KR101332044B1 - 임피던스 매칭 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 임피던스 매칭 장치를 공개한다. 상기 임피던스 매칭 장치는, 다층 인쇄 회로 기판; 동일한 피치를 가지는 복수의 신호층들을 포함하며, 상기 복수의 신호층들이 상기 다층 인쇄 회로 기판 상에 순차적으로 나열되어 형성되는 신호 라인; 및 상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되, 상기 복수의 접지층들은 상기 신호 라인의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과의 거리가 짧아지도록 배열되어 임피던스 값을 조절할 수 있다. 상기 임피던스 매칭 장치는 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.

Description

임피던스 매칭 장치{APPARATUS FOR MATCHING IMPEDANCE}
본 발명은 임피던스 매칭 장치에 관한 것으로, 특히, 접지면의 위치를 변경하여 임피던스를 조절하는 임피던스 매칭 장치에 관한 것이다.
최근에는 컴퓨터와 통신 기술의 발전으로 전자기기에서 신호의 절달 속도가 중요해지고 있다. 이에 따라, 인쇄 회로 기판에서 부품과 배선 간 또는 인쇄회로기판과 외부 부품 간의 임피던스 매칭이 중요하다.
임피던스 매칭 방법은 일반적으로, 회로 배선의 패턴 형상(pattern form) 폭, 절연층 두께 및 유전율(Er), 회로 배선의 두께를 조절하여 임피던스를 매칭하는 방법이 알려져 있다.
한편, 현재 임피던스 매칭 장치의 다층회로기판은 고주파 신호처리용으로 많이 사용되고 있다
고주파 신호 처리용 다층 인쇄회로 기판의 제조시 전파지연, 전송선 반사, 신호 손실, 높은 접속 밀도에 따른 상호 연결 및 임피던스 매칭이 문제가 된다.
또한, 임피던스 매칭은 다층 인쇄 회로 기판의 층이 다층(Multi-layer)으로 진행되고, 신호 라인의 피치폭을 미세하게 진행될수록 어려움이 증가하고 있다. 예를 들면, 다층인쇄회로기판에서의 신호 라인의 피치폭을 50um미만으로 구현하기 어려운 것이 현실이다.
이처럼, 신호 라인의 피치폭을 조절하여 임피던스를 매칭하는데에는 한계가 있었다. 따라서 회로 배선 폭을 조절하지 않고, 임피던스를 매칭할 수 있는 새로운 임피던스 매칭 방법이 요구되고 있다.
본 발명에 따른 임피던스 매칭 장치의 실시 예들은, 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리 조절을 통해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭(피치폭)으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있는 수단을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치는, 다층 인쇄 회로 기판; 동일한 피치를 가지는 복수의 신호층들을 포함하며, 상기 복수의 신호층들이 상기 다층 인쇄 회로 기판 상에 순차적으로 나열되어 형성되는 신호 라인; 및 상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되, 상기 복수의 접지층들은 상기 신호 라인의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과의 거리가 짧아지도록 배열되어 임피던스 값을 조절할 수 있다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치는, 다층 인쇄 회로 기판; 동일한 피치를 가지는 복수의 신호층들을 포함하는 신호 라인; 및 상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되며, 금속 비아에 의해 서로 전기적으로 도통되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되, 상기 복수의 접지층들 각각은 상기 신호 라인의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 신호 라인으로부터 점차적으로 멀어지도록 배열되어 임피던스 값을 조절할 수 있다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치는, 다층 인쇄 회로 기판, 상기 다층 인쇄 회로 기판 상에 형성된 제1 및 제2 신호층을 포함하는 신호 라인, 및 상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되, 상기 신호 라인의 일측에 형성된 상기 복수의 접지층 중 제1 접지층은, 상기 신호 라인의 타측에 형성된 상기 복수의 접지층 중 제2 접지층보다 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과 더 가깝게 배열되어 임피던스 값을 조절할 수 있다.
본 발명의 실시 예는, 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는, 저저항 신호층과 고저항 신호층 사이에 저항값이 점차적으로 증가되도록 가이드(guide)하는 임피던스 매칭 신호층을 형성함으로써, 신호 전달력을 향상시킬 수 있다.
그에 의해, 임피던스 매칭 장치는 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며, 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
도1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 평면도이다.
도2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 단면도이다.
도3a 및 도3b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 도면들이다.
도4a 및 도4b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 도면들이다.
도5는 본 발명의 제4 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 평면도이다.
도6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 단면도이다.
도7은 본 발명의 제5 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 평면도이다.
도8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타낸 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하기로 한다. 그러나 이는 예시에 불과하며 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
본 발명을 설명함에 있어서, 본 발명과 관련된 공지기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다. 그리고, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
본 발명의 기술적 사상은 청구범위에 의해 결정되며, 이하의 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 효율적으로 설명하기 위한 일 수단일 뿐이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 임피던스 매칭 장치을 설명하면 다음과 같다.
도1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 평면도이고, 도2는 도1을 Ⅰ-Ⅰ'로 절단한 단면도이다.
도1 및 도2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치(100)은 접지면(120) 및 신호 라인(130)을 포함한다.
상기 접지면(120)은 외부의 접지라인에 연결되어 안테나의 접지부로 작동하며, 일 예로, 은(Ag)과 같은 전도성 물질의 금속으로 형성될 수 있다.
이러한, 접지면(120)은 복수 개의 접지층(122, 124, 126, 128)으로 구성되어 형성될 수 있다. 복수 개의 접지층(122, 124, 126, 128) 각각은 다층 인쇄 회로 기판(110)의 내부에 형성되며, 이웃한 접지층과는 다른 높이를 가지도록 형성될 수 있다.
즉, 복수 개의 접지층(122, 124, 126, 128) 각각은 상기 신호 라인(130)의 일측에서 타측으로 이동할수록 신호 라인(130)과의 거리가 점차적으로 멀어지도록 형성될 수 있다. 즉, 복수 개의 접지층(122, 124, 126, 128)은 상기 신호 라인(130)의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 다층 인쇄 회로 기판(110)의 바닥면과의 거리가 짧아지도록 배열되어 임피던스 값이 증가되도록 조절할 수 있다. 이때, 복수 개의 접지층(122, 124, 126, 128)은 상기 신호 라인(130)이 분할된 갯수와 동일한 갯수로 분할되어 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 도2에 도시된 바와 같이, 제1 접지층(122)은 저저항 신호층(132)과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 저저항 신호층(132)과 제1 거리(h11)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 그리고, 제2 접지층(124)은 제1 임피던스 매칭 신호층(134)과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 제1 임피던스 매칭 신호층(134)과 제1 거리(h11)보다 먼 제2 거리(h12)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 제3 접지층(126)은 제2 임피던스 매칭 신호층(136)과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 제2 임피던스 매칭 신호층(136)과 제2 거리(h12)보다 먼 제3 거리(h13)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 제4 접지층(128)은 고저항 신호층(138)과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 고저항 신호층(138)과 제3 거리(h13)보다 먼 제4 거리(h14)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다.
또한, 본 발명에 따른 접지층들(122, 124, 126, 128) 간에는 서로 중첩되도록 형성되지 않도록 형성됨과 동시에 제1 특정 거리(d11)을 두고 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 각 접지층들(122, 124, 126, 128)은 각각과 대응되는 신호층들(132, 134, 136, 138)과 동일한 길이를 가지도록 형성될 수 있다.
한편, 상기 신호 라인(130)은 소정의 주파수 대역 신호를 송수신하며, 은(Ag)과 같은 전도성 물질의 금속으로 형성될 수 있다.
이러한, 신호 라인(130)은 다층 인쇄 회로 기판(110) 상에서 일정 피치(P) 간격을 가지는 라인 형태로 형성되며, 일 예로, 다층 인쇄 회로 기판(110)의 장측 방향으로 연장되어 배열될 수 있다.
신호 라인(130)은 도1 및 도2와 같이, 저저항 신호층(132), 고저항 신호층(138) 및 저저항 신호층(132)과 고저항 신호층(138) 사이에 형성되어 저항값이 점차적으로 증가되도록 가이드(guide)하는 임피던스 매칭 신호층(135)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 임피던스 매칭 신호층(135)은 제1 임피던스 매칭 신호층(134) 및 제2 임피던스 매칭 신호층(136)으로 나뉘어 형성되고, 그에 따라 본 발명에 따른 신호 라인(130)은 총 4개로 분할되어 형성되며, 분할된 4개의 신호층들(132, 134, 136, 138)은 서로 다른 저항 값을 가지도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 저저항 신호층(132)은 일 예로, 50 옴(ohm)을 가지도록 형성되며, 제1 및 제2 임피던스 매칭 신호층(136)은 저저항 신호층(132)의 타측으로부터 연장되어 순차적으로 형성되며 각각은, 일 예로, 70 옴 및 85 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다. 그리고, 고저항 신호층(138)은 제2 임피던스 매칭 신호층(136)의 타측으로부터 연장되어 형성되며, 일 예로, 100 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다.
이때, 본 발명에서의 저항 값은 각 신호층과 평행한 방향으로 대응하는 각 접지층들(122, 124, 126, 128)과의 높이 차에 따라 결정될 수 있다. 이처럼, 신호 라인(130)은 일측에서 타측으로 이동할수록 점차적으로 높아지는 저항값을 가짐으로써, 임피던스 매칭을 할 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 각 접지층들(122, 124, 126, 128)은 각각과 대응되는 각 저항층들(132, 134, 136, 138)로부터 서로 다른 거리로 이격되어 형성되고, 그에 따라 각 저항층들(132, 134, 136, 138)은 서로 다른 저항 값을 가지게 되는데, 이는 하기의 수학식 1 및 2에 의해 결정된다.
Figure 112011067716968-pat00001
본 발명에 따른 저항값 즉, 특정 임피던스는 [수학식1]에 나타난 것과 같이, 신호선의 총 길이(L)에 비례하고, 정전용량(C)에 반비례한다. 이에, 본 발명에서는 신호서의 총 길이(L)을 고정시키고, 정전용량(C)의 값을 변경하여 특정 임피던스의 값을 조절할 수 있다
Figure 112011067716968-pat00002
이때, 정전용량(C)는 유전율 및 면적에 비례하고, 두께에 반비례함을 알 수 있다. 여기서, 본 발명에 따른 유전율이라 함은 기판 내의 형성된 유전물질에 의해 결정되며, 면적이라 함은, 기판의 총 면적을 말한다. 그리고, 본 발명에 따른 두께라 함은, 서로 대응되어 형성되는 신호층과 접지면 간의 거리차이다.
이에 본 발명에서는 상수(K), 유전율 및 면적의 값을 고정하고 두께 값을 변경하여 신호선의 피치폭(P)의 변경없이, 신호선 및 접지면 간의 거리 차를 변경하여 임피던스 매칭을 할 수 있다.
특히, 신호층의 선폭을 고정한 경우에는, 특정 임피던스는 서로 대응되는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 결정될 수 있다. 이처럼, 특성 임피던스를 조절하기 위해, 신호층의 피치폭을 테이퍼드(Tapered) 형태로 형성하지 않고, 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
도3a는 제2 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치(200)는 접지면(220) 및 신호 라인(230)을 포함한다. 여기서, 본 발명의 제2 실시예에 따른 접지면(220) 및 신호 라인(230)은 본 발명의 제1 실시예의 접지면(120) 및 신호 라인(130)과 동일한 구성임으로, 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 접지면(220)은 복수 개의 접지층(222, 224, 226, 228)으로 구성될 수 있다. 복수 개의 접지층(222, 224, 226, 228) 각각은 다층 인쇄 회로 기판(210)의 내부에 형성되며, 이웃한 접지층과는 다른 높이를 가지며 형성될 수 있다.
복수 개의 접지층(222, 224, 226, 228) 각각은 상기 신호 라인(230)의 일측과 대응하는 위치에서 타측과 대응하는 위치로 이동할수록 신호 라인(230)과의 거리가 점차적으로 멀어지도록 형성될 수 있다. 이때, 복수 개의 접지층(222, 224, 226, 228)은 상기 신호 라인(230)이 분할된 갯수와 동일한 갯수로 분할되어 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 접지층(222)은 저저항 신호층(232)과 제1 거리(h21)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 제2 접지층(224)은 제1 임피던스 매칭 신호층(234)과 제1 거리(h21)보다 먼 제2 거리(h22)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 제3 접지층(226)은 제2 임피던스 매칭 신호층(236)과 제2 거리(h22)보다 먼 제3 거리(h23)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다. 그리고, 제4 접지층(228)은 고저항 신호층(238)과 제3 거리(h23)보다 먼 제4 거리(h24)를 두고 이격되어 평행한 방향으로 배열된다.
또한, 제1 접지층(222)은 저저항 신호층(232)과 동일한 길이를 갖도록 형성된다. 그러나, 제2 접지층(224)의 일측은 제1 접지층(222)이 형성된 영역과 중첩되는 영역까지 연장되어 형성되고, 타측은 제1 임피던스 매칭 신호층(234)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다. 제3 접지층(226)의 일측은 제2 접지층(224)이 형성된 영역과 중첩되는 영역까지 연장되어 형성되고, 타측은 제2 임피던스 매칭 신호층(236)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제4 접지층(228)의 일측은 제3 접지층(226)이 형성된 영역과 중첩되는 영역까지 연장되어 형성되고, 타측은 고저항 신호층(238)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다.
한편, 각각의 접지층들(222, 224, 226, 228)은 도3b와 같이, 각 접지층들 사이에 형성된 금속 비아들(242, 244, 246, 248)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한, 본 발명에 따른 접지층들(222, 224, 226, 228)은 서로 제1 특정 거리(d11)을 두고 이격되어 형성될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 각 접지층들(222, 224, 226, 228)은 각각과 대응되는 각 저항층들(232, 234, 236, 238)로부터 서로 다른 거리로 이격되어 형성되고, 그에 따라 각 저항층들(232, 234, 236, 238)은 서로 다른 저항 값을 가지게 된다.
이처럼, 본 발명에 따른 임피던스 매칭 장치(200)는 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
도4a는 제3 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도4a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치(300)는 접지면(320) 및 신호 라인(330)을 포함한다.
여기서, 본 발명의 제3 실시예에 따른 접지면(320) 및 신호 라인(330)은 본 발명의 제1 실시예의 접지면(120) 및 신호 라인(130)과 동일한 구성으로 형성될 수 있다.
그러나, 본 발명의 제3 실시예에 따른 제1 접지층(322)은 저저항 신호층(332)과 동일한 길이를 갖도록 형성된다. 그리고, 제2 내지 제4 접지층(324, 326, 328) 각각의 일측은 제1 접지층(322)의 일측과 대응되는 영역까지 연장되어 형성될 수 있다.
하지만, 제2 접지층(324)의 타측은 제1 임피던스 매칭 신호층(334)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다. 제3 접지층(326)의 타측은 제2 임피던스 매칭 신호층(336)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다. 또한, 제4 접지층(228)의 타측은 고저항 신호층(238)의 타측과 대응하는 위치까지 연장되어 형성될 수 있다.
한편, 각각의 접지층들(322, 324, 326, 328)은 도4b와 같이, 각 접지층들 사이에 형성된 금속 비아들(342, 344, 346)를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한, 본 발명에 따른 접지층들(322, 324, 326, 328)은 서로 제1 특정 거리(d11)을 두고 이격되어 형성될 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 각 접지층들(322, 324, 326, 328)은 각각과 대응되는 각 저항층들(332, 334, 336, 338)로부터 서로 다른 거리로 이격되어 형성되고, 그에 따라 각 저항층들(332, 334, 336, 38)은 서로 다른 저항 값을 가지게 된다.
이처럼, 본 발명에 따른 임피던스 매칭 장치(300)는 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
도5는 제4 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 평면도이고, 도6은 제4 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치(400)는 접지면(420) 및 신호 라인(430)을 포함한다.
여기서, 본 발명의 제4 실시예에 따른 접지면(420) 및 신호 라인(430)은 본 발명의 제1 실시예의 접지면(120) 및 신호 라인(130)과 동일한 구성으로 형성될 수 있다.
그러나, 본 발명의 제4 실시예에 따른 신호 라인(430)은 도5 및 도6과 같이, 저저항 신호층(432), 고저항 신호층(436) 및 저저항 신호층(432)과 고저항 신호층(436) 사이에 형성되어 저항값이 점차적으로 증가되도록 가이드(guide)하는 임피던스 매칭 신호층(434)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 임피던스 매칭 신호층(135)은 저저항 신호층(432) 및 고저항 신호층(436) 각각의 장측 길이보다는 더 길게 형성된다.
이처럼, 본 발명에 따른 신호 라인(430)은 3개의 신호층들(432, 434, 436)로 분할되어 형성되는데, 이때, 각각의 신호층들(432, 434, 436)은 서로 다른 저항 값을 가지도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 저저항 신호층(432)은 일 예로, 50 옴(ohm)을 가지도록 형성되며, 임피던스 매칭 신호층(434)은 저저항 신호층(432)의 타측으로부터 연장되며 일 예로, 75 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다. 그리고, 고저항 신호층(436)은 임피던스 매칭 신호층(434)의 타측으로부터 연장되어 형성되며, 일 예로, 100 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다.
상기와 같이, 신호 라인(430)이 3개의 신호층들(432, 434, 436)로 분할됨에 따라, 본 발명에 따른 접지면 또한, 3개의 접지층들(422, 424, 426)을 갖도록 형성될 수 있다.
그리고, 접지층들(422, 424, 426) 간에는 서로 중첩되도록 형성되지 않도록 형성됨과 동시에 도1에 개시된 제1 특정 거리(d11)보다는 더 먼 거리인 제2 특정 거리(d12)를 두고 이격되어 형성될 수 있다. 이때, 각 접지층들(422, 424, 426 128)은 각각과 대응되는 신호층들(432, 434, 436)과 동일한 길이를 가지도록 형성될 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 임피던스 매칭 장치(400)는 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
도7은 제5 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 평면도이고, 도8은 제5 실시예에 따른 임피던스 매칭 장치를 나타내는 단면도이다.
도7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제5 실시 예에 따른 임피던스 매칭 장치(500)는 접지면(520) 및 신호 라인(530)을 포함한다.
여기서, 본 발명의 제5 실시예에 따른 접지면(520) 및 신호 라인(530)은 본 발명의 제1 실시예의 접지면(120) 및 신호 라인(130)과 동일한 구성으로 형성될 수 있다.
그러나, 본 발명의 제5 실시예에 따른 신호 라인(530)은 도7 및 도8과 같이, 저저항 신호층(531), 고저항 신호층(536) 및 저저항 신호층(536)과 고저항 신호층(537) 사이에 형성되어 저항값이 점차적으로 증가되도록 가이드(guide)하는 임피던스 매칭 신호층(537)을 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 임피던스 매칭 신호층(537)은 제1 내지 제4 임피던스 매칭 신호층(532, 533, 534, 535)으로 나뉘어 형성되고, 그에 따라 본 발명에 따른 신호 라인(530)은 총 6개로 분할되어 형성되며, 분할된 6개의 신호층들(531, 532, 533, 534, 535, 536)은 서로 다른 저항 값을 가지도록 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 저저항 신호층(531)은 일 예로, 50 옴(ohm)을 가지도록 형성된다. 그리고, 제1 내지 제4 임피던스 매칭 신호층(532, 533, 534, 535)은 저저항 신호층(531)의 타측으로부터 연장되어 순차적으로 형성되며 각각은, 일 예로, 60 옴, 70옴, 80옴 및 90 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다. 그리고, 고저항 신호층(536)은 제4 임피던스 매칭 신호층(535)의 타측으로부터 연장되어 형성되며, 일 예로, 100 옴의 저항을 갖도록 형성될 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 저저항 신호층(531)과 고저항 신호층(536) 사이에 저항값이 점차적으로 증가되도록 가이드(guide)하는 임피던스 매칭 신호층(537)을 형성함으로써, 신호 전달력을 향상시킬 수 있다.
상기와 같이, 신호 라인(530)이 6개의 신호층들(531, 532, 533, 534, 535, 536)로 분할됨에 따라, 본 발명에 따른 접지면 또한, 6개의 접지층들(521, 522, 523, 524, 525, 526)을 갖도록 형성될 수 있다.
그리고, 접지층들(521, 522, 523, 524, 525, 526)은 각각과 대응되는 신호층들(531, 532, 533, 534, 535, 536)과 동일한 길이를 가지도록 형성될 수 있다.
또한, 접지층들(521, 522, 523, 524, 525, 526) 각각은 이웃하게 형성된 접지층과 특정거리로 이격되지 않고, 접촉되어 형성될 수 있다.
이처럼, 본 발명에 따른 임피던스 매칭 장치(500)는 서로 대응하는 위치에 형성되는 신호층과 접지층 간의 거리에 의해 특정 임피던스를 결정함으로써, 공정 수율에 문제가 발생하지 않는 선폭으로 구현 가능함으로써 고정 수율을 높일 수 있다.
또한, 미세 선폭으로 인한 공정 수율 감소를 일으키지 않으며 기판 표면에 추가적인 구조물을 구현하지 않아도 되므로 부품의 집적도를 향상시킬 수 있다.
100, 200, 300, 400, 500: 임피던스 매칭 장치
110, 210, 310, 410, 510: 다층 인쇄 회로 기판
120, 220, 320, 420, 520: 접지면
130, 230, 330, 430, 530: 신호 라인

Claims (14)

  1. 다층 인쇄 회로 기판;
    저저항 신호층, 고저항 신호층 및 상기 저저항 신호층과 상기 고저항 신호층사이에 형성되는 임피던스 매칭 신호층으로 구성된 복수의 신호층들을 포함하며, 상기 복수의 신호층들이 상기 다층 인쇄 회로 기판 상에 순차적으로 나열되어 형성되는 신호 라인; 및
    상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되,
    상기 복수의 접지층들은 상기 신호 라인의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과의 거리가 짧아지도록 배열되어 임피던스 값을 조절하는 임피던스 매칭 장치.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 접지층들은,
    상기 저저항 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 저저항 신호층과 제1 거리를 두고 평행하게 배열되는 제1 접지층;
    상기 임피던스 매칭 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 임피던스 매칭 신호층과 상기 제1 거리보다 먼 제2 거리를 두고 평행하게 배열되는 제2 접지층; 및
    상기 고저항 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 고저항 신호층과 상기 제2 거리보다 먼 제3 거리를 두고 평행하게 배열되는 제3 접지층을 포함하는 임피던스 매칭 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 접지층은, 상기 신호 라인의 일측과 가장 가까운 거리인 상기 제1 거리로 배열되어 상기 복수의 접지들 중 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과의 거리가 가장 멀게 형성된 임피던스 매칭 장치.

  5. 제3 항에 있어서,
    상기 제3 접지층은, 상기 신호 라인의 일측과 가장 먼 거리인 상기 제3 거리로 배열되어 상기 복수의 접지들 중 상기 다층 인쇄 회로 기판의 바닥면과의 가장 인접하게 형성된 임피던스 매칭 장치.
  6. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 접지층들은 각각과 대응되어 배열되는 상기 복수의 신호층들과 동일한 길이를 가지도록 형성되는 임피던스 매칭 장치.
  7. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 접지층 각각은 이웃한 접지층과 중첩되지 않고 특정거리를 두고 이격되는 임피던스 매칭 장치.
  8. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 접지층의 일측 및 상기 제3 접지층의 일측은 상기 제1 접지층과 대응하는 영역으로 연장되어 형성되는 임피던스 매칭 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 1 내지 제3 접지층들 사이에는 서로 전기적으로 신호를 전달할 수 있도록 금속 비아들이 형성되는 임피던스 매칭 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 신호층들은, 일정 피치를 가지며 일렬로 배열되는 임피던스 매칭 장치.
  11. 다층 인쇄 회로 기판;
    다층 인쇄 회로 기판 상에 순차적으로 배열되며, 저저항 신호층, 고저항 신호층 및 상기 저저항 신호층과 상기 고저항 신호층 사이에 형성되는 임피던스 매칭 신호층으로 구성된 복수의 신호층들을 포함하는 신호 라인; 및
    상기 다층 인쇄 회로 기판 내에 형성되며, 금속 비아에 의해 서로 전기적으로 도통되는 복수의 접지층들을 포함하는 접지면을 포함하되,
    상기 복수의 접지층들 각각은 상기 신호 라인의 일측과 대응하는 영역에서 타측과 대응하는 영역으로 이동할수록 상기 신호 라인으로부터 점차적으로 멀어지는 위치에 배열되어 임피던스 값을 조절하는 임피던스 매칭 장치.
  12. 삭제
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 복수의 접지층들은,
    상기 저저항 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 저저항 신호층과 제1 거리를 두고 평행하게 배열되는 제1 접지층;
    상기 저저항 신호층과 상기 임피던스 매칭 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 저저항 신호층 및 상기 임피던스 매칭 신호층과 상기 제1 거리보다 먼 제2 거리를 두고 평행하게 배열되는 제2 접지층; 및
    상기 임피던스 매칭 신호층 및 상기 고저항 신호층과 대응하는 위치에 배열됨과 동시에 상기 임피던스 매칭 신호층 및 상기 고저항 신호층과 상기 제2 거리보다 먼 제3 거리를 두고 평행하게 배열되는 제3 접지층을 포함하는 임피던스 매칭 장치.
  14. 삭제
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