JP2010034441A - Cleaning method for wafer, and device therefor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To sufficiently shorten a cleaning time for a wafer by cleaning the wafer without fixing it and thus omitting an operation for re-gripping the wafer. <P>SOLUTION: The cleaning method for the wafer includes jetting pure water over the entire surface of a disk-like base 12, having an external diameter smaller than the diameter of the wafer 11 and installed in a horizontal direction, to uniform height from the base 12; floating the disk-like wafer, placed concentrically with the base, over the base with the jetted pure water; and cleaning the lower surface of the wafer with the pure water jetted from the base. A cleaning device 10 includes the disk-like base 12 which has the external diameter smaller than the diameter of the wafer, has a plurality of equal-diameter jet holes 13a formed over the entire surface, and also has a hollow portion 12a communicating with the jet holes, formed in the base, and is installed in the horizontal direction, and a pure water supply means 21 of jetting the pure water from the plurality of jet holes through the hollow portion to the uniform height over the entire surface of the base. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、円板状の半導体ウェーハを1枚ずつ洗浄する枚葉式ウェーハの洗浄方法及びその装置に関するものである。   The present invention relates to a single wafer cleaning method and apparatus for cleaning a disk-shaped semiconductor wafer one by one.

近年における電子・通信機器の発展には、その中心となる半導体集積回路(LSI)の技術の進歩が大きく寄与している。一般に、LSI等の半導体デバイスの製造には、CZ法により引き上げられたシリコン単結晶をスライスして得られたウェーハに、研磨、面取り加工等を施して形成された半導体ウェーハが用いられている。このような、半導体ウェーハを用いたデバイス製造工程、或いは半導体ウェーハ自体の加工工程において、例えば、ウェーハ中に含まれる析出物の濃度分布を制御する等を目的として熱処理を施す場合があり、熱処理を施した後等にはその表面を純水により洗浄することが行われる。   Advances in the technology of semiconductor integrated circuits (LSIs) that play a central role in the development of electronic and communication devices in recent years have greatly contributed. In general, in the manufacture of a semiconductor device such as an LSI, a semiconductor wafer formed by polishing, chamfering or the like on a wafer obtained by slicing a silicon single crystal pulled by the CZ method is used. In such a device manufacturing process using a semiconductor wafer or a processing process of the semiconductor wafer itself, for example, heat treatment may be performed for the purpose of controlling the concentration distribution of precipitates contained in the wafer. After the application, the surface is washed with pure water.

従来のウェーハの洗浄は、そのウェーハを1枚ずつ洗浄する枚葉式が知られており、その枚葉式ウェーハの洗浄装置としては、アルミやステンレスに耐食性樹脂を被覆又はカバーした板と、その板の上面に対して平行に間隔を置いて設けられたウェーハ支持体とを備えたものが知られている(例えば、特許文献1参照。)。ウェーハ支持体は、洗浄の対象であるウェーハを板の表面から約3mm上方に水平に保持するように構成される。具体的には、ウェーハ支持体は、ウェーハを保持するための複数のクランプを有し、その複数のクランプによりウェーハの周囲を把持してそのウェーハを板の上方で水平に固定し、その状態でウェーハ支持体は0〜6000rpmの速度で中心軸の周りでウェーハを水平方向に回転又はスピンさせることができるように構成される。そして、この洗浄装置では、板とウェーハの間に純水が供給され、ウェーハと板との間にあるギャップを充填し、その純水によりウェーハの裏面を洗浄することができるとしている。
特表2004−519088号公報(明細書[0023]〜[0025]、図6a)
Conventional wafer cleaning is known as a single wafer type that cleans the wafers one by one. As the single wafer cleaning device, a plate of aluminum or stainless steel coated or covered with a corrosion-resistant resin, There is known one provided with a wafer support provided at a distance in parallel to the upper surface of the plate (see, for example, Patent Document 1). The wafer support is configured to hold the wafer to be cleaned horizontally about 3 mm above the surface of the plate. Specifically, the wafer support has a plurality of clamps for holding the wafer, holds the periphery of the wafer by the plurality of clamps, and fixes the wafer horizontally above the plate. The wafer support is configured so that the wafer can be rotated or spun horizontally around the central axis at a speed of 0 to 6000 rpm. In this cleaning apparatus, pure water is supplied between the plate and the wafer, the gap between the wafer and the plate is filled, and the back surface of the wafer can be cleaned with the pure water.
JP-T-2004-519088 (Specifications [0023] to [0025], FIG. 6a)

しかし、上記従来の洗浄装置では、ウェーハ支持体に設けられた複数のクランプにより洗浄するウェーハを水平に固定するので、そのクランプにより把持されるウェーハの周囲が十分に洗浄できない不具合があった。この点を解消するために、洗浄の途中でそのウェーハを把持するクランプの位置を変更することが行われるけれども、ウェーハを把持し直す作業が発生して、ウェーハの洗浄時間を十分に短縮できない問題点もあった。
本発明の目的は、ウェーハを固定することなく洗浄して、ウェーハを把持し直す作業を省略してウェーハの洗浄時間を十分に短縮し得るウェーハの洗浄方法及びその装置を提供することにある。
However, in the conventional cleaning apparatus, since the wafer to be cleaned is fixed horizontally by a plurality of clamps provided on the wafer support, there is a problem that the periphery of the wafer held by the clamp cannot be sufficiently cleaned. To solve this problem, the position of the clamp that holds the wafer is changed during cleaning, but the work to re-hold the wafer occurs and the cleaning time of the wafer cannot be shortened sufficiently. There was also a point.
An object of the present invention is to provide a wafer cleaning method and apparatus capable of sufficiently shortening the wafer cleaning time by cleaning the wafer without fixing and omitting the operation of re-gripping the wafer.

請求項1に係る発明は、ウェーハ径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベースからベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方法である。
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、ウェーハの下面洗浄時にベースから浮上するウェーハの上方から1又は2以上の洗浄ノズルによりウェーハの上面に純水を供給してウェーハの上面を洗浄する洗浄方法である。
請求項3に係る発明は、請求項1又は2に係る発明であって、洗浄ノズルからの水の供給とベースからの純水の噴出によりベースから浮上するウェーハをその円周方向に水平回転させる洗浄方法である。
According to the first aspect of the present invention, pure water is ejected from a horizontally installed disk-shaped base having an outer diameter smaller than the wafer diameter over the entire surface of the base to a uniform height. The wafer cleaning method is characterized in that a disk-shaped wafer placed concentrically with the substrate is floated horizontally and the lower surface of the wafer is cleaned with pure water ejected from a base.
The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1, wherein pure water is supplied to the upper surface of the wafer by one or more cleaning nozzles from above the wafer that floats from the base when cleaning the lower surface of the wafer. This is a cleaning method for cleaning the upper surface.
The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2, wherein the wafer floating from the base is horizontally rotated in the circumferential direction by supplying water from the cleaning nozzle and jetting pure water from the base. It is a cleaning method.

請求項4に係る発明は、ウェーハ径よりも小さな外径を有し全面に複数の同一径の噴出孔が形成されベース内部に噴出孔に連通する中空部が形成された水平に設置される円盤状のベースと、中空部を介して複数の噴出孔から純水をベース全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段とを備え、噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄装置である。
請求項5に係る発明は、請求項4に係る発明であって、ベースの上方に下向きの1又は2以上の洗浄ノズルを更に備え、ウェーハの下面洗浄時にベースから浮上するウェーハの上方から洗浄ノズルによりウェーハの上面に純水を供給してウェーハの上面を洗浄する洗浄装置である。
The invention according to claim 4 is a horizontally installed disk in which a plurality of ejection holes having the same diameter are formed on the entire surface, and a hollow portion communicating with the ejection holes is formed inside the base. And a pure water supply means for ejecting pure water from a plurality of ejection holes to a uniform height over the entire surface of the base through the hollow portion, and placed concentrically with the base above the base by the ejected pure water A wafer cleaning apparatus, wherein a disk-shaped wafer is floated horizontally, and the lower surface of the wafer is cleaned with pure water ejected from a base.
The invention according to claim 5 is the invention according to claim 4, further comprising one or more downwardly directed cleaning nozzles above the base, and the cleaning nozzle from above the wafer that floats from the base when cleaning the lower surface of the wafer. The cleaning apparatus supplies pure water to the upper surface of the wafer to clean the upper surface of the wafer.

請求項6に係る発明は、請求項4又は5に係る発明であって、複数の噴出孔の一部が鉛直方向に対して15〜60度傾斜して設けられ、噴出孔からの純水の噴出によりベースから浮上するウェーハをその円周方向に水平回転させるように構成された洗浄装置である。
請求項7に係る発明は、請求項4ないし6いずれか1項に係る発明であって、浮上するウェーハの位置より高い複数のガイドがベースの外周部に立設され、浮上するウェーハがベース上方から離脱するのを防止するように構成された洗浄装置である。
The invention according to claim 6 is the invention according to claim 4 or 5, wherein a part of the plurality of ejection holes is provided inclined at 15 to 60 degrees with respect to the vertical direction, and pure water from the ejection holes is provided. The cleaning apparatus is configured to horizontally rotate a wafer floating from a base by jetting in the circumferential direction.
The invention according to a seventh aspect is the invention according to any one of the fourth to sixth aspects, wherein a plurality of guides higher than the position of the floating wafer are erected on the outer periphery of the base, and the floating wafer is located above the base. It is the washing | cleaning apparatus comprised so that it might separate from.

本発明のウェーハの洗浄方法及びその装置では、ウェーハ径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベースからベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて噴出した純水によりベース上方にベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、ベースから噴出する純水によりウェーハの下面を洗浄するので、洗浄するウェーハを従来のウェーハ支持体に設けられた複数のクランプにより水平に固定するようなことをしない。このため、そのクランプにより把持される部分が洗浄できないような事態が発生することを防止することができ、洗浄の途中でそのウェーハを把持するクランプの位置を変更することを行う必要もない。このため、ウェーハを把持し直す作業を省略してウェーハの洗浄時間を十分に短縮することが可能になる。   In the wafer cleaning method and apparatus of the present invention, pure water is ejected from a horizontally installed disk-shaped base having an outer diameter smaller than the wafer diameter over the entire base surface to a uniform height. A disk-shaped wafer placed concentrically with the base above the base is floated horizontally, and the lower surface of the wafer is cleaned with pure water ejected from the base, so that a plurality of wafers to be cleaned are provided on a conventional wafer support. Do not fix it horizontally with a clamp. For this reason, it is possible to prevent a situation in which the portion gripped by the clamp cannot be cleaned, and it is not necessary to change the position of the clamp that grips the wafer during cleaning. For this reason, it is possible to omit the operation of re-gripping the wafer and sufficiently shorten the wafer cleaning time.

次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図1〜図3に示すように、ウェーハの洗浄装置10は、水平に設置されて洗浄の対象である円板状のウェーハ11(図1)が載せられるベース12を備える。この実施の形態におけるベース12は、フッ素樹脂から成るハット状の上板13と、塩化ビニール樹脂から成る平板状の下板14とを有する。図1に示すように、ハット状の上板13の周囲におけるフランジ13aには円周方向に複数の雌ねじ13bが形成され、その雌ねじ13bに対抗する下板14の周囲には下側から皿座ぐり孔14aが形成される。そして、図1の拡大図に示すように、その皿座ぐり孔14aに下側から皿小ねじ16を挿入して上板13のフランジ13aに形成された雌ねじ13bに螺合することにより下板14は上板13に取付けられ、この上板13と下板14から成るベース12の内部には中空部12aが形成される。
Next, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the wafer cleaning apparatus 10 includes a base 12 on which a disk-shaped wafer 11 (FIG. 1) that is installed horizontally and is a cleaning target is placed. The base 12 in this embodiment has a hat-like upper plate 13 made of a fluororesin and a flat plate-like lower plate 14 made of a vinyl chloride resin. As shown in FIG. 1, a plurality of female screws 13b are formed in the circumferential direction on the flange 13a around the hat-shaped upper plate 13, and the lower plate 14 that opposes the female screws 13b has a countersink from the lower side. A counterbore 14a is formed. Then, as shown in the enlarged view of FIG. 1, a countersunk screw 16 is inserted into the countersink hole 14a from below and screwed into a female screw 13b formed on the flange 13a of the upper plate 13 to thereby lower the lower plate. 14 is attached to the upper plate 13, and a hollow portion 12 a is formed inside the base 12 composed of the upper plate 13 and the lower plate 14.

図1〜図3に示すように、上板13の天面13cは平坦に形成され、その外径dが洗浄対象であるウェーハ11の外径Dよりも1.5〜5%小さく形成される。そして、この天面13cの全面にはベース12内部の中空部12aに連通する複数の同一径の噴出孔13dが形成される。図2では、洗浄対象であるウェーハ11の外径Dが30cmであって、ベース12の天面13cの外径dは290cmに形成されたものを示す。そして、噴出孔13dは直径が1mmであって、15mmピッチに天面13cの全面に形成される場合を示す。   As shown in FIGS. 1 to 3, the top surface 13 c of the upper plate 13 is formed flat, and its outer diameter d is 1.5 to 5% smaller than the outer diameter D of the wafer 11 to be cleaned. . A plurality of ejection holes 13d having the same diameter communicating with the hollow portion 12a inside the base 12 are formed on the entire top surface 13c. In FIG. 2, the outer diameter D of the wafer 11 to be cleaned is 30 cm, and the outer diameter d of the top surface 13c of the base 12 is 290 cm. The ejection holes 13d have a diameter of 1 mm and are formed on the entire top surface 13c at a pitch of 15 mm.

図1に示すように、このウェーハ11の洗浄装置10は、ベース12における中空部12aを介して複数の噴出孔13dから純水をベース12の天面13cにおける全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段21を備える。この例では、純水の噴出する天面13cからの高さは約3mmである。この純水供給手段21は、図示しない純水タンクと、そのタンクとベース12を連結する連結管22と、連結管22の中間に設けられてその連結管22を開閉するバルブ23と、図示しない供給ポンプとを備える。ベース12の下板14の中央には中空部12aに連通する雌ねじ孔14bが形成され、連結管22の一端がこの雌ねじ孔14bに連結され、連結管22の他端は図示しない純水タンクに連結される。図示しない供給ポンプは純水タンクに貯留された純水を連結管22を介してベース12の中空部12aに供給可能に構成され、バルブ23は連結管22を開閉してベース12に供給される純水の量を調整可能に構成される。   As shown in FIG. 1, the cleaning device 10 for the wafer 11 ejects pure water from the plurality of ejection holes 13 d through the hollow portion 12 a in the base 12 to a uniform height over the entire top surface 13 c of the base 12. A pure water supply means 21 is provided. In this example, the height from the top surface 13c from which pure water is ejected is about 3 mm. The pure water supply means 21 includes a pure water tank (not shown), a connecting pipe 22 that connects the tank and the base 12, a valve 23 that is provided between the connecting pipe 22 and opens and closes the connecting pipe 22, and is not shown. And a supply pump. A female screw hole 14b communicating with the hollow portion 12a is formed at the center of the lower plate 14 of the base 12, and one end of the connecting pipe 22 is connected to the female screw hole 14b. The other end of the connecting pipe 22 is connected to a pure water tank (not shown). Connected. A supply pump (not shown) is configured to be able to supply pure water stored in a pure water tank to the hollow portion 12a of the base 12 through the connecting pipe 22, and the valve 23 is supplied to the base 12 by opening and closing the connecting pipe 22. It is configured to adjust the amount of pure water.

そして、この洗浄装置10では、連結管22を介してベース12の中空部12aに供給された純水は、この中空部12aを介して複数の噴出孔13dから天面13cに噴出し、この吹き出した純水はベース12上方にベース12と同心に置かれる円板状のウェーハ11を水平に浮上させるように構成される。一方、複数の噴出孔13dの一部が鉛直方向に対して15〜60度傾斜して設けられる。この実施の形態では、複数の噴出孔13dの1割が円周方向に傾斜して設けられ、噴出孔13dからの純水の噴出によりベース12から浮上するウェーハ11をその円周方向に水平回転させるように構成される。そして、ベース12から浮上しかつ円周方向に水平回転するウェーハ11は、ベース12から噴出する純水によりそのウェーハ11の下面が洗浄されるように構成される。   In the cleaning device 10, the pure water supplied to the hollow portion 12a of the base 12 via the connecting pipe 22 is ejected from the plurality of ejection holes 13d to the top surface 13c via the hollow portion 12a. The pure water is configured so as to horizontally float a disk-shaped wafer 11 placed concentrically with the base 12 above the base 12. On the other hand, some of the plurality of ejection holes 13d are provided with an inclination of 15 to 60 degrees with respect to the vertical direction. In this embodiment, 10% of the plurality of ejection holes 13d are provided inclined in the circumferential direction, and the wafer 11 that floats from the base 12 by the ejection of pure water from the ejection holes 13d is horizontally rotated in the circumferential direction. Configured to let The wafer 11 that floats from the base 12 and rotates horizontally in the circumferential direction is configured such that the lower surface of the wafer 11 is cleaned by pure water ejected from the base 12.

また、ベース12の上板13におけるフランジ13aには、ウェーハ11より大きな円周上に複数の雌ねじ孔13eが形成され、この雌ねじ孔13eには浮上するウェーハ11の位置より高い複数のガイド24が螺合される。従って、このガイド24はベース12の外周部に立設され、浮上するウェーハ11がベース12上方から離脱するのを防止するように構成される。そして、ベース12の上方には、下向きの1又は2以上の洗浄ノズル26が備えられる。この洗浄ノズル26は、ウェーハ11の下面洗浄時にベース12から浮上するウェーハ11の上方からウェーハ11の上面に純水を供給してウェーハ11の上面を洗浄するように構成される。   A plurality of female screw holes 13e are formed on the flange 13a of the upper plate 13 of the base 12 on a circumference larger than that of the wafer 11, and a plurality of guides 24 higher than the position of the floating wafer 11 are provided in the female screw holes 13e. Screwed together. Therefore, the guide 24 is erected on the outer periphery of the base 12 and is configured to prevent the floating wafer 11 from being detached from above the base 12. One or two or more cleaning nozzles 26 are provided above the base 12. The cleaning nozzle 26 is configured to supply pure water to the upper surface of the wafer 11 from above the wafer 11 that floats from the base 12 when the lower surface of the wafer 11 is cleaned to clean the upper surface of the wafer 11.

次にこのような装置を用いた本発明のウェーハの洗浄方法を説明する。
先ず、ウェーハ11の外径Dよりも小さな外径dを有する水平に設置される円盤状のベース12からそのベース12全面にわたって純水を均一な高さに噴出させる。この純水の噴出は、図示しない供給ポンプを駆動して純水タンクに貯留された純水を連結管22を介してベース12に供給し、バルブ23により連結管22を開閉させてベース12に供給される純水の量を調整することにより行う。そして、この噴出した純水の上にウェーハ11を載せ、噴出した純水によりベース12上方にベース12と同心に置かれる円板状のウェーハ11を水平に浮上させる。そして、このベース12から噴出する純水により浮上するウェーハ11はその下面をその純水により洗浄することができる。
Next, the wafer cleaning method of the present invention using such an apparatus will be described.
First, pure water is ejected from a horizontally installed disk-shaped base 12 having an outer diameter d smaller than the outer diameter D of the wafer 11 over the entire surface of the base 12 to a uniform height. The pure water is ejected by driving a supply pump (not shown) to supply pure water stored in a pure water tank to the base 12 via the connecting pipe 22 and opening and closing the connecting pipe 22 by the valve 23 to the base 12. This is done by adjusting the amount of pure water supplied. Then, the wafer 11 is placed on the ejected pure water, and the disc-shaped wafer 11 placed concentrically with the base 12 above the base 12 is floated horizontally by the ejected pure water. Then, the lower surface of the wafer 11 that is levitated by pure water ejected from the base 12 can be washed with the pure water.

ここで、ウェーハ11がベース12と同心になるのは、ベース12の天面13cにおける外径dがウェーハ11の外径Dよりも小さいことから可能になるものであって、図1の拡大図に示すように、噴出した純水はウェーハ11の下面において矢印Wで示すようにウェーハ11の外周に至り、その後ベース12の天面13cの周囲から自重により下降することになる。ベース12の天面13cにおける外径dがウェーハ11の外径Dよりも小さと、ウェーハ11の外周の純水がベース12の天面13cの周囲から下降する時、純水の表面張力によりその純水はウェーハ11の周囲をベース12の天面13c周囲側に引っ張り、これによりウェーハ11はベース12の中央に常に引っ張られ、ウェーハ11はベース12と同心になる。   Here, the wafer 11 is concentric with the base 12 because the outer diameter d of the top surface 13c of the base 12 is smaller than the outer diameter D of the wafer 11, and is an enlarged view of FIG. As shown in FIG. 2, the jetted pure water reaches the outer periphery of the wafer 11 as indicated by an arrow W on the lower surface of the wafer 11 and then descends from the periphery of the top surface 13c of the base 12 by its own weight. When the outer diameter d of the top surface 13c of the base 12 is smaller than the outer diameter D of the wafer 11, when pure water on the outer periphery of the wafer 11 descends from the periphery of the top surface 13c of the base 12, the surface tension of pure water The pure water pulls the periphery of the wafer 11 toward the periphery of the top surface 13 c of the base 12, whereby the wafer 11 is always pulled to the center of the base 12 and the wafer 11 is concentric with the base 12.

従って、本発明の洗浄方法では、洗浄するウェーハ11を従来のウェーハ支持体に設けられた複数のクランプにより水平に固定するようなことをしない。このため、そのクランプにより把持される部分が洗浄できないような事態が発生することを防止することができ、洗浄の途中でそのウェーハ11を把持するクランプの位置を変更することを行う必要もない。即ち、本発明の洗浄方法では、ウェーハ11を固定することなく洗浄するので、ウェーハ11を把持し直す作業を省略してウェーハ11の洗浄時間を十分に短縮することが可能になるのである。   Therefore, in the cleaning method of the present invention, the wafer 11 to be cleaned is not fixed horizontally by a plurality of clamps provided on a conventional wafer support. For this reason, it is possible to prevent a situation in which a portion held by the clamp cannot be cleaned, and it is not necessary to change the position of the clamp that holds the wafer 11 during the cleaning. That is, in the cleaning method of the present invention, since the wafer 11 is cleaned without being fixed, the operation of re-gripping the wafer 11 can be omitted and the cleaning time of the wafer 11 can be sufficiently shortened.

また、この実施の形態では、洗浄ノズル26を設けたので、ウェーハ11の下面洗浄時にベース12から浮上するウェーハ11の上方から1又は2以上の洗浄ノズル26によりウェーハ11の上面に純水を供給することによりウェーハ11の上面を洗浄することができる。そして、洗浄ノズル26からの水の供給とベース12からの純水の噴出によりベース12から浮上するウェーハ11をその円周方向に水平回転させるので、その洗浄にムラが生じることも回避することができる。   Further, in this embodiment, since the cleaning nozzle 26 is provided, pure water is supplied to the upper surface of the wafer 11 by one or more cleaning nozzles 26 from above the wafer 11 that floats from the base 12 when the lower surface of the wafer 11 is cleaned. By doing so, the upper surface of the wafer 11 can be cleaned. And since the wafer 11 which floats from the base 12 is horizontally rotated in the circumferential direction by the supply of water from the cleaning nozzle 26 and the ejection of pure water from the base 12, it is possible to avoid occurrence of unevenness in the cleaning. it can.

本発明実施形態の洗浄装置の断面構成図である。It is a section lineblock diagram of a cleaning device of an embodiment of the present invention. その装置の上面図である。It is a top view of the apparatus. その装置の斜視図である。It is a perspective view of the device.

符号の説明Explanation of symbols

10 洗浄装置
11 ウェーハ
12 ベース
12a 中空部
13d 噴出孔
21 純水供給手段
24 ガイド
26 洗浄ノズル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Cleaning apparatus 11 Wafer 12 Base 12a Hollow part 13d Ejection hole 21 Pure water supply means 24 Guide 26 Cleaning nozzle

Claims (7)

ウェーハ径よりも小さな外径を有する水平に設置される円盤状のベースからベース全面にわたって純水を均一な高さに噴出させて前記噴出した純水により前記ベース上方に前記ベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、前記ベースから噴出する純水により前記ウェーハの下面を洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄方法。   Pure water is ejected from a horizontally installed disc-shaped base having an outer diameter smaller than the wafer diameter over the entire surface of the base to a uniform height, and is placed concentrically with the base above the base by the ejected pure water. A wafer cleaning method, wherein a disk-shaped wafer is floated horizontally, and the lower surface of the wafer is cleaned with pure water ejected from the base. ウェーハの下面洗浄時にベースから浮上するウェーハの上方から1又は2以上の洗浄ノズルにより前記ウェーハの上面に純水を供給して前記ウェーハの上面を洗浄する請求項1記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 1, wherein pure water is supplied to the upper surface of the wafer by one or more cleaning nozzles from above the wafer that floats from the base when the lower surface of the wafer is cleaned. 洗浄ノズルからの水の供給とベースからの純水の噴出によりベースから浮上するウェーハをその円周方向に水平回転させる請求項1又は2記載の洗浄方法。   The cleaning method according to claim 1 or 2, wherein the wafer floating from the base is horizontally rotated in the circumferential direction by supplying water from the cleaning nozzle and ejecting pure water from the base. ウェーハ径よりも小さな外径を有し全面に複数の同一径の噴出孔が形成されベース内部に前記噴出孔に連通する中空部が形成された水平に設置される円盤状のベースと、
前記中空部を介して複数の噴出孔から純水をベース全面にわたって均一な高さに噴出させる純水供給手段とを備え、
前記噴出した純水により前記ベース上方に前記ベースと同心に置かれる円板状のウェーハを水平に浮上させ、前記ベースから噴出する純水により前記ウェーハの下面を洗浄することを特徴とするウェーハの洗浄装置。
A horizontally installed disk-shaped base having an outer diameter smaller than the wafer diameter, a plurality of ejection holes having the same diameter formed on the entire surface, and a hollow portion communicating with the ejection holes formed inside the base,
Comprising pure water supply means for jetting pure water from the plurality of jet holes through the hollow portion to a uniform height over the entire surface of the base;
A disk-shaped wafer placed concentrically with the base above the base by the ejected pure water is floated horizontally, and the lower surface of the wafer is washed with pure water ejected from the base. Cleaning device.
ベースの上方に下向きの1又は2以上の洗浄ノズルを更に備え、ウェーハの下面洗浄時にベースから浮上するウェーハの上方から前記洗浄ノズルにより前記ウェーハの上面に純水を供給して前記ウェーハの上面を洗浄する請求項4記載の洗浄装置。   One or more downward cleaning nozzles are further provided above the base, and pure water is supplied to the upper surface of the wafer by the cleaning nozzle from above the wafer that floats from the base when the lower surface of the wafer is cleaned. The cleaning apparatus according to claim 4 for cleaning. 複数の噴出孔の一部が鉛直方向に対して15〜60度傾斜して設けられ、前記噴出孔からの純水の噴出により前記ベースから浮上するウェーハをその円周方向に水平回転させるように構成された請求項4又は5記載の洗浄装置。   A part of the plurality of ejection holes is provided with an inclination of 15 to 60 degrees with respect to the vertical direction, and the wafer floating from the base by the ejection of pure water from the ejection holes is horizontally rotated in the circumferential direction thereof. The cleaning apparatus according to claim 4 or 5, wherein the cleaning apparatus is configured. 浮上するウェーハの位置より高い複数のガイドがベースの外周部に立設され、前記浮上するウェーハが前記ベース上方から離脱するのを防止するように構成された請求項4ないし6いずれか1項に記載の洗浄装置。   The plurality of guides higher than the position of the floating wafer are erected on the outer peripheral portion of the base, and are configured to prevent the floating wafer from being detached from above the base. The cleaning device described.
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