KR101358248B1 - Apparatus for processing large area substrate - Google Patents
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Abstract
본 발명은 대면적 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와의 사이에 반응 공간이 형성되도록 상기 기판 안착부의 상부에 설치되며, 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀이 형성된 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 상기 샤워 헤드의 상부에 배치되며, 상기 확산 공간으로 반응 가스가 공급되도록 상하로 관통된 가스 공급홀이 형성된 가스 박스; 및 상기 샤워 헤드와 상기 가스 박스 사이에 체결되어 상기 샤워 헤드를 지지하며, 상기 복수의 가스 분사홀 중 적어도 어느 하나를 연통하는 가스 연통홀이 형성된 적어도 하나의 가스분사 체결부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 대면적 기판 처리 장치에 적용되는 샤워 헤드의 처짐을 방지하면서도 샤워 헤드의 처짐 방지를 위한 가스분사 체결부에 형성된 가스 관통홀에 의해 플라즈마의 균일성을 보장하여 공정 균일도를 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a large area substrate processing apparatus, comprising: a reaction chamber; A substrate seating part installed inside the reaction chamber and on which a substrate is seated; A shower head installed on an upper portion of the substrate seating portion so that a reaction space is formed between the substrate seating portion and a plurality of gas injection holes penetrating up and down; A gas box disposed above the shower head such that a diffusion space is formed between the shower head and a gas supply hole penetrating up and down to supply a reaction gas to the diffusion space; And at least one gas injection fastening part fastened between the shower head and the gas box to support the shower head and having a gas communication hole communicating at least one of the plurality of gas injection holes. . Accordingly, the uniformity of the plasma can be ensured by the gas through hole formed in the gas injection fastening part for preventing the shower head from sagging and the shower head applied to the large-area substrate processing apparatus, thereby improving process uniformity. .
Description
본 발명은 대면적 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대면적 기판 처리 장치에 적용되는 샤워 헤드의 처짐을 방지하면서도 플라즈마의 균일성을 보장할 수 있는 대면적 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a large area substrate processing apparatus, and more particularly, to a large area substrate processing apparatus capable of ensuring plasma uniformity while preventing sagging of a shower head applied to a large area substrate processing apparatus.
도 1은 종래의 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이다. 종래의 기판 처리 장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100)의 상부에 배치되어 중앙에 가스 관통홀(201)이 형성된 가스 박스(200)와, 가스 박스(200)의 하부에 마련되어 가스 박스(200)를 통해 유입되는 반응 가스를 분사하는 샤워 헤드(300)와, 반응 챔버(100)의 하부에 배치되어 기판(W)이 안착되는 기판 안착부(400)와, 배기 수단으로 구성된다. 또한, 반응 챔버(100)의 일측벽 또는 양측벽에는 기판 출입구(110)가 형성되어, 기판 출입구(110)를 통해 반응 챔버(100)에 기판(W)이 반입 및 반출된다.1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus. As shown in FIG. 1, the conventional substrate processing apparatus includes a
이와 같은 종래의 기판 처리 장치에 있어서, 반응 가스는 외부의 가스 공급원으로부터 공급되어 가스 박스(200)에 형성된 가스 관통홀(201)을 통해 샤워 헤드(300)의 상부로 유입된 후, 샤워 헤드(300)에 형성된 다수의 가스 분사홀을 통해 기판(W)의 상면에 균일하게 분사된다.In such a conventional substrate processing apparatus, the reaction gas is supplied from an external gas supply source and flows into the upper portion of the
한편, 기판(W) 상에 박막을 증착하기 위해 기판 안착부(400)에 설치된 히터에 의해 기판(W)이 가열되고, 플라즈마 상태의 형성을 위한 외부 고전압 에너지원의 공급 등에 의해 반응 챔버(100) 내부는 고온 환경이 형성되는데, 이와 같은 고온 환경은 샤워 헤드(300)의 열팽창을 발생시킨다. 따라서, 샤워 헤드(300)의 가장자리에 완충 부재(202)를 설치하여 샤워 헤드(300)의 열팽창을 흡수하도록 구성하고 있다.On the other hand, the substrate W is heated by a heater installed in the
그런데, 최근 생산력의 증대를 위해 대면적의 기판(W)을 처리하기 위한 대면적 기판 처리 장치가 적용되는 추세이고, 종래의 기판 처리 장치를 대면적 기판(W)에 적용하는 경우에는 다음과 같은 문제점이 발생하게 된다.However, in recent years, in order to increase productivity, a large area substrate processing apparatus for processing a large area substrate W has been applied, and in the case of applying the conventional substrate processing apparatus to a large area substrate W as follows. Problems will arise.
먼저, 대면적 기판 처리 장치에서는 샤워 헤드(300)의 면적도 넓어지게 되는데, 대면적의 샤워 헤드(300)를 종래의 기판 처리 장치에서와 같이 그 가장자리에서만 지지하게 되면, 샤워 헤드(300)의 중앙 영역에서 처짐 현상이 발생하게 된다. 이와 같은 샤워 헤드(300)의 처짐 현상은 균일한 플라즈마의 생성을 저해시켜 결과적으로 공정 균일도를 저하시키는 원인으로 작용하게 된다.First, in the large-area substrate processing apparatus, the area of the
이와 같은 대면적 샤워 헤드(300)의 처짐 현상을 방지하기 위해, 샤워 헤드(300)의 가장자리뿐 만 아니라 중앙 영역을 지지하는 구조의 설계가 제안되고 있다. 그러나, 샤워 헤드(300)의 중앙 영역에서 샤워 헤드(300)를 지지하는 구조를 부가하는 경우, 해당 구조물과 체결되는 샤워 헤드(300)의 체결 부위에 형성된 가스 분사홀은 해당 구조물에 의해 차단된다. 따라서, 체결을 위한 구조물에 의해 차단된 가스 분사홀을 통해서는 반응 가스가 공급되지 못해 균일한 플라즈마의 생성을 저해하고, 이는 공정 균일도를 악화시키는 원인으로 작용하게 된다.In order to prevent such a large area sagging of the
또한, 샤워 헤드(300)의 대면적화는 샤워 헤드(300)의 열팽창 면적을 증가시켜, 샤워 헤드(300)의 처짐 방지를 위한 지지 구조가 부가되는 경우, 지지되는 부분이 열팽창을 막아 샤워 헤드(300)의 변형을 야기시키게 된다. 이와 같은 샤워 헤드(300)의 변형은 균일한 플라즈마의 생성을 저해하고, 동일하게 공정 균일도를 저하시키는 원인으로 작용하게 된다.In addition, the large area of the
이에 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 대면적 기판 처리 장치에 적용되는 샤워 헤드의 처짐을 방지하면서도 플라즈마의 균일성을 보장하여 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 대면적 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, a large-area substrate processing apparatus that can improve the uniformity of the process by ensuring the uniformity of the plasma while preventing sagging of the shower head applied to the large-area substrate processing apparatus The purpose is to provide.
또한, 샤워 헤드의 열팽창에 따른 변형을 방지하면서도 플라즈마의 균일성을 보장하여 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 대면적 기판 처리 장치를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.Another object of the present invention is to provide a large-area substrate processing apparatus capable of improving process uniformity by preventing plasma deformation while preventing deformation due to thermal expansion.
상기 목적은 본 발명에 따라, 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와의 사이에 반응 공간이 형성되도록 상기 기판 안착부의 상부에 설치되며, 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀이 형성된 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 상기 샤워 헤드의 상부에 배치되며, 상기 확산 공간으로 반응 가스가 공급되도록 상하로 관통된 가스 공급홀이 형성된 가스 박스; 및 상기 샤워 헤드와 상기 가스 박스 사이에 체결되어 상기 샤워 헤드를 지지하며, 상기 복수의 가스 분사홀 중 적어도 어느 하나를 연통하는 가스 연통홀이 형성된 적어도 하나의 가스분사 체결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치에 의해서 달성된다.The object according to the invention, the reaction chamber; A substrate seating part installed inside the reaction chamber and on which a substrate is seated; A shower head installed on an upper portion of the substrate seating portion so that a reaction space is formed between the substrate seating portion and a plurality of gas injection holes penetrating up and down; A gas box disposed above the shower head such that a diffusion space is formed between the shower head and a gas supply hole penetrating up and down to supply a reaction gas to the diffusion space; And at least one gas injection fastening part fastened between the shower head and the gas box to support the shower head and having a gas communication hole communicating at least one of the plurality of gas injection holes. It is achieved by a large area substrate processing apparatus.
여기서, 상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 상부로부터 삽입되어 상기 샤워 헤드와 체결되되, 상기 가스 분사홀을 통해 상기 샤워 헤드와 체결되는 체결 볼트를 포함하며; 상기 가스 연통홀은 상기 체결 볼트의 내측에 상하 방향으로 형성되어 상기 가스 박스의 상부와 상기 체결 볼트가 체결된 상기 가스 분사홀을 연통할 수 있다.Here, the gas injection fastening portion is inserted from the top of the gas box is fastened to the shower head, and includes a fastening bolt fastened to the shower head through the gas injection hole; The gas communication hole may be formed in the up and down direction inside the fastening bolt to communicate an upper portion of the gas box with the gas injection hole to which the fastening bolt is fastened.
그리고, 상기 가스 공급홀은 상기 가스 박스의 중심 영역에 형성되며; 상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 가장자리보다 상기 가스 공급홀에 상대적으로 인접한 위치에서 상기 샤워 헤드를 지지할 수 있다.And the gas supply hole is formed in the center region of the gas box; The gas injection fastening part may support the shower head at a position relatively adjacent to the gas supply hole than an edge of the gas box.
여기서, 상기 가스분사 체결부는 상기 가스 공급홀을 중심으로 반경 방향을 따라 이격된 상태로 복수 개 설치될 수 있다.Here, the gas injection coupling part may be provided in plural in a state spaced apart along the radial direction with respect to the gas supply hole.
또한, 상기 가스 박스에는 상기 가스분사 체결부의 체결을 위한 상하로 관통된 체결홀이 형성되며; 상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 상부로부터 상기 체결홀을 통해 삽입되어 상기 샤워 헤드의 상부 표면에 접촉하며, 상기 체결 볼트가 상부로부터 삽입되어 상기 샤워 헤드에 체결 가능하도록 내부에 상하 방향으로 관통된 볼트 통과공이 형성된 이격 본체, 및 상기 이격 본체의 상부 가장자리로부터 반경 방향 외측으로 연장되어 상기 가스 박스의 상부 표면에 걸리는 걸림턱부를 더 포함할 수 있다.In addition, the gas box is formed with a fastening hole penetrating up and down for fastening the gas injection fastening portion; The gas injection fastening part is inserted through the fastening hole from the top of the gas box to contact the upper surface of the shower head, and the fastening bolt is inserted from the top and penetrates vertically therein so as to be fastened to the shower head. It may further include a separation body formed with a bolt through hole, and a locking step extending radially outward from the upper edge of the separation body to be caught on the upper surface of the gas box.
한편, 상기 목적은 본 발명의 다른 실시 형태에 따라, 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 안착부; 상기 기판 안착부와의 사이에 반응 공간이 형성되도록 상기 기판 안착부의 상부에 설치되며, 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀이 형성된 샤워 헤드; 상기 샤워 헤드와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 상기 샤워 헤드의 상부에 배치되며, 상기 확산 공간으로 반응 가스가 공급되도록 상하로 관통된 가스 공급홀이 형성된 가스 박스; 및 상기 샤워 헤드와 상기 가스 박스 사이에 체결되어 상기 샤워 헤드를 지지하는 적어도 하나의 가스분사 체결부를 포함하며, 상기 가스분사 체결부는 상기 샤워 헤드와의 체결 영역에 위치하는 가스 분사홀들과 각각 연통되는 복수의 가스 통과홀이 상하로 관통되어 형성된 제1 체결부 및 상기 가스 박스에 결합되는 제2 체결부를 포함할 수 있다.On the other hand, the above object according to another embodiment of the present invention, the reaction chamber; A substrate seating part installed inside the reaction chamber and on which a substrate is seated; A shower head installed on an upper portion of the substrate seating portion so that a reaction space is formed between the substrate seating portion and a plurality of gas injection holes penetrating up and down; A gas box disposed above the shower head such that a diffusion space is formed between the shower head and a gas supply hole penetrating up and down to supply a reaction gas to the diffusion space; And at least one gas injection fastening part fastened between the shower head and the gas box to support the shower head, wherein the gas injection fastening part communicates with gas injection holes positioned in the fastening area with the shower head, respectively. The plurality of gas passage holes may be provided through the first fastening portion and the second fastening portion coupled to the gas box.
여기서, 상기 가스분사 체결부는 상기 상기 제2 체결부의 하부에서 상기 제2 체결부와 체결되는 체결 본체 및 상기 체결 본체와 상기 제1 체결부를 연결하는 적어도 하나의 연결 리브를 갖는 연결 부재를 더 포함할 수 있다.The gas injection coupling unit may further include a coupling member having a coupling body coupled to the second coupling portion under the second coupling portion, and at least one connection rib connecting the coupling body to the first coupling portion. Can be.
그리고, 상기 제2 체결부는 상기 가스 박스의 중앙 영역을 중심으로 반경 방향 외측으로 슬라이딩 이동 가능하게 상기 가스 박스에 결합될 수 있다.The second fastening part may be coupled to the gas box to be slidably moved radially outward with respect to the center area of the gas box.
그리고, 상기 가스 박스에는 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연통되도록 상호 연통된 제1 가이드 홀 및 제2 가이드 홀이 상하로 형성되되, 가이드 턱이 형성되도록 상기 제2 가이드 홀의 내경이 상기 제1 가이드 홀의 내경보다 작게 형성되며; 상기 제2 체결부는 상기 제1 가이드 홀에 삽입되어 상기 가이드 턱에 걸린 상태로 슬라이딩 이동 가능하게 상기 연결 부재의 상기 체결 본체와 결합될 수 있다.In addition, the gas box is formed with the first guide hole and the second guide hole communicated with each other so as to communicate from the upper surface to the lower surface up and down, the inner diameter of the second guide hole is the inner diameter of the first guide hole to form a guide jaw Formed smaller; The second fastening part may be inserted into the first guide hole and may be coupled to the fastening main body of the connection member to be slidably moved while being caught by the guide jaw.
여기서, 상기 제1 가이드 홀의 상부를 밀폐하는 밀폐부를 더 포함할 수 있다.Here, the sealing unit may further include a sealing portion to seal the upper portion of the first guide hole.
그리고, 상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 중앙 영역보다 상기 가스 박스의 가장자리 영역에 상대적으로 인접하게 위치할 수 있다.In addition, the gas injection fastening unit may be located relatively closer to the edge region of the gas box than the central region of the gas box.
상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 대면적 기판 처리 장치에 적용되는 샤워 헤드의 처짐을 방지하면서도 샤워 헤드의 처짐 방지를 위한 가스분사 체결부에 형성된 가스 관통홀에 의해 플라즈마의 균일성을 보장하여 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 대면적 기판 처리 장치가 제공된다.According to the present invention by the above configuration, while preventing the deflection of the shower head applied to the large-area substrate processing apparatus while ensuring the uniformity of the plasma by the gas through hole formed in the gas injection fastening portion for preventing the deflection of the shower head process A large area substrate processing apparatus capable of improving the uniformity is provided.
또한, 샤워 헤드의 열팽창에 따른 변형을 방지하면서도 플라즈마의 균일성을 보장하여 공정 균일도를 향상시킬 수 있는 대면적 기판 처리 장치기 제공된다.In addition, a large-area substrate processing apparatus capable of improving process uniformity by ensuring plasma uniformity while preventing deformation due to thermal expansion of the shower head is provided.
도 1은 종래의 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치의 샤워 헤드의 평면을 도시한 도면이고,
도 4는 도 2의 A 영역을 확대한 도면이고,
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치의 단면을 도시한 도면이고,
도 6은 도 5의 B 영역을 확대한 도면이고,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치의 가스분사 체결부의 사시도이고,
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치의 샤워 헤드의 평면을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view of a conventional substrate processing apparatus,
2 is a cross-sectional view of a large-area substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention,
3 is a view showing a plane of the shower head of the large-area substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention,
FIG. 4 is an enlarged view of the area A in FIG. 2,
5 is a cross-sectional view of a large-area substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged view of region B of FIG. 5;
7 is a perspective view of a gas injection fastening part of the large-area substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention,
8 is a view showing a plane of the shower head of the large-area substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 제1 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치(1)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10a,10b), 기판 안착부(20), 샤워 헤드(30), 가스 박스(40) 및 적어도 하나의 가스분사 체결부(60)를 포함한다.In the large-area substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, the
반응 챔버(10a,10b)는 상부가 개구된 하부 챔버(10a)와, 상부 챔버(10b)로 구성되며, 하부 챔버(10a)와 상부 챔버(10b)는 반응 챔버(10a,10b) 내의 반응 가스가 누출되지 않도록 O-링과 같은 밀폐 부재에 의해 밀폐되도록 결합한다. 그리고, 반응 챔버(10a,10b) 내부에 기판 안착부(20), 샤워 헤드(30), 가스 박스(40)와 같은 대면적 기판 처리 장치(1)의 구성 요소들이 수용된다.The
기판 안착부(20)는 반응 챔버(10a,10b) 내부에 설치되는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10a,10b)의 하부에 배치된다. 여기서, 기판 안착부(20)에는 처리 대상인 기판(W)이 안착되는데, 내부에는 안착된 기판(W)의 가열을 위한 가열 수단이 설치된다.The
샤워 헤드(30)는 반응 챔버(10a,10b)의 내부의 상부, 즉 기판 안착부(20)의 상부에 설치되어 기판 안착부(20)와의 사이에 반응 공간을 형성한다. 여기서, 샤워 헤드(30)에는 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀(31)이 형성되며, 가스 분사홀(31)을 통해 샤워 헤드(30)와 가스 박스(40) 사이에 형성되는 확산 공간 상의 반응 가스가 각각의 가스 분사홀(31)을 통해 반응 공간으로 분사되어 반응 공간에 균일한 가스 공급이 가능하게 한다.The
본 발명에서는 샤워 헤드(30)의 가장자리 영역이 하부 챔버(10a)에 얹혀 놓여지는 방식으로 반응 챔버(10a,10b) 내부에 설치되는 것을 예로 한다. 여기서, 샤워 헤드(30)의 가장자리가 반응 챔버(10a,10b) 내부에 설치되는 구성과 반응 가스의 누설을 방지하기 위한 구성은 다양한 형태로 마련될 수 있으며, 샤워 헤드(30)의 열팽창에 적응할 수 있는 다양한 구조로 마련될 수 있다.In the present invention, for example, the edge region of the
한편, 가스 박스(40)는 샤워 헤드(30)와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 샤워 헤드(30)의 상부에 일정 간격 이격된 상태로 배치되며, 샤워 헤드(30)와의 사이에 형성되는 확산 공간으로 반응 가스를 공급하기 위해 상하로 관통된 가스 공급홀(41)이 형성된다.On the other hand, the
본 발명에서는 가스 공급홀(41)이, 도 2에 도시된 바와 같이 가스 박스(40)의 중앙 영역에 하나로 형성되는 것을 예로 하고 있으나, 2 이상의 가스 공급홀(41)에 형성되거나 그 형성 위치가 바뀔 수 있음은 물론이다. 또한, 가스 박스(40)의 양측 가장자리 영역이 반응 챔버(10a,10b) 내부에 설치되는 구조는 기 공지된 다양한 형태로 마련될 수 있는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.In the present invention, the
여기서, 가스 박스(40)의 상부에는 가스박스 리드(50)가 설치되는데, 가스박스 리드(50)는 반응 챔버(10a,10b) 외부의 가스 공급원(S)으로부터 반응 가스를 공급받아 가스 박스(40)의 가스 공급홀(41)을 통해 확산 공간으로 반응 가스의 공급을 가능하게 한다.Here, a
한편, 가스분사 체결부(60)는 샤워 헤드(30)와 가스 박스(40) 사이에 체결되어 샤워 헤드(30)를 지지한다. 본 발명에서는 가스분사 체결부(60)가, 도 3에 도시된 바와 같이, 가스 박스(40)에 형성된 가스 공급홀(41)에 인접하게 가스 공급홀(41)을 중심으로 반경 방향을 따라 이격된 상태로 4개가 설치되는데, 가스 박스(40)의 가장자리보다 가스 공급홀(41)에 상대적으로 인접한 위치에 설치되는 것을 예로 한다.On the other hand, the gas
이와 같이, 샤워 헤드(30)의 가장자리가 반응 챔버(10a,10b)의 내부에 결합되고, 샤워 헤드(30)의 중앙 영역이 가스분사 체결부(60)에 의해 가스 박스(40)에 지지됨으로써, 대면적의 샤워 헤드(30)에 발생하는 처짐 현상을 방지할 수 있게 된다.In this way, the edge of the
한편, 가스분사 체결부(60)에는 가스 박스(40)의 방수와 가스 분사홀(31)을 연통하는 가스 연통홀(62)이 형성된다. 여기서, 가스 분사홀(31)은 가스분사 체결부(60)가 샤워 헤드(30)의 상부 표면에 체결될 때, 체결되는 부분의 가스 분사홀(31)을 차단하게 되는데, 이 때 가스분사 체결부(60)에 형성되는 가스 연통홀(62)이 가스 분사홀(31)과 가스 박스(40)의 상부 영역을 연통시킴으로써, 가스 박스의 상부 측의 반응 가스가 가스분사 체결부(60)의 가스 연통홀(62) 및 가스 분사홀(31)을 통해 샤워 헤드(30) 하부의 반응 공간으로 공급 가능하게 된다.On the other hand, the gas
상기와 같은 구성에 따라, 가스분사 체결부(60)가 결합되는 영역에 형성되는 가스 분사홀(31)은 가스분사 체결부(60)에 형성된 가스 연통홀(62)을 통해 가스 박스(40)의 상부 측 반응 가스가 가스 연통홀(62) 및 가스 분사홀(31)을 통해 반응 공간으로 공급되고, 가스분사 체결부(60)에 의해 차단되지 않은 나머지 가스 분사홀(31)들은 가스 박스(40)와 샤워 헤드(30) 사이의 확산 공간으로 공급되는 반응 가스를 반응 공간으로 분사하게 된다.According to the configuration as described above, the
이에 따라, 가스분사 체결부(60)가 샤워 헤드(30)의 중앙 영역을 지지함에 따라 샤워 헤드(30)의 처짐 현상이 방지되면서도, 가스분사 체결부(60)와 샤워 헤드(30) 간의 체결 영역에 형성된 가스 분사홀(31)이 가스 연통홀(62)에 의해 차단되는 것이 방지됨으로써, 반응 가스의 균일한 공급을 통해 플라즈마의 균일성을 확보하여 결과적으로 공정 균일성의 저하를 방지할 수 있게 된다.Accordingly, as the gas
이하에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치(1)의 가스분사 체결부(60)의 구체적인 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to Figures 3 and 4 will be described in detail a specific embodiment of the gas
본 발명에 따른 가스분사 체결부(60)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 가스 박스(40)와 샤워 헤드(30)의 체결을 위한 체결 볼트(61)를 포함할 수 있다. 여기서, 체결 볼트(61)는 가스 박스(40)의 상부로부터 삽입되어 샤워 헤드(30)에 체결되는데, 샤워 헤드(30)의 가스 분사홀(31)을 통해 샤워 헤드(30)와 체결된다.
그리고, 가스 연통홀(62)은 체결 볼트(61)의 내측에 상하 방향으로 형성되어 가스 박스(40)의 상부와 체결 볼트(61)가 체결되는 가스 분사홀(31), 즉 가스분사 체결부(60)의 체결에 따라 차단되는 가스 분사홀(31)을 연통시킨다.In addition, the
즉, 체결 볼트(61)의 내부에는 그 체결 방향을 따라 상하로 가스 연통홀(62)이 형성되고, 가스 박스(40)와 샤워 헤드(30)의 체결을 위해 체결 볼트(61)가 샤워 헤드(30)에 체결되는 위치가 하나의 가스 분사홀(31)의 상부가 됨으로써, 체결 볼트(61)를 이용하여 가스 박스(40)와 샤워 헤드(30)를 체결하는 작업 만으로 가스 분사홀(31)과 가스 박스(40)의 상부 영역이 가스 연통홀(62)에 의해 상호 연결 가능하게 된다.That is, gas communication holes 62 are formed in the
한편, 가스분사 체결부(60)는 이격 본체(63a)와 걸림턱부(63b)로 구성된 체결 스페이서(63)를 포함할 수 있다. 여기서, 체결 볼트(61)는 체결 스페이서(63)를 통해 가스 박스(40)와 샤워 헤드(30)를 체결하는데, 가스 박스(40)에는 가스분사 체결부(60), 즉 체결 볼트(61)와 체결 스페이서(63)의 체결을 위한 상하로 관통된 체결홀(42a,42b)이 형성된다.Meanwhile, the gas
이격 본체(63a)는 가스 박스(40)의 상부로부터 체결홀(42a,42b)을 통해 삽입되어 샤워 헤드(30)의 상부 표면에 접촉된다. 그리고, 이격 본체(63a)에는 체결 볼트(61)가 상부로부터 삽입되어 샤워 헤드(30)에 체결 가능하도록 체결 볼트(61)가 통과하는 볼트 통과공(64)이 내부에 상하 방향으로 관통되어 형성된다.The spaced
걸림턱부(63b)는 이격 본체(63a)의 상부 가장자리로부터 반경방향 외측으로 연장되어 가스 박스(40)의 상부 표면에 걸림으로써, 체결 스페이서(63)가 체결홀(42a,42b)의 하부로 이탈되는 것을 저지한다. 여기서, 가스 박스(40)에 형성된 체결홀(42a,42b)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 내경이 상이한 상부홀(42a)과 하부홀(42b)로 형성될 수 있으며, 걸림턱부(63b)는 상부홀(42a)과 하부홀(42b)의 내경 차에 의해 형성되는 단차(42c)에 걸리게 된다.The locking
상기와 같은 구성에 따라, 체결홀(42a,42b)을 통해 체결 스페이서(63)가 삽입된 상태에서, 체결 스페이서(63)의 이격 본체(63a) 내에 형성된 볼트 통과공(64)을 통해 체결 볼트(61)가 삽입되어 하부의 샤워 헤드(30)에 체결되는데, 이 때 체결 볼트(61)를 체결 방향으로 회전시켜 샤워 헤드(30)와 가스 박스(40)가 상호 접근하다가 체결 본체의 하부가 샤워 헤드(30)의 상부에 접촉하게 되면 체결이 완료되어 샤워 헤드(30)와 가스 박스(40) 간의 간격이 일정하게 조절된다.According to the above configuration, in the state in which the
여기서, 체결 볼트(61)의 헤드 부분과 체결 스페이서(63)의 걸림턱부(63b) 사이에는 밀폐를 위한 밀폐 부재(65), 예를 들어 O-링이 삽입되어, 체결 볼트(61)와 체결 스페이서(63) 사이로 반응 가스가 유입되는 것을 차단할 수 있다.
Here, a sealing
이하에서는, 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치(1a)에 대해 상세히 설명한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치(1a)를 설명하는데 있어, 제1 실시예와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조번호를 사용하며, 그 설명은 생략할 수 있다.Hereinafter, the large-area substrate processing apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 8. Here, in describing the large area substrate processing apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention, the same reference numerals are used for the same components as those of the first embodiment, and the description thereof may be omitted.
본 발명의 제2 실시예에 따른 대면적 기판 처리 장치(1a)는, 도 5에 도시된 바와 같이, 반응 챔버(10a,10b), 기판 안착부(20), 샤워 헤드(30a), 가스 박스(40a) 및 적어도 하나의 제1 가스분사 체결부(70)를 포함한다. 또한, 대면적 기판 처리 장치(1a)는 적어도 하나의 제2 가스분사 체결부(60)를 포함할 수 있다.In the large-area substrate processing apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 5, the
여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반응 챔버(10a,10b) 및 기판 안착부(20)의 구성은 상술한 제1 실시예에 대응하는 바 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 제2 가스분사 체결부(60)의 구성은 상술한 제1 실시예에 따른 가스분사 체결부(60)의 구성에 대응하는 바, 그 상세한 설명은 생략한다.Here, the configurations of the
본 발명의 제2 실시예에 따른 제1 가스분사 체결부(70)는 샤워 헤드(30a)와 가스 박스 사이에 체결되어 샤워 헤드(30a)를 지지한다. 본 발명에서는, 도 8에 도시된 바와 같이, 4개의 제1 가스분사 체결부(70)가 샤워 헤드(30a)와 가스 박스(40a) 사이에 체결되는 것을 예로 한다. 또한, 각각의 제1 가스분사 체결부(70)는 가스 박스(40a)의 중앙 영역보다 가스 박스의 가장자리 영역에 상대적으로 인접하게 위치하는 것을 예로 한다.The first gas
도 6 및 도 7을 참조하여 설명하면, 제1 가스분사 체결부(70)는 제1 체결부(71) 및 제2 체결부(73)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 가스분사 체결부(70)는 연결 부재(72a,72b)를 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 and FIG. 7, the first gas
제1 체결부(71)는 샤워 헤드(30a)의 상부 표면에 결합된다. 여기서, 제1 체결부(71)에는 복수의 가스 통과홀(71a)이 상하로 관통 형성되는데, 각각의 가스 통과홀(71a)은 샤워 헤드(30a)의 상부 표면 중 제1 체결부(71)가 결합되는 체결 영역에 위치하는 가스 분사홀(31)들과 각각 연통된다.The
이에 따라, 제1 체결부(71)가 샤워 헤드(30a)에 결합되더라도 체결 영역에 위치하는 각각의 가스 분사홀(31)이 가스 통과홀(71a)과 연통됨으로써, 샤워 헤드(30a)와 가스 박스(40a) 사이의 확산 공간 상의 반응 가스가, 샤워 헤드(30a)의 각 가스 분사홀(31)을 통해 반응 영역으로 분사됨과 동시에, 체결 영역에서는 가스 통과홀(71a) 및 가스 분사홀(31)을 통해 반응 가스가 반응 공간으로 분사됨으로써, 샤워 헤드(30a)에 형성된 가스 분사홀(31) 전체로 반응 가스의 공급이 가능하게 된다.Accordingly, even when the
여기서, 제1 체결부(71)와 샤워 헤드(30a) 간의 결합은 용접 등과 같은 접합 방식을 통해 접합될 수 있다. 또한, 볼트 체결을 통해 상호 결합이 가능하며, 이 경우 체결을 위한 볼트가 상술한 체결 볼트(61)와 같이 내부가 상하로 관통 형성되어 볼트 체결에 의해 차단되는 가스 분사홀(31)이 발생하지 않도록 결합 가능하게 된다.Here, the coupling between the
한편, 제2 체결부(73)는 가스 박스(40a)의 중앙 영역을 중심으로 반경 방향 외측으로 슬라이딩 이동 가능하게 가스 박스(40a)에 결합된다. 이를 통해, 샤워 헤드(30a)의 열팽창에 의해 샤워 헤드(30a)가 그 중심 영역으로부터 반경 방향 외측으로 늘어나는 경우, 제2 체결부(73)가 외측으로 슬라이딩 이동 가능하게 가스 박스(40a)에 결합됨으로써, 샤워 헤드(30a)와 가스 박스(40a) 간의 체결을 위한 제1 가스분사 체결부(70)가 샤워 헤드(30a)의 팽창과 함께 외측으로 이동 가능하게 된다. 따라서, 샤워 헤드(30a)의 열팽창에 의한 샤워 헤드(30a)의 변형을 방지할 수 있게 된다.On the other hand, the
도 6 및 도 7을 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, 가스 박스(40a)에는 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연통되는 제1 가이드 홀(43a) 및 제2 가이드 홀(43b)이 상하로 형성된다. 이 때, 하부에 형성된 제2 가이드 홀(43b)의 내경이 상부의 제2 가이드 홀(43b)의 내경부다 작게 형성됨으로써, 제1 가이드 홀(43a)과 제2 가이드 홀(43b) 사이에 가이드 턱(43c)이 형성된다.Referring to FIGS. 6 and 7, the
여기서, 제2 체결부(73)는 제2 가이드 홀(43b)에 삽입되어 가이드 턱(43c)에 걸린 상태로 슬라이딩 이동 가능하게 연결 부재(72a,72b)와 결합된다. 이와 같은 구성에 따라, 제1 체결부(71)가 샤워 헤드(30a)에 고정된 상태로 제2 체결부(73)가 슬라이딩 이동 가능하게 가스 박스(40a)에 설치되어, 샤워 헤드(30a)가 열팽창할 때 제2 체결부(73)가 가이드 턱(43c)을 따라 열팽창 방향으로 슬라이딩 이동함으로써, 열팽창에 따른 샤워 헤드(30a)의 변형을 방지하게 된다.Here, the
도 7에서는 연결 부재(72a,72b)가 제2 체결부(73)와 체결되는 체결 본체(72b)와, 체결 본체(72b)와 제1 체결부(71)를 연결하는 한 쌍의 연결 리브(72a)로 구성되는 것을 예로 한다.In FIG. 7, a
체결 본체(72b)는 제2 가이드 홀(43b)에 삽입된 상태로 제2 체결부(73)의 하부에서 제2 체결부(73)에 체결된다. 그리고, 체결 본체(72b)는 샤워 헤드(30b)의 열팽창에 따라 제1 가스분사 체결부(70)가 슬라이딩 이동할 때 제2 가이드 홀(43b) 내부에서 샤워 헤드(30b)의 열팽창 방향으로 슬라이딩 이동한다.The
한 쌍의 연결 리브(72a)는 제1 체결부(71)와 체결 본체(72b)를 연결하여, 샤워 헤드(30b)의 열팽창에 따른 이동을 체결 본체(72b) 및 제2 체결부(73)로 전달하여 제2 체결부(73)가 가이드 턱(43c)을 따라 슬라이딩 이동 가능하게 한다.The pair of connecting
또한, 연결 리브(72a)는 도 7에 도시된 바와 같이, 판 형상을 갖도록 마련됨으로써, 가스 분사홀(31)과 연통되는 가스 통과홀(71a)을 형성하기 위한 제1 체결부(73)의 판면 공간을 확보할 수 있게 된다.In addition, the connecting
여기서, 본 발명에서는 연결 부재(72a,72b)가 체결 본체(72b)와 한 쌍의 연결 리브(72a)로 구성되는 것을 일 예로 설명하고 있으나, 본 발명의 기술적 사상이 이에 국한되지 않으며, 당업자라면 제1 체결부(71)와 제2 체결부(73) 간을 연결을 위한 다양한 구조로 제작할 것이다. 여기서, 제1 체결부(71)에는 볼트 체결홀(74)이 형성되어 제1 체결부(71)와 체결 본체(72b)가 볼트 결합을 통해 상호 결합되는 것을 예로 하고 있다.Here, in the present invention has been described as an example that the connecting member (72a, 72b) is composed of a fastening body (72b) and a pair of connecting ribs (72a), the technical idea of the present invention is not limited thereto, and those skilled in the art The
또한, 전술한 실시예에서는 제1 가스분사 체결부(70)가 제1 체결부(71), 제2 체결부(73), 연결 부재(72a,72b)로 구분되어 구성되는 것으로 설명하였으나, 이는 물리적으로 분리되어 결합되는 구성을 설명하는 것이 아니며, 일체로 또는 부분적으로 결합되어 형성될 수 있음은 물론이다.In addition, in the above-described embodiment, the first gas
다시, 도 6을 참조하여 설명하면, 가스 박스(40a)에 형성된 제1 가이드 홀(43a)의 상부는 밀폐부(44)에 의해 밀폐될 수 있으며, 이를 통해 가스 박스(40a)와 샤워 헤드(30a) 사이의 확산 공간 상의 반응 가스가 제2 가이드 홀(43b) 및 제1 가이드 홀(43a)을 통해 가스 박스(40a)의 상부로 누설되는 것을 차단할 수 있다.Referring back to FIG. 6, the upper portion of the
상술한 제2 실시예에서는 제1 가스분사 체결부(70)와 제2 가스분사 체결부(60)가 각각 가장자리 측과 중앙 측에 각각 설치되는 것을 예로 하여 설명하였다. 또한, 제2 가스분사 체결부(60)가 제1 실시예에 따른 가스분사 체결부(60)의 구성에 대응하는 것으로 설명하였다.In the above-described second embodiment, the first gas
이외에도, 샤워 헤드(30a)의 열팽창이나 처짐, 변형 등을 고려하여 제1 가스분사 체결부(70)만이 설치될 수 있고, 그 위치도 상술한 실시예에 국한되지 않음은 물론이다. 또한, 제2 가스분사 체결부(60)가 설치되더라도 제1 실시예에 따른 가스분사 체결부(60)의 구성과 상이한 구성으로 형성될 수 있음은 물론이다.In addition, only the first gas
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
Although several embodiments of the present invention have been shown and described, those skilled in the art will appreciate that various modifications may be made without departing from the principles and spirit of the invention . The scope of the invention will be determined by the appended claims and their equivalents.
1,1a : 대면적 기판 처리 장치 10a,10b : 반응 챔버
20 : 기판 안착부 30 : 샤워 헤드
40 : 가스 박스 50 : 가스박스 리드
60 : 가스분사 체결부 61 : 체결 볼트
62 : 가스 연통홀 63 : 체결 스페이서
64 : 볼트 통과공1,1a: large-area
20: substrate seating portion 30: shower head
40: gas box 50: gas box lead
60 gas injection joint 61 fastening bolt
62
64: bolt through hole
Claims (11)
상기 반응 챔버 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 기판 안착부와의 사이에 반응 공간이 형성되도록 상기 기판 안착부의 상부에 설치되며, 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀이 형성된 샤워 헤드;
상기 샤워 헤드와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 상기 샤워 헤드의 상부에 배치되며, 상기 확산 공간으로 반응 가스가 공급되도록 상하로 관통된 가스 공급홀이 형성된 가스 박스; 및
상기 샤워 헤드와 상기 가스 박스 사이에 체결되어 상기 샤워 헤드를 지지하며, 상기 복수의 가스 분사홀 중 적어도 어느 하나를 연통하는 가스 연통홀이 형성된 가스분사 체결부를 포함하고,
상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 상부로부터 삽입되어 상기 샤워 헤드와 체결되되, 상기 가스 분사홀을 통해 상기 샤워 헤드와 체결되는 체결 볼트를 포함하며,
상기 가스 연통홀은 상기 체결 볼트의 내측에 상하 방향으로 형성되어 상기 가스 박스의 상부와 상기 체결 볼트가 체결된 상기 가스 분사홀을 연통하고,
상기 가스 박스에는 상기 가스분사 체결부의 체결을 위한 상하로 관통된 체결홀이 형성되며,
상기 가스분사 체결부는
상기 가스 박스의 상부로부터 상기 체결홀을 통해 삽입되어 상기 샤워 헤드의 상부 표면에 접촉하며, 상기 체결 볼트가 상부로부터 삽입되어 상기 샤워 헤드에 체결 가능하도록 내부에 상하 방향으로 관통된 볼트 통과공이 형성된 이격 본체와;
상기 이격 본체의 상부 가장자리로부터 반경 방향 외측으로 연장되어 상기 가스 박스의 상부 표면에 걸리는 걸림턱부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.A reaction chamber;
A substrate seating part installed inside the reaction chamber and on which a substrate is seated;
A shower head installed on an upper portion of the substrate seating portion so that a reaction space is formed between the substrate seating portion and a plurality of gas injection holes penetrating up and down;
A gas box disposed above the shower head such that a diffusion space is formed between the shower head and a gas supply hole penetrating up and down to supply a reaction gas to the diffusion space; And
A gas injection fastening part fastened between the shower head and the gas box to support the shower head and having a gas communication hole communicating at least one of the plurality of gas injection holes;
The gas injection coupling part may be inserted from an upper portion of the gas box and fastened to the shower head, and may include a fastening bolt fastened to the shower head through the gas injection hole.
The gas communication hole is formed in the up and down direction inside the fastening bolt to communicate the upper part of the gas box and the gas injection hole is fastened to the fastening bolt,
The gas box is formed with a fastening hole penetrating up and down for fastening the gas injection fastening portion,
The gas injection fastening part
Spaced apart from the upper part of the gas box is inserted through the fastening hole to contact the upper surface of the shower head, the bolt through hole penetrated in the vertical direction therein so that the fastening bolt is inserted from the top to be fastened to the shower head A main body;
And a latching part extending radially outward from an upper edge of the spaced main body to be caught on an upper surface of the gas box.
상기 가스 공급홀은 상기 가스 박스의 중심 영역에 형성되며;
상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 가장자리보다 상기 가스 공급홀에 인접한 위치에서 상기 샤워 헤드를 지지하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.The method of claim 1,
The gas supply hole is formed in a central region of the gas box;
And the gas injection fastening part supports the shower head at a position adjacent to the gas supply hole rather than an edge of the gas box.
상기 가스분사 체결부는 상기 가스 공급홀을 중심으로 반경 방향을 따라 이격된 상태로 복수 개 설치되는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.The method of claim 3,
And a plurality of the gas injection fastening portions are installed in a state spaced apart from each other in the radial direction with respect to the gas supply hole.
상기 반응 챔버 내부에 설치되며, 기판이 안착되는 기판 안착부;
상기 기판 안착부와의 사이에 반응 공간이 형성되도록 상기 기판 안착부의 상부에 설치되며, 상하로 관통된 복수의 가스 분사홀이 형성된 샤워 헤드;
상기 샤워 헤드와의 사이에 확산 공간이 형성되도록 상기 샤워 헤드의 상부에 배치되며, 상기 확산 공간으로 반응 가스가 공급되도록 상하로 관통된 가스 공급홀이 형성된 가스 박스; 및
상기 샤워 헤드와 상기 가스 박스 사이에 체결되어 상기 샤워 헤드를 지지하는 가스분사 체결부를 포함하며,
상기 가스분사 체결부는
상기 샤워 헤드와의 체결 영역에 위치하는 가스 분사홀들과 각각 연통되는 복수의 가스 통과홀이 상하로 관통되어 형성된 제1 체결부 및
상기 가스 박스에 결합되는 제2 체결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.A reaction chamber;
A substrate seating part installed inside the reaction chamber and on which a substrate is seated;
A shower head installed on an upper portion of the substrate seating portion so that a reaction space is formed between the substrate seating portion and a plurality of gas injection holes penetrating up and down;
A gas box disposed above the shower head such that a diffusion space is formed between the shower head and a gas supply hole penetrating up and down to supply a reaction gas to the diffusion space; And
A gas injection fastening part fastened between the shower head and the gas box to support the shower head,
The gas injection fastening part
A first fastening part formed by penetrating a plurality of gas through holes respectively communicating with gas injection holes positioned in the fastening area with the shower head;
And a second fastening portion coupled to the gas box.
상기 가스분사 체결부는
상기 상기 제2 체결부의 하부에서 상기 제2 체결부와 체결되는 체결 본체와, 상기 체결 본체와 상기 제1 체결부를 연결하는 연결 리브를 갖는 연결 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.The method according to claim 6,
The gas injection fastening part
And a connecting member having a fastening body fastened to the second fastening part from the lower part of the second fastening part, and a connection rib connecting the fastening body and the first fastening part. .
상기 제2 체결부는 상기 가스 박스의 중앙 영역을 중심으로 반경 방향 외측으로 슬라이딩 이동 가능하게 상기 가스 박스에 결합되는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
And the second fastening portion is coupled to the gas box so as to be slidably moved radially outward with respect to a central area of the gas box.
상기 가스 박스에는 상부 표면으로부터 하부 표면까지 연통되도록 상호 연통된 제1 가이드 홀 및 제2 가이드 홀이 상하로 형성되되, 가이드 턱이 형성되도록 상기 제2 가이드 홀의 내경이 상기 제1 가이드 홀의 내경보다 작게 형성되며;
상기 제2 체결부는 상기 제1 가이드 홀에 삽입되어 상기 가이드 턱에 걸린 상태로 슬라이딩 이동 가능하게 상기 연결 부재의 상기 체결 본체와 결합되는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
The gas box has a first guide hole and a second guide hole communicated with each other so as to communicate with each other from an upper surface to a lower surface. Formed;
And the second fastening part is inserted into the first guide hole and coupled to the fastening main body of the connection member to be slidably moved while being caught by the guide jaw.
상기 제1 가이드 홀의 상부를 밀폐하는 밀폐부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The large-area substrate processing apparatus of claim 1, further comprising a sealing part for sealing an upper portion of the first guide hole.
상기 가스분사 체결부는 상기 가스 박스의 중앙 영역보다 상기 가스 박스의 가장자리 영역에 인접하게 위치하는 것을 특징으로 하는 대면적 기판 처리 장치.11. The method according to any one of claims 6 to 10,
And the gas injection fastening part is located closer to the edge area of the gas box than to the center area of the gas box.
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