KR101380389B1 - Light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상대적으로 큰 면적을 갖는 그라운드용 전극이 방열패드 역할을 하도록 하여 발광칩에서 발생되는 열의 방출 성능을 개선한 방열효율이 향상된 발광장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광장치는 기판과, 기판의 상면에 배치되는 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴과, 제 2 전극패턴에 실장되며 제 1 전극패턴과 연결되는 발광칩을 포함하며, 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴은 기판의 일단 측에 형성되되, 제 2 전극패턴은 제 1 전극패턴을 둘러싸며 기판의 다른 일단 측에까지 형성되어 제 1 전극패턴 보다 넓은 면적을 가진다.The present invention relates to a light emitting device having an improved heat dissipation efficiency by improving the heat dissipation performance of the light emitting chip by allowing a ground electrode having a relatively large area to serve as a heat dissipation pad. A first electrode pattern and a second electrode pattern disposed on an upper surface of the substrate, and a light emitting chip mounted on the second electrode pattern and connected to the first electrode pattern, wherein the first electrode pattern and the second electrode pattern are formed on one end of the substrate. Is formed on the side, the second electrode pattern is formed to the other end side of the substrate surrounding the first electrode pattern has a larger area than the first electrode pattern.

Description

발광장치{Light emitting device}Light emitting device

본 발명은 발광장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상대적으로 큰 면적을 갖는 그라운드용 전극이 방열패드 역할을 하도록 하여 발광칩에서 발생되는 열의 방출 성능을 개선한 방열효율이 향상된 발광장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device in which a ground electrode having a relatively large area serves as a heat radiating pad, thereby improving the heat emitting performance generated in the light emitting chip.

발광장치에 사용되는 발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭하며, GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.A light emitting diode (LED) used in a light emitting device refers to a device that emits a predetermined light by making a small number of injected carriers (electrons or holes) using a pn junction structure of a semiconductor and recombining them. A red light emitting diode using GaAsP or the like, a green light emitting diode using GaP or the like, and a blue light emitting diode using an InGaN / AlGaN double hetero structure.

일반적인 발광장치를 구현하는 구조는 도 1에 도시된 바와 같이 상대적으로 좁은 면적을 갖는 제 1 전극패턴(11)과, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 제 2 전극패턴(12)을 갖고, 제 1 전극패턴(11)에 발광 다이오드(13)가 실장되고, 발광 다이오드(13)와 제 2 전극패턴(12)은 예를 들어 와이어(14)를 통하여 연결된다. 이때 제 1 전극패턴(11)에는 양(+)전압을 인가하는 전원공급부(15)가 연결되고, 제 2 전극패턴(13)은 그라운드로 사용된다. 특히, 그라운드 역할을 하는 제 2 전극패턴(12)은 노이즈 방지, 시그널 안정화 등과 같은 목적을 이유로 인쇄회로기판 대부분의 면적을 차지하도록 크게 형성하는 것이 통상적이다. 그래서, 제 1 전극패턴(11)에 양(+)전압이 인가되어 애노드 역할을 하게 되고, 제 2 전극패턴(12)은 그라운드 역할을 함에 따라 캐소드 역할을 하게 되어 발광 다이오드(13)가 발광되는 것이다.As shown in FIG. 1, the general structure of a light emitting device includes a first electrode pattern 11 having a relatively narrow area and a second electrode pattern 12 having a relatively large area. The light emitting diode 13 is mounted on the first electrode pattern 11 and the second electrode pattern 12 is connected to the light emitting diode 13 through the wire 14, for example. At this time, the power supply unit 15 for applying a positive voltage is connected to the first electrode pattern 11, and the second electrode pattern 13 is used as ground. In particular, the second electrode pattern 12, which serves as a ground, is formed largely so as to occupy most of the area of the printed circuit board for reasons such as noise prevention and signal stabilization. A positive voltage is applied to the first electrode pattern 11 to serve as an anode and the second electrode pattern 12 serves as a cathode as a ground and the light emitting diode 13 emits light will be.

이러한 구조를 갖는 일반적인 발광장치에 칩 타입 발광소자가 적용된 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(20), 제 1 전극패턴(30) 및 제 2 전극패턴(40), 발광 다이오드(50)가 구비되어, 발광 다이오드(50)가 기판(20)상에 형성된 제 1 전극패턴(30) 및 제 2 전극패턴(40)에 전기적으로 접속된다. 이때, 제 1 전극패턴(30)에 발광 다이오드(50)의 p형측 전극패턴(52)이 접속되도록 실장되고, 제 2 전극패턴(40)에 발광 다이오드(50)의 n형측 전극패턴(51)이 와이어(60)를 통하여 연결된다.For example, a chip type light emitting device is applied to a general light emitting device having such a structure. As illustrated in FIG. 2, the substrate 20, the first electrode pattern 30, the second electrode pattern 40, and the light emitting diode ( 50 is provided, and the light emitting diode 50 is electrically connected to the first electrode pattern 30 and the second electrode pattern 40 formed on the substrate 20. At this time, the p-type electrode pattern 52 of the light emitting diode 50 is connected to the first electrode pattern 30, and the n-type electrode pattern 51 of the light emitting diode 50 is connected to the second electrode pattern 40. This wire 60 is connected.

그리고, 제 1 전극패턴(30) 및 제 2 전극패턴(40)의 형성시 양(+)전압이 인가되어 애노드 역할을 하는 제 1 전극패턴(30)은 상대적으로 작은 면적을 갖도록 구성되고, 그라운드 연결되어 캐소드 역할을 하는 제 2 전극패턴(40)은 기판(20) 대부분의 면적을 차지하도록 크게 형성된다. In addition, when the first electrode pattern 30 and the second electrode pattern 40 are formed, a positive voltage is applied, and the first electrode pattern 30 serving as an anode has a relatively small area and is grounded. The second electrode pattern 40 connected to serve as a cathode is largely formed to occupy most of the area of the substrate 20.

이때 발광 다이오드(50)가 실장되어 애노드 역할을 하는 제 1 전극패턴(30)이 발광 다이오드(50)에서 발생되는 열을 방출시키는 방열 패드 역할을 동시에 수행하게 되지만, 상대적으로 적은 면적을 갖는 구조로 인하여 방열효과가 미비한 문제점이 있었다.At this time, the first electrode pattern 30 serving as an anode is mounted on the light emitting diode 50 to serve as a heat dissipation pad for releasing heat generated from the light emitting diode 50, but has a relatively small area. Due to the heat dissipation effect was insufficient.

또한, 근래에는 작은 크기의 제품들에 칩 타입의 고출력 발광 다이오드가 많이 사용되고 있는데, 이러한 칩 타입의 발광 다이오드 경우 방열효과를 기대하기 위하여 방열 면적을 늘리는데 한계가 있었다.Also, in recent years, chip-type high-output light emitting diodes are widely used in small-sized products. In order to expect a heat dissipation effect in the case of such a chip type light emitting diode, there has been a limit to increase the heat radiation area.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 구동시 열이 발생되는 발광 다이오드를 상대적으로 넓은 면적으로 형성되어 그라운드와 연결되는 전극패턴에 실장하여 발광 다이오드의 방열효과를 향상시킬 수 있는 발광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to improve the heat radiation effect of a light emitting diode by mounting a light emitting diode, which generates heat during driving, on an electrode pattern formed in a relatively large area, And an object thereof is to provide a light emitting device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광장치는 기판과, 상기 기판의 상면에 배치되는 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴과, 상기 제 2 전극패턴에 실장되며 상기 제 1 전극패턴과 연결되는 발광칩을 포함하며, 상기 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴은 상기 기판의 일단 측에 형성되되, 상기 제 2 전극패턴은 상기 제 1 전극패턴을 둘러싸며 상기 기판의 다른 일단 측에까지 형성되어 상기 제 1 전극패턴 보다 넓은 면적을 가진다.The light emitting device according to the present invention for achieving the above object is a substrate, the first electrode pattern and the second electrode pattern disposed on the upper surface of the substrate, the second electrode pattern is mounted on the first electrode pattern And a light emitting chip connected thereto, wherein the first electrode pattern and the second electrode pattern are formed on one side of the substrate, and the second electrode pattern surrounds the first electrode pattern and is formed on the other end side of the substrate. Thus, it has a larger area than the first electrode pattern.

상기 제 1 전극패턴에는 음(-)전압이 인가되고, 상기 제 2 전극패턴은 접지와 접속된다.A negative voltage is applied to the first electrode pattern, and the second electrode pattern is connected to the ground.

상기 제 1 전극패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와, 상기 제 1 전극패턴과 전원공급부 사이에 전기적으로 연결되어 구비되는 음전압 발생부를 더 포함한다.The apparatus may further include a power supply unit supplying power to the first electrode pattern, and a negative voltage generation unit electrically connected between the first electrode pattern and the power supply unit.

상기 음전압 발생부와 연동되는 정전류 발생부를 포함한다.It includes a constant current generating unit interlocked with the negative voltage generating unit.

상기 음전압 발생부와 연동되는 전류제한용 저항을 포함한다.And a current limiting resistor interlocked with the negative voltage generator.

상기 발광칩의 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 상기 발광칩의 상부 및 저면에 형성된다.The first electrode and the second electrode of the light emitting chip are formed on the upper and lower surfaces of the light emitting chip, respectively.

상기 발광칩의 제 1 전극은 캐소드 전극이며, 상기 제 1 전극패턴과 와이어로 연결되고, 상기 발광칩의 제 2 전극은 애노드 전극으로, 상기 제 2 전극패턴에 실장된다.The first electrode of the light emitting chip is a cathode electrode and is connected to the first electrode pattern by a wire, and the second electrode of the light emitting chip is an anode electrode and is mounted on the second electrode pattern.

상기 발광칩은 상기 제 1 전극패턴에 가깝도록 상기 제 2 전극패턴에 실장된다.
The light emitting chip is mounted on the second electrode pattern to be close to the first electrode pattern.

본 발명에 따르면, 음전압 발생회로를 이용하여 발광 다이오드에 인가되는 전압의 성질을 변경시켜 발광 다이오드를 전극패턴 중 상대적으로 면적이 넓은 그라운드용 전극패턴에 실장함에 따라 별도의 방열패드를 구성하지 않아도 발광 다이오드에서 발생되는 열을 효율적으로 방출할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, since the nature of the voltage applied to the light emitting diode is changed by using the negative voltage generating circuit so that the light emitting diode is mounted on the ground electrode pattern having a relatively large area among the electrode patterns, There is an effect that the heat generated in the light emitting diode can be efficiently emitted.

그리고, 발광 다이오드의 방열 효과를 향상시킴에 따라 발광 다이오드의 광특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Further, by improving the heat dissipation effect of the light emitting diode, the optical characteristics and reliability of the light emitting diode can be improved.

도 1은 종래의 발광장치를 구현하는 구조를 보여주는 개략도이고,
도 2는 종래의 발광장치의 일실시예를 보여주는 단면도이며,
도 3은 본 발명에 따른 발광장치를 구현하는 구조를 보여주는 개략도이고,
도 4는 본 발명에 따른 발광장치의 회로도이며,
도 5는 본 발명에 따른 발광장치의 일실시예를 보여주는 단면도이다.1 is a schematic view showing a structure for implementing a conventional light emitting device,
2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a conventional light emitting device.
3 is a schematic view showing a structure for implementing a light emitting device according to the present invention;
4 is a circuit diagram of a light emitting device according to the present invention;
5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 발광장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a light emitting device according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명은 특정한 구조의 발광소자 및 발광장치에 한정되는 것이 아니라, 전원이 인가되는 전극부, 그라운드 역할을 하는 전극부, 및 각각의 전극부에 전기적으로 연결되는 발광칩이 마련되고, 그라운드 역할을 하는 전극부가 전원이 인가되는 전극부의 면적보다 상대적으로 넓게 형성되는 구조를 갖는 발광장치 기술에 다양하게 적용될 수 있다. 본 발명에서는 칩(chip) LED 타입의 발광소자를 예로 하여 설명하도록 한다.
First, the present invention is not limited to a light emitting device and a light emitting device having a specific structure, and is provided with an electrode portion to which power is applied, an electrode portion serving as a ground, and a light emitting chip electrically connected to each electrode portion, and the ground. It can be applied to various light emitting device technologies having a structure in which the electrode portion that plays a role is formed relatively wider than the area of the electrode portion to which the power is applied. In the present invention, a chip LED type light emitting device will be described as an example.

도 3은 본 발명에 따른 발광장치를 구현하는 구조를 보여주는 개략도이고, 도 4는 본 발명에 따른 발광장치의 회로도이다.3 is a schematic view showing a structure for implementing a light emitting device according to the present invention, Figure 4 is a circuit diagram of a light emitting device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 발광장치는 발광칩(110)과, 상기 발광칩(110)과 와이어(121)를 통하여 전기적으로 연결되는 제 1 전극패턴(120)와, 상기 제 1 전극패턴(120)보다 넓은 면적을 갖고, 상기 발광칩(110)이 실장되는 제 2 전극패턴(130)을 포함한다. 그리고, 상기 제 1 전극패턴(120)과 연결되는 전원공급부(140)과, 상기 제 1 전극패턴(120)과 전원공급부(140) 사이에 전기적으로 연결되어 상기 전원공급부(140)에서 공급되는 전원을 음(-)전압으로 변환시켜 상기 제 1 전극패턴(120)에 인가하는 음전압 발생부(150)를 포함한다. 그래서, 상기 제 1 전극패턴(120)에는 음(-)전압이 인가되고, 상기 제 2 전극패턴(130)은 접지와 접속된다.As shown in the drawing, the light emitting device according to the present invention includes a light emitting chip 110, a first electrode pattern 120 electrically connected to the light emitting chip 110 through a wire 121, And a second electrode pattern 130 having a larger area than the pattern 120 and on which the light emitting chip 110 is mounted. A power supply unit 140 electrically connected to the first electrode pattern 120 and a power supply unit 140 electrically connected between the first electrode pattern 120 and the power supply unit 140, And a negative voltage generator 150 for applying a negative voltage to the first electrode pattern 120. Therefore, a negative voltage is applied to the first electrode pattern 120, and the second electrode pattern 130 is connected to the ground.

발광칩(110)은 p형 반도체 및 n형 반도체의 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어(전자 또는 정공)를 만들고 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자로서, 예를 들어 p-n접합 방식의 발광 다이오드(light emitting diode; LED)가 사용된다. 물론 이에 한정되지 않고, 다양한 발광소자 및 그 패키지가 사용될 수 있다.The light emitting chip 110 is an element that emits a predetermined light by recombining the minority carriers (electrons or holes) injected using the junction structure of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and for example, Of light emitting diodes (LEDs) are used. Of course, the present invention is not limited thereto, and various light emitting devices and packages thereof can be used.

이때 발광칩(110)에 형성된 캐소드 전극은 상기 제 1 전극패턴(120)과 와이어(121)로 연결되고, 발광칩(110)에 형성된 애노드 전극은 상기 제 2 전극패턴(130)에 실장되는 것이 바람직하다. In this case, the cathode electrode formed on the light emitting chip 110 is connected to the first electrode pattern 120 through the wire 121, and the anode electrode formed on the light emitting chip 110 is mounted on the second electrode pattern 130 desirable.

제 1 전극패턴(120) 및 제 2 전극패턴(130)은 발광칩(110)에 전기적으로 연결되어 발광칩(110)을 구동하기 위하여 각각 캐소드 또는 애노드 역할을 하는 수단이다. 특히, 그라운드 역할을 하는 제 2 전극패턴(130)은 발광칩(110) 구동시 노이즈 방지, 시그널 안정화 등을 위하여 제 1 전극패턴(120)보다 상대적으로 넓은 면적을 차지하도록 구비된다.The first electrode pattern 120 and the second electrode pattern 130 are electrically connected to the light emitting chip 110 to serve as a cathode or an anode to drive the light emitting chip 110, respectively. In particular, the second electrode pattern 130, which serves as a ground, is formed to occupy a relatively larger area than the first electrode pattern 120 for noise prevention and signal stabilization when the light emitting chip 110 is driven.

전원공급부(140)는 상기 발광칩(110)에 전원을 인가하는 수단이다. The power supply unit 140 is a means for applying power to the light emitting chip 110.

음전압 발생부(150)는 상대적으로 면적이 넓으면서 발광칩(110)이 실장되는 제 2 전극패턴(130)이 애노드 역할을 하고, 상대적으로 면적이 좁은 제 1 전극패턴(120)이 캐소드 역할을 하게 하기 위하여 제 1 전극패턴(120)에 인가되는 전압을 음(-)전압으로 변경시켜 인가시킨다. 이때 음전압 발생부(150)는 전원을 음(-)전압으로 변경시켜주는 음전압 발생회로 또는 음전압 발생소자가 사용될 수 있다.The negative voltage generating part 150 has a relatively large area and the second electrode pattern 130 on which the light emitting chip 110 is mounted serves as an anode and the first electrode pattern 120 having a relatively small area serves as a cathode The voltage applied to the first electrode pattern 120 is changed to a negative voltage to be applied. In this case, the negative voltage generator 150 may be a negative voltage generator or a negative voltage generator that changes the power source to a negative voltage.

그리고, 제 1 전극패턴(120)에 일정한 전압의 전류를 인가하기 위하여 상기 음전압 발생부(150)와 연동되어 정전류 발생부(미도시)가 구비될 수 있다. 이때 상기 정전류 발생부는 정전류 회로 또는 정전류 소자가 사용될 수 있다. 또한, 정전류 발생부를 대신하여 전류제한용 저항이 사용될 수 있다.
In addition, a constant current generator (not shown) may be provided in cooperation with the negative voltage generator 150 to apply a current having a constant voltage to the first electrode pattern 120. In this case, the constant current generator may be a constant current circuit or a constant current device. In addition, a current limiting resistor may be used in place of the constant current generator.

본 발명에 따른 발광장치의 일실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.An embodiment of a light emitting device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명에 따른 발광장치의 일실시예를 보여주는 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing an embodiment of a light emitting device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 발광장치에는 칩(chip) LED 타입 발광소자가 사용되며, 기판(210)과, 상기 기판(210) 상에 서로 이격되어 형성되어 양측에 각각 구비되는 제 1 전극패턴(220) 및 제 2 전극패턴(230)과, 상기 제 2 전극패턴(230)에 실장되는 발광칩(240)을 포함한다.As shown in the drawing, a chip LED type light emitting device is used in a light emitting device according to an embodiment of the present invention, and is formed on a substrate 210 and spaced apart from each other on the substrate 210. The first electrode pattern 220 and the second electrode pattern 230 are provided, and the light emitting chip 240 mounted on the second electrode pattern 230 is provided.

기판(210)은 발광장치의 몸체 역할을 하는 수단으로서, 예를 들어 사각형상의 플레이트로 형성된다. The substrate 210 serves as a body of the light emitting device, and is formed of, for example, a rectangular plate.

제 1 전극패턴(220) 및 제 2 전극패턴(230)은 서로 이격되도록 상기 기판(210)의 양측으로 각각 구비된다. 이때 제 1 전극패턴(220) 및 제 2 전극패턴(230)은 별도의 인쇄회로기판 및 장치에 실장 또는 장착되기 위하여 기판(210)의 단부를 둘러싸며 기판(210)의 하부로 연장된다. 특히, 제 1 전극패턴(220)과 비교하여 제 2 전극패턴(230)의 면적을 상당히 크게 형성하는 것이 바람직하다.The first electrode pattern 220 and the second electrode pattern 230 are provided on both sides of the substrate 210 so as to be spaced apart from each other. At this time, the first electrode pattern 220 and the second electrode pattern 230 extends below the substrate 210 to surround the end of the substrate 210 to be mounted or mounted on separate printed circuit boards and devices. In particular, the area of the second electrode pattern 230 may be considerably larger than that of the first electrode pattern 220.

발광칩은 p-n접합 발광 다이오드(240)가 사용되어, 상기 발광 다이오드(240)의 캐소드 전극인 n형측 전극패턴(241)은 상기 제 1 전극패턴(220)과 와이어로 연결되고, 상기 발광 다이오드(240)의 애노드 전극인 p형측 전극패턴(243)은 상기 제 2 전극패턴(230)에 실장된다.As the light emitting chip, a pn junction light emitting diode 240 is used, the n-type electrode pattern 241 which is a cathode of the light emitting diode 240 is connected to the first electrode pattern 220 by a wire, and the light emitting diode ( The p-type electrode pattern 243, which is the anode electrode of 240, is mounted on the second electrode pattern 230.

그리고, 상기 제 1 전극패턴(220)에는 음전압 발생부(150)를 통하여 음(-)전압이 인가되도록 하고, 제 2 전극패턴(230)은 접지와 접속되도록 한다. 이때 전원을 공급하는 전원공급부(140) 및 음전압 발생부(150)는 발광소자가 실장되는 인쇄회로기판 상에 별도로 구비되는 것이 바람직하다.
In addition, a negative voltage is applied to the first electrode pattern 220 through the negative voltage generator 150, and the second electrode pattern 230 is connected to the ground. In this case, the power supply unit 140 and the negative voltage generation unit 150 for supplying power are preferably provided separately on the printed circuit board on which the light emitting device is mounted.

상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 발광장치는 다음과 같이 구동된다.The light emitting device according to the present invention configured as described above is driven as follows.

전원공급부(140)에서 전원이 공급되면 음전압 발생부(150)에서 음(-) 전압을 발생시켜 제 1 전극패턴(220)으로 인가한다. 그래서 그라운드 역할을 하는 제 2 전극패턴(230)과 음(-) 전압이 인가된 제 1 전극패턴(220) 사이에 전압차가 발생되고, 이에 따라 제 1 전극패턴(220)은 캐소드 역할을 하고, 제 2 전극패턴(230)이 애노드 역할을 하여 애노드와 캐소드 사이의 전압 차이에 의해 발광 다이오드(240)에서 광이 발생된다.When power is supplied from the power supply unit 140, the negative voltage generator 150 generates a negative voltage and applies the negative voltage to the first electrode pattern 220. Therefore, a voltage difference is generated between the second electrode pattern 230 serving as the ground and the first electrode pattern 220 to which the negative (-) voltage is applied. Accordingly, the first electrode pattern 220 serves as a cathode. As the second electrode pattern 230 serves as an anode, light is generated in the light emitting diode 240 due to the voltage difference between the anode and the cathode.

이때 발광 다이오드(240)에서는 광의 발생과 함께 열이 발생되는데, 발광 다이오드(240)에서 발생된 열은 제 2 전극패턴(230)이 방열패드 역할을 하여 분산시킨다. 따라서 그라운드 역할을 하는 제 2 전극패턴(230)은 상대적으로 큰 면적을 갖기 때문에 제 1 전극패턴(220)이 방열패드 역할을 하는 종래의 발광장치보다 별도의 구조 변경 없이 방열효과가 향상되는 것이다.
At this time, heat is generated together with the generation of light in the light emitting diodes 240. The heat generated in the light emitting diodes 240 is distributed by the second electrode pattern 230 acting as a heat radiating pad. Therefore, since the second electrode pattern 230 serving as the ground has a relatively large area, the heat dissipation effect is improved without changing the structure of the conventional light emitting device in which the first electrode pattern 220 serves as the heat radiating pad.

본 발명은 칩 LED를 예로 하여 설명하였지만, 이에 한정되지 않고 다양한 형태의 LED 소자가 적용가능하다. 또한, 예를 들어 발광장치를 토치, 손전등 또는 자동차 제조 등에 사용하는 경우 토치의 몸체, 손전등의 몸체 또는 자동차의 차체에 그라운드 처리가 되어 있기 때문에 토치의 몸체, 손전등의 몸체 또는 자동차의 차체 전체를 방열판으로 사용하여 방열 기능을 향상시킬 수 있다.Although the present invention has been described by taking chip LED as an example, the present invention is not limited thereto, and various types of LED elements are applicable. In addition, when the light emitting device is used for a torch, a flashlight, or automobile manufacturing, the body of the torch, the body of the flashlight or the body of the vehicle is grounded so that the torch body, the torch body, It is possible to improve the heat radiation function.

110: 발광칩 120, 220: 제 1 전극패턴
130, 230: 제 2 전극패턴 140: 전원공급부
150: 음전압 발생부 210: 기판
240: 발광 다이오드110: light emitting chip 120, 220: first electrode pattern
130 and 230: second electrode pattern 140: power supply unit
150: negative voltage generation unit 210: substrate
240: light emitting diode

Claims (8)

기판;
상기 기판의 상면에 배치되는 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴;
상기 제 2 전극패턴에 실장되며 상기 제 1 전극패턴과 연결되는 발광칩을 포함하며,
상기 제 1 전극패턴 및 제 2 전극패턴은 상기 기판의 일단 측에 형성되되, 상기 제 2 전극패턴은 상기 제 1 전극패턴을 둘러싸며 상기 기판의 다른 일단 측에까지 형성되어 상기 제 1 전극패턴보다 넓은 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.Board;
A first electrode pattern and a second electrode pattern disposed on an upper surface of the substrate;
A light emitting chip mounted on the second electrode pattern and connected to the first electrode pattern;
The first electrode pattern and the second electrode pattern are formed on one end side of the substrate, and the second electrode pattern surrounds the first electrode pattern and is formed to the other end side of the substrate and is wider than the first electrode pattern. A light emitting device having an area. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 전극패턴에는 음(-)전압이 인가되고, 상기 제 2 전극패턴은 접지와 접속되는 것을 특징으로 하는 발광장치.The light emitting device of claim 1, wherein a negative voltage is applied to the first electrode pattern, and the second electrode pattern is connected to a ground. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 전극패턴에 전원을 공급하는 전원공급부와;
상기 제 1 전극패턴과 전원공급부 사이에 전기적으로 연결되어 구비되는 음전압 발생부를 포함하는 발광 장치.The apparatus of claim 1, further comprising: a power supply unit supplying power to the first electrode pattern;
Light emitting device comprising a negative voltage generator is electrically connected between the first electrode pattern and the power supply. 청구항 3에 있어서, 상기 음전압 발생부와 연동되는 정전류 발생부를 포함하는 발광장치.The light emitting device of claim 3, further comprising a constant current generator that is linked to the negative voltage generator. 청구항 3에 있어서, 상기 음전압 발생부와 연동되는 전류제한용 저항을 포함하는 발광장치.The light emitting device of claim 3, further comprising a current limiting resistor interlocked with the negative voltage generator. 청구항 1에 있어서, 상기 발광칩의 제 1 전극 및 제 2 전극은 각각 상기 발광칩의 상부 및 저면에 형성되는 것을 특징으로 발광장치.The light emitting device of claim 1, wherein the first electrode and the second electrode of the light emitting chip are formed on the top and bottom surfaces of the light emitting chip, respectively. 청구항 6에 있어서, 상기 발광칩의 제 1 전극은 캐소드 전극이며, 상기 제 1 전극패턴과 와이어로 연결되고,
상기 발광칩의 제 2 전극은 애노드 전극으로, 상기 제 2 전극패턴에 실장되는 것을 특징으로 하는 발광장치.The method of claim 6, wherein the first electrode of the light emitting chip is a cathode electrode, is connected to the first electrode pattern and a wire,
The second electrode of the light emitting chip is an anode electrode, characterized in that mounted on the second electrode pattern. 청구항 1에 있어서, 상기 발광칩은 상기 제 1 전극패턴에 가깝도록 상기 제 2 전극패턴에 실장된 것을 특징으로 발광장치.

The light emitting device of claim 1, wherein the light emitting chip is mounted on the second electrode pattern to be close to the first electrode pattern.

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