JP6468037B2 - Polishing equipment - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの表面を研磨するための研磨装置に関する。   The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a surface of a wafer.

従来、シリコンウェーハ等のウェーハを研磨するために、ウェーハを保持するための研磨ヘッド、研磨ヘッドに保持されたウェーハに接触してウェーハの表面を研磨する研磨布等を具備する研磨装置が使用されている。また、一般的に、このような研磨装置を使用する場合には、シリカ等の砥粒及びアルカリ溶液から成る研磨スラリーを研磨布の表面に供給しながらウェーハの表面を研磨することが多い。   Conventionally, in order to polish a wafer such as a silicon wafer, a polishing apparatus having a polishing head for holding the wafer, a polishing cloth for polishing the surface of the wafer in contact with the wafer held by the polishing head, and the like is used. ing. In general, when such a polishing apparatus is used, the surface of the wafer is often polished while supplying a polishing slurry comprising abrasive grains such as silica and an alkaline solution to the surface of the polishing cloth.

ここで、一般的なロータリー方式の研磨装置について説明する。一般的なロータリー方式の研磨装置は、研磨ヘッド、研磨布を貼り付けた定盤（以下、研磨ステージと呼称する場合もある）、及び研磨ヘッドにウェーハを脱着するためのローディング／アンローディングステージを有している。このとき、研磨ステージを複数具備していても良い。また、ローディング／アンローディングステージは、研磨ヘッドにウェーハを装着（ロード）するためのロードテーブル、研磨ヘッドからウェーハを脱離させるためのアンロードテーブルを有していても良い。この研磨装置では、各研磨ステージで、定盤に貼り付けられた研磨布上に研磨スラリーを供給し、研磨ヘッドに保持されたウェーハの表面と研磨布を摺動させて研磨を行う。   Here, a general rotary polishing apparatus will be described. A general rotary polishing apparatus includes a polishing head, a surface plate (hereinafter also referred to as a polishing stage) to which a polishing cloth is attached, and a loading / unloading stage for detaching a wafer from the polishing head. Have. At this time, a plurality of polishing stages may be provided. The loading / unloading stage may have a load table for loading (loading) the wafer on the polishing head and an unloading table for removing the wafer from the polishing head. In this polishing apparatus, at each polishing stage, polishing slurry is supplied onto the polishing cloth affixed to the surface plate, and polishing is performed by sliding the surface of the wafer held by the polishing head and the polishing cloth.

上記のような研磨装置を使用する場合、まず、収納ボックスに入っているウェーハを取り出し、取り出したウェーハをローディング／アンローディングステージ上のロードテーブルに置く。そして、ウェーハの置かれたロードテーブルが研磨ヘッドの下に待機し、その後研磨ヘッドが下降して研磨ヘッドにウェーハが貼り付く。   When using the polishing apparatus as described above, first, the wafer contained in the storage box is taken out, and the taken-out wafer is placed on the load table on the loading / unloading stage. Then, the load table on which the wafer is placed waits under the polishing head, and then the polishing head descends to attach the wafer to the polishing head.

続いて、ウェーハを保持した研磨ヘッドは研磨布が配設されている研磨ステージへ移動し、この研磨ステージにおける所定の研磨代分の研磨完了後に定盤から離れて、次の研磨ステージへ移動する。移動後、当該ウェーハの研磨の続きを行う。このようにして研磨に使用する各研磨ステージを切り替えながら研磨を進めていく。   Subsequently, the polishing head holding the wafer moves to the polishing stage where the polishing cloth is disposed, and after the polishing for the predetermined polishing amount in the polishing stage is completed, moves away from the surface plate and moves to the next polishing stage. . After the movement, polishing of the wafer is continued. In this way, polishing is performed while switching each polishing stage used for polishing.

上記のような研磨の完了後、研磨後のウェーハを保持した研磨ヘッドはローディング／アンローディングステージ上に移動し、アンロードテーブルにて研磨ヘッドからウェーハが剥離（アンロード）される。以上のように、ロータリー方式の研磨装置は、ウェーハを保持した研磨ヘッドの位置を、研磨ステージ間、又は研磨ステージとローディング／アンローディングステージ間で順に交換しながら研磨を行う。   After completion of the polishing as described above, the polishing head holding the polished wafer moves onto the loading / unloading stage, and the wafer is peeled (unloaded) from the polishing head by the unload table. As described above, the rotary polishing apparatus performs polishing while sequentially changing the position of the polishing head holding the wafer between the polishing stages or between the polishing stage and the loading / unloading stage.

研磨装置で研磨した後のウェーハの表面には、研磨スラリーに含まれているシリカ等の砥粒やアルカリ溶液等が付着している。そのため、研磨完了後に、ウェーハを研磨ヘッドから取り外し、洗浄装置に投入して洗浄を行うことが多い（例えば、特許文献１、２参照）。特に、半導体ウェーハをロータリー方式で搬送する研磨装置を使用する場合には、研磨ヘッドからウェーハを取り外した後、スクラブ洗浄や薬液ディップ洗浄が行われる。   On the surface of the wafer after being polished by the polishing apparatus, abrasive grains such as silica or an alkaline solution contained in the polishing slurry are attached. For this reason, after the polishing is completed, the wafer is often removed from the polishing head and put into a cleaning device for cleaning (see, for example, Patent Documents 1 and 2). In particular, when a polishing apparatus that transports a semiconductor wafer by a rotary method is used, scrub cleaning or chemical dip cleaning is performed after the wafer is removed from the polishing head.

特開２００５−０７４５７４号公報JP 2005-074574 A 特開２０１４−１６７９９６号公報JP 2014-167996 A

近年の半導体素子の高集積度化に伴い、表面のパーティクル等の欠陥の総数（Ｓｕｍ Ｏｆ Ｄｅｆｅｃｔｓ：ＳＯＤ）がより少ないウェーハが必要とされている。そのため、ＳＯＤレベルの改善が要求されている。   With the recent increase in the degree of integration of semiconductor elements, a wafer having a smaller total number of defects (Sum Of Defects: SOD) such as particles on the surface is required. Therefore, improvement of the SOD level is required.

その要求を満たすための対応として、洗浄による除去効率を上げることと、研磨中に付着するシリカやアルカリ溶液をできる限り洗浄機へ持ち込まないことが必要となる。例えば、除去効率を上げるためには洗浄装置自体の改善や、除去効果のより高い洗浄条件に変更する。例えば、洗浄液や洗浄温度、時間等である。この場合、図８に示すように、洗浄後のウェーハの表面の欠陥の平均総数（ＳＯＤ）は減少する。しかし、一方で、図９に示すようにウェーハの表面の平滑性を表すパラメーターであるＤＷ−Ｈａｚｅが大きく悪化してしまう。   In order to satisfy this requirement, it is necessary to increase the removal efficiency by washing and to bring silica and alkali solution adhering during polishing to the washing machine as much as possible. For example, in order to increase the removal efficiency, the cleaning apparatus itself is improved or the cleaning conditions are changed to a higher removal effect. For example, cleaning liquid, cleaning temperature, time, and the like. In this case, as shown in FIG. 8, the average total number (SOD) of defects on the surface of the wafer after cleaning decreases. However, on the other hand, as shown in FIG. 9, DW-Haze, which is a parameter representing the smoothness of the wafer surface, is greatly deteriorated.

一方で、洗浄装置へのシリカ等の持ち込みを軽減し、洗浄工程における洗浄効果を向上させるためには、洗浄工程の前に取り外したウェーハのプレ洗浄を行うことが考えられる。しかしながら、この方法は、プレ洗浄のための新たな洗浄装置を追加する必要が有り、生産コストが増大してしまうので実用的ではない。また、研磨完了後に研磨ヘッドからウェーハを外し、プレ洗浄装置で処理すると、生産性が悪化してしまう。   On the other hand, in order to reduce the bringing of silica or the like into the cleaning apparatus and improve the cleaning effect in the cleaning process, it is conceivable to perform pre-cleaning of the removed wafer before the cleaning process. However, this method is not practical because a new cleaning device for pre-cleaning needs to be added and the production cost increases. Further, if the wafer is removed from the polishing head after the polishing is completed and processed by the pre-cleaning apparatus, the productivity is deteriorated.

本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることが可能な研磨装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described problems. A polishing apparatus capable of improving the cleaning effect on the wafer surface while suppressing deterioration in the smoothness and productivity of the wafer surface. The purpose is to provide.

上記目的を達成するために、本発明は、ウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッドと、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨布とを具備する研磨装置であって、さらに、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備し、前記ウェーハの研磨時には、前記研磨ヘッド、前記研磨布、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記研磨布の上方に位置させ、前記ウェーハの研磨後には、前記研磨ヘッド、前記洗浄部、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させる位置制御部を具備するものであることを特徴とする研磨装置を提供する。   In order to achieve the above object, the present invention comprises a polishing head for holding a wafer and feeding the wafer downward, and a surface of the wafer in contact with the surface of the wafer sent downward by the polishing head. A polishing apparatus comprising a polishing cloth for polishing, further comprising a cleaning unit that contacts the surface of the wafer sent downward by the polishing head and cleans the surface of the wafer; During polishing, the polishing head, the polishing cloth, or both are moved to position the polishing head above the polishing cloth, and after polishing the wafer, the polishing head, the cleaning unit, or both A polishing apparatus is provided that includes a position control unit that moves the polishing head to position the polishing head above the cleaning unit.

このように、本発明の研磨装置は、研磨完了後のウェーハを研磨ヘッドから外す前に、ウェーハの表面を洗浄部に接触させて擦り、研磨スラリー等から生じる異物の除去を洗浄装置での洗浄前に実施することができる。すなわち、洗浄装置による本洗浄の前に、研磨装置内でプレ洗浄を行うことで、洗浄装置に持ち込む異物の量を低減でき、洗浄効果を向上させることができる。また、洗浄装置の洗浄能力を必要以上に上げる必要が無いのでウェーハ表面の平滑性の悪化を抑制できる。また、このプレ洗浄は研磨ヘッドからウェーハを取り外すことなく、研磨完了後に連続して実施できるため、生産タクトの増大を最小限に抑制できる。   As described above, the polishing apparatus according to the present invention removes foreign matter generated from the polishing slurry and the like with the cleaning apparatus by removing the wafer after polishing from the polishing head and rubbing the wafer surface in contact with the cleaning unit. Can be implemented before. That is, by performing pre-cleaning in the polishing device before the main cleaning by the cleaning device, the amount of foreign matter brought into the cleaning device can be reduced and the cleaning effect can be improved. Further, since it is not necessary to increase the cleaning capability of the cleaning device more than necessary, it is possible to suppress the deterioration of the smoothness of the wafer surface. Further, since this pre-cleaning can be performed continuously after the polishing is completed without removing the wafer from the polishing head, an increase in production tact can be minimized.

このとき、本発明の研磨装置は、さらに、前記洗浄部に洗浄水を供給する洗浄水供給部を具備することが好ましい。   At this time, it is preferable that the polishing apparatus of the present invention further includes a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the cleaning unit.

このような洗浄水供給部を具備していれば、洗浄水を供給しつつウェーハのプレ洗浄をすることができるため、一層ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができる。   If such a cleaning water supply part is provided, since the wafer can be pre-cleaned while supplying the cleaning water, the cleaning effect on the wafer surface can be further improved.

またこのとき、本発明の研磨装置は、さらに、前記研磨ヘッドに前記ウェーハを装着又は前記研磨ヘッドから前記ウェーハを脱離するためのローディング／アンローディングステージと、複数の研磨布を具備し、前記洗浄部が前記ローディング／アンローディングステージ上に配設されたものであり、前記位置制御部が、前記研磨ヘッドを移動させることで前記ウェーハの研磨に用いる前記研磨布を切り替え、かつ、前記位置制御部が、前記ウェーハの研磨後、前記研磨ヘッド、前記ローディング／アンローディングステージ、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させるものとすることができる。   Further, at this time, the polishing apparatus of the present invention further includes a loading / unloading stage for mounting the wafer on the polishing head or detaching the wafer from the polishing head, and a plurality of polishing cloths, A cleaning unit is disposed on the loading / unloading stage, and the position control unit switches the polishing cloth used for polishing the wafer by moving the polishing head, and the position control The unit may move the polishing head, the loading / unloading stage, or both after polishing the wafer to position the polishing head above the cleaning unit.

このように、ローディング／アンローディングステージ上に洗浄部を具備するものであれば、研磨終了後に研磨ヘッドでウェーハを保持したままの状態で速やかにプレ洗浄可能である。   As described above, if the cleaning unit is provided on the loading / unloading stage, it is possible to quickly perform pre-cleaning while the wafer is held by the polishing head after polishing.

このとき、前記洗浄部はポリビニルアルコール製スポンジ（以下、ＰＶＡスポンジとも呼称する）とすることができる。   At this time, the cleaning part may be a polyvinyl alcohol sponge (hereinafter also referred to as PVA sponge).

本発明において、洗浄部としては、このような材質のスポンジを使用し、このスポンジによりスクラブ洗浄することが好適な態様である。また、このスポンジをローディング／アンローディングステージ上に設けることでウェーハの移送に伴うキズの発生を防止できる。   In the present invention, it is preferable to use a sponge made of such a material as the cleaning portion and scrub with this sponge. Further, by providing the sponge on the loading / unloading stage, it is possible to prevent the generation of scratches accompanying the wafer transfer.

本発明の研磨装置であれば、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができる。   With the polishing apparatus of the present invention, it is possible to improve the cleaning effect on the wafer surface while suppressing the deterioration of the smoothness and productivity of the wafer surface.

本発明の研磨装置の一例を示した上面図である。It is the top view which showed an example of the grinding | polishing apparatus of this invention. 本発明の研磨装置における、研磨ステージの一例を示す概略側面図である。It is a schematic side view which shows an example of the grinding | polishing stage in the grinding | polishing apparatus of this invention. 本発明の研磨装置における、洗浄部を配設したロードテーブルの一例を表す概略側面図である。It is a schematic side view showing an example of the load table which provided the washing | cleaning part in the grinding | polishing apparatus of this invention. 図３に示した洗浄部の概略上面図である。It is a schematic top view of the washing | cleaning part shown in FIG. 本発明の研磨装置を用いた研磨の手順を説明するフロー図である。It is a flowchart explaining the procedure of grinding | polishing using the grinding | polishing apparatus of this invention. 実施例１、比較例１にて測定したＳＯＤを示すグラフである。3 is a graph showing SOD measured in Example 1 and Comparative Example 1. 実施例１、比較例１にて測定したＨａｚｅを示すグラフである。3 is a graph showing Haze measured in Example 1 and Comparative Example 1. 洗浄工程における洗浄能力の増加前後のＳＯＤを示すグラフである。It is a graph which shows SOD before and behind the increase in the cleaning capability in a cleaning process. 洗浄工程における洗浄能力の増加前後のＨａｚｅを示すグラフである。It is a graph which shows Haze before and behind the increase in the cleaning capability in a cleaning process. 実験例において測定したウェーハ表面のＳＯＤマップである。It is the SOD map of the wafer surface measured in the experiment example.

以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。   Hereinafter, although an embodiment is described about the present invention, the present invention is not limited to this.

上記のように、従来、研磨後のウェーハの洗浄において、洗浄装置への異物の持ち込みの増加により洗浄効果が低下し、ウェーハの表面のパーティクル等の異物を十分に除去できないという問題があった。さらに、洗浄装置による洗浄効果を十分に得るために新規の洗浄装置を導入してプレ洗浄を行ったり、洗浄装置の洗浄能力を増加させたりすると、生産タクトの増加やウェーハ表面のＨａｚｅの悪化が起こってしまうという問題があった。   As described above, conventionally, in the cleaning of a wafer after polishing, there has been a problem that the cleaning effect is lowered due to an increase in the amount of foreign matters brought into the cleaning device, and foreign matters such as particles on the surface of the wafer cannot be sufficiently removed. Furthermore, in order to obtain a sufficient cleaning effect by the cleaning device, if a new cleaning device is introduced and pre-cleaning is performed or the cleaning performance of the cleaning device is increased, an increase in production tact and a deterioration of the haze on the wafer surface may occur. There was a problem that happened.

そこで、本発明者等はこのような問題を解決すべく鋭意検討を重ねた。その結果、研磨装置に、ウェーハを研磨ヘッドに保持したままプレ洗浄可能な機構を配設することで、生産タクトの増加やＨａｚｅの悪化を抑制したうえで、後工程である洗浄工程における洗浄効果を向上させることを見出し、本発明を完成させた。   Therefore, the present inventors have made extensive studies to solve such problems. As a result, by providing a mechanism capable of pre-cleaning while holding the wafer on the polishing head, the polishing effect in the cleaning process, which is a subsequent process, is suppressed after suppressing an increase in production tact and deterioration of haze. The present invention has been completed.

以下、本発明の研磨装置の一態様を具体的に説明する。なお、以下の説明ではロータリー方式の研磨装置の場合を例に挙げて説明する。   Hereinafter, one aspect of the polishing apparatus of the present invention will be specifically described. In the following description, a rotary type polishing apparatus will be described as an example.

図１に示すように、本発明の研磨装置１はウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッド２と、該研磨ヘッド２によって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨ステージ３とを具備する。   As shown in FIG. 1, a polishing apparatus 1 of the present invention is in contact with a polishing head 2 that feeds the wafer downward while holding the wafer, and a surface of the wafer sent downward by the polishing head 2, And a polishing stage 3 for polishing the surface of the wafer.

研磨ヘッド２は、ウェーハを保持したまま自転することで、研磨布に対してウェーハを相対的に動かしながら接触させ、ウェーハ表面を研磨布で研磨できるものとしても良い。   The polishing head 2 may be capable of polishing the surface of the wafer with the polishing cloth by rotating while holding the wafer to bring the wafer into contact with the polishing cloth while moving the wafer relatively.

また、本発明の研磨装置は図１のように、研磨ステージ３を複数具備することで、研磨布を複数備える構成としても良いが、特にこれに限定されることは無く、研磨ステージ３及び研磨布は１つでも良い。また、図１において、複数の研磨ステージ３は中心軸１３に対して同心円状に配設されているが、研磨ステージ３の配設位置もこれに限定されない。   Further, as shown in FIG. 1, the polishing apparatus of the present invention may include a plurality of polishing stages 3 and a plurality of polishing cloths. However, the polishing apparatus is not particularly limited thereto, and the polishing stage 3 and the polishing stage are not limited thereto. One cloth may be sufficient. In FIG. 1, the plurality of polishing stages 3 are arranged concentrically with respect to the central axis 13, but the arrangement position of the polishing stage 3 is not limited to this.

ここで、図２に研磨ステージ３の概略側面図を示す。図２のように研磨ステージ３は、主に研磨布４、定盤５から成る。この定盤５は回転可能なものとしても良い。また、研磨ヘッド２で保持したウェーハＷの研磨する際に、研磨布４上に研磨スラリーを供給する研磨剤供給機構６を備えている。   Here, FIG. 2 shows a schematic side view of the polishing stage 3. As shown in FIG. 2, the polishing stage 3 mainly includes a polishing cloth 4 and a surface plate 5. The surface plate 5 may be rotatable. Further, a polishing agent supply mechanism 6 is provided for supplying a polishing slurry onto the polishing cloth 4 when the wafer W held by the polishing head 2 is polished.

また、図１に示すように、本発明の研磨装置１は、研磨ヘッド２にウェーハを装着又は研磨ヘッド２からウェーハを脱離するためのローディング／アンローディングステージ７を具備しても良い。このローディング／アンローディングステージ７は、収納ボックス（不図示）から取り出したウェーハを研磨ヘッド２に装着するためのロードテーブル８を備えていても良い。また、ローディング／アンローディングステージ７は、ウェーハを研磨ヘッド２から脱離するためのアンロードテーブル９を備えていても良い。   Further, as shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 of the present invention may include a loading / unloading stage 7 for mounting a wafer on the polishing head 2 or detaching the wafer from the polishing head 2. The loading / unloading stage 7 may include a load table 8 for mounting a wafer taken out from a storage box (not shown) on the polishing head 2. Further, the loading / unloading stage 7 may include an unload table 9 for detaching the wafer from the polishing head 2.

また、本発明の研磨装置１は、研磨ヘッド２によって下方に送られたウェーハの表面と接触して、ウェーハの表面を洗浄する洗浄部を具備する。図１に示す態様では、図３に示すように、研磨装置１はロードテーブル８上に洗浄部１０を備えている。また、図３に示すように、洗浄部１０として、直径３ｍｍ以上の突起が複数付いているものを使用することが好ましい。図４に洗浄部１０の上面概略図を示す。このように、洗浄部１０はウェーハと接触する面に上述の突起を備えている。さらに、洗浄部１０としてはポリビニルアルコール製スポンジ（ＰＶＡスポンジ）を使用することができる。このような突起を備えたＰＶＡスポンジによって、ウェーハの表面をスクラブ洗浄すれば、ウェーハから研磨スラリーを効果的に除去できる。   In addition, the polishing apparatus 1 of the present invention includes a cleaning unit that contacts the surface of the wafer sent downward by the polishing head 2 and cleans the surface of the wafer. In the embodiment shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes a cleaning unit 10 on a load table 8 as shown in FIG. 3. Moreover, as shown in FIG. 3, it is preferable to use the cleaning unit 10 having a plurality of projections having a diameter of 3 mm or more. FIG. 4 shows a schematic top view of the cleaning unit 10. Thus, the cleaning unit 10 includes the above-described protrusions on the surface that comes into contact with the wafer. Further, as the cleaning unit 10, a polyvinyl alcohol sponge (PVA sponge) can be used. If the surface of the wafer is scrubbed with a PVA sponge having such protrusions, the polishing slurry can be effectively removed from the wafer.

また、本発明の研磨装置は、図１に示すように、洗浄部１０に洗浄水を供給することが可能な洗浄水供給部１１を具備することが好ましい。洗浄部に供給する洗浄水としては例えば、純水や機能水を使用することができる。ここでいう機能水とは、ウェーハの表面の平滑性を損なわない程度に洗浄力を向上させる目的で、純水に他の物質を混合又は溶解させた液体のことを言う。機能水としては、例えば、純水に水素を溶解させた水素水、純水にオゾンを溶解させたオゾン水などを使用できる。   Further, the polishing apparatus of the present invention preferably includes a cleaning water supply unit 11 capable of supplying cleaning water to the cleaning unit 10 as shown in FIG. As the cleaning water supplied to the cleaning unit, for example, pure water or functional water can be used. Functional water here refers to a liquid in which other substances are mixed or dissolved in pure water for the purpose of improving the cleaning power to such an extent that the smoothness of the wafer surface is not impaired. As functional water, for example, hydrogen water in which hydrogen is dissolved in pure water, ozone water in which ozone is dissolved in pure water, or the like can be used.

また、本発明の研磨装置１は、図１に示すように、位置制御部１２ａ、１２ｂを具備している。位置制御部１２ｂは、研磨ヘッド２を位置制御部１２ｂの中心軸１３周りに旋回移動させることで研磨ヘッド２を研磨布４の上方又はローディング／アンローディングステージ７の上方に位置させることができる。位置制御部１２ａはローディング／アンローディングステージ７を自転させることで、研磨ヘッド２の直下に洗浄部１０を備えたロードテーブル８とアンロードテーブル９のどちらかが位置するように制御できる。すなわち、位置制御部１２ａ、１２ｂによって研磨ヘッド２と研磨布４の相対位置及び研磨ヘッド２と洗浄部１０の相対位置を所望の位置に制御することができる。なお、図１に示す位置制御部は、研磨ヘッド２を移動させるものと、ローディング／アンローディングステージ７を回転させることで、洗浄部１０を移動させるものの２つの位置制御部を備える場合を示しているが、位置制御部の配設数はこれに限定されない。また、研磨布４（又は、研磨布が貼り付けられた定盤５、すなわち研磨ステージ３）を移動させるような位置制御部を有していても良い。   Further, the polishing apparatus 1 of the present invention includes position control units 12a and 12b as shown in FIG. The position control unit 12b can position the polishing head 2 above the polishing pad 4 or above the loading / unloading stage 7 by turning the polishing head 2 around the central axis 13 of the position control unit 12b. The position control unit 12a can control the load / unloading stage 7 to rotate so that either the load table 8 or the unload table 9 provided with the cleaning unit 10 is positioned immediately below the polishing head 2. That is, the relative positions of the polishing head 2 and the polishing pad 4 and the relative positions of the polishing head 2 and the cleaning unit 10 can be controlled to desired positions by the position control units 12a and 12b. The position control unit shown in FIG. 1 shows a case where two position control units are provided, one for moving the polishing head 2 and the other for moving the cleaning unit 10 by rotating the loading / unloading stage 7. However, the number of position control units is not limited to this. Moreover, you may have a position control part which moves the polishing cloth 4 (or the surface plate 5 with which the polishing cloth was affixed, ie, the polishing stage 3).

図１に示すようなロータリー方式の研磨装置１においては、位置制御部１２ｂが研磨ヘッド２を旋回移動させることでウェーハの研磨に用いる研磨布を切り替える。さらに、位置制御部１２ｂが、ウェーハの研磨完了後に、研磨ヘッド２をローディング／アンローディングステージ７の上方に旋回移動させ、かつ、位置制御部１２ａが、ロードテーブル８の上方、すなわち、洗浄部１０の上方に研磨ヘッド２が位置するようにローディング／アンローディングステージを自転させることができる。   In the rotary type polishing apparatus 1 as shown in FIG. 1, the position control unit 12 b switches the polishing cloth used for polishing the wafer by rotating the polishing head 2. Further, after the polishing of the wafer is completed, the position control unit 12b pivots the polishing head 2 above the loading / unloading stage 7, and the position control unit 12a moves above the load table 8, that is, the cleaning unit 10. The loading / unloading stage can be rotated so that the polishing head 2 is positioned above the surface.

以上のような、本発明の研磨装置であれば、研磨完了後のウェーハを研磨ヘッドに保持したまま、洗浄部をウェーハの表面に接触させることでプレスクラブ洗浄を実施することができる。本発明の研磨装置におけるプレ洗浄により、後工程で使用する洗浄装置内への異物の持ち込み量が減少し、後工程である洗浄工程の洗浄効率を向上させることができるとともに、洗浄装置と洗浄剤の寿命を向上できる。また、プレ洗浄を行うことで、特に、ウェーハの外周部に密集したパーティクル等の異物も効果的に除去することが可能になる。   With the polishing apparatus of the present invention as described above, the press club cleaning can be performed by bringing the cleaning unit into contact with the surface of the wafer while holding the polished wafer on the polishing head. The pre-cleaning in the polishing apparatus of the present invention reduces the amount of foreign matter brought into the cleaning device used in the subsequent process, can improve the cleaning efficiency of the cleaning process which is the subsequent process, and the cleaning apparatus and the cleaning agent Can improve the service life. In addition, by performing pre-cleaning, it is possible to effectively remove foreign matters such as particles that are concentrated on the outer periphery of the wafer.

また、研磨装置が洗浄部と位置制御部を具備していることで、プレ洗浄のために研磨ヘッドからのウェーハを外す作業などといった生産タスクを大幅に増加させる要因を排除できる。そのため、プレ洗浄による生産タスクの増加を最小限に抑えることができる。さらに、洗浄工程において洗浄装置の洗浄能力を上げる必要もないため、ウェーハ表面の平滑性の悪化、具体的には、Ｈａｚｅの悪化を抑制することが可能である。   Further, since the polishing apparatus includes the cleaning unit and the position control unit, it is possible to eliminate factors that significantly increase production tasks such as an operation of removing a wafer from the polishing head for pre-cleaning. Therefore, an increase in production tasks due to pre-cleaning can be minimized. Furthermore, since it is not necessary to increase the cleaning capability of the cleaning device in the cleaning process, it is possible to suppress the deterioration of the smoothness of the wafer surface, specifically, the deterioration of Haze.

続いて、図１〜図４に示した本発明の研磨装置１において研磨を実施する場合の手順を、図５に示すフロー図を参照して説明する。   Next, the procedure in the case of performing polishing in the polishing apparatus 1 of the present invention shown in FIGS. 1 to 4 will be described with reference to the flowchart shown in FIG.

図５に示すように、まず、収納ボックスに入っているウェーハを取り出し、取り出したウェーハをローディング／アンローディングステージ７上のロードテーブル８に載置する（図５のＳ１）。この時、図３に示すように、ロードテーブル８上には洗浄部１０が配置されている。そして、ウェーハが載置されたロードテーブル８及び研磨ヘッド２をウェーハのロードを行うロードポジションに移動させる。ロードテーブル８は位置制御部１２ａによりローディング／アンローディングステージ７を回転させることで、研磨ヘッド２は位置制御部１２ｂにより旋回移動させることでロードポジションに移動させる。   As shown in FIG. 5, first, the wafer in the storage box is taken out, and the taken-out wafer is placed on the load table 8 on the loading / unloading stage 7 (S1 in FIG. 5). At this time, as shown in FIG. 3, the cleaning unit 10 is disposed on the load table 8. Then, the load table 8 and the polishing head 2 on which the wafer is placed are moved to a load position where the wafer is loaded. The load table 8 is moved to the load position by rotating the loading / unloading stage 7 by the position controller 12a, and the polishing head 2 is swung by the position controller 12b.

その後、研磨ヘッド２の下方にロードテーブル８が待機した状態から、研磨ヘッド２が下降することで研磨ヘッド２にウェーハが貼り付く（図５のＳ２）。ここで、洗浄部１０として弾性体であるＰＶＡスポンジを使用していれば、研磨ヘッド２にウェーハを押しつけて貼り付ける時のキズ防止効果が得られる。   Thereafter, the wafer is stuck to the polishing head 2 when the polishing head 2 is lowered from the state where the load table 8 is waiting below the polishing head 2 (S2 in FIG. 5). Here, if a PVA sponge, which is an elastic body, is used as the cleaning unit 10, an effect of preventing scratches when the wafer is pressed against the polishing head 2 and bonded can be obtained.

続いて、ウェーハを保持した研磨ヘッド２を、位置制御部１２ｂによって研磨布４の上方へ旋回移動させる（図５のＳ３）。図１に示すように、研磨装置１は研磨布４が貼り付けられた定盤５を３つ備えているが、そのうちの１つの研磨布上に旋回移動する。そして、研磨ヘッド２を下降させることで、下方に送られたウェーハの表面と研磨布４を接触させる（図５のＳ４）。これにより、研磨が開始される（図５のＳ５）。この際に、上記したように研磨ヘッド２を自転させることで、ウェーハに研磨布４を摺接させて研磨を実施しても良い。   Subsequently, the polishing head 2 holding the wafer is pivotally moved above the polishing pad 4 by the position controller 12b (S3 in FIG. 5). As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes three surface plates 5 to which a polishing cloth 4 is attached, and rotates on one of the polishing cloths. Then, by lowering the polishing head 2, the surface of the wafer sent downward is brought into contact with the polishing cloth 4 (S4 in FIG. 5). Thereby, polishing is started (S5 in FIG. 5). At this time, as described above, the polishing head 2 may be rotated so that the polishing cloth 4 is brought into sliding contact with the wafer for polishing.

そして一定時間経過して、ウェーハを所定の研磨代分研磨した後に、研磨ヘッド２を研磨布４から離し研磨を一旦停止する。そして、位置制御部１２ｂにより研磨ヘッド２を、別の研磨布４上へ旋回移動させ上記と同様に研磨を再開する（図５のＳ６）。このようにして、位置制御部１２ｂによって研磨ヘッド２を旋回移動させながら、研磨に使用する研磨布４を切り替えつつ研磨を進めていく。   Then, after a predetermined time has elapsed, the wafer is polished for a predetermined polishing allowance, and then the polishing head 2 is separated from the polishing pad 4 and the polishing is temporarily stopped. Then, the polishing head 2 is swung onto another polishing cloth 4 by the position control unit 12b, and polishing is resumed in the same manner as described above (S6 in FIG. 5). In this manner, the polishing is advanced while the polishing cloth 4 used for polishing is switched while the polishing head 2 is swung by the position controller 12b.

上記のようにして、ウェーハを最終目標厚さまで研磨した後（図５のＳ７）、研磨後のウェーハを保持した研磨ヘッド２を、位置制御部１２ｂによってローディング／アンローディングステージ７上に移動させる。この際に、位置制御部１２ａによって、洗浄部１０を備えたロードテーブル８を研磨ヘッドの下方に移動させる（図５のＳ８）。続いて、研磨ヘッド２を下降させ、研磨ヘッド２によって下方に送られたウェーハの表面と洗浄部１０を接触させる（図５のＳ９）。これにより、ウェーハ表面のプレ洗浄を行う（図５のＳ１０）。   As described above, after polishing the wafer to the final target thickness (S7 in FIG. 5), the polishing head 2 holding the polished wafer is moved onto the loading / unloading stage 7 by the position controller 12b. At this time, the position control unit 12a moves the load table 8 including the cleaning unit 10 below the polishing head (S8 in FIG. 5). Subsequently, the polishing head 2 is lowered, and the surface of the wafer sent downward by the polishing head 2 is brought into contact with the cleaning unit 10 (S9 in FIG. 5). Thereby, pre-cleaning of the wafer surface is performed (S10 in FIG. 5).

また、プレ洗浄の際に、研磨ヘッド２を自転させることで、ウェーハと洗浄部１０を摺接させてプレ洗浄を実施しても良い。また、洗浄水供給部１１から洗浄部１０に洗浄水を供給しながらプレ洗浄を実施しても良い。これらによりプレ洗浄の効果を向上させることができる。   In addition, during the pre-cleaning, the pre-cleaning may be performed by rotating the polishing head 2 to bring the wafer and the cleaning unit 10 into sliding contact. Alternatively, pre-cleaning may be performed while supplying cleaning water from the cleaning water supply unit 11 to the cleaning unit 10. By these, the pre-cleaning effect can be improved.

なお、プレ洗浄時の研磨ヘッドの高さ位置は、ウェーハがＰＶＡスポンジ等の洗浄部１０に接触し始める高さ位置から０ｍｍ以上３ｍｍ以下下方の高さ位置となるような位置とすることができ、特に０．１ｍｍ程度下方の高さ位置とすることが好ましい。また、プレ洗浄時の研磨ヘッドの回転数は０．１ｒｐｍ以上５０ｒｐｍ以下とすることができ、特に３０ｒｐｍ程度とすることが好ましい。また、洗浄水の供給量は、純水を使用する場合、１Ｌ／ｍｉｎ以上７Ｌ／ｍｉｎ以下とすることができ、特に３Ｌ／ｍｉｎ程度とすることが好ましい。また、洗浄時間は２０秒〜１２０秒とすることができ、特に２０秒程度とすることが好ましい。   In addition, the height position of the polishing head at the time of pre-cleaning can be set to a position that is 0 mm or more and 3 mm or less below the height position at which the wafer starts to contact the cleaning unit 10 such as PVA sponge. In particular, it is preferable that the height position is about 0.1 mm below. Further, the rotational speed of the polishing head during pre-cleaning can be set to 0.1 rpm or more and 50 rpm or less, and particularly preferably about 30 rpm. Further, when pure water is used, the supply amount of the cleaning water can be set to 1 L / min or more and 7 L / min or less, and particularly preferably about 3 L / min. The washing time can be 20 seconds to 120 seconds, and particularly preferably about 20 seconds.

また、洗浄部をウェーハ表面と接触させてプレ洗浄する際の物理的な押圧力は研磨ヘッドの上下位置（洗浄部に対する高さ位置）を変えることで調整できる。この場合、使用する洗浄部の材質やウェーハの直径などの条件に応じて、この押圧力を自動で制御する押圧力制御部を有していても良い。   Further, the physical pressing force when the cleaning unit is brought into contact with the wafer surface for pre-cleaning can be adjusted by changing the vertical position of the polishing head (the height position with respect to the cleaning unit). In this case, a pressing force control unit that automatically controls the pressing force according to conditions such as the material of the cleaning unit to be used and the diameter of the wafer may be provided.

プレ洗浄終了後、研磨ヘッド２を上昇させ、洗浄部１０から離す。その後、位置制御部１２ａによりアンロードテーブル９を研磨ヘッド２の下方（すなわち、アンロードポジション）に移動させる。続いて、研磨ヘッド２を下降させ、アンロードテーブル９にて研磨ヘッド２からウェーハをアンロードする（図５のＳ１１）。   After completion of the pre-cleaning, the polishing head 2 is raised and separated from the cleaning unit 10. Thereafter, the position controller 12a moves the unload table 9 below the polishing head 2 (that is, the unload position). Subsequently, the polishing head 2 is lowered, and the wafer is unloaded from the polishing head 2 by the unload table 9 (S11 in FIG. 5).

以上のようにして、本発明の研磨装置を用いて、ウェーハの研磨を実施できる。そして、研磨ヘッド２からアンロードしたウェーハを、洗浄工程等の後工程に送る（図５のＳ１２）。   As described above, the polishing of the wafer can be performed using the polishing apparatus of the present invention. Then, the wafer unloaded from the polishing head 2 is sent to a subsequent process such as a cleaning process (S12 in FIG. 5).

なお、上記の説明では、本発明の研磨装置がロータリー方式である場合の態様を例に挙げたが、これに限定されることは無い。本発明の研磨装置は、研磨終了後のウェーハを研磨装置内の洗浄部へ移動させ、プレ洗浄できるものであればよい。   In the above description, an example in which the polishing apparatus of the present invention is a rotary type has been described as an example, but the present invention is not limited thereto. The polishing apparatus of the present invention only needs to move the wafer after polishing to a cleaning unit in the polishing apparatus and perform pre-cleaning.

例えば、本発明の研磨装置は、ロードテーブル、研磨ステージ、洗浄部、アンロードテーブルを１つずつ独立して備える研磨装置でもよい。この場合、上述のロータリー方式の研磨装置の例のようにロードテーブル上に洗浄部を有する構造ではなく、ロードテーブルと洗浄部が互いに独立している。このような構造の研磨装置では、まず、ロードテーブルでウェーハを研磨ヘッドにロードし、その後、ウェーハを研磨する。研磨終了後、ロードテーブルから独立して配設されている洗浄部にて、研磨ヘッドでウェーハを保持したままプレ洗浄する。プレ洗浄終了後、ウェーハを研磨ヘッドからアンロードするというような手順でウェーハを研磨できる。   For example, the polishing apparatus of the present invention may be a polishing apparatus that includes a load table, a polishing stage, a cleaning unit, and an unload table independently. In this case, the load table and the cleaning unit are independent from each other, not the structure having the cleaning unit on the load table as in the example of the rotary type polishing apparatus described above. In the polishing apparatus having such a structure, the wafer is first loaded onto the polishing head by the load table, and then the wafer is polished. After the polishing is completed, pre-cleaning is performed while the wafer is held by the polishing head in a cleaning unit provided independently from the load table. After pre-cleaning is completed, the wafer can be polished by a procedure such as unloading the wafer from the polishing head.

（実験例）
本発明のプレ洗浄自体の洗浄効果を確認するために以下の実験を行った。図１に示した研磨装置１を使用して、２枚の直径３００ｍｍのシリコンウェーハ（ウェーハ１、ウェーハ２）に研磨を行わず、洗浄部によるプレ洗浄のみ行った。プレ洗浄後、本洗浄前のウェーハ表面のＳＯＤを測定した。続いて、洗浄装置でウェーハ１、２を本洗浄し、本洗浄後のウェーハ表面のＳＯＤを測定した。 (Experimental example)
In order to confirm the cleaning effect of the pre-cleaning itself of the present invention, the following experiment was conducted. Using the polishing apparatus 1 shown in FIG. 1, two silicon wafers having a diameter of 300 mm (wafer 1 and wafer 2) were not polished, and only pre-cleaning by a cleaning unit was performed. After the pre-cleaning, the SOD on the wafer surface before the main cleaning was measured. Subsequently, the wafers 1 and 2 were subjected to main cleaning with a cleaning apparatus, and the SOD on the wafer surface after the main cleaning was measured.

一方で、上記と同様の２枚のシリコンウェーハ（ウェーハ１、ウェーハ２）に研磨を行わず、プレ洗浄も行うことなく洗浄装置による洗浄のみ実施した。この洗浄の条件は、上記の本洗浄と同一条件とした。これらのウェーハ１、２についても、洗浄前後のウェーハ表面のＳＯＤを測定した。   On the other hand, the two silicon wafers (Wafer 1 and Wafer 2) similar to the above were not polished, and were only cleaned by a cleaning device without performing pre-cleaning. The cleaning conditions were the same as those for the main cleaning described above. For these wafers 1 and 2, the SOD on the wafer surface before and after cleaning was also measured.

その結果を図１０に示す。プレ洗浄を行うことで特に外周部の汚れが除去されている。また、プレ洗浄による汚れや傷の発生も無く、ＳＯＤも低減されていた。   The result is shown in FIG. By performing pre-cleaning, dirt on the outer peripheral portion is removed in particular. Further, there was no occurrence of dirt or scratches due to pre-cleaning, and SOD was also reduced.

以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples.

（実施例１）
図１に示すような本発明の研磨装置１を使用して、図５に示したフローに従い、複数枚の直径３００ｍｍのシリコンウェーハの研磨を実施した。 Example 1
Using a polishing apparatus 1 of the present invention as shown in FIG. 1, a plurality of silicon wafers having a diameter of 300 mm were polished according to the flow shown in FIG.

このときの研磨装置１におけるプレ洗浄条件は以下のようにした。洗浄部１０としては、図３、４に示したような直径３ｍｍ以上の突起を複数備えるＰＶＡスポンジを使用した。また、プレ洗浄時に研磨ヘッド２をＰＶＡスポンジと接触させた状態で回転させ、その回転数を３０ｒｐｍとした。また、プレ洗浄時の研磨ヘッドの高さ位置は、ウェーハがＰＶＡスポンジに接触し始める高さ位置から０．１ｍｍ下方の高さ位置とした。洗浄水としては純水を使用した。また、洗浄時間は２０秒とした。   The pre-cleaning conditions in the polishing apparatus 1 at this time were as follows. As the cleaning unit 10, a PVA sponge provided with a plurality of protrusions having a diameter of 3 mm or more as shown in FIGS. Further, during the pre-cleaning, the polishing head 2 was rotated while being in contact with the PVA sponge, and the rotation speed was 30 rpm. The height position of the polishing head at the time of pre-cleaning was set to a height position 0.1 mm below from the height position at which the wafer starts to contact the PVA sponge. Pure water was used as the washing water. The cleaning time was 20 seconds.

（比較例１）
図１の本発明の研磨装置から、洗浄部１０及び洗浄水供給部１１を除いた従来の研磨装置を使用して複数枚の直径３００ｍｍのウェーハの研磨を実施した。すなわち、比較例１では基本的に上記実施例１と同様の研磨条件でウェーハの研磨を実施したが、研磨装置内でのプレ洗浄を実施しなかった。 (Comparative Example 1)
A plurality of wafers having a diameter of 300 mm were polished by using a conventional polishing apparatus excluding the cleaning unit 10 and the cleaning water supply unit 11 from the polishing apparatus of the present invention shown in FIG. That is, in Comparative Example 1, the wafer was basically polished under the same polishing conditions as in Example 1, but no pre-cleaning was performed in the polishing apparatus.

実施例１及び比較例１において研磨したウェーハをそれぞれ研磨装置とは別の洗浄装置に投入し、洗浄した後、ウェーハのＳＯＤ（欠陥総数）及びＨａｚｅを評価した。なお、ＳＯＤは、パーティクル測定機（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製 ＳＰ−３）を使用し、ナローモードとワイドモードを有効にして測定した。   The wafers polished in Example 1 and Comparative Example 1 were respectively put into a cleaning device different from the polishing device and cleaned, and then the SOD (total number of defects) and Haze of the wafer were evaluated. The SOD was measured using a particle measuring machine (SP-3 manufactured by KLA-Tencor) with the narrow mode and wide mode enabled.

図６及び表１に、実施例１、比較例１におけるＳＯＤの測定結果をまとめたものを示す。   FIG. 6 and Table 1 summarize the measurement results of SOD in Example 1 and Comparative Example 1.

Figure 0006468037
Figure 0006468037

図７及び表２に、実施例１、比較例１におけるＨａｚｅの測定結果をまとめたものを示す。   FIG. 7 and Table 2 show a summary of Haze measurement results in Example 1 and Comparative Example 1.

Figure 0006468037
Figure 0006468037

その結果、実施例１のように研磨終了後、研磨ヘッドからウェーハを外さずにプレ洗浄を行うことで、ＳＯＤを低減でき、またＳＯＤのバラツキを小さく抑えることができた。また、Ｈａｚｅを従来方式（比較例１）の同等以下に抑えることができた。また、研磨ヘッドからウェーハを外さずにプレ洗浄を行えるので生産タスクの増加も最小限に抑えることができた。以上の結果から、本発明の研磨装置によって、ウェーハの表面の平滑性の悪化及び生産性の悪化を抑制したうえで、ウェーハ表面の洗浄効果を向上させることができることが確認された。   As a result, after the polishing was completed as in Example 1, the pre-cleaning was performed without removing the wafer from the polishing head, so that SOD could be reduced and variation in SOD could be kept small. Moreover, Haze was able to be restrained to the equivalent or less of a conventional system (comparative example 1). In addition, since pre-cleaning can be performed without removing the wafer from the polishing head, the increase in production tasks can be minimized. From the above results, it was confirmed that the cleaning effect of the wafer surface can be improved by suppressing the deterioration of the smoothness of the wafer surface and the deterioration of the productivity by the polishing apparatus of the present invention.

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

１…本発明の研磨装置、 ２…研磨ヘッド、 ３…研磨ステージ、
４…研磨布、 ５…定盤、 ６…研磨剤供給機構、
７…ローディング／アンローディングステージ、 ８…ロードテーブル、
９…アンロードテーブル、 １０…洗浄部、 １１…洗浄水供給部、
１２ａ、１２ｂ…位置制御部、 １３…中心軸、
Ｗ…ウェーハ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Polishing apparatus of this invention, 2 ... Polishing head, 3 ... Polishing stage,
4 ... polishing cloth, 5 ... surface plate, 6 ... abrasive supply mechanism,
7 ... loading / unloading stage, 8 ... loading table,
9 ... Unloading table, 10 ... Washing section, 11 ... Washing water supply section,
12a, 12b ... position control unit, 13 ... central axis,
W: Wafer.

Claims (3)

ウェーハを保持しながら該ウェーハを下方に送る研磨ヘッドと、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面を研磨する研磨布とを具備する研磨装置であって、
さらに、該研磨ヘッドによって下方に送られた前記ウェーハの表面と接触して、該ウェーハの表面をスポンジで擦ることにより洗浄する洗浄部を具備し、前記ウェーハの研磨時には、前記研磨ヘッド、前記研磨布、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記研磨布の上方に位置させ、前記ウェーハの研磨後には、前記研磨ヘッド、前記洗浄部、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させる位置制御部を具備するものであり、
さらに、前記研磨ヘッドに前記ウェーハを装着するためのロードテーブルと、前記研磨ヘッドから前記ウェーハを脱離するためのアンロードテーブルとを備えたローディング／アンローディングステージと、複数の研磨布を具備し、前記洗浄部のスポンジが前記ロードテーブル上に配設されたものであり、前記位置制御部が、前記研磨ヘッドを移動させることで前記ウェーハの研磨に用いる前記研磨布を切り替え、かつ、前記位置制御部が、前記ウェーハの研磨後、前記研磨ヘッド、前記ローディング／アンローディングステージ、又はその両方を移動させることで前記研磨ヘッドを前記洗浄部の上方に位置させるものであることを特徴とする研磨装置。 A polishing apparatus comprising: a polishing head for holding the wafer while feeding the wafer downward; and a polishing cloth for polishing the surface of the wafer in contact with the surface of the wafer sent downward by the polishing head. And
And a cleaning unit that contacts the surface of the wafer sent downward by the polishing head and cleans the surface of the wafer by rubbing with a sponge. During polishing of the wafer, the polishing head and the polishing The polishing head is positioned above the polishing cloth by moving a cloth, or both, and after polishing the wafer, the polishing head, the cleaning unit, or both are moved to move the polishing head. A position control unit positioned above the cleaning unit;
And a loading / unloading stage including a load table for mounting the wafer on the polishing head, an unloading table for removing the wafer from the polishing head, and a plurality of polishing cloths. The sponge of the cleaning unit is disposed on the load table, and the position control unit switches the polishing cloth used for polishing the wafer by moving the polishing head, and the position Polishing, wherein the control unit moves the polishing head, the loading / unloading stage, or both after polishing the wafer to position the polishing head above the cleaning unit. apparatus. さらに、前記洗浄部に洗浄水を供給する洗浄水供給部を具備することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。   The polishing apparatus according to claim 1, further comprising a cleaning water supply unit that supplies cleaning water to the cleaning unit. 前記洗浄部はポリビニルアルコール製スポンジであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の研磨装置。   The polishing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning unit is a sponge made of polyvinyl alcohol.
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