KR101356036B1 - 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체 - Google Patents

사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체 Download PDF

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Abstract

본 발명은 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체에 관한 것으로, 본체, 본체의 내측에 구비되어 입자가 가속되는 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버에서 가속된 입자가 외부로 인출되는 인출부 및 상기 인출부와 인접한 위치에 배치되며 상기 가속된 입자를 양성자 빔으로 변환시키는 복수개의 박막이 동일한 방향을 향하도록 배치된 스트리핑 박막 조립체를 포함하는 사이클로트론을 제공한다.
본 발명에 의할 경우, 하나의 스트리핑 박막 조립체 자체에 복수개의 박막을 구비하고 있으므로 조립체 자체를 교체하지 않은 상태에서 사용할 수 있는 기간을 증가할 수 있다. 또한, 스트리핑 박막 조립체의 박막이 회전하는 회전축을 입자의 충돌 방향과 유사한 방향으로 설치함으로써, 입자가 충돌되는 경우에도 박막의 설치 각도가 틀어지는 현상을 최소화시킬 수 있는 장점이 있다.

Description

사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체 {A CYCLOTRON AND A STRIPPING ASSEMBLY FOR THE CYCLOTRON}
본 발명은 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체에 관한 것으로, 보다 상세하게는 스트리핑 방식을 이용하여 양성자를 추출하는 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체에 관한 것이다.
사이클로트론은 고진공 상태에서 전기장 또는 자기장을 이용하여 전자나 양성자와 같은 하전 입자를 가속시키는 장치로, 의료분야를 비롯한 다양한 산업분야에 이용되고 있다.
사이클로트론은 내부의 회전 궤적을 따라 입자를 가속시킨 후, 가속된 입자를 양성자빔 형태로 외부로 추출한다. 이러한 양성자를 추출하는 방법은 다양한 기술을 적용할 수 있으며, 이 중 스트리핑 추출 방식은 가속된 음이온 입자의 전자를 스트리리핑하여 양이온 빔으로 전환시키는 방식이다. 이러한 스트리핑 추출방식은 일반적으로 탄소 재질의 스트리핑 박막을 구비하는 스트리핑 박막 조립체를 사이클로트론의 빔 추출부와 인접한 위치에 설치하여, 가속된 입자가 박막을 충돌한 후 외부로 추출되도록 구성된다.
다만, 종래의 사이클로트론의 스트리핑 추출방식은 입자가 가속된 상태에서 스트리핑 박막 조립체에 충돌하기 때문에, 박막에 손상이 발생하거나 박막이 설치되는 각도가 변경되는 등의 문제가 발생하였고, 이 경우 고진공 상태를 유지하고 있는 사이클로트론의 내부를 해체하여 교체 또는 유지 보수하는 것이 곤란한 문제가 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 양성자 빔을 추출하는 과정에서 박막의 설치 각도를 보다 견고하게 유지할 수 있고, 스트리핑 박막의 교체 없이 장기간 사용할 수 있는 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체를 제공하기 위함이다.
본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위해, 본체, 본체의 내측에 구비되어 입자가 가속되는 공간을 형성하는 챔버, 상기 챔버에서 가속된 입자가 외부로 인출되는 인출부 및 상기 인출부와 인접한 위치에 배치되며 상기 가속된 입자를 양성자 빔으로 변환시키는 복수개의 박막이 동일한 방향을 향하도록 배치된 스트리핑 박막 조립체를 포함하는 사이클로트론을 제공한다.
여기서, 상기 스트리핑 박막 조립체는 복수개의 박막이 하나의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 배치되며, 상기 회전축은 상기 복수개의 박막이 향하는 방향과 나란하게 형성될 수 있다.
또는, 상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 가속된 입자가 상기 박막에 충돌하는 시점에서 상기 입자의 진행 방향과 상기 회전축의 방향이 45도 이내를 형성하도록 구성될 수 있다.
여기서, 상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 각각의 박막이 설치되는 복수개의 박막 프레임, 상기 복수개의 박막 프레임이 상기 회전축을 축으로 회전할 수 있도록 지지하는 회전 프레임, 그리고 상기 회전 프레임이 고정되는 지지 프레임을 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 챔버의 내측에서 가속된 입자가 상기 복수개의 박막 중 하나와 충돌하도록 배치될 수 있다. 그리고, 상기 챔버의 내측에서 가속되는 입자는 에너지 준위에 따라 상이한 회전 반경을 갖는 궤적을 형성하며, 상기 스트리핑 박막 조립체의 지지 프레임은 신축 가능하게 설치되어 상기 박막의 위치를 상기 회전 반경 방향을 따라 이동시킬 수 있도록 구성될 수 있다.
나아가, 상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 가속된 입자의 다양한 에너지 준위에 대응할 수 있도록, 상기 복수개의 박막이 각각 상이한 두께로 구성하는 것도 가능하다.
한편, 본 발명의 전술한 목적은 사이클로트론 내부에서 가속된 입자를 양성자 빔으로 변환시키기 위한 박막이 설치되며, 상기 각각의 박막이 동일한 방향을 향하도록 배치되는 복수개의 박막 프레임, 상기 복수개의 박막 프레임을 동일한 회전축을 축으로 회전시키는 회전 프레임 및 상기 회전 프레임이 고정되는 지지 프레임을 포함하는 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체에 의해서도 달성될 수 있다.
여기서, 상기 회전 프레임은 상기 각각의 박막이 향하는 방향과 나란하게 형성되는 회전축을 축으로 상기 복수개의 박막 프레임을 회전시키거나, 상기 회전축이 상기 가속된 입자가 상기 박막에 충돌하는 시점에서 상기 입자의 진행 방향과 45도 이내의 각도를 형성하도록 구성될 수 있다.
본 발명에 의할 경우, 하나의 스트리핑 박막 조립체 자체에 복수개의 박막을 구비하고 있으므로 조립체 자체를 교체하지 않은 상태에서 사용할 수 있는 기간을 증가할 수 있다. 또한, 스트리핑 박막 조립체의 박막이 회전하는 회전축을 입자의 충돌 방향과 유사한 방향으로 설치함으로써, 입자가 충돌되는 경우에도 박막의 설치 각도가 틀어지는 현상을 최소화시킬 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이클로트론의 주요 구성요소를 도시한 평면도,
도 2는 도 1의 스트리핑 박막 조립체를 도시한 사시도,
도 3은 스트리핑 박막의 설치 위치에 따른 입자의 충돌 모습을 개략적으로 도시한 개략도이고,
도 4는 스트리핑 박막 조립체의 다른 실시예를 도시한 사시도이다.
이하에서는 도면을 참고하여 본 발명의 실시예에 따른 사이클로트론 및 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체에 대해 구체적으로 설명하도록 한다. 아래의 설명에서 각 구성요소의 위치관계는 원칙적으로 도면을 기준으로 설명한다. 그리고 도면은 설명의 편의를 위해 발명의 구조를 단순화하거나 필요할 경우 과장하여 표시될 수 있다. 따라서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 이 이외에도 각종 장치를 부가하거나, 변경 또는 생략하여 실시할 수 있음은 물론이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사이클로트론의 주요 구성요소를 도시한 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 사이클로트론은 본체(100), 입자가 가속되는 챔버(200), 가속된 입자가 인출되는 빔 인출부(500) 및 입자가 충돌하는 스트리핑 박막 조립체(300)를 포함하여 구성된다.
우선, 본체(100)는 원통형 공간을 구비하는 프레임 구조로 구성되어 사이클로트론 장치의 골격을 형성한다. 그리고, 본체(100)의 내부에는 챔버(200), 이온소스(미도시) 등의 각종 구성요소가 구비될 수 있다.
도 1에서는 별도로 도시하지 않았으나, 본체(100)의 외측 또는 내측에는 코일부 및 자력부가 배치될 수 있다. 코일부 및 자력부는 이온 소스에서 제공되는 입자를 가속시킬 수 있도록, 본체(100) 내부에 전기장 및 자기장을 형성한다. 이러한 코일부 및 자력부의 구성은 사이클로트론의 일반적인 구성이므로 구체적인 설명은 생략한다.
챔버(200)는 본체(100)의 내측에 배치되며, 입자가 가속되는 공간을 형성한다. 이때, 챔버(200)는 중심축을 기준으로 입자가 나선형 또는 원형 궤도를 따라 이동할 수 있는 공간을 형성한다. 일 예로, 챔버(200)는 본체(100)와 마찬가지로 원통형 구조로 구성될 수 있으며, 가장자리의 일부 또는 양 측면의 일부는 코일부 또는 자력부가 설치될 수 있도록 요철면을 형성할 수 있다. 다만, 이 이외에도 입자의 이동 궤적을 고려하여 다양하게 설명할 수 있음은 물론이다.
입자는 외부의 코일부 및 자력부에서 형성되는 자기장에 의해 가속되어 챔버(200) 내부의 회전 경로를 따라 이동한다. 이때, 각각의 입자는 에너지 준위에 따라 상이한 반경을 갖는 궤적을 갖으며, 높은 에너지 준위를 갖을수록 큰 반경의 궤적을 그리며 이동할 수 있다.
한편, 챔버(200)의 내부는 가속화된 입자가 다른 기체 입자들과 충돌하여 전자의 손실이 발생되지 않도록 진공 상태로 유지될 수 있다. 예를 들어, 음이온(H-)을 가속하는 경우, 음이온의 두 번째 전자는 원자핵과의 결합력이 매우 약하다. 따라서, 챔버 내부에 기체 입자가 존재하는 경우, 기체 입자와 충돌하여 전자가 손실되는 경우가 발생한다. 따라서, 본 실시예에서는 외부의 펌핑 장치와 연결된 배기부(600)를 통해 챔버 내부의 기체를 배기시킴으로써, 챔버 내부를 5×10-6torr 이하의 고진공 상태로 유지할 수 있다.
한편, 본체의 일측에는 입자가 외부로 인출되는 빔 인출부(500)가 형성된다. 챔버를 통과하면서 가속화된 입자는 후술할 스트리핑 박막 조립체(300)와 충돌한 후, 양성자 빔으로 변환되어 외부로 인출된다.
한편, 빔 인출부(500)에는 양성자 빔의 진행 경로를 조절하는 스위칭 마그네틱부(400)가 구비된다. 스위칭 마그네틱부(400)는 빔 인출부(500)와 인접한 위치에 설치되어, 자기장을 이용하여 인출되는 양성자 빔을 분산시키거나, 양성자 빔이 인출되는 방향을 제어할 수 있다. 예를 들어, 빔 인출부(500)를 통해 인출되는 양성자 빔은 스위칭 마그네틱부(400)에 의해 18H2O가 수용된 표적 시스템으로 유도될 수 있다.
한편, 스트리핑 박막 조립체(300)는 인출부(500)와 인접한 위치에 배치된다. 스트리핑 박막 조립체(300)는 탄소 스트리핑 호일로 구성된 박막(310)을 포함하여 구성된다. 스트리핑 박막(310)은 가속된 입자가 충돌할 때, 입자의 하나 이상의 전자를 스트리핑함으로서 음이온 상태로 가속된 전자를 양이온으로 변환하여 인출부를 통해 인출시킬 수 있다.
이하에서는 도 2 및 도 3을 참조하여, 스트리핑 박막 조립체를 보다 상세하게 설명하도록 한다. 도 2는 도 1의 스트리핑 박막 조립체를 도시한 사시도이고, 도 3은 스트리핑 박막의 설치 위치에 따른 입자의 충돌 모습을 개략적으로 도시한 개략도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 스트리핑 박막 조립체(300)는 복수개의 스트리핑 박막(310), 각각의 스트리핑 박막이 설치되는 복수개의 박막 프레임(320), 박막 프레임을 회전가능하게 지지하는 회전 프레임(330) 그리고 회전 프레임을 고정하는 지지 프레임(340)을 포함하여 구성될 수 있다.
본 실시예에 따른 스트리핑 박막 조립체(300)는 복수개의 박막을 포함하여 구성될 수 있다. 전술한 바와 같이, 스트리핑 박막(310)은 양성자 빔을 형성하기 위해 고속으로 가속된 입자들과 지속적으로 충돌하기 때문에 점차적으로 물리적인 손상이 발생하여 사용 수명이 한계가 있다. 따라서, 본 실시예에서는 하나의 스트리핑 박막 조립체(300)에 복수개의 스트리핑 박막(310)을 구비함으로써, 스트리핑 박막 조립체(300)를 해체하지 않은 상태에서 복수개의 박막(310)을 이용할 수 있다. 따라서, 고진공 상태의 챔버(200)로부터 스트리핑 박막 조립체(300)를 교체하는 주기를 연장시킬 수 있는 장점이 있다.
이러한 스트리핑 박막(310)은 박막 프레임(320)에 고정 설치된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 4개의 박막(310) 및 각각의 박막을 고정시키기 위한 4개의 박막 프레임(320)을 구비한다. 다만, 본 발명이 박막 및 박막 프레임의 개수에 한정되는 것은 아니며, 다양한 개수로 변경하여 실시할 수 있다.
한편, 이러한 복수개의 박막 프레임(320)은 하나의 회전 프레임(330)에 고정 설치된다. 회전 프레임(330)은 모터와 같은 구동원으로부터 동력을 전달받아 회전 운동이 가능하며, 회전 프레임(330) 회전시 복수개의 박막 프레임(320) 또한 동일한 회전축을 기준으로 일제히 회전이 이루어진다. 따라서, 입자가 진행하는 경로상에 위치하던 박막을 다른 박막으로 변경하고자 하는 경우, 회전 프레임(330)을 회전시켜 박막의 위치를 변경시킬 수 있다.
복수개의 박막(310)은 도 2에 도시된 바와 같이 동일한 방향을 향하도록 배치될 수 있다. 그리고 회전 프레임(330)의 회전축 또한 복수개의 박막이 향하는 방향과 나란히 형성되도록 구성될 수 있다(도 2에 의할 경우 상측 방향). 이 경우, 입자가 박막에 충돌하면서 지속적으로 충격이 전달되더라도 박막의 위치가 틀어지는 현상을 최소화시킬 수 있다.
도 3의 b에 도시된 바와 같이, 입자의 충돌 방향이 박막이 회전하는 회전축의 방향과 직교를 형성하도록 구성되는 경우에는, 입자의 충돌시 전달되는 충격이 박막이 회전하는 방향의 모멘트로 작용하게 된다. 따라서, 회전 프레임이 구동하지 않는 상태에서도, 지속적으로 입자가 충돌하게 되면 박막이 회전 방향으로 미세하게 이동하게 되어 입자가 인출되는 경로에 오차가 발생하게 된다.
이에 비해, 도 3의 a에 도시된 바와 같이, 박막(310)이 향하는 방향이 박막의 회전축과 나란하게 형성되는 경우에는, 입자의 충돌시 전달되는 충격이 박막이 회전하는 방향의 모멘트로 작용하지 않는다. 따라서, 입자가 지속적으로 충돌하더라도 박막이 충격에 의해 회전하는 현상을 방지할 수 있다. 따라서, 본 실시예에서는 도 3의 a와 같이 복수개의 박막(310)이 회전축이 형성된 방향을 향하도록 배치되어, 입자의 충돌에 의해 박막에 따른 박막 위치의 변형을 최소화시킬 수 있다.
다만, 본 실시예에서는 복수개의 박막이 모두 동일한 방향을 향하도록 배치되도록 구성하였으나, 도 3의 c와 같이 각각의 박막이 회전축을 기준으로 일정한 각도를 유지하도록 구성하여 입자와 충돌하는 위치에서는 동일한 각도를 유지할 수 있도록 구성하는 것도 가능하다.
이 이외에도, 스트리핑 박막 조립체(300)는 가속된 입자와 충돌하는 시점에서 상기 입자의 진행 방향과 박막의 회전축의 방향이 45도 이내를 형성하는 범위에서 박막 프레임 및 회전 프레임의 구조를 다양하게 변경할 수 있다. 입자의 진행 방향과 박막의 회전축이 45도 이내로 형성되는 경우, 입자의 충돌시 전달되는 충격의 일부가 박막이 회전하는 방향의 모멘트로 작용하더라도 크기가 무시할 수 있는 수준이므로 박막의 위치가 이동하는 것을 최소화시킬 수 있다.
다시, 도 2를 기준으로 설명하면, 스트리핑 박막 조립체(300)의 회전 프레임(330)은 지지 프레임(340)에 연결된다. 그리고 지지 프레임(340)은 챔버 외측의 본체 또는 챔버 외측의 별도의 구성요소에 설치되어, 스트리핑 박막 조립체(300)의 위치를 고정시킨다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 지지 프레임(340)은 챔버를 관통하여 챔버 내측으로 연장 설치되는 로드 형상의 부재로 구성된다. 지지 프레임(340) 중 챔버 내측에 위치하는 단부에는 회전 프레임(330)과 박막 프레임(320)이 지지되고, 챔버(200)의 외측에 위치하는 단부는 본체(100)에 고정 설치되도록 구성된다. 다만, 이는 일 예로서, 이 이외에도 지지 프레임의 형상 및 설치 위치 등은 자유롭게 변경하여 실시할 수 있다.
한편, 지지 프레임(340)은 실린더 또는 액추에이터 구조를 이용하여 신축 가능하게 구성될 수 있다. 따라서, 지지 프레임(340)이 신축됨으로써 챔버 내부에서 입자가 가속되는 원형 궤적의 반경 방향을 따라 박막(310)의 위치를 조절하는 것이 가능하다. 챔버 내부에서 가속되는 입자는 에너지 준위가 클수록 보다 큰 반경을 갖는 궤적을 그리며 가속되고, 에너지 준위가 작은 경우 보다 작은 반경을 갖는 궤적을 그리며 가속된다. 따라서, 가속되는 입자의 궤적에 따라 지지 프레임이 구동하여 박막의 위치를 조절하는 것이 가능하다.
이때, 스트리핑 박막 조립체는 가속된 입자를 양성자 빔으로 변환시킴에 있어, 입자의 에너지 준위에 따라 적합한 박막을 위치시키도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 에너지 준위가 큰 입자의 경우에는 두꺼운 두께를 갖는 박막이 적합하고, 에너지 준위가 작은 입자의 경우에는 얇은 두께를 갖는 박막이 적합하다. 따라서, 본 실시예에 따른 스트리핑 박막 조립체(300)는 복수개의 박막을 구비하되, 복수개의 박막(310)은 상이한 두께를 갖는 두 종류 이상의 박막으로 이루어질 수 있다. 그리고, 회전 프레임(330)을 회전시켜 입자의 에너지 준위에 대응되는 박막을 충돌 위치에 위치시킬 수 있다.
다만, 본 발명에서는 복수개의 박막이 다양한 에너지 준위에 대응할 수 있도록 다양한 종류의 박막을 구비하도록 구성하였으나, 이는 일 예로서 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 동일한 두께를 갖는 박막을 복수개로 구비하여 사용 중인 박막의 수명이 다하면 회전 프레임(330)을 회전시켜 다른 박막을 사용하도록 구성할 수 있음은 물론이다.
한편, 이러한 스트리핑 박막 조립체(300)는 일부 또는 전부를 사이클로트론으로부터 착탈할 수 있도록 구성될 수 있다. 따라서, 복수개의 박막이 모두 수명이 다 한 경우에는 챔버 내부의 고진공 상태를 해제하고, 스트리핑 박막 조립체(300)의 일부 또는 전부를 해체하여 박막(310) 및 박막 프레임(320)을 교체하도록 구성할 수 있다.
이하에서는 전술한 스트리핑 박막 조립체를 구비하는 사이클로트론의 구동 방법에 대해 설명한다.
우선 사이클로트론의 챔버(200)와 연결되는 펌프를 구동하여, 챔버의 내부를 입자 가속이 유리한 고진공 상태로 형성한다. 그리고, 진행하고자 하는 입자 가속 환경을 고려하여, 가속되는 입자의 에너지 준위 및 그에 따른 입자의 회전 궤적을 연산한다.
제어부는 연산된 입자의 에너지 준위 및 회전 궤적에 따라, 스트리핑 박막 조립체(300)의 초기 위치를 제어한다. 구체적으로, 제어부는 지지 프레임(340)을 입자의 원형 궤적의 반경 방향으로 신축시켜, 입자 가속시 회전 궤적에 대응되는 위치에 박막을 위치하도록 제어한다. 그리고, 제어부는 회전 프레임(330)을 이용하여 박막(310)을 회전시켜, 입자의 에너지 준위에 대응되는 두께를 갖는 박막이 입자와 충돌할 수 있도록 제어한다.
이와 같이, 스트리핑 박막 조립체(300)의 초기 위치 세팅이 완료되면, 사이클로트론을 구동하여 챔버(200) 내부에 자기장 및 전기장을 형성한다. 그리고 이온 소스로부터 입자가 토출되어, 챔버(200) 내부에서 원형 궤적으로 진행하면서 가속된다. 가속된 입자는 스트리핑 박막 조립체(300)의 박막과 충돌하여 양성자 빔으로 변환되어 인출부(500)로 인출된다. 이때, 인출부(500)의 스위칭 마그네틱부(400)가 인출되는 양성자 빔의 방향을 제어하여 목표한 위치로 빔을 인출하는 것이 가능하다.
그리고, 위와 같은 동작을 반복하면서 양성자 빔을 인출하는 경우, 여러 회에 걸친 박막이 손상된 것으로 판단되면, 스트리핑 박막 조립체의 박막을 회전시켜, 다른 박막을 이용하여 양성자 빔 인출 동작을 수행하는 것이 가능하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의할 경우 하나의 스트리핑 박막 조립체가 복수개의 박막을 구비하고 있어 조립체 자체를 교환하지 않고 사용할 수 있는 사용 수명을 연장시킬 수 있다. 또한, 스트리핑 박막 초립체의 박막이 회전하는 회전축을 입자의 충돌 방향과 유사한 방향으로 설치함으로써 입자가 충돌되는 경우에도 박막의 설치각도가 틀어지는 현상을 최소화시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대해 상세하게 기술하였으나, 본 발명이 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 도 4에 도시된 바와 같이 지지 프레임(340)의 단부에 홈을 형성하며, 상기 홈의 내측으로 박막 프레임 및 회전 프레임이 설치되는 방식으로 다양하게 변경하여 사용하는 것이 가능하며, 이 이외에도 본 발명이 속하는 기술 분야에 대해 통상의 지식을 가진 사람이면 첨부된 청구범위에 정의된 본 발명의 기술적 특징의 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형 또는 변경하여 실시할 수 있음은 밝혀둔다.
100 : 본체 200 : 챔버
300 : 스트리핑 박막 조립체 310 : 박막
320 : 박막 프레임 330 : 회전 프레임
340 : 지지 프레임 500 : 빔 인출부

Claims (12)

  1. 본체;
    상기 본체의 내측에 구비되어 입자가 가속되는 공간을 형성하는 챔버;
    상기 챔버에서 가속된 입자가 외부로 인출되는 인출부; 및;
    상기 인출부와 인접한 위치에 배치되며, 상기 가속된 입자가 충돌하여 양성자 빔으로 변환되는 복수개의 박막이 동일한 방향을 향하도록 배치된 스트리핑 박막 조립체;를 포함하고,
    상기 스트리핑 박막 조립체는 복수개의 박막이 하나의 회전축을 중심으로 회전 가능하게 배치되며, 상기 회전축은 상기 복수개의 박막이 향하는 방향과 나란하게 형성되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 각각의 박막이 설치되는 복수개의 박막 프레임, 상기 복수개의 박막 프레임이 상기 회전축을 축으로 회전할 수 있도록 지지하는 회전 프레임, 그리고 상기 회전 프레임이 고정되는 지지 프레임을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 챔버의 내측에서 가속된 입자가 상기 복수개의 박막 중 하나와 충돌하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 챔버의 내측에서 가속되는 입자는 에너지 준위에 따라 상이한 회전 반경을 갖는 궤적을 형성하며, 상기 스트리핑 박막 조립체의 지지 프레임은 신축 가능하게 설치되어 상기 박막의 위치를 상기 회전 반경 방향을 따라 이동시키는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 스트리핑 박막 조립체는 상기 가속된 입자의 다양한 에너지 준위에 대응할 수 있도록, 상기 복수개의 박막이 각각 상이한 두께로 구성되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론.
  8. 사이클로트론 내부에서 가속된 입자를 양성자 빔으로 변환시키기 위한 박막이 설치되며, 상기 각각의 박막이 동일한 방향을 향하도록 배치되는 복수개의 박막 프레임;
    상기 복수개의 박막 프레임을 동일한 회전축을 축으로 회전시키는 회전 프레임; 및
    상기 회전 프레임이 고정되는 지지 프레임;을 포함하고,
    상기 회전 프레임은 상기 각각의 박막이 향하는 방향과 나란하게 형성되는 회전축을 축으로 상기 복수개의 박막 프레임을 회전시키는 것을 특징으로 하는 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제8항에 있어서,
    상기 지지 프레임은 상기 가속되는 입자의 궤적이 형성하는 반경 방향을 따라 상기 박막 프레임을 이동시킬 수 있도록 신축 가능하게 구성되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수개의 박막은 상기 가속된 입자의 다양한 에너지 준위에 대응할 수 있도록 각각 상이한 두께로 구성되는 것을 특징으로 하는 사이클로트론용 스트리핑 박막 조립체.
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