KR101353548B1 - 방향성 전기강판 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것으로, Sn : 0.03~0.07중량%, Sb : 0.01~0.05중량%, P : 0.01~0.05중량%, Si : 2.0~4.0중량%, 산가용성 Al : 0.020~0.040중량%, Mn : 0.01~0.20중량%, C : 0.04~0.07중량%, N : 10~55ppm 및 S : 0.0010~0.0055%를 포함하고, 상기 P와 Sb는 중량%로 0.0370≤P+0.5Sb≤0.0630 를 만족하는 강 슬라브를 제조하는 단계; 상기 강 슬라브를 재가열하고 열간압연한 후, 열연판소둔을 생략하거나 수행한 다음 냉간압연을 실시하여 강판을 제조하는 단계; 상기 강판에 대하여 800~850℃, 노점 60~65℃의 산화성 가스 분위기에서 탈탄 소둔을 실시하는 단계; 상기 탈탄 소둔된 강판에 대하여 850~900℃, 노점 65~72℃의 산화성 가스 분위기에서 동시 탈탄 질화 소둔을 실시하는 단계; 및 상기 탈탄 및 질화 소둔을 거친 강판에 대하여 1차 균열하는 단계, 승온하는 단계, 2차 균열하는 단계를 포함하는 최종 소둔 단계; 를 포함하는 방향성 전기강판의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 방향성 전기강판을 제공하여, 동시 탈탄 질화 소둔 조건을 사용하여 적정한 승온 조건에서 1차 재결정립를 원하는 크기로 균일한 크기 분포를 갖도록 조절하여 2차 재결정립을 안정적으로 형성시킴으로써 철손이 낮고 자속밀도가 높은 방향성 전기강판을 제조할 수 있다.

Description

방향성 전기강판 및 그 제조방법{GRAIN-ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME}

본 발명은 방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 적정한 양의 Sn, Sb, P를 추가하여 성분을 조절하고, Sb성분의 첨가량에 따라 탈탄 소둔 분위기를 새로운 성분계에 맞도록 조정함으로써 자성 개선 효과를 극대화한 방향성 전기강판 및 그 제조방법에 관한 것이다.

방향성 전기강판은 1차 재결정립의 성장을 억제시키고, 최종 소둔 공정 중 성장이 억제된 결정립 사이에서 {110}<001> 방위(Goss 방위)의 결정립을 선택적으로 성장시켜 압연방향으로 우수한 자기특성을 나타내도록 한 것이다. 이와 같이 선택된 방위만의 성장을 2차 재결정이라 하는데, 2차 재결정을 위해서는 최종 고온소둔하기 전에 MnS 및 AlN과 같은 미세한 억제제(inhibitor)들이 강판내에 균일하게 분산되도록 하여 고온 소둔 중에 고스(Goss) 방위 이외의 방위를 가진 1차 재결정립들의 성장을 억제시켜야 한다. 2차 재결정립이 정확한 고스 방위를 가지도록 집적도를 증가시켜야 우수한 자기특성인, 자속밀도 증가와 철손 감소 효과를 얻을 수 있다.

2차 재결정을 효과적으로 제어할 수 있는 제조기술은 크게 3가지로 분류할 수 있다. 첫째, 결정립성장 억제효과가 탁월한 억제제 조절과, 둘째, 1차 재결정립내의 2차 재결정형성 핵 조절과, 셋째, 1차 재결정립의 적절한 크기와 균일 크기 분포 형성이 매우 중요하다.

첫째 조건인 억제제가 2차 재결정이 일어나기 전까지 효과적으로 1차 재결정립의 성장을 억제하기 위해서는 아래 조건들을 잘 충족시켜야 한다. 첫째, 억제제들이 충분한 양과 적정한 크기로 균일하게 분포되어야 하며, 둘째, 2차 재결정이 일어나기 시작하는 고온까지 억제제가 열적으로 안정해서 쉽게 분해되지 않아야 한다. 이러한 억제제들이 성장 또는 소멸되면서 1차 재결정립의 성장을 억제하는 힘을 잃기 시작하는 온도 범위에서 2차 재결정이 형성되기 시작되고, 이때 비교적 짧은 시간에 강판 전 부위에 걸쳐 고른 2차 재결정이 일어나게 된다.

현재까지 MnS, AlN, MnSe등의 억제제들이 결정립성장 억제제로서 효과적인 것으로 판명되었으며, 이러한 억제제들이 결정립 성장을 억제할 수 있는 조건, 예를 들어 슬라브 가열온도, 열간압연온도와 권취온도, 냉간 압연율과 1차재결정소둔 및 최종 고온소둔등의 조건이 특허로서 많이 출원되었다.

제강, 슬라브 제조, 슬라브 가열, 열간압연, 예비소둔, 탈탄, 소둔분리제 도포, 최종 고온 소둔으로 제조되는 통상의 방향성 전기강판의 제조에 있어서 슬라브에 함유된 MnS나 AlN등을 고온에서 장시간 재가열하여 고용시켜야 열간압연 후 냉각과정에서 적정한 크기와 분포를 가지는 석출물로 만들어져 억제제로 이용될 수 있는데, 이를 위해서는 반드시 슬라브를 고온으로 가열하여야 한다. 구체적으로 MnS를 억제제로 이용하는 경우 1300℃, MnS+AlN을 억제제로 이용하는 경우에는 1350℃, MnSe+Sb를 억제제로 이용하는 경우에는 1320℃ 이상으로 슬라브를 재가열해야만 높은 자속밀도를 얻을 수 있는 것으로 알려져 있다. 실제 공업적으로 생산할 때는 슬라브의 크기 등을 고려해서 내부까지 균일한 온도분포를 얻기 위해 거의 1400℃의 온도까지 재가열하고 있는 실정이다. 이와 같이 슬라브를 고온에서 장시간 가열하면 사용열량이 많아 제조비용이 높아지는 문제, 슬라브의 표면부가 용융상태에 이르러 흘러내리므로 가열로의 보수비가 많이 들고 가열로의 수명이 단축되는 문제가 있다. 특히 슬라브의 주상정조직이 장시간의 고온가열에 의하여 조대하게 성장하게 되는 경우 후속되는 열간압연공정에서 판의 폭 방향으로 크랙을 발생시켜 실수율을 현저하게 저하시키는 문제점이 있다.

그러므로 슬라브의 재가열온도를 낮추어 방향성 전기강판을 제조할 수 있다면 제조원가와 실수율 측면에서 유리한 효과를 가져올 수 있다. 이를 위해 슬라브 가열이 2차 재결정의 억제제로 작용하는 AlN이 부분적으로 용체화되는 온도범위에서 행해진다. 부분적으로 용체화되는 온도까지만 슬라브가 가열되는 경우에는 주조공정에서 석출된 것과 열간압연시 재석출된 것 사이의 크기 분포에 큰 차이가 생긴다. 따라서, 소강 성분에서 형성된 억제제에만 의존하지 않고, 필요한 억제제를 강판의 최종두께에서 "질화처리"하는 방법으로 만들어 2차 재결정에 필요한 억제력을 보충하는 기술이 개발되었고, 통상 "슬라브 저온가열" 방식에 의한 방향성 전기강판 제조기술로 불린다.

둘째 조건인 Goss 핵 조절은 1차 재결정립에 2차 재결정의 핵이 되는 방향성이 좋은 Goss 방위를 잘 만드는 것이다. 통상적으로 방향성 전기강판의 1차 재결정립 내부에 Goss 방위는 1%미만으로 매우 작은 분율을 차지하고 있다. 그리고 2차 재결정을 형성하는 Goss 핵이 되는 결정립은 1차 재결정립 300만개 중 한 개이다. 2차 재결정 성장 과정 중 300만개의 결정립을 흡수하는 것이다. 이들 300만개의 결정립 중 Goss방위는 1만개 미만이고, 그 중 한 개의 핵이 2차 재결정으로 자라나게 되고, 나머지 9999개는 성장하는 2차 재결정 결정립에 의해 흡수되게 된다.

따라서, Goss 핵 조절은 크게 2가지 측면을 고려해야 한다. 2차 재결정의 핵이 되는 Goss 방위를 갖는 결정립을 많이 만드는 것과 최종적으로 2차 재결정이 되지 못하고 소멸되는 집적도가 좋지 못한 결정립을 적게 만드는 것이다.

이러한 2차 재결정을 일으킬 수 있는 Goss 핵을 만드는 조건으로, 예를 들면, 급속승온 기술, 열간 압연 강압하 기술, 냉간 압연율 등의 조건 들이 특허로서 많이 출원되어 있다.

셋째 조건인 1차 재결정립 조절은 1차 재결정립을 적절한 크기와 균일 크기 분포를 가지도록 만드는 것이다. 결정립 성장 구동력은 1차 재결정립 크기에 반비례하고, 1차 재결정립의 크기는 결정립 성장 구동력을 조절하는 직접적인 인자이다.

앞서 언급한 것과 같이 2차 재결정은 억제제들이 성장 또는 소멸되면서 1차 재결정립의 성장을 억제하는 힘을 잃게 되는 온도 범위에서 형성되기 시작한다. 이때가 1차 재결정립의 성장을 억제하는 힘과 1차 재결정립이 성장하려는 힘과의 균형이 무너지는 구간이다. 즉, 억제하는 힘이 점점 약해지는 구간에 2차 재결정 현상이 시작되게 되는 것이다. 따라서, 2차 재결정 형성에 1차 재결정립 크기가 매우 중요한 인자가 된다. 예를 들면, 1차 재결정립 크기가 적정한 크기를 가지는 경우에는 결정립 성장 구동력과 성장 억제력 사이에 균형이 이루어져, 억제제들이 성장 또는 소멸이 시작되는 구간에서 2차 재결정이 시작되고, 다른 1차 재결정은 억제되면서 2차 재결정만 선택적으로 충분히 성장하는 구간이 확보되어서 2차 재결정 조직을 잘 형성하게 된다.

따라서, 2차 재결정을 형성함에 있어서 적절한 1차 재결정립의 크기가 존재하고, 마찬가지로 1차 재결정립 크기 분포도 중요한 인자가 된다. 이상적으로 보면, 모든 결정립이 동일한 결정립 크기를 가지게 되면 결정립 성장 구동력이 균일하여 예측 가능하지만, 실제 다결정 조직의 결정립 크기는 불균일한 분포를 가지게 된다. 이 분포가 균일하고 좁을수록 더욱 안정적인 2차 재결정 형성이 가능하게 된다. 예를 들어 결정립 분포가 불균일하면 국부적으로 큰 결정립을 가지는 영역에서는 2차 재결정 미세립이 발생할 수 있고, 작은 결정립을 가지는 영역에서는 좋은 2차 재결정을 확보할 수 없다. 따라서, 1차 재결정립 크기 분포를 개선하는 것도 2차 재결정을 안정적이고, 좋은 특성을 가지게 하는 중요한 요인이 된다.

앞서 언급한 것과 같이 "슬라브 저온 가열" 방식은 슬라브의 재가열온도를 낮추어 방향성 전기강판을 제조할 수 있어 제조원가와 실수율 측면에서 유리한 효과를 가져올 수 있다. 그러나, 이 방식을 사용하기 위해서는 슬라브 가열 이후 소둔 공정에서 질화물계 억제제 추가 생성 공정이 반드시 필요하게 된다.

이를 위해 제품 최종 두께로 압연된 강판을 사용하는 1차 재결정 소둔 공정에서 질소분위기를 형성하기 위하여 암모니아 가스를 사용하고 있다. 상기 암모니아 가스는 약 500℃ 이상의 온도에서 수소와 질소로 분해되는 성질이 있는데, 상기 성질을 이용하여 질소를 공급하여 질화(nitrification) 처리를 하는 것이다. 침투한 질소가 강판 중의 질화물 형성원소와 반응하여 질화물을 형성하고 상기 질화물이 억제제의 역할을 하게 되는 것이다. 상기 질화물로는 AlN, (Al,Si)N 등과 같은 원소를 들 수 있다.

1차 재결정 소둔 공정에서 질화 처리를 하는 방식은 크게 2가지 방식이 있는데, 일본 특허공개 평2-77525에 개시되어 있는 질화와 재결정, 입성장을 동시에 행하는 SRGN 또는 NAD(Simultaneous Recrystallization Grain Growth and Nitriding, Nitriding after Decarburization)와 대한민국 특허공개 1997-0043184에 개시되어 있는 질화와 재결정, 탈탄, 입성장을 동시에 행하는 SRDGN 또는 SDN(Simultaneous Recrystallization, Decarburization, Grain Growth and Nitriding)이다.

NAD 방식은 냉간 압연후 탈탄공정을 거친 이후 질화 공정을 거치므로, 질화처리를 하기 위해서는 탈탄소둔로의 후단에 별도의 질화소둔로를 설치할 필요가 있게 되어 경제적이지 못한 문제점이 있다. 이를 극복하면서 자성과 생산성을 동시에 개선한 것이 냉간 압연 후 탈탄공정에서 인히비터를 제어하는 SDN방식이다.

SDN방식은 열간 압연 전의 슬라브 재가열이 저온에서 이루어지는 점과 냉간 압연한 후에 탈탄, 재결정, 질화처리를 동시에 실시하여 자성과 생산성을 동시에 개선하는 점에서 차이가 있다. 상기 SDN 방식을 적용하는데 가장 중요한 고려 사항은 탈탄과 질화가 동 구간에서 발생하므로 탈탄과 침질이 충분치 못한 경우에 최종 특성인 자성이 민감하게 반응한다는 것이다. 첨가 성분에 의해 민감하게 영향을 받는 탈탄과 침질의 운동학(kinetics)을 충분히 고려하여 1차 재결정 소둔 분위기를 조절해 주어야만 SDN의 효과를 극대화할 수 있다.

SDN의 공정은 탈탄 및 침질에 의해 1차 재결정립의 크기를 조절하고 표층부와 중심부의 결정립 크기를 다르게 하여 자성 개선 효과를 극대화하는 방식이므로 미세한 조정이 매우 중요하다. 재결정, 입성장 과정에서 질화처리를 하게 되면 질화는 판두께 표면 부분에서 우선하여 일어나기 때문에 중심부분과 비교하여 결정립이 작게 된다. 중심층의 결정립경보다 표층부의 결정립경이 10~90%정도 작게 되고, 고온 소둔 공정 중 표층부의 억제제 유실에 의한 입자 성장을 고려하면 SDN에 의해이상적인 결정립 분포를 가지는 1차 재결정판이 제조된다. 이러한 결정립 분포는 탈탄과 침질의 시기에 민감하다. 예를 들면, 탈탄 시점이 늦어지는 경우, 미탈탄 영역이 강판 중심부에 주로 남게 되어 입성장을 방해하게 되어 내부 결정립의 성장을 억제하고, 결정립 크기를 국부적으로 불균일하게 만들고, 결국 최종 자성특성의 열위를 가져온다. 또한, 침질이 늦어지면 표층부 결정립의 조대화와 억제제의 부족으로 역시 최종 자성 특성의 열위를 가져온다.

1차 재결정 소둔에서 탈탄과 침질은 표층부를 통해 이루어지는데, 표층부에 형성되어 있는 산화층의 형상에 따라 탈탄과 침질의 속도와 시기가 바뀌게 된다. 1차 재결정 소둔 과정중 생기는 산화층은 온도, 산화능과 같은 노분위기, 소강 성분함량, 표면 형상 등에 따라 민감하게 변화하게 된다. 특히, Sb, Sn, P와 같은 성분은 첨가량에 따라 산화층 형성 거동을 변화시키므로 첨가량에 따라 조건 설정을 달리해야 한다. 따라서, SDN 방식을 사용하는 경우 성분의 종류와 상태에 따라 산화층 형성이 탈탄과 침질에 미치는 영향을 충분히 고려하여 1차 재결정 소둔 조건을 설정하여야 한다.

본 발명의 실시예들은 상술한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, Sn, Sb, P의 함량을 적절한 범위로 최적화된 성분계를 갖는 강 슬라브를 슬라브 저온가열과 SDN 방식에 의한 방향성 전기강판을 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 방향성 전기강판을 제공하고자 한다.

또한, 본 발명의 실시예들은 1차 재결정 소둔 분위기로 탈탄과 질화를 동시에 행함으로써 1차 재결정립을 원하는 크기 분포를 갖도록 하는 방향성 전기강판을 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 Sn : 0.03~0.07중량%, Sb : 0.01~0.05중량%, P : 0.01~0.05중량%, Si : 2.0~4.0중량%, 산가용성 Al : 0.020~0.040중량%, Mn : 0.01~0.20중량%, C : 0.04~0.07중량%, N : 10~55ppm 및 S : 0.0010~0.0055%를 포함하고, 상기 P와 Sb는 중량%로 0.0370≤P+0.5Sb≤0.0630 를 만족하는 강 슬라브를 제조하는 단계; 상기 강 슬라브를 재가열하고 열간압연한 후, 열연판소둔을 생략하거나 수행한 다음 냉간압연을 실시하여 강판을 제조하는 단계; 상기 강판에 대하여 800~850℃, 노점 60~65℃의 산화성 가스 분위기에서 탈탄 소둔을 실시하는 단계; 상기 탈탄 소둔된 강판에 대하여 850~900℃, 노점 65~72℃의 산화성 가스 분위기에서 동시 탈탄 질화 소둔을 실시하는 단계; 및 상기 탈탄 및 질화 소둔을 거친 강판에 대하여 1차 균열하는 단계, 승온하는 단계, 2차 균열하는 단계를 포함하는 최종 소둔 단계; 를 포함하는 방향성 전기강판의 제조방법이 제공될 수 있다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서 탈탄 소둔 단계는, 강판 내부의 잔류 탄소량이 100ppm 이하로 제어되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서 동시 탈탄 질화 소둔 단계는, 강판 내부의 잔류 탄소량이 20ppm 이하로 제어되고, 잔류 질소량이 100~300ppm으로 제어되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서 승온하는 단계는 700~950℃에서는 18~75℃/hr, 950~1200℃에서는 10~65℃/hr인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서 탈탄 및 질화 소둔한 후의 1차 재결정립의 크기는 19.0~21.5㎛인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서 산화성 가스 분위기는 질소와 수소의 혼합 가스이고, 상기 수소가 30~75%인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 하나 또는 다수의 실시예에서는 상기 방향성 전기강판의 제조방법 중 어느 하나에 의해 제조되는 방향성 전기강판이 제공될 수 있다.

본 발명의 실시예들은 Sn, Sb, P를 저온 슬라브 가열기술과 탈탄 소둔 공정중 탈탄 능력을 개선하고, 동시 탈탄 질화 기술을 적용함으로 자성이 극히 우수한 전기강판을 제조할 수 있다.

또한, 동시 탈탄 질화 소둔 조건을 사용하여 적정한 승온 조건에서 1차 재결정립를 원하는 크기로 균일한 크기 분포를 갖도록 조절하여 2차 재결정립을 안정적으로 형성시킴으로써 철손이 낮고 자속밀도가 높은 방향성 전기강판을 제조할 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 위주로 설명한다.

이러한 실시예는 본 발명에 따른 일실시예로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 여러 가지 상이한 형태로 구현할 수 있으므로, 본 발명의 권리범위는 이하에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다 할 것이다.

본 발명에 따른 실시예에서의 방향성 전기강판은 Sn : 0.03~0.07중량%, Sb : 0.01~0.05중량%, P : 0.01~0.05중량%를 P+0.5Sb : 0.037~0.063중량%의 범위로 포함되고, 저온 슬라브 가열방식과 동시 탈탄 질화소둔(SRDGN)방식을 사용하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 방향성 전기강판은 상기 성분 이외에 중량%로 Si : 2.0~4.0중량%, 산가용성 Al : 0.020~0.040중량%, Mn : 0.01~0.20중량%, C : 0.04~0.07중량%, N : 10~55ppm 및 S : 0.0010~0.0055중량%를 함유할 수 있고 잔부는 Fe 및 기타 불순물을 포함하여 이루어진다.

먼저, 이하에서는 각 원소의 함량을 한정하는 이유에 대하여 설명한다.

본 발명에 따른 실시예에서 Sn : 0.03~0.07중량%을 포함하는데, Sn을 첨가하면 2차 결정립의 크기를 감소시키기 위하여 {110}<001> 방위의 2차 결정립 형성을 위한 핵의 숫자를 증가시킴으로써 철손을 향상시킬 수 있다. 또한 Sn은 결정립계에 편석을 형성하여 결정립 성장을 억제하는 역할을 하며, 이에 의해 AlN 입자가 조대화 되고, Si 함량을 증가함에 따라 결정립 성장을 억제하는 효과가 약화되는 것을 보상한다. 따라서, 상대적으로 높은 Si함유량을 가지고도 {110}<001> 방위의 2차 재결정 집합조직이 형성될 수 있다. 이러한 Sn의 함량은 이미 상술한 바와 같이 다른 성분의 함량을 적절히 조정한 범위내에서 0.03~0.07중량%인 것이 바람직하다. 즉, 상술한 바와 같이 Sn의 함량범위를 상기 0.03~0.07중량%로 제어할 때, 종래에서는 예측할 수 없었던 불연속적이고 현저한 철손 감소 효과를 확인할 수 있었으므로 Sn의 범위는 상술한 범위로 제어하는 것이 바람직하다. 또한, Sn 함량이 과할 경우에는 취성이 증가된다는 문제도 있을 수 있으므로 Sn을 상술한 범위로 제어할 경우에는 취성향상에도 효과적이다.

본 발명에 따른 실시예에서는 Sb : 0.01~0.05중량% 포함하는데, Sb는 상기 Sn과 유사하게 결정립계에 편석하여 1차 재결정립의 과도한 성장을 억제하는 작용이 있다. Sb를 첨가하여 1차 재결정단계에서 입성장을 억제함으로써 판의 두께 방향에 따른 1차 재결정립 크기의 불균일성을 제거하고, 동시에 2차 재결정을 안정적으로 형성시킴으로써 자성이 보다 더 우수한 방향성 전기강판을 만들 수 있다. 특히, 이러한 Sb의 효과는 Sb를 0.01~0.05중량% 만큼 함유할 때 크게 향상될 수 있다.

Sb는 결정립계에 편석하여 1차 재결정립의 과도한 성장을 억제하는 작용이 있으나 0.01중량%이하이면 그 작용이 제대로 발휘되기 어렵고, 0.05중량% 이상이 함유되면 1차 재결정립의 크기가 지나치게 작아져 2차 재결정 개시 온도가 낮아져 자기특성을 열화시키거나 또는 입성장에 대한 억제력이 지나치게 커져 2차 재결정이 형성되지 않을 수도 있다.

또한, 본 발명에 따른 실시예에서는 P : 0.01~0.05중량%를 포함하는데, P는 저온가열 방식의 방향성 전기강판에서 1차 재결정립의 성장을 촉진시키므로 2차 재결정 온도를 높여 최종 제품에서 {110}<001> 방위의 집적도를 높인다. 1차 재결정립의 크기가 과대할 경우에는 2차 재결정이 불안해지지만 2차 재결정이 일어나는 한 2차 재결정온도를 높이기 위해 1차 재결정립이 큰 것이 자성에 유리하다. 한편 P는 1차 재결정된 강판에서 {110}<001> 방위를 갖는 결정립의 수를 증가시켜 최종제품의 철손을 낮출 수 있다. 또한 P는 2차 재결정 소둔시 약 1000℃의 높은 온도까지 결정립계에 편석하여 석출물의 분해를 지체시켜 억제력을 보강하는 기능도 있다. 이러한 P의 함량을 0.01~0.05중량%로 제한할 경우에 현저한 효과를 얻을 수 있다. P의 효과가 제대로 발휘되려면 0.01중량% 이상이 필요하고, P가 0.05중량% 이상이 되면 1차 재결정립의 크기가 오히려 감소되어 2차 재결정이 불안정해질 뿐만 아니라 취성을 증가시켜 냉간압연성을 저해할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 실시예에서는 P+0.5Sb : 0.0370~0.0630중량%를 함유하는데, 각각의 원소를 첨가하는 경우 외에도 상기 P+0.5Sb의 함량을 상기의 범위로 제어할 경우에 더욱 철손 향상 효과가 뛰어났다. 그 이유는 대체로 상기 원소들이 함께 첨가되어 상승효과를 나타내기 때문인 것으로 판단된다. 따라서, 각각의 성분범위를 제어하는 외에도 상기 P+0.5Sb를 상술한 범위로 제어한다.

본 발명의 실시예에 따른 전기강판은 우수한 철손을 확보하기 위해서는 상기 Sn, Sb, P 이외에도 Si, Al, Mn, C, N, S등과 같이 전기강판에서 통상 사용되는 성분들과 기타 불가피하게 포함되는 불순성분이 추가적으로 포함되나 이들의 성분은 통상의 전기강판에서 포함되는 종류의 성분과 그 함량범위로부터 용이하게 유추하여 본 발명의 전기강판에 적용할 수 있으므로, 반드시 그 성분을 한정할 필요는 없으며, 상기 Sn, Sb 및 P와 이들간의 관계를 상술한 범위로 한정하는 것이 중요하다.

다만, 본 발명의 성분계에 적합한 Si, Mn, Al, C, N, S 등의 보다 바람직한 예를 이하에서 표시하고 그 이유에 대하여 간략히 설명한다.

본 발명에 따른 실시예에서는 Si : 2.0~4.0중량%를 포함하는데, Si은 전기강판의 기본 조성으로 소재의 비저항을 증가시켜 철심손실(core loss) 즉, 철손을 낮추는 역할을 한다. Si함량이 2.0%미만인 경우 비저항이 감소하여 철손특성이 열화되며, 4.0중량%이상으로 과잉 함유시에는 강의 취성이 커져 냉간압연이 극히 어려워지고 2차 재결정 형성이 불안정해진다. 그러므로 Si은 2.0~4.0중량%로 한정한다.

본 발명에 따른 실시예에서는 산가용성 Al : 0.020~0.040중량%을 포함하는데, Al은 최종적으로 AlN, (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N 형태의 질화물로 되어 억제제로 작용하는 성분으로서, 그 함량이 0.02% 이하인 경우에는 억제제로의 충분한 효과를 기대할 수 없고, 너무 높은 경우에는 Al계통의 질화물이 너무 조대하게 석출, 성장하므로 억제제로의 효과가 부족해진다. 그러므로 Al의 함량을 0.020~0.040중량%로 정한다.

본 발명에 따른 실시예에서는 Mn :0.01~0.20중량%를 포함하는데, Mn은 Si과 동일하게 비저항을 증가시켜 철손을 감소시키는 효과도 있으며, Si과 함께 질화처리에 의해서 도입되는 질소와 반응하여 (Al,Si,Mn)N의 석출물을 형성함으로서 1차재결정립의 성장을 억제하여 2차재결정을 일으키는데 중요한 원소이다. 그러나 0.20중량% 이상 첨가시에는 열연도중 오스테나이트 상변태를 촉진하므로 1차 재결정립의 크기를 감소시켜 2차 재결정을 불안정하게 한다. 그러므로 Mn은 0.20중량% 이하로 한다. 또한, Mn는 오스테나이트 형성 원소로서 열연 재가열시 오스테나이트 분율을 높여 석출물들의 고용량을 많게 하여 재석출시 석출물 미세화와 MnS 형성을 통한 1차 재결정립이 너무 과대하게 하지 않는 효과가 있으므로 0.01중량% 이상 포함하는 것이 필요하다. 따라서 Mn은 0.01~0.2 중량%로 한정한다.

또한, 본 발명에 따른 실시예에서 C는 0.04~0.07중량%로 제어되는데, C는 냉간압연 후 탈탄소둔과정에서 제거되며, N과 S는 2차 균열 처리시 분위기제어를 통하여 최대한 제거되는 것이 바람직하므로 상기 전기강판의 성분계에서는 불순물로 간주된다. 다만, 이들 성분은 냉간압연이 될 때까지는 여러 가지 이유로 인하여 강판내 존재하기 때문에 전기강판을 제조하기 위한 강 슬라브, 열연강판 및 냉연강판(냉간압연 직후의 강판)에서는 소정 범위로 포함될 수 있으며, 본 발명에서는 0.04~0.07중량%로 제어된다. C는 본 발명에서 대상으로 하는 방향성 전기강판의 자기적 특성 향상에 크게 도움이 되지 않는 성분이므로 가급적 제거하는 것이 바람직하다. 그러나, 압연과정에서는 일정수준 이상 포함되어 있을 경우 강의 오스테나이트 변태를 촉진하여 열간압연시 열간압연 조직을 미세화시켜서 균일한 미세조직이 형성되는 것을 도와주는 효과가 있으므로 상기 C는 0.04중량% 이상으로 포함되도록 한다. 그러나 함량이 과다하면 조대한 탄화물이 생성되고 탈탄시 제거가 곤란해 진다.

본 발명에 따른 실시예에서는 N은 10~55ppm로 제어되는데, 상기 N은 Al 등과 반응하여 결정립을 미세화시키는 원소이다. 이들 원소들이 적절히 분포될 경우에는 냉간압연 이후 조직을 적절히 미세하게 하여 적절한 1차 재결정 입도를 확보하는데 도움이 될 수 있으나 그 함량이 과도하면 1차 재결정립이 과도하게 미세화되고 그 결과 미세한 결정립으로 인하여 2차 재결정시 결정립 성장을 초래하는 구동력이 커져서 바람직하지 않은 방위의 결정립까지 성장할 수 있으므로 바람직하지 않다. 또한, N 함량이 과다하면 최종소둔과정에서 제거하는데도 많은 시간이 소요되므로 바람직하지 않다. 따라서, 상기 질소 함량의 상한은 55ppm으로 정한다. 다만 슬라브 재가열시 고용되는 질소의 함량이 10ppm 이상이 되어야 할 것이므로 재고용될 수 있는 비율을 감안하여 상기 질소 함량의 하한은 10ppm으로 한정한다.

그리고, 본 발명에 따른 실시예의 전기강판은 S : 0.0010~0.0055중량%를 포함하는데, S는 0.0055%이상 함유되면 열간압연 슬라브 가열시 재고용되어 미세하게 석출하므로 1차 재결정립의 크기를 감소시켜 2차 재결정 개시온도를 낮추어 자성을 열화시킨다. 또한 최종소둔공정의 2차균열구간에서 고용상태의 S를 제거하는데 많은 시간이 소요되므로 방향성 전기강판의 생산성을 떨어뜨린다. 한편 S함량이 0.0055% 보다 낮은 경우에는 냉간압연전의 초기 결정립 크기가 조대해지는 효과가 있으므로 1차 재결정공정에서 변형밴드에서 핵생성되는 {110}<001> 방위를 갖는 결정립의 수가 증가된다. 그러므로 2차 재결정립의 크기를 감소시켜 최종제품의 자성을 향상시키므로 S는 0.0055% 이하로 정한다. S는 MnS를 형성하여 1차 재결정립크기에 어느 정도 영향을 주므로 0.001중량 %이상 포함하는 것이 바람직하다. 따라서 S의 범위를 0.0010~0.0055%로 한정한다.

본 발명에 따른 실시예는 상기 성분계를 포함하는 방향성 전기강판 슬라브를 1050~1250℃ 재가열하고, 열간 압연한 후, 열연판 소둔을 생략하거나 또는 행한 다음, 냉간압연하고 이어서 탈탄과 침질을 동시에 행하는 동시 탈탄 질화 소둔을 실시한 후, 2차 재결정 소둔을 실시하는 방향성 전기강판 제조 방법에 관한 것으로, 800~900℃의 온도 범위에서 탈탄 소둔과 동시 탈탄 질화 소둔을 실시한다. 소둔온도가 800℃ 보다 낮으면 탈탄에 장시간이 소요되고, 1차 재결정립의 크기도 작아서 최종소둔시 안정적인 2차 재결정을 기대할 수 없게 된다.

소둔온도가 900℃ 보다 높으면 질화반응의 속도를 조절하는 것이 어렵고, 1차 재결정립이 과도하게 성장하거나 불균일해져 최종소둔시 안정적인 2차 재결정조직을 발달시키기 어렵게 된다.

상기 소둔 단계는 800~850℃의 N₂+H₂ 분위기에서 노점 60~65℃로 행하고, 상기 탈탄 소둔 단계 이후에는 850~900℃에서 동시 탈탄 질화 소둔을 실시한다. 상기 탈탄 소둔 분위기는 질소와 수소 가스로 이루어진다.

상기 탈탄 소둔 단계에서는 표층부 미탈탄 영역 완전 제거하여 입성장을 유도하고, 내부 미탈탄 영역도 일부 제거하여 동시 탈탄 질화 소둔에 투입되는 강판 내 잔류 탄소량을 100ppm미만으로 낮추는 것이 중요하다.

탈탄은 내부에 있는 탄소가 표층부로 확산하고 이 탄소가 산소와 아래 반응을 통해 CO 가스로 빠져나가는 아래 식과 같은 반응으로 주로 이루어진다.

C + H₂O → CO(gas) + H₂

강판 내의 탄소(Carbon)는 조직 내에 고용되어있는 것들이 10%정도 있고, 대부분 열간압연 조업시 생성된 오스테나이트에서 상변태된 펄라이트 또는 베이나이트(냉각 패턴에 따라 국부적으로 존재) 조직에 존재하고, 냉간 압연에 의해 미세하게 조각난 펄라이트 형태로 국부적으로 존재하고, 압연방향을 따라 띠형태로 존재하게 된다. 상기 조직들이 탈탄 소둔 공정에서 분해되며 나오는 탄소가 페라이트(ferrite) 입자 및 입계를 통한 확산으로 표층부에 도달해야 하는데 저온에서는 탄소의 확산속도가 낮고, 페라이트의 탄소 고용도가 낮아서 잘 나오지 못한다.

또한, 산소가 강판표층부로 고용 침투하여 탄소를 만나 반응이 이루어져야 하는데, 700℃ 미만 온도에서는 깊이 방향으로 고용 침투되어 들어오는 산소량이 미미하여 탈탄 반응이 활발히 이루어지지 않는다. 800~850℃ 범위에서 본격적으로 산소가 두께 방향으로 침투해 들어오기 시작하는데, 이때 들어온 산소들이 탄소와 만나 탈탄 반응이 본격적으로 이루어지고, 동시에 내부의 Si와 만나서 강판 표층부에 두께방향으로 SiO₂ 내부 산화층이 형성된다. 상기 내부 산화층이 깊게 형성되어 있는 강판은 탈탄이 더욱 많이 일어난 것임을 실험을 통해 확인하였다.

따라서, 탈탄이 잘 이루어지기 위해서는 내부 탄소의 표면 확산과 산소의 두께 방향 침투를 위해 판온도를 800℃ 이상 올려주어야 하고, 동시에 산화성 분위기를 형성해서 산소를 두께 방향으로 침투시켜야 한다. 이때 주의할 점은 탈탄이 완료되지 않은 상태에서 판온이 너무 올라가게 되면 국부적으로 오스테나이트(austenite) 상변태가 발생한다는 것이다. 이 현상은 가장 늦게 탈탄이 이루어지는 중심부에 주로 발생하고, 결정립 성장을 방해하므로 국부적인 미세립을 형성하여 심한 조직 불균일을 야기한다. 따라서, 탈탄 반응은 850℃ 미만에서 진행되는 것이 좋다.

또한, 탈탄을 위해서는 적정한 산소 투입이 매우 중요하다. 산소의 투입량은 산화성 분위기(노점, 수소 분위기), 표층부의 산화층 형상, 그리고 판온도를 고려해야 한다. 산화능만으로 판단하면 산화능이 높을수록 산소 분압이 높아지므로 산화능을 높이는 것이 좋다. 그러나, 산화능이 지나치게 높아지면 표층부에 SiO₂, 철감람석(Fayalite, Fe₂SiO₄)와 같은 산화물이 표층부에 치밀하게 형성되게 되는데, 치밀한 산화물이 형성되면 산소의 깊이 방향 침투를 방해하는 방해물 역할을 하게 되어 결과적으로 산소의 내부 침투를 방해한다. 따라서, 탈탄을 위한 적절한 산화능이 존재하고, 본 발명에 따른 성분계에서 여러 차례 실험 결과 800~850℃의 온도범위에서 노점 60~65℃(50%N₂+50%H₂) 분위기에서 탈탄이 가장 잘 일어나는 것을 확인하였다.

표층부의 치밀한 산화층의 형성은 탈탄뿐만 아니라 깊이 방향 산화층 형성을 방해하게 된다. 노 분위기의 수소비율이 높은 경우, 표층부의 수소 분압이 높아서 치밀한 산화층의 형성 억제 효과가 있어서 수소량이 증가할수록 동일한 노점 수준 보다 높은 노점 분위기에서 탈탄이 더 잘 일어나게 된다. 상기 수소 가스는 30~75%로 제어되는데, 상기 탈탄 소둔 분위기에서 수소의 함량이 높을수록 산화능이 작아지는데, 만약 수소가 30% 미만인 경우에는 산화능이 과도하게 크지만 75%를 초과하는 경우에는 산화가 잘 일어나지 않으므로 본 발명에 따른 실시예에서는 수소의 함량을 30~75%로 제어한다. 이는 탈탄 단계와 동시 탈탄 질화 단계에서도 동일하게 적용된다. 특히, 노점 62.5℃(50%N₂+50%H₂)에서 탈탄이 잘 일어난다.

판의 온도도 마찬가지 효과가 있는데, 온도가 너무 높아지면 강판 내부의 Si이 표층부로 확산해 나오면서 SiO₂ 산화층이 두꺼워져서 두께 방향으로의 산소침투를 막고, 또한 표층부에 더욱 두꺼운 SiO₂ 산화층을 형성하게 된다.

따라서, 초기 탈탄 소둔 단계에서는 탈탄이 가장 잘 일어나는 800~850℃에서 적정한 범위의 산화능 분위기를 적용하는 것이 표층부 미탈탄 영역 완전 제거로 입성장을 유도하고, 내부 미탈탄 영역도 일부 제거하여 강판 내 잔류 탄소량을 100ppm미만으로 낮추는 것이 가능하고, 이후 동시 탈탄 질화 소둔 단계에서 상변태를 최소화할 수 있다. 만약, 탈탄 소둔 단계에서 잔류 탄소량을 100ppm 이상으로 유지한다면 동시 탈탄 질화 소둔 단계에서 탈탄이 제대로 이루어지지 않아 침질이 제대로 이루어지지 않을 수 있다.

동시 탈탄 질화 소둔 단계에서는 850~900℃ 균열 소둔을 거치면서 입자 성장과 더불어 탈탄과 침질이 동시에 이루어진다. 마찬가지로 치밀한 산화층 형성에 의해 산소뿐 아니라 질소의 투입 방해를 받으므로, 노점 72℃(50%N₂+50%H₂) 이상에서는 탈탄 및 침질 효율이 급격히 떨어지게 된다. 따라서, 노점을 72℃이하로 관리하는 것이 중요하다. 본 발명에 따른 실시예에서 실험 결과 65~72℃에서 탈탄이 잘 일어남을 확인하였고 특히, 노점 70℃(30%N₂+70%H₂)에서 탈탄이 잘 일어나는 것을 확인하였다. 본 발명에 따른 실시예에서는 질화처리를 850~900℃에서 실시하는데, 이는 850℃미만의 온도에서는 강판 내에서 질소의 확산속도가 느려 질화시간이 길어질 수 있고, 900℃이상에서는 질화는 쉽게 되지만 1차 재결정립들이 성장하기 쉬워 강판 내의 결정립 분포가 불균일해져 2차 재결정의 발달이 불안정해지기 때문이다.

상기 동시 탈탄 질화 소둔 완료 후 잔류 탄소를 20ppm 미만으로 유지하는 것이 매우 중요하다. 만약, 20ppm 보다 많은 탄소가 잔류하게 되면 강판내부에 페라이트(ferrite) 계면에 남아있는 미탈탄 영역이 국부적으로 오스테나이트 상변태가 이루어지게 되어 입자성장을 억제하게 되므로 결정립 크기 조절을 방해하고, 국부적인 불균일을 만들어서 자성을 열위하게 만들 수 있다. 또한, 동시 탈탄 질화 소둔 완료 후 강판 내부에 잔류하는 질소량이 100~300ppm을 유지하도록 제어하는데, 만약, 100ppm미만인 경우에는 질소가 억제제 형성을 제대로 하지 못할 수 있고, 300ppm을 초과하는 경우에는 최종 소둔 과정에서 질소를 제거하는데 과도한 시간이 소요될 수 있다.

본 발명에 따른 최종 소둔은 권취된 강판을 고온에서 가열하는 것이기 때문에, 강판과 강판이 부착되어버릴 우려가 있으므로 최종 소둔 전 강판 표면에 MgO를 주성분으로 하는 소둔 분리제를 도포하게 되는데, 상기 MgO는 수분과 함께 페이스트 형태로 도포되게 되므로 페이스트에 포함된 수분을 제거하기 위한 1차 균열 과정과 상기 1차 균열 과정 이후에 2차 재결정이 일어나는 온도로 강판을 가열하는 승온 과정 이후 적절한 온도에서 강판을 유지하는 2차 균열 과정으로 나뉘게 된다.

상기 승온 과정에서 승온시 억제제가 용해되는 온도 이하에서는 강판을 빠르게 승온하더라도 2차 재결정이 일어나지 않으므로 2차 재결정 거동에 별 영향을 미치지 않으므로 빠르게 승온시킬 수 있으나 2차 재결정이 일어나는 온도부터는 다소 느리게 승온시킨다. 본 발명에 따른 실시예에서는 승온 속도를 달리 적용하는 기준온도를 950℃로 정하였다. 즉, 1차 균열 온도인 700℃부터 기준 온도인 950℃사이에서는 빠른 승온속도로 강판을 승온하다가 950~1200℃에서는 2차 재결정을 고려하여 느리게 승온시킨다. 즉, 본 발명에 따른 실시예에서는 700~950℃에서는 18~75℃/hr, 950~1200℃에서는 10~65℃/hr로 제어한다.

또한, 상기와 같은 방법에 의해 본 발명에 따른 실시예에서는 1차 재결정립의 크기를 19.0~21.5㎛로 제어하는데, 만약 1차 재결정립의 크기가 19.0㎛보다 작으면 결정립 성장 구동력이 커서 2차 재결정이 시작되는 온도가 낮아지고, 1차 재결정은 억제되어 있으면서, 2차 재결정만 성장하는 선택적 성장 구간도 좁아지게 된다. 이러한 경우 좋은 2차 재결정 조직이 성장할 수 있는 조건이 잘 확보되지 못하여 2차 재결정의 집적도가 나쁘고, 2차 재결정립 크기가 커지는 현상이 발생한다.

반면, 1차 재결정립의 크기가 21.5㎛보다 크면 결정립 성장 구동력이 작아 2차 재결정이 시작되는 온도가 높아지고, 억제제가 급격하게 힘을 잃게 되어 1차 재결정은 억제되어 있으면서, 2차 재결정만 성장하는 선택적 성장 구간도 좁아지고, 2차 재결정 형성 구간 중 2차 재결정이 성장하지 못한 영역에는 1차 재결정립의 크기가 커져서 시편을 두께방향으로 관통하게 되고, 이러한 결정립은 이후 순화소둔에서도 소멸되지 않고 남게 되어 2차 재결정 미세립을 만들게 된다.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

중량%로 Si:3.27%, C:0.055%, Mn:0.11%, Sol. Al:0.028%, P: 0.029%, N: 0.0042%, S: 0.0045%, Sb: 0.030% 그리고 잔부를 이루는 Fe와 기타 불가피하게 함유되는 방향성 전기강판의 스라브를 재고용되는 N의 양이 0.0025%되는 온도에서 210분 가열한 후 열간압연하여 2.3mm 두께의 열연판을 제조하였다. 이 열연판을 1120℃까지 가열한 후 920℃에서 90초간 유지하고 물에 급냉하여 산세한 후 0.30mm 두께로 냉간압연하였다. 승온 중 초기 탈탄 소둔을 위한 판온이 800~850℃의 구간의 노점과 수소비를 각각 표1과 같이 변화시켰고, 균열대는 가열대와 동일 수소비에 노점 68℃을 유지하면서 암모니아 가스를 동시에 투입하여 180초간 유지하여 동시 탈탄, 질화 처리를 하였다.

상기 동시 탈탄 질화처리된 강판에 소둔분리제인 MgO를 도포하여 코일상으로 최종소둔하였다. 최종소둔시 1차 균열온도는 700℃, 2차 균열온도는 1200℃로 하였고, 승온구간의 승온조건은 700~950℃의 온도 구간에서는 시간당 45℃, 950~1200℃의 온도구간에서는 시간당 15℃로 하였다. 한편 1200℃에서의 균열시간은 15시간으로 하여 처리하였다. 최종소둔시의 분위기는 1200℃까지는 25%질소+75%수소의 혼합분위기로 하였고, 1200℃ 도달 후에는 100%수소분위기에서 유지한 후 노냉하였다. 각각의 조건에 대하여 측정한 자기특성은 표 1과 같다. 아래의 표 1의 발명재 1,2,3에서 보이는 것처럼, 노점 60~65℃ 범위의 것이 양호한 자기 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다.

수소비(%)	노점(℃)	Grain size(㎛)	자속밀도 (B10, Tesla)	철손 (W17/50, W/kg)	구 분
50	58	18.0	1.910	0.965	비교재 1
50	60	20.8	1.931	0.940	발명재 1
50	62.5	21.0	1.943	0.933	발명재 2
50	65	20.1	1.936	0.937	발명재 3
50	68	19.0	1.917	0.978	비교재 2

본 발명에 따른 실시예에 의해 1차 재결정립을 균일한 크기 분포를 갖도록 함여 2차 재결정립을 안정적으로 형성시킴으로써 저철손 고자속밀도의 방향성 전기강판을 제공할 수 있게 된다.

이상으로 본 발명에 관한 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 아니하며, 본 발명의 실시예로부터 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의한 용이하게 변경되어 균등하다고 인정되는 범위의 모든 변경을 포함한다.

Claims (7)

1. Sn : 0.03~0.07중량%, Sb : 0.01~0.05중량%, P : 0.01~0.05중량%, Si : 2.0~4.0중량%, 산가용성 Al : 0.020~0.040중량%, Mn : 0.01~0.20중량%, C : 0.04~0.07중량%, N : 10~55ppm 및 S : 0.0010~0.0055%를 포함하고, 잔부는 Fe 및 기타 불가피한 불순물로 이루어지며, 상기 P와 Sb는 중량%로 0.0370≤P+0.5Sb≤0.0630 를 만족하는 강 슬라브를 제조하는 단계;
   상기 강 슬라브를 재가열하고 열간압연한 후, 열연판소둔을 생략하거나 수행한 다음 냉간압연을 실시하여 강판을 제조하는 단계;
   상기 강판에 대하여 800~850℃, 노점 60~65℃의 산화성 가스 분위기에서 강판 내부의 잔류 탄소량이 100ppm 이하로 제어되도록 탈탄 소둔을 실시하는 단계;
   상기 탈탄 소둔된 강판에 대하여 850~900℃, 노점 65~72℃의 산화성 가스 분위기에서 강판 내부의 잔류 탄소량이 20ppm 이하로 제어되고, 잔류 질소량이 100~300ppm으로 제어되도록 동시 탈탄 질화 소둔을 실시하는 단계; 및
   상기 탈탄 및 질화 소둔을 거친 강판에 대하여 1차 균열하는 단계, 승온하는 단계, 2차 균열하는 단계를 포함하는 최종 소둔 단계; 를 포함하며,
   상기 산화성 가스 분위기는 질소와 수소의 혼합 가스이고, 상기 수소가 30~75%인 것을 특징으로 하는 방향성 전기강판의 제조방법.
2. 삭제
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 승온하는 단계는 700~950℃에서는 18~75℃/hr, 950~1200℃에서는 10~65℃/hr인 것을 특징으로 하는 방향성 전기강판의 제조방법.
5. 제1항에 있어서,
   상기 탈탄 및 질화 소둔한 후의 1차 재결정립의 크기는 19.0~21.5㎛인 것을 특징으로 하는 방향성 전기강판의 제조방법.
6. 삭제
7. 제1항 및 제4항 및 제5항 중 어느 하나의 항에 의해 제조되는 방향성 전기강판.