KR101374006B1 - Method of manufacturing liquid crystal panel - Google Patents

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신지 스즈키
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Abstract

신뢰성의 저하를 초래하지 않고, 단시간에 액정 패널의 배향 처리를 행할 수 있는 액정 패널의 제조 방법을 제공하는 것으로, 2매의 광투과성 기판(유리 기판)(3a, 3b)의 사이에 자외선 반응 재료를 함유한 액정(3c)를 봉입한 액정 패널(3)에 대해서, 전압을 인가하면서 광조사부(1)로부터 광을 조사한다. 광조사부(1)의 광원(1)으로서는, 액정의 흡수단 파장인 320㎚ 이하의 광과, 파장이 320㎚ 이상인 광을 포함하고, 파장이 320㎚ 이상인 광의 조사량이, 파장이 320㎚ 이하인 광의 조사량보다 큰 것이 사용되고, 파장이 320㎚ 이하인 광은, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 일어나지 않는 조사량이 되도록 선정된다. 광원(1a)으로서, 예를 들면, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논을 봉입한 옥소 엑시머 램프를 사용할 수 있다.By providing the manufacturing method of the liquid crystal panel which can perform the alignment process of a liquid crystal panel in a short time, without causing a fall of reliability, an ultraviolet-ray reaction material between two light-transmissive substrates (glass substrate) 3a, 3b. Light is irradiated from the light irradiation part 1 with the voltage applied to the liquid crystal panel 3 which filled the liquid crystal 3c containing this. As the light source 1 of the light irradiation part 1, the irradiation amount of the light whose wavelength is 320 nm or more contains the light of 320 nm or less which is the absorption edge wavelength of a liquid crystal, and the light whose wavelength is 320 nm or more, What is larger than an irradiation amount is used, and the light whose wavelength is 320 nm or less is selected so that it may exceed the irradiation amount in which all the ultraviolet-ray reactive materials generate a polymerization reaction, but the irradiation amount which does not produce the fall of the reliability by decomposition | disassembly of a liquid crystal. As the light source 1a, for example, a phosphor lamp, an oxo excimer lamp, and an oxo excimer lamp in which xenon is enclosed can be used.

Description

액정 패널의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL}Manufacturing method of liquid crystal panel {METHOD OF MANUFACTURING LIQUID CRYSTAL PANEL}

본 발명은, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 방식의 액정 패널의 제조 방법에 관한 것이며, 특히, 2매의 유리 기판의 사이에, 전압 인가에 의해 배향하는 배향성을 가지는 액정과 자외선에 반응하여 중합을 일으키는 광반응성 물질을 혼합한 재료를 봉입해 두고, 이 액정 패널에 자외선을 조사해 자외선 반응 재료를 중합시킴으로써 배향막을 유리판 상에 형성하는 액정 패널의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a liquid crystal panel of a multi-domain vertical alignment (MVA) method, and in particular, polymerizes in response to a liquid crystal having an alignment property oriented by voltage application between two glass substrates and an ultraviolet ray. The manufacturing method of the liquid crystal panel which seals the material which mixed the photoreactive substance which raise | occur | produces, and forms an alignment film on a glass plate by irradiating an ultraviolet-ray to this liquid crystal panel and polymerizing an ultraviolet-ray reactive material.

액정 패널은, 2매의 광투과성 기판(유리 기판)의 사이에 액정을 봉입한 구조이며, 한쪽의 유리판 상에 다수의 액티브 소자(TFT)와 액정 구동용 전극을 형성하고, 그 위에 배향막을 형성하고 있다. 다른쪽의 유리 기판에는, 컬러 필터, 배향막, 그리고 투명 전극(ITO)을 형성하고 있다. 그리고 양 유리 기판의 배향막간에 액정을 봉입하고, 시일제로 주위를 시일링하고 있다.The liquid crystal panel is a structure in which liquid crystal is enclosed between two light-transmissive substrates (glass substrates), and a plurality of active elements (TFTs) and liquid crystal driving electrodes are formed on one glass plate, and an alignment film is formed thereon. Doing. On the other glass substrate, a color filter, an alignment film, and a transparent electrode (ITO) are formed. And liquid crystal is enclosed between the orientation films of both glass substrates, and the circumference is sealed with the sealing compound.

이러한 구조의 액정 패널에 있어서, 배향막은, 전극간에 전압을 인가하여 액정을 배향시키는 액정 배향을 제어하기 위한 것이다. In the liquid crystal panel of such a structure, an alignment film is for controlling the liquid crystal alignment which orientates a liquid crystal by applying a voltage between electrodes.

종래, 배향막의 제어는 러빙에 의해 행해져 왔지만, 근래, 새로운 배향 제어 기술이 시도되고 있다. Conventionally, the control of the alignment film has been performed by rubbing, but recently, a new orientation control technique has been tried.

그것은, TFT 소자가 설치된 제1 유리 기판과 당해 제1 유리 기판에 상대되는 제2 유리 기판의 사이에, 전압 인가에 의해 배향하는 배향성을 가지는 액정과, 자외선에 반응하여 중합을 일으키는 광반응성 물질(자외선 반응 재료)을 혼합한 재료를 봉입해 두고, 이 액정 패널에 전압을 인가하면서 자외선을 조사하여 자외선 반응 재료를 중합시키고, 유리 기판에 접하는 액정(즉 표층의 대략 1분자층)의 방향을 고정함으로써, 액정에 프리틸트 앵글(pretilt angle)을 부여한다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).It is a liquid crystal having an orientation oriented by voltage application between a first glass substrate provided with a TFT element and a second glass substrate opposed to the first glass substrate, and a photoreactive substance that reacts with ultraviolet rays to cause polymerization ( The material which mixed the ultraviolet-ray reactive material) is enclosed, and while applying a voltage to this liquid crystal panel, it irradiates an ultraviolet-ray and superpose | polymerizes an ultraviolet-ray reactive material, and fixes the direction of the liquid crystal (that is, about 1 molecular layer of a surface layer) contacting a glass substrate. This gives a pretilt angle to a liquid crystal (for example, refer patent document 1).

이 방법에 의하면, 종래 프리틸트 앵글을 부여하기 위해서 필요했던 경사면을 가진 돌기물이 불필요해지므로, 액정 패널의 제조 공정을 간략화할 수 있다. 따라서, 액정 패널의 제조 코스트나 제조 시간을 삭감할 수 있음과 더불어, 돌기물에 의한 그림자가 없어지므로 개구율을 개선할 수 있는 이점이 있다.According to this method, since the projection which has the inclined surface which was conventionally required in order to give a pretilt angle becomes unnecessary, the manufacturing process of a liquid crystal panel can be simplified. Therefore, the manufacturing cost and manufacturing time of the liquid crystal panel can be reduced, and the shadow caused by the projections is eliminated, so that the opening ratio can be improved.

이 새로운 배향 제어를 행하는 액정 패널의 제조 기술에 있어서, 액정과 자외선 반응 재료를 혼합한 재료(이하 자외선 반응 재료를 포함하는 액정이라고 하는 경우도 있다)에 대해서 자외선을 조사하는 처리 방법에 관해서, 몇 개인가 제안이 이루어져 있다.In the manufacturing technology of the liquid crystal panel which performs this new orientation control, about the processing method which irradiates an ultraviolet-ray with respect to the material (Hereinafter, it may be called liquid crystal containing an ultraviolet-ray reactive material) which mixed a liquid crystal and an ultraviolet-ray reactive material, Individual suggestions are made.

(1)특허 문헌 2에 기재된 「액정 표시 소자 장치 및 그 제조 방법」에 있어서는, 제1 조건의 자외선 조사와, 중합 속도가 제1 조건의 자외선 조사보다 큰 제2 조건의 자외선 조사를, 이 순서로 조합하여 행하는 액정 표시 장치의 제조 방법(특허 문헌 2의 단락 0012의 기재 등 참조)이 제안되어 있다.(1) In "Liquid crystal display element apparatus and its manufacturing method" described in Patent Document 2, ultraviolet irradiation of the first condition and ultraviolet irradiation of the second condition in which the polymerization rate is larger than ultraviolet irradiation of the first condition are performed in this order. The manufacturing method (refer to description of Paragraph 0012 of patent document 2, etc.) performed in combination with the above is proposed.

구체적으로는, 방사 조도와 적산 강도가, 제2 조건의 쪽이 제1 조건보다 큰 조건으로 자외선 조사를 행한다. 이와 같이 하면, 제1 조건의 자외선 조사에서는, 비교적 완만한 중합때문에, 배향 이상의 발생을 억제할 수 있고, 그 후는 중합 속도를 올려도 문제없고, 배향 이상이 없는, 혹은 억제된 액정층을 얻을 수 있다. 또, 제2 조건의 자외선 조사에서는 310㎚ 부근의 저파장 성분의 비율을 많게 하는 것이 바람직하다고 쓰여져 있다(특허 문헌 2의 단락 0037의 기재 등 참조).Specifically, ultraviolet irradiation is performed under conditions in which the irradiance and integrated intensity are larger than the first condition in the second condition. In this way, in the ultraviolet irradiation under the first conditions, the occurrence of alignment abnormality can be suppressed due to relatively slow polymerization, and thereafter, even if the polymerization rate is raised, there is no problem, and there is no problem of alignment abnormality, or a suppressed liquid crystal layer can be obtained. have. Moreover, it is said that it is preferable to increase the ratio of the low wavelength component of around 310 nm in ultraviolet irradiation of 2nd conditions (refer the description of Paragraph 0037 of patent document 2, etc.).

(2)특허 문헌 3에 기재된 「액정 표시 소자 장치 및 그 제조 방법」에 있어서는, 「액정을 열화시키지 않기 위해서는, 필터를 이용해 310㎚ 미만의 단파장 영역을 커트한 자외선을 조사하는 쪽이 좋은 것을 알았다.」, 「단, 파장 310㎚에서의 강도를 완전히 제로로 해버리면 원하는 액정 배향이 얻기 어려워진다. 그 때문에, 파장 310㎚에서의 강도가 0.02∼0.05㎽/㎠ 정도는 포함된 광원을 이용하는 쪽이 바람직하다.」(특허 문헌 3의 단락 0019의 기재 등 참조)라고 하는 지견이 나타나 있다.(2) In "liquid crystal display element apparatus and its manufacturing method" of patent document 3, it turned out that "in order not to deteriorate a liquid crystal, it is better to irradiate the ultraviolet-ray which cut short wavelength region of less than 310 nm using a filter. ... "However, if the intensity | strength in wavelength 310nm is made into zero completely, desired liquid crystal orientation will become difficult to obtain. Therefore, it is preferable to use the light source which contained the intensity | strength about 0.02-0.05 mW / cm <2> in wavelength 310nm. "(The description of Paragraph 0019 of patent document 3 etc.) is shown.

(3)특허 문헌 4에 기재된 「액정 표시 소자 장치 및 그 제조 방법」에 있어서는, 짧은 파장의 자외선의 쪽이, 단시간에 액정의 수직 배향성을 얻는데에 있어서는 유리하지만, 액정 분자 등의 변질을 촉진하기 쉽고, 긴 파장의 자외선의 쪽은, 이 반대로, 액정 분자 등의 변질을 촉진하기 어렵지만, 액정의 수직 배향성을 얻는데 장시간을 필요로 하게 된다(특허 문헌 4의 단락 0031의 기재 등 참조)고 하여, 300㎚∼350㎚의 파장 성분(짧은 파장의 자외선)의 적산 강도의 범위와, 350㎚∼400㎚의 파장 성분(긴 파장의 자외선)의 적산 강도의 범위가 제안되어 있다.(3) In the "liquid crystal display element device and its manufacturing method" described in Patent Document 4, although shorter ultraviolet rays are advantageous in obtaining vertical alignment of the liquid crystal in a short time, promoting deterioration of liquid crystal molecules and the like. On the contrary, it is difficult to promote the deterioration of liquid crystal molecules and the like, but it is necessary to use a long time for obtaining the vertical alignment property of the liquid crystal (see description of paragraph 0031 of Patent Document 4). The range of the integration intensity of the wavelength component (UV of short wavelength) of 300 nm-350 nm, and the range of the integration intensity of the wavelength component (UV of long wavelength) of 350 nm-400 nm are proposed.

[선행 기술 문헌][Prior Art Literature]

[특허 문헌][Patent Document]

(특허문헌 1) 일본국 특허공개 2003-177408호 공보(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-177408

(특허문헌 2) 일본국 특허공개 2005-181582호 공보(Patent Document 2) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-181582

(특허문헌 3) 일본국 특허공개 2005-338613호 공보(Patent Document 3) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-338613

(특허문헌 4) 일본국 특허공개 2006-58755호 공보(Patent Document 4) Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-58755

상술한 바와 같이, 액정과 자외선 반응 재료를 혼합한 재료에 대해서 자외선을 조사하는 처리 방법에 관해서 몇 개의 제안이 이루어져 있지만, 우리가, 여러 가지의 실험을 행하고 검토한 결과, 다음과 같은 지견도 얻었다. As mentioned above, although several proposals have been made regarding the treatment method of irradiating ultraviolet rays to a material mixed with a liquid crystal and an ultraviolet reaction material, the following findings were also obtained as a result of our various experiments. .

즉, 상기와 같이 새로운 배향 제어를 사용하는 액정 패널에 있어서는, 액정에 자외선에 반응하여 중합을 일으키는 자외선 반응 재료가 혼합되고, 자외선 조사에 의해 이 자외선 반응 재료가 중합된다. 그러나, 액정 안에 미중합의 자외선 반응 재료가 남아 있으면, 액정 패널에 화면의 소부나 VHR(voltage holding ratio)의 저하, 콘트라스트의 저하 등이 생기고 신뢰성이 저하한다. 이하, 이것을 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하라고 부른다. 그 때문에, 액정에 혼합한 자외선 반응 재료는, 남김없이 중합시켜 버리지 않으면 안된다. That is, in the liquid crystal panel which uses a new orientation control as mentioned above, the ultraviolet-ray reaction material which superpose | polymerizes and reacts with an ultraviolet-ray to a liquid crystal is mixed, and this ultraviolet-ray reaction material superposes | polymerizes by ultraviolet irradiation. However, if the unpolymerized ultraviolet light-reactive material remains in the liquid crystal, burnout of the screen, lowering of VHR (voltage holding ratio), lowering of contrast, etc. occur in the liquid crystal panel, and reliability decreases. Hereinafter, this is called the fall of the reliability by the remainder of an ultraviolet-ray reaction material. Therefore, the ultraviolet-ray reaction material mixed with the liquid crystal must superpose | polymerize completely.

자외선 반응 재료의 중합을 촉진하기 위해서는, 자외선 반응 재료가 반응하는 파장의 광을 보다 많이 조사하면 된다. 일반적으로 자외선으로 중합하는 반응 재료는, 파장이 360㎚ 이하인 영역에 있어서 높은 반응 감도를 가진다. 그 한편, 특허 문헌 2, 3에 기재되어 있는 바와 같이, 짧은 파장의 자외선, 특히 파장이 310㎚ 이하인 광을 강하게 쏘이면 액정이 데미지를 입고 변질 열화한다고도 한다.What is necessary is just to irradiate more light of the wavelength to which an ultraviolet-ray reactive material reacts in order to accelerate superposition | polymerization of an ultraviolet-ray reactive material. Generally, the reaction material superposed | polymerized by an ultraviolet-ray has high reaction sensitivity in the area | region whose wavelength is 360 nm or less. On the other hand, as described in Patent Literatures 2 and 3, when strong ultraviolet rays of short wavelengths, especially light having a wavelength of 310 nm or less, are struck, liquid crystals may be damaged and deteriorate in quality.

그런데, 이 액정의 데미지, 변질, 열화가 구체적으로 어떠한 것을 말하는지, 또 그것이 조사되는 파장과 어떠한 관련성이 있는지는 알고 있지 않으며, 자외선 반응 재료를 남김없이 중합시키기 위해서 필요한 광의 파장의 범위나, 짧은 파장의 광이 액정에 부여하는 구체적인 영향에 대해서도 충분히 해명되어 있지 않았다.By the way, it is not known what damage, alteration, or deterioration of the liquid crystal specifically refers to, and how it relates to the wavelength to which it is irradiated. The specific influence which light imparts to a liquid crystal was not fully elucidated.

즉, 현재로서는, 액정에 자외선 반응 재료를 혼합하고 이것에 대해서 자외선을 조사하고 배향 제어를 행하는 MVA 방식의 액정 패널의 제조 방법에 있어서, 어떠한 파장 범위의 광을, 어떠한 비율로 조사하면, 액정 패널의 신뢰성을 저하시키지 않고 단시간에 배향 처리가 가능한지에 대해서는 분명하게 되어 있지 않았다. That is, at present, in the manufacturing method of the liquid crystal panel of the MVA system which mixes an ultraviolet-ray reactive material with a liquid crystal, irradiates an ultraviolet-ray, and performs orientation control, when a light of a certain wavelength range is irradiated by a certain ratio, It has not been made clear whether the orientation treatment can be performed in a short time without deteriorating the reliability.

본 발명은, 상기 자외선 반응 재료를 남김없이 중합시키기 위해서 필요한 광의 파장의 범위나, 짧은 파장의 광이 액정에 부여하는 구체적인 영향에 대한 지견에 기초하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 액정에 자외선 반응 재료를 혼합하고 이것에 대해서 자외선을 조사하고 배향 제어를 행하는 MVA 방식의 액정 패널의 제조 방법에 있어서, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하나 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하를 초래하지 않고, 단시간에 액정 패널의 배향 처리를 행할 수 있는 액정 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.This invention is made | formed based on the knowledge about the range of the wavelength of the light which is necessary to superpose | polymerize the said ultraviolet-ray-reactive material, and the specific influence which light of short wavelength gives to a liquid crystal, The objective of this invention is an ultraviolet-ray to a liquid crystal. In the method for producing a liquid crystal panel of an MVA system in which a reaction material is mixed, irradiated with ultraviolet rays, and orientation control is performed, without lowering the reliability due to the decomposition of the liquid crystal or the reliability due to the remaining of the ultraviolet reaction material. It is providing the manufacturing method of the liquid crystal panel which can perform the orientation process of a liquid crystal panel in a short time.

발명자들은, 예의 검토의 결과, 다음의 것을 발견했다. The inventors discovered the following as a result of earnestly examining.

우선, 현재 일반적으로 사용되고 있는 VA(Vertical Alignment)용의 부의 유전율 이방성을 가지는 액정(멜크사제)에 대해서, 광의 파장에 대한 투과율을 측정했다. 도 1에 그 결과인, 파장에 대한 액정의 투과율의 그래프를 나타낸다. 이 도면에 있어서, 횡축은 파장(㎚), 종축은 투과율(%)이다.First, the transmittance | permeability with respect to the wavelength of light was measured about the liquid crystal (made by Melk Corporation) which has negative dielectric constant anisotropy for VA (Vertical Alignment) currently generally used. The graph of the transmittance | permeability of the liquid crystal with respect to the wavelength which is a result in FIG. 1 is shown. In this figure, the horizontal axis represents wavelength (nm) and the vertical axis represents transmittance (%).

이 도면에 나타내는 바와 같이, 액정은 파장이 330㎚ 이상인 영역에서는 투과율은 100%이며 투명하지만, 파장이 320㎚ 이하인 광은 흡수되는 것을 알 수 있었다. 흡수된 광은 액정 분자를 분해한다.As shown in this figure, the liquid crystal has a transmittance of 100% and is transparent in a region having a wavelength of 330 nm or more, but it has been found that light having a wavelength of 320 nm or less is absorbed. The absorbed light decomposes the liquid crystal molecules.

즉, 액정이 광을 흡수하는 파장 이하의 파장(320㎚보다 단파장)의 광을 조사하면 액정은 분해하고, 이로 인해, 액정 패널의 신뢰성의 저하가 일어난다. 이하, 이것을 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하라고 한다. That is, when irradiating light of the wavelength (shorter wavelength than 320 nm) below the wavelength which a liquid crystal absorbs light, a liquid crystal will decompose | disassemble, and this causes the fall of the reliability of a liquid crystal panel. Hereinafter, this is called the fall of the reliability by disassembly of a liquid crystal.

또, 여기에서는, 상기 광을 흡수하는 파장 중, 가장 장파장인 파장(광의 파장을 짧게 했을 때에 광의 흡수가 시작되는 파장)을 흡수단 파장이라고 하고, 도 1에 나타낸 액정은 흡수단 파장이 320㎚이다.Herein, the wavelength (the wavelength at which light absorption starts when the wavelength of light is shortened) is the longest wavelength among the wavelengths for absorbing the light, and the liquid crystal shown in FIG. 1 has an absorption edge wavelength of 320 nm. to be.

이상과 같이, VA용의 액정인 부의 유전율 이방성을 가지는 액정은, 그 흡수단 파장이 320㎚이며, 320㎚에서 투과율이 저하해 가는 것이다.As mentioned above, the liquid crystal which has negative dielectric anisotropy which is a liquid crystal for VA is 320 nm in the absorption end wavelength, and the transmittance | permeability falls at 320 nm.

즉, 액정 패널의, 화면의 소부 VHR의 저하, 콘트라스트의 저하와 같은 신뢰성의 저하는, 상기한 흡수단 파장 이하의 광을 조사함으로써 발생하는 액정의 분해에 기인하는 것과, 상기한 자외선 반응 재료의 잔존에 기인하는 것으로 생각된다.That is, the lowering of the reliability such as the lowering of the burned-down VHR of the screen and the lowering of the contrast of the liquid crystal panel is due to the decomposition of the liquid crystal generated by irradiating light below the absorption end wavelength, It is thought to be due to the remaining.

다음에, MVA 방식의 액정 패널의 제조에 있어서, 현재, 일반적으로 사용되고 있는 액정에 포함시키는 자외선 반응 재료에 대해서, 광의 파장에 대한 흡광도를 측정했다. 광이 흡수되는, 즉 흡광도가 큰 파장의 영역에서 자외선 반응 재료는 중합 반응을 일으킨다. 도 2는 그 결과인, 파장에 대한 자외선 반응 재료의 흡광도를 나타낸다.Next, in manufacture of the liquid crystal panel of MVA system, the absorbance with respect to the wavelength of light was measured about the ultraviolet-ray reaction material currently contained in the liquid crystal currently used normally. In the region of the wavelength where light is absorbed, that is, the absorbance is high, the ultraviolet light reacting material causes a polymerization reaction. 2 shows the resulting absorbance of the ultraviolet reactive material to wavelength.

이 도면에 있어서, 횡축은 파장(㎚), 종축은 자외선 반응 재료의 흡광도(임의 단위)이다. 또한, 측정에는 액정과 자외선 반응 재료를 혼합한 재료를 이용하고, 자외선 반응 재료의 농도를, 1% 이하의 예를 들면, 0.1w%(W%란 중량퍼센트를 가리킨다)로 한 경우와, 0.01w%로 한 경우의 2종류에 대해서 측정했다. 재료의 두께는 15㎛ 이하이다. In this figure, the horizontal axis represents wavelength (nm), and the vertical axis represents absorbance (arbitrary unit) of the ultraviolet light reactive material. In addition, the measurement used the material which mixed the liquid crystal and an ultraviolet-ray reaction material, and when the density | concentration of an ultraviolet-ray reaction material is 1% or less, for example, 0.1 w% (W% refers to a weight percentage), and 0.01, It measured about two types in the case where it was set to w%. The thickness of the material is 15 μm or less.

이 도면에 나타내는 바와 같이, 자외선 반응 재료는, 농도가 높은(예를 들면 0.1w%) 상태에 있어서는, 파장이 370㎚ 이하인 영역에 있어서 광을 흡수한다. 즉, 자외선 반응 재료의 흡수단 파장은 370㎚이며, 파장이 370㎚ 이하인 광을 조사하면 중합 반응을 일으킨다.As shown in this figure, in the state of high concentration (for example, 0.1 w%), an ultraviolet-ray reaction material absorbs light in the area | region whose wavelength is 370 nm or less. That is, the wavelength of the absorption edge of the ultraviolet light reactive material is 370 nm, and irradiation with light having a wavelength of 370 nm or less causes a polymerization reaction.

그러나, 중합 반응이 진행되고 반응 재료의 양이 적어지면, 파장이 330㎚ 이상인 광에서는 중합 반응이 진행되지 않게 되는 것을 알았다. 이것은, 반응 재료의 농도가 낮아지면(중합 반응이 90% 진행되고, 반응 재료의 농도가 0.01w%가 된다), 외관상, 장파장의 광은 거의 흡수되지 않게 되기 때문이라고 생각된다.However, it was found that when the polymerization reaction proceeds and the amount of the reaction material decreases, the polymerization reaction does not proceed with light having a wavelength of 330 nm or more. This is considered to be because when the concentration of the reaction material is lowered (polymerization reaction proceeds 90% and the concentration of the reaction material becomes 0.01w%), the light having a long wavelength is almost not absorbed.

이상과 같이, 파장이 370㎚ 이하인 광으로 중합 반응을 일으키는 자외선 반응 재료여도, 파장이 330㎚ 이하인 광을 조사하지 않으면, 나머지 10%의(농도 0.01w%의) 반응 재료를 중합시키지 못하는 것을 알 수 있었다.As mentioned above, even if it is the ultraviolet-ray reaction material which produces a polymerization reaction with the light whose wavelength is 370 nm or less, it turns out that it will not superpose | polymerize the remaining 10% (concentration 0.01w%) reaction material unless the light whose wavelength is 330 nm or less is irradiated. Could.

즉, 자외선 반응 재료를 남김없이 중합시키기 위해서는, 상기 액정의 흡수단 파장(파장 320㎚) 이하의 광도 조사할 필요가 있다.That is, in order to superpose | polymerize a ultraviolet-ray reactive material completely, it is necessary to irradiate the light below the absorption edge wavelength (wavelength 320nm) of the said liquid crystal.

또한, 파장 370㎚보다 장파장으로 중합 반응을 일으키는 자외선 반응 재료의 사용도 생각할 수 있지만, 파장 370㎚보다 장파장으로 중합 반응이 생기는 자외선 반응 재료를 사용하면, 자연광에서도 중합 반응을 해 버릴 우려가 있고, 취급이 어려워지는 등의 이유로부터, MVA 방식의 액정 패널의 제조에 있어서 액정에 포함시키는 자외선 반응 재료로서는, 도 2에 나타낸 바와 같이 파장이 370㎚ 이하인 광으로 중합 반응을 일으키는 자외선 반응 재료가 사용되고 있다.Moreover, although the use of the ultraviolet-ray reaction material which produces a polymerization reaction with a longer wavelength than wavelength 370nm can also be considered, when using the ultraviolet-ray reaction material which produces a polymerization reaction with a longer wavelength than wavelength 370nm, there exists a possibility that it may superpose | polymerize in natural light, As the UV-reactive material to be included in the liquid crystal in the production of the MVA-type liquid crystal panel, the ultraviolet-ray reacting material causing the polymerization reaction with light having a wavelength of 370 nm or less is used as shown in FIG. .

상술한 「액정에 조사하는 광의 파장을 그 흡수단 파장(320㎚) 이하로 하면 액정은 분해된다」는 것과, 「파장이 320㎚ 이하인 광을 조사하지 않으면 나머지 10%의 반응 재료를 중합시킬 수 없다」는 것은, 상반되는 것이다.The above-mentioned "the liquid crystal will decompose when the wavelength of the light irradiated to the liquid crystal is below the absorption end wavelength (320 nm)", and "if the light having a wavelength of 320 nm or less is irradiated, the remaining 10% of the reaction material can be polymerized. Not "is the opposite.

즉, 상기 실험에 의해, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하를 막기 위해, 액정에 포함시키는 자외선 반응 재료의 모든 것을 중합 반응시키기 위해서는, 흡수단 파장(320㎚) 이하의 광을 조사하는 것이 필요하다. 그러나, 흡수단 파장(320㎚) 이하의 광을 조사하면, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기고, 이 상반되는 요구를 만족하도록 광을 조사할 필요가 있는 것을 알 수 있었다.That is, in order to prevent the fall of the reliability by the remainder of the ultraviolet-ray reactive material by the said experiment, in order to superpose | polymerize all of the ultraviolet-ray reactive material contained in a liquid crystal, it is preferable to irradiate light below an absorption edge wavelength (320 nm). need. However, when irradiating light below an absorption edge wavelength (320 nm), it turned out that the fall of the reliability by disassembly of a liquid crystal arises, and it is necessary to irradiate light so that this conflicting request may be satisfied.

그 때문에, 그 양쪽 모두가 성립되도록, 즉, 상기 액정의 흡수단 파장(파장 320㎚)보다 단파장인 광을, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 생기지 않도록, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지않는 범위가 되도록 제어하여 조사할 필요가 있게 된다. 그렇다고는 해도, 액정의 흡수단 파장(파장 320㎚) 이하인 광만으로는, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘어서는 안 되기 때문에, 모든 자외선 반응 재료를 남김없이 중합시키기 위한 조사량으로서 부족하고, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 생긴다.Therefore, all ultraviolet-ray reaction materials superpose | polymerize so that both may be established, ie, the light shorter than the absorption edge wavelength (wavelength 320nm) of the said liquid crystal may not produce the fall of the reliability by remaining of an ultraviolet-ray reaction material. It is necessary to control and irradiate so that it may exceed the irradiation amount which raise | generates, but it does not exceed the threshold value of the irradiation amount which the fall of the reliability by the decomposition of a liquid crystal produces. Even so, only light having an absorption end wavelength (wavelength of 320 nm) or less of the liquid crystal should not exceed the threshold value of the irradiation dose at which the degradation of the reliability caused by the decomposition of the liquid crystal is insufficient. And the fall of the reliability by the remainder of an ultraviolet-ray reaction material arises.

그래서, 자외선 반응 재료의 대부분은, 액정에 흡수되지 않는(즉 액정을 분해하지 않는) 액정의 흡수단 파장(파장 320㎚) 이상인 광을 사용하여 중합 반응을 일으키고, 약간 남는 흡수단 파장 이상의 광으로는 실질적으로 반응하지 않는 반응 재료를, 액정의 흡수단 파장(파장 320㎚) 이하인 광으로 중합 반응시킨다.Therefore, most of the ultraviolet light-reactive materials cause a polymerization reaction using light that is at or above the absorption end wavelength (wavelength 320 nm) of the liquid crystal that is not absorbed by the liquid crystal (i.e., does not decompose the liquid crystal). Reacts the reaction material which does not react substantially with the light which is below the absorption edge wavelength (wavelength 320nm) of a liquid crystal.

그 때문에, 액정 패널에 광을 조사할 때, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 광(예를 들면 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 광)의 조사량보다, 액정의 흡수단 파장보다 장파장인 광(예를 들면 파장 범위가 320㎚∼360㎚인 광)의 조사량의 쪽을 크게 한다. Therefore, when irradiating light to the liquid crystal panel, light having a longer wavelength than the absorption edge wavelength of the liquid crystal than the irradiation amount of light having a shorter wavelength than the absorption edge wavelength of the liquid crystal (for example, light having a wavelength range of 300 nm to 320 nm) ( For example, the irradiation amount of light having a wavelength range of 320 nm to 360 nm) is increased.

이로 인해, 자외선 반응 재료의 대부분을 고속으로 중합 반응시킬 수 있고, 또한, 흡수단 파장 이상인 광에서는 실질적으로 반응하지 않는 반응 재료를, 비교적 짧은 처리 시간으로 남김없이 중합 반응시킬 수 있다.For this reason, most of the ultraviolet-ray reaction material can be polymerized at high speed, and the reaction material which does not react substantially with light more than the absorption edge wavelength can be polymerized without leaving a relatively short treatment time.

또한, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 광의 조사량은, 상기한 바와 같이, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위가 되도록 제어하여 조사하는 것이 바람직하다.In addition, the irradiation amount of light having a wavelength shorter than the absorption edge wavelength of the liquid crystal exceeds the irradiation amount in which all the UV-reactive materials cause a polymerization reaction, but does not exceed the threshold value of the irradiation amount in which a decrease in reliability due to decomposition of the liquid crystal occurs. It is preferable to control so that irradiation may become.

상기 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 조사량보다, 상기 흡수단 파장보다 장파장인 파장 범위가 320㎚∼360㎚인 조사량의 쪽을 많게 하기 위해서는, 그러한 비율로 광을 조사할 수 있는 광원이 요구된다.In order to increase the irradiation amount of the wavelength range 320 nm to 360 nm longer than the absorption wavelength of the wavelength range shorter than the absorption wavelength of the said liquid crystal, the wavelength range is 300 nm-320 nm. A light source that can be irradiated is required.

그러한 광원으로서, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프를 들 수 있다. 또한, 옥소 엑시머 램프에 크세논을 봉입하면, 크세논의 봉입량에 따라 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 방사 조도를 변화시킬 수 있고, 조사량을 최적으로 제어할 수 있다. As such a light source, a fluorescent lamp and an oxo excimer lamp are mentioned. Moreover, when xenon is encapsulated in an oxo excimer lamp, the radiation intensity with a wavelength range of 300 nm-320 nm can be changed according to the amount of xenon encapsulation, and the irradiation amount can be optimally controlled.

이상에 기초하여, 본 발명에 있어서는, 다음과 같이 하여 상기 과제를 해결한다. Based on the above, in this invention, the said subject is solved as follows.

(1)광반응성 물질을 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널에 대해서, 광을 조사하고, 상기 광반응성 물질을 반응시켜, 상기 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 방법에 있어서, 상기 조사하는 광에, 액정의 흡수단 파장보다 장파장인 광과, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 광을 포함시키고, 상기 장파장인 광의 조사량을, 상기 단파장인 광의 조사량보다 크게 한다.(1) Manufacturing of the liquid crystal panel which irradiates light, makes the said photoreactive substance react, and forms an alignment part in the said liquid crystal panel with respect to the MVA system liquid crystal panel which enclosed the liquid crystal containing a photoreactive substance inside. In the method, the irradiated light includes light having a longer wavelength than the absorption end wavelength of the liquid crystal and light having a shorter wavelength than the absorption end wavelength of the liquid crystal, and the irradiation amount of the long wavelength light is made larger than the irradiation amount of the light having the short wavelength.

(2)상기 (1)에 있어서, 상기 단파장인 광의 파장 범위를 300㎚∼320㎚, 상기 장파장인 광의 파장 범위를 320㎚∼360㎚로 한다.(2) In the above (1), the wavelength range of the light having the short wavelength is 300 nm to 320 nm, and the wavelength range of the light having the long wavelength is 320 nm to 360 nm.

여기서, 상기 액정은, 흡수단 파장이 320㎚(파장이 320㎚ 이하인 파장으로 광을 흡수한다)인 부의 유전율 이방성을 가지는 것이며, 상기 광반응성 물질로서 광반응성 물질의 농도가 1w% 미만, 두께가 15㎛ 이하인 상태로, 흡수단 파장이 370㎚(파장이 370㎚ 이하인 파장으로 반응을 일으킨다)의 것을 이용한다.Herein, the liquid crystal has negative dielectric anisotropy of 320 nm (the wavelength absorbs light at a wavelength of 320 nm or less) with an absorption end wavelength, and the concentration of the photoreactive substance as the photoreactive substance is less than 1 w% and the thickness thereof is high. In the state of 15 micrometers or less, the thing of an absorption edge wavelength of 370 nm (wavelength reacts by the wavelength which is 370 nm or less) is used.

(3)상기 (2)에 있어서, 상기 광을 조사하는 광원으로서, 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 방사 조도보다 파장 범위가 320㎚∼360㎚인 방사 조도의 쪽이 큰 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 혹은, 크세논을 봉입한 옥소 엑시머 램프를 이용한다. 이들 램프는 적외광 등의 불필요한 광을 방사하지 않고, 기판의 온도 상승을 막을 수 있다. (3) The phosphor lamp or oxo excimer according to (2), wherein the light source for irradiating the light has a larger irradiance having a wavelength range of 320 nm to 360 nm than an irradiance having a wavelength range of 300 nm to 320 nm. A lamp or an oxo excimer lamp enclosed with xenon is used. These lamps can prevent the temperature rise of the substrate without emitting unnecessary light such as infrared light.

본 발명에 있어서는, 이하의 효과를 얻을 수 있다.In the present invention, the following effects can be obtained.

(1)조사하는 광에, 액정의 흡수단 파장(예를 들면 파장 320㎚)보다 장파장인 광과, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 광을 포함시키고, 상기 장파장의 광의 조사량을, 상기 단파장의 광의 조사량보다 크게 하고, 액정의 흡수단 파장(예를 들면 파장 320㎚) 이하인 광을, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 생기지 않도록, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 초과하지 않는 범위에서 조사함으로써, 단시간에 자외선 반응 재료를 남김없이 중합시킬 수 있고, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하도, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하도 생기는 일이 없다. (1) The light to be irradiated includes light having a longer wavelength than the absorption edge wavelength of the liquid crystal (for example, wavelength 320 nm) and light having a wavelength shorter than the absorption edge wavelength of the liquid crystal, and the irradiation amount of the light having the long wavelength is set to Although all ultraviolet-ray reaction materials exceed the irradiation amount which causes a polymerization reaction so that it may be larger than the irradiation amount of light, and the light below the absorption edge wavelength (for example, wavelength 320nm) of a liquid crystal does not produce the fall of the reliability by remaining of an ultraviolet-ray reaction material, By irradiating in the range which does not exceed the threshold value of the irradiation amount which the fall of the reliability by the decomposition of a liquid crystal, the ultraviolet-ray reaction material can be superposed | polymerized in a short time, and the fall of the reliability by the remainder of an ultraviolet-ray reaction material can also be The degradation of the reliability due to decomposition does not occur either.

(2)액정 패널에 광을 조사하는 광원으로서, 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 방사 조도보다 파장 범위가 320㎚∼360㎚인 방사 조도를 구비한, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논을 봉입한 옥소 엑시머 램프를 사용함으로써, 단시간에 확실히, 이 프로세스를 실시할 수 있다.(2) A light source for irradiating light to a liquid crystal panel, containing a phosphor lamp, an oxo excimer lamp, and xenon having a radiation intensity of 320 nm to 360 nm and a wavelength range of 300 nm to 320 nm. By using one oxo excimer lamp, this process can be surely performed in a short time.

도 1은 광의 파장에 대한 액정의 투과율을 나타내는 도면이다.
도 2는 광의 파장에 대한 자외선 반응 재료의 흡광도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 액정 패널의 제조 방법으로 이용하는 액정 패널의 제조 장치의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 4는 형광체 램프의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 5는 형광체 램프의 그 외의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 6은 형광체 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 7은 옥소 엑시머 램프의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 8은 옥소 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 9는 크세논 함유 옥소 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
도 10은 XeCl 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타내는 도면이다.
1 is a diagram showing the transmittance of liquid crystal with respect to the wavelength of light.
Fig. 2 is a diagram showing the absorbance of the ultraviolet light reacting material with respect to the wavelength of light.
It is a figure which shows the structural example of the manufacturing apparatus of the liquid crystal panel used by the manufacturing method of the liquid crystal panel of this invention.
4 is a diagram illustrating a configuration example of a phosphor lamp.
5 is a diagram illustrating another configuration example of the phosphor lamp.
6 is a diagram showing a spectral emission spectrum of a phosphor lamp.
It is a figure which shows the structural example of an oxo excimer lamp.
8 shows the spectral emission spectrum of an oxo excimer lamp.
9 is a diagram showing a spectral emission spectrum of a xenon-containing oxo excimer lamp.
Fig. 10 shows the spectral emission spectrum of the XeCl excimer lamp.

도 3에 본 발명의 액정 패널의 제조 방법에 이용하는 액정 패널의 제조 장치(자외선 조사 장치)의 구성예를 나타낸다.The structural example of the manufacturing apparatus (ultraviolet ray irradiation apparatus) of the liquid crystal panel used for the manufacturing method of the liquid crystal panel of this invention is shown in FIG.

액정 패널의 제조 장치(자외선 조사 장치)는, 광조사부(1)와 액정 패널(3)을 얹어놓는 워크 스테이지(2)를 구비한다. 워크스테이지(2)에는, 얹어놓은 액정 패널(3)에 전압을 인가하는 기구(2a)가 설치되어 있다. 워크 스테이지(2)에 얹어놓은 액정 패널(3)에 대해서, 상기 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같이 전압을 인가하면서 광조사부(1)로부터의 광을 조사한다.The manufacturing apparatus (ultraviolet ray irradiation apparatus) of a liquid crystal panel is provided with the work stage 2 on which the light irradiation part 1 and the liquid crystal panel 3 are mounted. The work stage 2 is provided with a mechanism 2a for applying a voltage to the mounted liquid crystal panel 3. With respect to the liquid crystal panel 3 mounted on the work stage 2, the light from the light irradiation part 1 is irradiated, applying a voltage as described in the said patent document 1.

액정 패널(3)은, 상술한 바와 같이 2매의 광투과성 기판(유리 기판)(3a, 3b)의 사이에 자외선 반응 재료를 포함한 액정(3c)을 봉입한 구조이며, 이 도면은 개념도를 나타낸 것이지만, 상술한 바와 같이 유리판 상에, 다수의 액티브 소자(TFT)와 액정 구동용 전극, 컬러 필터, 투명 전극(ITO)이 형성되어 있고, 시일제(3d)에 의해 주위가 시일링되어 있다. As described above, the liquid crystal panel 3 is a structure in which a liquid crystal 3c containing an ultraviolet reaction material is enclosed between two light-transmissive substrates (glass substrates) 3a and 3b. As described above, a large number of active elements TFT, a liquid crystal drive electrode, a color filter, and a transparent electrode ITO are formed on the glass plate, and the circumference is sealed by the sealing agent 3d.

광조사부(1)는, 광원(램프)(1a)과 미러(1b)를 구비하고, 광원(램프)(1)으로서는, 액정의 흡수단 파장인 320㎚ 이하의 광(파장 320㎚보다 단파장인 광)과, 흡수단 파장인 파장이 320㎚ 이상인 광(파장이 320㎚보다 장파장인 광)을 포함하고, 파장이 320㎚ 이상인 광의 조사량이, 파장이 320㎚ 이하인 광의 조사량보다 큰 것이 사용된다. 또한, 파장이 320㎚ 이하인 광의 성분은, 상기한 바와 같이 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위에서 조사된다.The light irradiation part 1 is provided with the light source (lamp) 1a and the mirror 1b, and as light source (lamp) 1, 320 nm or less light (wavelength shorter than wavelength 320nm) which is an absorption edge wavelength of a liquid crystal is provided. Light) and light having a wavelength of 320 nm or more (light having a longer wavelength than 320 nm), which is an absorption edge wavelength, and having an irradiation amount of light having a wavelength of 320 nm or more is larger than an irradiation amount of light having a wavelength of 320 nm or less. In addition, although the component of the light whose wavelength is 320 nm or less exceeds the irradiation amount which all ultraviolet-ray reactive materials produce a polymerization reaction as mentioned above, it irradiates in the range which does not exceed the threshold value of the irradiation amount which the fall of the reliability by decomposition | disassembly of a liquid crystal produces.

상기 광원(1a)으로서 예를 들면, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논을 봉입한 옥소 엑시머 램프를 사용할 수 있다.As the light source 1a, for example, a phosphor lamp, an oxo excimer lamp, and an oxo excimer lamp containing xenon can be used.

이들 램프는, 적외광 등의 배향 처리에 불필요한 광을 방사하지 않고, 기판의 온도 상승 등을 막을 수 있다. These lamps can prevent the temperature rise of the substrate and the like without emitting light unnecessary for alignment treatment such as infrared light.

도 4는 상기 형광체 램프의 구성예를 나타내는 도면이며, 이 도면은 관축을 포함하는 평면으로 자른 단면도를 나타낸다.Fig. 4 is a diagram showing an example of the configuration of the above-mentioned phosphor lamp, which shows a cross-sectional view cut along a plane including a tube axis.

형광체 램프(10)는, 내측관(111)과 외측관(112)이 거의 같은 축에 배치된 대략 이중관 구조의 용기(발광관)(11)를 가지며, 이 용기(11)의 양단부(11A, 11B)가 봉착됨으로써, 내부에 원통형의 방전 공간(S)이 형성된다. 방전 공간(S)에는 크세논, 아르곤, 크립톤 등의 희가스가 봉입된다.The phosphor lamp 10 has a vessel (light emitting tube) 11 having a substantially double tube structure in which the inner tube 111 and the outer tube 112 are arranged on substantially the same axis, and both ends 11A of the vessel 11 are formed; 11B) is sealed, and the cylindrical discharge space S is formed inside. A rare gas such as xenon, argon, or krypton is sealed in the discharge space (S).

용기(11)는 석영 유리로 이루어지고, 내주면에는 저연화점 유리층(14)이 설치되고, 이 저연화점 유리층(14)의 내주면에, 형광체층(15)이 더 설치된다.The container 11 is made of quartz glass, and a low softening point glass layer 14 is provided on the inner circumferential surface, and a phosphor layer 15 is further provided on the inner circumferential surface of the low softening point glass layer 14.

이 저연화 유리층(14)은, 예를 들면, 붕규산 유리나 알루미노규산 유리 등의 연질 유리가 이용된다. 또, 형광체층(15)은, 예를 들면, 세륨 부활 알루민산 마그네슘란탄(La-Mg-Al-O:Ce) 형광체가 이용된다.As this low softening glass layer 14, soft glass, such as borosilicate glass and aluminosilicate glass, is used, for example. As the phosphor layer 15, for example, cerium-activated magnesium lanthanum aluminate (La-Mg-Al-O: Ce) phosphor is used.

내측관(111)의 내주면에는 전극(12)이 설치되고, 외측관(112)의 외주면에는 망형상의 전극(13)이 설치된다. 이들 전극(12, 13)은 용기(11)와 방전 공간(S)이 개재되어 배치되어 있는 것이 된다. An electrode 12 is provided on an inner circumferential surface of the inner tube 111, and a mesh-shaped electrode 13 is provided on an outer circumferential surface of the outer tube 112. These electrodes 12 and 13 are arrange | positioned with the container 11 and the discharge space S interposed.

전극(12, 13)은, 리드선(W11, W12)을 통해 전원 장치(16)가 접속된다. 전원 장치(16)로부터 고주파 전압이 인가되면, 전극(12, 13) 간에 유전체(111, 112)를 개재시킨 방전(이른바 유전체 배리어 방전)이 형성되고, 크세논 가스의 경우는 파장이 172㎚인 자외광이 발생한다. 여기서 얻어지는 자외광은, 형광체의 여기용의 광이며, 형광체층를 조사함으로써, 중심 파장이 340㎚ 부근인 자외광이 방사된다.The electrodes 12 and 13 are connected to the power supply unit 16 through the lead wires W11 and W12. When a high frequency voltage is applied from the power supply device 16, a discharge (so-called dielectric barrier discharge) interposed between the dielectrics 111 and 112 is formed between the electrodes 12 and 13, and in the case of xenon gas, a person whose wavelength is 172 nm. External light occurs. The ultraviolet light obtained here is light for excitation of a fluorescent substance, and the ultraviolet light whose center wavelength is 340 nm vicinity is irradiated by irradiating a fluorescent substance layer.

도 5에 형광체 램프의 그 외의 구성예를 나타낸다. 이 도면 (a)는 관축을 포함하는 평면으로 자른 단면도를 나타내고, (b)는 (a)의 A-A선 단면도를 나타낸다.The other structural example of a fluorescent lamp is shown in FIG. This figure (a) shows sectional drawing cut to the plane containing a tube axis, (b) shows sectional drawing along the A-A line of (a).

도 5에 있어서, 램프(20)는 한 쌍의 전극(22, 23)을 가지며, 전극(22, 23)은 용기(발광관)(21)의 외주면에 설치되고, 전극(22, 23)의 외측에는 보호막(24)이 설치된다.In Fig. 5, the lamp 20 has a pair of electrodes 22, 23, and the electrodes 22, 23 are provided on the outer circumferential surface of the container (light emitting tube) 21, and the electrodes 22, 23 On the outside, a protective film 24 is provided.

용기(21)의 내주면의 광출사 방향측에 대해 반대측의 내면에 자외선 반사막(25)이 설되고(도 5(b) 참조), 그 내주에 저연화점 유리층(26)이 설치되고, 이 저연화점 유리층(26)의 내주면에, 형광체층(27)이 설치된다.The ultraviolet reflecting film 25 is provided in the inner surface on the opposite side with respect to the light emission direction side of the inner peripheral surface of the container 21 (refer FIG. 5 (b)), and the low softening point glass layer 26 is provided in the inner periphery. The phosphor layer 27 is provided on the inner peripheral surface of the softening point glass layer 26.

그 외의 구성은 도 4에 나타낸 것과 같고, 용기(21) 내의 방전 공간(S)에 봉입되는 가스, 형광체층(25)에 이용되는 형광체도 마찬가지이다.Other configurations are the same as those shown in FIG. 4, and the same applies to the gas encapsulated in the discharge space S in the container 21 and the phosphor used for the phosphor layer 25.

전극(22, 23)에 고주파 전압이 인가되면, 전극(22, 23)간에 유전체 배리어 방전이 형성되고, 상기한 바와 같이 자외광이 발생한다. 이로 인해 형광체가 여기되고, 형광체층으로부터 중심 파장이 340㎚ 부근인 자외광이 발생하고, 이 광은 자외선 반사막(25)에서 반사되고, 자외선 반사막(25)이 설치되어 있지 않은 개구 부분으부터 외부로 방사된다.When a high frequency voltage is applied to the electrodes 22 and 23, a dielectric barrier discharge is formed between the electrodes 22 and 23, and ultraviolet light is generated as described above. As a result, the phosphor is excited, and ultraviolet light with a center wavelength of around 340 nm is generated from the phosphor layer, and the light is reflected by the ultraviolet reflecting film 25 and is external from the opening portion where the ultraviolet reflecting film 25 is not provided. Is radiated to.

도 6에 형광체 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 형광체 램프는 파장이 300㎚∼360㎚ 이상인 광을 방사한다.6 shows the spectral emission spectrum of the phosphor lamp. As shown in this figure, the phosphor lamp emits light having a wavelength of 300 nm to 360 nm or more.

도 7은 옥소 엑시머 램프의 구성예를 나타내는 도면이다. 이 도면 (a)는 전체의 외관도를 나타내고, (b)는 (a)의 A-A선 단면도를 나타낸다.It is a figure which shows the structural example of an oxo excimer lamp. This figure (a) shows the external appearance figure of the whole, (b) shows sectional drawing of the A-A line of (a).

램프(30)는, 예를 들면 석영 유리 등의 유전체 재료에 의해, 단면이 대략 사각형형상인 방전 용기(31)를 구비한다. 용기(31)에는 길이 방향의 양단 근방에 시일링 부재(34)가 배치된다. 또, 용기(31)의 상하의 벽면(35, 36)의 각각의 외표면에는, 메쉬형상의 전극(32, 33)이, 용기(31)의 내부에 형성된 방전 공간(S) 및 용기(31)를 구성하는 유전체 재료를 사이에 두고 대향하도록 설치되어 있다.The lamp 30 includes a discharge container 31 having a substantially rectangular cross section with a dielectric material such as quartz glass. In the container 31, the sealing member 34 is arrange | positioned in the vicinity of the both ends of a longitudinal direction. Moreover, the discharge space S and the container 31 in which the mesh-shaped electrodes 32 and 33 were formed in the inside of the container 31 in the outer surface of the upper and lower wall surfaces 35 and 36 of the container 31 are also shown. It is provided so as to oppose the dielectric material constituting the interposed therebetween.

또한, 용기(31)의 내부에는, 예를 들면 SiO2를 주성분으로서 포함하는 자외선 반사막(37)이 광출사 방향측의 벽면(35)에 대해서 반대측의 벽면(36)에 형성되어 있고, 방전 공간(S)내에서 발생한 자외선이 자외선 반사막(37)에 의해 광출사 방향으로 반사되어 광출사 방향측에 위치하는 벽면(35)로부터 출사하도록 되어 있다. Further, in the interior of the container 31, for example, an ultraviolet reflection film (37) containing SiO 2 as a main component is formed on the wall surface 36 on the opposite side with respect to the wall 35 of the light exit direction-side, and the discharge space Ultraviolet rays generated within S are reflected by the ultraviolet reflecting film 37 in the light exit direction and are emitted from the wall surface 35 located on the light exit direction side.

용기(31)의 내부에는 옥소 가스 외, 버퍼 가스로서 아르곤 가스, 크립톤 가스가 봉입된다. 전압으로 40∼130㎪이다. 이 중, 옥소 가스의 농도는 0.05∼1.0%이다. 방사 파장은 342㎚이다. In addition to oxo gas, argon gas and krypton gas are sealed in the container 31 as a buffer gas. The voltage is 40 to 130 kV. Among these, the concentration of oxo gas is 0.05 to 1.0%. The emission wavelength is 342 nm.

또한, 도 4, 도 5에 나타낸 램프는 용기의 내면에 형광체를 가지고 있는데에 반해, 도 7에 나타낸 램프는 형광체를 가지고 있지 않은 점에서 다르지만, 유전체를 개재시킨 방전(유전체 배리어 방전)을 이용하고 있는 점에서는 공통된다. In addition, while the lamps shown in Figs. 4 and 5 have phosphors on the inner surface of the container, the lamps shown in Fig. 7 are different in that they do not have phosphors, but using a dielectric interposed discharge (dielectric barrier discharge) is used. It is common in that it is.

도 8에 옥소 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 옥소 엑시머 램프는 파장이 310㎚∼350㎚인 광을 방사한다.8 shows the spectral emission spectrum of the oxo excimer lamp. As shown in this figure, the oxo excimer lamp emits light having a wavelength of 310 nm to 350 nm.

크세논 함유 옥소 엑시머 램프는, 도 7에 나타낸 옥소 램프에, 크세논 가스를 소정량 더 봉입함으로써, 상기와는 다른 파장의 광을 방사시키도록 한 것이다. In the xenon-containing oxo excimer lamp, a predetermined amount of xenon gas is further enclosed in the oxo lamp shown in FIG. 7 to emit light having a wavelength different from that described above.

봉입 가스는, 옥소 가스, 크세논 가스 외, 버퍼 가스로서 크립톤 가스가 봉입된다. 전압으로 40∼130㎪이다. 이 중, 옥소 가스의 농도는 0.05∼1.0%, 크세논 가스의 농도는 0.05∼2% 정도 봉입된다.As the enclosed gas, krypton gas is encapsulated as a buffer gas in addition to oxo gas and xenon gas. The voltage is 40 to 130 kV. Among them, the concentration of the oxo gas is 0.05 to 1.0% and the concentration of the xenon gas is about 0.05 to 2%.

방사 파장은 342㎚와 320㎚에 피크를 가지지만, 옥소 가스와 크세논 가스의 봉입량의 상대적인 밸런스에 의해 양자의 방사량이 변화한다.Although the emission wavelength has peaks at 342 nm and 320 nm, the radiation amount of both is changed by the relative balance between the amount of the oxo gas and the xenon gas encapsulated.

도 9에 크세논 함유 옥소 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, 크세논 함유 옥소 엑시머 램프는 파장이 310㎚∼350㎚인 광을 방사한다. 또한, 크세논 함유 옥소 엑시머 램프는, 봉입하는 크세논의 양을 변화시킴으로써, 파장이 320㎚ 부근인 광량(피크의 크기)을 자유롭게 변화시킬 수 있다.9 shows the spectral emission spectrum of the xenon-containing oxo excimer lamp. As shown in this figure, the xenon-containing oxo excimer lamp emits light having a wavelength of 310 nm to 350 nm. In addition, the xenon-containing oxo excimer lamp can freely change the amount of light (size of peak) whose wavelength is around 320 nm by changing the amount of xenon encapsulated.

따라서, 파장이 320㎚ 이하인 광의 성분을 늘림으로써 잔존하는 자외선 반응 재료를 보다 빠르게 중합시킬 수 있고, 처리 시간을 짧게 할 수 있다.Therefore, by increasing the component of the light whose wavelength is 320 nm or less, the remaining ultraviolet-ray reactive material can be polymerized more quickly and the processing time can be shortened.

또, 이 램프를 이용하면, 크세논의 봉입량을 변화시킴으로써, 파장이 320㎚ 부근인 광량(피크의 크기)을 자유롭게 변화시킬 수 있다.When the lamp is used, the amount of light (size of peak) whose wavelength is around 320 nm can be freely changed by changing the amount of xenon encapsulation.

이 때문에, 파장 범위가 300㎚∼320㎚인 광과, 파장 범위가 320㎚∼360㎚인 광의 비율을 자유롭게 설정할 수 있고, 또, 파장이 320㎚ 이하인 광의 조사량을, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위에서 설정하는 것이, 용이하게 가능해진다. For this reason, the ratio of the light whose wavelength range is 300 nm-320 nm and the light whose wavelength range is 320 nm-360 nm can be set freely, and all the ultraviolet-ray reaction materials superpose | polymerize the irradiation amount of the light whose wavelength is 320 nm or less. Although it exceeds the irradiation amount which produces | generates, it becomes easy to set in the range which does not exceed the threshold value of the irradiation amount which the fall of the reliability by the decomposition of a liquid crystal produces.

후술하는 크세논 함유 염소 엑시머 램프(XeCl 엑시머 램프)는, 도 7에 나타내는 램프에 있어서, 옥소에 대신하여 염소와, 또한 크세논 가스를 봉입한 것이며, 이로 인해, 다른 파장의 광을 방사시킬 수 있다.The xenon-containing chlorine excimer lamp (XeCl excimer lamp) described later is one in which a chlorine and a xenon gas are encapsulated in place of oxo in the lamp shown in FIG. 7, whereby light of different wavelengths can be emitted.

구체적으로는, 염소 가스, 크세논 가스와, 버퍼 가스로서 아르곤가가 봉입된다. 전압으로 30㎪ 정도이다. 이 중, 염소 가스의 농도는 0.5∼1.0% 정도, 크세논 가스의 농도는 90∼95% 정도, 아르곤 가스의 농도는 1.0∼3.0% 정도 봉입된다. 방사 파장은 308㎚이다.Specifically, chlorine gas, xenon gas, and argon number are sealed as a buffer gas. It is about 30㎪ by voltage. Among them, the concentration of chlorine gas is about 0.5 to 1.0%, the concentration of xenon gas is about 90 to 95%, and the concentration of argon gas is about 1.0 to 3.0%. The emission wavelength is 308 nm.

도 10에 XeCl 엑시머 램프의 분광 방사 스펙트럼을 나타낸다. 이 도면에 나타내는 바와 같이, XeCl 엑시머 램프는, 파장 308㎚에 발광의 피크를 가지는, 파장이 290㎚∼320㎚의 범위인 광을 방사한다.10 shows the spectral emission spectrum of the XeCl excimer lamp. As shown in this figure, the XeCl excimer lamp emits light having a wavelength in the range of 290 nm to 320 nm having a peak of emission at a wavelength of 308 nm.

또한, 도 4, 도 5, 도 7에 나타내는 램프는 모두 한 쌍의 전극간에 유전체를 개재시킨 방전(이른바 유전체 배리어 방전)을 함으로써 공통된다.4, 5, and 7 are common in all of the lamps provided with a discharge (so-called dielectric barrier discharge) interposed between a pair of electrodes via a dielectric.

도 4, 도 5에 나타낸 램프는, 용기 내면에 형광체를 도포시켜, 형광체에 의해 원하는 광을 얻고 있는데에 반해, 도 7에 나타낸 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 염소 엑시머 램프는 형광체를 사용하지 않고, 이들 봉입물의 발광에 의해 원하는 광을 얻고 있는 점에서 상위하다.In the lamps shown in FIGS. 4 and 5, the phosphor is coated on the inner surface of the container to obtain desired light by the phosphor, whereas the oxo excimer lamp, the xenon-containing oxo excimer lamp, and the xenon-containing chlorine excimer lamp shown in FIG. 7 are phosphors. It differs in that a desired light is obtained by light emission of these inclusions, without using.

또한, 도 4, 도 5에 나타내는 구조의 램프에 있어서, 형광체를 제거하면, 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 염소 엑시머 램프를 사용하는 것은 당연히 가능하고, 또, 도 7에 나타내는 구조의 램프에 있어서, 형광체를 도포시키면, 크세논, 아르곤, 크립톤 등의 희가스만으로 램프를 구성할 수도 있다.In addition, in the lamp of the structure shown to FIG. 4, FIG. 5, if a fluorescent substance is removed, it is naturally possible to use an oxo excimer lamp, a xenon containing oxo excimer lamp, and a xenon containing chlorine excimer lamp, and also the structure shown in FIG. In the lamp of, the lamp may be constituted only by rare gases such as xenon, argon and krypton.

본 발명의 효과를 확인하기 위해, 이하의 실험을 행하고, 자외선 반응 재료를 포함하는 액정에 대한 조사량에 대해 검증했다.In order to confirm the effect of this invention, the following experiment was done and the irradiation amount with respect to the liquid crystal containing an ultraviolet-ray reaction material was verified.

우선, 자외선 반응 재료를 포함하는 액정에 대해서, 파장이 320㎚ 이하인 광은, 액정의 분해에 의한 품질 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위에서 조사하지 않으면 안되는 것을 확인하는 실험을 행했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.First, about the liquid crystal containing an ultraviolet-ray reaction material, the experiment which confirmed that the light whose wavelength is 320 nm or less must be irradiated in the range which does not exceed the threshold of the irradiation amount which the quality deterioration by decomposition of a liquid crystal produces. The results are shown in Table 1.

Figure 112010016937988-pat00001
Figure 112010016937988-pat00001

표 1은, 현재 일반적으로 사용되고 있는 상기 파장이 370㎚ 이하인 광을 조사하면 중합 반응을 일으키는 아크릴레이트계 자외선 반응 재료(DIC사제)를 0.1w%의 농도로 포함한 액정(멜크사제 MJ961213)에, 초고압 수은 램프로부터의 광(파장 320㎚ 이하를 필터에 의해 커트한 주로 파장이 350㎚∼370㎚의 범위인 광)을, 약 10J/㎠ 조사하고, 자외선 반응 재료의 잔존율이 10%(농도 0.01w%에 상당)로 된 것에 대해서, XeCl 엑시머 램프로부터의 광을, 조사량을 바꾸어 조사하고, 조사량에 대한 액정의 분해의 유무와 패널의 신뢰성(화면의 소부나 콘트라스트의 저하)에 대해서 조사한 결과를 나타내는 것이다.Table 1 shows ultra-high pressure in a liquid crystal (MJ961213 manufactured by Melk Co., Ltd.) containing an acrylate-based ultraviolet reaction material (manufactured by DIC Corporation) at a concentration of 0.1 w% that causes a polymerization reaction upon irradiation with light having a wavelength of 370 nm or less that is currently used. About 10 J / cm <2> of irradiation with the light (light whose wavelength was mainly 350 nm-370 nm which cut wavelength 320 nm or less with a filter) from a mercury lamp was irradiated, and the residual ratio of an ultraviolet-ray reaction material was 10% (concentration 0.01). (equivalent to w%), the light from the XeCl excimer lamp is irradiated by changing the irradiation amount, and the result of the investigation about the presence or absence of decomposition of the liquid crystal to the irradiation amount and the reliability of the panel (lowering or contrast of the screen) To indicate.

XeCl 엑시머 램프는, 상술한 바와 같이 크세논 가스와 염소 가스가 봉입된 엑시머 램프이며, 도 10에 나타낸 바와 같이 파장 308㎚에 발광의 피크를 가지며, 파장이 290㎚∼320mn의 범위인 광을 방사한다.The XeCl excimer lamp is an excimer lamp in which xenon gas and chlorine gas are sealed as described above, and as shown in FIG. 10, the XeCl excimer lamp emits light having a peak of emission at a wavelength of 308 nm and a wavelength in the range of 290 nm to 320 mn. .

상기 표 1에 나타내는 바와 같이, XeCl 엑시머 램프로부터의 파장이 320㎚ 이하인 광을, 10J/㎠의 조사량으로 조사하면, 액정의 분해가 생기고, 이로 인한 패널의 신뢰성의 저하가 보였다. As shown in the said Table 1, when irradiating the light from the XeCl excimer lamp whose wavelength is 320 nm or less with the irradiation amount of 10 J / cm <2>, decomposition | disassembly of a liquid crystal will arise and the fall of the reliability of the panel by this was seen.

한편, 조사량이 0(조사 없음)∼1J/㎠인 경우는, 액정의 분해는 일어나 있지 않지만, 패널의 신뢰성이 저하했다. 이것은, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 일어났다고 생각된다. On the other hand, when irradiation amount was 0 (no irradiation)-1J / cm <2>, decomposition | disassembly of a liquid crystal did not occur but reliability of the panel fell. This is considered to have caused a decrease in reliability due to the remaining of the ultraviolet-ray reactive material.

그리고, 2J/㎠∼5J/㎠의 조사량으로 조사하면, 액정의 분해는 일어나지 않고, 패널의 신뢰성도 양호했다. 이것은, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키고, 자외선 반응 재료가 잔존하고 있지 않은 것을 나타내고 있다.And when irradiated with the irradiation amount of 2J / cm <2> -5J / cm <2>, decomposition | disassembly of a liquid crystal did not occur and the reliability of the panel was also favorable. This shows that all ultraviolet-ray reaction materials generate a polymerization reaction and the ultraviolet-ray reaction material does not remain.

이상으로부터, 파장이 320㎚ 이하인 광의, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 생기지 않도록, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위는, 2J/㎠∼5J/㎠의 조사량인 것을 알았다.As mentioned above, although all the ultraviolet-ray reaction materials exceed the irradiation amount which produces a polymerization reaction so that the fall of the reliability of the light whose wavelength is 320 nm or less does not generate | occur | produce, the reduction of the reliability by the decomposition | disassembly of a liquid crystal may occur. It was found that the range not exceeding the threshold was an irradiation dose of 2J / cm 2 to 5J / cm 2.

다음에, 파장이 320㎚ 이상인 광에 의해, 자외선 반응 재료의 대부분을 반응(중합)시킴과 더불어, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 일어나지 않도록, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위에서 파장이 320㎚ 이하인 광을 조사할 수 있는 광원 램프나 광조사 프로세스를 조사하는 목적으로 이하의 실험을 행했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.Next, the amount of irradiation that causes all the UV-reactive materials to cause a polymerization reaction so that most of the UV-responsive material is reacted (polymerized) with light having a wavelength of 320 nm or more, and the deterioration of the reliability due to the remaining of the UV-reactive material does not occur. The following experiment was performed for the purpose of irradiating the light source lamp or light irradiation process which can irradiate light whose wavelength is 320 nm or less in the range which does not exceed the threshold of the irradiation amount which the fall of the reliability by decomposition | disassembly of a liquid crystal produces. The results are shown in Table 2.

Figure 112010016937988-pat00002
Figure 112010016937988-pat00002

표 2는, 현재 일반적으로 사용되고 있는 상기한 파장이 370㎚ 이하인 광을 조사하면 중합 반응을 일으키는 아크릴레이트계 자외선 반응 재료(DIC사제)를 0.1w%의 농도로 포함한 액정(멜크사제 MJ961213)에 대해서, 이하와 같은 조건으로 광을 조사하고, 액정의 분해의 유무와 패널의 신뢰성(화면의 소부나 VHR의 저하, 콘트라스트의 저하)에 대해서 조사했다.Table 2 relates to a liquid crystal (MJ961213 manufactured by Melk Co., Ltd.) containing an acrylate-based ultraviolet reaction material (manufactured by DIC) which causes a polymerization reaction when irradiated with light having a wavelength of 370 nm or less that is currently used at a concentration of 0.1 w%. The light was irradiated on the following conditions, and it investigated about the presence or absence of the decomposition | disassembly of a liquid crystal, and the reliability (lowering of a screen, a fall of VHR, and a fall of contrast).

<조건 1>:XeCl 엑시머 램프로부터의 파장이 290㎚∼320㎚인 광을 20J/㎠의 조사량으로 조사한다.<Condition 1>: The light whose wavelength from a XeCl excimer lamp is 290 nm-320 nm is irradiated with the irradiation amount of 20J / cm <2>.

<조건 2>: 형광체 램프로부터의 광을 20J/㎠의 조사량으로 조사한다.<Condition 2>: The light from a fluorescent lamp is irradiated with the irradiation amount of 20J / cm <2>.

또한, 형광체 램프는 상술한 도 6에 나타내는 바와 같이 파장이 300㎚∼360㎚ 이상인 광을 방사한다.In addition, the phosphor lamp emits light having a wavelength of 300 nm to 360 nm or more, as shown in FIG. 6 described above.

<조건 3>:옥소 엑시머 램프로부터의 광을 20J/㎠의 조사량으로 조사한다.<Condition 3>: The light from an oxo excimer lamp is irradiated with the irradiation amount of 20 J / cm <2>.

옥소 엑시머 램프는, 상술한 도 8에 나타내는 바와 같이 파장이 310㎚∼350㎚인 광을 방사한다.The oxo excimer lamp emits light having a wavelength of 310 nm to 350 nm as shown in FIG. 8 described above.

<조건 4>:크세논 함유 옥소 엑시머 램프로부터의 광을 20J/㎠의 조사량으로 조사한다.<Condition 4>: The light from a xenon containing oxo excimer lamp is irradiated with the irradiation amount of 20 J / cm <2>.

크세논 함유 옥소 엑시머 램프는, 상술한 도 9에 나타내는 바와 같이, 파장이 310㎚∼350㎚인 광을 방사한다.The xenon-containing oxo excimer lamp emits light having a wavelength of 310 nm to 350 nm, as shown in FIG. 9 described above.

상기에 나타내는 대로, 조건 1에서는, 자외선 반응 재료의 잔존은 없었지만, 액정의 분해가 일어나고, 패널의 신뢰성이 저하했다. 조건 2에서는, 액정의 분해도 자외선 반응 재료의 잔존도 없고, 패널의 신뢰성은 양호했다. 조건 3에서는, 액정의 분해는 없고, 자외선 반응 재료의 잔존은 1% 있었지만, 패널의 신뢰성은 양호했다. 조건 4에서는, 액정의 분해도 자외선 반응 재료의 잔존도 없고, 패널의 신뢰성은 양호했다.As shown above, in condition 1, although there was no residual of the ultraviolet-ray reaction material, the liquid crystal decomposition occurred and the reliability of the panel fell. In the condition 2, neither the decomposition of the liquid crystal nor the residual of the ultraviolet reaction material were found, and the reliability of the panel was good. In the condition 3, there was no decomposition of the liquid crystal, and there was 1% of the residual of the ultraviolet ray reaction material, but the reliability of the panel was good. In condition 4, neither the decomposition of liquid crystal nor the residual of an ultraviolet-ray reaction material were shown, and the panel reliability was favorable.

이와 같이, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 엑시머 램프를 사용하면, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하도, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하도 없고, 액정 패널을 제조할 수 있다.Thus, when a fluorescent substance lamp, an oxo excimer lamp, and a xenon containing excimer lamp are used, a liquid crystal panel can be manufactured without the fall of the reliability by the decomposition of a liquid crystal, or the fall of the reliability by the remainder of an ultraviolet-ray reactive material.

표 3에, 상기에서 사용한 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 엑시머 램프의 파장이 300㎚∼360㎚인 광량을 100으로 했을 때의, 파장이 300-320㎚인 것과 파장이 320-360㎚인 것의 비율을 나타낸다.Table 3 shows the wavelengths of 300-320 nm and the wavelengths of 320-360 nm when the amount of light having a wavelength of 300 nm to 360 nm for the phosphor lamp, oxo excimer lamp, and xenon-containing excimer lamp used above was 100. Indicates the ratio of one.

Figure 112010016937988-pat00003
Figure 112010016937988-pat00003

상기에 나타내는 대로, 형광체 램프, 옥소 엑시머 램프, 크세논 함유 엑시머 램프를 사용하면, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하도, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하도 없이, 액정 패널을 제조할 수 있는 것이기 때문에, 파장이 300-320㎚인 것과 파장이 320-360㎚인 것의 비율이, 상기와 같은 경우에, 파장이 320㎚ 이상인 광에 의해, 자외선 반응 재료의 대부분을 반응(중합)시킴과 더불어, 자외선 반응 재료의 잔존에 의한 신뢰성의 저하가 일어나지 않도록, 모든 자외선 반응 재료가 중합 반응을 일으키는 조사량을 넘지만, 액정의 분해에 의한 신뢰성의 저하가 생기는 조사량의 역치를 넘지 않는 범위에서 파장이 320㎚ 이하인 광을 조사할 수 있다고 생각된다.As shown above, when a fluorescent lamp, an oxo excimer lamp, and a xenon containing excimer lamp are used, a liquid crystal panel can be manufactured without the fall of the reliability by the decomposition of a liquid crystal, or the fall of the reliability by the remainder of an ultraviolet-ray reactive material. In this case, the ratio between the wavelength of 300-320 nm and the wavelength of 320-360 nm is the same as described above, whereby most of the ultraviolet-reactive material is reacted (polymerized) by light having a wavelength of 320 nm or more. The wavelength is 320 in the range not exceeding the irradiation dose at which all the UV-responsive materials cause the polymerization reaction so that the degradation of the reliability due to the remaining of the ultraviolet-responsive material does not occur, but the decrease in the reliability due to decomposition of the liquid crystal. It is thought that light which is nm or less can be irradiated.

1 : 광조사부 1a : 광원(램프)
1b : 미러 2 : 워크 스테이지
2a : 전압을 인가하는 기구 3 : 액정 패널
3a, 3b : 광투과성 기판(유리 기판)
3c : 자외선 반응 재료를 포함한 액정
3d : 시일제 10, 20, 30 : 램프
11 : 용기(발광관) 12, 13 : 전극
15, 27 : 형광체층 21 : 용기(발광관)
22, 23 : 전극 31 : 방전 용기
32, 33 : 전극 24, 37 : 자외선 반사막
1: light irradiation unit 1a: light source (lamp)
1b Mirror 2: Work Stage
2a: mechanism for applying voltage 3: liquid crystal panel
3a, 3b: light transmissive substrate (glass substrate)
3c: liquid crystal containing ultraviolet reactive material
3d: sealant 10, 20, 30: lamp
11 container (light emitting tube) 12, 13 electrode
15, 27: phosphor layer 21: container (light emitting tube)
22, 23: electrode 31: discharge vessel
32, 33: electrode 24, 37: ultraviolet reflecting film

Claims (5)

자외선 반응성 재료를 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널에 대해, 광을 조사하고, 상기 자외선 반응성 재료를 반응시켜, 상기 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 방법에 있어서,
상기 조사하는 광에는, 액정의 흡수단 파장보다 장파장인 파장 범위가 320nm∼360nm인 광과, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 파장 범위가 300nm∼320nm인 광이 포함되고,
상기 광을 조사하는 광원은, 파장 범위 300nm∼320nm의 방사 조도보다도 파장 범위 320nm∼360nm의 방사 조도 쪽이 큰, 희가스가 봉입되고 유전체 배리어 방전에 의해 그 희가스에 의해 발생한 자외광에 의해 형광체를 여기하는 형광체 램프이고,
파장 300nm∼360nm의 광량을 100으로 했을 때의, 파장 300nm∼320nm의 광량은 20 이하인 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.
In the manufacturing method of the liquid crystal panel which irradiates light, makes the said ultraviolet-ray-reactive material react, and forms an orientation part in the inside of the said liquid crystal panel in the liquid crystal panel of the MVA system which enclosed the liquid crystal containing an ultraviolet-ray reactive material inside. ,
The light to be irradiated includes light having a wavelength range of 320 nm to 360 nm longer than the absorption end wavelength of the liquid crystal, and light having a wavelength range of 300 nm to 320 nm shorter than the absorption end wavelength of the liquid crystal,
The light source irradiating the light is filled with a rare gas having a greater irradiance in the wavelength range of 320 nm to 360 nm than the irradiance in the wavelength range of 300 nm to 320 nm, and excites the phosphor by the ultraviolet light generated by the rare gas by the dielectric barrier discharge. It is a phosphor lamp
The light quantity of wavelength 300nm-320nm when the light quantity of wavelength 300nm-360nm is set to 100 is 20 or less, The manufacturing method of the liquid crystal panel characterized by the above-mentioned.
자외선 반응성 재료를 함유하는 액정을 내부에 봉입한 MVA 방식의 액정 패널에 대해, 광을 조사하고, 상기 자외선 반응성 재료를 반응시켜, 상기 액정 패널의 내부에 배향부를 형성하는 액정 패널의 제조 방법에 있어서,
상기 조사하는 광에는, 액정의 흡수단 파장보다 장파장인 파장 범위가 320nm∼360nm인 광과, 액정의 흡수단 파장보다 단파장인 파장 범위가 300nm∼320nm인 광이 포함되고,
상기 광을 조사하는 광원은, 파장 범위 300nm∼320nm의 방사 조도보다도 파장 범위 320nm∼360nm의 방사 조도 쪽이 큰, 옥소 엑시머 램프이고,
파장 300nm∼360nm의 광량을 100으로 했을 때의, 파장 300nm∼320nm의 광량은 20 이하인 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.
In the manufacturing method of the liquid crystal panel which irradiates light, makes the said ultraviolet-ray-reactive material react, and forms an orientation part in the inside of the said liquid crystal panel in the liquid crystal panel of the MVA system which enclosed the liquid crystal containing an ultraviolet-ray reactive material inside. ,
The light to be irradiated includes light having a wavelength range of 320 nm to 360 nm longer than the absorption end wavelength of the liquid crystal, and light having a wavelength range of 300 nm to 320 nm shorter than the absorption end wavelength of the liquid crystal,
The light source for irradiating the light is an oxo excimer lamp having a larger irradiance in the wavelength range of 320 nm to 360 nm than the irradiance in the wavelength range of 300 nm to 320 nm,
The light quantity of wavelength 300nm-320nm when the light quantity of wavelength 300nm-360nm is set to 100 is 20 or less, The manufacturing method of the liquid crystal panel characterized by the above-mentioned.
청구항 2에 있어서,
상기 옥소 엑시머 램프에는, 크세논이 봉입되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 패널의 제조 방법.
The method according to claim 2,
Xenon is enclosed in the said oxo excimer lamp, The manufacturing method of the liquid crystal panel characterized by the above-mentioned.
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