KR20190071897A - Cleaning device of wafer polishing pad - Google Patents

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Abstract

The present invention relates to a cleaning apparatus of a wafer polishing pad, which is able to effectively remove foreign substances put on a brush which dresses the wafer polishing pad. According to the present invention, the cleaning apparatus of the wafer polishing pad comprises: a high-pressure spray nozzle which sprays a cleaning solution at a high pressure and a high speed towards an upper side of the wafer polishing pad; an arm rotatably and elevatably installed on the polishing pad; a brush placed on a lower surface of an end unit of the arm to dress a surface of the polishing pad; a water tank which has the brush which is able to be accommodated in accordance with a movement of the arm, and which stores the cleaning solution in which the brush can sink; and an ultrasonic generator placed in the water tank to generate an ultrasonic wave to remove foreign substances put on the brush.

Description

웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 {Cleaning device of wafer polishing pad}[0001] The present invention relates to a cleaning apparatus for cleaning a wafer,

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드를 드레싱하는 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus for a wafer polishing pad capable of effectively removing foreign matter adhering to a brush for dressing a wafer polishing pad.

일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.In general, a wafer widely used as a material for manufacturing semiconductor devices refers to a single crystal silicon thin plate made of polycrystalline silicon as a raw material.

이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.Such wafers include a slicing process of growing polycrystalline silicon into a single crystal silicon ingot and then cutting the silicon ingot into a wafer form, a lapping process of flattening the wafer by making the thickness uniform, An etching process for removing or alleviating damage caused by polishing, a polishing process for mirror-polishing the surface of the wafer, and a cleaning process for cleaning the wafer.

통상, 폴리싱 공정은 웨이퍼가 디바이스 과정에 들어가기에 앞서 최종적으로 평탄도와 표면 조도를 만드는 과정이기 때문에 매우 중요한 과정이다.In general, the polishing process is a very important process because it is the process of finally making the flatness and the surface roughness before the wafer enters the device process.

이러한 파이널 폴리싱 공정은, 캐리어에 의하여 이송된 웨이퍼가 폴리싱 패드 위에서 가압된 상태에서 회전함으로써, 웨이퍼의 표면이 기계적으로 평탄화되도록 하고, 동시에 폴리싱 패드 위로 화학적 반응을 수행하는 슬러리(slurry)를 공급함으로써, 웨이퍼의 표면이 화학적으로 평탄화되도록 한다.This final polishing process is performed by supplying a slurry for causing the surface of the wafer to be mechanically flattened while rotating the wafer transferred by the carrier while being pressed on the polishing pad and at the same time performing a chemical reaction on the polishing pad, So that the surface of the wafer is chemically flattened.

물론, 폴리싱 공정에서 효율적인 연마율 달성을 위해 폴리싱 패드의 표면 거칠기가 항상 일정하게 유지되어야 한다. Of course, in order to achieve an efficient polishing rate in the polishing process, the surface roughness of the polishing pad must be kept constant at all times.

하지만, 폴리싱 공정을 반복적으로 수행하는 폴리싱 패드는 그 표면 거칠기가 낮아짐에 따라 폴리싱 기능이 점진적으로 상실되는데, 이를 방지하기 위하여 별도로 폴리싱 패드의 상태를 최적화하는 세정 공정이 진행된다.However, as the surface roughness of the polishing pad repeatedly performing the polishing process is lowered, the polishing function is progressively lost. To prevent this, a cleaning process for optimizing the condition of the polishing pad is performed.

종래 기술에 따르면, 고압 고속의 세정액(HPMJ : High pressure micro jet)을 분사하는 동시에 폴리싱 패드를 브러시(brush)로 드레싱함으로써, 폴리싱 패드에 쌓이는 패드 부산물, 슬러리 부산물 등과 같은 이물질을 제거하는 동시에 폴리싱 패드의 표면 거칠기를 최적화시키는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정이 이뤄지고 있다. According to the prior art, foreign substances such as pad by-products, slurry by-products, and the like accumulated on the polishing pad are removed by spraying a high pressure micro jet (HPMJ) at a high pressure and high speed while dressing the polishing pad with a brush, A wafer polishing pad cleaning process is performed to optimize the surface roughness of the wafer polishing pad.

도 1은 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS가 도시된 그래프이고, 도 2는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS SEM 결과가 도시된 그래프이다.FIG. 1 is a graph showing 19 nm LLS before and after cleaning of the wafer polishing pad, and FIG. 2 is a graph showing 19 nm LLS SEM results before and after cleaning of the wafer polishing pad.

일반적으로, 폴리싱 패드의 세정 공정을 1회만 수행한 패드 크리닝 전에 비해 폴리싱 패드의 세정 공정을 30회 수행한 패드 크리닝 후에 폴리싱 패드의 세정 상태가 좋은 것으로 볼 수 있다.In general, the cleaning state of the polishing pad is good after the cleaning of the polishing pad by performing the cleaning process of the polishing pad 30 times as compared with that before the cleaning of the polishing pad by the cleaning process only once.

그런데, 패드 크리닝 전 폴리싱 패드로 연마된 웨이퍼에 비해 패드 크리닝 후에 폴리싱 패드로 연마된 웨이퍼를 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이 미세 19nm LLS 가 줄어들고, 도 2에 도시된 바와 같이 미세 19nm LLS SEM 결과 이물질에 의해 많이 발생되는 Jut,Pit, Scratch 등의 속성이 개선된다.As shown in FIG. 1, the fine 19 nm LLS is reduced and the fine 19 nm LLS SEM result is obtained as shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, when the wafer is polished with the polishing pad after the pad cleaning as compared with the wafer polished with the polishing pad before pad cleaning, The properties of Jut, Pit, Scratch, etc., which are frequently generated by foreign substances, are improved.

즉, 웨이퍼가 폴리싱 패드에 직접 접촉한 상태로 폴리싱 공정이 이뤄지기 때문에 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 상태에 의해 웨이퍼의 미세 결함이 좌우되는 것을 알 수 있다.That is, since the polishing process is performed in a state in which the wafer is in direct contact with the polishing pad, it can be seen that the micro defects of the wafer depend on the cleaning state of the wafer polishing pad.

따라서, 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정을 통하여 폴리싱 패드의 청정도를 높이기 위하여 브러시를 깨끗하게 관리하는 것이 필요하다.Therefore, it is necessary to cleanly maintain the brush in order to improve the cleanliness of the polishing pad through the cleaning process of the wafer polishing pad.

종래 기술에 따르면, 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정에 사용되는 브러시를 세정액에 담그는 형태로 브러시에 묻은 이물질을 제거하고자 하지만, 효과적으로 제거하기 어려운 실정이다.According to the prior art, it is difficult to effectively remove the foreign substances adhering to the brush in the form of immersing the brush used in the cleaning process of the wafer polishing pad into the cleaning liquid.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 폴리싱 패드를 드레싱하는 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a cleaning apparatus for a wafer polishing pad capable of effectively removing foreign materials adhering to a brush for dressing a wafer polishing pad.

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐; 상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암; 상기 암의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시; 상기 암의 움직임에 따라 상기 브러시가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조; 및 상기 수조에 구비되고, 상기 브러시에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치를 제공한다.The present invention relates to a high pressure spray nozzle for spraying high-pressure and high-speed cleaning liquid onto a wafer polishing pad; An arm rotatably mounted on the polishing pad and capable of being raised and lowered; A brush provided on an end surface of the arm and dressing the surface of the polishing pad; A water tank in which the brush is accommodated in accordance with the movement of the arm and in which a cleaning liquid capable of locking the brush is stored; And an ultrasonic generator provided in the water tank and generating an ultrasonic wave to remove foreign matter adhering to the brush.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치는 폴리싱 패드 표면을 드레싱하는 브러시를 세정액에 담그고, 초음파를 발생시켜 세정액 내부의 공동현상(cavitaion)을 발생시킴으로써, 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.The cleaning apparatus of the wafer polishing pad according to the present invention can effectively remove foreign matter adhering to the brush by soaking the brush for dressing the surface of the polishing pad in the cleaning liquid and generating cavitation inside the cleaning liquid by generating ultrasonic waves.

따라서, 브러시에 의해 드레싱되는 폴리싱 패드의 표면을 청결하게 세정할 수 있고, 폴리싱 패드에 의해 폴리싱되는 웨이퍼의 미세 결함을 저감시킬 수 있어 웨이퍼 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, the surface of the polishing pad dressed by the brush can be cleanly cleaned, the fine defects of the wafer to be polished by the polishing pad can be reduced, and the wafer quality can be improved.

도 1은 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS가 도시된 그래프.
도 2는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS SEM 결과가 도시된 그래프.
도 3 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예가 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예가 도시된 도면. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Figure 1 is a graph showing 19 nm LLS before and after cleaning of a wafer polishing pad.
2 is a graph showing the results of 19 nm LLS SEM before and after cleaning of the wafer polishing pad.
Figs. 3 to 4 show a first embodiment of a cleaning apparatus of a wafer polishing pad according to the present invention. Fig.
5 is a view showing a second embodiment of a cleaning apparatus for a wafer polishing pad according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. It should be understood, however, that the scope of the inventive concept of the present embodiment can be determined from the matters disclosed in the present embodiment, and the spirit of the present invention possessed by the present embodiment is not limited to the embodiments in which addition, Variations.

도 3 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예가 도시된 도면이다.3 to 4 are views showing the first embodiment of the cleaning apparatus of the wafer polishing pad according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예는 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐(130)과, 상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암(140)과, 상기 암(140)의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시(B)와, 상기 암(140)의 움직임에 따라 상기 브러시(B)가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시(B)가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조(150)와, 상기 수조(150) 외측에 구비되고, 상기 브러시(B)에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기(160)를 포함한다.The cleaning apparatus of the wafer polishing pad according to the first embodiment of the present invention includes a high-pressure spray nozzle 130 for spraying a high-pressure cleaning liquid onto a wafer polishing pad as shown in FIGS. 3 to 4, A brush B which is provided on an end surface of the arm 140 and dresses the surface of the polishing pad 140; A water tank 150 in which the brush B is accommodated and in which a cleaning liquid capable of locking the brush B is stored and a foreign material disposed on the outside of the water tank 150, And an ultrasonic generator 160 for generating ultrasonic waves to remove the ultrasonic waves.

상기 고압 분사 노즐(130)은 상기 폴리싱 패드가 부착되는 정반(110)과 웨이퍼가 부착되는 헤드(120) 사이에 위치될 수 있고, 상기 폴리싱 패드 전체에 걸쳐 세정액을 분사할 수 있도록 이동 가능하게 설치될 수 있다.The high-pressure spray nozzle 130 may be positioned between the base 110 to which the polishing pad is attached and the head 120 to which the wafer is attached. The high-pressure spray nozzle 130 may be installed so as to be capable of spraying the cleaning liquid over the entire polishing pad. .

상기 암(140)은 일단을 중심으로 회전 및 승강 가능하게 설치되는데, 다른 일단이 상기 정반(110) 위의 폴리싱 패드 전체를 따라 이동 가능하게 설치된다.The other end of the arm 140 is installed so as to be movable along the entire polishing pad on the base 110.

상기 브러시(B)는 상기 암(140)의 다른 일단 하측에 구비되는데, 직접 폴리싱 패드와 접촉하여 드레싱할 수 있도록 구성되며, 그 재질 및 형상은 한정되지 아니한다.The brush B is provided on the lower side of the other end of the arm 140, and is directly contacted with the polishing pad to be dressed, and its material and shape are not limited.

상기 수조(150)는 상기 정반(110)의 일측에 구비되는데, 상기 암(140)에 구비된 브러시(B)가 담길 수 있는 세정액을 보관하도록 구성되고, 초음파가 전달될 수 있는 석영 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 실시예에 따르면, 상기 수조(150)는 상면이 개방된 형상으로써, 하면이 평평한 형태로 구성된다.The water tank 150 is provided on one side of the table 110 and is configured to store a cleaning liquid that can contain a brush B provided on the arm 140 and is made of a quartz material . According to an embodiment of the present invention, the water tank 150 has an open top surface and a bottom surface.

이때, 상기 수조(150) 측에 세정액을 연속적으로 공급하는 공급 유로(미도시)가 구비되고, 상기 수조(150)에 담긴 세정액이 오버 플로우될 수 있도록 구성된다. At this time, a supply passage (not shown) for continuously supplying the cleaning liquid to the water tank 150 is provided, and the cleaning liquid contained in the water tank 150 can be overflowed.

상기 초음파 발생기(160)는 상기 수조(150)의 외부 하면에 구비되는데, 상기 수조(150)의 상측에 담긴 브러시(B)를 향하여 초음파를 발생시킬 수 있도록 구성된다. 실시예에 따르면, 상기 초음파 발생기(160)는 수평 방향으로 일정 간격을 두고 배치된 복수개의 모듈 형태로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The ultrasonic generator 160 is provided on the outer surface of the water tank 150 and is configured to generate ultrasonic waves toward the brush B placed on the water tank 150. According to the embodiment, the ultrasonic generator 160 may be configured as a plurality of modules arranged at regular intervals in the horizontal direction, but is not limited thereto.

상기와 같이 구성된 제1실시예의 동작을 살펴보면, 다음과 같다.The operation of the first embodiment will now be described.

먼저, 상기 폴리싱 패드는 상기 정반(110) 위에 접착되고, 상기 웨이퍼는 상기 헤드(120)가 흡착되면, 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 패드의 표면에 가압된 상태로 회전하는 동시에 슬러리가 공급됨에 따라 폴리싱 공정이 이뤄지고, 폴리싱 공정이 반복 진행될수록 상기 폴리싱 패드의 표면에 각종 이물질이 쌓이게 된다.First, the polishing pad is adhered on the base 110, and when the head 120 is adsorbed, the wafer is rotated while being pressed against the surface of the polishing pad, and at the same time, As the polishing process is repeatedly performed, various foreign substances are accumulated on the surface of the polishing pad.

다음, 상기 폴리싱 패드에 쌓인 이물질을 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 세정 공정이 이뤄지는데, 상기 고압 분사 노즐(130)을 통하여 고속 고압의 세정액이 분사되고, 상기 암(140)에 의해 상기 브러시(B)가 상기 폴리싱 패드의 표면을 가압한 상태에서 수평 이동하면서 드레싱한다.The polishing pad is cleaned to remove impurities accumulated on the polishing pad. The high-pressure and high-pressure cleaning fluid is sprayed through the high-pressure spray nozzle 130, and the brush 140 is rotated by the brush 140, Is dressed while moving horizontally while pressing the surface of the polishing pad.

다음, 상기 폴리싱 패드에 쌓인 이물질이 제거되면, 상기 폴리싱 패드에 의해 다른 웨이퍼의 폴리싱 공정이 수행된다.Next, when the foreign matter accumulated on the polishing pad is removed, the polishing process of another wafer is performed by the polishing pad.

또한, 폴리싱 공정 중 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질을 제거하는 브러시(B)의 세정 공정도 같이 이뤄지는데, 상기 암(140)에 의해 상기 브러시(B)가 상기 수조(150) 내측의 세정액에 잠기게 된다.The cleaning process of the brush B for removing the foreign substances remaining in the brush B during the polishing process is performed as well. The brush 140 is rotated by the brush 140 so that the brush B is moved to the cleaning liquid .

이때, 상기 초음파 발생기(160)가 초음파를 발생시키면, 진동이 세정액을 통하여 상기 브러시(B)와 일직선 방향으로 전달됨에 따라 상기 브러시(B) 주변에 세정액의 흐름을 발생시키고, 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질이 보다 효과적으로 제거된다.At this time, when the ultrasonic generator 160 generates ultrasonic waves, a vibration is generated in the vicinity of the brush B as the vibration is transmitted in a straight direction to the brush B through the cleaning liquid, The foreign matter remaining on the surface of the substrate is more effectively removed.

물론, 상기 수조(150) 내부의 세정액이 오버 플로우됨에 따라 세정액에 부유하는 이물질도 같이 제거될 수 있다.Of course, as the cleaning liquid in the water tank 150 overflows, foreign substances floating in the cleaning liquid can be removed as well.

상기와 같이, 폴리싱 공정으로 인하여 이물질이 쌓인 폴리싱 패드를 브러시(B)로 드레싱하고, 세정 공정 중에 이물질이 잔류하는 브러시(B)를 세정액에 담근 상태에서 동공현상으로 효과적으로 제거할 수 있다.As described above, the polishing pad with the foreign substance accumulated thereon can be dressed with the brush (B) due to the polishing process, and the brush (B) remaining in the foreign substance in the cleaning process can be effectively removed by the phenomenon of the pupil in the state of being immersed in the cleaning liquid.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예가 도시된 도면이다.5 is a view showing a second embodiment of the cleaning apparatus of the wafer polishing pad according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예는 도 5에 도시된 바와 같이 브러시(B)가 담기는 수조(250)의 양측 경사진 측면에 한 쌍의 초음파 발생기(261,262)가 구비되고, 상기 수조(250)의 하부에 세정액과 이물질이 빠져나가는 배수관(270) 및 배수밸브(271)가 구비된다.5, a pair of ultrasonic generators 261 and 262 are provided on both side sloping sides of the water tank 250 in which the brush B is housed, And a drain pipe 270 and a drain valve 271 through which the washing liquid and the foreign substance escape from the lower part of the water tank 250 are provided.

상기 수조(250)는 마찬가지로 상기 암(140)에 구비된 브러시(B)가 담길 수 있는 세정액을 보관하도록 구성되는데, 상면이 개방되고, 상부에서 하부로 갈수록 직경이 좁아지는 통 형상으로 구성되며, 초음파가 전달될 수 있는 석영 재질로 구성되는 것이 바람직하다.The water tank 250 is configured to store a cleaning liquid that can hold the brush B provided on the arm 140. The water tank 250 has a tubular shape in which the upper surface is opened and the diameter becomes narrower from the upper side to the lower side, And is preferably made of a quartz material to which ultrasonic waves can be transmitted.

이때, 상기 수조(250)에 세정액을 공급하는 공급 유로(미도시)가 구비되고, 상기 수조(250) 내부의 세정액은 오버 플로우 되거나, 하기에서 설명될 배수관(270)을 통하여 배수될 수 있도록 구성된다.At this time, a supply passage (not shown) for supplying the cleaning liquid to the water tank 250 is provided, and the cleaning liquid in the water tank 250 may be overflowed or drained through a drain pipe 270 do.

상기 초음파 발생기(261,262)는 상기 수조(250)의 외부 양측 경사진 면에 구비되는데, 상기 수조(250)의 상측에 담긴 브러시(B)를 향하여 초음파를 발생시킬 수 있도록 구성된다. 마찬가지로, 상기 초음파 발생기(261,262)는 수평 방향으로 일정 간격을 두고 배치된 복수개의 모듈 형태로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The ultrasonic wave generators 261 and 262 are provided on both inclined surfaces of the water tank 250 so as to generate ultrasonic waves toward the brush B placed on the water tank 250. Similarly, the ultrasonic wave generators 261 and 262 may be configured in a plurality of modules arranged at regular intervals in the horizontal direction, but are not limited thereto.

상기 배수관은 세정액 내부에 잔류하는 이물질을 효과적으로 배출하기 위하여 상기 수조 중 가장 낮은 지점 즉, 상기 수조의 하면 중심에 연결되고, 상기 배수밸브는 상기 배수관을 개폐시킬 수 있도록 구성된다.The drain pipe is connected to the lowest point of the water tank, that is, the center of the lower surface of the water tank, for effectively discharging foreign matter remaining in the cleaning liquid, and the drain valve is configured to open and close the drain pipe.

상기와 같이 구성된 제2실시예의 동작을 살펴보면, 다음과 같다.The operation of the second embodiment will now be described.

먼저, 폴리싱 공정으로 인하여 상기 폴리싱 패드에 이물질이 쌓이면, 상기 브러시(B)가 상기 폴리싱 패드의 표면을 가압한 상태에서 수평 이동하면서 드레싱하고, 상기 브러시에 이물질이 잔류한다.First, when a foreign substance is accumulated on the polishing pad due to a polishing process, the brush B is dressed while horizontally moving while pressing the surface of the polishing pad, and foreign matter remains in the brush.

상기 폴리싱 패드가 다른 웨이퍼를 폴리싱하는 동안, 이물질이 묻은 브러시가 상기 수조(150) 내측의 세정액에 잠기게 된다.While the polishing pad polishes the other wafer, the brush with the foreign substance is immersed in the cleaning liquid inside the water bath 150.

이때, 상기 초음파 발생기(261,262)가 초음파를 발생시키면, 진동이 세정액을 통하여 상기 브러시(B)와 비스듬한 방향으로 양측에서 전달됨에 따라 상기 브러시(B) 주변에 세정액의 흐름을 더욱 활발하게 발생시키고, 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질이 효과적으로 제거된다.At this time, when the ultrasonic wave generators 261 and 262 generate ultrasonic waves, vibrations are transmitted from the both sides in an oblique direction to the brushes B through the cleaning liquid, so that the flow of the cleaning liquid is more actively generated around the brushes B, Foreign matter remaining in the brush (B) is effectively removed.

또한, 상기 수조(250) 내부의 세정액이 오버 플로우됨에 따라 세정액 내부에 부유하는 이물질도 같이 제거되고, 상기 배수밸브(271)가 작동됨에 따라 상기 수조(250) 내부에 가라앉은 이물질이 세정액과 같이 상기 배수관(270)을 통하여 빠져나가게 된다.As the washing liquid in the water tank 250 is overflowed, the foreign substances floating in the washing liquid are also removed. As the drain valve 271 is operated, the foreign substances settled in the water tank 250 are mixed with the washing liquid And is discharged through the drain pipe 270.

따라서, 상기 수조(250) 내부의 세정액을 깨끗한 상태로 유지할 수 있으며, 상기 브러시(B)에 다시 상기 수조(250) 내부의 세정액에 부유하는 이물질이 묻는 것을 효과적으로 방지하여 세정 효과를 더욱 높일 수 있다.Therefore, the cleaning liquid in the water tank 250 can be maintained in a clean state, and foreign substances floating in the cleaning liquid in the water tank 250 can be effectively prevented from being deposited on the brush B, thereby further enhancing the cleaning effect .

110 : 정반 120 : 헤드
130 : 노즐 140 : 암
150 : 수조 160 : 초음파 발생기
B : 브러시110: Platen 120: Head
130: nozzle 140: arm
150: water tank 160: ultrasonic generator
B: Brush

Claims (6)

웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐;
상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암;
상기 암의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시;
상기 암의 움직임에 따라 상기 브러시가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조; 및
상기 수조 외측에 구비되고, 상기 브러시에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.A high pressure spray nozzle for spraying high-pressure and high-speed cleaning liquid onto a wafer polishing pad;
An arm rotatably mounted on the polishing pad and capable of being raised and lowered;
A brush provided on an end surface of the arm and dressing the surface of the polishing pad;
A water tank in which the brush is accommodated in accordance with the movement of the arm and in which a cleaning liquid capable of locking the brush is stored; And
And an ultrasonic generator provided on the outside of the water tank for generating ultrasonic waves to remove foreign matters adhering to the brush. 제1항에 있어서,
상기 수조는,
석영 재질로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.The method according to claim 1,
In the water tank,
A cleaning apparatus for polishing a wafer polishing pad made of quartz material. 제2항에 있어서,
상기 수조는,
상면이 개방되고 상/하부 직경이 동일한 통 형상으로 구성되고,
상기 초음파 발생기는,
상기 브러시를 향하도록 상기 수조의 하면에 구비되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.3. The method of claim 2,
In the water tank,
The upper surface is opened and the upper / lower diameters are the same,
The ultrasonic generator includes:
And a cleaning device for cleaning the wafer polishing pad provided on the lower surface of the water tank so as to face the brush. 제2항에 있어서,
상기 수조는,
상면이 개방되고 상부에서 하부로 갈수록 직경이 좁아지는 통 형상으로 구성되고,
상기 초음파 발생기는,
상기 브러시를 향하도록 상기 수조의 경사진 측면에 구비되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.3. The method of claim 2,
In the water tank,
The upper surface is opened and the diameter becomes narrower from the upper part to the lower part,
The ultrasonic generator includes:
Wherein the polishing pad is provided on an inclined side surface of the water tank so as to face the brush. 제4항에 있어서,
상기 수조 하측에 연결되고, 세정액와 이물질이 배수되는 배수관; 및
상기 배수관에 구비되고, 상기 배수관을 개폐시키는 배수밸브;를 더 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.5. The method of claim 4,
A drain pipe connected to a lower side of the water tank and draining a cleaning liquid and a foreign substance; And
And a drain valve provided in the drain pipe for opening and closing the drain pipe. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 초음파 발생기는,
일정 간격을 두고 복수개의 모듈 형태로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.6. The method according to any one of claims 2 to 5,
The ultrasonic generator includes:
A cleaning apparatus for cleaning a wafer polishing pad having a plurality of modules at regular intervals.
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