 향하는 방향 성분을 갖고 순수가 상기 수조 내에서 유동하면서 배출되도록 하는 과정에서, 상기 웨이퍼의 공정면이 순수에 젖음 상태를 유지하면서 이물질이 제거되는 순수 유동 단계를; 포함하여 구성되어, 상기 수조에 흐르는 순수에 상기 웨이퍼의 상기 공정면이 젖음 상태를 유지하면서 상기 공정면의 이물질을 제거되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a wetting method for removing foreign substances while maintaining a process surface of a wafer after a chemical mechanical polishing process is performed in a wet state, the wetting method comprising: a pure water inflow ; A pure water flow step of removing impurities while maintaining a wet state of the process surface of the wafer in a process of discharging pure water having a direction component from the center portion of the water tank to the outside while flowing in the water tank; Wherein the foreign matter on the process surface is removed while the process surface of the wafer is maintained in a wet state in the pure water flowing in the water tank.

상기 순수 유동 단계는, 경사진 통로를 통과하여 상기 순수 유입구를 통해 순수가 상기 수조 내에 유입됨으로써, 상기 순수가 상기 수조 내에서 상기 통로의 방향으로 유동하도록 유도할 수 있다. The pure water flowing step may introduce pure water into the water tank through the inclined passage and through the pure water inlet so that the pure water flows in the water tank in the direction of the passage.

그리고, 상기 순수 유입구의 경사진 상기 통로는 반경 바깥 방향과 원주 방향 성분을 갖도록 형성되어, 상기 순수 유입구로부터 유입된 순수는 상기 수조 내에서 나선(spiral) 방향으로 유동하는 것이 효과적이다.In addition, the inclined passage of the pure water inlet is formed to have a radially outward direction and a circumferential direction component, and it is effective that the pure water introduced from the pure water inlet flows in the spiral direction in the water tank.

본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 상기 순수 유입 단계는, 다수의 상기 순수 유입구를 통해 순수를 상기 수조 내에 유입하도록 구성될 수 있다. According to another embodiment of the present invention, the pure inflow step may be configured to introduce pure water into the water tank through a plurality of the pure inflow ports.

그리고, 순수 배출구는 상기 수조의 가장자리를 흘러 넘치는 순수를 배출한다. 이 때, 상기 수조의 가장 자리에는 수조의 깊이를 유지하는 걸림턱이 형성되는 것이 좋다. The pure water outlet discharges pure water flowing over the edge of the water tank. At this time, it is preferable that a stopping jaw for maintaining the depth of the water tank is formed at the edge of the water tank.

또한, 상기 순수 유입 단계 이전에, 화학 기계적 연마 공정을 마친 상기 웨이퍼를 캐리어 헤드에 파지된 상태로 상기 수조에 근접시키는 웨이퍼 근접 단계를; 더 포함하되, 상기 웨이퍼 근접단계에서 상기 웨이퍼의 상기 공정면은 순수에 젖지 않은 상태로 유지하다가, 상기 순수 유입 단계에서 상기 수조 내의 수위가 높아지면서 상기 공정면이 상기 순수에 젖도록 구성될 수 있다. 즉, 웨이퍼가 상하 이동하지 않더라도 젖음 상태로 위치할 수 있다. 이 때, 상기 걸림턱은 상기 웨이퍼를 파지하고 있는 캐리어 헤드의 리테이너 링과 마주보는 것이 좋다. Further, a wafer proximity step of bringing the wafer, which has undergone the chemical mechanical polishing process before the pure water inflow step, is brought close to the water tank in a state gripped by the carrier head; Wherein the processing surface of the wafer in the wafer proximity step is not wetted with pure water while the water level in the water tank is increased in the pure inflow step so that the processing surface is wetted with the pure water . That is, even if the wafer does not move up and down, it can be positioned in a wet state. At this time, it is preferable that the retaining jaw faces the retainer ring of the carrier head holding the wafer.

본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '저압' 및 이와 유사한 용어는, '가정용 수도꼭지를 이용하여 수돗물을 트는 정도의 압력 범위' 또는 '기포를 일부러 넣지 않은 상태에서 기포가 함께 배출되지 않을 정도의 압력 범위'를 지칭한다. 따라서, "저압으로 순수를 수조 내에 유입"한다는 기재 사항은 수돗물을 트는 정도의 압력 범위 내에서 순수를 수조 내에 유입한다는 의미이다. The term 'low pressure' and similar terms used in this specification and claims are to be interpreted to mean a pressure range that allows tap water to be blown using a household faucet or a pressure range in which air bubbles are not discharged together Quot; Therefore, the statement that "inflow of pure water into the water tank at a low pressure" means that pure water is introduced into the water tank within a pressure range enough to tap water.

또한, 본 명세서 및 특허청구범위에 기재된 '순수'라는 용어는 일반적인 탈염수(deionized water, DIW)를 지칭하는 것이지만, 웨이퍼에 손상시키지 않으면서 담가둘 수 있는 다른 액체를 전반적으로 모두 포함하는 의미로 정의하기로 한다.
In addition, the term 'pure water' as used in this specification and claims refers to general deionized water (DIW), but it is defined as including all other fluids that can be immersed without damaging the wafer .

본 발명에 따르면, 수조에 담긴 순수가 중앙부로부터 바깥으로 나선 형태로 유동하면서 배출되므로, 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 큰 이물질을 씻어낼 수 있으므로, 순수의 사용량을 최소화하면서 웨이퍼 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 슬러리 등 큰 이물질을 제거할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. According to the present invention, since the pure water contained in the water tank is discharged in a spiraling manner from the central portion to the outside, the large surface of the wafer can be washed while maintaining the process surface in a wet state. It is possible to obtain a favorable effect of removing large foreign substances such as slurry while maintaining the wet state.

또한, 본 발명은, 순수가 수조에 채워진 후 수조의 가장 자리를 흘러 넘치는 것에 의해 배출되도록 구성되어, 순수 유입구를 통해 순수가 수조에 공급되지 않은 상태에서는, 웨이퍼의 공정면을 수조의 수면에 근접 배치하면, 순수 유입구를 통해 순수가 수조에 공급되면서, 웨이퍼의 공정면까지 수조의 수위가 높아지면서 순수가 공정면까지 채워지고, 공정면을 젖은 상태로 유지하면서 반경 바깥으로 흘러나가면서 큰 이물질을 분리하면서 수조 가장자리를 흘러 넘쳐 배출되므로, 캐리어 헤드의 이동 경로를 상하로 이동하지 않고 수평 방향으로만 이동하여도 웨이퍼 웨팅 장치에서 젖음 상태를 유지할 수 있으므로, 캐리어 헤드의 공정 시간을 단축할 수 있는 잇점을 얻을 수 있다.
Further, the present invention is characterized in that, in a state in which pure water is filled in the water tank and then discharged by overflowing the edge of the water tank, when the pure water is not supplied to the water tank through the pure water inlet, When pure water is supplied to the water tank through the pure water inlet, pure water is filled up to the processing surface as the level of the water tank increases to the processing surface of the wafer, and while the process surface is kept wet, It is possible to maintain the wet state in the wafer weighing apparatus even when the carrier head moves only in the horizontal direction without moving the movement path of the carrier head upwardly and downwardly so that the advantage of shortening the processing time of the carrier head Can be obtained.

도 1은 종래의 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 도면,
도 2는 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치의 구성을 도시한 단면도,
도 4는 도 3의 'A'부분의 확대도,
도 5는 도 3의 수조의 평면도,
도 6은 도 5의 'B' 부분의 확대도,
도 7a 내지 도 7d는 도3의 웨이퍼 웨팅 장치를 이용한 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 방법에 따른 구성을 순차적으로 도시한 도면이다.1 is a view showing a configuration of a conventional wafer wetting apparatus,
2 is a diagram showing a configuration of a wafer-wetting apparatus,
3 is a cross-sectional view showing a configuration of a wafer-wetting apparatus according to an embodiment of the present invention,
4 is an enlarged view of a portion 'A' in FIG. 3,
Fig. 5 is a plan view of the water tank of Fig. 3,
6 is an enlarged view of a portion 'B' in FIG. 5,
FIGS. 7A to 7D sequentially illustrate the structure of the wafer wetting method according to the embodiment of the present invention using the wafer wetting apparatus of FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)를 상술한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해서는 동일 또는 유사한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, a wafer-wating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are designated by the same or similar reference numerals and the description thereof will be omitted for the sake of clarity of the present invention.

도3 내지 도6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, CMP 공정을 마친 웨이퍼(W)를 캐리어 헤드(10)에 파지된 상태로 젖음 상태가 유지되도록 하기 위한 것으로, 순수(77, DIW)를 수용하는 수조(110)와, 수조(110)의 바닥면(110a)을 통해 수조(110) 내에 순수(77)를 공급하는 순수 유입구(120)와, 수조(110)의 가장 자리의 경계턱(111)을 흘러넘친 순수(77)를 배출하는 순수 배출구(130)로 구성된다. 3 to 6, the wafer weaving apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is configured such that the wafer W having undergone the CMP process is maintained in a wet state while gripped by the carrier head 10 A pure water inlet 120 for supplying pure water 77 into the water tub 110 through a bottom surface 110a of the water tub 110, And a pure water discharge port 130 for discharging the pure water 77 flowing over the boundary rim 111 of the edge of the water tank 110.

상기 수조(110)는 도3 및 도4에 도시된 바와 같이 순수 유입구(120)를 통해 유입되는 순수(77)를 수용할 수 있도록 경계턱(111)이 둘레에 형성된다. 경계턱(111)은 수조(110)의 바닥면(110a)으로부터 소정의 높이(h)만큼 높게 형성되어, 경계턱(111)으로 둘러싸인 내측 공간에는 순수(77)가 항상 머무를 수 있는 환경이 제공된다. As shown in FIGS. 3 and 4, the water tank 110 is formed around the boundary step 111 so as to receive the pure water 77 flowing through the pure water inlet 120. The boundary tuck 111 is formed to be higher than the bottom surface 110a of the water tub 110 by a predetermined height h so that the pure water 77 can always stay in the inner space surrounded by the boundary tang 111 do.

수조(110)는 캐리어 헤드(10)의 저면 형상과 마찬가지인 원형으로 형성되는 것이 바람직하다. 경계턱(111)은 웨이퍼(W)를 감싸고 있는 캐리어 헤드(10)의 리테이너 링(12)과 마주보는 치수로 형성된다. 이에 따라, 수조(110) 내의 순수(77)가 경계턱(111)을 넘어 흘러넘치는 통로의 단면이, 경계턱(111) 내측의 공간의 단면에 비하여 작으므로, 순수 유입부(120)로부터 공급되는 순수(77)의 단위 시간당 유량이 작더라도, 경계턱(111)에 비하여 높은 위치에 있는 웨이퍼(W)의 공정면(99)과 수조(110)의 바닥면(110a) 사이의 공간에 순수(77)가 채워져, 웨이퍼(W)의 공정면(99)이 순수(77)에 의해 젖음 상태로 유지될 수 있다.The water tank 110 is preferably formed in a circular shape similar to the bottom surface shape of the carrier head 10. The boundary stop 111 is formed in a dimension opposite to the retainer ring 12 of the carrier head 10 surrounding the wafer W. [ As a result, the cross-section of the passage in which the pure water 77 in the water tray 110 flows over the boundary tuck 111 is smaller than the cross-section of the space inside the boundary tuck 111, Even if the flow rate per unit time of the pure water 77 is smaller than that of the pure water 77, the pure water 77 is supplied to the space between the process surface 99 of the wafer W at a position higher than the boundary step 111 and the bottom surface 110a of the water tank 110 The processing surface 99 of the wafer W can be maintained in a wet state by the pure water 77. In this case,

그리고, 경계턱(111)의 내측은 경사면(111a)으로 형성되어, 수조(110)에 모인 순수(77)가 경계턱(111)을 넘어 흘러 넘치는 동안에 와류가 주변에서 발생되는 것을 억제한다. 경계턱(111)을 넘어 흘러넘치는 순수를 수용하는 수용조(112)가 수조(110)의 반경 바깥에 마련되고, 이 수용조(112)에 모인 순수 및 이물질은 순수 배출구(130)를 통해 외부로 배출된다. The inside of the boundary tuck 111 is formed of an inclined surface 111a to suppress the generation of vortex around the pure water 77 collected in the water tank 110 while flowing over the boundary tuck 111. [ A pure water and a foreign substance gathered in the receiving tank 112 are supplied to the outside of the water tank 110 through the pure water outlet 130, .

도면에 도시되지 않았지만, 걸림턱(111)에 둘러싸인 순수(77)를 배출하는 배출구가 별도로 구비될 수 있다. 도면중 미설명 부호인 115는 수조(110)의 바깥에 수용조(112)를 형성하기 위한 외벽이다. 경우에 따라서는 공정면(99)의 세정 효과를 높이기 위하여, 순수 유입구(120)의 일부 또는 전부에 질소 버블을 주입할 수도 있다.
Although not shown in the drawing, a discharge port for discharging pure water 77 surrounded by the latching jaw 111 may be separately provided. Reference numeral 115 denotes an outer wall for forming the receiving tank 112 outside the water tub 110. In some cases, nitrogen bubbles may be injected into some or all of the pure water inlet 120 to enhance the cleaning effect of the process surface 99.

상기 순수 유입구(120)는 수조(110)의 바닥면(110a)에 다수 형성된다. 도3 및 도5에 도시된 바와 같이, 수조(110)의 바닥면(110a)에 드러난 순수 유입구(120)는 각각 경사진 통로(120p)와 연장되어, 순수 유입구(120)를 통해 유입되는 순수(77)는 수조(110)에 유입되는 순간, 순수(77)는 통로(120p)가 연장되는 방향(77i)으로 유동하게 된다. The pure water inflow ports 120 are formed on the bottom surface 110a of the water tub 110. 3 and 5, the pure water inflow ports 120 exposed on the bottom surface 110a of the water tub 110 are respectively extended to the inclined path 120p and are connected to the pure water inflow ports 120, The pure water 77 flows in the direction 77i in which the passage 120p extends as soon as the water 77 flows into the water tub 110. [

도6에 도시된 바와 같이, 순수 유입구(120)에 형성된 통로(120p)는 원주 방향에 소정의 각도(120b)만큼 틀어진 방향으로 형성된다. 이에 따라, 순수 유입구(120)로부터 유입되는 순수는 원주 방향 성분과 반경 바깥 방향 성분을 함께 갖는 방향(77i)으로 유동하고, 수조(110) 내에서 원심력에 의해 속도가 점점 빨라져 나선 방향(77f)으로 유동하게 된다. 따라서, 순수 유입구(120)로부터 유입된 순수(77)는 수조(110) 내에서 가능한 긴 경로로 유동하면서, 수조(110)의 가장자리에 위치한 걸림턱(111)을 흘러 넘칠때까지 웨이퍼(W)의 공정면(99)에 닿아 젖음 상태를 유지하면서 공정면(99)에 묻어있는 슬러리 및 연마 입자를 작은 전단력으로 씻어낼 수 있게 된다.As shown in FIG. 6, the passage 120p formed in the pure water inlet 120 is formed in a direction that is different by a predetermined angle 120b in the circumferential direction. The pure water flowing from the pure water inlet 120 flows in the direction 77i having both the circumferential component and the radially outward component and the velocity in the water tank 110 is gradually increased by the centrifugal force, . The pure water 77 flowing from the pure water inlet 120 flows into the water tank 110 through the longest possible path and flows into the water tank 110 until the catching jaw 111 at the edge of the water tank 110 overflows. The slurry and the abrasive grains on the processing surface 99 can be washed away with a small shear force while maintaining the wet state.

순수 유입구(120)에 의해 유입되는 순수(77)의 압력은 일반 가정에서 수돗물을 틀었을 때 나오는 압력의 정도의 저압으로 유지되는 것이 좋다. The pressure of the pure water 77 introduced by the pure water inlet 120 is preferably maintained at a low pressure of the degree of pressure when the tap water is turned on in a typical household.

순수 유입구(120)는 수조(110) 내에 다수 배치되는데, 도5 및 도6에 도시된 바와 같이, 동심원 형태의 가상 라인(120L1, 120L2, 120L3)을 따라 배열될 수 있다. 수조(110)의 중심으로부터 멀리 벗어난 가상 라인일수록 순수 유입구(120)에 형성되는 통로(120p)의 경사도가 더 낮게 형성되어, 수조(110) 내의 순수가 쉽게 반경 바깥으로 빠져나가기 보다는 나선 형태로 오랜 시간동안 머무르면서 젖음 상태를 유지할 수 있도록 보조한다. The pure inflow ports 120 are disposed in a large number in the water tub 110 and can be arranged along the concentric virtual lines 120L1, 120L2 and 120L3, as shown in Figs. The inclination of the passage 120p formed in the pure water inlet 120 is formed to be lower as the imaginary line is farther away from the center of the water tub 110 so that the pure water in the water tank 110 does not easily escape out of the radius, It helps to maintain the wet state while staying for a while.

상기 순수 유출구(130)는 수조(110)의 걸림턱(111)을 넘어 흘러나간 유동(77p)이 모이는 수용조(112)에 형성된다. 따라서, 수조(110)로부터 흘러 넘친 이물질을 일부 포함하는 순수(77)는 수용조(112)로부터 순수 유출구(130)를 통해 배출된다.
The pure water outlet 130 is formed in the receiving tank 112 where the flow 77p flowing over the latching jaw 111 of the water tub 110 is collected. The pure water 77 containing a part of the foreign matter flowing from the water tank 110 is discharged from the receiving tank 112 through the pure water outlet 130. [

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)는, 수조(110)에 담긴 순수(77)가 특정 방향으로 유동하도록 통로(120p)를 통해 수조(110) 내부에 대략 1cm/sec 내지 100cm/sec의 유속으로 유입되지만, 중앙부에서 반경 바깥을 향하여 나선 형태로 유동(77f)하면서 속도가 점점 빨라지고 긴 경로로 유동하다가 배출되므로, 적은 양의 순수(77)를 공급하더라도 웨이퍼(W)의 공정면(99)을 오랜 시간 동안 젖음 상태로 유지할 수 있으며, 이전에 행한 CMP 공정에서 웨이퍼(W)의 공정면(99)에 잔류하는 이물질들 중 큰 이물질을 공정면(99)으로부터 떼어내어 제거할 수 있는 유리한 효과를 얻을 수 있다. The wafer weirming apparatus 100 according to an embodiment of the present invention configured as described above is configured such that the pure water 77 contained in the water tank 110 flows into the water tank 110 through the passage 120p to flow in a specific direction, / sec to 100 cm / sec. However, since the fluid flows in the form of a spiral (77f) from the center toward the outside of the radius, the velocity gradually increases and flows through the long path and is discharged. W can be maintained in a wet state for a long time and a large foreign substance remaining on the processing surface 99 of the wafer W in the previous CMP process can be maintained from the processing surface 99 It is possible to obtain an advantageous effect that can be removed and removed.

그리고, 본 발명은, 순수(77)가 수조(110)에 유입된 후 수조(110)의 가장 자리를 흘러 넘치는 것에 의해 배출되도록 구성되어, 순수 유입구(120)를 통해 순수(77)가 수조(110)에 공급되지 않은 상태에서는, 웨이퍼(W)의 공정면(99)이 수조의 수면에 접촉하지 않지만, 순수 유입구(120)를 통해 순수(77)가 수조(110)에 공급됨에 따라 수조(110)의 수위가 웨이퍼(W)의 공정면(99)까지 높아지면서 공정면(99)을 젖게 하므로, 캐리어 헤드(10)를 상하로 이동시키지 않고 수평 방향으로만 이동하여도 웨이퍼 웨팅 장치(100)에서 젖음 상태를 유지할 수 있으므로, 캐리어 헤드의 이동 공정 시간을 단축할 수 있다.
The pure water 77 is introduced into the water tank 110 through the pure water inlet 120 after the purified water 77 flows into the water tank 110 and flows over the edge of the water tank 110. [ The pure water 77 is supplied to the water tank 110 through the pure water inlet port 120 while the process surface 99 of the wafer W does not contact the water surface of the water tank. 110 can be raised to the processing surface 99 of the wafer W so that the processing surface 99 is wetted so that even if the carrier head 10 moves only horizontally without moving up and down, ), It is possible to shorten the moving process time of the carrier head.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 웨팅 장치(100)를 이용한 웨이퍼 웨팅 방법을 상술한다.
A method of wafer wetting using the wafer-wetting apparatus 100 according to an embodiment of the present invention constructed as described above will be described in detail.

단계 1: 도7a에 도시된 바와 같이, 수조(110) 내에는 순수(77)가 걸림턱(111)의 높이만큼 채워져 있다. Step 1 : As shown in FIG. 7A, pure water 77 is filled up to the height of the catching jaw 111 in the water tub 110.

단계 2: 이 상태에서, 도7b에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 파지하고 있는 캐리어 헤드(10)가 수평 방향(55)으로 이동하여, 캐리어 헤드(10)의 리테이너 링(12)이 수조(110)의 걸림턱(111)과 정렬되도록 위치시킨다. 이 상태에서는, 웨이퍼(W)의 공정면(99)은 수조(110)의 순수(77)의 수면과 소정 거리(z)만큼 이격되어 있다.
 Step 2 : In this state, as shown in Fig. 7B, the carrier head 10 gripping the wafer moves in the horizontal direction 55, and the retainer ring 12 of the carrier head 10 is moved in the water tub 110 As shown in FIG. In this state, the processing surface 99 of the wafer W is separated from the water surface of the pure water 77 of the water tub 110 by a predetermined distance z.

단계 3: 그 다음, 도7c에 도시된 바와 같이, 순수 유입구(120)로부터 경사진 통로(120p)를 통해 순수(77)를 도면부호 77i로 표시된 방향으로 수조(110) 내에 유입시킨다. 경우에 따라서는 공정면(99)의 세정 효과를 높이기 위하여, 순수 유입구(120)의 일부 또는 전부에 질소 버블을 주입할 수도 있다.
 Step 3 : The pure water 77 is then introduced into the water tub 110 in the direction denoted by reference numeral 77i through the inclined passage 120p from the pure water inlet 120, as shown in Fig. 7C. In some cases, nitrogen bubbles may be injected into some or all of the pure water inlet 120 to enhance the cleaning effect of the process surface 99.

단계 4: 단계 3에서 유입된 순수(77)는 도5 및 도6에 도시된 나선 방향(77f)으로 회전하며 중심부로부터 가장자리까지 긴 경로로 유동하다가 걸림턱(111)을 넘어 수조 밖으로 배출된다. 이 과정에서, 걸림턱(111)과 리테이너 링(12) 사이의 간격이 상대적으로 작으므로, 수조(110) 내의 수위는 점점 높아져, 웨이퍼(W)의 공정면(99)이 순수(77)에 의하여 젖음 상태를 유지하면서 이물질의 일부도 함께 공정면(99)으로부터 분리시킨다. Step 4 : The pure water 77 introduced in step 3 is rotated in the spiral direction 77f shown in FIGS. 5 and 6 and flows along a long path from the center to the edge, and then is discharged to the outside of the water tank beyond the latching step 111. The water level in the water tank 110 becomes higher and higher so that the processing surface 99 of the wafer W is moved to the pure water 77 So that part of the foreign matter is separated from the processing surface 99 while maintaining the wet state.

단계 3 및 단계 4의 공정은 웨이퍼 웨팅 장치(100) 상에 머무는 웨이퍼(W)가 그 다음의 세정 공정이 준비되는 시점까지 계속된다.
The processes of steps 3 and 4 are continued until the wafer W staying on the wafer-wetting apparatus 100 is ready for the next cleaning process.

단계 5: 후속 공정인 세정 공정에서 웨팅 중인 웨이퍼(W)의 세정이 준비되면, 순수 유입구(120)를 통해 순수(77)가 수조(110) 내로 공급되는 것이 중단된다. 이에 따라, 수조(110) 내의 순수(77)의 수위는 걸림턱(111)의 높이로 낮아져, 웨이퍼(W)의 공정면(99)은 순수(77)로부터 떨어진다. Step 5 : When the wafers W are ready to be cleaned in the subsequent cleaning process, pure water 77 is stopped to be supplied into the water tank 110 through the pure water inlet 120. The level of the pure water 77 in the water tank 110 is lowered to the height of the latching jaw 111 so that the processing surface 99 of the wafer W falls away from the pure water 77. [

이 순간, 도7d에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(W)를 파지한 캐리어 헤드(10)는 수평 방향(55')으로 이동하여 세정 공정으로 이동한다.
At this moment, as shown in FIG. 7D, the carrier head 10 holding the wafer W moves in the horizontal direction 55 'and moves to the cleaning process.

이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modified, modified, or improved.

W: 웨이퍼 77: 순수
100: 웨이퍼 웨팅 장치 110: 수조
111: 걸림턱 112: 수용조
120: 순수 유입구 120p: 통로
130: 순수 배출구W: wafer 77: pure water
100: wafer-wating device 110:
111: Retaining jaw 112: Receiving tank
120: pure inlet 120p: passage
130: Pure water outlet

Claims (18)

캐리어 헤드에 파지된 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 이물질을 제거하는 웨팅 장치로서,
공급되는 순수(deionized water, DIW)를 수용하고, 수용된 순수의 깊이를 유지하는 걸림턱이 가장자리 둘레에 형성되어, 상기 걸림턱 내에 순수가 항상 채워진 상태를 유지하는 수조와;
상기 수조의 바닥면을 통해 순수를 상기 수조 내에 유입시키되, 반경 바깥 방향과 원주 방향 성분을 함께 갖는 방향으로 경사지게 형성되면서 상기 수조의 중앙부로부터 반경 바깥으로 배열될수록 경사진 통로의 경사도가 더 낮아지게 형성되어, 상기 수조로 유입된 순수가 상기 수조 내에서 나선(spiral) 방향으로 유동하게 하는 순수 유입구와;
상기 수조에 공급되는 순수를 가장자리의 상기 걸림턱을 흘러 넘치는 것에 의해 순수를 배출하는 순수 배출구를;
포함하여 구성되어, 상기 순수 유입구를 통해 상기 수조 내로 유입된 순수가 상기 걸림턱보다 높은 수위를 유지하면서 나선 방향으로 유동하여 상기 웨이퍼의 상기 공정면을 적시는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 장치.
1. A wetting apparatus for removing foreign matter while maintaining a process surface of a wafer gripped by a carrier head in a wet state,
A water tank for receiving deionized water (DIW) to be supplied and having a holding jaw around the periphery for maintaining the depth of the received pure water, so that pure water is always kept filled in the holding jaw;
And the inclined path is formed so as to be inclined as the inclination of the inclined passage is arranged as it is arranged out of the central part of the water tank from the central part while being formed to be inclined in the direction having both the radially outward direction and the circumferential direction component A pure water inlet through which pure water introduced into the water tank flows in a spiral direction in the water tank;
A pure water outlet for discharging pure water by flowing pure water supplied to the water tank through the catching jaw at the edge;
Wherein pure water flowing into the water tank through the pure water inlet flows in a spiral direction while maintaining a water level higher than the catching jaw so as to wet the process surface of the wafer.
제 1항에 있어서,
상기 걸림턱의 내측은 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 장치.
The method according to claim 1,
And the inner side of the latching jaw is formed as an inclined surface.
제 1항에 있어서,
상기 걸림턱은 상기 웨이퍼를 파지하고 있는 캐리어 헤드의 리테이너 링과 마주보는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the retaining jaw faces the retainer ring of the carrier head holding the wafer.
캐리어 헤드에 파지된 웨이퍼의 공정면을 젖음 상태로 유지하면서 이물질을 제거하는 웨팅 방법으로서,
화학 기계적 연마 공정을 마친 상기 웨이퍼를 캐리어 헤드에 파지된 상태로 수조에 근접시켜, 상기 웨이퍼를 파지하고 있는 상기 캐리어 헤드의 리테이너 링과 수조의 가장자리 둘레를 형성하는 단턱면이 서로 이격되게 상기 웨이퍼를 상기 수조 위에 위치시키는 단계와;
수조의 바닥면을 통해 순수가 반경 바깥 방향과 원주 방향 성분을 함께 가지면서, 상기 수조의 중앙부로부터 반경 바깥으로 배열될수록 상기 순수 유입구의 경사진 통로의 경사도가 더 낮아지게 형성된 순수 유입구를 통해 상기 수조 내에 순수를 유입시키는 순수 유입 단계와;
상기 순수 유입 단계에서 공급되는 순수(deionized water, DIW)가 상기 수조 내에 수용되면서 걸림턱으로 둘러싸인 내부에 순수가 채워지고, 상기 순수의 수위가 상기 걸림턱보다 높게 유지되면서, 상기 수조로 유입된 순수가 상기 수조 내에서 나선(spiral) 방향으로 유동하여 상기 걸림턱을 넘어 바깥으로 배출되는 과정에서, 상기 웨이퍼의 공정면이 순수에 젖음 상태를 유지하면서 이물질이 제거되는 순수 유동 단계를;
포함하여 구성되어, 상기 수조에 흐르는 순수에 상기 웨이퍼의 상기 공정면이 젖음 상태를 유지하면서 상기 공정면의 이물질을 제거되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 방법.
A method for removing foreign matter while maintaining a process surface of a wafer gripped by a carrier head in a wet state,
The wafer having been subjected to the chemical mechanical polishing process is brought close to the water tank in a state of being gripped by the carrier head so that the retainer ring of the carrier head holding the wafer and the stepped surfaces forming the circumferential edge of the water tank are spaced apart from each other, Placing on the water bath;
The pure water is supplied to the water tank through the pure water inlet formed so that the inclined degree of the inclined passage of the pure water inlet becomes lower as the pure water is arranged radially outward from the central portion of the water tank together with the radial outward direction and the circumferential direction component through the bottom surface of the water tank, A pure inflow step of inflowing pure water into the inflow port;
The deionized water DIW supplied in the pure inflow step is received in the water tank and pure water is filled in the inside surrounded by the stopping jaws and the water level of the pure water is maintained higher than the catching jaw, A pure water flowing step in which the process surface of the wafer is kept in a wet state while foreign substances are removed in a process of flowing in a spiral direction in the water tank and being discharged to the outside of the holding jaw;
Wherein the foreign matter on the processing surface is removed while maintaining the wetted state of the wafer on the pure water flowing in the water tank.
제 4항에 있어서, 상기 순수 유입 단계는,
버블을 함께 유입하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 웨팅 방법.

5. The method of claim 4, wherein the pure inflow step comprises:
And bubbles are introduced together.

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