KR101390808B1 - Solution supplying apparatus - Google Patents

Solution supplying apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR101390808B1
KR101390808B1 KR1020100079710A KR20100079710A KR101390808B1 KR 101390808 B1 KR101390808 B1 KR 101390808B1 KR 1020100079710 A KR1020100079710 A KR 1020100079710A KR 20100079710 A KR20100079710 A KR 20100079710A KR 101390808 B1 KR101390808 B1 KR 101390808B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tank
chemical liquid
gas
exhaust pipe
recovered
Prior art date
Application number
KR1020100079710A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120017178A (en
Inventor
박귀수
강병철
이승호
조원필
장동혁
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020100079710A priority Critical patent/KR101390808B1/en
Publication of KR20120017178A publication Critical patent/KR20120017178A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101390808B1 publication Critical patent/KR101390808B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Abstract

기판 처리 공정을 위한 약액 공급 장치에 있어서, 상기 약액 공급 장치는 제1, 제2 및 제3 탱크를 포함한다. 상기 제1 탱크는 기판 처리를 위한 약액이 저장되며, 탱크 내부의 압력을 조절하는 제1 배기관을 포함한다. 상기 제2 탱크는 상기 제1 탱크와 연결되어, 상기 제1 탱크로 상기 약액을 제공한다. 상기 제3 탱크는 상기 기판의 처리에 사용된 후 회수된 약액을 가열하는 가열기, 복수개의 작은 개구부들이 형성되고 상기 회수된 약액 내부로 가스를 공급하는 가스 공급관, 및 탱크 내부의 가스를 배출하기 위한 제3 배기관을 포함하며, 상기 제1 탱크와 연결되어 상기 회수된 약액을 상기 제1 탱크로 제공한다.In the chemical liquid supply apparatus for the substrate processing process, the chemical liquid supply apparatus includes first, second and third tanks. The first tank contains a chemical liquid for substrate processing and includes a first exhaust pipe for regulating the pressure inside the tank. The second tank is connected to the first tank to provide the chemical solution to the first tank. The third tank may include a heater for heating the recovered chemical liquid used for processing the substrate, a gas supply tube for forming a plurality of small openings and supplying gas into the recovered chemical liquid, And a third exhaust pipe, and is connected to the first tank to provide the recovered chemical liquid to the first tank.

Description

약액 공급 장치{SOLUTION SUPPLYING APPARATUS}SOLUTION SUPPLYING APPARATUS

본 발명은 약액 공급 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 공정에 사용된 약액을 회수하여 재사용하는 약액 공급 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a chemical liquid supply apparatus, and more particularly, to a chemical liquid supply apparatus for recovering and reusing a chemical liquid used in a substrate processing process.

일반적으로 반도체 사진 공정에서 기판은 포토레지스트 코팅, 노광, 현상, 식각 및 포토레지스트 제거와 같은 공정을 순차적으로 거치게 된다. 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 노광, 현상 및 식각을 수행하고, 이후 상기 포토레지스트를 제거한다. Generally, in a semiconductor photolithography process, the substrate is sequentially subjected to processes such as photoresist coating, exposure, development, etch, and photoresist removal. Development, and etching are performed using the photoresist as a mask, and then the photoresist is removed.

일반적으로 상기 포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 약액이 사용되며, 상기 약액을 기판으로 공급하기 위한 약액 공급 장치가 구비된다. 일 예로, 상기 약액은 황산과 과산화수소의 혼합 용액이며, 상기 약액은 상기 약액 공급 장치의 약액 분사구를 통해 기판으로 제공된다. In general, various chemical liquids are used to remove the photoresist, and a chemical liquid supply device for supplying the chemical liquid to the substrate is provided. For example, the chemical liquid is a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and the chemical liquid is supplied to the substrate through the chemical liquid injecting opening of the chemical liquid supply device.

이러한 약액 공급 장치는 기판의 처리 공정에 사용된 약액을 회수하여 처리 공정에 재사용하는 구조를 갖기도 한다. 즉, 기판의 처리 공정에 사용된 약액을 회수하여 회수용 탱크에 저장하고, 상기 회수용 탱크에 회수된 약액이 일정량 이상으로 채워지면, 상기 약액을 공급용 탱크로 공급하여 기판의 처리 공정에 재사용된다. Such a chemical liquid supply device may have a structure in which the chemical liquid used in the substrate processing process is recovered and reused in the process. That is, when the chemical liquid used in the substrate processing step is recovered and stored in the recovery tank, and the chemical liquid recovered in the recovery tank is filled to a predetermined amount or more, the chemical liquid is supplied to the supply tank, do.

하지만, 약액을 회수하여 재사용하는 약액 공급 장치는 회수용 탱크에 채워지는 약액을 상기 공급용 탱크로 공급하기 위해서는 회수된 약액의 농도가 일정 수준 이상을 유지해야 한다. 그러나 상기 회수된 약액은 황산과 과산화수소가 반응하여 중간생성물(H2SO5)과 물을 생성하므로, 용액의 농도가 낮아진다. 따라서 회수된 약액을 상기 공급용 탱크로 안정적으로 제공할 수 없는 문제점을 갖는다.However, in order to supply the chemical solution to be collected into the recovery tank to the supply tank, the concentration of the recovered chemical solution should be maintained at a certain level or higher. However, the recovered chemical solution reacts with sulfuric acid and hydrogen peroxide to produce an intermediate product (H2SO5) and water, so that the concentration of the solution is lowered. Therefore, there is a problem that the recovered chemical liquid can not be stably supplied to the supply tank.

이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 처리 공정에 사용된 약액을 회수하여 재사용하는 약액 공급 장치에서 상기 재사용되는 약액의 농도를 증가시킬 수 있는 약액 공급 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a chemical liquid supply apparatus for recovering and reusing a chemical liquid used for processing a substrate, .

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따르면, 약액 공급 장치는 제1, 제2 및 제3 탱크를 포함한다. 상기 제1 탱크는 기판의 처리 공정을 위한 약액이 저장되며 탱크 내부의 압력을 조절하기 위한 배기관을 포함한다. 상기 제2 탱크는 상기 제1 탱크로 상기 약액을 제공하기 위해 상기 약액을 저장한다. 상기 제3 탱크는 상기 기판의 처리 공정에 사용된 약액을 회수하여 상기 제1 탱크로 제공한다. 상기 제3 탱크는 가열기, 가스 공급관 및 배기관을 포함한다. 상기 가열기는 상기 회수된 약액을 가열한다. 상기 가스 공급관은 복수개의 작은 개구부가 형성되어 있으며, 상기 회수된 약액 내부로 가스를 공급한다. 상기 배기관은 상기 제3 탱크 내부의 가스를 배출한다.According to an embodiment of the present invention, the chemical liquid supply device includes first, second, and third tanks. The first tank includes an exhaust pipe for storing a chemical solution for processing the substrate and adjusting a pressure inside the tank. The second tank stores the chemical liquid to provide the chemical liquid to the first tank. The third tank collects the chemical solution used in the processing of the substrate and provides the chemical solution to the first tank. The third tank includes a heater, a gas supply pipe, and an exhaust pipe. The heater heats the recovered chemical liquid. The gas supply pipe has a plurality of small openings, and supplies gas into the recovered chemical liquid. The exhaust pipe discharges the gas inside the third tank.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 약액 공급 장치는 배기가스를 정화할 수 있는 액체가 저장된 제4 탱크를 더 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제 3 배기관들 및 상기 약액 공급 장치 내의 가스를 배출하는 배기관들은 상기 제4 탱크를 경유할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the chemical liquid supply device may further include a fourth tank in which liquid capable of purifying the exhaust gas is stored. The first and third exhaust pipes and the exhaust pipes for discharging gas in the chemical liquid supply device can pass through the fourth tank.

본 발명의 실시예들에 따르면, 약액 공급 장치의 회수 탱크에는 가열기 및 가스 공급관이 구비되어 상기 회수 탱크 내의 약액에 포함된 물을 증발시켜 상기 약액의 농도를 증가시킬 수 있다. 따라서 상기 회수 탱크로부터 안정된 농도를 가지는 회수 약액을 공급 탱크로 제공할 수 있다. According to the embodiments of the present invention, the recovery tank of the chemical liquid supply device may include a heater and a gas supply pipe to evaporate water contained in the chemical liquid in the recovery tank to increase the concentration of the chemical liquid. Therefore, the recovered chemical liquid having a stable concentration can be supplied to the supply tank from the recovery tank.

또한, 상기 약액 공급 장치에 제1 및 제2 추가 배기관을 구비하고, 상기 약액 공급 장치의 모든 배기관들을 배기가스를 정화할 수 있는 액체가 저장된 하나의 정화 탱크를 경유하도록 하여, 상기 약액 공급 장치의 압력을 안정적으로 유지하고, 동시에 상기 배기관들을 통해 배출되는 배기가스를 1차적으로 정화할 수 있다. In addition, the first and second additional exhaust pipes are provided in the chemical liquid supply device, and all of the exhaust pipes of the chemical liquid supply device are caused to pass through one purification tank in which a liquid capable of purifying exhaust gas is stored, The pressure can be stably maintained and at the same time, the exhaust gas discharged through the exhaust pipes can be primarily purified.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치의 개략적인 개념도이다.
도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치에서 회수 탱크를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치의 개략적인 개념도이다. 1 is a schematic conceptual diagram of a chemical liquid supply apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a conceptual diagram for explaining a recovery tank in the chemical liquid supply apparatus shown in FIG.
3 is a schematic conceptual diagram of a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a method for processing a wafer according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the present invention in order to clarify the present invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 약액 공급 장치의 개략적인 개념도이다.1 is a schematic conceptual diagram of a chemical liquid supply apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 약액 공급 장치(10)는 메인 공급 탱크(100), 원액 준비 탱크(200) 및 회수 탱크(300)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the chemical liquid supply apparatus 10 includes a main supply tank 100, a stock tank 200, and a recovery tank 300.

상기 약액 공급 장치(10)는 기판을 대상으로 처리 공정을 수행하는 과정에서 상기 처리 공정을 위한 약액을 상기 기판으로 공급하기 위하여 사용된다. 여기서, 상기 기판은 웨이퍼와 같은 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 기판일 수 있다. 하지만 상기 기판이 반도체 기판으로 한정되는 것은 아니며, 평면 디스플레이 장치의 주요 구성요소인 평판형 디스플레이 패널을 제조하기 위한 기판일 수 있다. The chemical liquid supply device 10 is used to supply a chemical liquid for the treatment process to the substrate in the course of performing a treatment process on the substrate. Here, the substrate may be a semiconductor substrate for manufacturing a semiconductor device such as a wafer. However, the substrate is not limited to a semiconductor substrate, and may be a substrate for manufacturing a flat panel display panel, which is a major component of a flat panel display device.

상기 메인 공급 탱크(100)에는 상기 기판의 처리 공정을 위한 약액이 채워진다. 상기 메인 공급 탱크는 약액을 저장하기 위한 저장 용기로서 상기 기판의 처리 공정을 수행하기 위하여 상기 기판으로 공급할 약액을 저장하는 역할을 한다. 상기 메인 공급 탱크는 상기 원액 준비 탱크(200) 및 상기 회수 탱크(300)와 연결되어 상기 약액을 공급받는 구조를 가진다. 상기 약액은 그 예로서 황산, 질산, 불산 등과 같은 강산 용액을 포함할 수 있으며, 상기 강산 용액은 과산화수소 또는 탈이온수와 혼합되어 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 상기 약액으로 황산(H2SO4)과 과산화수소(H2O2)가 혼합된 SPM(Sulfuric acid Peroxide Mixture : Sulfuric Acid/Peroxide)를 사용하는 것을 예로 설명하였으나 이에 한정되지는 않는다. The main supply tank 100 is filled with a chemical solution for processing the substrate. The main supply tank is a storage container for storing a chemical liquid, and serves to store a chemical liquid to be supplied to the substrate for performing a process of the substrate. The main supply tank is connected to the raw liquid preparation tank 200 and the recovery tank 300 to receive the chemical liquid. The chemical solution may include, for example, a strong acid solution such as sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, etc., and the strong acid solution may be mixed with hydrogen peroxide or deionized water. In the present embodiment, SPM (Sulfuric acid Peroxide Mixture: Sulfuric Acid / Peroxide) mixed with sulfuric acid (H2SO4) and hydrogen peroxide (H2O2) is used as the chemical solution, but the present invention is not limited thereto.

상기 메인 공급 탱크(100)의 일측에는 상기 메인 공급 탱크와 연동된 약액 레벨 지시관(110)이 구비된다. 또한, 상기 약액 레벨 지시관의 일측에는 약액의 레벨을 측정하는 레벨 센서(미도시)가 구비될 수 있으며, 이를 통해 상기 메인 공급 탱크에 저장된 약액의 레벨을 측정할 수 있다. A chemical liquid level indicating pipe (110) interlocked with the main supply tank is provided at one side of the main supply tank (100). In addition, a level sensor (not shown) for measuring the level of the chemical liquid may be provided at one side of the chemical liquid level indicating pipe, thereby measuring the level of the chemical liquid stored in the main supply tank.

상기 메인 공급 탱크는 배기관(120)를 포함한다. 상기 배기관을 통해 상기 메인 공급 탱크 내의 가스가 배기된다. 상기 배기관을 통해서 배기되는 가스는 상기 메인 공급 탱크 내의 약액의 화학 반응에 의해서 생성된 가스 및 상기 메인 공급 탱크의 안정된 압력 유지를 위해 상기 메인 공급 탱크로 제공된 퍼지 가스를 포함한다. 상기 퍼지 가스는 상기 레벨 지시관(110) 또는 별도의 관(미도시)을 통해서 제공되며, 상기 메인 공급 탱크 내의 약액의 안정된 상태를 유지시킨다. 상기 퍼지 가스로는 다른 가스와 반응하지 않는 안정된 불활성 가스를 이용하며, 예를 들면 질소 가스가 이용될 수 있다. The main supply tank includes an exhaust pipe (120). The gas in the main supply tank is exhausted through the exhaust pipe. The gas exhausted through the exhaust pipe includes a gas produced by a chemical reaction of the chemical liquid in the main supply tank and a purge gas provided to the main supply tank for maintaining a stable pressure of the main supply tank. The purge gas is supplied through the level indicating pipe 110 or another pipe (not shown) to maintain a stable state of the chemical solution in the main supply tank. As the purge gas, a stable inert gas that does not react with other gases is used. For example, nitrogen gas may be used.

상기 메인 공급 탱크에는 제1 추가 배기관(130)이 추가로 구성된다. 상기 메인 공급 탱크 내부에서는 약액의 혼합과정에서 화학 반응에 의해 가스가 발생한다. 상기 가스의 발생으로 인해 내부 압력이 급격히 상승하게 된다. 이 경우 상기 메인 공급 탱크 상부에 형성된 배기관(120)만으로는 메인 공급 탱크 내부의 압력을 조절하기 어렵다. 따라서 상기 제1 추가 배기관(130)을 구성하여 상기 화학 반응에 의해 생성된 가스를 배출하고, 상기 메인 공급 탱크 내부의 압력을 조절할 수 있다. 상기 제1 추가 배기관(130)에는 배기 밸브(140)가 설치된다. 상기 배기 밸브(140)는 상기 메인 공급 탱크 내부의 압력에 따라 자동으로 온/오프되어 상기 제1 추가 배기관을 통한 가스의 배출을 조절할 수 있다. The main supply tank further comprises a first additional exhaust pipe (130). In the main supply tank, gas is generated by a chemical reaction during the mixing of the chemical liquid. The internal pressure rapidly increases due to the generation of the gas. In this case, it is difficult to control the pressure inside the main supply tank only by the exhaust pipe 120 formed in the upper part of the main supply tank. Therefore, the first additional exhaust pipe 130 can be configured to discharge the gas generated by the chemical reaction and adjust the pressure inside the main supply tank. An exhaust valve 140 is installed in the first additional exhaust pipe 130. The exhaust valve 140 is automatically turned on / off according to the pressure inside the main supply tank to regulate the discharge of gas through the first additional exhaust pipe.

상기 메인 공급 탱크(100)에는 공급 유닛(150)이 연결된다. 상기 공급 유닛(150)은 기판(W)에 대한 처리 공정이 이루어지도록 상기 메인 공급 탱크(100)로부터 상기 약액을 제공받아 상기 기판(W)으로 직접적으로 공급하는 역할을 한다. 이를 위해 상기 공급 유닛(150)은 예를 들어 상기 약액을 분사하는 하나 이상의 노즐(nozzle)을 포함할 수 있고, 홀 또는 슬릿 형태를 갖는 분사구를 포함할 수 있다. 상기 공급 유닛(150)은 상기 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공청 챔버(400)의 내부에 배치되며, 더욱 상세하게는 상기 공정 챔버(400)의 내부에 놓여지는 상기 기판(W)의 상부에 배치될 수 있다.A supply unit 150 is connected to the main supply tank 100. The supply unit 150 receives the chemical liquid from the main supply tank 100 and directly supplies the chemical liquid to the substrate W so that a process for the substrate W is performed. To this end, the supply unit 150 may include, for example, one or more nozzles for spraying the chemical liquid, and may include a nozzle having a hole or a slit shape. The supply unit 150 is disposed inside the air-polluting chamber 400 in which the processing for the substrate W is performed. More specifically, the supply unit 150 is disposed inside the processing chamber 400, As shown in FIG.

여기서, 상기 공정 챔버(400)는 상기 기판(W)의 처리 공정을 수행하기 위한 공정 공간을 제공하는 역할을 하며, 그 내부에서 상기 기판(W)을 대상으로 실질적인 처리 공정이 수행된다. 상기 공정 챔버(400)의 내부에는 상기 공급 유닛(150)과 함께 처리 공정이 수행될 때 상기 기판(W)을 지지하기 위한 기판 지지부(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 기판 지지부(미도시)는 다양한 종류가 적용될 수 있으며, 경우에 따라서 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 동안 상기 기판(W)을 회전시킬 수 있다.Here, the process chamber 400 provides a process space for performing the process of the substrate W, and a substantial process is performed on the substrate W in the process chamber 400. A substrate support (not shown) for supporting the substrate W may be provided in the process chamber 400 when the process unit 400 is performed together with the supply unit 150. Various types of the substrate supporting unit (not shown) may be used, and the substrate W may be rotated while a process for the substrate W is performed.

상기 회수 펌프(410)는 상기 기판(W)의 처리 공정에 사용된 약액의 회수를 위하여 구비된다. 즉, 상기 회수 펌프(410)는 상기 기판(W)의 처리 공정에 사용된 약액을 상기 공정 챔버(400)로부터 회수하는 역할을 한다. 상기 회수 펌프(410)는 예를 들어 진공을 이용한 진공 펌프(vacuum pump)일 수 있다. 이와 달리 상기 회수 펌프(410)는 상기 공정 챔버(400)로부터 상기 기판(W)의 처리 공정에 사용된 약액의 회수 동작에 유효한 다양한 종류의 펌프가 적용될 수 있다.The recovery pump 410 is provided for recovering the chemical liquid used in the processing of the substrate W. That is, the recovery pump 410 serves to recover the chemical liquid used in the processing of the substrate W from the process chamber 400. The recovery pump 410 may be, for example, a vacuum pump using a vacuum. Alternatively, various types of pumps effective for the recovery operation of the chemical liquid used in the process of processing the substrate W from the process chamber 400 may be applied to the recovery pump 410.

상기 회수 펌프(410)는 상기 회수 탱크(300)와 연결된다. 예를 들어 상기 회수 펌프(410)는 도면에서와 같이 상기 공정 챔버(400)로부터 상기 회수 탱크(300)로 회수되는 약액의 회수 유로 상에 배치될 수 있다. 하지만 상기 회수 펌프(410)로 진공 펌프가 이용되는 경우 상기 회수 펌프(410)는 상기 회수 유로와 별도로 상기 회수 탱크(300)에 직접적으로 연결되는 것이 일반적이다. 이처럼 상기 회수 펌프(410)가 상기 회수 탱크(300)에 직접 연결되는 경우에 상기 회수 펌프(410)는 상기 회수 탱크(300)에 진공을 형성함으로써 상기 회수 탱크(300)와 상기 공정 챔버(400) 사이의 압력 차이로 상기 약액이 상기 회수 탱크(300)로 회수되도록 동작한다.The recovery pump 410 is connected to the recovery tank 300. For example, the recovery pump 410 may be disposed on the recovery flow path of the chemical liquid recovered from the process chamber 400 to the recovery tank 300 as shown in the figure. However, when the vacuum pump is used as the recovery pump 410, the recovery pump 410 is directly connected to the recovery tank 300 separately from the recovery flow path. When the recovery pump 410 is directly connected to the recovery tank 300, the recovery pump 410 generates a vacuum in the recovery tank 300 so that the recovery tank 300 and the process chamber 400 The recovery tank 300 is operated to recover the chemical liquid.

상기 회수 탱크(300)는 상기 회수 펌프(410)에 의해 상기 공정 챔버(400)로부터 회수되는 회수 약액(50)이 저장된다. 이 때, 상기 공정 챔버(400)로부터 회수되는 회수 약액(50) 내에는 상기 기판(W)의 처리 공정을 수행하는 과정에서 발생된 이물질이 포함될 수 있다. 따라서 상기 회수 약액(50) 내의 이물질을 걸러주기 위한 일환으로 필터 부재(미도시)가 구비될 수 있다. The recovery tank 300 stores the recovery chemical solution 50 recovered from the process chamber 400 by the recovery pump 410. At this time, the recovered chemical solution 50 recovered from the process chamber 400 may contain foreign substances generated during the process of processing the substrate W. Therefore, a filter member (not shown) may be provided as a part for filtering the foreign substances in the recovered chemical solution 50.

이처럼 상기 회수 탱크(300) 내부에 저장되는 회수 약액(50)은 상기 기판(W)의 처리 공정에 재사용 되도록 다시 상기 메인 공급 탱크(100)로 공급하게 된다. The recovered chemical liquid 50 stored in the recovery tank 300 is supplied to the main supply tank 100 so as to be reused in the processing of the substrate W. [

상기 회수 탱크(300)의 일측에는 상기 회수 탱크와 연동된 약액 레벨 지시관(310)이 구비된다. 또한, 상기 약액 레벨 지시관의 일측에는 약액의 레벨을 측정하는 레벨 센서(미도시)가 구비될 수 있으며, 이를 통해 상기 회수 탱크에 저장된 약액의 레벨을 측정할 수 있다. A chemical liquid level indicating pipe (310) interlocked with the recovery tank is provided at one side of the recovery tank (300). In addition, a level sensor (not shown) for measuring the level of the chemical liquid may be provided at one side of the chemical liquid level indicating pipe, thereby measuring the level of the chemical liquid stored in the recovery tank.

상기 회수 탱크는 배기관(320)을 포함한다. 상기 배기관(320)을 통해 상기 회수 탱크 내의 가스가 배기된다. 상기 배기관을 통해서 배기되는 가스는 상기 회수 탱크 내의 약액의 화학 반응에 의해서 생성된 가스 및 상기 회수 탱크의 안정된 압력 유지를 위해 상기 회수 탱크로 제공된 퍼지 가스를 포함한다. 상기 퍼지 가스는 상기 레벨 지시관 또는 별도의 관(미도시)을 통해서 제공되며, 상기 회수 탱크 내의 약액의 안정된 상태를 유지시킨다. 상기 퍼지 가스로는 다른 가스와 반응하지 않는 안정된 불활성 가스를 이용하며, 예를 들면 질소 가스가 이용될 수 있다.The recovery tank includes an exhaust pipe (320). The gas in the recovery tank is exhausted through the exhaust pipe 320. The gas exhausted through the exhaust pipe includes a gas generated by the chemical reaction of the chemical solution in the recovery tank and a purge gas provided to the recovery tank for maintaining a stable pressure of the recovery tank. The purge gas is supplied through the level indicating pipe or another pipe (not shown) to maintain a stable state of the chemical solution in the recovery tank. As the purge gas, a stable inert gas that does not react with other gases is used. For example, nitrogen gas may be used.

하지만, 약액을 회수하여 재사용하는 약액 공급 장치는 회수 탱크에 채워지는 약액을 상기 메인 공급 탱크로 공급하기 위해서는 회수된 약액의 농도가 일정 수준 이상을 유지해야 한다. 그러나 상기 회수된 약액은 황산과 과산화수소가 반응하여 중간생성물(H2SO5)과 물을 생성하므로, 약액의 농도가 낮아진다.However, in order to supply the chemical liquid to be collected in the recovery tank to the main supply tank, the concentration of the recovered chemical liquid must be maintained at a certain level or more. However, since the recovered chemical solution reacts with sulfuric acid and hydrogen peroxide to produce an intermediate product (H2SO5) and water, the concentration of the chemical solution becomes low.

즉, 상기 회수 탱크(300)에 회수되는 회수 약액(50)은 황산과 과산화수소가 반응하여 중간생성물(H2SO5)과 물(H2O)이 생성되어 혼합된 상태이므로, 상기 회수 약액(50)의 농도는 낮아진다. 상기 회수된 약액을 상기 메인 공급 탱크로 공급하기 위해서는 상기 회수 약액의 농도를 일정 수준으로 증가시킬 필요가 있다. 이를 위해 본 실시예에 따른 회수 탱크는 가열기(340) 및 가스 공급관(350)을 더 포함하며, 이에 대해서는 이하 도 2를 참조하여 상세히 설명한다. That is, since the recovered chemical solution 50 recovered in the recovery tank 300 is in a state in which sulfuric acid and hydrogen peroxide react with each other to produce an intermediate product (H2SO5) and water (H2O), the concentration of the recovered chemical solution 50 Lower. In order to supply the recovered chemical liquid to the main supply tank, it is necessary to increase the concentration of the recovered chemical liquid to a certain level. To this end, the recovery tank according to the present embodiment further includes a heater 340 and a gas supply pipe 350, which will be described in detail with reference to FIG.

상기 원액 준비 탱크(200)는 상기 메인 공급 탱크에 연결되어 상기 메인 공급 탱크에 기판 처리를 위한 원액을 공급한다. 본 실시예에서 상기 원액은 황산이며, 상기 원액 준비 탱크는 별도로 연결된 공급관(미도시)로부터 상기 원액을 공급받는다. 상기 원액 준비 탱크(200)는 상기 원액을 저장해 두었다가 상기 메인 공급 탱크(100)로 적절히 공급하여 상기 메인 공급 탱크 내에 저장된 약액의 농도 및 저장량을 조절한다. The raw liquid preparation tank 200 is connected to the main supply tank and supplies a stock solution for substrate processing to the main supply tank. In this embodiment, the stock solution is sulfuric acid, and the stock solution preparation tank receives the stock solution from a separately connected supply pipe (not shown). The crude liquid preparation tank 200 stores the original liquid and appropriately supplies the main liquid to the main supply tank 100 to adjust the concentration and storage amount of the chemical liquid stored in the main supply tank.

상기 원액 준비 탱크의 일측에는 상기 회수 탱크와 연동된 약액 레벨 지시관(210)이 구비된다. 또한, 상기 약액 레벨 지시관의 일측에는 약액의 레벨을 측정하는 레벨 센서(미도시)가 구비될 수 있으며, 이를 통해 상기 회수 탱크에 저장된 약액의 레벨을 측정할 수 있다.A chemical liquid level indicating pipe (210) interlocked with the recovery tank is provided at one side of the raw liquid preparation tank. In addition, a level sensor (not shown) for measuring the level of the chemical liquid may be provided at one side of the chemical liquid level indicating pipe, thereby measuring the level of the chemical liquid stored in the recovery tank.

상기 원액 준비 탱크는 배기관(220)을 포함한다. 상기 배기관을 통해 상기 원액 준비 탱크 내의 가스가 배기된다. 상기 배기관을 통해서 배기되는 가스는 상기 원액 준비 탱크의 안정된 압력 유지를 위해 상기 원액 준비 탱크로 제공된 퍼지 가스를 포함한다. 상기 퍼지 가스는 상기 레벨 지시관 또는 별도의 관(미도시)을 통해서 제공되며, 상기 원액 준비 탱크 내의 약액의 안정된 상태를 유지시킨다. 상기 퍼지 가스로는 다른 가스와 반응하지 않는 안정된 불활성 가스를 이용하며, 예를 들면 질소 가스가 이용될 수 있다.The raw liquid preparation tank includes an exhaust pipe 220. The gas in the raw liquid preparation tank is exhausted through the exhaust pipe. The gas exhausted through the exhaust pipe includes a purge gas supplied to the crude liquid preparation tank for maintaining a stable pressure of the raw liquid preparation tank. The purge gas is supplied through the level indicating pipe or a separate pipe (not shown) to maintain a stable state of the chemical solution in the crude liquid preparation tank. As the purge gas, a stable inert gas that does not react with other gases is used. For example, nitrogen gas may be used.

도 2는 도 1에 도시된 약액 공급 장치에서 회수 탱크를 설명하기 위한 개념도이다. 2 is a conceptual diagram for explaining a recovery tank in the chemical liquid supply apparatus shown in FIG.

도 2를 참조하면, 상기 회수 탱크(300)는 가열기(340), 가스 공급관(350) 및 제2 추가 배기관(330)을 포함한다. Referring to FIG. 2, the recovery tank 300 includes a heater 340, a gas supply pipe 350, and a second additional exhaust pipe 330.

상기 가열기(340)는 상기 회수 탱크(300) 내부에 배치된다. 상기 가열기는 상기 가열기의 가열량을 조절하기 위해 상기 회수 탱크 외부에 배치된 조절부(미도시)와 연결된다. 따라서 상기 조절부에 의해 상기 가열기의 가열량이 조절될 수 있다.The heater 340 is disposed inside the recovery tank 300. The heater is connected to an adjustment unit (not shown) disposed outside the recovery tank to adjust the heating amount of the heater. Therefore, the heating amount of the heater can be adjusted by the regulating portion.

상기 가열기는 상기 회수 탱크 내부의 회수 약액을 가열하여 상기 회수 약액의 온도를 높인다. 상기 회수 탱크(140)에 저장된 회수 약액(50)은, 황산과 과산화수소가 반응하여 생성된 중간생성물(H2SO5)과 물(H2O)이 상기 황산 및 과산화수소와 서로 혼합된 상태이다. 상기 회수 약액에 혼합되어 있는 성분 중에는 물의 끓는점이 가장 낮기 때문에, 상기 회수 약액을 가열함에 따라 상기 회수 약액의 온도가 증가하면, 상기 물을 쉽게 증발시킬 수 있다. 따라서 상기 물의 증발로 인해 상기 회수 탱크 내의 약액의 농도를 증가시킬 수 있다. The heater heats the recovered chemical solution in the recovery tank to raise the temperature of the recovered chemical solution. The recovered chemical solution 50 stored in the recovery tank 140 is a state in which the intermediate products H2SO5 and H2O generated by the reaction between sulfuric acid and hydrogen peroxide are mixed with the sulfuric acid and the hydrogen peroxide. Since the boiling point of water is the lowest in the components mixed in the recovered chemical solution, the water can be easily evaporated when the temperature of the recovered chemical solution increases as the recovered chemical solution is heated. Therefore, the concentration of the chemical liquid in the recovery tank can be increased due to evaporation of the water.

상기 가스 공급관(350)은 상기 회수 탱크를 관통하여 상기 회수 탱크 내의 회수 약액에 잠기도록 배치된다. 상기 가스 공급관(350)은 상기 회수 탱크의 중심에서 바닥부와 수직하여 배치될 수 있다. 상기 가스 공급관(350)에는 다수의 작은 개구부들이 형성되어 있어 상기 가스 공급관 내부로 유입된 가스가 상기 개구부들을 통해 배출된다. 따라서 상기 가스 공급관으로 가스가 유입되는 경우, 상기 개구부들을 통해 다수의 기포가 발생되어 상기 회수 탱크 내의 약액 상부로 부유하게 된다. 상기 다수의 부유하는 기포에 의해서 상기 회수 탱크 내의 약액의 대류 현상이 활성화되고, 이에 따라 상기 약액 내부에서 열전달이 용이하게 이루어진다. 이에 따라 상기 가열기만을 배치한 경우보다 더욱 효율적으로 상기 회수 탱크 내의 약액을 가열할 수 있다. The gas supply pipe 350 is disposed so as to pass through the recovery tank and to be immersed in the recovery chemical in the recovery tank. The gas supply pipe 350 may be disposed perpendicular to the bottom portion at the center of the recovery tank. A plurality of small openings are formed in the gas supply pipe 350, so that the gas introduced into the gas supply pipe is discharged through the openings. Therefore, when gas flows into the gas supply pipe, a large number of bubbles are generated through the openings and floated to the top of the chemical liquid in the recovery tank. The convection phenomenon of the chemical liquid in the recovery tank is activated by the plurality of floating bubbles, thereby facilitating the heat transfer inside the chemical liquid. This makes it possible to heat the chemical liquid in the recovery tank more efficiently than in the case where only the heater is disposed.

상기 가스 공급관(350)의 배치 구조는 상기와 같이 상기 회수 탱크에 수직하게 배치하는 구조에 한정되는 것은 아니다. 상기 가스 공급관(350)은 상기 회수 탱크의 바닥부에 인접하면서 다양하게 배치될 수 있으며, 예를 들어 상기 가스 공급관은 상기 회수 탱크의 바닥부로 연장되어 사행 구조(serpentine)로 배치될 수 있다. 상기 가스 공급관이 상기 회수 탱크에 전체적으로 고르게 배치됨에 따라 상기 회수 탱크에 저장된 약액을 더 효율적이고 균일하게 가열시킬 수 있다. The arrangement structure of the gas supply pipe 350 is not limited to the structure in which it is disposed perpendicularly to the recovery tank as described above. The gas supply pipe 350 may be disposed adjacent to the bottom of the recovery tank. For example, the gas supply pipe may extend from the bottom of the recovery tank to a serpentine shape. As the gas supply pipe is uniformly disposed throughout the recovery tank, the chemical solution stored in the recovery tank can be heated more efficiently and uniformly.

상기 제2 추가 배기관(330)은 상기 회수 탱크(300)의 상부 일측에 형성된다. 상기 회수 탱크 내부에서는 상기의 가열 과정에 의해 물의 증발에 의한 수증기가 발생한다. 또한 상기 가스 공급관을 통한 가스의 유입으로 인해 내부 압력이 상승하게 된다. 이 경우 상기 회수 탱크 상부에 형성된 배기관만으로는 회수 탱크 내부의 수증기를 배출하거나 회수 탱크 내부의 압력을 조절하기 어렵다. 따라서 상기 제2 추가 배기관(330)을 구성하여 물의 증발에 의해 생성된 수증기를 배출하고, 상기 가스 공급관(350)을 통해 상기 회수 탱크 내부로 공급된 가스를 안정적으로 배출할 수 있다. The second additional exhaust pipe 330 is formed on one side of the upper part of the recovery tank 300. In the recovery tank, water vapor is generated by the evaporation of water by the heating process. Further, the internal pressure is increased due to the inflow of the gas through the gas supply pipe. In this case, it is difficult to discharge the water vapor in the recovery tank or regulate the pressure inside the recovery tank by only the exhaust pipe formed on the recovery tank. Therefore, the second additional exhaust pipe 330 can be configured to exhaust water vapor generated by evaporation of water, and to stably discharge the gas supplied into the recovery tank through the gas supply pipe 350.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 약액 공급 장치의 개략적인 개념도이다. 3 is a schematic conceptual diagram of a chemical liquid supply apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 상기 약액 공급 장치는 메인 공급 탱크(100), 원액 준비 탱크(200), 회수 탱크(300) 및 정화 탱크(500)를 포함한다. 상기 약액 공급 장치는 상기 정화 탱크를 더 포함한다는 것을 제외하고는 상기 도 1을 참조하여 설명한 약액 공급 장치와 동일하므로, 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 이를 생략한다.3, the chemical liquid supply device includes a main supply tank 100, a stock solution preparation tank 200, a recovery tank 300, and a purification tank 500. The chemical liquid supply device is the same as the chemical liquid supply device described with reference to FIG. 1, except that it further includes the purification tank, so that the same reference numerals are used and redundant descriptions are omitted.

상기 약액 공급 장치로부터 연장되는 배기관들(120, 220, 320), 상기 제1 및 제2 추가 배기관들(130, 330) 및 기타 도시되지 않은 모든 배기관들은 상기 정화 탱크(500)와 연결되어 상기 정화 탱크(500) 내부를 경유하도록 구성된다. The exhaust pipes 120, 220 and 320 extending from the chemical liquid supply device, the first and second additional exhaust pipes 130 and 330 and all other exhaust pipes not shown are connected to the purifying tank 500, Through the inside of the tank (500).

상기 정화 탱크(500)에는 상기 배기관들을 통해 배출되는 배기가스를 1차적으로 정화할 수 있는 액체로 채워진다. 예를 들어 상기 액체는 물(H2O)일 수 있다. The purge tank 500 is filled with a liquid capable of purifying the exhaust gas primarily discharged through the exhaust pipes. For example, the liquid may be water (H2O).

상기 배기관들 및 제1 및 제2 추가 배기관들은 하나의 배기관(510)으로 연결되어 상기 정화 탱크를 관통하도록 연결되고, 상기 배기관(510)의 끝단은 상기 정화 탱크 내의 액체 내부에 잠기도록 구성된다. The exhaust pipes and the first and second additional exhaust pipes are connected to each other through one exhaust pipe 510 so as to pass through the purifier tank and the end of the exhaust pipe 510 is configured to be submerged in the liquid in the purifier tank.

상기 정화 탱크는 상기 정화 탱크로 공급된 가스를 배출하기 위한 배출관(520)을 포함한다. 상기 배출관(520)은 상기 정화 탱크의 상부에 형성되고, 상기 정화 탱크 내부의 액체에는 잠기지 않도록 구성된다. 따라서 상기 정화 탱크의 내부로 공급된 배기가스는 상기 정화 탱크 내의 물을 통과하여 1차적인 정화과정을 거치며, 이후 상기 물을 통과하여 상기 정화 탱크 상부에 형성된 상기 배출관을 통해 외부로 배출된다. The purge tank includes a discharge pipe 520 for discharging the gas supplied to the purge tank. The discharge pipe 520 is formed on the upper part of the purifying tank and is not immersed in the liquid inside the purifying tank. Accordingly, the exhaust gas supplied to the inside of the purifying tank passes through the water in the purifying tank, undergoes a primary purifying process, and then passes through the water and is discharged to the outside through the discharge pipe formed in the upper part of the purifying tank.

상기 배기가스는 상기 약액의 화학 반응에 의해 생성된 유해 가스를 포함한다. 예를 들어 상기 배기가스는 아황산(SO2) 가스를 포함할 수 있다. 따라서 상기와 같이 약액 공급 장치에 정화 탱크(500)를 추가하는 간단한 구성만으로 상기 배기가스를 1차적으로 정화할 수 있다. 이로서 이후에 진행될 수 있는 상기 배기가스의 2차 정화 과정을 단순화시킬 수 있고, 그 효율을 더욱 높일 수 있다. The exhaust gas includes noxious gas generated by the chemical reaction of the chemical liquid. For example, the exhaust gas may include a sulfur dioxide (SO2) gas. Therefore, the exhaust gas can be primarily purified only by a simple structure of adding the purification tank 500 to the chemical liquid supply device. This can simplify the secondary purification process of the exhaust gas which can be carried out later, and can further increase the efficiency.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 약액 공급 장치는 기판 처리에 사용된 약액을 회수하여 저장하는 회수 탱크 내부에 가열기 및 가스 공급관을 구성하여, 상기 회수된 약액 내부의 물을 효율적으로 증발시켜 상기 약액의 농도를 증가시킬 수 있다. As described above, the chemical liquid supply apparatus according to the present invention constitutes a heater and a gas supply pipe in the recovery tank for recovering and storing the chemical liquid used for the substrate processing, efficiently evaporates the water in the recovered chemical liquid, Can be increased.

또한 상기 약액 공급 장치는 상기 약액 공급 장치로부터 연장되는 모든 배기관들을 물이 저장된 정화 탱크로 연결하여, 상기 배기관들을 통해 배출되는 배기가스를 1차적으로 정화시킬 수 있다. In addition, the chemical liquid supply device may purge the exhaust gas discharged through the exhaust pipes primarily by connecting all of the exhaust pipes extending from the chemical liquid supply device to a water purifying tank.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

10 : 회수 약액 100 : 메인 공급 탱크
200 : 원액 준비 탱크 300 : 회수 탱크
400 : 공정 챔버 500 : 정화 탱크
110, 210, 310 : 레벨 지시관 120, 220, 320 : 배기관
130 : 제1 추가 배기관 140 : 배기 밸브
330 : 제2 추가 배기관 340 : 가열기
350 : 가스 공급관 410 : 회수 펌프10: Recovery solution 100: Main supply tank
200: raw liquid preparation tank 300: recovery tank
400: Process chamber 500: Purification tank
110, 210, 310: Level indication pipes 120, 220, 320:
130: first additional exhaust pipe 140: exhaust valve
330: second additional exhaust pipe 340: heater
350: gas supply pipe 410: return pump

Claims (2)

기판 처리를 위한 약액이 저장되며, 탱크 내부의 압력을 조절하는 제1 배기관을 포함하는 제1 탱크;
상기 제1 탱크와 연결되어, 상기 제1 탱크로 상기 약액을 제공하는 제2 탱크; 및
상기 기판의 처리에 사용된 후 회수된 약액을 가열하는 가열기, 복수개의 개구부들이 형성되고 상기 회수된 약액 내부로 가스를 공급하는 가스 공급관, 및 탱크 내부의 가스를 배출하기 위한 제3 배기관을 포함하며, 상기 제1 탱크와 연결되어 상기 회수된 약액을 상기 제1 탱크로 제공하는 제3 탱크를 포함하고,
상기 제1 탱크 및 상기 제3 탱크 각각에는 제1 추가 배기관 및 제2 추가 배기관 각각을 더 구비하고,
상기 제1 탱크는 상기 제1 탱크에서 상기 약액의 혼합 과정시 화학 반응에 의해 발생하는 가스를 배출함과 아울러 상기 제1 배기관을 사용한 탱크 내부의 압력 조절시 상기 제1 배기관을 조력하는 제1 추가 배기관을 더 포함하고,
상기 제3 탱크는 상기 회수 약액의 가열 과정시 물의 증발에 의해 발생하는 수증기를 배출함과 아울러 상기 제3 배기관을 사용한 탱크 내부의 압력 조절시 상기 제3 배기관을 조력하는 제2 추가 배기관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치.A first tank containing a chemical liquid for substrate processing and including a first exhaust pipe for regulating the pressure inside the tank;
A second tank connected to the first tank and providing the chemical solution to the first tank; And
A heater for heating the recovered chemical liquid used in the processing of the substrate, a gas supply pipe for forming a plurality of openings and supplying gas into the recovered chemical liquid, and a third exhaust pipe for discharging the gas in the tank, And a third tank connected to the first tank and providing the recovered chemical solution to the first tank,
Wherein each of the first tank and the third tank further includes a first additional exhaust pipe and a second additional exhaust pipe,
Wherein the first tank discharges gas generated by the chemical reaction during the mixing process of the chemical liquid in the first tank and further includes a first addition valve for assisting the first exhaust pipe when adjusting the pressure inside the tank using the first exhaust pipe, Further comprising an exhaust pipe,
The third tank further includes a second additional exhaust pipe for discharging water vapor generated by evaporation of water during heating of the recovered chemical liquid and for assisting the third exhaust pipe when adjusting the pressure inside the tank using the third exhaust pipe the chemical liquid supply apparatus characterized in that it. 제1항에 있어서, 배기가스를 정화할 수 있는 액체가 저장된 제4 탱크를 더 포함하고,
상기 제1 및 제3 배기관들 및 상기 약액 공급 장치 내의 가스를 배출하는 배기관들이 상기 제4 탱크를 경유하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치. The exhaust gas purifying apparatus according to claim 1, further comprising a fourth tank in which a liquid capable of purifying the exhaust gas is stored,
Wherein the first and third exhaust pipes and the exhaust pipes for exhausting the gas in the chemical liquid supply device pass through the fourth tank.
KR1020100079710A 2010-08-18 2010-08-18 Solution supplying apparatus KR101390808B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100079710A KR101390808B1 (en) 2010-08-18 2010-08-18 Solution supplying apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100079710A KR101390808B1 (en) 2010-08-18 2010-08-18 Solution supplying apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120017178A KR20120017178A (en) 2012-02-28
KR101390808B1 true KR101390808B1 (en) 2014-04-30

Family

ID=45839190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100079710A KR101390808B1 (en) 2010-08-18 2010-08-18 Solution supplying apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101390808B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102219880B1 (en) * 2013-12-27 2021-02-25 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980051761A (en) * 1996-12-23 1998-09-25 김광호 Automatic thinner supply device and automatic thinner supply method for semiconductor manufacturing
KR20000049992A (en) * 2000-05-10 2000-08-05 장동복 PFC GAS purifying apparatus
JP2004050119A (en) * 2002-07-23 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Washing device and washing method
KR20080011910A (en) * 2006-08-01 2008-02-11 세메스 주식회사 Chemical mixing apparatus and method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980051761A (en) * 1996-12-23 1998-09-25 김광호 Automatic thinner supply device and automatic thinner supply method for semiconductor manufacturing
KR20000049992A (en) * 2000-05-10 2000-08-05 장동복 PFC GAS purifying apparatus
JP2004050119A (en) * 2002-07-23 2004-02-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Washing device and washing method
KR20080011910A (en) * 2006-08-01 2008-02-11 세메스 주식회사 Chemical mixing apparatus and method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120017178A (en) 2012-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0151238B1 (en) Chemical agent producing device and method thereof
KR100269906B1 (en) Apparatus and method for distilling waste liquids
US20120279396A1 (en) System to remove Dissolved Gases Selectively from Liquids
CN110291611B (en) Plasma abatement technique using water vapor and oxygen reagents
WO2012073574A1 (en) Method for removal of photoresist
TW201638542A (en) Vapor supplying apparatus, vapor drying apparatus, vapor supplying method, and vapor drying method
KR20130086557A (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR20150079580A (en) Method for manufacturing ozone-gas-dissolved water and cleaning method for electronic materials
JP6430772B2 (en) Carbon dioxide-dissolved water supply system, carbon dioxide-dissolved water supply method, and ion exchange device
WO2005004217A1 (en) Substrate processing method and substrate processing device
US20050241673A1 (en) Resist removing apparatus and method of removing resist
KR101390808B1 (en) Solution supplying apparatus
KR100987041B1 (en) Hydrofluoric acid production apparatus and hydrofluoric acid production method
JP4108798B2 (en) Ozone-containing ultrapure water supply method and ozone-containing ultrapure water supply device
JP6497587B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014189441A (en) Hydrogen peroxide solution generation device, substrate processing unit, and hydrogen peroxide solution generation method
JP2005186067A (en) Ozone-containing ultrapure water supply method and apparatus
JP4872613B2 (en) Gas dissolving cleaning water manufacturing apparatus and manufacturing method
JP2017202474A (en) Ozone dissolved water production apparatus
KR101927190B1 (en) Solution supplying apparatus
KR101099594B1 (en) Apparatus and method for cleaning a substrate using a supercritical fluid
JP2008028323A (en) Substrate processing apparatus
KR101553365B1 (en) Substrate treating apparatus and chemical recycling method
JP5425666B2 (en) Substrate processing equipment
KR100956557B1 (en) Apparatus of supplying chemical liquid

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170403

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180330

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190402

Year of fee payment: 6