KR101237520B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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KR101237520B1
KR101237520B1 KR1020120088925A KR20120088925A KR101237520B1 KR 101237520 B1 KR101237520 B1 KR 101237520B1 KR 1020120088925 A KR1020120088925 A KR 1020120088925A KR 20120088925 A KR20120088925 A KR 20120088925A KR 101237520 B1 KR101237520 B1 KR 101237520B1
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안수창
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주식회사 지엔씨하이테크
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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode package is provided to have improved heat radiation efficiency and lifetime by rapidly discharging heat from a base plate using a heat radiation pad. CONSTITUTION: A first semiconductor layer(20) is fixed to the lower side of a transparent substrate. A first region and a second region are formed on the lower side of the first semiconductor layer. A first electrode layer(21) is formed on the first region. An active layer(30) is formed on the second region. A second semiconductor layer(40) is formed on the active layer. The second electrode layer is formed on the second semiconductor layer.

Description

발광다이오드 패키지{Light emitting diode package}Light emitting diode package

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광다이오드에서 발생하는 열을 효율적으로 방출할 수 있는 방열성능이 우수한 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package having excellent heat dissipation performance capable of efficiently dissipating heat generated from the light emitting diode.

전기전원의 공급에 의해 특정 색상의 빛을 방출하는 것으로 흔히 "SMD(Surface Mount Devices: 표면실장형소자)"로 표현되는 형태의 LED 소자는 발광칩을 리드 프레임에 결합하고, 외부를 합성수지 몰딩하여 패키지 형태의 구성을 갖추고 있다. 특히, 상기 LED 소자는 외부를 합성수지 몰딩한 몸체의 외측으로 리드 프레임으로 전기 전원을 접속하기 위한 리드단자가 인출된 형태로 구성됨은 주지된 것과 같으며, 상기 리드단자는 몸체가 몰딩되기 이전에 발광다이오드칩과 와이어 본딩과정에 의해 전기적인 연결된 구성을 갖게 된다.It emits light of a certain color by the supply of electric power, and is often expressed as "Surface Mount Devices" (SMD). The LED device combines a light emitting chip with a lead frame and a resin molded outside. It has a packaged configuration. In particular, the LED device is known that the lead terminal for connecting the electrical power to the lead frame to the outside of the body molded with the resin is drawn out, the lead terminal is emitted before the body is molded The diode chip and the wire bonding process have an electrically connected configuration.

LED 소자는 높은 휘도와 오랜 수명으로 인하여 최근 디스플레이나 조명 분야 등에서 다양하게 적용되고 있지만, 열 방출이 심하므로, 효율적인 방열이 요구되고 있다. 특히, LED 소자들을 어레이 형태로 형성할 때, 각각의 발광소자에서 발생한 빛을 가능한 한 열로 전환하지 않고 빛으로서 효율적으로 취출하여 발광 가용성을 극대화하는 것과, 발생하는 열을 빠르게 칩이나 기판의 외부로 방출하는 것이 가장 큰 과제로 나타난다. LED devices have been recently applied in various fields such as displays and lighting due to high brightness and long life, but since heat dissipation is severe, efficient heat dissipation is required. In particular, when the LED elements are formed in an array form, the light emitted from each light emitting element is efficiently extracted as light without converting the light into heat as much as possible to maximize light emission availability, and the generated heat is quickly transferred to the outside of the chip or substrate. Emissions represent the biggest challenge.

이러한 방열 문제를 해결하기 위하여 다양한 방법들이 제안되고 있기는 하나, 대부분이 LED 소자를 PCB에 장착하는 것을 전제로 설명되고 있다. 즉, 종래의 LED 모듈은 대한민국 공개특허10-2010-0103284에 게시된 금속 기판을 이용한 LED 모듈 및 그 제조 방법에 나타난 바와 같이 PCB 기판상에 장착되거나 방열 특성을 향상시키기 위하여 Metal PCB 기판상에 장착되어 완성된다. 하지만, Metal PCB는 알루미늄 금속판 위에 연성 PCB가 접착된 PCB이므로 Metal PCB를 이용하여 LED 모듈을 제작하는 경우, LED 소자들과 PCB를 와이어 본딩하기 위하여 고가의 Au 와이어 또는 Cu 와이어를 사용해야 한다. 또한, Au 와이어를 사용하는 경우, 접촉을 위하여 PCB의 와이어 본딩되는 부분에 도금처리를 해야 하므로 LED 모듈의 제조 단가가 증가하게 되는 문제점이 있다.Various methods have been proposed to solve the heat dissipation problem, but most of them have been described on the premise that the LED device is mounted on the PCB. That is, the conventional LED module is mounted on the metal PCB substrate or mounted on the PCB to improve the heat dissipation characteristics as shown in the LED module using the metal substrate and a method of manufacturing the same published in the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0103284 Is completed. However, since the metal PCB is a flexible PCB bonded to the aluminum metal plate, when manufacturing the LED module using the metal PCB, expensive Au wire or Cu wire must be used to wire-bond the LED elements and the PCB. In addition, when using the Au wire, there is a problem in that the manufacturing cost of the LED module is increased because the plating process to the wire bonded portion of the PCB for contact.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광다이오드 모듈에서 발생하는 열을 용이하고 신속하게 방출할 수 있는 발광다이오드 패키지를 제공하는 데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a light emitting diode package capable of easily and quickly dissipating heat generated from a light emitting diode module.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 투명기판과, 상기 투평기판의 하부에 고정되고 저면에는 제1영역과 제2영역이 단차지도록 형성된 제1반도체층과, 상기 제1반도체층에 전원을 공급하도록 상기 제1영역 상에 형성된 제1전극층과, 상기 제2영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층에 형성된 제2반도체층과, 상기 제2반도체층에 상기 제1반도체층과 반대되는 극성의 전원을 공급하도록 상기 제2반도체층에 형성된 제2전극층을 포함하는 발광다이오드 모듈과; 상기 제1전극층과 상기 제2전극층에 각각 접합되는 솔더 볼을 통해 상기 제1전극층과 상기 제2전극층에 각각 서로 다른 극성의 전원을 공급하기 위한 전극패드가 마련된 베이스플레이트와; 상기 베이스플레이트의 저면에 형성되어 상기 발광다이오드 모듈에서 발생하는 열을 방출하기 위한 방열부;를 구비하는 것을 특징으로 한다.The light emitting diode package according to the present invention for achieving the above object is a transparent substrate, a first semiconductor layer is fixed to the lower portion of the flat substrate, the bottom surface is formed so that the first region and the second region stepped, and the first A first electrode layer formed on the first region to supply power to the semiconductor layer, an active layer formed on the second region, a second semiconductor layer formed on the active layer, and the first semiconductor layer on the second semiconductor layer; A light emitting diode module including a second electrode layer formed on the second semiconductor layer to supply power of opposite polarity; A base plate provided with electrode pads for supplying power having different polarities to the first electrode layer and the second electrode layer through solder balls respectively bonded to the first electrode layer and the second electrode layer; And a heat dissipation unit formed on a bottom surface of the base plate for dissipating heat generated from the light emitting diode module.

상기 베이스플레이트는 질화알루미늄 또는 세라믹을 포함하여 형성되고, 상기 투명기판은 사파이어로 형성된 것을 특징으로 한다.The base plate may be formed of aluminum nitride or ceramic, and the transparent substrate may be formed of sapphire.

상기 전극패드는 상기 베이스플레이트의 상부에 형성되어 상기 솔더 볼에 각각 접합되는 제1상부전극패드 및 제2상부전극패드와, 상기 베이스플레이트의 저면에 형성되어 상기 베이스플레이트를 상하로 관통하는 비아홀에 의해 상기 제1상부전극패드와 상기 제2상부전극패드에 각각 접속되며, 상기 제1상부전극과 상기 제2상부전극에 전원을 공급하도록 인쇄회로기판상에 본딩되는 제1하부전극패드 및 제2하부전극패드를 포함하는 것을 특징으로 한다.The electrode pads may be formed on the base plate and attached to the first upper electrode pads and the second upper electrode pads respectively bonded to the solder balls, and the via holes may be formed on the bottom surface of the base plate to penetrate the base plate up and down. The first lower electrode pad and the second lower electrode pad connected to the first upper electrode pad and the second upper electrode pad, respectively, and bonded to a printed circuit board to supply power to the first upper electrode and the second upper electrode. It characterized in that it comprises a lower electrode pad.

상기 투명기판의 적어도 일 면에는 상기 활성층에서 출사되는 광을 산란시키기 위한 요철부가 형성된 것을 특징으로 한다.At least one surface of the transparent substrate is characterized in that the irregularities for scattering the light emitted from the active layer is formed.

상기 베이스플레이트의 저면에는 상기 베이스플레이트의 내측을 향하여 인입된 다수의 방열홈들이 형성된 것을 특징으로 한다.A bottom surface of the base plate is characterized in that a plurality of heat dissipation grooves drawn toward the inner side of the base plate is formed.

상기 방열홈의 내주면에는 알루미늄 피막이 형성된 것을 특징으로 한다.The inner peripheral surface of the heat dissipation groove is characterized in that the aluminum film is formed.

상기 제1전극층과 상기 제1반도체층 사이 또는 상기 제2전극층과 상기 제2반도체층 사이에는 접촉저항을 줄일 수 있도록 니켈, 팔라듐, 백금 중 선택된 어느 하나로 이루어진 메탈 구조체가 더 구비된 것을 특징으로 한다.A metal structure made of any one selected from nickel, palladium, and platinum is further provided to reduce contact resistance between the first electrode layer and the first semiconductor layer or between the second electrode layer and the second semiconductor layer. .

상기 메탈 구조체와 상기 제2전극층 사이에는 알루미늄 또는 은으로 이루어진 반사층이 더 구비된 것을 특징으로 한다.A reflective layer made of aluminum or silver is further provided between the metal structure and the second electrode layer.

본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 와이어를 이용하여 발광다이오드 모듈에서 발생하는 열이 솔더볼을 통해 베이스플레이트로 직접 전달되고, 베이스플레이트에는 전달된 열을 신속하게 방출할 수 있도록 방열패드 또는 방열홈이 형성되어 있어 발광다이오드 모듈의 방열특성 및 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라 수명 또한 증진시킬 수 있다.In the light emitting diode package according to the present invention, heat generated in the light emitting diode module is directly transferred to the base plate through the solder ball using a wire, and a heat dissipation pad or a heat dissipation groove is formed in the base plate to quickly discharge the transferred heat. As a result, the heat dissipation characteristics and efficiency of the light emitting diode module can be increased, and the lifespan can be improved.

도 1은 본 발명의 제1실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 사시도.
도 2은 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 3은 본 발명의 제2실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 제3실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 5는 본 발명의 제4실시 예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도.1 is a perspective view of a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view of the light emitting diode package shown in FIG.
3 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to a third embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 발광다이오드 패키지에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1 및 도 2에는 본 발명의 제1실시 예에 따른 발광다이오드 패키지가 도시되어 있다.Hereinafter, a light emitting diode package according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 and 2 illustrate a light emitting diode package according to a first embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 발광다이오드 패키지(1)는 투명기판(10)과, 상기 투명기판(10)의 하부에 고정되고 저면에는 제1영역과 제2영역이 단차지도록 형성된 제1반도체층(20)과, 상기 제1반도체층(20)에 전원을 공급하도록 상기 제1영역 상에 형성된 제1전극층(21)과, 상기 제2영역에 형성된 활성층(30)과, 상기 활성층(30)에 형성된 제2반도체층(40)과, 상기 제2반도체층(40)에 상기 제1반도체층(20)과 반대되는 극성의 전원을 공급하도록 상기 제2반도체층(40)에 형성된 제2전극층(41)을 포함하는 발광다이오드 모듈(100)과; 상기 제1전극층(21)과 상기 제2전극층(41)에 각각 접합되는 솔더 볼(S)을 통해 상기 제1전극층(21)과 상기 제2전극층(41)에 각각 서로 다른 극성의 전원을 공급하기 위한 전극패드가 마련된 베이스플레이트(50)와; 상기 베이스플레이트(50)의 저면에 형성되어 상기 발광다이오드 모듈(100)에서 발생하는 열을 방출하기 위한 방열부;를 구비한다.1 and 2, the light emitting diode package 1 of the present invention is fixed to the transparent substrate 10, the lower portion of the transparent substrate 10, and formed so that the first region and the second region are stepped on the bottom surface thereof. The first semiconductor layer 20, the first electrode layer 21 formed on the first region to supply power to the first semiconductor layer 20, the active layer 30 formed on the second region, and the The second semiconductor layer 40 formed on the active layer 30 and the second semiconductor layer 40 are supplied to the second semiconductor layer 40 to supply power having a polarity opposite to that of the first semiconductor layer 20. A light emitting diode module 100 including a formed second electrode layer 41; Supply power of different polarities to the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41 through solder balls S bonded to the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41, respectively. A base plate 50 provided with electrode pads for the purpose; And a heat dissipation part formed on a bottom surface of the base plate 50 to dissipate heat generated by the light emitting diode module 100.

상기 투명기판(10)은 사파이어(Al2O3) 또는 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 투명한 소재로 형성된다. The transparent substrate 10 is formed of a transparent material such as sapphire (Al 2 O 3 ) or silicon carbide (SiC).

상기 제1반도체층(20)은 전자주입층으로 N-형 GaN으로 이루어져 있고, 상하 높이가 다른 즉, 단차지게 형성된 제1영역과 제2영역을 구비한다. 제1영역상에는 제1반도체층(20)으로 전원을 인가하기 위한 제1전극층(21)이 형성되어 있다.The first semiconductor layer 20 is formed of N-type GaN as an electron injection layer, and includes a first region and a second region having different vertical heights, that is, formed stepped. The first electrode layer 21 for applying power to the first semiconductor layer 20 is formed on the first region.

상기 제2반도체층(40)은 정공주입층으로 활성층(30)상에 형성되어 있고, P-형 GaN으로 이루어져 있으며, 표면에는 제2반도체층(40)으로 전원을 인가하기 위한 제2전극층(41)이 형성되어 있다.The second semiconductor layer 40 is a hole injection layer formed on the active layer 30, made of P-type GaN, the second electrode layer for applying power to the second semiconductor layer 40 on the surface ( 41) is formed.

상기의 활성층(30)은 제2영역상에 형성되고 InGaN으로 이루어져 있다. The active layer 30 is formed on the second region and made of InGaN.

도면에 도시되어 있지 않지만, 제1전극층(21)과 제1반도체층(20) 사이 또는 제2전극층(41)과 제2반도체층(40) 사이에는 접촉저항을 줄일 수 있도록 즉, 오믹 접합을 위하여 컨택 메탈 구조체 및 반사층이 더 구비된다. 상기 컨택 메탈 구조체는 접촉 저항이 낮은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 또는 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어지며, 반사층은 알루미늄(Al) 박막 또는 은(Ag)과 같이 높은 반사율을 갖는 금속으로 형성된다.Although not shown in the drawing, the ohmic junction may be reduced between the first electrode layer 21 and the first semiconductor layer 20 or between the second electrode layer 41 and the second semiconductor layer 40. In order to contact the metal structure and the reflective layer is further provided. The contact metal structure is any one selected from the group consisting of nickel (Ni), palladium (Pd), platinum (Pt), or indium tin oxide (ITO) having a low contact resistance, and the reflective layer is formed of an aluminum (Al) thin film or silver. It is formed of a metal having a high reflectance such as (Ag).

베이스플레이트(50)는 제1전극층(21)과 제2전극층(41)에 각각 접합되는 솔더 볼(S)을 통해 제1전극층(21)과 제2전극층(41)에 각각 서로 다른 극성의 전원을 공급하기 위하여 회로기판(미도시)에 플립-칩 본딩되는 것으로 전극패드가 형성되어 있다.Base plate 50 is a power source of different polarity to each of the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41 through the solder ball (S) bonded to the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41, respectively Electrode pads are formed by being flip-chip bonded to a circuit board (not shown) in order to supply them.

상기 베이스플레이트(50)는 질화알루미늄(AlN) 또는 세라믹을 포함하는 소재로 형성된다. 상기의 질화알루미늄은 내열성, 내식성, 높은 열전도성을 갖는 것으로 금속알루미늄의 질화, 알루미나의 환원질화 또는 알루미나 화합물과 암모니아의 반응으로 얻은 가루를 소결원료로 한다. The base plate 50 is formed of a material including aluminum nitride (AlN) or ceramic. The aluminum nitride has heat resistance, corrosion resistance, and high thermal conductivity. Powdered aluminum obtained by nitriding metal aluminum, reducing nitriding alumina, or reacting an alumina compound with ammonia is used as a sintered raw material.

이와 다르게 상기 베이스플레이트(50)를 세라믹으로 형성할 경우, 다수의 세라믹 시트를 적층하고, 일정 세기의 압력으로 압착하며, 적층된 시트를 소성로에서 가소하여 제조할 수 있다.In contrast, when the base plate 50 is formed of ceramic, a plurality of ceramic sheets may be stacked, pressed at a predetermined strength, and the laminated sheets may be calcined in a firing furnace.

베이스플레이트(50)에는 상하를 관통하며 내주면에 도전성 금속이 코팅 또는 충진된 비아홀(50a) 형성되어 있다. 상기 비아홀(50a)에 충진된 도전성 금속은 구리, 동 등의 도전율이 높은 금속을 적용한다.The base plate 50 is formed with a via hole 50a penetrating up and down and coated or filled with a conductive metal on an inner circumferential surface thereof. As the conductive metal filled in the via hole 50a, a high conductivity metal such as copper or copper is used.

베이스플레이트(50)의 상면과 하면에는 각각 비아홀(50a)에 접속되는 전극패드가 마련되어 있고, 상기 전극패드는 제1전극층(21)과 제2전극층(41)에 솔더 볼(S)을 통해 접속되는 제1상부전극패드(51)와 제2상부전극패드(52) 및 베이스플레이트(50)의 저면에 각각 비아홀(50a)에 접속되어 제1상부전극패드(51)와 제2상부전극패드(52)에 각각 접속되는 제1하부전극패드(53)와 제2하부전극패드(54)를 구비한다.The upper and lower surfaces of the base plate 50 are provided with electrode pads connected to the via holes 50a, respectively, which are connected to the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41 through solder balls S. The first upper electrode pad 51 and the second upper electrode pad 51 are connected to the via holes 50a on the bottoms of the first upper electrode pad 51, the second upper electrode pad 52, and the base plate 50, respectively. And a first lower electrode pad 53 and a second lower electrode pad 54 respectively connected to 52.

상기 제1하부전극패드(53)와 제2하부전극패드(54)는 베이스플레이트(50)를 회로패턴이 형성된 회로기판(미도시)에 장착할 때 회로패턴에 접속시키기 위한 부분으로, 각각의 비아홀(50a) 및 제1상부전극패드(51)와 제2상부전극패드(52)를 통해 제1전극층(21)과 제2전극층(41)으로 전원을 인가할 수 있도록 회로패턴에 접속된다.The first lower electrode pads 53 and the second lower electrode pads 54 are portions for connecting the base plate 50 to the circuit patterns when the base plate 50 is mounted on a circuit board (not shown) having a circuit pattern. The via hole 50a and the first upper electrode pad 51 and the second upper electrode pad 52 are connected to a circuit pattern so that power can be applied to the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41.

방열부는 베이스플레이트(50)의 저면에 형성되어 발광다이오드 모듈(100)에서 발생하는 열을 방출시키기 위한 것으로, 본 실시 예에서는 패드(60)를 적용하였다.The heat dissipation part is formed on the bottom surface of the base plate 50 to dissipate heat generated from the light emitting diode module 100. In this embodiment, the pad 60 is applied.

방열부는 제1하부전극패드(53)와 제2하부전극패드(54) 사이에 배치되어 있고, 베이스플레이트(50)로 전달되는 열을 외부로 신속하게 방출한다.The heat dissipation unit is disposed between the first lower electrode pad 53 and the second lower electrode pad 54, and quickly dissipates heat transferred to the base plate 50 to the outside.

상기와 같은 구조를 갖는 발광다이오드 패키지(1)는 활성층(30)에서 제1반도체층(20)으로부터 주입된 전자들과 제2반도체층(40)으로부터 주입된 정공이 만나게 되고, 이렇게 만나게된 전자와 정공은 낮은 에너지 밴드로 떨어지면서 빛을 발생하게 된다. 이때, 발생된 빛은 반사층과 컨택 메탈 구조체 사이의 계면 및 반사층과 정공 주입층 사이의 계면에서 반사를 하게 되고, 이렇게 반사된 빛은 제2반도체층(40), 활성층(30), 제1반도체층(20) 및 투명기판(10)을 순차적으로 빠져나가면서 방출된다. 그리고 발광다이오드 모듈(100)에서 발생하는 열은 제1전극층(21) 및 제2전극층(41)을 통해 베이스플레이트(50)로 신속히 전달되며, 베이스플레이트(50)에서 열이 방출된다. In the light emitting diode package 1 having the structure as described above, electrons injected from the first semiconductor layer 20 and holes injected from the second semiconductor layer 40 meet in the active layer 30. Holes generate light as they fall into the lower energy bands. At this time, the generated light is reflected at the interface between the reflective layer and the contact metal structure and the interface between the reflective layer and the hole injection layer, and the reflected light is the second semiconductor layer 40, the active layer 30, and the first semiconductor. The layer 20 and the transparent substrate 10 are released while sequentially exiting. The heat generated by the light emitting diode module 100 is quickly transferred to the base plate 50 through the first electrode layer 21 and the second electrode layer 41, and heat is emitted from the base plate 50.

즉, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(1)는 종래의 발광다이오드에서 발생하는 열이 와이어를 통해 전달되는 데 반해 솔더 볼(S)을 통해 베이스플레이트(50)로 전달하므로 열을 신속하게 전달할 수 있고, 상기 베이스플레이트(50)는 열전도율이 높은 질화알루미늄으로 이루어져 있어 솔더 볼(S)을 통해 전달되는 열을 외기로 신속하게 방출할 수 있는 장점이 있다.That is, in the light emitting diode package 1 according to the present invention, heat generated in the conventional light emitting diode is transferred to the base plate 50 through the solder ball S, whereas heat generated through the wire can be transferred quickly. In addition, the base plate 50 is made of aluminum nitride having a high thermal conductivity, there is an advantage that can quickly release the heat transferred through the solder ball (S) to the outside air.

한편, 도 3에는 본 발명의 제2실시 예에 따른 발광다이오드 패키지가 도시되어 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 발광다이오드 패키지(2)는 발광다이오드 모듈(100)과, 베이스플레이트(50) 및 방열부를 구비한다. 3 shows a light emitting diode package according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, the light emitting diode package 2 of the present invention includes a light emitting diode module 100, a base plate 50, and a heat radiating unit.

이하에서는 상기 발광다이오드 모듈(100) 및 도 1 및 도 2를 참고로 설명된 본 발명의 제1실시 예에 따른 발광다이오드 패키지에서 설명하고 있는 바와 동일하므로 중복설명은 생략하며, 동일한 구성요소에 대하여 동일한 참조부호로 표기한다.Hereinafter, since the light emitting diode module 100 and the light emitting diode package according to the first embodiment of the present invention described with reference to FIGS. 1 and 2 are the same as those described in the description, redundant descriptions are omitted and the same components will be omitted. The same reference numerals are used.

베이스플레이트(50)의 저면에는 방열부가 구비되어 있고, 상기 방열부는 베이스플레이트(50)의 내측 즉, 상방을 향하여 인입된 다수의 방열홈(70)들로 구성된다.A bottom surface of the base plate 50 is provided with a heat dissipation part, and the heat dissipation part is composed of a plurality of heat dissipation grooves 70 inserted inward, that is, upward of the base plate 50.

상기 방열홈(70)은 상호 이격되고 베이스플레이트(50)의 일 측으로부터 대향하는 타 측을 향하여 연장되어 있다. 상기 방열홈(70)은 베이스플레이트(50)의 주변에 있는 공기가 통과할 수 있게 하며, 공기와의 접촉면적을 넓혀 방열효율을 높이기 위한 것이다.The heat dissipation grooves 70 are spaced apart from each other and extend toward the opposite side from one side of the base plate 50. The heat dissipation groove 70 allows the air in the periphery of the base plate 50 to pass through, and to increase the heat dissipation efficiency by widening the contact area with the air.

한편, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(3)는 도 4에 도시된 바와 같이 방열홈(70)의 내주면에 알루미늄으로 이루어진 피막(80)을 더 구비할 수 있다. 상기 피막(80)은 알루미늄 아노다이징(anodizing) 기법으로 형성할 수 있다.Meanwhile, the light emitting diode package 3 according to the present invention may further include a film 80 made of aluminum on the inner circumferential surface of the heat dissipation groove 70 as shown in FIG. 4. The film 80 may be formed by aluminum anodizing.

그리고, 도 5에는 본 발명의 제4실시 예에 따른 발광다이오드 패키지(4)가 도시되어 있다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 발광다이오드 패키지(4)는 발광다이오드 모듈(100)과, 베이스플레이트(50) 및 방열부를 구비한다. 5 shows a light emitting diode package 4 according to a fourth embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the light emitting diode package 4 of the present invention includes a light emitting diode module 100, a base plate 50, and a heat radiating unit.

방열부는 베이스플레이트(50)의 상호 대향하는 양 측벽 상부에서 서로 가까워지는 방향으로 즉, 베이스플레이트(50)의 중심을 향하여 인입되되 베이스플레이트(50)의 중심으로 인입될수록 하향경사지게 형성된 경사홈(90)으로 구성된다. 상기 경사홈(90)은 비아홀(50a)이 형성된 된 부분은 통과하지 않은 위치에 형성된다.The heat dissipation portion is inclined groove 90 formed to be inclined downward as it is drawn toward the center of the base plate 50 in a direction approaching each other on the upper sides of the mutually opposite side walls of the base plate 50, that is, toward the center of the base plate 50. It is composed of The inclined groove 90 is formed at a position where the via hole 50a is not formed.

상기 경사홈(90)은 베이스플레이트(50)의 하부를 회로기판(미도시)의 상면에 닿지 않게 함으로써 베이스플레이트(50) 주면의 공기가 경사지게 형성된 내주면을 따라 이동할 수 있게 하여 베이스플레이트(50)의 열을 용이하게 방열할 수 있게 한다. 또한, 상기의 경사홈(90)은 도면상에서 베이스플레이트(50)의 좌,우측뿐만 아니라 다수의 베이스플레이트(50)들을 회로기판에 실장하더라도 베이스플레이트(50)의 전후방향으로도 공기가 통과할 수 있게 형성되어 있어 방열성능을 높일 수 있다. 도면에 도시되어 있지 않지만 상기 경사홈(90)의 내주면에는 표면적을 높일 수 있게 요철부를 형성할 수도 있다.The inclined groove 90 prevents the lower portion of the base plate 50 from contacting the upper surface of the circuit board (not shown) so that the air of the main surface of the base plate 50 may move along the inner circumferential surface formed to be inclined so that the base plate 50 may be inclined. The heat of the heat can be easily dissipated. In addition, the inclined groove 90 may allow air to pass in the front and rear directions of the base plate 50 even if the base plate 50 is mounted on the circuit board as well as the left and right sides of the base plate 50. It is formed so that the heat dissipation performance can be improved. Although not shown in the drawing, the inner circumferential surface of the inclined groove 90 may have an uneven portion to increase the surface area.

이상에서 설명한 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. The light emitting diode package according to the present invention described above has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is only an example, and those skilled in the art may have various modifications and other equivalent embodiments therefrom. I understand that it is possible.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적인 보호의 범위는 첨부된 청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the appended claims.

10 : 투명기판
20 : 제1반도체층
21 : 제1전극층
30 : 활성층
40 : 제2반도체층
41 : 제2전극층
50 : 베이스플레이트
51 : 제1상부전극패드
52 : 제2상부전극패드
53 : 제1하부전극패드
54 : 제2하부전극패드
60 : 패드
70 : 방열홈
80 : 피막
90 : 경사홈10: transparent substrate
20: first semiconductor layer
21: first electrode layer
30: active layer
40: second semiconductor layer
41: second electrode layer
50: base plate
51: first upper electrode pad
52: second upper electrode pad
53: first lower electrode pad
54: second lower electrode pad
60: pad
70: heat dissipation groove
80: film
90: inclined groove

Claims (8)

투명기판과, 상기 투평기판의 하부에 고정되고 저면에는 제1영역과 제2영역이 단차지도록 형성된 제1반도체층과, 상기 제1반도체층에 전원을 공급하도록 상기 제1영역 상에 형성된 제1전극층과, 상기 제2영역에 형성된 활성층과, 상기 활성층에 형성된 제2반도체층과, 상기 제2반도체층에 상기 제1반도체층과 반대되는 극성의 전원을 공급하도록 상기 제2반도체층에 형성된 제2전극층을 포함하는 발광다이오드 모듈과;
상기 제1전극층과 상기 제2전극층에 각각 접합되는 솔더 볼을 통해 상기 제1전극층과 상기 제2전극층에 각각 서로 다른 극성의 전원을 공급하기 위한 전극패드가 마련된 베이스플레이트와;
상기 베이스플레이트의 저면에 형성되어 상기 발광다이오드 모듈에서 발생하는 열을 방출하기 위한 방열부;를 구비하고,
상기 베이스플레이트의 저면에는 상기 베이스플레이트의 내측을 향하여 인입된 다수의 방열홈들이 형성되며, 상기 방열홈의 내주면에는 알루미늄 피막이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
A transparent substrate, a first semiconductor layer fixed to a lower portion of the transflective substrate, and having a first region and a second region stepped on a bottom thereof, and a first formed on the first region to supply power to the first semiconductor layer. An electrode layer, an active layer formed in the second region, a second semiconductor layer formed on the active layer, and a second semiconductor layer formed on the second semiconductor layer to supply power having a polarity opposite to that of the first semiconductor layer to the second semiconductor layer. A light emitting diode module including a two electrode layer;
A base plate provided with electrode pads for supplying power having different polarities to the first electrode layer and the second electrode layer through solder balls respectively bonded to the first electrode layer and the second electrode layer;
And a heat dissipation unit formed on a bottom surface of the base plate to dissipate heat generated from the light emitting diode module.
The bottom surface of the base plate is formed with a plurality of heat dissipation grooves that are drawn toward the inner side of the base plate, the inner light emitting diode package, characterized in that the aluminum film is formed on the inner circumferential surface of the heat dissipation groove.
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