KR101379017B1 - 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 배치되어 있는 제1 배향막, 제1 배향막 위에 배치되어 있는 제1 고분자 네트워크, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 배치되어 있는 제2 배향막, 제2 배향막 위에 배치되어 있는 제2 고분자 네트워크, 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이에 주입되어 있으며, 트위스트 상태와 스플레이 상태로 스위칭 하는 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함한다.

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND MANUFACTURING METHOF THEREOF}
본 발명은 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 (BCSN: bistable chiral splay nematic) 액정 모드의 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치 중, 액정의 쌍안정성 특성을 이용한 메모리 모드는 낮은 소비 전력으로 구동이 가능하고, 영구적인 정보 표시가 가능하여, 전자책(E-book)이나 개인 휴대 단말기(PDA) 등과 같은 휴대용 액정 표시 장치에 적용될 수 있다.
쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 (BCSN, bistable chiral splay nematic) 액정 모드는 스플레이 액정 층을 이용하여, 다이나믹 모드와 메모리 모드를 동시에 구현할 수 있는 새로운 액정 모드이다. BCSN 액정 모드의 다이나믹 모드는 로우 밴드(low bend) 상태와 하이 밴드(high bend) 상태를 스위칭 함으로써 구현할 수 있고, 메모리 모드는 180도 트위스트(π twist) 상태와 초기 배향 상태인 스플레이(splay) 상태를 스위칭함으로써 구현할 수 있다.
BCSN 액정 모드의 액정 셀의 메모리 모드 및 다이나믹 모드에서의 메모리 특성은 액정 셀의 셀 간격(d)과 액정 분자의 피치(p)의 비(d/p), 액정과 배향막 사이의 표면 고정에너지, 및 액정의 탄성 계수 등에 의해 결정되기 때문에, 영구적인 메모리 특성을 부여하기 위해서는 물질 및 제작 조건에 제한을 받게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 BCSN 액정 모드의 액정 셀의 메모리 모드에서, 메모리 특성을 향상시킬 수 있는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 제1 절연 기판, 제1 절연 기판 위에 배치되어 있는 제1 배향막, 제1 배향막 위에 배치되어 있는 제1 고분자 네트워크, 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판, 제2 절연 기판 위에 배치되어 있는 제2 배향막, 제2 배향막 위에 배치되어 있는 제2 고분자 네트워크, 제1 절연 기판과 제2 절연 기판 사이에 주입되어 있으며, 트위스트 상태와 스플레이 상태로 스위칭 하는 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함한다.
제1 고분자 네트워크 및 제2 고분자 네트워크는 리액티브 메조겐 고분자 네트워크일 수 있다.
제1 절연 기판 및 제1 배향막 사이에 배치되어 있는 제1 전극 및 제2 전극, 그리고 제2 절연 기판 및 제2 배향막 사이에 배치되어 있는 제3 전극을 더 포함할 수 있다.
제1 전극과 제2 전극은 서로 절연되어, 액정층에 수평 전계를 인가할 수 있다.
제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나와 제3 전극은 액정층에 수직 전계를 인가할 수 있다.
제1 배향막과 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되어 있을 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은 제1 표시판을 형성하는 단계, 제2 표시판을 형성하는 단계, 그리고 제1 표시판 및 제2 표시판을 합착한 후, 제1 표시판 및 제2 표시판 사이에 트위스트 상태와 스플레이 상태로 스위칭 하는 복수의 액정 분자를 포함하는 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 표시판을 형성하는 단계는 제1 절연 기판 위에 제1 전극, 절연막 및 제2 전극을 차례로 형성하는 단계, 제2 전극 및 상기 절연막 위에 제1 배향막을 형성하는 단계, 제1 배향막 위에 유기 용매 및 리액티브 메조겐이 포함되어 있는 혼합물층을 형성하는 단계, 혼합물층에 자외선을 조사하여 리액티브 메조겐을 고분자화 하여 제1 고분자 네트워크를 형성하는 단계를 포함한다.
혼합물층에 함유된 리액티브 메조겐의 양은 0.7 중량% 이하일 수 있다.
제2 표시판을 형성하는 단계는 제2 절연 기판 위에 제3 전극 및 제2 배향막을 차례로 형성하는 단계, 제2 배향막 위에 유기 용매 및 리액티브 메조겐이 포함되어 있는 혼합물층을 형성하는 단계, 혼합물층에 자외선을 조사하여 리액티브 메조겐을 고분자화 하여 제2 고분자 네트워크를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 배향막과 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 액정과 배향막 표면 사이의 표면 고정 에너지를 향상 리액티브 메조겐 고분자 네트워크를 포함함으로써, BCNS 액정 모드의 메모리 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 메모리 모드의 단면도이다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 따라 액정 표시 장치를 제조하는 단계를 차례대로 나타내는 단면도이다.
도 6은 배향막 위에 코팅되는 RM의 농도에 따른 표면 고정 에너지 변화를 측정한 그래프이다.
도 7은 일반적인 BCNS 액정 셀과 RM 네트워크 구조물이 형성된 BCNS 액정 셀의 메모리 특성을 측정한 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 설명한다.
먼저, 도 1를 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 1는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 메모리 모드의 단면도이다. 여기서, 도 1은 초기 배향 상태인 스플레이 상태를 도시한다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 서로 마주보는 제1 표시판(100) 및 제2 표시판(200), 그리고 두 표시판(100, 200) 사이에 주입되어 있는 액정층(3)을 포함한다.
제1 표시판(100)은 제1 절연 기판(110), 제1 절연 기판(110) 위에 배치되어 있으며, 서로 절연되어 액정층(3)에 수평 전계를 형성하는 제1 전극(191a) 및 제2 전극(191b), 제1 배향막(11) 및 제1 고분자 네트워크(15)를 포함한다.
제1 전극(191a)과 제2 전극(191b) 사이에는 절연막(180)이 배치되어 있다. 도 1에서는 제1 전극(191a)이 판 형태를 가지지만, 제1 전극(191a)과 제2 전극(191b)의 형태는 도시한 실시예에 한정되지 않고, 서로 절연되어 수평 전계를 형성할 수 있는 모든 형태를 가질 수 있다.
제1 배향막(11)은 제2 전극(191b) 및 절연막(180) 위에 배치되어 있고, 제1 고분자 네트워크(15)는 제1 배향막(11) 위에 배치되어 있다.
제2 표시판(200)은 제2 절연 기판(210), 제2 절연 기판(210) 위에 배치되어 있는 제3 전극(270), 제2 배향막(21) 및 제2 고분자 네트워크를 포함한다. 제2 배향막(21)은 제3 전극(270) 위에 배치되어 있고, 제2 고분자 네트워크(25)는 제2 배향막(21) 위에 배치되어 있다.
제2 표시판(200)의 제3 전극(270)과 제1 표시판(100)의 제1 전극(191a) 및 제2 전극(191b)은 액정층(3)에 수직 전계를 형성할 수 있다.
제1 표시판(100)의 제1 배향막(11)과 제2 표시판(200)의 제2 배향막(21)은 서로 평행하게 러빙되어 있을 수 있다.
제1 고분자 네트워크(15) 및 제2 고분자 네트워크(25)는 리액티브 메조겐(RM: Reactive Mesogen) 고분자 네트워크일 수 있다. 여기서, 리액티브 메조겐(RM)은 중합성 메조겐성 화합물을 의미한다. "메조겐성 화합물" 또는 "메조겐성 물질"은 하나 이상의 막대 모양, 판 모양 또는 디스크 모양 메조겐성 기, 즉 액정상 거동을 유도할 수 있는 능력을 가진 기를 포함하는 물질 또는 화합물을 포함한다. 막대 모양 또는 판모양 기를 가진 액정 화합물은 캘라미틱(calamitic) 액정으로서 당분야에 공지되어 있고, 디스크 모양 기를 가진 액정 화합물은 디스코틱 액정으로서 당분야에 공지되어 있다. 메조겐성 기를 포함하는 화합물 또는 물질은 필수적으로 그 자체로서 액정상을 나타낼 필요는 없다. 또한, 다른 화합물과의 혼합물에서만, 또는 메조겐성 화합물 또는 물질, 또는 그들의 혼합물의 중합 시 액정상 거동을 나타내는 것이 가능하다.
리액티브 메조겐은 자외선 등의 광에 의하여 중합되며, 인접한 물질의 배향 상태에 따라 배향되는 물질이다. 리액티브 메조겐의 예로는 아래의 식으로 표현되는 화합물을 들 수 있다:
P1-A1-(Z1-A2)n-P2,
여기서, P1과 P2는 아크릴레이트(acrylate), 메타크릴레이트(methacrylate), 비닐(vinyl), 비닐옥시(vinyloxy) 및 에폭시(epoxy) 그룹 중에서 독립적으로 선택되는 것이고, A1과 A2는 1,4-페닐렌(phenylen)과 나프탈렌(naphthalene)-2,6-다일(diyl) 그룹 중에서 독립적으로 선택되는 것이며, Z1은 COO-, OCO- 및 단일 결합 중의 하나이고, n은 0, 1 및 2 중의 하나이다.
좀 더 구체적으로는 아래의 화학식 1 내지 화학식 3 중 하나로 표현되는 화합물을 들 수 있다:
[화학식 1]
Figure 112012032954730-pat00001
[화학식 2]
Figure 112012032954730-pat00002
[화학식 3]
Figure 112012032954730-pat00003
여기서, P1과 P2는 아크릴레이트(acrylate), 메타크릴레이트(methacrylate), 비닐(vinyl), 비닐옥시(vinyloxy) 및 에폭시(epoxy) 그룹 중에서 독립적으로 선택되는 것이다.
액정층(3)은 복수의 액정 분자(31)를 포함한다. 복수의 액정 분자(31)는 쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 (BCSN, bistable chiral splay nematic) 액정 모드의 액정 분자를 포함하고, 스플레이 상태와 180도 트위스트 상태 사이에서 스위칭하는 메모리 모드 상태에 있다.
제1 고분자 네트워크(15) 및 제2 고분자 네트워크(25)는 각각 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21)의 러빙 방향으로의 비등방적 특성을 향상시키고, 액정 분자(31)와 제1 배향막(11) 및 제2 배향막(21) 표면 사이의 표면 고정 에너지(azimuthal anchoring energy)의 값을 증가시킨다. 향상된 표면 고정에너지는 BCSN 액정 모드의 두 가지 안정된 액정 배향 상태인 스플레이 및 180도 트위스트 액정 배향 상태 사이에 에너지 장벽을 증가시켜 각 액정 배향 상태를 독립적으로 안정화 시킬 수 있다.
특히, 높은 에너지 장벽으로 인해 메모리 모드 구현을 위한 180도 트위스트 액정 배향 상태에서 스플레이 액정 배향 상태로의 전이를 저지하기 유리해지기 때문에 BCSN 액정 모드의 메모리 유지 시간을 증진시킬 수 있다.
이어서, 도 2 내지 도 5 및 도 1을 참고하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법에 따라 제1 표시판(100)을 제조하는 단계를 차례대로 나타내는 단면도이다.
도 2를 참고하면, 제1 절연 기판(110) 위에 제1 전극(191a), 절연막(180) 및 제2 전극(191b)를 차례로 형성한다. 여기서, 제1 전극(191a)이 판 형태를 가지지만, 제1 전극(191a)과 제2 전극(191b)의 형태는 도시한 실시예에 한정되지 않고, 서로 절연되어 수평 전계를 형성할 수 있는 모든 형태를 가질 수 있다.
이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 제2 전극(191b) 및 절연막(180) 위에 제1 배향막(11)을 형성하고, 러빙 공정을 실시한다. 여기서, 제1 배향막(11)의 러빙 방향은 제2 표시판(200)의 제2 배향막(21)과 서로 평행할 수 있다.
이어서, 도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 제1 배향막(11) 위에 유기 용매에 리액티브 메조겐이 혼합된 혼합물을 코팅하여 혼합물층(16)을 형성한다. 여기서, 코팅은 스핀(spin) 코팅 공정일 수 있고, 리액티브 메조겐은 혼합물의 총 중량에 대해 0.7 중량% 이하로 포함되어 있을 수 있다.
이 후, 건조 공정을 실시하여 유기 용매를 증발 시킨 후, 자외선을 조사하여 리액티브 메조겐을 고분자화 하여, 제1 고분자 네트워크(15)를 형성한다. 여기서, 자외선의 파장는 365nm 이고, 자외선의 복사 강도는 13mW/cm2 일 수 있다.
또한, 도시하지는 않았지만, 제2 절연 기판(210) 위에 제3 전극(270) 및 제2 배향막(25)을 차례로 형성한 다음, 제2 배향막(25) 위에 도 4 및 도 5에 도시한 것과 같이, 유기 용매에 리액티브 메조겐이 혼합된 혼합물을 코팅한 후, 건조 공정을 실시하여 유기 용매를 증발 시킨 다음, 자외선을 조사하여 리액티브 메조겐을 고분자화 하여, 제2 고분자 네트워크(25)를 형성한다. 이와 같은 공정으로 제2 표시판(200)을 형성한다.
이어서, 도 1에 도시한 바와 같이, 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200)을 합착한 다음, 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200) 사이에 BCSN 액정을 주입한다.
그러면, 도 6을 참고하여 혼합물의 리액티브 메조겐의 농도에 따른 액정과 배향막 표면 사이의 표면 고정 에너지(azimuthal anchoring energy)의 변화에 대하여 설명한다.
도 6은 혼합물의 리액티브 메조겐의 농도에 따른 액정과 배향막 표면 사이의 표면 고정 에너지(azimuthal anchoring energy)의 변화를 측정한 그래프이다.
도 6을 참고하면, 고분자 네트워크를 형성하는 리액티브 메조겐의 함유량이 증가할수록 표면 고정에너지는 증진되며 약 0.7 중량%의 조건에서 포화된다. 즉, 리액티브 메조겐이 0.7 중량% 이상 함유된 혼합물을 코팅할 경우 액정 배향의 균일성을 떨어뜨리므로, 균일한 액정 배향 특성을 고려하여 혼합물에 리액티브 메조겐의 함유량은 0.7 중량% 이하로 한다.
그러면, 도 7을 참고하여, 일반적인 BCSN 액정 셀과 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀의 메모리 특성에 대하여 설명한다.
도 7은 일반적인 BCSN 액정 셀(Normal BCSN LC cell)과 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀(BCSN LC cell by RM 0.7% treatment)의 메모리 특성을 측정한 그래프이다.
일반적인 BCSN 액정 셀과 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀에 주입된 BCSN 액정 혼합물은 주 액정 재료(ZKC5085 from Chisso Co. Ltd) 에 카이랄 도펀프(chiral dopant, R-811 from Merck Co.)를 혼합하는데 혼합되는 카이랄 도펀트는 d(셀 갭)/p(피치)가 0.2가 되도록 하였다.
일반적인 BCSN 액정 셀에는 고분자 네트워크를 형성하지 않았다.
고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀에는 배향막 위에 유기 솔벤트인 PGMEA(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate)에 리액티브 메조겐이 함유된 혼합물을 코팅한 후, 건조한 다음 자외선을 조사하여 고분자 네트워크를 형성하였다. 이 때, 리액티브 메조겐의 함유량은 혼합물에 대해 0.7 중량% 이다.
도 7은 동일한 화소 면적(0.8mm2 ㅧ 0.8mm2)을 기준으로 시간에 따른 180도 트위스트 액정 배향 상태의 투과율 변화를 측정한 값이다.
일반적인 BCSN 액정 셀의 경우 180도 트위스트로 전이 후 액정 배향 상태가 약 12시간 동안 유지되며 이 후 스플레이 액정 배향 상태로 전이 되었다. 이에 반해 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀의 경우, 약 28 시간 동안 180도 트위스트 액정 배향 상태가 유지되며 일반적인 BCSN 액정 셀보다 느린 전이 속도를 나타내었다.
그리고, 스플레이 액정 배향 상태로 완전히 전이는 일반적인 BCSN 액정 셀의 경우 약 20시간이 소요되는 반면, 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀의 경우, 약 38시간이 소요되었다.
즉, 고분자 네트워크가 형성된 BCSN 액정 셀의 경우, 액정과 배향막 표면 사이의 표면 고정 에너지를 향상시키고, 이로 인해 안정된 액정 배향 상태 사이 즉, 스플레이 상태와 180도 트위스트 상태 사이의 에너지 장벽을 높임으로써 메모리 특성을 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 제1 표시판 11: 제1 배향막
15: 제1 고분자 네트워크 200: 제2 표시판
21: 제2 배향막 25: 제2 고분자 네트워크
3: 액정층 31: 액정 분자

Claims (20)

  1. 제1 절연 기판
    상기 제1 절연 기판 위에 배치되어 있는 제1 배향막,
    상기 제1 배향막 위에 배치되어 있는 제1 고분자 네트워크,
    상기 제1 절연 기판과 마주하는 제2 절연 기판,
    상기 제2 절연 기판 위에 배치되어 있는 제2 배향막,
    상기 제2 배향막 위에 배치되어 있는 제2 고분자 네트워크,
    상기 제1 절연 기판과 상기 제2 절연 기판 사이에 주입되어 있으며, 쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 액정 모드의 복수의 액정 분자를 포함하는 액정층을 포함하고,
    상기 액정 분자는 트위스트 상태와 스플레이 상태로 스위칭 하고,
    상기 제1 고분자 네트워크는 상기 액정 분자와 상기 제1 배향막의 표면 사이의 표면 고정에너지 값을 증가시켜, 에너지 장벽을 변화시키고,
    상기 제2 고분자 네트워크는 상기 액정 분자와 상기 제2 배향막의 표면 사이의 표면 고정에너지 값을 증가시켜, 에너지 장벽을 변화시키는 액정 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 고분자 네트워크 및 상기 제2 고분자 네트워크는 리액티브 메조겐 고분자 네트워크인 액정 표시 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 절연 기판 및 상기 제1 배향막 사이에 배치되어 있는 제1 전극 및 제2 전극, 그리고
    상기 제2 절연 기판 및 상기 제2 배향막 사이에 배치되어 있는 제3 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 절연되어,
    상기 액정층에 수평 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  5. 제4항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 제3 전극은 상기 액정층에 수직 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되어 있는 액정 표시 장치.
  7. 제3항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 제3 전극은 상기 액정층에 수직 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되어 있는 액정 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 제1 절연 기판 및 상기 제1 배향막 사이에 배치되어 있는 제1 전극 및 제2 전극, 그리고
    상기 제2 절연 기판 및 상기 제2 배향막 사이에 배치되어 있는 제3 전극을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  10. 제9항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 절연되어,
    상기 액정층에 수평 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  11. 제10항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 제3 전극은 상기 액정층에 수직 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  12. 제11항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되어 있는 액정 표시 장치.
  13. 제9항에서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 제3 전극은 상기 액정층에 수직 전계를 인가하는 액정 표시 장치.
  14. 제13항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되어 있는 액정 표시 장치.
  15. 제1 표시판을 형성하는 단계,
    제2 표시판을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판을 합착한 후, 상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판 사이에 쌍안정 카이랄 스플레이 네마틱 액정 모드의 복수의 액정 분자를 포함하는 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 표시판을 형성하는 단계는
    제1 절연 기판 위에 제1 전극, 절연막 및 제2 전극을 차례로 형성하는 단계,
    상기 제2 전극 및 상기 절연막 위에 제1 배향막을 형성하는 단계,
    상기 제1 배향막 위에 유기 용매 및 리액티브 메조겐이 포함되어 있는 혼합물층을 형성하는 단계,
    상기 혼합물층에 자외선을 조사하여 상기 리액티브 메조겐을 고분자화 하여 제1 고분자 네트워크를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 액정 분자는 트위스트 상태와 스플레이 상태로 스위칭하고,
    상기 제1 고분자 네트워크는 상기 액정 분자와 상기 제1 배향막의 표면 사이의 표면 고정에너지 값을 증가시켜, 에너지 장벽을 변화시키는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 혼합물층에 함유된 리액티브 메조겐의 양은 0.7 중량% 이하인 액정 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 제2 표시판을 형성하는 단계는
    제2 절연 기판 위에 제3 전극 및 제2 배향막을 차례로 형성하는 단계,
    상기 제2 배향막 위에 상기 유기 용매 및 상기 리액티브 메조겐이 포함되어 있는 상기 혼합물층을 형성하는 단계,
    상기 혼합물층에 자외선을 조사하여 상기 리액티브 메조겐을 고분자화 하여 제2 고분자 네트워크를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 고분자 네트워크는 상기 액정 분자와 상기 제2 배향막의 표면 사이의 표면 고정에너지 값을 증가시켜, 에너지 장벽을 변화시키는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제15항에서,
    상기 제2 표시판을 형성하는 단계는
    제2 절연 기판 위에 제3 전극 및 제2 배향막을 차례로 형성하는 단계,
    상기 제2 배향막 위에 상기 유기 용매 및 상기 리액티브 메조겐이 포함되어 있는 상기 혼합물층을 형성하는 단계,
    상기 혼합물층에 자외선을 조사하여 상기 리액티브 메조겐을 고분자화 하여 제2 고분자 네트워크를 형성하는 단계를 포함하고
    상기 제2 고분자 네트워크는 상기 액정 분자와 상기 제2 배향막의 표면 사이의 표면 고정에너지 값을 증가시켜, 에너지 장벽을 변화시키는 액정 표시 장치의 제조 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 제1 배향막과 상기 제2 배향막은 서로 평행한 방향으로 러빙되는 액정 표시 장치의 제조 방법.
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