JP2006329860A - Radiographic image conversion panel and its manufacturing method - Google Patents

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Yukito Nakamura
幸登 中村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a radiographic image conversion panel that obtains the whole physical properties of a photostimulable phosphor film and always satisfies a certain quality level. <P>SOLUTION: In this manufacturing method of the radiographic image conversion panel, the photostimulable phosphor film is formed on a predetermined substrate (step S1), and ultra-short ultraviolet rays are radiated to the photostimulable phosphor film to make the photostimulable phosphor film instantaneously emit light and to form a latent image on the photostimulable phosphor film, phosphor light instantaneously emitted is detected, then photostimulable exciting light is radiated to the photostimulable phosphor film to stimulably emit light, and phosphor light stimulably emitted is detected(step S2). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられる放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a radiographic image conversion panel used for forming a radiographic image of a subject and a manufacturing method thereof.

従来から、X線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。近年では、輝尽性蛍光体を放射線画像変換パネルの一要部として用いたコンピューテッドラジオグラフィー(CR(computed radiography))も商品化され、高感度化及び画質の改善が日夜続けられている。   Conventionally, radiographic images such as X-ray images have been widely used for diagnosis of medical conditions in the medical field. In particular, radiographic images using intensifying screen-film systems have been developed as an imaging system that combines high reliability and excellent cost performance as a result of high sensitivity and high image quality in the long history. Used in the medical field. In recent years, computed radiography (CR (computed radiography)) using a stimulable phosphor as a main part of a radiation image conversion panel has been commercialized, and high sensitivity and improvement in image quality have been continued day and night. .

上記「輝尽性蛍光体」というのは、被写体を透過した放射線を蓄積して、輝尽励起光の照射等により、蓄積した放射線をその線量に応じた強度で輝尽発光するものであり、放射線画像変換パネルにおいて所定の基板上に膜状に形成されるものである。そのような放射線画像変換パネルの製造方法の一例が特許文献1に開示されている。特許文献1に記載の製造方法では、所定の基板上に輝尽性蛍光体膜を成膜し、輝尽性蛍光体膜にX線等の電子線を照射して当該輝尽性蛍光体膜を瞬時発光させ、当該輝尽性蛍光体膜の発光強度を測定し、その測定結果から当該輝尽性蛍光体膜の評価を行っている(段落番号0041〜0045参照)。
特開2004−12419号公報
The above “stimulable phosphor” is a substance that accumulates radiation transmitted through a subject and stimulates the stored radiation to emit light at an intensity corresponding to the dose by irradiation with stimulating excitation light, etc. The radiation image conversion panel is formed in a film shape on a predetermined substrate. An example of a method for manufacturing such a radiation image conversion panel is disclosed in Patent Document 1. In the manufacturing method described in Patent Document 1, a photostimulable phosphor film is formed on a predetermined substrate, and the photostimulable phosphor film is irradiated with an electron beam such as X-rays. Is emitted instantaneously, the emission intensity of the photostimulable phosphor film is measured, and the photostimulable phosphor film is evaluated from the measurement results (see paragraphs 0041 to 0045).
JP 2004-12419 A

しかしながら、特許文献1に記載の製造方法における輝尽性蛍光体膜の評価では、輝尽性蛍光体膜を精度良く評価するには到らず、一定の品質基準を満たすために、さらに正確でかつ迅速な輝尽性蛍光体膜の評価を行う必要があった。   However, in the evaluation of the photostimulable phosphor film in the manufacturing method described in Patent Document 1, the photostimulable phosphor film cannot be evaluated with high accuracy, and in order to satisfy certain quality standards, it is more accurate. In addition, it was necessary to quickly evaluate the photostimulable phosphor film.

本発明の目的は、輝尽性蛍光体膜の全体的な物性を把握し、常に一定の品質基準を満たす放射線画像変換パネルを製造することである。   An object of the present invention is to grasp the overall physical properties of the photostimulable phosphor film and to manufacture a radiation image conversion panel that always satisfies a certain quality standard.

上記課題を解決するため請求項1に記載の放射線画像変換パネルの製造方法は、
所定の基板上に輝尽性蛍光体膜を形成し、前記輝尽性蛍光体膜に励起光を照射することにより前記輝尽性蛍光体膜を瞬時発光させると共に前記輝尽性蛍光体膜に潜像を形成し、前記瞬時発光された蛍光を検出した後、前記輝尽性蛍光体膜に輝尽励起光を照射して輝尽発光させ、当該輝尽発光された蛍光を検出することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problem, the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1,
A photostimulable phosphor film is formed on a predetermined substrate, and the stimulable phosphor film is irradiated with excitation light to cause the stimulable phosphor film to emit light instantaneously and to the photostimulable phosphor film. After forming a latent image and detecting the instantaneously emitted fluorescence, the stimulable phosphor film is irradiated with stimulated excitation light to cause stimulated emission, and the stimulated emission fluorescence is detected. It is a feature.

請求項2に記載の発明は、
請求項1に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体膜に照射する励起光が、超短紫外線であることを特徴としている。
The invention described in claim 2
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1,
The excitation light with which the photostimulable phosphor film is irradiated is ultra-short ultraviolet rays.

請求項3に記載の発明は、
請求項1又は2に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記瞬時発光された蛍光を検出して当該蛍光の瞬時発光量とスペクトル分布を測定し、
前記輝尽発光された蛍光を検出して当該蛍光の輝尽発光量を測定することを特徴としている。
The invention according to claim 3
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1 or 2,
Detecting the instantaneously emitted fluorescence and measuring the instantaneous emission amount and spectral distribution of the fluorescence,
The stimulated emission fluorescence is detected and the amount of stimulated emission of the fluorescence is measured.

請求項4に記載の発明の放射線画像変換パネルは、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造されたことを特徴としている。
The radiation image conversion panel of the invention according to claim 4 is,
It was manufactured by the manufacturing method of the radiographic image conversion panel as described in any one of Claims 1-3.

本発明によれば、瞬時発光と輝尽発光の双方を検出することから輝尽性蛍光体膜の評価を確実かつ迅速に行うことができる。また、超短紫外線を用いることからX線照射では困難な大きなサイズの輝尽性蛍光体膜の評価を行うことができ、測定装置自体もX線を使用する場合に比べて小型で安価なものとすることができる。さらに、切り分け前の製造途中の大きなサイズの状態で輝尽性蛍光体膜の評価を行うことができることから製品として完成する前に不良品を特定することができ、作業効率の向上やコスト削減を行うことができる。また、大きなサイズでの輝尽性蛍光体膜の評価を行うことで当該輝尽性蛍光体膜の中での良否箇所を特定して不良箇所を取り除いた部分を用いて製品を製造するように輝尽性蛍光体膜の切り方を変更することができ、無駄なく輝尽性蛍光体膜を使用することができ、その結果、良品率及び収率をアップさせることができる。   According to the present invention, since both instantaneous light emission and stimulated light emission are detected, the photostimulable phosphor film can be reliably and rapidly evaluated. In addition, because of the use of ultrashort ultraviolet rays, it is possible to evaluate a large-sized photostimulable phosphor film, which is difficult with X-ray irradiation, and the measuring apparatus itself is smaller and less expensive than using X-rays. It can be. In addition, since the photostimulable phosphor film can be evaluated in a large size state during production before separation, defective products can be identified before the product is completed, improving work efficiency and reducing costs. It can be carried out. In addition, by evaluating the photostimulable phosphor film in a large size, it is possible to specify a pass / fail location in the photostimulable phosphor film and manufacture a product using a portion from which the defective portion is removed. The method of cutting the photostimulable phosphor film can be changed, and the photostimulable phosphor film can be used without waste. As a result, the yield rate and yield can be increased.

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲は以下の実施形態及び図示例に限定されるものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings. However, although various technically preferable limitations for carrying out the present invention are given to the embodiments described below, the scope of the invention is not limited to the following embodiments and illustrated examples.

図1は放射線画像変換パネル1の概略構成を示す断面図である。
図1に示す通り、放射線画像変換パネル1は所定の基板2を有しており、当該基板2上に輝尽性蛍光体膜3が形成されている。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the radiation image conversion panel 1.
As shown in FIG. 1, the radiation image conversion panel 1 has a predetermined substrate 2, and a photostimulable phosphor film 3 is formed on the substrate 2.

基板2は、高分子材料,ガラス,金属等で構成されており、特に、セルロースアセテートフィルム,ポリエステルフィルム,ポリエチレンテレフタレート,ポリアミドフィルム,ポリイミドフィルム,トリアセテートフィルム,ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、石英,ホウ珪酸ガラス,化学的強化ガラス等の板ガラス、又はアルミニウム,鉄,銅,クロム等の金属シート若しくはそれら金属酸化物の被覆層を有する金属シートで構成されているのがよい。   The substrate 2 is made of a polymer material, glass, metal, etc., and in particular, a plastic film such as cellulose acetate film, polyester film, polyethylene terephthalate, polyamide film, polyimide film, triacetate film, polycarbonate film, quartz, borosilicate It is good to be comprised by glass sheets, such as glass, chemically tempered glass, or a metal sheet which has a coating layer of metal sheets, such as aluminum, iron, copper, chromium, or those metal oxides.

輝尽性蛍光体膜3は、CsBr:Eu等のユーロピウム付活ハロゲン化セシウム系の輝尽性蛍光体から構成されており、公知の蒸着処理で形成されている。   The photostimulable phosphor film 3 is made of a europium-activated cesium halide-based photostimulable phosphor such as CsBr: Eu, and is formed by a known vapor deposition process.

放射線画像変換パネル1は、基板2及び輝尽性蛍光体膜3が2枚の防湿性の保護フィルム4,4間に封止されている。詳しくは、各保護フィルム4,4の周縁部同士が基板2及び輝尽性蛍光体膜3の全周にわたって融着されており、基板2及び輝尽性蛍光体膜3が当該保護フィルム4,4で完全に封止され、輝尽性蛍光体膜3への水分の浸入が確実に防止されている。   In the radiation image conversion panel 1, a substrate 2 and a stimulable phosphor film 3 are sealed between two moisture-proof protective films 4 and 4. Specifically, the peripheral portions of the protective films 4 and 4 are fused together over the entire circumference of the substrate 2 and the photostimulable phosphor film 3, and the substrate 2 and the photostimulable phosphor film 3 are bonded to the protective film 4 and 4. 4 is completely sealed, and moisture can be surely prevented from entering the photostimulable phosphor film 3.

図2は、放射線画像変換パネル1を製造するための製造システム5の概略構成を示すブロック図である。
図2に示す通り、製造システム5では、基板2に輝尽性蛍光体を蒸着して当該基板2に輝尽性蛍光体膜3を形成する蒸着装置10と、輝尽性蛍光体膜3を化学的に活性化する活性化装置20と、輝尽性蛍光体膜3が形成された基板2を樹脂フィルムで封止する封止装置30とが、設けられている。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of a manufacturing system 5 for manufacturing the radiation image conversion panel 1.
As shown in FIG. 2, in the manufacturing system 5, the stimulable phosphor film 3 is deposited on the substrate 2 by depositing the stimulable phosphor film 3 to form the stimulable phosphor film 3 on the substrate 2. An activation device 20 that is chemically activated and a sealing device 30 that seals the substrate 2 on which the photostimulable phosphor film 3 is formed with a resin film are provided.

蒸着装置10には、測定装置40が配されており、当該測定装置40は、輝尽性蛍光体膜3に励起光(本実施形態では、超短紫外線)を照射して当該輝尽性蛍光体膜3から発される瞬時発光の発光量及びスペクトル分布を測定すると共に、前記輝尽性蛍光体膜3に前記超短紫外線を照射することで潜像を形成し、その後、前記輝尽性蛍光体膜3に輝尽励起光を照射して前記輝尽性蛍光体膜3から発される輝尽発光の発光量を測定するようになっている。ここで、超短紫外線とは、波長が1〜200nm程度の紫外線を指すものとする。放射線画像変換パネル1の製造システム5では、測定装置40の測定結果から、蒸着装置10による蒸着処理の条件と、活性化装置20による活性化処理の条件とを、適宜変更することができるようになっている。   The vapor deposition apparatus 10 is provided with a measuring device 40, which irradiates the stimulable phosphor film 3 with excitation light (ultrashort ultraviolet light in the present embodiment) and emits the stimulable fluorescence. A light emission amount and a spectral distribution of instantaneous luminescence emitted from the body film 3 are measured, and a latent image is formed by irradiating the photostimulable phosphor film 3 with the ultrashort ultraviolet ray. The phosphor film 3 is irradiated with photostimulated excitation light, and the amount of stimulated luminescence emitted from the photostimulable phosphor film 3 is measured. Here, the ultrashort ultraviolet rays refer to ultraviolet rays having a wavelength of about 1 to 200 nm. In the manufacturing system 5 of the radiation image conversion panel 1, the conditions for the vapor deposition process by the vapor deposition apparatus 10 and the conditions for the activation process by the activation apparatus 20 can be appropriately changed from the measurement result of the measurement apparatus 40. It has become.

なお、励起光として超短紫外線を用いると、X線に近い作用(電子を伝導帯まで引き上げるエネルギーを有する)が得られると共に、X線より測定装置が小型で安価なもので済むため、作業がし易く、コスト及び効率も良い。また、超短紫外線であれば、装置が複雑でないため、X線照射では困難な大きなサイズの輝尽性蛍光体膜の評価を行うことができ、切り分け前の製造途中の大きなサイズの状態で輝尽性蛍光体膜の評価を行うことができる。このことから製品として完成する前に不良品を特定することができ、作業効率の向上やコスト削減を行うことができる。また、大きなサイズでの輝尽性蛍光体膜の評価を行うことで当該輝尽性蛍光体膜の中での良否箇所を特定して不良箇所を取り除いた部分を用いて製品を製造するように輝尽性蛍光体膜の切り方を変更することができ、無駄なく輝尽性蛍光体膜を使用することができ、その結果、良品率及び収率をアップさせることができる。   When ultrashort ultraviolet rays are used as excitation light, an action close to that of X-rays (having the energy to pull electrons up to the conduction band) can be obtained, and the measuring apparatus can be made smaller and less expensive than X-rays. It is easy to do, and cost and efficiency are also good. In addition, since ultra-short ultraviolet rays are not complicated, it is possible to evaluate a large-size photostimulable phosphor film, which is difficult with X-ray irradiation. Evaluation of the stimulable phosphor film can be performed. Therefore, a defective product can be specified before being completed as a product, and work efficiency can be improved and costs can be reduced. In addition, by evaluating the photostimulable phosphor film in a large size, it is possible to specify a pass / fail location in the photostimulable phosphor film and manufacture a product using a portion from which the defective portion is removed. The method of cutting the photostimulable phosphor film can be changed, and the photostimulable phosphor film can be used without waste. As a result, the yield rate and yield can be increased.

図3は蒸着装置10及び測定装置40の概略構成を示す図面である。
図3に示す通り、蒸着装置10は蒸着炉11を有している。蒸着炉11の内部には坩堝12が配されており、蒸着炉11の側部には光透過性の透過窓13が配されている。
FIG. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the vapor deposition apparatus 10 and the measurement apparatus 40.
As shown in FIG. 3, the vapor deposition apparatus 10 has a vapor deposition furnace 11. A crucible 12 is disposed inside the vapor deposition furnace 11, and a light transmissive transmission window 13 is disposed on the side of the vapor deposition furnace 11.

測定装置40は、波長が1〜200nm程度の超短紫外線を発する紫外線光源41を有している。紫外線光源41は輝尽性蛍光体膜3を励起させるための励起光を発するものであり、具体的には本実施形態の輝尽性蛍光体膜3で使用しているCsBr結晶では、波長169.5nm前後の光を発するようになっている。また、輝尽性蛍光体膜でBaFBr結晶を使用している場合には、波長150nm前後の光を発するようにする。紫外線光源41は蒸着炉11の外部であって透過窓13と対向する位置に配されており、紫外線光源41から発された超短紫外線は透過窓13を透過して蒸着炉11の内部に伝播するようになっている。   The measuring device 40 includes an ultraviolet light source 41 that emits ultrashort ultraviolet light having a wavelength of about 1 to 200 nm. The ultraviolet light source 41 emits excitation light for exciting the photostimulable phosphor film 3. Specifically, in the CsBr crystal used in the photostimulable phosphor film 3 of this embodiment, the wavelength 169 is set. It emits light of around 5nm. Further, when a BaFBr crystal is used in the photostimulable phosphor film, light having a wavelength of about 150 nm is emitted. The ultraviolet light source 41 is disposed outside the vapor deposition furnace 11 and at a position facing the transmission window 13. Ultrashort ultraviolet light emitted from the ultraviolet light source 41 passes through the transmission window 13 and propagates into the vapor deposition furnace 11. It is supposed to be.

蒸着炉11の内部にはポリゴンミラ42が配されている。ポリゴンミラ42は紫外線光源41の超短紫外線を受光可能な位置に配されており、紫外線光源41の超短紫外線を自ら回転しながら輝尽性蛍光体膜3に照射するようになっている(図3中実線参照)。ポリゴンミラ42は、輝尽性蛍光体膜3が超短紫外線を受けて瞬時発光すると、その光(蛍光)を受光して蒸着炉11の内部から外部に透過窓13を介して伝播させるようになっている(図3中点線参照)。   A polygon mirror 42 is disposed inside the vapor deposition furnace 11. The polygon mirror 42 is arranged at a position where the ultraviolet light source 41 can receive the ultrashort ultraviolet light, and irradiates the photostimulable phosphor film 3 while rotating the ultrashort ultraviolet light of the ultraviolet light source 41 itself ( (See the solid line in FIG. 3). When the photostimulable phosphor film 3 receives ultrashort ultraviolet rays and emits light instantaneously, the polygon mirror 42 receives the light (fluorescence) and propagates it from the inside of the vapor deposition furnace 11 to the outside through the transmission window 13. (Refer to the dotted line in FIG. 3).

紫外線光源41の近傍であって透過窓13と対向する位置には光学センサ43が配されている。光学センサ43は透過窓13を透過してきた蛍光を検出するセンサであり、輝尽性蛍光体膜3が瞬時発光した蛍光の光量を検出するようになっている。光学センサ43にはコンピュータ45が接続されており、コンピュータ45が光学センサ43の検出結果に基づき輝尽性蛍光体膜3の瞬時発光のスペクトルを測定・算出するようになっている。   An optical sensor 43 is disposed near the ultraviolet light source 41 and at a position facing the transmission window 13. The optical sensor 43 is a sensor that detects the fluorescence transmitted through the transmission window 13, and detects the amount of fluorescent light instantaneously emitted by the photostimulable phosphor film 3. A computer 45 is connected to the optical sensor 43, and the computer 45 measures and calculates the instantaneous emission spectrum of the photostimulable phosphor film 3 based on the detection result of the optical sensor 43.

また、前記紫外線光源41及び光学センサ43の近傍には、紫外線光源41の超短紫外線により励起状態となった輝尽性蛍光体膜3を輝尽発光させるために輝尽励起光を発する輝尽光源44が配されている。輝尽光源44からの輝尽励起光としては、He−Neレーザ(633nm)や半導体レーザ(LD:660nm、685nm)等が挙げられ、前記紫外線光源41からの超短紫外線の照射と同様に、ポリゴンミラ42を介して輝尽性蛍光体膜3に照射するようになっている(図3中一点鎖線参照)。ポリゴンミラ42は、前記超短紫外線の場合と同様に、輝尽性蛍光体膜3がLD等の輝尽励起光を受けて輝尽発光すると、その光(蛍光)を受光して蒸着炉11の内部から外部に透過窓13を介して伝播させるようになっている(図3中点線参照)。
また、本実施形態の光学センサ43は、輝尽発光した蛍光を検出するセンサも兼ねており、輝尽性蛍光体膜3が輝尽発光した蛍光の光量を検出するようになっている。
Further, in the vicinity of the ultraviolet light source 41 and the optical sensor 43, a stimulating light that emits a stimulating light for stimulating the stimulable phosphor film 3 that has been excited by the ultrashort ultraviolet light of the ultraviolet light source 41 is shown. A light source 44 is arranged. Examples of the excitation light from the excitation light source 44 include a He—Ne laser (633 nm), a semiconductor laser (LD: 660 nm, 685 nm), and the like. The stimulable phosphor film 3 is irradiated through the polygon mirror 42 (see the alternate long and short dash line in FIG. 3). The polygon mirror 42 receives the light (fluorescence) when the stimulable phosphor film 3 receives stimulated excitation light such as an LD and receives the light (fluorescence), as in the case of the ultrashort ultraviolet rays. The light is propagated from the inside to the outside through the transmission window 13 (see the dotted line in FIG. 3).
Further, the optical sensor 43 of the present embodiment also serves as a sensor that detects the fluorescence that has been stimulated to emit light, and detects the amount of fluorescence that has been emitted by the stimulable phosphor film 3.

測定装置40は上記した紫外線光源41、ポリゴンミラ42、光学センサ43、輝尽光源44及びコンピュータ45を含むものであり、主にはこれらの部材から構成されている。   The measuring device 40 includes the above-described ultraviolet light source 41, polygon mirror 42, optical sensor 43, stimulating light source 44, and computer 45, and is mainly composed of these members.

続いて、本発明に係る放射線画像変換パネル1の製造方法について図4を参照しながら説明する。   Then, the manufacturing method of the radiographic image conversion panel 1 which concerns on this invention is demonstrated, referring FIG.

図4は放射線画像変換パネル1の製造方法の概略を示すフローチャートである。
放射線画像変換パネル1の製造方法は、上記で説明した放射線画像変換パネル1の製造システム5を援用するもので、始めに、輝尽性蛍光体膜形成装置としての蒸着装置10を用いて予め設定した蒸着条件で基板2上に輝尽性蛍光体膜3を形成する(ステップS1)。
FIG. 4 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing the radiation image conversion panel 1.
The manufacturing method of the radiation image conversion panel 1 uses the manufacturing system 5 of the radiation image conversion panel 1 described above, and is first set in advance using a vapor deposition apparatus 10 as a stimulable phosphor film forming apparatus. The stimulable phosphor film 3 is formed on the substrate 2 under the deposited conditions (step S1).

具体的には、図3に示す通り、蒸着装置10の蒸着炉11の内部に基板2を設置し、蒸着炉11の内部を排気してハロゲン化水素雰囲気下の真空状態とする。その後、抵抗加熱法,エレクトロンビーム法等の方法により、輝尽性蛍光体を蒸着源として坩堝12から当該輝尽性蛍光体を蒸発させ、輝尽性蛍光体膜3を基板2上に形成する。   Specifically, as shown in FIG. 3, the substrate 2 is installed inside the vapor deposition furnace 11 of the vapor deposition apparatus 10, and the inside of the vapor deposition furnace 11 is evacuated to a vacuum state in a hydrogen halide atmosphere. Thereafter, the photostimulable phosphor film 3 is formed on the substrate 2 by evaporating the photostimulable phosphor from the crucible 12 using the photostimulable phosphor as an evaporation source by a resistance heating method, an electron beam method, or the like. .

ステップS1の処理を終えたら、測定装置40を用いて輝尽性蛍光体膜3が瞬時発光した蛍光の発光量及びスペクトル分布を測定すると共に、輝尽性蛍光体膜3が輝尽発光した蛍光の発光量を測定する(ステップS2)。   When the processing of step S1 is completed, the amount of emitted fluorescence and the spectral distribution of the instantaneous phosphorescent film 3 emitted by the stimulable phosphor film 3 are measured using the measuring device 40, and the fluorescent light emitted from the stimulable phosphor film 3 is stimulated. Is measured (step S2).

具体的には、図3に示す通り、紫外線光源41から超短紫外線を発させた状態で、ポリゴンミラ42を回転させて当該超短紫外線を輝尽性蛍光体膜3に照射する。このとき、輝尽性蛍光体膜3が超短紫外線を受けて瞬時発光するため、その蛍光を光学センサ43で検出する。そして光学センサ43の検出結果を受けて、コンピュータ45により、輝尽性蛍光体膜3が瞬時発光した蛍光の発光量及びスペクトル分布を測定・算出する。   Specifically, as shown in FIG. 3, in a state where ultrashort ultraviolet rays are emitted from the ultraviolet light source 41, the polygon mirror 42 is rotated to irradiate the photostimulable phosphor film 3 with the ultrashort ultraviolet rays. At this time, since the photostimulable phosphor film 3 receives ultrashort ultraviolet rays and emits light instantaneously, the fluorescence is detected by the optical sensor 43. In response to the detection result of the optical sensor 43, the computer 45 measures and calculates the light emission amount and the spectral distribution of the fluorescence instantaneously emitted by the stimulable phosphor film 3.

また、前記紫外線光源41からの超短紫外線を照射することで、輝尽性蛍光体膜3は瞬時発光すると共に潜像を形成する。そして、輝尽性蛍光体膜3の瞬時発光の発光量及びスペクトル分布の測定を行った後、紫外線光源41からの超短紫外線の照射を止め、次に、輝尽光源44から輝尽励起光(本実施形態では半導体レーザ)を発させて、当該状態でポリゴンミラ42を回転させて当該輝尽励起光を輝尽性蛍光体膜3に照射する。このとき、輝尽性蛍光体膜3が輝尽励起光を受けて輝尽発光するため、その蛍光を光学センサ43で検出する。そして光学センサ43の検出結果を受けて、コンピュータ45により、輝尽性蛍光体膜3が輝尽発光した蛍光の発光量を測定・算出する。   Further, by irradiating the ultrashort ultraviolet light from the ultraviolet light source 41, the photostimulable phosphor film 3 emits light instantaneously and forms a latent image. Then, after measuring the amount of light emission and spectral distribution of the instantaneous light emission of the photostimulable phosphor film 3, the irradiation of the ultrashort ultraviolet rays from the ultraviolet light source 41 is stopped, and then the excitation light from the stimulating light source 44 is stimulated. (In this embodiment, a semiconductor laser) is emitted, and in this state, the polygon mirror 42 is rotated to irradiate the photostimulable phosphor film 3 with the photostimulable excitation light. At this time, the photostimulable phosphor film 3 receives photostimulated excitation light and emits photostimulated light, and the fluorescence is detected by the optical sensor 43. In response to the detection result of the optical sensor 43, the computer 45 measures and calculates the amount of fluorescence emitted by the stimulable phosphor film 3.

なお、ステップS2の処理では、算出装置としてのコンピュータ45を用いて、検出した蛍光から、輝尽性蛍光体膜3のスペクトル分布を算出するとともに、Eu濃度を算出して、輝尽性蛍光体膜3の各部位の膜厚と発光素子量(Eu量)とを当該輝尽性蛍光体膜3の全体にわたって算出するようになっていても良い。すなわち、ステップS2の処理で、測定装置40(コンピュータ45を含む。)が蛍光を検出し、その結果からコンピュータ45が輝尽性蛍光体膜3のスペクトル分布、膜厚及び発光素子量をも算出するようになっていても良い。   In the process of step S2, the spectral distribution of the photostimulable phosphor film 3 is calculated from the detected fluorescence using the computer 45 as a calculation device, and the Eu concentration is calculated to calculate the photostimulable phosphor. The film thickness and the light emitting element amount (Eu amount) of each part of the film 3 may be calculated over the entire stimulable phosphor film 3. That is, in the process of step S2, the measuring device 40 (including the computer 45) detects fluorescence, and the computer 45 also calculates the spectral distribution, film thickness, and light emitting element amount of the stimulable phosphor film 3 from the result. You may come to do.

ステップS2の処理を終えたら、ステップS2の処理で測定・算出した結果が一定基準を満たす良好なものか否かを判断する(ステップS3)。すなわち、ステップS2で算出した(1)スペクトル分布が所定の分布となっているか(2)瞬時発光の発光量が所定値となっているか(3)輝尽発光の発光量が所定値となっているか、をそれぞれ判断する。   When the process of step S2 is completed, it is determined whether or not the result measured and calculated in the process of step S2 satisfies a certain standard (step S3). That is, (1) whether the spectral distribution calculated in step S2 is a predetermined distribution, (2) whether the light emission amount of instantaneous light emission is a predetermined value, or (3) the light emission amount of stimulated light emission is a predetermined value. Each of them is judged.

ステップS3の処理において、上記(1)〜(3)の全ての条件を満たし結果が良好であると判断したら、活性化装置30を用いて、輝尽性蛍光体膜3に対し予め設定した活性化条件で周知の加熱処理,プラズマ処理等の処理を施して輝尽性蛍光体膜3を活性化する(ステップS4)。   In the process of step S3, if it is determined that all the conditions (1) to (3) are satisfied and the result is good, the activation activity set in advance for the stimulable phosphor film 3 using the activation device 30 is used. The stimulable phosphor film 3 is activated by performing a known heat treatment, plasma treatment or the like under the crystallization conditions (step S4).

ステップS3の処理において、上記(1)の条件を満たさず結果が良好でないと判断したら、ステップS1の処理で輝尽性蛍光体膜3を形成した基板2の後続の基板2に対し、ステップS1の処理とは異なる蒸着条件で、ステップS1の処理と同様の蒸着処理を実行する(ステップS5)。すなわち、ステップS1の処理で製造順がn番目の基板2に輝尽性蛍光体膜3を形成したとしたら、ステップS1の処理の蒸着条件を変更し、その変更した蒸着条件で、(n+1)番目の基板2に対しステップS1の処理と同様の蒸着処理を実行する(ステップS1の処理をステップS5の処理に置き換える)。   If it is determined in step S3 that the condition (1) is not satisfied and the result is not good, step S1 is performed on the substrate 2 subsequent to the substrate 2 on which the photostimulable phosphor film 3 is formed in step S1. The vapor deposition process similar to the process of step S1 is performed under the vapor deposition conditions different from those of the process (step S5). That is, if the photostimulable phosphor film 3 is formed on the n-th substrate 2 in the process of step S1, the deposition conditions of the process of step S1 are changed, and the (n + 1) The vapor deposition process similar to the process of step S1 is performed on the second substrate 2 (the process of step S1 is replaced with the process of step S5).

「蒸着条件」とは、蒸着炉11の内部の真空度,ハロゲン化水素の分圧,坩堝12の温度,蒸着炉11の内部の温度,基板2の温度等のことであり、ステップS5の処理では、これら複数の条件のうち少なくとも1つの条件を変更した状態で蒸着処理を実行する。   “Vapor deposition conditions” are the degree of vacuum inside the vapor deposition furnace 11, the partial pressure of hydrogen halide, the temperature of the crucible 12, the temperature inside the vapor deposition furnace 11, the temperature of the substrate 2, and the like. Then, the vapor deposition process is performed in a state where at least one of the plurality of conditions is changed.

更にステップS3の処理において、上記(1)の条件を満たさず結果が良好でないと判断したら、活性化装置30を用いて、輝尽性蛍光体膜3に対し予め設定していた活性化条件(ステップS4の処理の活性化条件)とは異なる活性化条件で周知の加熱処理,プラズマ処理等の処理を施して輝尽性蛍光体膜3を活性化する(ステップS6)。すなわち、予め設定していた活性化条件を変更し、その変更した活性化条件で活性化処理を実行する。   Furthermore, in the process of step S3, when it is determined that the condition (1) is not satisfied and the result is not good, the activation condition (previously set for the photostimulable phosphor film 3 using the activation device 30 ( The stimulable phosphor film 3 is activated by performing a known heat treatment, plasma treatment or the like under an activation condition different from the activation condition of the treatment in step S4 (step S6). That is, the activation condition set in advance is changed, and the activation process is executed under the changed activation condition.

「活性化条件」とは、加熱処理における加熱時間,加熱温度やプラズマ処理におけるプラズマ照射時間,プラズマ照射強度等のことであり、ステップS6の処理では、これら複数の条件のうち少なくとも1つの条件を当初の条件から変更した状態で活性化処理を実行する。   “Activation conditions” are heating time in heat treatment, heating temperature, plasma irradiation time in plasma processing, plasma irradiation intensity, and the like. In the process of step S6, at least one of the plurality of conditions is set. The activation process is executed in a state changed from the initial condition.

なお、上記(2),(3)の条件を満たしていない場合には、輝尽性蛍光体膜3の材料面での異常が考えられる。例えば、(2)の条件である瞬時発光の発光量が所定値となっていない場合には、Eu2+量の異常である場合が考えられ、これはEu2+量の不足が原因となる。また、(2)の条件である瞬時発光の発光量が所定値となっていない場合には、発光吸収異常である場合も考えられ、この場合には結晶透明性異常が原因である。さらに、(2)の条件は満たしているが(3)の条件である輝尽発光の発光量が所定値となっていない場合には、潜像を形成する部分の異常が考えられ、これは潜像を形成する部分に対する不純物の混入が原因である。 If the conditions (2) and (3) are not satisfied, an abnormality in the material surface of the photostimulable phosphor film 3 can be considered. For example, when the amount of instantaneous light emission that is the condition of (2) is not a predetermined value, there may be a case where the Eu 2+ amount is abnormal, which is caused by a shortage of the Eu 2+ amount. In addition, when the amount of instantaneous light emission that is the condition of (2) is not a predetermined value, there may be a case where the light emission is abnormal, and in this case, the crystal transparency abnormality is the cause. Furthermore, when the light emission amount of the stimulated light emission that satisfies the condition (2) but does not satisfy the condition (3) is not a predetermined value, an abnormality in a portion that forms a latent image is considered. This is because impurities are mixed into the portion forming the latent image.

これらの場合には、当該条件を満たしていない箇所を切り分け、条件を満たした良好な箇所のみを用いて製品を作製する。ここで、測定装置40のコンピュータ45は、良好な箇所の大きさ、形状により作製する輝尽性蛍光体膜3の最終的な製品の大きさ及び形状を計算し、無駄のない最適な切り分けが行われるようにする。これにより、製品の良品率や収率を向上させることができる。さらに、当該(2),(3)の条件の異常は、蓄積しておき、材料面で改善されるように解析される。なお、製造工程のフィードバックに材料条件までが入っている製造システムの場合には、改善されるようにフィードバックする。   In these cases, a part that does not satisfy the condition is cut out, and a product is manufactured using only a good part that satisfies the condition. Here, the computer 45 of the measuring device 40 calculates the final product size and shape of the photostimulable phosphor film 3 to be produced based on the size and shape of a good portion, and the optimal separation without waste is performed. To be done. Thereby, the yield rate and yield of a product can be improved. Further, abnormalities in the conditions (2) and (3) are accumulated and analyzed so as to be improved in terms of material. In the case of a manufacturing system in which material conditions are included in the feedback of the manufacturing process, feedback is made so as to improve.

ステップS4,S6の処理を終えたら、封止装置30を用いて基板2及び輝尽性蛍光体膜3を2枚の保護フィルム4,4間に封止する(ステップS7)。このように、ステップS1からステップS7までの各処理を実行することで、放射線画像変換パネル1を製造することができる。   When the processes of steps S4 and S6 are completed, the substrate 2 and the photostimulable phosphor film 3 are sealed between the two protective films 4 and 4 using the sealing device 30 (step S7). Thus, the radiation image conversion panel 1 can be manufactured by performing each process from step S1 to step S7.

以上の本実施形態では、ステップS2の処理において、輝尽性蛍光体膜3が瞬時発光したときの蛍光を検出すると共に、輝尽性蛍光体膜3が輝尽発光したときの蛍光も検出するため、瞬時発光時の発光量とスペクトル分布及び輝尽発光時の発光量を測定することができ、製造工程中の輝尽性蛍光体膜3の品質を確実かつ迅速に認識することができ、その知見をステップS3の処理以降の処理に有効に活用することができる。そして、ステップS3の処理における判断で輝尽性蛍光体膜3の品質が劣るものであった場合には、予め設定した条件とは異なる条件に変更してステップS5,S6の処理を実行することも可能であり、輝尽性蛍光体膜3の性能を製造工程中において向上させることも可能である。そのため、基板2や輝尽性蛍光体膜3等として安価な材料を使用したり、蒸着装置10や活性化装置20等の使用条件の範囲を広げたりすることが可能であり、ひいては常に一定の品質基準を満たす放射線画像変換パネル1を製造することができる。   In the above embodiment, in the process of step S2, the fluorescence when the stimulable phosphor film 3 emits light instantaneously is detected, and the fluorescence when the stimulable phosphor film 3 emits stimulating light is also detected. Therefore, it is possible to measure the light emission amount and spectral distribution at the time of instantaneous light emission and the light emission amount at the time of stimulating light emission, and to reliably and quickly recognize the quality of the stimulable phosphor film 3 during the manufacturing process, This knowledge can be effectively used for the processing after step S3. If the quality of the photostimulable phosphor film 3 is inferior in the judgment in the process in step S3, the process is changed to a condition different from the preset condition and the processes in steps S5 and S6 are executed. It is also possible to improve the performance of the photostimulable phosphor film 3 during the manufacturing process. Therefore, it is possible to use an inexpensive material for the substrate 2 or the stimulable phosphor film 3 or the like, or to expand the range of use conditions of the vapor deposition apparatus 10 or the activation apparatus 20, etc. The radiation image conversion panel 1 that satisfies the quality standard can be manufactured.

なお、本発明は、前記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various improvements and design changes may be made without departing from the spirit of the present invention.

放射線画像変換パネル1の概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a radiation image conversion panel 1. FIG. 放射線画像変換パネル1の製造システム5の概略構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a schematic configuration of a production system 5 for a radiation image conversion panel 1. FIG. 蒸着装置10及び測定装置40の概略構成を示す図面である。1 is a diagram showing a schematic configuration of a vapor deposition apparatus 10 and a measurement apparatus 40. 放射線画像変換パネル1の製造方法の概略を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an outline of a method for manufacturing the radiation image conversion panel 1.

符号の説明Explanation of symbols

1 放射線画像変換パネル
2 基板
3 輝尽性蛍光体膜
4 保護フィルム
5 製造システム
10 蒸着装置
20 活性化装置
30 封止装置
40 測定装置
41 紫外線光源
42 ポリゴンミラ
43 光学センサ
44 輝尽光源
45 コンピュータ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Radiation image conversion panel 2 Substrate 3 Stimulable phosphor film 4 Protective film 5 Manufacturing system 10 Vapor deposition apparatus 20 Activation apparatus 30 Sealing apparatus 40 Measuring apparatus 41 Ultraviolet light source 42 Polygon mirror 43 Optical sensor 44 Stimulation light source 45 Computer

Claims (4)

所定の基板上に輝尽性蛍光体膜を形成し、前記輝尽性蛍光体膜に励起光を照射することにより前記輝尽性蛍光体膜を瞬時発光させると共に前記輝尽性蛍光体膜に潜像を形成し、前記瞬時発光された蛍光を検出した後、前記輝尽性蛍光体膜に輝尽励起光を照射して輝尽発光させ、当該輝尽発光された蛍光を検出することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。   A photostimulable phosphor film is formed on a predetermined substrate, and the stimulable phosphor film is irradiated with excitation light to cause the stimulable phosphor film to emit light instantaneously and to the photostimulable phosphor film. After forming a latent image and detecting the instantaneously emitted fluorescence, the stimulable phosphor film is irradiated with stimulated excitation light to cause stimulated emission, and the stimulated emission fluorescence is detected. A method for producing a radiation image conversion panel. 請求項1に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記輝尽性蛍光体膜に照射する励起光が、超短紫外線であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1,
A method for producing a radiation image conversion panel, wherein the excitation light applied to the photostimulable phosphor film is ultrashort ultraviolet rays.
請求項1又は2に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記瞬時発光された蛍光を検出して当該蛍光の瞬時発光量とスペクトル分布を測定し、
前記輝尽発光された蛍光を検出して当該蛍光の輝尽発光量を測定することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
In the manufacturing method of the radiation image conversion panel according to claim 1 or 2,
Detecting the instantaneously emitted fluorescence and measuring the instantaneous emission amount and spectral distribution of the fluorescence,
A method for producing a radiation image conversion panel, wherein the stimulated emission fluorescence is detected and the amount of stimulated emission of the fluorescence is measured.
請求項1〜3のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法により製造されたことを特徴とする放射線画像変換パネル。   A radiation image conversion panel manufactured by the method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1.
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