KR101365625B1 - 양방향 발광 다이오드 - Google Patents

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KR101365625B1
KR101365625B1 KR1020070061104A KR20070061104A KR101365625B1 KR 101365625 B1 KR101365625 B1 KR 101365625B1 KR 1020070061104 A KR1020070061104 A KR 1020070061104A KR 20070061104 A KR20070061104 A KR 20070061104A KR 101365625 B1 KR101365625 B1 KR 101365625B1
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김원일
이정훈
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Abstract

본 발명은 양방향 발광 다이오드에 관한 것으로, 기판과, 기판 상에 형성된 적어도 하나 이상의 제1홀과, 제1홀 상에 배치된 적어도 하나 이상의 발광칩; 및 기판 상에 발광칩을 부착시키기 위한 접착부재를 포함하는 양방향 발광 다이오드가 제공된다.
발광 다이오드, 양방향, 홀, 몰딩부, 형광체

Description

양방향 발광 다이오드 {Bidirectional light emitting diode}
도 1은 본 발명의 예시적인 제1 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 개략 사시도이다.
도 2는 도 1의 양방향 발광 다이오드의 평면도이다.
도 3은 도 1의 양방향 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 예시적인 제2 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 4b는 도 4a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다.
도 5a는 본 발명의 예시적인 제3 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 평면도이며, 도 5b는 도 5a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다.
도 6a는 본 발명의 예시적인 제4 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 평면도이며, 도 6b는 도 6a의 양방향 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 예시적인 제5 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 7b는 도 7a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다.
도 8a는 본 발명의 예시적인 제6 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 8b는 도 8a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다.
도 9는 도 4b의 양방향 발광 다이오드에서 출사된 광의 지향각 분포를 측정 한 그래프이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100: 기판 150, 153, 155: 제1홀
160: 제2홀 210: 제1 리드 단자
220: 제2 리드 단자 300: 접착제
400: 발광칩 500: 와이어
610, 613: 제1 몰딩부 615: 홈
620, 623: 제2 몰딩부 710, 720: 형광체
750, 760: 형광체층
본 발명은 양방향 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광칩으로부터의 광이 상부 방향 및 하부 방향으로 출사될 수 있도록 하는 양방향 발광 다이오드에 관한 것이다.
종래의 발광 다이오드는 일 방향으로만 발광하는 것으로 180 도 이내의 각도 범위 내에서만 광이 방출되는 한계가 있으므로 양방향으로 광을 방출할 필요가 있는 광고물용 조명이나, 게시물용 조명에는 별도의 공정을 거쳐 작업을 하여야 하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 발광칩으로부터의 광이 상부 방향 및 하부 방향으로 출사될 수 있도록 하는 양방향 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 형성된 적어도 하나 이상의 제1홀; 상기 제1홀 상에 배치된 적어도 하나 이상의 발광칩; 및 상기 기판 상에 상기 발광칩을 부착시키기 위한 접착부재를 포함하는 양방향 발광 다이오드가 제공된다.
상기 기판은 투명한 재료 또는 광 투과성 재료를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1홀의 크기는 상기 발광칩의 크기보다 작은 것을 특징으로 한다.
상기 접착부재는 투명 또는 반투명 접착제인 것을 특징으로 한다.
상기 발광칩을 봉지하는 제1몰딩부를 더 포함한다.
상기 제1몰딩부는 상기 발광칩으로부터 출사되는 광이 측방향 또는 하부방향으로 커지도록 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 제1몰딩부의 반대측에 배치된 제2몰딩부를 더 포함한다.
삭제
상기 기판 상에는 적어도 하나 이상의 제2 홀이 추가로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 몰딩부 및 상기 제2 몰딩부 중 적어도 어느 하나에 분산된 형광체 또는 확산제를 더 포함한다.
상기 발광칩의 상측, 하측 및 측면 중 적어도 어느 하나에 형성되는 형광체층을 더 포함한다.
상기 제1몰딩부 및 상기 제2몰딩부는 서로 다른 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설 명한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 제1 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 개략 사시도이며, 도 2는 도 1의 양방향 발광 다이오드의 평면도이고, 도 3은 도 1의 양방향 발광 다이오드를 Ⅰ-Ⅰ선에 따라 절단한 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(610) 및 제2 몰딩부(620)를 포함한다.
기판(100) 상에는 제1 리드 단자(210) 및 제2 리드 단자(220)가 배치된다. 이때, 기판(100)은 투명한 재료 또는 광 투과성 재료로 구성될 수 있다.
제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)는 극성이 서로 다른 단자로서, 상호 이격되게 배치된다. 제1 리드 단자(210)는 기판(100)의 제1 측면을 둘러싸도록 기판의 일 측에 배치되며, 제2 리드 단자(220)는 기판(100)의 제2 측면 즉, 제1 측면과 대향되는 측면을 둘러싸도록 기판의 타 측에 배치된다. 본 실시예에서는 제1 리드 단자(210)는 기판(100)의 중앙 영역으로 연장되도록 형성되며, 제2 리드 단자(220)는 제1 리드 단자(210)와 이격되게 배치되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 리드 단자(210)와 제2 리드 단자(220)의 배치 구조는 다양하게 변형될 수 있다.
제1홀(150)은 발광칩(400)이 실장되는 위치와 상응하는 영역 예를 들면, 기판(100)의 중앙 영역 상에 형성된다. 본 실시예의 경우, 제1 리드 단자(210)가 기판(100)의 중앙 영역까지 연장되어 형성되어 있으므로, 제1홀(150)은 제1 리드 단 자(210) 상에 형성된다. 그러나, 제1홀(150)이 형성되는 위치가 단지 제1 리드 단자(210)로 한정되는 것은 아니며, 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들면, 발광칩(400)이 실장되는 위치가 제2 리드 단자(220)라면, 제1홀(150)은 제2 리드 단자(220) 상에 형성되며, 만약 발광칩(400)이 제1, 제2 리드 단자(210, 220) 상에 실장되지 않고, 기판(100) 상에 실장 된다면, 제1홀(150)은 기판(100) 상에 형성된다.
제1 홀(150)의 형태는 다양하게 변형될 수 있으나, 본 실시예의 경우는 사각형의 형태로 형성된다. 또한, 제1 홀(150)의 크기는 발광칩(400)의 크기 보다는 작게 형성된다. 그 이유는, 제1 홀(150)이 발광칩(400)보다 크게 형성되면, 발광칩(400)이 기판(100) 상에 지지될 수 없기 때문이다.
발광칩(400)은 제1 리드 단자(210) 상에 배치되며, 접착제(300)를 통하여 제1 리드 단자(210)에 부착된다. 또한, 발광칩(400)은 와이어(500)를 통하여 제1 리드 단자(210) 및 제2 리드 단자(220)와 전기적으로 연결된다. 이때, 접착제(300)는 투명 또는 반투명 접착제가 사용될 수 있다.
또한, 발광칩(400)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형 태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(400)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다.
제1 몰딩부(610)는 기판(100)의 상부에 배치되어, 발광칩(300)을 봉지한다. 제2 몰딩부(620)는 제1 몰딩부(610)와 대향되게 기판(100)의 하부에 배치된다. 제1 몰딩부(610)와 제2 몰딩부(620)는 각각 다양한 형태로 형성될 수 있으며, 본 실시예에서는 단면이 사다리꼴 형태인 사각형의 형태로 형성된다. 또한, 제1 몰딩부(610)와 제2 몰딩부(620)의 재료로는 투명 수지 예를 들면, 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지등과 같은 재료를 이용할 수 있다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 기판(100)상에 제1홀(150)을 형성하고, 제1홀(150) 상에 발광칩(400)이 배치되도록 구성하게 되면, 발광칩(400)으로부터 나온 광은 기판(100)의 상부 방향은 물론, 제1홀(150)을 통하여 하부 방향으로 출사하게 되어, 양방향으로 광이 출사되는 양방향 발광 다이오드를 용이하게 구현할 수 있게 된다.
도 4a는 본 발명의 예시적인 제2 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 4b는 도 4a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 본 발명의 제2 실시예 및 그 변형예는 상기에서 살펴본 제1 실시예와 비교하여 제1 및 제2 몰딩부의 형태가 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 4a를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(613) 및 제2 몰딩부(623)를 포함한다.
제1 몰딩부(613)는 기판(100)의 상부에 배치되어, 발광칩(300)을 봉지하며, 제2 몰딩부(623)는 제1 몰딩부(613)와 대향되게 기판(100)의 하부에 배치된다. 이때, 제1 몰딩부(613) 및 제2 몰딩부(623)는 각각 그 단면이 반원 또는 반타원 형태로 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(613), 홈(615) 및 제2 몰딩부(623)를 포함한다.
제1 몰딩부(613)는 기판(100)의 상부에 배치되어, 발광칩(300)을 봉지하며, 제2 몰딩부(623)는 제1 몰딩부(613)와 대향되게 기판(100)의 하부에 배치된다. 이때, 제1 몰딩부(613) 및 제2 몰딩부(623)는 각각 그 단면이 반원 또는 반타원 형태로 형성된다. 또한, 제1 몰딩부(613)의 중앙 영역에는 소정 형태 예를 들면, 원뿔 형태로 형성되어 전반사면을 갖는 홈(615)이 형성된다. 이와 같이, 전반사면을 갖는 홈(615)이 제1 몰딩부(613) 상에 형성되면, 발광칩(400)의 상부 방향으로 출사되는 광은 홈(615)의 전반사면에 의해서 측방향 또는 하부방향으로 전반사되어 출 사되기 때문에, 상부 방향으로 출사되는 광은 상대적으로 적어지게 되며, 측방향 및 하부 방향으로 출사되는 광이 상대적으로 커지게 된다.
상기에서 살펴본 바와 같이, 제1 및 제2 몰딩부(613, 623)의 형태를 변형하거나, 또는 소정 형태의 홈을 형성하여 광 출사 경로를 변경시켜, 원하는 광 지향각 패턴을 얻을 수 있게 된다.
도 5a는 본 발명의 예시적인 제3 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 평면도이며, 도 5b는 도 5a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 본 발명의 제3 실시예 및 그 변형예는 상기에서 살펴본 제1 실시예와 비교하여 제1홀의 형태 또는 개수가 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 5a를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(153), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(610) 및 제2 몰딩부(620)를 포함한다. 이때, 제1 홀(150)의 형태는 원형으로 형성되며, 제1 홀(150)의 크기는 발광칩(400)의 크기 보다는 작게 형성된다. 물론, 원형 이외에 타원형, 반원 형태 등 다양한 형태로 형성될 수도 있다.
도 5b를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(155), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(610) 및 제2 몰딩부(620)를 포함한다. 이때, 제1홀(155)은 복수개가 상호 이격되어 배치되도록 형성되며, 제1홀(155)의 형태는 상기에서 살펴본 바와 같이 다양한 형태로 형성될 수 있으나, 본 실시예의 경우 원형으로 형성된다.
도 6a는 본 발명의 예시적인 제4 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 평면도이며, 도 6b는 도 6a의 양방향 발광 다이오드를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 제4 실시예는 상기 실시예들과 비교하여 기판 상에 추가적으로 홀이 형성된다는 점이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제2홀(160), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(613), 홈(615) 및 제2 몰딩부(623)를 포함한다.
제1홀(150)은 발광칩(400)이 실장되는 위치와 상응하는 영역 예를 들면, 기판(100)의 중앙 영역 상에 형성된다. 본 실시예의 경우, 제1 리드 단자(210)가 기판(100)의 중앙 영역까지 연장되어 형성되어 있으므로, 제1홀(150)은 제1 리드 단자(210) 상에 형성된다.
제2홀(160)은 제1홀(150)이 형성된 영역 이외의 기판 영역 상에 형성된다. 이때, 제2홀(160)은 복수개가 형성될 수도 있으며, 단일의 홀이 형성될 수도 있다. 또한, 제2홀(160)의 크기 및 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
제1 몰딩부(613)의 중앙 영역에는 소정 형태 예를 들면, 원뿔 형태로 형성되어 전반사면을 갖는 홈(615)이 형성된다. 이와 같이, 전반사면을 갖는 홈(615)이 제1 몰딩부(613) 상에 형성되면, 발광칩(400)의 상부 방향으로 출사되는 광은 홈(615)의 전반사면에 의해서 측방향 또는 하부방향으로 전반사되어 출사되기 때문에, 상부 방향으로 출사되는 광은 상대적으로 적어지게 되며, 측방향 또는 하부 방향으로 출사되는 광이 상대적으로 커지게 된다. 한편, 상기 전반사면을 갖는 홈(615)은 제2 몰딩부(623)의 중앙영역에 형성될 수도 있다. 또한, 제1몰딩부(613)와 홈(615)에 의해 전반사되어 하부 방향으로 출사되는 광은 기판(100)에 추가로 형성된 제2홀(160)을 통하여 기판(100) 하부 방향으로 출사되어, 하부 방향으로 출사되는 광량이 증가될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 예시적인 제5 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 7b는 도 7a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다. 도 7a 및 도 7b에 도시된 본 발명의 제5 실시예 및 그 변형예는 상기에서 살펴본 제1 실시예와 비교하여 형광체를 더 포함하는 점이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 7a를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(610), 제2 몰딩부(620) 및 제1 형광체(710)를 포함한다.
제1 몰딩부(610) 내에는 발광칩(400)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 제1 형광체(710) 또는 광을 골고루 확산시키는 확산제(미도시)가 혼합된다.
또한, 도 7b에 도시된 양방향 발광 다이오드는 제2 몰딩부(620)내에 제2 형광체(720) 또는 확산제(미도시)가 혼합된다.
이때, 제1 형광체(710)와 제2 형광체(720)는 동일한 형광체이거나, 또는 서로 상이한 형광체일 수 있다. 만약, 서로 상이한 형광체가 혼합된 경우에는 상부 방향으로 출사되는 광의 파장과 하부 방향으로 출사되는 광의 파장이 서로 상이하게 되어, 하나의 발광 다이오드로 2가지의 색을 구현할 수 있는 효과를 얻게 된다.
한편, 도 7a의 경우 제1 몰딩부(610)에 제1 형광체(710)를 혼합한 형태를 예로서 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 제2 몰딩부(710)에 제1 형광체(710)가 혼합될 수도 있다.
도 8a는 본 발명의 예시적인 제6 실시예에 따른 양방향 발광 다이오드의 단면도이며, 도 8b는 도 8a의 양방향 발광 다이오드의 변형예이다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 본 발명의 제6 실시예 및 그 변형예는 상기에서 살펴본 제5 실시예와 비교하여 형광체가 아닌 형광체층을 발광칩 상에 형성한 다는 점이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.
도 8a를 참조하면, 양방향 발광 다이오드는 기판(100), 제1홀(150), 제1 리드 단자(210), 제2 리드 단자(220), 접착제(300), 발광칩(400), 와이어(500), 제1 몰딩부(610), 제2 몰딩부(620) 및 제1 형광체층(750)를 포함한다.
발광칩(400)의 상부에 제1 형광체층(750)을 형성시키며, 제1 형광체층(750)은 발광칩(400)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시 킨다.
또한, 도 8b에 도시된 양방향 발광 다이오드는 발광칩(400)의 하부에 추가적으로 제2 형광체층(760)을 형성시킨다.
도 9는 도 4b의 양방향 발광 다이오드에서 출사된 광의 지향각 분포를 측정한 그래프이다. 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 양방향 발광 다이오드는 광이 상부 방향(0도 ~ 180도)과 하부 방향(180도 ~ 360도) 모두로 출사되는 것을 알 수 있다.
본 실시예의 경우 발광칩의 개수를 1개 및 와이어의 개수를 2개로 설명하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광칩의 개수 및 와이어의 개수는 다양하게 변형될 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 발광칩으로부터의 광이 상부 방향 및 하부 방향으로 출사될 수 있도록 하는 양방향 발광 다이오드를 간단한 방식으로 구 현할 수 있게 된다.
또한, 상부 방향으로 출사되는 광의 파장과 하부 방향으로 출사되는 광의 파장을 서로 상이하게 함으로써, 하나의 발광 다이오드로 2가지의 색을 구현할 수 있는 효과를 얻게 된다.

Claims (13)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 적어도 하나 이상의 제1홀;
    상기 제1홀 상에 배치된 적어도 하나 이상의 발광칩; 및
    상기 기판 상에 상기 발광칩을 부착시키기 위한 접착부재를 포함하되,
    상기 제1홀은 일정한 크기를 유지하도록 상기 기판의 상부표면에서 상기 기판의 하부표면까지 수직으로 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 투명한 재료 또는 광 투과성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1홀의 크기는 상기 발광칩의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 접착부재는 투명 또는 반투명 접착제인 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광칩을 봉지하는 제1몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1몰딩부는 상기 발광칩으로부터 출사되는 광이 측방향 또는 하부방향으로 커지도록 형성된 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1몰딩부의 반대측에 배치된 제2몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판 상에는 적어도 하나 이상의 제2홀이 추가로 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  9. 제5항 또는 제7항에 있어서,
    상기 제1몰딩부 및 상기 제2몰딩부 중 적어도 어느 하나에 분산된 형광체 또는 확산제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광칩의 상측, 하측 및 측면 중 적어도 어느 하나에 형성되는 형광체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 제1몰딩부 및 상기 제2몰딩부는 서로 다른 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 2홀은 상기 제1홀이 형성된 영역 이외의 기판 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2홀은
    상기 발광칩이 설치된 영역의 외주면 중 적어도 한면을 둘러싸는 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 양방향 발광 다이오드.
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