KR100744221B1 - Chemical mechanical polisher and process for the same - Google Patents

Chemical mechanical polisher and process for the same Download PDF

Info

Publication number
KR100744221B1
KR100744221B1 KR1020050130935A KR20050130935A KR100744221B1 KR 100744221 B1 KR100744221 B1 KR 100744221B1 KR 1020050130935 A KR1020050130935 A KR 1020050130935A KR 20050130935 A KR20050130935 A KR 20050130935A KR 100744221 B1 KR100744221 B1 KR 100744221B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
wafer
chemical
slurry
chemical mechanical
Prior art date
Application number
KR1020050130935A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070068866A (en
Inventor
정경화
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050130935A priority Critical patent/KR100744221B1/en
Publication of KR20070068866A publication Critical patent/KR20070068866A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100744221B1 publication Critical patent/KR100744221B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Abstract

본 발명은 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정에 관한 것으로서, 상측에 폴리싱패드가 마련되며, 폴리싱시 회전하는 플래튼과, 폴리싱패드 상측에 슬러리를 공급하도록 설치되는 슬러리공급노즐과, 폴리싱패드 상측에 초순수를 공급하도록 설치되는 초순수공급노즐과, 폴리싱패드 상측에 케미컬을 공급하도록 설치되는 케미컬공급노즐과, 폴리싱패드상에 설치되고, 슬러리공급노즐, 초순수공급노즐 및 케미컬공급노즐로부터 슬러리, 초순수 및 케미컬이 순차적으로 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드에 웨이퍼를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼를 각각 폴리싱하는 폴리싱헤드를 포함한다. 따라서, 본 발명은 화학적 기계적 연마공정에서 폴리싱을 마친 웨이퍼를 케미컬로 폴리싱하게 됨으로써 화학적 기계적 연마공정후 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질 제거를 위해 별도의 장치에서 케미컬로 세정하는 것을 생략함으로써 세정장비의 구입 및 유지에 따른 비용을 절감하고, 공정시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시키며, 웨이퍼의 세정에 적정한 케미컬의 사용 및 이를 이용한 폴리싱으로 인해 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질을 효율적으로 제거하도록 하는 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing process using the same, wherein a polishing pad is provided on an upper side thereof, a rotating platen upon polishing, a slurry supply nozzle installed to supply a slurry on an upper side of the polishing pad, and polishing An ultrapure water supply nozzle installed to supply ultrapure water to the upper side of the pad, a chemical supply nozzle installed to supply the chemical to the upper side of the polishing pad, a polishing pad installed on the polishing pad, and a slurry from a slurry supply nozzle, an ultrapure water supply nozzle and a chemical supply nozzle, Ultra pure water and chemicals are sequentially supplied, and a polishing head is used to polish each wafer by bringing the wafer into close contact with and rotating the polishing pad. Therefore, the present invention is to polish the wafer polished in the chemical mechanical polishing process by chemical, thereby eliminating the chemical cleaning in a separate device to remove foreign substances such as slurry attached to the wafer surface after the chemical mechanical polishing process cleaning equipment To reduce the cost of purchasing and maintaining the product, to improve productivity by shortening the process time, and to efficiently remove foreign substances such as slurry adhered to the wafer surface due to the use of chemicals suitable for cleaning the wafer and polishing using the same. Has an effect.

화학적 기계적 연마공정, 폴리싱패드, 슬러리, 초순수, 케미컬  Chemical mechanical polishing process, polishing pad, slurry, ultrapure water, chemical

Description

화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정{CHEMICAL MECHANICAL POLISHER AND PROCESS FOR THE SAME}Chemical Mechanical Polishing Device and Chemical Mechanical Polishing Process Using Them {CHEMICAL MECHANICAL POLISHER AND PROCESS FOR THE SAME}

도 1은 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마장치를 도시한 사시도이고,1 is a perspective view showing a chemical mechanical polishing apparatus according to the prior art,

도 2는 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마공정을 도시한 흐름도이고,2 is a flowchart illustrating a chemical mechanical polishing process according to the related art,

도 3은 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정공정을 도시한 흐름도이고,3 is a flowchart illustrating a cleaning process after a chemical mechanical polishing process according to the related art.

도 4는 종래의 일실시예에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정장치를 도시한 사시도이고,4 is a perspective view illustrating a cleaning apparatus after a chemical mechanical polishing process according to a conventional embodiment;

도 5는 종래의 다른 실시예에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정장치를 도시한 도면이고,5 is a view showing a cleaning apparatus after a chemical mechanical polishing process according to another embodiment of the prior art,

도 6은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치를 도시한 사시도이고,6 is a perspective view showing a chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마공정을 도시한 흐름도이다.7 is a flowchart illustrating a chemical mechanical polishing process according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

110 : 플래튼 111 : 폴리싱패드110: platen 111: polishing pad

120 : 슬러리공급노즐 130 : 초순수공급노즐120: slurry supply nozzle 130: ultrapure water supply nozzle

140 : 케미컬공급노즐 150 : 폴리싱 헤드140: chemical supply nozzle 150: polishing head

151 : 폴리싱하우징 151a : 회전축151: polishing housing 151a: rotation axis

151b : 백킹필름 152 : 리테이너링151b: backing film 152: retaining ring

본 발명은 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학적 기계적 연마공정에서 폴리싱을 마친 웨이퍼를 케미컬로 폴리싱하게 됨으로써 화학적 기계적 연마공정후 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질 제거를 위해 별도의 장치에서 케미컬로 세정하는 것을 생략할 수 있도록 하는 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정에 관한 것이다.The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing process using the same, and more particularly, by polishing a wafer polished in a chemical mechanical polishing process with a chemical, such as a slurry attached to the wafer surface after the chemical mechanical polishing process. The present invention relates to a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing process using the same, which can omit chemical cleaning in a separate apparatus to remove foreign substances.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하는 공정에서 웨이퍼상에 단차를 갖는 구조물이 형성되며, 층간의 절연과 이러한 구조물이 형성된 결과면의 전면을 평탄화하기 위한 목적으로 층간절연막(ILD; Interlayer Dielectric)을 형성하는데, 층간절연막을 형성한 직후에는 층간절연막 아래의 구조물이 갖는 표면형태 즉, 단차가 그대로 층간절연막에도 나타난다. 따라서 층간절연막 또는 평탄화 목적의 물질층을 형성한 후에는 평탄화 공정을 실시한다.In general, in the process of manufacturing a semiconductor device, a structure having a step is formed on a wafer, and an interlayer dielectric (ILD) is formed for the purpose of insulating the interlayer and planarizing the entire surface of the resultant surface on which the structure is formed. Immediately after the interlayer insulating film is formed, the surface shape of the structure under the interlayer insulating film, i.e., the step, appears in the interlayer insulating film as it is. Therefore, the planarization process is performed after the interlayer insulating film or the material layer for planarization is formed.

최근에는 웨이퍼가 대구경화됨에 따라 웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위한 방법으로 화학적인 기계가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; "CMP"라고도 함) 공정이 널리 이용되고 있다. In recent years, as the wafer has been large-sized, chemical-mechanical polishing (also referred to as "CMP") is a method for flattening the widened surface of the wafer by combining chemical machining and mechanical removal into one processing method. The process is widely used.

화학적 기계적 연마공정이란 단차를 가진 웨이퍼 표면을 폴리싱패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 웨이퍼와 폴리싱패드 사이에 주입시켜서 웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다.In the chemical mechanical polishing process, a wafer surface having a step is brought into close contact with a polishing pad, and a slurry containing abrasive and chemical is injected between the wafer and the polishing pad to planarize the surface of the wafer.

종래의 화학적 기계적 연마공정을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The conventional chemical mechanical polishing process will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마장치를 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마장치(10)는 웨이퍼(W)가 폴리싱되는 폴리싱패드(21)가 상측면에 마련됨과 아울러 폴리싱시 회전하는 플래튼(20)과, 플래튼(20)의 상측에 설치되어 슬러리 및 초순수를 폴리싱패드(21)로 각각 공급하는 슬러리공급노즐(30) 및 초순수공급노즐(40)과, 플래튼(20)의 상측에 설치되어 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하여 폴리싱패드(21)로 로딩/언로딩함과 아울러 폴리싱시 웨이퍼(W)를 일정한 압력으로 폴리싱패드(21)에 밀착시켜서 회전시키는 폴리싱헤드(50)를 포함한다.1 is a perspective view showing a chemical mechanical polishing apparatus according to the prior art. As shown in the drawing, the chemical mechanical polishing apparatus 10 according to the related art is provided with a polishing pad 21 on which a wafer W is polished, and a platen 20 which rotates during polishing and a platen. A slurry supply nozzle 30 and an ultrapure water supply nozzle 40 which are installed on the upper side of the slurry supply unit and supply the slurry and the ultrapure water to the polishing pad 21, respectively, and the wafer W And a polishing head 50 for rotating / adsorbing the wafer W in close contact with the polishing pad 21 at a predetermined pressure while polishing / loading with the polishing pad 21 by vacuum suction.

폴리싱헤드(50)는 회전을 위해 상측에 회전축(51a)이 결합됨과 아울러 하측면에 웨이퍼(W)를 흡착 또는 가압하는 폴리싱하우징(51)과, 폴리싱하우징(51)의 하측에 설치되는 리테이너링(52)을 포함한다.The polishing head 50 has a rotating housing 51a coupled to the upper side for rotation, and a polishing housing 51 for adsorbing or pressing the wafer W on the lower side thereof, and a retaining ring installed below the polishing housing 51. (52).

폴리싱하우징(51)은 외부의 진공공급부(미도시)와 에어공급부(미도시)로부터 공급되는 진공이나 에어를 하측에 형성되는 다수의 백사이드홀(미도시)로 공급되도록 내측에 유로(미도시)가 형성되며, 백사이드홀(미도시) 하측에 웨이퍼(W)를 흡착하거나 가압하도록 다수의 홀을 가지는 백킹필름(51b)이 부착된다.The polishing housing 51 has a flow path (not shown) to supply vacuum or air supplied from an external vacuum supply unit (not shown) and an air supply unit (not shown) to a plurality of backside holes (not shown) formed at a lower side thereof. Is formed, and a backing film 51b having a plurality of holes is attached to the lower side of the backside hole (not shown) to adsorb or pressurize the wafer W.

리테이너링(52)은 폴리싱하우징(51)의 하측에 설치되어 웨이퍼(W)의 둘레에 위치한다.The retainer ring 52 is provided below the polishing housing 51 and positioned around the wafer W. As shown in FIG.

도 2는 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마공정을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 화학적 기계적 연마공정은 폴리싱하고자 하는 웨이퍼(W)를 폴리싱패드(21)로 이송시키는 단계(S1)와, 슬러리공급노즐(30)을 통해 슬러리가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(21)에 폴리싱헤드(50)가 하측에 위치하는 웨이퍼(W)를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 슬러리 폴리싱하는 단계(S2)와, 슬러리 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 초순수공급노즐(40)을 통해 초순수가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(21)에 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 초순수 폴리싱하는 단계(S3)와, 초순수 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 후속공정을 위하여 배출시키는 단계(S4)를 포함한다.2 is a flowchart illustrating a chemical mechanical polishing process according to the related art. As shown, the conventional chemical mechanical polishing process is a step (S1) for transferring the wafer (W) to be polished to the polishing pad 21, the slurry is supplied through the slurry supply nozzle 30 and rotating polishing Ultrasonic water supply nozzle for slurry polishing the wafer W (S2) by closely contacting and rotating the wafer W having the polishing head 50 positioned on the pad 21 and the wafer W having finished slurry polishing. Ultra pure water is supplied through the 40 and the ultra pure water of the wafer W is adhered and rotated on the rotating polishing pad 21 (S3), and the ultra pure water finished wafer W is discharged for the subsequent process. It comprises a step (S4).

이러한 종래의 화학적 기계적 연마공정은 장비뿐만 아니라 폴리싱패드(21) 및 슬러리와 같은 소모재가 공정 특성을 결정짓는데 중요한 역할을 한다. 이 중에서 연마율을 결정하는 슬러리는 특정의 화학액에 연마입자가 분산되어 있는 상태이다. 화학액이 웨이퍼(W) 표면 물질은 화학적으로 반응시키고, 분산되어 있는 연마입자가 웨이퍼(W) 표면의 반응물질을 결함없이 제거함으로써 평탄화를 이룰 수 있으며, 일반적으로 30 내지 150nm 정도의 크기로 구성되었다. 연마입자의 종류에는 실리카(SiO2), 세리아(CEO2), 알루미나(Al2O3)가 대표적인 연마입자로 분류된다. In this conventional chemical mechanical polishing process, not only the equipment but also the consumable materials such as the polishing pad 21 and the slurry play an important role in determining the process characteristics. Among these, the slurry for determining the polishing rate is a state in which abrasive particles are dispersed in a specific chemical liquid. The chemical liquid reacts chemically with the wafer W surface material, and the dispersed abrasive particles can be planarized by eliminating defects on the wafer W surface without defects, and generally have a size of about 30 to 150 nm. It became. Examples of the abrasive particles include silica (SiO 2 ), ceria (CEO 2 ), and alumina (Al 2 O 3 ).

그러나, 화학적 기계적 연마공정의 연마율을 결정짓는 슬러리의 경우 폴리싱 중에는 가장 중요한 요소이지만, 폴리싱 후에는 웨이퍼(W) 표면에 잔존해서는 안된다. 즉, 폴리싱후에는 슬러리는 세정공정 등을 통해서 웨이퍼(W) 표면으로부터 완전히 제거되어야만 후속공정시 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.However, the slurry that determines the polishing rate of the chemical mechanical polishing process is the most important factor during polishing, but should not remain on the surface of the wafer W after polishing. That is, after polishing, the slurry must be completely removed from the surface of the wafer W through a cleaning process to ensure the reliability of the semiconductor device in a subsequent process.

도 3은 종래의 기술에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정공정을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 화학적 기계적 연마공정을 마친 웨이퍼의 세정공정은 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 세정장치로 이송시키는 단계(S5)와, 웨이퍼(W)를 케미컬과 브러쉬를 사용하여 세정하는 단계(S6)와, 웨이퍼(W)를 케미컬과 메가소닉을 사용하여 세정하는 단계(S7)와 웨이퍼(W)를 린스 및 드라이하는 단계(S8)를 포함한다. 3 is a flowchart illustrating a cleaning process after a chemical mechanical polishing process according to the related art. As shown in the drawing, the cleaning process of the wafer after the chemical mechanical polishing process is performed by transferring the polished wafer W to the cleaning apparatus (S5), and cleaning the wafer W using a chemical and a brush ( S6), cleaning the wafer W using chemicals and megasonics (S7) and rinsing and drying the wafer W (S8).

도 4는 종래의 일실시예에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정장치를 도시한 사시도이며, 웨이퍼(W)를 케미컬과 브러쉬를 사용하여 세정하는 단계(S6)에 사용되는 장치(60)로서, 웨이퍼(W)의 에지부분을 지지함과 아울러 회전시키는 다수의 회전지지핀(61)과, 회전지지핀(61)에 지지되어 회전하는 웨이퍼(W)에 케미컬 또는 초순수를 분사하는 분사노즐(62)과, 회전지지핀(61)에 지지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 상.하면에 접촉하여 회전함으로써 웨이퍼(W) 표면에 부착된 이물질을 제거하는 PVA 재질의 브러쉬(63,64)를 포함한다.4 is a perspective view illustrating a cleaning apparatus after a chemical mechanical polishing process according to an exemplary embodiment, and is an apparatus 60 used in a step S6 of cleaning a wafer W using chemicals and a brush. A plurality of rotary support pins 61 for supporting and rotating the edge portion of (W), and a spray nozzle 62 for injecting chemical or ultrapure water to the wafer W, which is supported by the rotary support pins 61 and rotates. And brushes 63 and 64 made of PVA, which remove foreign substances adhering to the surface of the wafer W by rotating in contact with the upper and lower surfaces of the wafer W that is supported by the rotation supporting pin 61 and rotates. .

도 5는 종래의 다른 실시예에 따른 화학적 기계적 연마공정후의 세정장치를 도시한 도면이며, 웨이퍼(W)를 케미컬과 메가소닉을 사용하여 세정하는 단계(S7)에 사용되는 장치(70)로서, 웨이퍼(W)의 상면과 하면에 각각 케미컬 또는 초순수를 분사하는 상부 및 하부스프레이(71,72)와, 웨이퍼(W)의 상측면에 설치되어 웨이퍼(W) 에 분사되는 케미컬이나 초순수에 초음파를 전달하여 웨이퍼(W) 표면에 부착된 이물질을 제거하는 메가소닉(73)을 포함한다.FIG. 5 is a view showing a cleaning apparatus after a chemical mechanical polishing process according to another conventional embodiment, and is an apparatus 70 used in a step S7 of cleaning a wafer W using chemical and megasonic. Ultrasonic waves are applied to the upper and lower sprays 71 and 72 for spraying chemical or ultrapure water onto the upper and lower surfaces of the wafer W, and to the chemicals and ultrapure water sprayed onto the wafer W, which are installed on the upper surface of the wafer W. Megasonic 73 to transfer to remove the foreign matter attached to the surface of the wafer (W).

그러나, 이와 같이 화학적 기계적 연마공정후의 세정공정을 위해서 상기한 별도의 세정장치(60,70)들을 필요로 하게 되며, 이로 인해 장치 구입 및 유지에 따른 비용 증가를 발생시키며, 별도의 세정공정으로 인한 공정시간의 증가로 인해 생산성을 저하시키는 문제점을 발생시킨다.However, such a separate cleaning device (60, 70) is required for the cleaning process after the chemical mechanical polishing process, and this causes an increase in cost due to the purchase and maintenance of the device. An increase in process time causes a problem of lowering productivity.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 화학적 기계적 연마공정에서 폴리싱을 마친 웨이퍼를 케미컬로 폴리싱하게 됨으로써 화학적 기계적 연마공정후 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질 제거를 위해 별도의 장치에서 케미컬로 세정하는 것을 생략함으로써 세정장비의 구입 및 유지에 따른 비용을 절감하고, 공정시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시키며, 웨이퍼의 세정에 적정한 케미컬의 사용 및 이를 이용한 폴리싱으로 인해 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질을 효율적으로 제거하도록 하는 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정을 제공하는데 있다. The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, an object of the present invention is to polish the wafer polished in the chemical mechanical polishing process with a chemical to remove foreign substances such as slurry adhered to the wafer surface after the chemical mechanical polishing process In order to reduce the cost of purchasing and maintaining the cleaning equipment, improve the productivity by shortening the process time by omitting the chemical cleaning in a separate device, and using the chemical suitable for cleaning the wafer and polishing using the wafer The present invention provides a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing process using the same to efficiently remove foreign substances such as slurry attached to a surface.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 화학적 기계적 연마장치에 있어서, 상측에 폴리싱패드가 마련되며, 폴리싱시 회전하는 플래튼과, 폴리싱패드 상측에 슬러리를 공급하도록 설치되는 슬러리공급노즐과, 폴리싱패드 상측에 초순수를 공급하도록 설치되는 초순수공급노즐과, 폴리싱패드 상측에 케미컬을 공급하도록 설치되는 케미컬공급노즐과, 폴리싱패드상에 설치되고, 슬러리공급노즐, 초순수공 급노즐 및 케미컬공급노즐로부터 슬러리, 초순수 및 케미컬이 순차적으로 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드에 웨이퍼를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼를 각각 폴리싱하는 폴리싱헤드를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the chemical mechanical polishing apparatus, the present invention provides a polishing pad provided on an upper side thereof, a platen that rotates during polishing, a slurry supply nozzle installed to supply a slurry on an upper side of the polishing pad, and polishing. Ultrapure water supply nozzles installed to supply ultrapure water to the upper side of the pad, Chemical supply nozzles installed to supply chemicals to the upper side of the polishing pad, Slurry from slurry supply nozzles, ultrapure water supply nozzles and chemical supply nozzles installed on the polishing pad And a polishing head for supplying ultrapure water and chemicals sequentially and polishing the wafers by closely attaching and rotating the wafers to the rotating polishing pads.

또한, 본 발명은 화학적 기계적 연마공정에 있어서, 슬러리가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드에 웨이퍼를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼의 슬러리 폴리싱을 실시하는 단계와, 웨이퍼의 슬러리 폴리싱을 마치면 폴리싱패드에 초순수를 공급하여 웨이퍼의 초순수 폴리싱을 실시하는 단계와, 웨이퍼의 초순수 폴리싱을 마치면 폴리싱패드에 케미컬을 공급하여 웨이퍼의 케미컬 폴리싱을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the chemical mechanical polishing process, the slurry is supplied, and the slurry polishing of the wafer is performed by bringing the wafer into close contact with and rotating the polishing pad, and when the slurry polishing of the wafer is finished, ultrapure water is supplied to the polishing pad. And performing ultra-pure polishing of the wafer, and supplying chemicals to the polishing pad after the ultra-pure polishing of the wafer is finished, performing chemical polishing of the wafer.

이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치를 도시한 사시도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치(100)는 웨이퍼(W)가 폴리싱되는 폴리싱패드(111)가 상측면에 마련되는 플래튼(110)과, 폴리싱패드(111) 상측에 슬러리, 초순수, 케미컬을 각각 공급하도록 설치되는 슬러리공급노즐(120), 초순수공급노즐(130) 및 케미컬공급노즐(140)과, 폴리싱패드(111)에 웨이퍼(W)를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 폴리싱하는 폴리싱헤드(150)를 포함한다.6 is a perspective view showing a chemical mechanical polishing apparatus according to the present invention. As shown, the chemical mechanical polishing apparatus 100 according to the present invention includes a platen 110 having a polishing pad 111 on which a wafer W is polished, and a slurry on the polishing pad 111. , The slurry supply nozzle 120, the ultra pure water supply nozzle 130, and the chemical supply nozzle 140, which are installed to supply ultrapure water and chemical, respectively, and the wafer W by closely contacting and rotating the wafer W to the polishing pad 111. ) And a polishing head 150 for polishing ().

플래튼(110)은 상측면에 웨이퍼(W)의 폴리싱이 실시되는 폴리싱패드(111)가 마련되며, 하측에 회전을 위한 회전축(112)이 마련된다.The platen 110 is provided with a polishing pad 111 for polishing the wafer W on an upper side thereof, and a rotating shaft 112 for rotation on the lower side thereof.

슬러리공급노즐(120)은 외부의 슬러리공급부(미도시)로부터 공급되는 슬러리를 폴리싱패드(111)상으로 공급하여 웨이퍼(W)의 슬러리 폴리싱이 실시되도록 한다.The slurry supply nozzle 120 supplies a slurry supplied from an external slurry supply unit (not shown) onto the polishing pad 111 so that slurry polishing of the wafer W is performed.

초순수공급노즐(130)은 외부의 초순수공급부(미도시)로부터 공급되는 슬러리를 폴리싱패드(111)상으로 공급하여 웨이퍼(W)의 초순수 폴리싱에 의해 슬러리 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)에 부착되는 슬러리 등의 이물질을 일차적으로 제거하도록 한다.The ultrapure water supply nozzle 130 supplies a slurry supplied from an external ultrapure water supply unit (not shown) onto the polishing pad 111 and adheres to the wafer W after slurry polishing by ultrapure water polishing of the wafer W. Remove foreign substances such as back.

케미컬공급노즐(140)은 외부의 케미컬공급부(미도시)로부터 공급되는 케미컬을 폴리싱패드(111)상으로 공급하여 웨이퍼(W)의 케미컬 폴리싱에 의해 초순수 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)에 부착되는 슬러리 등의 이물질을 이차적으로 제거하도록 한다.The chemical supply nozzle 140 supplies a chemical supplied from an external chemical supply unit (not shown) onto the polishing pad 111 and adheres to the wafer W that has been subjected to ultrapure polishing by chemical polishing of the wafer W. Remove foreign substances such as secondary.

케미컬공급노즐(140)은 케미컬 폴리싱시 웨이퍼(W) 표면에 부착되는 이물질의 효과적인 제거를 위하여 초순수, 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2)를 포함하되, 황산(H2SO4)의 중량비가 10∼15 wt%임과 아울러 과산화수소(H2O2)의 중량비가 4∼7 wt% 인 케미컬(Diluted Sulfuric acid, "DSP"라고도 함)을 폴리싱패드(111)로 공급하거나, 이러한 성분을 가진 케미컬에 불산(HF)이 100∼500ppm의 농도를 유지하도록 혼합된 케미컬(Diluted Sulfuric acid, Peroxide with ppm unit of HF, "DSP+"라고도 함)을 공급하게 된다.The chemical supply nozzle 140 includes ultrapure water, sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and sulfuric acid (H 2 SO 2 ) for effective removal of foreign substances adhering to the surface of the wafer (W) during chemical polishing. 4 ) the chemicals (Diluted Sulfuric acid, also referred to as "DSP") having a weight ratio of 10 to 15 wt% and a weight ratio of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) to 4 to 7 wt% or to the polishing pad 111 In addition, a chemical (Diluted Sulfuric acid, Peroxide with ppm unit of HF, also known as "DSP +") is supplied to a chemical having such a component to maintain a concentration of 100 to 500 ppm of hydrofluoric acid (HF).

폴리싱헤드(150)는 폴리싱패드(111) 상측에 설치되고, 슬러리공급노즐(120), 초순수공급노즐(130) 및 케미컬공급노즐(140)로부터 슬러리, 초순수 및 케미컬이 순차적으로 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(111)에 웨이퍼(W)를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼(W)를 각각 폴리싱한다.The polishing head 150 is installed above the polishing pad 111, and is sequentially supplied with slurry, ultrapure water, and chemical from the slurry supply nozzle 120, the ultrapure water supply nozzle 130, and the chemical supply nozzle 140. The wafer W is polished by bringing the wafer W into close contact with and rotating the polishing pad 111.

폴리싱헤드(150)는 웨이퍼(W)의 회전을 위하여 회전축(151a)이 상측에 결합됨과 아울러 하측면에 웨이퍼(W)를 흡착 또는 가압하는 폴리싱하우징(151)과, 폴리싱하우징(151)의 하측에 설치되어 웨이퍼(W)의 둘레에 위치하는 리테이너링(152)을 포함한다.The polishing head 150 has a rotating housing 151a coupled to an upper side for rotating the wafer W, and a polishing housing 151 for adsorbing or pressing the wafer W on a lower side thereof, and a lower side of the polishing housing 151. And a retainer ring 152 disposed in the periphery of the wafer W.

폴리싱하우징(151)은 외부의 진공공급부(미도시)와 에어공급부(미도시)로부터 공급되는 진공이나 에어를 하측에 형성되는 다수의 백사이드홀(미도시)로 공급되도록 내측에 유로(미도시)가 형성되며, 백사이드홀(미도시) 하측에 웨이퍼(W)를 흡착하거나 가압하도록 다수의 홀을 가지는 백킹필름(151b)이 부착된다.The polishing housing 151 has a flow path (not shown) to supply vacuum or air supplied from an external vacuum supply unit (not shown) and an air supply unit (not shown) to a plurality of backside holes (not shown) formed at a lower side thereof. Is formed, and a backing film 151b having a plurality of holes is attached to the lower side of the backside hole (not shown) to adsorb or pressurize the wafer W.

이와 같은 본 발명의 화학적 기계적 연마장치(100)의 작동을 본 발명의 화학적 기계적 연마공정과 함께 설명하면 다음과 같다.Such operation of the chemical mechanical polishing apparatus 100 of the present invention will be described with the chemical mechanical polishing process of the present invention as follows.

도 7은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마공정을 도시한 흐름도이다. 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마공정은 웨이퍼(W)를 폴리싱패드(111)로 이송시키는 단계(S10)와, 웨이퍼(W)를 슬러리로 폴리싱하는 단계(S20)와, 웨이퍼(W)를 초순수로 폴리싱하는 단계(S30)와, 웨이퍼(W)를 케미컬로 폴리싱하는 단계(S40)와, 웨이퍼(W)를 후속공정을 위하여 배출시키는 단계(S50)를 포함한다.7 is a flowchart illustrating a chemical mechanical polishing process according to the present invention. As shown, the chemical mechanical polishing process according to the present invention includes transferring the wafer W to the polishing pad 111 (S10), polishing the wafer W into a slurry (S20), and the wafer ( Polishing S) with ultrapure water (S30), polishing the wafer W chemically (S40), and discharging the wafer W for subsequent processing (S50).

웨이퍼(W)를 폴리싱패드(111)로 이송시키는 단계(S10)는 폴리싱헤드(150) 하 측면에 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하여 폴리싱패드(111)상에 로딩시키는 단계이다.Transferring the wafer W to the polishing pad 111 (S10) is a step in which the wafer W is vacuum-adsorbed on the lower side of the polishing head 150 to be loaded on the polishing pad 111.

웨이퍼(W)를 슬러리로 폴리싱하는 단계(S20)는 슬러리공급노즐(120)로부터 슬러리가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(111)에 폴리싱헤드(150)가 웨이퍼(W)를 에어의 압력에 의해 밀착시켜서 회전시킴으로써 웨이퍼(W)의 폴리싱면에 대한 평탄화를 위한 슬러리 폴리싱을 실시한다.In the step S20 of polishing the wafer W with the slurry, the slurry is supplied from the slurry supply nozzle 120 and the polishing head 150 is applied to the rotating polishing pad 111 by the pressure of air. By contacting and rotating, slurry polishing for flattening the polishing surface of the wafer W is performed.

웨이퍼(W)를 초순수로 폴리싱하는 단계(S30)는 폴리싱헤드(150)가 슬러리 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 초순수공급노즐(130)로부터 초순수가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(111)에 에어의 압력으로 밀착시켜서 웨이퍼(W)의 초순수 폴리싱을 실시함으로써 웨이퍼(W) 표면에 부착되는 슬러리 등의 이물질을 일차적으로 제거한다. In the step S30 of polishing the wafer W with ultrapure water, air is supplied to the polishing pad 111 in which the ultra pure water is supplied from the ultrapure water supply nozzle 130 and the polishing head 150 is slurry-polished. Ultrapure water polishing of the wafer W by bringing it into close contact at a pressure of, removes foreign matter such as a slurry adhered to the surface of the wafer W first.

웨이퍼(W)를 케미컬로 폴리싱하는 단계(S40)는 폴리싱헤드(150)가 초순수 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 케미컬공급노즐(140)로부터 케미컬이 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드(111)에 에어의 압력으로 밀착시켜서 웨이퍼(W)의 케미컬 폴리싱을 실시함으로써 웨이퍼(W) 표면에 부착되는 슬러리 등의 이물질을 이차적으로 제거한다.Polishing the wafer (W) with a chemical (S40) is air to the polishing pad (111), which is supplied with chemicals from the chemical supply nozzle (140) to the wafer (W) in which the polishing head (150) has finished ultrapure water polishing. By chemically polishing the wafer W by bringing it into close contact at a pressure of, the foreign matter such as a slurry adhering to the surface of the wafer W is secondarily removed.

웨이퍼(W)를 케미컬로 폴리싱을 하는 경우 웨이퍼(W) 표면에 부착되는 이물질의 효과적인 제거를 위하여 초순수, 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2)를 포함하되, 황산(H2SO4)의 중량비가 10∼15 wt%임과 아울러 과산화수소(H2O2)의 중량비가 4∼7 wt%인 케미컬(Diluted Sulfuric acid, "DSP"라고도 함)을 폴리싱패드(111)로 공급 하거나, 이러한 성분을 가진 케미컬에 불산(HF)이 100∼500ppm의 농도를 유지하도록 혼합된 케미컬(Diluted Sulfuric acid, Peroxide with ppm unit of HF, "DSP+"라고도 함)을 폴리싱패드(111)로 공급한다.Chemical polishing of the wafer W includes ultrapure water, sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), and sulfuric acid (H 2 ) for effective removal of foreign substances adhering to the wafer W surface. SO 4 ) of 10 to 15 wt% weight ratio of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) to the chemicals (Diluted Sulfuric acid, also referred to as "DSP") of 4 to 7 wt% supplied to the polishing pad 111 Alternatively, chemically mixed chemicals (such as diluted sulfuric acid, peroxide with ppm unit of HF, or "DSP +") are supplied to the polishing pad 111 to maintain a concentration of 100 to 500 ppm of the chemical having such a component. do.

웨이퍼(W)를 후속공정을 위하여 배출시키는 단계(S50)는 폴리싱헤드(150)가 웨이퍼(W)를 진공으로 흡착하여 린스 및 드라이 공정 등의 후속 공정 수행을 위하여 폴리싱패드(111)로부터 언로딩시킨다.In operation S50, the wafer W is discharged for the subsequent process, and the polishing head 150 sucks the wafer W in a vacuum to be unloaded from the polishing pad 111 to perform a subsequent process such as a rinse and dry process. Let's do it.

이상과 같이 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 화학적 기계적 연마공정에서 슬러리 및 초순수 폴리싱을 마친 웨이퍼(W)를 케미컬로 폴리싱하게 됨으로써 화학적 기계적 연마공정후 웨이퍼(W) 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질 제거를 위해 브러쉬, 메가소닉 등을 이용하여 케미컬 세정을 실시하는 공정을 생략함으로써 이러한 세정장비의 구입 및 유지에 따른 비용을 절감하고, 공정시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시키며, 웨이퍼(W)의 세정에 적정한 케미컬의 사용 및 이를 이용한 폴리싱으로 인해 웨이퍼(W) 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질을 효율적으로 제거하게 된다. According to a preferred embodiment of the present invention as described above, by polishing the wafer (W) after the slurry and ultrapure water polishing in the chemical mechanical polishing process by chemical, foreign matters such as slurry attached to the surface of the wafer (W) after the chemical mechanical polishing process By eliminating the process of chemical cleaning using a brush, megasonic, etc. for removal, it reduces the cost of purchasing and maintaining such cleaning equipment, improves productivity by shortening the process time, and cleans the wafer W. Due to the use of a chemical suitable for the polishing and polishing using the same, foreign matters such as a slurry adhered to the surface of the wafer W can be efficiently removed.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정은 화학적 기계적 연마공정에서 폴리싱을 마친 웨이퍼를 케미컬로 폴리싱하게 됨으로써 화학적 기계적 연마공정후 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질 제거를 위해 별도의 장치에서 케미컬로 세정하는 것을 생략함으로써 세정장비의 구입 및 유지에 따른 비용을 절감하고, 공정시간을 단축시킴으로써 생산성을 향상시키며, 웨이퍼의 세정에 적정한 케미컬의 사용 및 이를 이용한 폴리싱으로 인해 웨이퍼 표면에 부착된 슬러리 등의 이물질을 효율적으로 제거하도록 하는 효과를 가지고 있다. As described above, in the chemical mechanical polishing apparatus and the chemical mechanical polishing process using the same, foreign substances such as slurry adhered to the surface of the wafer after chemical mechanical polishing process by polishing the wafer polished with chemical in the chemical mechanical polishing process. By eliminating chemical cleaning in a separate device for removal, it reduces the cost of purchasing and maintaining cleaning equipment, improves productivity by shortening the process time, and uses chemicals suitable for cleaning wafers and polishing using the same. Therefore, it has an effect of efficiently removing foreign matters such as a slurry adhered to the wafer surface.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적 연마공정을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for performing a chemical mechanical polishing apparatus and a chemical mechanical polishing process using the same, and the present invention is not limited to the above-described embodiment, but is claimed in the following claims. As will be apparent to those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention, the technical spirit of the present invention will be described to the extent that various modifications can be made.

Claims (6)

화학적 기계적 연마장치에 있어서,In chemical mechanical polishing apparatus, 상측에 폴리싱패드가 마련되며, 폴리싱시 회전하는 플래튼과,Polishing pad is provided on the upper side, the platen to rotate during polishing, 상기 폴리싱패드 상측에 슬러리를 공급하도록 설치되는 슬러리공급노즐과,A slurry supply nozzle installed to supply a slurry on the polishing pad, 상기 폴리싱패드 상측에 초순수를 공급하도록 설치되는 초순수공급노즐과,An ultrapure water supply nozzle installed to supply ultrapure water above the polishing pad; 상기 폴리싱패드 상측에 케미컬을 공급하도록 설치되는 케미컬공급노즐과,A chemical supply nozzle installed to supply chemical to an upper side of the polishing pad; 상기 폴리싱패드상에 설치되고, 상기 슬러리공급노즐, 상기 초순수공급노즐 및 상기 케미컬공급노즐로부터 슬러리, 초순수 및 케미컬이 순차적으로 공급됨과 아울러 회전하는 상기 폴리싱패드에 상기 웨이퍼를 밀착 및 회전시킴으로써 상기 웨이퍼를 각각 폴리싱하는 폴리싱헤드를 포함하고,The wafer is installed on the polishing pad, and the slurry, ultrapure water, and chemical are sequentially supplied from the slurry supply nozzle, the ultrapure water supply nozzle, and the chemical supply nozzle, and the wafer is brought into close contact with and rotated to the rotating polishing pad. Each comprising a polishing head for polishing, 상기 케미컬공급노즐은,The chemical supply nozzle, 초순수, 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2)를 포함하되, 황산(H2SO4)의 중량비가 10∼15 wt%임과 아울러 과산화수소(H2O2)의 중량비가 4∼7 wt% 인 케미컬을 공급하는 것Ultrapure water, sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), including the weight ratio of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) is 10-15 wt% and the weight ratio of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is 4 To supply chemicals of ˜7 wt% 을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.Chemical mechanical polishing apparatus characterized in that. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 케미컬은The chemical is 불산(HF)이 100∼500ppm의 농도를 유지하도록 혼합되는 것Mixed with hydrofluoric acid (HF) to maintain a concentration of 100 to 500 ppm 을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치. Chemical mechanical polishing apparatus characterized in that. 화학적 기계적 연마공정에 있어서,In chemical mechanical polishing process, 슬러리가 공급됨과 아울러 회전하는 폴리싱패드에 웨이퍼를 밀착 및 회전시킴으로써 웨이퍼의 슬러리 폴리싱을 실시하는 단계와,Performing slurry polishing of the wafer by bringing the slurry into close contact with the rotating polishing pad and rotating the slurry; 상기 웨이퍼의 슬러리 폴리싱을 마치면 상기 폴리싱패드에 초순수를 공급하여 웨이퍼의 초순수 폴리싱을 실시하는 단계와,When the slurry polishing of the wafer is finished, supplying ultrapure water to the polishing pad to perform ultrapure water polishing of the wafer; 상기 웨이퍼의 초순수 폴리싱을 마치면 상기 폴리싱패드에 케미컬을 공급하여 웨이퍼의 케미컬 폴리싱을 실시하는 단계를 포함하고,When the ultra-pure polishing of the wafer is finished, supplying the chemical to the polishing pad to perform a chemical polishing of the wafer, 상기 웨이퍼의 케미컬 폴리싱 단계는,Chemical polishing of the wafer, 초순수, 황산(H2SO4), 과산화수소(H2O2)를 포함하되, 황산(H2SO4)의 중량비가 10∼15 wt%임과 아울러 과산화수소(H2O2)의 중량비가 4∼7 wt% 인 케미컬을 사용하는 것Ultrapure water, sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), including the weight ratio of sulfuric acid (H 2 SO 4 ) is 10-15 wt% and the weight ratio of hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) is 4 Using chemicals of ˜7 wt% 을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마공정.Chemical mechanical polishing process, characterized in that. 삭제delete 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 케미컬은The chemical is 불산(HF)이 100∼500ppm의 농도를 유지하도록 혼합되는 것Mixed with hydrofluoric acid (HF) to maintain a concentration of 100 to 500 ppm 을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마공정.Chemical mechanical polishing process, characterized in that.
KR1020050130935A 2005-12-27 2005-12-27 Chemical mechanical polisher and process for the same KR100744221B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130935A KR100744221B1 (en) 2005-12-27 2005-12-27 Chemical mechanical polisher and process for the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130935A KR100744221B1 (en) 2005-12-27 2005-12-27 Chemical mechanical polisher and process for the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070068866A KR20070068866A (en) 2007-07-02
KR100744221B1 true KR100744221B1 (en) 2007-07-30

Family

ID=38504714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050130935A KR100744221B1 (en) 2005-12-27 2005-12-27 Chemical mechanical polisher and process for the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100744221B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102098992B1 (en) * 2017-12-15 2020-04-08 에스케이실트론 주식회사 Cleaning device of wafer polishing pad

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019355A (en) * 1998-09-10 2000-04-06 윤종용 Cmp apparatus and driving method thereof
JP2002299293A (en) 2001-03-26 2002-10-11 Samsung Electronics Co Ltd Polishing method and polishing apparatus for wafer
KR20050032184A (en) * 2003-10-01 2005-04-07 동부아남반도체 주식회사 Method for cleaning a semiconductor wafer and apparatus thereof
KR20050067600A (en) * 2003-12-29 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Device for spraying chemical to wafer in semiconductor
KR20050070419A (en) * 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 Chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019355A (en) * 1998-09-10 2000-04-06 윤종용 Cmp apparatus and driving method thereof
JP2002299293A (en) 2001-03-26 2002-10-11 Samsung Electronics Co Ltd Polishing method and polishing apparatus for wafer
KR20050032184A (en) * 2003-10-01 2005-04-07 동부아남반도체 주식회사 Method for cleaning a semiconductor wafer and apparatus thereof
KR20050067600A (en) * 2003-12-29 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Device for spraying chemical to wafer in semiconductor
KR20050070419A (en) * 2003-12-30 2005-07-07 동부아남반도체 주식회사 Chemical mechanical polishing device for reducing the wafer scratch

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070068866A (en) 2007-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101277614B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5702563A (en) Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination
US10734254B2 (en) Brush cleaning apparatus, chemical-mechanical polishing (CMP) system and wafer processing method
JPH0871511A (en) Cleaning and its device
US10256120B2 (en) Systems, methods and apparatus for post-chemical mechanical planarization substrate buff pre-cleaning
JP6468037B2 (en) Polishing equipment
KR100790913B1 (en) Polishing system and polishing method
JP2012138498A (en) Cleaning method
US7052376B1 (en) Wafer carrier gap washer
JPH11354480A (en) Wafer washing method and wafer washing device
JP2016043471A (en) Substrate processing apparatus
KR100744221B1 (en) Chemical mechanical polisher and process for the same
KR100687425B1 (en) Polisher/cleaning apparatus and method for semiconductor wafer
US8142258B2 (en) Method of transferring a wafer
JP2000040684A (en) Cleaning equipment
KR20090068640A (en) Chemical-mechanical polishing apparatus for manufacturing semiconductor devices and method thereof
KR100744222B1 (en) Chemical-mechanical polishing system
KR102483002B1 (en) Substrate procesing apparatus
KR100628226B1 (en) Apparatus and Method for Chemical Mechanical Polishing of Semiconductor Device
JP2001345293A (en) Method and apparatus for chemical mechanical polishing
KR100517176B1 (en) Rotary transporter for chemical mechanical polishing apparatus
JPH08153695A (en) Polish method, polish device used for it and polish finishing device
KR100677034B1 (en) Methods and apparatus for cleaning semiconductor devices
KR100802302B1 (en) Head Cup Loading Unloading System
KR20060130321A (en) Chemical mechanical polishing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
LAPS Lapse due to unpaid annual fee