KR101382994B1 - 표면 반사도 변화의 최소화 - Google Patents

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Abstract

기판의 표면을 처리하기 위한 장치 및 방법이 제공된다. 기판은 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및/또는 배향에 따라 상이한 반사도를 나타내는 표면 패턴을 가질 수도 있다. 장치는 스캐닝 동안 기판 표면 반사도 변화를 실질적으로 최소화하고 그리고/또는 최대 기판 표면 반사도를 최소화하도록 선택된 배향각 및 입사각에서 표면을 향해 지향된 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 방출하는 방사원을 포함할 수도 있다. 또한, 기판의 표면을 처리하기 위한 최적의 배향 및/또는 입사각을 선택하는 방법 및 장치가 제공된다.

Description

표면 반사도 변화의 최소화{MINIMIZATION OF SURFACE REFLECTIVITY VARIATIONS}
본 발명은 일반적으로 광 빔을 이용하여 기판의 표면을 처리하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 광 빔과 관련하여 기판의 표면의 반사율 변화 및/또는 최대 표면 반사율을 고려하고/하거나 최소화하는 방식으로 이러한 처리를 실시하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
프로세서, 메모리 및 다른 집적 회로 (IC) 와 같은 반도체계 마이크로전자 장치의 제조는 열 프로세스를 요구한다. 예를 들어, 트랜지스터의 소스/드레인 부분은, 실리콘 웨이퍼 기판의 영역을 붕소, 아인산 또는 비소 원자를 함유한 가속화된 도펀트에 노출함으로써 형성될 수도 있다. 주입 후 인터스티셜 도펀트는 전기적으로 비활성이고 활성을 요구한다. 결정 격자가 불순물 원자를 그 격자의 구조에 포함시키기에 충분한 시간의 기간 동안 기판의 전체 또는 일부를 특정 처리 온도로 가열함으로써 활성화를 달성할 수도 있다.
일반적으로, 매우 높은 전도성을 갖는 잘 정의된 얕게 도핑된 영역을 생성하는 방식으로 반도체 기판을 활성화하거나 어닐링하는 것이 바람직하다. 이것은 반도체 용융점 근처의 온도로 웨이퍼를 급속하게 가열하여 치환형 격자 위치에 도펀트를 포함하고, 웨이퍼를 급속하게 냉각하여 제 자리에 도펀트를 "프리징"시킴으로써 완성된다. 급속 가열 및 냉각은 주입 프로세스에 의해 정의된 깊이로, 도펀트 원자 농도를 갑작스럽게 변화시킨다.
활성화는 플래시 램프 또는 레이저 기술을 통해 실시될 수도 있다. 레이저계 기술과 연관된 시간 스케일이 종래 램프와 연관된 시간 스케일 보다 더 매우 짧기 때문에, 어닐링에 있어서 레이져계 기술이 종래의 열 램프 기술보다 종종 더 바람직하다. 그 결과, 레이저계 어닐링 프로세스들을 위한 열 확산은, 웨이퍼 표면을 가열하기 위해서 종래의 램프 (비편광 플래시 램프) 를 이용한 종래의 급속 열처리 (Rapid Thermal Annealing;RTA) 보다는 격자 구조를 통한 불순물 원자의 확산 시 보다 적은 역할을 한다.
레이저계 열 처리 기술에 사용된 대표적인 기술은 레이저 열 프로세싱 (LTP), 레이저 열 어닐링 (LTA), 및 레이저 스파이크 어닐링 (LSA) 을 포함한다. 몇몇 예에서, 이러한 용어는 상호교환가능하게 사용될 수 있다. 어떤 경우, 이러한 기술은 일반적으로, 가열되는 표면, 예를 들어 반도체 웨이퍼의 상부 표면에 걸쳐 차례로 스캐닝되는 길고 얇은 이미지로 레이저 빔을 형성하는 것을 수반한다. 예를 들어, 0.1 mm 폭의 빔이 100 mm/s으로 반도체 웨이퍼 표면에 걸쳐 래스터 스캐닝되어 가열 사이클 동안 1 밀리초의 드웰 타임을 생성할 수도 있다. 이 가열 사이클 동안의 일반적인 최대 온도는 실리콘 웨이퍼에 대하여 약 1350 ℃일 수도 있다. 웨이퍼 표면을 최대 온도까지 도달시키는데 필요한 드웰 타임 내에서, 표면 영역 아래의 층의 약 100 내지 약 200 마이크로미터 만을 가열한다. 결과적으로, 일단 레이저 빔이 지나가면, 밀리미터 두께의 웨이퍼의 벌크는 표면을 거의 가열되었던 것만큼 빠르게 냉각시키는 역할을 한다. 레이저 기반 처리 장치 및 방법에 관한 추가 정보는 각각, Talwar 등의 미국 특허 제 6,747,245 호 및 미국 특허 출원 공개공보 제 20040188396 호, 제 20040173585 호, 제 20050067384 호, 및 제 20050103998 호에서 찾을 수 있다.
LTP는 많은 소스들 중 임의의 소스로부터의 펄스형 또는 연속적인 방사 중 어느 하나를 이용할 수도 있다. 예를 들어, 종래의 LTP는, 표면의 모든 영역이 가열 빔의 적어도 한번의 통과에 노출되도록, 웨이퍼에 걸쳐 래스터 스캐닝되는 연속적인, 고전력의 CO2 레이저 빔을 이용할 수도 있다. 유사하게, 레이저 다이오드의 형성 시 연속적인 방사원이 연속적인 스캐닝 시스템과 조합하여 사용될 수도 있다.
일반적으로, 레이저 빔 이미지의 이용가능한 부분에 걸친 조사 균일성 (매크로- 및 마이크로-균일성 둘 모두) 이 매우 바람직한 특성이다. 이것은, 기판의 해당 가열이 상응하여 균일하다는 것을 보장한다. 유사하게, 레이저로부터 전달된 에너지, 예를 들어, 펄스 방사 애플리케이션에 대한 펄스 단위의 에너지 및 연속적인 방사 애플리케이션에 대한 레이저 빔 전력은 시간에 따라 대체로 안정해야하므로, 모든 노출된 영역이 균일한 온도로 연속적으로 가열된다. 요컨대, 조사 균일성 및 안정성은 대체로, 반도체 어닐링 애플리케이션용으로 사용된 임의의 레이저에 대한 바람직한 특징이다.
많은 레이저 열 처리 기술에서, 적절한 편광의 광 빔 (p-편광) 이 정형되어 실리콘 웨이퍼 표면의 일부 상에 이미지를 형성한다. 이러한 기술에서, 이미지는 대체로 형상이 길어지고 실질적으로 전체 웨이퍼 표면에 걸쳐 스캐닝될 수도 있다. 균일한 웨이퍼 표면 (예를 들어, 베어(bare) 또는 언패턴드) 은 균일한 광 흡수 반응을 나타내기 때문에, 균일한 표면은 적절한 편광의 빔으로부터의 에너지의 대부분을, 표면에 대한 브루스터 각 (예를 들어, ~ 75°입사) 에서 또는 그 근처에서 균일하게 흡수할 것이다. 결과적으로, 적절한 스캔 경로 및 속도를 선택함으로써 균일한 기판 표면을 균일한 피크 온도로 가열하기 위해 빔을 조정하는 것은 매우 간단한 작업이다.
그러나, 불균일한 표면을 가진 웨이퍼 (예를 들어, 처리되거나 패터닝된 웨이퍼) 는 특별히 곤란한 과제를 제시한다. 디바이스 및 웨이퍼 표면 상의 전도성 경로와 같은 항목은 균일한 광 흡수를 방해할 수 있다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 상의 디바이스는 종종 실리콘 이외의 재료로 형성될 수도 있다. 상이한 재료는 상이한 브루스터 각을 나타낸다. 실질적으로 동일한 재료가 웨이퍼 표면 상에 퇴적되더라도, 퇴적된 재료와 원재료 사이에 형성된 계면은 광을 산란시키거나 광에 대한 반사도를 변경시킬 수도 있다. 이와같이, 플래시 램프 또는 레이저 기술이 사용되는지 여부와 관계없이, 반사도의 차는 에너지원으로 하여금 불균일 웨이퍼 표면의 상이한 표면을 상이하게 가열하게 할 수도 있다.
일정한 패터닝된 웨이퍼 표면은 표면을 스트라이킹하는 빔의 입사각, 빔에 대한 웨이퍼 표면의 배향, 및/또는 표면에 대한 빔의 편광에 따라서 상이한 반사도를 나타낸다는 것을 발견하였다. 웨이퍼 표면에 대한 빔의 방향성과 편광을 제어함으로써 균일한 가열이 달성될 수도 있다는 것은 이 발견의 하나의 중요한 의미이다. 다른 의미로는, 이러한 반사도 차이를 고려하고 이용하기 위해서 장치들을 셋업시켜 웨이퍼 표면의 레이저 열 처리의 균일성을 개선시킬 수도 있다는 것이다.
이와 같이, 반도체 어닐링 애플리케이션에 대한 알려진 기술과 연관된 결함을 극복하고 열 프로세스들을 개선시키는 기회가 본 기술에 존재한다는 것이 명백하다.
제 1 양태에서, 본 발명은 표면 법선 및 표면 패턴을 갖는 기판의 표면을 처리하는 장치를 제공한다. 이 장치는, 예를 들어, 방사원, 스테이지, 릴레이, 정렬 시스템, 및 제어기를 포함할 수도 있다. 방사원은 광 빔을 방출한다. 스테이지는 빔에 대하여 기판을 지지 및 이동시킨다. 릴레이는 방사원으로부터 기판을 향하여 표면 법선에 대한 입사각에서 광 빔을 지향시킨다. 정렬 시스템은, 패턴이 빔에 대한 배향각에 배치되도록 스테이지 상에 기판을 위치시킨다. 제어기는 방사원, 릴레이, 정렬 시스템 및/또는 스테이지에 동작가능하게 커플링되고, 스테이지와 빔 사이에서 상대적인 스캐닝 이동을 제공한다. 제어기는 스캐닝 동안 기판 표면 반사도 변화를 실질적으로 최소화하고/하거나 최대 기판 표면 반사도를 최소화하도록 선택된 값들로 배향각 및 입사각을 유지한다.
예를 들어, CO2 레이저는 기판 표면에 대하여 p-편광된 빔을 방출하는데 사용될 수도 있다. 배향각은 기판 표면에 대하여 고정될 수도 있다. 선택적으로, 입사각은 조정가능할 수도 있다. 기판 표면이 브루스터 각을 나타내는 경우, 입사각은 브루스터 각의 약 ± 10 °이내일 수도 있다. 기판 재료가 변함에 따라서, 기판에 대한 브루스터 각도 변할 것이다. 예를 들어, 실리콘 기판에 대한 브루스터 각은 약 75°이다. 이러한 기판에 있어서, 입사각 값은 기판 법선에 대해 약 65 °내지 약 85°의 범위 이내일 수도 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 상술한 바와 같이 기판의 표면을 처리하는 방법을 제공한다. 이 방법은, 광 빔을 생성하는 단계; 표면 법선에 대한 입사각으로 그리고 표면 패턴에 대한 배향각으로 기판 표면을 향하여 빔을 지향시키는 단계; 및 기판에 걸쳐 빔을 스캐닝하는 단계를 수반한다. 일반적으로, 빔은 p-편광되고, 배향각은 빔의 편광에 대하여 고정된다. 추가적으로, 입사각은 표면에 대하여 법선이 아닐 수도 있지만 표면 법선에 대하여 조정가능할 수도 있다. 어떤 경우, 빔이 기판에 걸쳐 스캐닝되는 한편 스캐닝 동안 기판 표면 반사도 변화가 실질적으로 최소가 되도록 및/또는 최대 기판 표면 반사도를 최소화하도록 선택된 값들로 배향각과 입사각을 유지할 수도 있다.
빔은, 스캐닝 이후 실질적으로 전체 기판 표면이 균일한 피크 온도로 가열되는 방식으로 스캐닝된다. 기판에 따라서, 피크 온도 요건은 다를 수도 있다. 예를 들어, 실리콘계 재료를 어닐링하는데 있어서는, 피크 온도가 약 1300 ℃ 보다 더 높을 수도 있지만, 상대적으로 높은 게르마늄의 비율을 포함하는 기판에 있어서는 피크 온도가 1200 ℃ 만큼 낮을 수도 있다. 어떤 경우, 빔은, 스캐닝 이후 실질적으로 전체 기판 표면이 약 1 ms를 초과하지 않는 시간의 기간 동안 균일한 피크 온도로 가열되는 방식으로 스캐닝될 수도 있다. 또 다른 예로, 피크 온도는 900 ℃ 보다 더 클 수도 있다.
추가적인 양태로, 본 발명은 기판, 예를 들어, 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및/또는 배향에 따라 상이한 반사도를 나타내는 표면 패턴을 갖는 기판의 표면을 처리하는 장치를 제공한다. 이 장치는 방사원, 릴레이, 스테이지, 및 제어기를 포함한다. 방사원은 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 방출한다. 릴레이는 광 빔을 방사원으로부터 기판 표면 법선에 대한 입사각에서 기판으로 지향시킨다. 스테이지는 빔에 대한 배향각에서 기판을 지지한다. 제어기는 방사원, 릴레이, 및/또는 스테이지에 동작가능하게 커플링된다. 동작 시, 제어기는 스테이지와 빔 사이에서 상대적인 스캐닝 이동을 제공하는 한편 스캐닝 동안 실질적으로 기판 표면 반사도 변화 및/또는 최대 기판 표면 반사도를 최소화하도록 선택된 값들로 배향각 및 입사각을 유지한다.
방사원은 기판에 맞춰질 수도 있다. 예를 들어, 방사원은, 기판 및 패턴 유형에 대한 반사도 및/또는 반사도 변화를 전체적으로 최소화하도록 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 방출할 수도 있다. 몇몇 예에서, 기판은 실리콘, 게르마늄, 및 그 합금과 같은 반도체 재료를 필수적으로 포함하거나 이들로 구성될 수도 있다. 특히, 빔이 지향되는 기판 표면은 실리콘, 예를 들어, 절연체 상의 실리콘과 같은 반도체를 포함할 수도 있다. 또한, 표면 패턴은 예를 들어, 구리, 금, 은, 알루미늄 등의 금속과 같은 전기 전도성 재료를 포함할 수도 있다.
표면 패턴은 기판 상의 특정 방향으로 지향되는 경향이 있는 복수의 전기 전도성 구조로부터 형성될 수도 있다. 예를 들어, 이 구조들은 각각 길이 및 폭을 가질 수도 있으며, 길이는 세로방향 축을 정의하고, 구조는 그 세로방향 축이 서로 평행하도록 조정된다. 이러한 경우, 이 구조는 세로방향 축을 따라 지배적인 배향 방향을 갖는다. 또한, 구조의 폭은 지배적인 배향 방향에 직교할 수도 있다. 이러한 경우, 폭은 빔 파장 보다 매우 짧을 수도 있다. 예를 들어, 폭은 파장의 약 1% 내지 약 5% 를 초과하지 않을 수도 있다.
또 다른 양태에서, 기판 유형에 대한 반사도 및/또는 반사도 변화를 전체적으로 최소화하도록 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 이용함으로써 상술된 바와 같이 기판의 표면을 처리하기 위한 방법이 제공된다. 이 방법은 기판 표면 반사도 변화가 약 10% 내지 약 20%를 초과하지 않도록 실시될 수도 있다.
또 다른 양태에서, 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 이용하여 상술한 바와 같이 전체적으로 기판의 표면을 처리하는 최적의 배향 및/또는 입사각을 선택하는 방법 및 장치가 제공된다. 이 빔은 입사각에서 기판 표면을 향하여 지향되고 기판 표면에 대하여 스캐닝된다. 기판으로부터 반사된 방사를 측정하는 동안 기판을 그 표면 법선에 대하여 기판을 회전시키고/시키거나 입사각을 변경함으로써, 최적의 배향 및/또는 입사각은 기판 표면 반사도 변화의 최소값 및/또는 전체 또는 피크 기판 표면 반사도의 최소값에 대응하여 결정될 수도 있다.
본 발명의 추가적인 실시형태는 본원에 포함된 개시로부터 명확해질 것이다.
도 1은 신규한 열 처리 장치의 단순화된 예시적인 실시형태를 개략적으로 도시한다.
도 2는 p-편광된 방사의 빔에 대한 입사각의 범위에 걸친 패터닝된 웨이퍼 표면에 대한 베어 실리콘 웨이퍼 표면의 반사도를 플롯팅하는 그래프를 도시한다.
도 3은 낮은 반사도의 비금속 트랜지스터 구조 (게이트) 를 갖는 예시적인 패터닝된 실리콘 웨이퍼를 도시한다.
도 4는 높은 반사도의 금속 게이트 구조를 갖는 예시적인 패너팅된 실리콘 웨이퍼를 도시한다.
도 5는 도 4에 도시된 구조의 금속층 내에서 빔의 전계에 대한 응답으로 어떻게 전류가 흐르는지 도시한다.
도 6은 특정 파장의 방사에 대한 전류 유도의 차로 인해 보다 긴 배선이 짧은 배선 보다 더 높은 반사도를 나타낼 수도 있는 방법을 그래프로 도시한다.
도 7a 및 도 7b를 총괄하여 도 7은 방사의 입사 빔에 의해 조사되는 표면 상의 복수의 상이하게 정형된 구조를 갖는 웨이퍼를 도시한다. 도 7a는 웨이퍼의 상면도를 도시한다. 도 7b는 점선 A를 따른 웨이퍼의 단면도를 도시한다.
도 8은 빔의 전계에 대하여 수직으로 배향된 구조를 갖는 도 4에 도시된 구조와 유사한 예시적인 패터닝된 실리콘 웨이퍼를 도시한다.
도 9는 입사각의 범위에 걸친 베어 실리콘 표면의 반사도에 대하여 2개의 상이한 배향의 금속 구조를 갖는 동일한 실리콘 표면의 추정된 반사도의 플롯을 그래프로 도시한다.
도 10은 복수의 긴 표면 구조가 p-편광된 방사의 빔에 대하여 방향 및/또는 배향이 상이한 표면의 반사도를 렌더링할 수도 있는 방법을 도시하는 실험적인 셋업을 도시한다.
도 11은 실험적인 결과에 기초하여 웨이퍼에 대한 반사율 대 확률 밀도의 차의 플롯을 도시한다.
본 도면은 당업자에 의해 이해되고 적절하게 실시될 수 있는 본 발명의 다양한 양태를 도시하는 것을 의도한다. 도면의 일정한 특징이 프리젠테이션의 강조 및/또는 명확성을 위해 과장될 수도 있기 때문에 본 도면은 정확한 축척이 아닐 수도 있다.
정의 및 개요
본 발명을 상세하게 설명하기 전에, 다르게 언급되지 않는다면, 본 발명은 특정 기판, 레이저, 또는 재료들로 한정되지 않으며, 이 모두는 변할 수도 있다. 본원에 사용된 용어는 특정 실시형태만을 설명하기 위한 것이고, 그것으로 한정되는 것은 아니다.
본 설명 및 첨부된 청구범위에서 사용된 바와 같이, 단수 형태의 "a", "an" 및 "the"는 문맥에서 명확하게 다르게 언급되지 않는 한 단수 및 복수의 지시 대상 둘 모두를 포함한다. 이와 같이, 예를 들어, "빔"에 대한 언급은 하나의 빔뿐만 아니라 복수의 빔을 포함하며, "파장"에 대한 언급은 하나의 파장뿐만 아니라 일 범위 또는 복수의 파장 등을 포함한다.
본 발명의 설명 및 청구범위에서, 다음 용어는 다음 정의에 따라서 사용될 것이다.
용어 "브루스터의 각" 또는 "브루스터 각"은 빔의 P-편광된 성분의 최소 또는 최소에 가까운 반사도에 대응하는 방사 빔과 표면 사이의 입사각을 지칭하는데 사용된다. 실리콘 웨이퍼와 같이 오브젝트의 표면 상의 필름은, 임의의 각도에서 제로 반사도를 나타내는 것을 방지한다. 일반적으로, P-편광된 방사에 대한 최소 반사도의 각이 존재할 것이다. 따라서, 기판 상에 적층된 다양한 상이한 필름들로부터 형성된 반사성 표면에 대해 본원에 사용된 것과 같은 브루스터 각은 P-편광된 방사의 반사도가 최소일 때 입사각인 유효 브루스터 각을 갖는 것으로 생각할 수 있다. 이 최소각은 일반적으로 기판 재료에 대한 브루스터 각의 각도와 일치하거나 가깝다.
이미지 또는 빔과 관련하여 용어 "세기 프로파일"은 하나 이상의 치수에 따른 통합된 방사 세기의 분포를 지칭한다. 예를 들어, 이미지는 유용한 부분과 유용하지 않은 부분을 가질 수도 있다. 이미지의 유용한 부분은 그 길이의 몇몇 부분에 걸쳐 "균일"하거나 일정한 통합된 세기 프로파일을 갖는다. 다른 말로, 이미지의 유용한 부분 전체에 걸쳐 스캔 방향에서 통합된 세기 프로파일은 실질적으로 일정할 수도 있다. 따라서, 균일한 세기 프로파일을 갖는 이미지의 유용한 부분에 의해 스캐닝되는 기판 표면 영역 상의 임의의 포인트는 동일 온도로 가열될 것이다. 그러나 불균일 부분의 세기 또는 세기 프로파일은 유용한 부분의 세기 프로파일과 다를 수도 있다. 따라서, 유용한 부분 그 자체가 균일한 세기 프로파일을 나타낼 수도 있더라도, 이미지 전체는 전반적으로 "불균일한" 세기 프로파일을 가질 수도 있다.
관련 문제로서, 이미지 또는 빔의 "피크 세기 값"이란 용어는 빔 폭에 걸쳐 가장 높은 통합된 세기를 나타내는 빔 길이에 따른 포인트를 지칭한다. 일반적으로, 이미지의 유용한 부분 전체는 피크 통합 세기에 매우 가까운 통합된 세기를 나타낼 것이다.
다른 관련 문제로서, "이미지의 에너지 활용"과 같은 "에너지 활용"이라는 용어는 이미지의 총 빔 에너지에 대하여 원하는 효과를 생성하는데 유용한 이미지의 일부와 연관된 에너지의 비율을 지칭한다. 예를 들어, 어닐링 애플리케이션에서, 이미지의 "유용한 부분"은 최대 또는 피크 빔 세기의 약 1 퍼센트 또는 2 퍼센트 내에 들어오는 빔의 일부만 일 수도 있다. 이러한 경우, "유용한 부분"은 "실질적으로 균일한" 세기를 나타낸다. 이미지 프로파일 형상에 대한 작은 수정이 "에너지 활용" 시 큰 변화를 생성할 수 있다.
용어 "반도체"는 절연체보다는 큰 전기 전도성을 갖고 양호한 전도체보다는 작은 전기 전도성을 갖는 다양한 고체 물질들 중 어느 것을 지칭하는데 사용되고, 컴퓨터 칩 및 다른 전자 장치를 위한 재료로서 사용될 수도 있다. 반도체는 실리콘과 게르마늄과 같은 원소와 실리콘 카바이드, 알루미늄 포스피드, 갈륨 비소, 및 인듐 안티모나이드와 같은 화합물을 포함한다. 다르게 언급되지 않는다면, 용어 "반도체"는 원소 및 화합물 반도체 뿐만 아니라 스트레인드 반도체, 예를 들어 장력이나 압력 하의 반도체 중 어느 하나 또는 그 조합을 포함한다. 본 발명에 사용하는데 적합한 예시적인 간접 밴드갭 반도체는 Si, Ge, 및 SiC를 포함한다. 본 발명과 함께 사용하는데 적합한 직접 밴드갭 반도체는 예를 들어 GaAs, GaN, 및 InP를 포함한다.
용어 "실질적" 및 "실질적으로"는 그 일반적인 의미로 사용되며 중요도, 값, 정도 (degree), 양, 규모 (extent) 등에서 고려할 수 있는 문제를 지칭한다. 예를 들어, 어구 "실질적으로 가우시안 (Gaussian) 형상이다"는 가우시안 커브의 형상에 대하여 대부분 대응하는 형상을 지칭한다. 그러나, "실질적으로 가우시안"인 형상은 마찬가지로 비가우시안 커브의 일부 특성을 나타낼 수도 있으며, 예를 들어, 그 커브는 비가우시안 성분을 포함할 수도 있다.
유사하게, "실질적으로 균일한" 세기 프로파일은 상대적으로 편평한 부분을 포함할 것이며, 이 세기는 프로파일의 피크 세기로부터 몇 퍼센트 보다 더 많이 벗어나지 않는다. 바람직하게, 세기 편차는 약 5 % 미만이다. 최적으로, 세기 편차는 약 1 % 이하 또는 약 0.8 % 이하이다. 용어 "실질적으로"의 다른 이용은 유사한 의미를 포함한다.
본원에 사용된 용어 "기판"은 처리하도록 의도되는 표면을 갖는 임의의 재료를 지칭한다. 기판은, 예를 들어, 칩들의 어레이를 포함하는 반도체 웨이퍼 등과 같은 임의의 다수의 형태로 해석될 수도 있다.
상술된 바와 같이, 본 발명은 일반적으로, 광 빔을 이용한 기판 표면의 열적 처리, 기판의 표면 상의 구조로부터의 반사도를 최소화, 및 표면 반사도 균일성의 촉진을 위한 장치 및 방법을 제공한다. 본 장치 및 방법은 일반적으로, 광 빔과 기판 표면 사이의 배향 및/또는 방향 관계를 고려하고/하거나 제어하는 방식으로 실시된 열 처리 기술을 포함한다. 본 발명은, 기판 표면 반사도 변화를 실질적으로 최소화하고/하거나 스캐닝 동안 최대 기판 표면 반사도를 최소화하는 방식으로 실시될 수도 있다.
또한, 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 이용하여, 예를 들어 유사한 기판들의 그룹 중 하나와 같은 기판의 표면을 처리하기 위한 최적의 기판 배향 및/또는 빔 입사각을 선택하는 장치 및 방법이 제공된다. 기판 표면은 그 자체와 빔 사이의 배향 또는 방향 관계에 의존하여 상이한 반사도를 나타낸다. 반사도의 변화는 기판 표면 상의 패턴과 연관될 수도 있다.
예시적인 레이저계 열 처리 기술
일반적으로, 본 발명은 빠른 열 반도체 처리를 실시하는 장치를 형성하는데 사용될 수도 있다. 예를 들어, 도 1은 본 발명에 따른 기판의 하나 이상의 선택된 기판 영역을 어닐링하고/하거나 다르게는 열 처리하는데 사용될 수도 있는 열 처리 장치 (10) 의 단순화된 예시적인 실시형태의 개략도이다. LTP 시스템 (10) 은 상부 표면 (P) 과 거기에 수직인 표면 (N) 을 갖는 반도체 기판 (30) 을 지지하는 상부 표면 (22) 을 갖는 이동가능한 기판 스테이지 (20) 를 포함한다. 기판 스테이지 (20) 는 제어기 (50) 에 동작가능하게 커플링된다. 기판 스테이지 (20) 는 제어기 (50) 의 동작에 따라 X-Y 평면에서 이동하도록 구성되어, 기판이 방사원 (110) 에 의해 제공된 방사으로부터 생성된 이미지에 대하여 스캐닝될 수 있다. 또한, 스테이지 (20) 는 X-Y 평면에 대하여 직각으로 연장된 축 Z을 중심으로 제어가능하게 기판 (30) 을 회전시킬 수도 있다. 결과적으로, 스테이지 (20) 는 X-Y 평면에서 기판 (30) 의 배향을 제어가능하게 고정하거나 변경시킬 수도 있다.
어떤 경우, 이 스테이지는 상이한 기능을 수행하도록 상이한 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 표면 법선과 관련된 가변 배향각에서 스테이지 상에 기판을 위치시키기 위해 가변 정렬 시스템이 제공될 수도 있다. 이러한 경우, 이 스테이지는 기판 이동을 독립적으로 제어할 수도 있는 한편 정렬 시스템은 기판 배향을 제어한다.
방사원 (110) 은 제어기 (50), 및 방사원에 의해 생성된 방사를 기판쪽으로 중계하여 기판의 표면 상에 이미지를 형성하도록 기능하는 릴레이 (120) 에 동작가능하게 커플링된다. 예시적인 실시형태에서, 방사원 (110) 은 빔 (112) 의 형태로 파장 λH ~ 10.6 ㎛ (가열 파장) 에서 방사를 방출하는 CO2 레이저이다. 그러나, 본 발명에 사용하기에 적합한 방사는 LED 또는 레이저 다이오드 방사, 예를 들어 약 0.8 ㎛의 파장을 갖는 방사도 포함한다. 선택적으로, 복수의 방사원을 사용할 수도 있다. 도시된 바와 같이, 레이저 (110) 는 릴레이 (120) 에 의해 수신되는 입력 빔 (112) 을 생성하고, 릴레이는 그 입력 빔을 기판 상에 이미지를 형성하는 출력 빔으로 변환하기에 적합하다.
선택적으로, 가열 및 높은 에너지 사용의 경우에도, 이미지 세기의 일부가 그 피크 세기에 대해 균일하게 렌더링되도록 빔의 세기 프로파일을 조종한다. 예를 들어, 릴레이 (120) 는 입력 빔 (112) 을 출력 빔 (140) 으로 변환시킬 수도 있다. 릴레이는, 원하는 코히어런트 빔 정형을 제공하여, 출력 빔이 상당 부분에 걸쳐 균일한 세기 프로파일을 나타내는 방식으로 구성될 수도 있다. 요컨대, 릴레이 (120) 및 방사원 (110) 을 결합하여 출력 빔의 방향성, 세기 프로파일 및 위상 프로파일을 안정시켜 일정하게 신뢰성있는 레이저 어닐링 시스템을 생성할 수도 있다.
빔 (140) 은 기판 표면 법선 (N) 과 각 (θ) 을 이루는 광학 축 (A) 를 따라 이동한다. 일반적으로, 임의의 반사된 광은 레이저 캐비티로 리턴할 때 불안정을 유발할 수도 있기 때문에, 레이저 빔을 법선 입사각으로 기판 상에 이미징하는 것은 바람직하지 않다. 법선 입사 이외의 입사각 (θ) 에서 광학 축 (A) 을 제공하는 다른 이유는, 기판 (30) 으로 빔 (140) 을 효과적으로 커플링하는 것은 입사각과 편광 방향의 신중한 선택, 예를 들어, 입사각을 기판에 대한 브루스터 각과 동일하게 하고 p-편광된 방사를 이용함으로써 최적으로 성취될 수도 있기 때문이다. 어떤 경우, 스테이지는, 입사각을 유지하거나 변경하면서 빔 위치를 통해 기판을 스캐닝하도록 구성될 수도 있다. 유사하게, 스테이지는 기판의 배향각을 빔에 관하여 고정 또는 변화시키는 제어를 하도록 적응될 수도 있다. 입사 및/또는 배향각의 선택을 아래에 설명한다.
빔 (140) 은 기판 표면 (P) 에 이미지 (150) 를 형성한다. 예시적인 실시형태에서, 이미지 (150) 는, 152로 표시되고, 입사 빔 축과 표면 법선을 포함한 평면 내에 위치된 세로방향 경계를 가진 라인 이미지와 같은 긴 이미지이다. 따라서, 기판 표면에 관한 빔 (θ) 의 입사각은 이 평면에서 측정될 수도 있다.
제어기는 스테이지와 빔 사이에서 상대적인 이동을 제공하기 위해 프로그래밍될 수도 있다. 결과적으로, 이미지는 기판 표면의 적어도 일부를 가열하기 위해 기판 표면에 걸쳐 스캐닝될 수도 있다. 이러한 스캐닝은, 미리결정된 드웰 시간 (D) 내에서 원하는 온도를 달성하는데 효과적인 방식으로 실시될 수도 있다. 스캐닝은 일반적으로 이미지의 세로방향 축에 직각인 방향으로 수행될 수도 있지만, 이것이 확고한 요건은 아니다. 비직교 및 비평행 스캐닝이 또한 실시될 수도 있다. 또한, 달성된 최대 온도의 균일성의 피드백을 제공하기 위한 수단을 포함할 수도 있다. 다양한 온도 측정 수단 및 방법이 본 발명과 함께 사용될 수도 있다. 예를 들어, 표면에 걸쳐, 방출된 방사 분포의 스냅-샷을 획득하기 위해 검출기 어레이가 사용될 수도 있고 또는 최대 온도의 맵을 빔 이미지의 길이에 걸친 위치의 함수로서 유도하기 위해 복수의 스냅-샷이 사용될 수도 있다. 선택적으로, 기판 상의 빔의 세기 프로파일의 측정 수단이 또한 사용될 수도 있다.
최적으로, 바람직하게는 열 확산 거리에 필적할만한 공간 해상도 및 스캐닝된 빔의 드웰 시간보다 작거나 바람직하게는 그에 필적할 만한 시간 상수로 최대 온도를 감지할 수 있는 실시간 온도 측정 시스템을 사용할 수도 있다. 예를 들어, 온도 측정 시스템은, 20 mm의 라인-이미지 길이에 걸쳐 균일하게 확산된 256 포인트에서 초당 20,000 회 방출된 방사를 샘플링하는데 이용된다. 어떤 경우, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512 또는 그 이상의 별개의 온도 측정값이 초당 100, 1000, 10,000, 50,000 라인 스캔의 속도로 이루어질 수도 있다. 예시적인 온도 측정 시스템은 2006년 11월 16일 공개되고, 명칭이 "Methods and Apparatus for Remote Temperature Measurement of a Specular Surface"인 미국 특허 출원 공보 제 2006/0255017 호에 기재된다. 이러한 온도 측정 시스템은, 방사원, 릴레이 또는 스캐닝 속도를 조정함으로써 적절한 수정이 이루어질 수 있도록 입력을 제어기에 제공하는데 사용될 수도 있다.
흡수 (또는 반사) 차
본 발명의 신규성과 비자명성을 설명하기 위해서, 광 빔에 관한 기판 표면의 흡수/반사 거동의 이론적이고 실질적인 양태를 아래에 설명한다. 특히, 이 설명은 p-편광된 레이저 빔에 대하여 패터닝된 반도체 웨이퍼 표면 및 특히, 패터닝된 금속성 구조의 방향 및/또는 배향 의존 흡수/반사 거동에 초점을 맞춘다.
상술한 바와 같이, 일정한 패터닝된 웨이퍼 표면은 표면을 스트라이킹하는 빔의 입사각, 빔에 대한 웨이퍼 표면의 배향, 및/또는 표면에 대한 빔의 편광에 따라서 상이한 반사도를 나타낸다는 것을 발견하였다. 또한, 이러한 패터닝된 웨이퍼 표면의 반사도는 입사각, 배향각, 및 빔 편광의 주어진 범위에 대하여 패터닝되지 않은 웨이퍼 표면의 반사도와 상이하다는 것을 발견하였다. 예를 들어, 도 2는, (1) 베어 (패터닝되지 않은) 실리콘 웨이퍼 표면 (실선); 및 금속 표면 (점선) 에 대한 입사각의 범위에 걸쳐 CO2 레이저로부터 p-편광된 방사의 빔에 대한 반사도를 플롯팅하는 그래프를 도시한다. 반사도의 시각적 검사에서, 베어 실리콘 표면에 대한 브루스터 각은 약 75°이지만 금속 표면에 대한 브루스터 각은 약 87 °에 가깝다는 것을 알 수 있다. 또한, 금속 표면에 대한 최대 반사도는 베어 웨이퍼에 대한 반사도 보다 더 높다는 것이 명백하다. 또한, 최대 입사각에서 금속 표면이 베어 웨이퍼 표면보다 더 많이 반사하는 것이 명백하다.
반사도에 있어서 이러한 차이는 패터닝된 웨이퍼 표면과 연관된 구조의 관점에서 설명될 수 있다. 반도체 장치에 대한 가설적 게이트형 구조를 도 3에 도시하며, 이 게이트는 광학 특성이 벌크 실리콘의 광학 특성과 유사한 반도체 및 유전체 물질에 주로 구성된다. 패터닝된 실리콘 웨이퍼 (30) 는, 실리콘 다이옥사이드 층 (202), 실리콘 층 (204), 및 실리콘 나이트라이드 층 (206) 을 포함하는 게이트들 (200) 과 같은 다수의 트랜지스터 구조를 포함할 수도 있다. 이러한 구조는 오늘날 반도체 산업에서 알려진 다소 통상적인 디바이스이지만, 본 발명은 반도체 산업내의 애플리케이션으로 제한되지 않는다. 특정한 열 처리 기술 동안, 레이저 빔 (140) 은 이러한 구조로 지향될 수도 있다. 게이트형 영역 내 구조의 광학 특성 (흡수 및 반사) 은 벌크 실리콘의 광학 특성과 유사하기 때문에, 그 흡수 및 반사 특성이 유사하고, 그 구조 상에서 상대적으로 균일한 온도를 달성하는 것이 가능하다.
균일한 빔-에너지 흡수로부터의 편차는 온도 균일성에 있어서의 편차를 생성한다. 흡수에 있어서 이러한 편차는, 표면 구조의 재료가 도 3에 도시된 것과 상당히 다를 때 종종 발생한다. 도 4는, 메모리 구조 또는 진보된 로직 ("고 유전율, 금속 게이트") 구조에서 발견될 수 있는 가상적인 금속 게이트 구조를 도시한다. 게이트 (300) 는 고 유전율 재료 층 (302), 실리콘 층 (304), 금속 층 (306), 및 실리콘 나이트라이드 층 (308) 을 포함한다. 다른 층 및 재료들이 사용될 수 있다. 부가적인 층들을 추가하거나 뺄 수도 있다. p-편광된 빔 (140) 이 게이트 (300) 를 스트라이크할 때, 표면 전류가 금속 내에 생성된다. 도 5에 도시된 바와 같이, 적절한 빔 파장이 주어지면, 전류가 금속 층 내에서 빔의 전계에 응답하여 흐를 수도 있다. 본질적으로, 전류는 (양쪽 방향을 향하는 화살표 I로 나타낸 바와 같이) 빔의 편광과 일치하는 방향으로 흐른다. 빔에 대한 층의 반사는 일반적으로 전류 흐름과 비례하여 변한다.
설명을 위해서, 웨이퍼 표면 구조의 금속 또는 다른 전도성 재료는 "안테나 길이"를 갖는 와이어 다이폴 안테나로 생각될 수도 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, p-편광된 입사 빔으로부터의 편광 전계의 진폭을 나타내는 사인파는 빔에 노출된 길고 짧은 와이어들에 대하여 통상적인 치수의 스케일로 플롯팅된다. 더 긴 와이어는 사인파의 파장의 대략 이분의 일 길이의 안테나를 갖는다. 이 와이어는 위치 A에서 크게 포티지브로 유도된 전압을 갖지만, 위치 B에서 거의 제로의 전압을 갖는다. 이 큰 전압차는 결국 전계를 반사하는 (양 단의 화살표로 나타낸) 와이어에서 교류를 생성한다. 대조적으로, 보다 짧은 와이어의 단부에서의 유도된 전압차는 보다 짧은 안테나 길이로 인해 매우 더 작다. 그러므로, 보다 짧은 와이어의 유도된 전류 및 반사도는 보다 긴 와이어의 전류 및 반사도보다 더 낮다.
단지 반사된 전기 에너지의 존재가, 입사 에너지의 적어도 일부가 이 영역에서 흡수되지 않는다는 것을 의미한다는 것을 주목한다. 따라서, 금속형 구조를 갖는 영역에서 흡수된 에너지의 양은 금속형 구조가 아닌 (또는 보다 작은 금속형 구조를 가진) 영역보다 더 적을 것이라는 결론을 얻을 수 있다. 흡수된 에너지에서의 이 차이는 웨이퍼 상의 불균일한 온도와 직결될 것이다.
금속 구조가 일반적으로 기판 표면의 일부만을 커버하기 때문에, 일부 웨이퍼 표면 영역 (예를 들어, 고유전율 영역) 이 거의 반사도를 나타내지 않는 반면 다른 영역 (예를 들어, 고도의 전도성 금속 영역) 은 매우 더 높은 반사도를 나타낼 수도 있다. 빔에 대한 반사도에 있어서 이러한 영역 변화는 빔 에너지 흡수에 있어서 국부적으로 큰 차를 발생시킨다. 결과적으로, 기판의 표면 온도에 큰 차를 발생시킨다.
장치 및 프로세싱 설계 및 구현
상기 설명으로부터, 웨이퍼 표면 상의 구조의 형상뿐만 아니라 방사 편광에 대한 그 배향각은 구조의 반사도에 크게 영향을 끼칠 수도 있다는 것이 명백하다. 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 (30) 는 상부 표면 (P) 상에 300A 및 300B로 나타낸 복수의 상이한 형상의 구조를 가질 수도 있다. 도 7a에 도시된 바와 같이, 구조 (300A) 는 직경이 D인 원형을 갖고, 구조 (300B) 는 D의 폭과 100D의 길이를 갖는 직사각형을 갖는다. 도 7b에 도시된 바와 같이, 구조들 (300A, 300B) 둘 모두는 도 4에 도시된 구조 (300) 와 유사하다.
또한, 도 7a에 도시된 바와 같이, 2개의 p-편광된 방사원 (100A, 100B) 은 축 (X, Y) 각각에 평행한 방향으로부터 웨이퍼 표면을 조명하도록 제공된다. 방사원 (100A) 으로부터의 p-편광된 방사가 구조 (300A, 300B) 를 스트라이킹할 때, 2개의 구조 모두는 동일한 유효 안테나 길이 (D) 를 나타낸다. 대조적으로, 소스 (100B) 로부터의 p-편광된 방사가 구조 (300A, 300B) 를 스트라이킹하는 경우, 구조 (300B) 에 대한 유효 안테나 길이는 구조 (300A) 에 대한 유효 안테나 길이의 약 100 배이다. 예를 들어, 구조 (300A) 에 대한 안테나 길이는 통상적으로 방사 조사에 관한 그 배향각과 무관한 반면, 구조 (300B) 에 대한 안테나 길이는 그 구조의 배향각에 의존하여 D 내지 100D의 범위에 걸쳐 변할 수 있다는 것을 당업자는 인식할 것이다.
이와 같이, p-편광된 방사의 빔에 관한 웨이퍼 상의 상이한 영역들 간의 반사도 차를 감소시키거나 실질적으로 제거하는 것이 가능하다. 예를 들어, (입사 전계에 관한) 금속 구조의 배향과 입사각을 적절히 선택함으로써 반사도 (및 흡수도) 의 차를 감소시키는 것이 가능하다. 이것은, 도 8에 도시된 바와 같이, 예를 들어, 금속 구조의 배향이 입사 전계의 편광 벡터에 수직한 긴 축을 갖도록 도 4에 도시된 구조와 유사한 구조를 갖는 기판을 회전시킴으로써 완료될 수도 있다. 즉, 구조의 길이는 입사 레이저 빔의 편광 면에 실직적으로 수직이다. 이러한 방식은, 안테나 길이가 방사 파장보다 실질적으로 더 짧은 한, 입사 방사에 대한 구조의 반사도를 효율적으로 감소시킬 것이다.
도 9는 2개의 상이한 배향의 금속 구조를 갖는 동일면의 추정된 반사도의 플롯과 입사각의 범위에 걸친 벌크 실리콘으로부터의 반사도의 플롯을 그래프로 도시한다. 이러한 플롯은 p-편광된 입사 방사를 가정한다. 금속 구조의 긴 치수의 평면에서의 전계 벡터를 갖는 방사에 대한 구조의 반사도는 그 긴 치수에 수직인 전계 벡터를 갖는 방사에 대한 구조의 반사도 보다 매우 높다.
특히, 75°의 입사각에서, 실리콘과 금속 구조 사이의 반사도 차는 일 배향에 대하여 50% 보다 더 클 수 있는 반면, 적절한 배향에서의 반사도 차는 10% 미만일 수 있다. 특히, 입사각이 약 75°보다 클 때, 예를 들어, 약 82°이상일 때 2개 영역의 반사도가 정확하게 일치하는 것도 가능하다.
도 10은 복수의 긴 표면 구조가 p-편광된 방사의 빔에 대하여 방향 및/또는 배향이 상이한 표면의 반사도를 렌더링하는 방법을 도시하는 실험을 위한 셋업을 도시한다. 이 실험적인 셋업은 금속-게이트 DRAM 구조의 셋업과 유사한 금속 구조를 사용한다. 금속 구조는 실리콘 웨이퍼 표면 상의 ~ 50 nm 두께의 금속 층으로부터 형성되었다. 폴리실리콘의 ~ 100 nm 두께의 층은 금속층 위에 증착되었다. 금속 구조들은, 약 300 nm의 반복되는 거리를 가지며, 각각 폭이 약 100 nm, 길이가 1000 nm이다.
실험적인 셋업은 상이한 배향과 입사각으로부터 표면의 반사도를 측정하는데 사용되었다. 일 배향에서, 반사도 차는 35 % 초과로 측정되었다. 다른 배향에서, 측정된 반사도 차는 10 % 미만이었다. 도 11은 생성되었던 웨이퍼에 대한 반사도 대 확률 밀도의 플롯을 도시하며, 입사각을 82°로 증가시킴으로써 웨이퍼에 대한 반사도 차가 더 감소될 수도 있는 것을 나타낸다.
이와 같이, 일반적으로 이 실험은 패터닝된 웨이퍼의 실리콘 영역과 금속 구조 사이의 반사도를 동일하게 하여 여러 구조들에서의 가열량을 동일하게 하는 것이 가능하다는 것을 보여준다. 이러한 등화는 적절한 편광을 갖는 광빔을 적절한 입사각에서 적절하게 배향된 웨이퍼로 지향시키는 것을 수반할 수도 있다. 일반적으로, 조명원은 최소 구조 치수보다 매우 더 긴 파장을 갖는다. 예를 들어, 파장 대 최소 구조 치수의 비는 100:1 보다 더 클 수도 있다. 어떤 경우, 이러한 등화를 실행하는데 요구된 입사각은 2개의 영역들 사이의 반사도를 일치시키기 위해 기판에 대한 브루스터 각보다 더 클 수도 있다.
이와 같이, 본 발명은 또한 상술된 광 빔을 이용하여 상술된 바와 같이 기판의 표면을 처리하기 위한 최적의 배향 및/또는 입사각을 선택하는 방법 및 장치를 포함한다. 이 방법 및 장치는 입사각에서 기판 표면을 향하여 광 빔을 지향시키는 단계, 기판 표면에 대하여 광 빔을 스캐닝하는 단계, 및 결과적으로 기판으로부터 반사된 방사를 측정하는 단계를 수반한다. 기판을 법선을 중심으로 회전시키고/시키거나 입사각을 변경시키면서 빔을 기판에 조사함으로써, 기판 표면 반사도 변화 및/또는 최대 기판 표면 반사도의 최소값에 대응하는 최적의 배향 및/또는 입사각을 발견할 수도 있다.
이 빔이 기판에 불리하게 영향을 끼치지 않는다는 것을 보증하기 위해서, 선택 방법 및 장치는 일반적으로 표면을 처리하는데 요구되는 것보다 더 작은 빔 전력 레벨을 이용한다. 일단 최적의 배향 및/또는 입사각을 발견하면, 각(들) 을 기판 표면을 처리하기 위한 장치로 프로그래밍할 수도 있다. 그런다음, 이러한 장치는 기판의 표면을 처리하는데 요구되는 빔 전력 레벨에서 사용될 수도 있다. 또한, 장치는 동일하거나 유사한 표면 패턴 및/또는 반사도를 갖는 동일하거나 유사한 기판을 처리하는데 사용될 수도 있다.
본 발명은 다양한 형태로 구현될 수도 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. 예를 들어, 기판 표면의 신속한 열 처리, 예를 들어, 용융 또는 비용융 처리를 실시하도록 기판의 표면에 걸쳐 차례로 스캐닝되는 이미지를 생성하기 위해서 예를 들어, 적어도 250 W, 1000 W, 또는 3500 W 이상의 전력을 갖는 고전력 CO2 레이저를 사용할 수도 있다. 이러한 전력 레벨은 1 ms 드웰 타임 동안 약 30 J/㎠ 이상의 노출 에너지량을 제공할 수도 있다. 보다 긴 드웰은 더 높은 에너지를 요구한다. CO2 레이저의 파장, λ는 적외선 영역에서 10.6 ㎛로서 웨이퍼 피쳐의 통상적인 치수에 비해 상대적으로 크고, 따라서 패터닝된 실리콘 웨이퍼에 걸쳐 빔 스캔과 균일하게 흡수되어 웨이퍼 상의 각각의 포인트가 동일한 최대 온도에 매우 가깝게 상승할 수도 있다.
본 발명의 추가적인 변형은 당업자에게 자명할 것이다. 예를 들어, 통상적인 실험 시, 본 발명이 기존의 장비에 포함될 수도 있다는 것을 당업자는 알 수도 있다. 본 기술에 알려진 보조 서브시스템은 릴레이와 관련된 레이저 빔의 위치와 폭을 안정화시키는데 사용될 수도 있다. 당업자는, 강력한 레이저를 이용하여 본 발명의 실시와 관련된 일정한 동작 문제를 다루어 본 발명의 완전한 이점을 실현하기 위해서는 주의를 요한다는 것을 인식할 것이다.
본 발명을 바람직한 구체적인 실시형태와 연결하여 설명하였지만, 상술한 기재는 설명을 의도하는 것으로 본 발명의 범위를 제한하지 않는다는 것을 이해한다. 본원에 논의된 발명의 임의의 양태는 적절하게 포함되거나 배제될 수도 있다. 예를 들어, 빔 결합 기술 및 빔 정형 기술은 그 자체로 또는 결합하여 사용될 수도 있다. 본 발명의 범위 내에서 다른 양태들, 이점들, 및 수정들은 본 발명이 속하는 당업자에게 명백할 것이다.
본원에 언급된 모든 특허 및 특허 출원들은 상술한 개시와 모순되지 않는 범위에서 그 전체로서 참조문헌으로 포함된다.

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  11. 기판의 표면을 처리하는 장치로서,
    상기 표면은 표면 법선과 표면 패턴을 가지며,
    상기 표면 패턴은, 길이 축 및 폭 축을 갖는 금속 구조체를 포함하고, 상기 길이 축의 길이는 상기 폭 축의 길이와 같거나 더 길고,
    상기 표면 패턴은 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및 배향 중 적어도 하나에 따라 상이한 반사도를 나타내며,
    상기 기판 표면 처리 장치는,
    상기 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 방출하도록 구성된 방사원으로서, 상기 파장은 상기 기판 상의 상기 금속 구조체의 상기 폭 축의 길이보다 더 긴, 상기 방사원;
    상기 기판의 표면 법선에 대한 입사각에서, 상기 방사원으로부터 상기 기판을 향하여 상기 광 빔을 지향시키도록 구성된 릴레이;
    편광 면이 상기 금속 구조체의 상기 길이 축에 실질적으로 수직하게 상기 광 빔이 상기 폭 축으로 지향되도록 상기 광 빔에 대한 배향각으로 상기 기판을 지지하는 스테이지; 및
    상기 방사원, 상기 릴레이 및 상기 스테이지 중 적어도 하나에 동작가능하게 커플링된 제어기로서, 상기 스테이지와 상기 광 빔 사이에서 상대적인 스캐닝 이동을 제공하는 한편 스캐닝 동안 기판 표면 반사도의 변화를 실질적으로 최소화하거나 상기 기판 표면 반사도를 최소화하도록 선택된 값들로 상기 배향각 및 상기 입사각을 유지하도록 구성되는, 상기 제어기를 포함하며,
    상기 표면 패턴은 복수의 정렬된 금속 구조체를 포함하고,
    상기 배향각은 상기 광 빔의 편광과 상기 정렬된 금속 구조체의 상기 길이 축 사이의 직교 관계에 대응하는, 기판 표면 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판은 반도체 재료를 포함하는, 기판 표면 처리 장치.
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  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 입사각은 상기 광 빔의 편광과 상기 정렬된 금속 구조체의 상기 길이 축 사이의 직교 관계에 대응하는, 기판 표면 처리 장치.
  17. 기판의 표면을 처리하는 방법으로서,
    상기 표면은 표면 법선과 표면 패턴을 가지며,
    상기 표면 패턴은 길이 축 및 폭 축을 갖는 금속 구조체를 포함하고, 상기 길이 축의 길이는 상기 폭 축의 길이와 같거나 더 길고,
    상기 표면 패턴은 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및 배향 중 적어도 하나에 따라 상이한 반사도를 나타내고,
    상기 기판 표면 처리 방법은,
    a. 상기 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 생성하는 단계로서, 상기 파장은 상기 기판 상의 상기 금속 구조체의 상기 폭 축의 길이보다 더 긴, 상기 광 빔을 생성하는 단계;
    b. 상기 광 빔을 상기 기판을 향하여 지향시키는 단계; 및
    c. 상기 기판을 지지하는 스테이지와 상기 광 빔 사이에서 상대적인 스캐닝 이동을 제공하는 한편, 스캐닝 동안 기판 표면 반사도의 변화를 실질적으로 최소화하거나 상기 기판 표면 반사도를 최소화하기 위해서 스캐닝 동안 편광 면이 상기 금속 구조체의 상기 길이 축에 실질적으로 수직하게 상기 광 빔이 상기 폭 축으로 지향되도록, 상기 기판을 상기 광 빔에 대한 배향각 값으로 그리고 상기 광 빔을 상기 기판의 표면 법선에 대한 입사각 값으로 유지하는 단계를 포함하는, 기판 표면 처리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 단계 c. 는, 상기 기판 표면 반사도의 변화가 10%를 초과하지 않도록 실시되는, 기판 표면 처리 방법.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 단계 c. 는, 최대 기판 표면 반사도가 20%를 초과하지 않도록 실시되는, 기판 표면 처리 방법.
  20. 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 이용하여 기판의 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나를 선택하는 방법으로서,
    상기 표면은 표면 법선과, 상기 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및 배향 중 적어도 하나에 따라 상이한 반사도를 나타내는 표면 패턴을 가지며,
    a. 상기 광 빔을 입사각에서 상기 기판의 표면으로 지향시키는 단계;
    b. 상기 광 빔을 상기 기판의 표면에 대하여 스캐닝하는 단계;
    c. 상기 단계 b. 동안 상기 기판으로부터 반사된 방사를 측정하는 단계;
    d. 상기 단계 a. 내지 상기 단계 c.를 반복하는 동안 기판 표면 반사도의 변화의 최소값에 대응하거나 상기 기판 표면 반사도를 최소화하는 상기 최적의 배향각 및 상기 최적의 입사각 중 적어도 하나를 찾기 위해 상기 기판을 상기 표면 법선을 중심으로 회전시키거나 상기 입사각을 변경시키는 단계; 및
    e. 상기 표면을 처리하도록 요구된 빔 전력 레벨로 상기 기판의 표면을 처리하기 위한 장치를 동작시키는 단계를 포함하는, 기판 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나의 선택 방법.
  21. 삭제
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  25. 선택된 파장 및 편광의 광 빔을 이용하여 기판의 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나를 선택하는 방법으로서,
    상기 표면은 표면 법선과, 상기 선택된 파장 및 편광의 방사에 대하여 방향 및 배향 중 적어도 하나에 따라 상이한 반사도를 나타내는 표면 패턴을 가지며,
    a. 상기 광 빔을 입사각에서 상기 기판의 표면으로 지향시키는 단계;
    b. 상기 광 빔을 상기 기판의 표면에 대하여 스캐닝하는 단계;
    c. 상기 단계 b. 동안 상기 기판으로부터 반사된 방사를 측정하는 단계;
    d. 상기 단계 a. 내지 상기 단계 c.를 반복하는 동안 기판 표면 반사도의 변화의 최소값에 대응하거나 상기 기판 표면 반사도를 최소화하는 상기 최적의 배향각 및 상기 최적의 입사각 중 적어도 하나를 찾기 위해 상기 기판을 상기 표면 법선을 중심으로 회전시키거나 상기 입사각을 변경시키는 단계; 및
    e. 다른 기판의 표면을 처리하도록 요구된 빔 전력 레벨로 상기 기판의 표면을 처리하기 위한 장치를 동작시키는 단계를 포함하는, 기판 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나의 선택 방법.
  26. 제 20 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 단계 d. 는 상기 표면을 처리하는데 요구된 것보다 작은 빔 전력 레벨을 이용하여 실시되는, 기판 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나의 선택 방법.
  27. 제 20 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 단계 d. 이후 및 상기 e. 단계 이전에:
    f. 상기 최적의 배향각을 상기 기판의 표면을 처리하기 위한 장치로 프로그래밍하는 단계를 더 포함하는, 기판 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나의 선택 방법.
  28. 제 20 항 또는 제 25 항에 있어서,
    상기 단계 d. 이후 및 상기 e. 단계 이전에:
    f. 상기 최적의 입사각을 상기 기판의 표면을 처리하기 위한 장치로 프로그래밍하는 단계를 더 포함하는, 기판 표면을 처리하기 위한 최적의 배향각 및 최적의 입사각 중 적어도 하나의 선택 방법.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7442629B2 (en) 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
US7057256B2 (en) 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US9673243B2 (en) 2009-09-17 2017-06-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US9911781B2 (en) 2009-09-17 2018-03-06 Sionyx, Llc Photosensitive imaging devices and associated methods
US8692198B2 (en) 2010-04-21 2014-04-08 Sionyx, Inc. Photosensitive imaging devices and associated methods
CN103081128B (zh) 2010-06-18 2016-11-02 西奥尼克斯公司 高速光敏设备及相关方法
US9496308B2 (en) 2011-06-09 2016-11-15 Sionyx, Llc Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods
CN103946867A (zh) 2011-07-13 2014-07-23 西奥尼克斯公司 生物计量成像装置和相关方法
JP2013120936A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Ultratech Inc パターン効果を低減したＧａＮＬＥＤのレーザーアニール
DE102012202020A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-14 Homag Holzbearbeitungssysteme Gmbh Aktivierungsoptimierung
US9064764B2 (en) 2012-03-22 2015-06-23 Sionyx, Inc. Pixel isolation elements, devices, and associated methods
US20140154891A1 (en) * 2012-08-22 2014-06-05 Sionyx, Inc. Beam Delivery Systems for Laser Processing Materials and Associated Methods
JP6466346B2 (ja) 2013-02-15 2019-02-06 サイオニクス、エルエルシー アンチブルーミング特性を有するハイダイナミックレンジｃｍｏｓ画像センサおよび関連づけられた方法
WO2014151093A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Sionyx, Inc. Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods
WO2014209421A1 (en) 2013-06-29 2014-12-31 Sionyx, Inc. Shallow trench textured regions and associated methods
JP6389638B2 (ja) * 2014-05-12 2018-09-12 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN106935491B (zh) * 2015-12-30 2021-10-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种激光退火装置及其退火方法
KR102506098B1 (ko) * 2019-09-11 2023-03-06 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 웨이퍼 결정 배향을 추정하는 방법 및 시스템

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050076768A (ko) * 2004-01-22 2005-07-27 울트라테크 인크. 저농도로 도핑된 실리콘 기판의 레이저 열 어닐링
KR20060043106A (ko) * 2004-02-26 2006-05-15 울트라테크 인크. 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
JPH01173707A (ja) * 1987-12-28 1989-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザアニール方法
US6268586B1 (en) * 1998-04-30 2001-07-31 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for improving the quality and efficiency of ultrashort-pulse laser machining
US7015422B2 (en) * 2000-12-21 2006-03-21 Mattson Technology, Inc. System and process for heating semiconductor wafers by optimizing absorption of electromagnetic energy
US6750423B2 (en) * 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
US7154066B2 (en) * 2002-11-06 2006-12-26 Ultratech, Inc. Laser scanning apparatus and methods for thermal processing
TWI225705B (en) * 2003-05-02 2004-12-21 Toppoly Optoelectronics Corp Electrostatic discharge protection device and manufacturing method thereof
US6875661B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solution deposition of chalcogenide films
US7098155B2 (en) * 2003-09-29 2006-08-29 Ultratech, Inc. Laser thermal annealing of lightly doped silicon substrates
US7238915B2 (en) * 2005-09-26 2007-07-03 Ultratech, Inc. Methods and apparatus for irradiating a substrate to avoid substrate edge damage
US7538868B2 (en) * 2005-12-19 2009-05-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Pattern recognition matching for bright field imaging of low contrast semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050076768A (ko) * 2004-01-22 2005-07-27 울트라테크 인크. 저농도로 도핑된 실리콘 기판의 레이저 열 어닐링
KR20060043106A (ko) * 2004-02-26 2006-05-15 울트라테크 인크. 열 처리를 위한 레이저 주사 장치 및 방법

Also Published As

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WO2009061384A1 (en) 2009-05-14
JP5523328B2 (ja) 2014-06-18
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JP2011502788A (ja) 2011-01-27

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