KR102098992B1 - Cleaning device of wafer polishing pad - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드를 드레싱하는 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐; 상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암; 상기 암의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시; 상기 암의 움직임에 따라 상기 브러시가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조; 및 상기 수조에 구비되고, 상기 브러시에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치를 제공한다.The present invention relates to a cleaning apparatus for a wafer polishing pad capable of effectively removing foreign substances on a brush dressing the wafer polishing pad.
The present invention is a high-pressure spray nozzle for spraying a high-pressure, high-speed cleaning liquid over a wafer polishing pad; An arm rotatably mounted on the polishing pad; A brush provided on a lower surface of the end of the arm and dressing the surface of the polishing pad; A water tank in which the brush is accommodated according to the movement of the arm, and a cleaning solution in which the brush can be locked is stored; And it is provided in the water tank, an ultrasonic generator for generating ultrasonic waves to remove the foreign matter on the brush; provides a cleaning device for a wafer polishing pad comprising a.

Description

웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 {Cleaning device of wafer polishing pad}Cleaning device of wafer polishing pad {Cleaning device of wafer polishing pad}

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드를 드레싱하는 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a cleaning apparatus for a wafer polishing pad capable of effectively removing foreign substances on a brush dressing the wafer polishing pad.

일반적으로 반도체 소자 제조용 재료로 광범위하게 사용되고 있는 웨이퍼(wafer)는 다결정의 실리콘을 원재료로 하여 만들어진 단결정 실리콘 박판을 말한다.In general, a wafer widely used as a material for manufacturing semiconductor devices refers to a single crystal silicon thin plate made of polycrystalline silicon as a raw material.

이러한 웨이퍼는, 다결정의 실리콘을 단결정 실리콘 잉곳(ingot)으로 성장시킨 다음, 실리콘 잉곳을 웨이퍼의 형태로 자르는 슬라이싱(slicing) 공정과, 웨이퍼의 두께를 균일화하여 평면화하는 래핑(lapping) 공정과, 기계적인 연마에 의하여 발생한 손상을 제거 또는 완화하는 에칭(etching) 공정과, 웨이퍼 표면을 경면화하는 폴리싱(polishing) 공정과, 웨이퍼를 세정하는 세정 공정(cleaning) 등을 거쳐 제조된다.Such a wafer is a slicing process in which a polycrystalline silicon is grown into a single crystal silicon ingot, and then the silicon ingot is cut into a wafer shape, and a lapping process and a machine that flattens the wafer by making the thickness uniform. It is manufactured through an etching process that removes or mitigates damage caused by natural polishing, a polishing process that mirrors the wafer surface, and a cleaning process that cleans the wafer.

통상, 폴리싱 공정은 웨이퍼가 디바이스 과정에 들어가기에 앞서 최종적으로 평탄도와 표면 조도를 만드는 과정이기 때문에 매우 중요한 과정이다.In general, the polishing process is a very important process since the wafer is a process of finally making flatness and surface roughness before entering the device process.

이러한 파이널 폴리싱 공정은, 캐리어에 의하여 이송된 웨이퍼가 폴리싱 패드 위에서 가압된 상태에서 회전함으로써, 웨이퍼의 표면이 기계적으로 평탄화되도록 하고, 동시에 폴리싱 패드 위로 화학적 반응을 수행하는 슬러리(slurry)를 공급함으로써, 웨이퍼의 표면이 화학적으로 평탄화되도록 한다.In this final polishing process, the wafer transferred by the carrier is rotated while being pressed on the polishing pad, so that the surface of the wafer is mechanically planarized, and at the same time, by supplying a slurry that performs a chemical reaction on the polishing pad, Allow the surface of the wafer to be chemically planarized.

물론, 폴리싱 공정에서 효율적인 연마율 달성을 위해 폴리싱 패드의 표면 거칠기가 항상 일정하게 유지되어야 한다. Of course, in order to achieve an efficient polishing rate in the polishing process, the surface roughness of the polishing pad must always be kept constant.

하지만, 폴리싱 공정을 반복적으로 수행하는 폴리싱 패드는 그 표면 거칠기가 낮아짐에 따라 폴리싱 기능이 점진적으로 상실되는데, 이를 방지하기 위하여 별도로 폴리싱 패드의 상태를 최적화하는 세정 공정이 진행된다.However, the polishing pad that repeatedly performs the polishing process loses its polishing function gradually as its surface roughness is lowered. In order to prevent this, a cleaning process in which the state of the polishing pad is separately optimized is performed.

종래 기술에 따르면, 고압 고속의 세정액(HPMJ : High pressure micro jet)을 분사하는 동시에 폴리싱 패드를 브러시(brush)로 드레싱함으로써, 폴리싱 패드에 쌓이는 패드 부산물, 슬러리 부산물 등과 같은 이물질을 제거하는 동시에 폴리싱 패드의 표면 거칠기를 최적화시키는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정이 이뤄지고 있다. According to the prior art, by spraying a high-pressure, high-speed cleaning liquid (HPMJ: High pressure micro jet) while dressing the polishing pad with a brush, foreign matters such as pad by-products and slurry by-products accumulated on the polishing pad are removed while polishing pad Wafer polishing pad cleaning process is being performed to optimize the surface roughness of.

도 1은 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS가 도시된 그래프이고, 도 2는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS SEM 결과가 도시된 그래프이다.1 is a graph showing 19 nm LLS before / after cleaning of the wafer polishing pad, and FIG. 2 is a graph showing 19 nm LLS SEM results before / after cleaning of the wafer polishing pad.

일반적으로, 폴리싱 패드의 세정 공정을 1회만 수행한 패드 크리닝 전에 비해 폴리싱 패드의 세정 공정을 30회 수행한 패드 크리닝 후에 폴리싱 패드의 세정 상태가 좋은 것으로 볼 수 있다.In general, it can be seen that the cleaning state of the polishing pad is good after the pad cleaning which has performed the cleaning process of the polishing pad 30 times, compared to before the pad cleaning where the cleaning process of the polishing pad is performed only once.

그런데, 패드 크리닝 전 폴리싱 패드로 연마된 웨이퍼에 비해 패드 크리닝 후에 폴리싱 패드로 연마된 웨이퍼를 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이 미세 19nm LLS 가 줄어들고, 도 2에 도시된 바와 같이 미세 19nm LLS SEM 결과 이물질에 의해 많이 발생되는 Jut,Pit, Scratch 등의 속성이 개선된다.However, when looking at a wafer polished with a polishing pad after pad cleaning compared to a wafer polished with a polishing pad before pad cleaning, the fine 19nm LLS decreases as shown in FIG. 1 and the fine 19nm LLS SEM results as shown in FIG. 2. The properties of Jut, Pit, Scratch, etc., which are frequently generated by foreign substances, are improved.

즉, 웨이퍼가 폴리싱 패드에 직접 접촉한 상태로 폴리싱 공정이 이뤄지기 때문에 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 상태에 의해 웨이퍼의 미세 결함이 좌우되는 것을 알 수 있다.That is, since the polishing process is performed in a state where the wafer is in direct contact with the polishing pad, it can be seen that the fine defects of the wafer are influenced by the cleaning state of the wafer polishing pad.

따라서, 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정을 통하여 폴리싱 패드의 청정도를 높이기 위하여 브러시를 깨끗하게 관리하는 것이 필요하다.Therefore, it is necessary to clean the brush to increase the cleanliness of the polishing pad through the cleaning process of the wafer polishing pad.

종래 기술에 따르면, 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 공정에 사용되는 브러시를 세정액에 담그는 형태로 브러시에 묻은 이물질을 제거하고자 하지만, 효과적으로 제거하기 어려운 실정이다.According to the prior art, although it is intended to remove foreign substances on the brush in the form of immersing the brush used in the cleaning process of the wafer polishing pad in the cleaning solution, it is difficult to effectively remove.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 웨이퍼 폴리싱 패드를 드레싱하는 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art described above, and an object thereof is to provide a cleaning apparatus for a wafer polishing pad capable of effectively removing foreign substances on a brush dressing a wafer polishing pad.

본 발명은 웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐; 상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암; 상기 암의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시; 상기 암의 움직임에 따라 상기 브러시가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조; 및 상기 수조에 구비되고, 상기 브러시에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기;를 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치를 제공한다.The present invention is a high-pressure spray nozzle for spraying a high-pressure, high-speed cleaning liquid over a wafer polishing pad; An arm rotatably mounted on the polishing pad; A brush provided on a lower surface of the end of the arm and dressing the surface of the polishing pad; A water tank in which the brush is accommodated according to the movement of the arm, and a cleaning solution in which the brush can be locked is stored; And it is provided in the water tank, an ultrasonic generator for generating ultrasonic waves to remove the foreign matter on the brush; provides a cleaning device for a wafer polishing pad comprising a.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치는 폴리싱 패드 표면을 드레싱하는 브러시를 세정액에 담그고, 초음파를 발생시켜 세정액 내부의 공동현상(cavitaion)을 발생시킴으로써, 브러시에 묻은 이물질을 효과적으로 제거할 수 있다.The apparatus for cleaning a wafer polishing pad according to the present invention can effectively remove foreign substances on the brush by dipping a brush dressing the surface of the polishing pad in the cleaning solution and generating ultrasonic waves to generate cavitation inside the cleaning solution.

따라서, 브러시에 의해 드레싱되는 폴리싱 패드의 표면을 청결하게 세정할 수 있고, 폴리싱 패드에 의해 폴리싱되는 웨이퍼의 미세 결함을 저감시킬 수 있어 웨이퍼 품질을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.Therefore, it is possible to clean the surface of the polishing pad dressed by the brush, and to reduce the fine defects of the wafer polished by the polishing pad, thereby improving the wafer quality.

도 1은 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS가 도시된 그래프.
도 2는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 전/후 19nm LLS SEM 결과가 도시된 그래프.
도 3 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예가 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예가 도시된 도면. 1 is a graph showing 19nm LLS before / after cleaning the wafer polishing pad.
2 is a graph showing 19nm LLS SEM results before / after cleaning the wafer polishing pad.
3 to 4 are views showing a first embodiment of a cleaning apparatus for a wafer polishing pad according to the present invention.
5 is a view showing a second embodiment of a cleaning apparatus for a wafer polishing pad according to the present invention.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the scope of the spirit of the invention possessed by the present embodiment may be determined from the details disclosed by the present embodiment, and the spirit of the invention possessed by the present embodiment may be performed by adding, deleting, or modifying components with respect to the proposed embodiment. It will be said to include variations.

도 3 내지 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예가 도시된 도면이다.3 to 4 are views illustrating a first embodiment of a cleaning apparatus for a wafer polishing pad according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제1실시예는 도 3 내지 도 4에 도시된 바와 같이 웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad) 위로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐(130)과, 상기 폴리싱 패드 위로 회전 및 승강 가능하게 설치된 암(140)과, 상기 암(140)의 단부 하면에 구비되고, 상기 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하는 브러시(B)와, 상기 암(140)의 움직임에 따라 상기 브러시(B)가 수용 가능하게 구비되고, 상기 브러시(B)가 잠길 수 있는 세정액이 저장되는 수조(150)와, 상기 수조(150) 외측에 구비되고, 상기 브러시(B)에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기(160)를 포함한다.The first embodiment of the apparatus for cleaning a wafer polishing pad according to the present invention includes a high-pressure jet nozzle 130 for spraying a high-pressure high-speed cleaning liquid onto a wafer polishing pad as shown in FIGS. 3 to 4, and Arm 140 provided rotatably and elevating over the polishing pad, and a brush B provided on the lower surface of the end of the arm 140 and dressing the surface of the polishing pad, and according to the movement of the arm 140 The brush (B) is provided to be accommodated, the brush (B) is a water tank 150 in which the cleaning liquid can be stored, and provided on the outside of the water tank 150, the foreign matter on the brush (B) It includes an ultrasonic generator 160 that generates ultrasonic waves to remove.

상기 고압 분사 노즐(130)은 상기 폴리싱 패드가 부착되는 정반(110)과 웨이퍼가 부착되는 헤드(120) 사이에 위치될 수 있고, 상기 폴리싱 패드 전체에 걸쳐 세정액을 분사할 수 있도록 이동 가능하게 설치될 수 있다.The high-pressure jet nozzle 130 may be located between the platen 110 to which the polishing pad is attached and the head 120 to which the wafer is attached, and is movably installed so as to spray cleaning liquid over the entire polishing pad. Can be.

상기 암(140)은 일단을 중심으로 회전 및 승강 가능하게 설치되는데, 다른 일단이 상기 정반(110) 위의 폴리싱 패드 전체를 따라 이동 가능하게 설치된다.The arm 140 is rotatably mounted around one end, and the other end is movably installed along the entire polishing pad on the surface 110.

상기 브러시(B)는 상기 암(140)의 다른 일단 하측에 구비되는데, 직접 폴리싱 패드와 접촉하여 드레싱할 수 있도록 구성되며, 그 재질 및 형상은 한정되지 아니한다.The brush (B) is provided on the lower end of the other end of the arm 140, is configured to be directly in contact with the polishing pad to be dressing, the material and shape is not limited.

상기 수조(150)는 상기 정반(110)의 일측에 구비되는데, 상기 암(140)에 구비된 브러시(B)가 담길 수 있는 세정액을 보관하도록 구성되고, 초음파가 전달될 수 있는 석영 재질로 구성되는 것이 바람직하다. 실시예에 따르면, 상기 수조(150)는 상면이 개방된 형상으로써, 하면이 평평한 형태로 구성된다.The water tank 150 is provided on one side of the platen 110, and is configured to store a cleaning liquid that can be contained in the brush B provided on the arm 140, and is made of quartz material capable of transmitting ultrasonic waves. It is desirable to be. According to an embodiment, the water tank 150 has a top surface open shape, and a bottom surface is formed in a flat shape.

이때, 상기 수조(150) 측에 세정액을 연속적으로 공급하는 공급 유로(미도시)가 구비되고, 상기 수조(150)에 담긴 세정액이 오버 플로우될 수 있도록 구성된다. At this time, a supply flow path (not shown) for continuously supplying the washing liquid to the water tank 150 side is provided, and the washing liquid contained in the water tank 150 is configured to overflow.

상기 초음파 발생기(160)는 상기 수조(150)의 외부 하면에 구비되는데, 상기 수조(150)의 상측에 담긴 브러시(B)를 향하여 초음파를 발생시킬 수 있도록 구성된다. 실시예에 따르면, 상기 초음파 발생기(160)는 수평 방향으로 일정 간격을 두고 배치된 복수개의 모듈 형태로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The ultrasonic generator 160 is provided on the outer bottom surface of the water tank 150, and is configured to generate ultrasonic waves toward the brush B contained in the upper side of the water tank 150. According to an embodiment, the ultrasonic generator 160 may be configured in a plurality of module forms arranged at regular intervals in the horizontal direction, but is not limited.

상기와 같이 구성된 제1실시예의 동작을 살펴보면, 다음과 같다.Looking at the operation of the first embodiment configured as described above, as follows.

먼저, 상기 폴리싱 패드는 상기 정반(110) 위에 접착되고, 상기 웨이퍼는 상기 헤드(120)가 흡착되면, 상기 웨이퍼가 상기 폴리싱 패드의 표면에 가압된 상태로 회전하는 동시에 슬러리가 공급됨에 따라 폴리싱 공정이 이뤄지고, 폴리싱 공정이 반복 진행될수록 상기 폴리싱 패드의 표면에 각종 이물질이 쌓이게 된다.First, when the polishing pad is adhered to the surface plate 110, and the wafer 120 is adsorbed to the head 120, the wafer rotates while being pressed on the surface of the polishing pad and at the same time a polishing process is performed as a slurry is supplied. This is achieved, and as the polishing process is repeated, various foreign substances are accumulated on the surface of the polishing pad.

다음, 상기 폴리싱 패드에 쌓인 이물질을 제거하기 위하여 폴리싱 패드의 세정 공정이 이뤄지는데, 상기 고압 분사 노즐(130)을 통하여 고속 고압의 세정액이 분사되고, 상기 암(140)에 의해 상기 브러시(B)가 상기 폴리싱 패드의 표면을 가압한 상태에서 수평 이동하면서 드레싱한다.Next, a cleaning process of the polishing pad is performed to remove foreign substances accumulated in the polishing pad, and a high-speed high-pressure cleaning liquid is sprayed through the high-pressure spray nozzle 130, and the brush B is applied by the arm 140. Dressing while horizontally moving while pressing the surface of the polishing pad.

다음, 상기 폴리싱 패드에 쌓인 이물질이 제거되면, 상기 폴리싱 패드에 의해 다른 웨이퍼의 폴리싱 공정이 수행된다.Next, when the foreign material accumulated in the polishing pad is removed, the polishing process of another wafer is performed by the polishing pad.

또한, 폴리싱 공정 중 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질을 제거하는 브러시(B)의 세정 공정도 같이 이뤄지는데, 상기 암(140)에 의해 상기 브러시(B)가 상기 수조(150) 내측의 세정액에 잠기게 된다.In addition, the cleaning process of the brush (B) for removing foreign substances remaining in the brush (B) during the polishing process is also performed, the brush (B) by the arm 140 is the cleaning solution inside the water tank (150) Locked in.

이때, 상기 초음파 발생기(160)가 초음파를 발생시키면, 진동이 세정액을 통하여 상기 브러시(B)와 일직선 방향으로 전달됨에 따라 상기 브러시(B) 주변에 세정액의 흐름을 발생시키고, 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질이 보다 효과적으로 제거된다.At this time, when the ultrasonic generator 160 generates ultrasonic waves, as the vibration is transmitted in a straight line with the brush B through the cleaning liquid, a flow of the cleaning liquid is generated around the brush B, and the brush B The foreign substances remaining in the are removed more effectively.

물론, 상기 수조(150) 내부의 세정액이 오버 플로우됨에 따라 세정액에 부유하는 이물질도 같이 제거될 수 있다.Of course, as the cleaning liquid inside the water tank 150 overflows, foreign substances floating in the cleaning liquid may also be removed.

상기와 같이, 폴리싱 공정으로 인하여 이물질이 쌓인 폴리싱 패드를 브러시(B)로 드레싱하고, 세정 공정 중에 이물질이 잔류하는 브러시(B)를 세정액에 담근 상태에서 동공현상으로 효과적으로 제거할 수 있다.As described above, the polishing pad in which foreign substances are accumulated due to the polishing process can be dressed with a brush (B), and the brush (B) in which foreign substances remain in the cleaning process can be effectively removed with a pupil phenomenon while immersed in the cleaning solution.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예가 도시된 도면이다.5 is a view showing a second embodiment of a cleaning apparatus for a wafer polishing pad according to the present invention.

본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치 제2실시예는 도 5에 도시된 바와 같이 브러시(B)가 담기는 수조(250)의 양측 경사진 측면에 한 쌍의 초음파 발생기(261,262)가 구비되고, 상기 수조(250)의 하부에 세정액과 이물질이 빠져나가는 배수관(270) 및 배수밸브(271)가 구비된다.The second embodiment of the cleaning apparatus of the wafer polishing pad according to the present invention is provided with a pair of ultrasonic generators 261 and 262 on both sides of the inclined side of the water tank 250 in which the brush B is contained, as shown in FIG. , A drain pipe 270 and a drain valve 271 through which the cleaning liquid and foreign substances escape are provided at the bottom of the water tank 250.

상기 수조(250)는 마찬가지로 상기 암(140)에 구비된 브러시(B)가 담길 수 있는 세정액을 보관하도록 구성되는데, 상면이 개방되고, 상부에서 하부로 갈수록 직경이 좁아지는 통 형상으로 구성되며, 초음파가 전달될 수 있는 석영 재질로 구성되는 것이 바람직하다.The water tank 250 is similarly configured to store a cleaning liquid that can be contained in the brush (B) provided on the arm 140, the upper surface is opened, and the upper surface is composed of a cylindrical shape that decreases in diameter as it goes from bottom to bottom, It is preferable that it is made of a quartz material through which ultrasound can be transmitted.

이때, 상기 수조(250)에 세정액을 공급하는 공급 유로(미도시)가 구비되고, 상기 수조(250) 내부의 세정액은 오버 플로우 되거나, 하기에서 설명될 배수관(270)을 통하여 배수될 수 있도록 구성된다.At this time, a supply flow path (not shown) for supplying the washing liquid to the water tank 250 is provided, and the washing liquid inside the water tank 250 overflows or is configured to be drained through the drain pipe 270 to be described below. do.

상기 초음파 발생기(261,262)는 상기 수조(250)의 외부 양측 경사진 면에 구비되는데, 상기 수조(250)의 상측에 담긴 브러시(B)를 향하여 초음파를 발생시킬 수 있도록 구성된다. 마찬가지로, 상기 초음파 발생기(261,262)는 수평 방향으로 일정 간격을 두고 배치된 복수개의 모듈 형태로 구성될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The ultrasonic generators 261 and 262 are provided on both inclined surfaces on the outer sides of the water tank 250, and are configured to generate ultrasonic waves toward the brush B contained on the upper side of the water tank 250. Likewise, the ultrasonic generators 261 and 262 may be configured as a plurality of module types arranged at regular intervals in the horizontal direction, but are not limited thereto.

상기 배수관은 세정액 내부에 잔류하는 이물질을 효과적으로 배출하기 위하여 상기 수조 중 가장 낮은 지점 즉, 상기 수조의 하면 중심에 연결되고, 상기 배수밸브는 상기 배수관을 개폐시킬 수 있도록 구성된다.The drain pipe is connected to the lowest point of the water tank, that is, to the center of the lower surface of the water tank, to effectively discharge foreign substances remaining in the cleaning liquid, and the drain valve is configured to open and close the drain pipe.

상기와 같이 구성된 제2실시예의 동작을 살펴보면, 다음과 같다.Looking at the operation of the second embodiment configured as described above, as follows.

먼저, 폴리싱 공정으로 인하여 상기 폴리싱 패드에 이물질이 쌓이면, 상기 브러시(B)가 상기 폴리싱 패드의 표면을 가압한 상태에서 수평 이동하면서 드레싱하고, 상기 브러시에 이물질이 잔류한다.First, when foreign matters are accumulated on the polishing pad due to the polishing process, the brush B is dressing while moving horizontally while pressing the surface of the polishing pad, and foreign matter remains on the brush.

상기 폴리싱 패드가 다른 웨이퍼를 폴리싱하는 동안, 이물질이 묻은 브러시가 상기 수조(150) 내측의 세정액에 잠기게 된다.While the polishing pad is polishing another wafer, a brush with foreign matter is immersed in the cleaning liquid inside the water tank 150.

이때, 상기 초음파 발생기(261,262)가 초음파를 발생시키면, 진동이 세정액을 통하여 상기 브러시(B)와 비스듬한 방향으로 양측에서 전달됨에 따라 상기 브러시(B) 주변에 세정액의 흐름을 더욱 활발하게 발생시키고, 상기 브러시(B)에 잔류하는 이물질이 효과적으로 제거된다.At this time, when the ultrasonic generators 261 and 262 generate ultrasonic waves, as vibration is transmitted from both sides in an oblique direction with the brush B through the cleaning liquid, the flow of the cleaning liquid is more actively generated around the brush B, The foreign matter remaining in the brush B is effectively removed.

또한, 상기 수조(250) 내부의 세정액이 오버 플로우됨에 따라 세정액 내부에 부유하는 이물질도 같이 제거되고, 상기 배수밸브(271)가 작동됨에 따라 상기 수조(250) 내부에 가라앉은 이물질이 세정액과 같이 상기 배수관(270)을 통하여 빠져나가게 된다.In addition, as the cleaning liquid inside the water tank 250 overflows, foreign substances floating in the cleaning liquid are also removed, and as the drain valve 271 is operated, the foreign matter that has settled inside the water tank 250 is like the cleaning liquid. It will escape through the drain pipe (270).

따라서, 상기 수조(250) 내부의 세정액을 깨끗한 상태로 유지할 수 있으며, 상기 브러시(B)에 다시 상기 수조(250) 내부의 세정액에 부유하는 이물질이 묻는 것을 효과적으로 방지하여 세정 효과를 더욱 높일 수 있다.Therefore, it is possible to keep the cleaning liquid inside the water tank 250 in a clean state, and effectively prevent the foreign matter floating on the cleaning liquid inside the water tank 250 back to the brush B to further increase the cleaning effect. .

110 : 정반 120 : 헤드
130 : 노즐 140 : 암
150 : 수조 160 : 초음파 발생기
B : 브러시110: platen 120: head
130: nozzle 140: arm
150: water tank 160: ultrasonic generator
B: Brush

Claims (6)

웨이퍼 폴리싱 패드(wafer polisning pad)가 상면에 부착되고, 회전 가능하게 설치된 정반;
상기 정반 위에 구비되고, 상기 폴리싱 패드로 고압 고속의 세정액을 분사하는 고압 분사 노즐;
상기 정반 일측에 구비되고, 상면이 개방되고 상부에서 하부로 갈수록 좁아지는 통 형상으로 형성된 세정액이 저장되는 수조;
상기 정반과 수조 외측에 위치된 일단을 중심으로 회전 또는 승강 가능하게 설치되고, 상기 정반과 수조 상측에 다른 일단이 위치될 수 있는 암;
상기 암의 다른 일단 하면에 구비되고, 상기 암의 움직임에 따라 상기 정반에 부착된 폴리싱 패드의 표면을 드레싱하거나, 상기 수조의 세정액에 잠길 수 있는 브러시;
상기 수조의 경사진 외측에 적어도 하나 이상 구비되고, 상기 브러시에 묻은 이물질을 제거하기 위하여 초음파를 발생시키는 초음파 발생기; 및
상기 수조 하측에 연결되고, 세정액과 이물질이 배수되는 배수관;을 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.A wafer polishing pad attached to an upper surface and rotatably installed on a surface;
A high pressure jet nozzle provided on the platen and spraying a high-pressure, high-speed cleaning liquid to the polishing pad;
A water tank provided on one side of the platen and storing a cleaning liquid formed in a cylindrical shape with an upper surface open and narrowing from top to bottom;
An arm that is rotatably or elevating about one end positioned outside the platen and the water tank, and the other end of which is located above the platen and the water tank;
A brush provided on a lower surface of the other end of the arm and dressing a surface of a polishing pad attached to the surface plate according to the movement of the arm or being immersed in the cleaning solution of the water tank;
An ultrasonic generator that is provided on at least one inclined outside of the water tank and generates ultrasonic waves to remove foreign substances on the brush; And
It is connected to the lower side of the water tank, a drain pipe for draining the cleaning liquid and foreign matter; A cleaning device for a wafer polishing pad containing. 제1항에 있어서,
상기 수조는,
석영 재질로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.According to claim 1,
The tank,
A cleaning device for wafer polishing pads made of quartz. 제2항에 있어서,
상기 배수관은,
상기 초음파 발생기 보다 하측에 위치하고, 상기 수조의 하측 중심에 수직하게 연결되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.According to claim 2,
The drain pipe,
A cleaning apparatus for a wafer polishing pad positioned below the ultrasonic generator and vertically connected to a lower center of the water tank. 제1항에 있어서,
상기 초음파 발생기는,
상기 브러시를 향하도록 상기 수조의 경사진 측면에 구비되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.According to claim 1,
The ultrasonic generator,
A cleaning device for a wafer polishing pad provided on an inclined side surface of the water tank to face the brush. 제1항에 있어서,
상기 배수관에 구비되고, 상기 배수관을 개폐시키는 배수밸브;를 더 포함하는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.According to claim 1,
And a drain valve provided on the drain pipe and opening and closing the drain pipe. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 초음파 발생기는,
일정 간격을 두고 복수개의 모듈 형태로 구성되는 웨이퍼 폴리싱 패드의 세정 장치.The method according to any one of claims 2 to 5,
The ultrasonic generator,
A device for cleaning a wafer polishing pad composed of a plurality of modules at regular intervals.
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