KR101364202B1 - 반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 ｎｃｆ 가열시스템 - Google Patents

반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 ｎｃｆ 가열시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 NCF 가열시스템에 관한 것으로, 반도체 제조장비와; 상기 반도체 제조장비와 연통된 배관과; 상기 배관을 개방되게 감싸며 제공된 NCF 가열수단을 포함하여 구성됨으로써, 강철보다 200배 정도 강하며 구리보다 100배 양호한 열전도를 갖는 NCF를 활용함으로써 NCF 가열수단의 기계적 및 열적 특성이 탁월하여 내구성이 우수하며, 가열되는 객체인 배관의 온도를 직접 모니터링할 수 있어 정확한 온도 제어가 가능한 효과가 있다.

Description

반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 ＮＣＦ 가열시스템 {Heating system using nano carbon fiber for preventing harmful gases with sticking on the inner surface of the pipe installed semi-conductor manufacturing equipment}
본 발명은 반도체 칩, LED 및 LCD 패널 제조장비의 유해 가스 토출 배관을 바람직하게 가열하여 유해 가스의 흡착으로 인한 배관의 유속 감속 또는 폐쇄를 미연에 방지할 수 있는 NCF 가열시스템에 관한 것이다.
반도체 칩, LED 패널 또는 LCD 패널은 복수의 화학 공정에 의해 제조된다. 이러한 화학 공정들은 처리 과정에서 유해 가스가 다량 발생되며, 통상적으로 니크롬선 또는 칸탈선 가열 자켓은 배관을 가열함으로써 유해 가스의 흡착을 방지하고 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 종래 기술에 의한 가스 가열 자켓(30)은 반도체 제조장비(100)와 연통된 배관(10)에 제공되어 있으며, DC 전원에 의해 전원을 공급받는다. 여기서, 가스 가열 자켓(30)은 배관(10)을 개방되게 감싸는 구조로 설치되어 있다. 온도 센서(35)의 하단부는 글라스 울과 같은 단열재(31)에 장입되어 있으며, 단열재(31)에 내장된 니크롬선(또는 칸탈선) 열선(33)과는 이격되어 있다. 그리고, 가스 가열 자켓(30)은 온도 모니터링을 위하여 간접 측정 방식을 채택하고 있으며 보다 상세하게는, 배관(10)의 온도를 직접 측정하지 않고 글라스 울 내부에 설치된 온도 센서(35)에 의하여 이루어진다.
따라서, 이와 같은 종래 기술에 의한 가스 가열 자켓(30)은 반복 사용을 통한 니크롬 열선(33)의 기계적 및 열적 특성이 저하되는 문제점이 있고, 특히 정확한 온도 모니터링을 구현할 수 없다는 심각한 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하고자 창출된 본 발명의 목적은, 반도체 칩, LED 및 LCD 패널 제조장비의 유해 가스 토출 배관을 바람직하게 가열하여 유해 가스의 흡착으로 인한 배관의 유속 감속 또는 폐쇄를 미연에 방지할 수 있는 NCF 가열시스템을 제공함에 있다.
이러한 본 발명의 목적은, 반도체 제조장비와; 상기 반도체 제조장비와 연통된 배관과; 상기 배관을 개방되게 감싸며 제공된 NCF 가열수단을 포함하여 구성된 반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 NCF 가열시스템에 의해 달성될 수 있다.
상세하게는, 본 발명의 상기 반도체 제조장비는 반도체 칩, LCD 패널, LED 패널을 제조시 유해가스가 발생되는 설비이다.
상세하게는, 본 발명의 상기 NCF 가열수단은 글라스 울과 같은 단열재와, 상기 단열재의 내부 또는 표면에 취부된 코일 형태의 NCF 열선을 포함한다.
상세하게는, 본 발명의 상기 NCF 가열수단은 글라스 울과 같은 단열재와, 상기 단열재의 내부 또는 표면에 취부된 병렬 구조의 NCF 열선을 포함하며, 상기 NCF 열선은 외곽의 양쪽 모서리에 수직하게 제 1 열선이 배열되고, 상기 열선들을 가로 방향으로 각기 이격 연결하는 복수 개의 제 2 열선으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
보다 상세하게는, 본 발명의 상기 NCF 열선은 피복 또는 피복되지 않은 것을 특징으로 한다.
상세하게는, 본 발명은 상기 NCF 가열수단의 온도를 모니터링하기 위한 온도센서를 더 포함한다.
보다 상세하게는, 본 발명의 상기 온도센서는 상기 배관의 온도를 직접 측정하기 위하여 상기 배관에 취부되는 것을 특징으로 한다.
이상과 같은 본 발명의 구성은 다음과 같은 장점이 있다.
첫째, 본 발명은 강철보다 200배 정도 강하며 구리보다 100배 양호한 열전도를 갖는 NCF를 활용함으로써 NCF 가열수단의 기계적 및 열적 특성이 탁월하여 내구성이 우수하다.
둘째, 본 발명은 가열되는 객체인 배관의 온도를 직접 모니터링할 수 있어 정확한 온도 제어가 가능하다.
셋째, 본 발명은 직렬 및 병렬로 NCF 코일을 구성할 수 있고, 가열 온도 등에서 있어서 사용 목적에 따라 3,000℃ 까지 용이하게 변경 실시할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 가스 가열 자켓이 설치된 반도체 제조장비를 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 도 1 가스 가열 자켓 부분의 종단면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 NCF 가열 수단이 설치된 반도체 제조장비를 나타내는 개략 구성도이다.
도 4는 도 3 NCF 가열 수단 부분의 종단면 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 NCF 가열 수단이 설치된 반도체 제조장비를 나타내는 개략 구성도이다.
도 6은 도 5 NCF 가열 수단 부분의 종단면 구조를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 구성을 실시예를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 NCF 가열 수단(130)은 반도체 제조장비(100)와 연통된 배관(10)에 제공되어 있으며, DC 전원에 의해 전원을 공급받는다.
여기서, 본 발명에 의한 NCF 가열수단(130)은 배관(10)을 개방되게 감싸는 구조로 설치되며, 제 1 온도 센서(135)의 하단부는 글라스 울과 같은 단열재(131)에 장입되어 있으며, 단열재(131)에 내장된 NCF 열선(133)과는 이격되어 있다.
보다 상세하게는, 본 발명에 적용된 제 1 온도 센서(135)는 종래 기술과 동일하게 NCF 가열수단(130)의 단열재(131)에 내장되어 있으며, 제 2 온도 센서(137)는 가열의 객체인 배관(10)의 표면에 설치되어 있다.
따라서, 본 발명의 NCF 가열수단(130)은 정확한 온도 모니터링을 위하여 직접 접촉식 측정 방식을 채택하고 있으며 보다 상세하게는, 가열수단의 온도를 측정하는 대신 가열 객체인 배관(10)의 표면에 제 2 온도 센서(137)를 취부하여 구성된다.
여기서, 미설명부호 Th는 제 1 온도센서(135)에 의해 측정되는 온도값이며, Tp는 제 2 온도센서(137)에 의해 측정되는 온도값이다.
그리고, 본 발명의 NCF 열선(133)은 종래 기술의 실시예와 같이 직렬 방식의 코일 형태로 구성되어 있다.
또한, 본 발명에 적용되는 NCF는 다음과 같은 최소의 규격을 갖는 것이 바람직하다.
1. 직경 50 ~ 300nm
2. 길이 10 ~ 30um
3. 종횡비(Aspect Ratio) 100 초과
4. 순도 90중량% 초과
5. 비표면적(Specific Surface Area) 100 ~ 300 m2/g
6. 벌크밀도(Bulk Density) 0.15 ~ 0.17 g/m3
이상과 같은 규격을 갖는 NCF를 이용하여 탄소섬유를 제작하고, 이러한 탄소섬유를 이용하여 다양한 굵기 및 가닥수의 NCF 열선이 제작된다.
본 발명의 실시예에 있어서, 온도센서(135)(137)의 측정값을 받아 NCF 가열수단(130)을 제어하거나 또는 가열수단(130)을 직접 제어하는 제어수단은 공지 기술에 지나지 않기 때문에 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 NCF 열선(237)은 병렬 구조를 갖는 것 외에는 도 3 및 도 4의 실시예와 동일한 구성을 갖기 때문에 이외의 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
여기서, NCF 열선(233)은 외곽의 양쪽 모서리에 수직하게 열선이 배열되고, 이러한 열선들을 가로 방향으로 복수 개의 열선이 연결하고 있는 병렬 구조로써 일부 열선의 단락이 발생한다 하더라도 반도체 제조장비(100)의 정지없이 작업을 수행할 수 있는 특징이 있다.
더욱이, 본 발명에 의한 NCF 열선은 종래 기술에 의한 니크롬선 열선(35)과는 달리 피복을 하지 않을 수 있으며, 또한 직렬 및 병렬 NCF 열선을 조합하여 설치될 수 있음을 미리 밝혀둔다. 왜냐하면, 본 발명의 NCF 열선은 기계적 특성과 열적 특성이 일반적인 니크롬선 열선과는 비교가 되지 않을 정도로 우수하기 때문에 피복 여부는 사용자의 선택 사항에 지나지 않는다.
또한, 본 발명의 NCF 열선은 단열재의 표면에 배열되거나 또는 내장될 수 있으며, 본 발명의 발명의 상세한 설명에 전반적으로 사용되는 반도체 제조장비는 반도체 칩, LCD 패널, LED 패널을 제조시 유해가스가 발생되는 설비를 통칭한 것임을 미리 밝혀둔다.
본 발명은 NCF의 특성상 초고온 예컨대 3,000℃ 이상에서도 열선이 파단되지 않기 때문에 사용 목적에 따라, 또는 발생되는 유해 가스의 특성, 양에 따라 다양하게 변경 실시할 수 있는 특징이 있다.
또한, 본 발명의 NCF 가열수단은 DC 전원에 의해 가열되나 필요목적에 따라 교류 전원을 사용할 수도 있다.
10 : 배관 130 : NCF 가열수단
131 : 단열재 133 : NCF 열선
135, 137 : 온도센서

Claims (7)

  1. 반도체 제조장비와;
    상기 반도체 제조장비와 연통된 배관과;
    상기 배관을 개방되게 감싸며 제공된 NCF 가열수단을 포함하여 구성하되,
    상기 반도체 제조장비는 반도체 칩, LCD 패널, LED 패널을 제조시 유해가스가 발생되는 설비이고,
    상기 NCF 가열수단은 글라스 울과 같은 단열재와, 상기 단열재의 내부 또는 표면에 취부된 병렬 구조의 NCF 열선을 포함하며,
    상기 NCF 열선은 외곽의 양쪽 모서리에 수직하게 제 1 열선이 배열되고, 상기 열선들을 가로 방향으로 각기 이격 연결하는 복수 개의 제 2 열선으로 구성되고,
    상기 NCF 가열수단의 온도를 모니터링하기 위한 온도센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 NCF 가열시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도센서는 상기 배관의 온도를 직접 측정하기 위하여 상기 배관에 취부되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 유해가스 배관 흡착 방지를 위한 NCF 가열시스템.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170114364A (ko) * 2016-04-04 2017-10-16 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈 및 그 운용방법.
KR20170114365A (ko) * 2016-04-04 2017-10-16 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈 및 히트 재킷의 온도 제어 방법
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060089532A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
JP2011002110A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Dainippon Printing Co Ltd 潜熱回収型熱交換器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060089532A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
JP2011002110A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Dainippon Printing Co Ltd 潜熱回収型熱交換器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170114364A (ko) * 2016-04-04 2017-10-16 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈 및 그 운용방법.
KR20170114365A (ko) * 2016-04-04 2017-10-16 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈 및 히트 재킷의 온도 제어 방법
KR101872355B1 (ko) 2016-04-04 2018-06-28 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈 및 그 운용방법.
KR101870976B1 (ko) * 2016-04-04 2018-07-23 (주)화인 히트 재킷 온도 제어 모듈
KR20210022826A (ko) 2019-08-21 2021-03-04 주식회사 아리솔테크 파우더 고착 방지장치

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