KR101330483B1 - Ｒｆｉｄ 태그 장치 - Google Patents

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KR101330483B1
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Abstract

본 발명의 실시 예에 따른 RFID 태그 장치는 충전 캐패시터와 상기 충전 캐패시터를 충전시키는 충전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 방전시키는 방전 회로부와 상기 충전 회로부 및 상기 방전 회로부를 전기적으로 연결시키는 스위치부 및 상기 충전 캐패시터의 방전 여부에 따라 입력 전압을 측정하여 하이 또는 로우 신호를 출력하는 출력 회로부를 포함한다.

Description

ＲＦＩＤ 태그 장치{RFID TAG DEVICE}
RFID 태그 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플래그 기술이 구현된 RFID 태그 장치에 관한 것이다.
RFID(Radio Frequency IDentification)는 무선통신 방식의 한 종류로, 주로 소용량의 개체인식정보 등을 전파를 통해 송수신하기 위한 목적으로 개발되었고, RFID는 적용되는 어플리케이션의 성격에 따라 기술이 분화되었다. RFID는 이용하는 주파수의 대역에 따라 고주파(High Frequency) 대역, 초고주파(Ultraviolet) 대역으로 구분될 수 있고, 자체적으로 전원을 공급할 수 있는지 여부에 따라 수동형(Passive), 반능동형(semi-active), 능동형(active)으로 구분될 수 있다. 통신개체는 주로 리더와 태그로 구분할 수 있다. 리더는 태그의 정보를 읽기 위해 태그와 송수신할 수 있다. 태그는 RF 신호를 수신하면, 위상이나 진폭 등의 변조를 통해 태그에 저장된 정보를 리더로 전송할 수 있다.
RFID 기술을 규제하는 통일된 국제기구는 없으며, RFID 기술을 이용하는 국가마다 독자적인 규제를 시행하고, 독자적인 규격을 가지고 있다. RFID의 국제표준은 ISO/IEC, DASH 7, ERPglobal 등이 있으며, 통신에 사용되는 주파수와 활용목적에 따라 다양하게 분리되어 있다.
RFID에 관련된 기술 중 플래그(FLAG) 기술은 주로 리더와 태그 간의 통신거리가 일정 거리 이상 떨어져 있는 경우, 특히, 리더의 통신 가능거리 반경 안쪽에 다수의 태그가 있는 경우, 태그의 응답상태 정보를 일정 시간 동안 보유하고 있는 기능과 관련된 기술이다. 여기서, 태그의 응답상태 정보란, 리더의 동작반경 안에 있는 다수의 태그 중, 이미 리더에 응답하고 정보를 전달한 태그의 경우, 태그의 응답상태를 일정한 값으로 유지하여 리더가 보낸 응답신호에 선택적으로 반응하도록 표시하는 정보를 말한다.
플래그 기술은 하나의 리더가 다수의 태그를 읽기 위한 경우 또는, 다수의 리더가 다수의 태그를 읽기 위한 경우에 필수적인 기술이며, EPCglobal 표준 등에 이와 관련한 내용이 명시되어 있다.
플래그 기술과 관련한 종래기술로 한국공개특허(10-2009-0073546)는 RFID 태그 장치에 관한 것으로, 데이터 저장 및 증폭부를 통해 DRAM의 메모리 셀의 역할을 수행하고 있으나, 전원의 공급유무와는 관계없이 또는 전원이 공급된 후, 일정시간 뒤에는 데이터가 손실되므로, 데이터 저장을 수행하는 데이터 저장 요소가 불필요하다.
또한, 한국공개특허(10-2009-0073546)는 데이터 보전 시간을 증가시키기 위해 캐패시터의 용량을 증가시켜야 하는데 캐패시터의 용량이 증가되면, 반도체칩의 면적이 증가되어 많은 비용이 발생할 수 있다. 또한, 플래그 기술과 관련한 동작과 무관하게 전력이 소모되는 문제도 가지고 있다.
또 하나의 종래기술인 미국특허(US7,215,251)는 플래그 기술을 구현하기 위한 구성요소로 비교기를 사용하나, 비교기는 지속적인 전류소모를 일으키는 정전류원을 필요로 하여 비교기가 사용되는 동안 지속적으로 일정한 전류를 소모하게 되어, 전력의 낭비를 가져오게 되는 문제가 있다.
본 발명은 EPC global 표준의 플래그 동작 기준을 만족시키면서 전력 소모를 최소화시키는 RFID 태그 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 EPC global 표준의 플래그 동작 기준을 만족시키면서 회로의 복잡성을 낮추고, 보다 작은 면적을 가져 비용을 절감시킬 수 있는 RFID 태그 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 충전 캐패시터의 충전과 방전 시 스위치부를 모두 사용하여 불필요한 전류의 누설을 방지하는 RFID 태그 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 본 발명의 실시 예에 따른 RFID 태그 장치는 충전 캐패시터와 상기 충전 캐패시터를 충전시키는 충전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 방전시키는 방전 회로부와 상기 충전 회로부 및 상기 방전 회로부를 전기적으로 연결시키는 스위치부 및 상기 충전 캐패시터의 방전 여부에 따라 입력 전압을 측정하여 하이 또는 로우 신호를 출력하는 출력 회로부를 포함한다.
상기 출력 회로부는 상기 충전 캐패시터가 방전되는 경우, 상기 측정된 입력 전압이 임계 전압보다 작게 되면, 하이 신호를 출력한다.
상기 출력 회로부는 상기 충전 캐패시터가 충전되는 경우, 상기 측정된 입력 전압이 임계 전압보다 크게 되면, 로우 신호를 출력한다.
상기 임계 전압은 200mV이고, 상기 출력 회로부는 상기 임계 전압을 통해 상기 하이 신호의 지속시간을 유지시킨다.
상기 출력 회로부는 복수의 NMOS 트랜지스터 및 복수의 PMOS 트랜지스터로 구성된다.
상기 스위치부는 상기 충전 캐패시터가 충전될 경우, 상기 충전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시키고, 상기 충전 캐패시터가 방전될 경우, 상기 방전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시킨다.
상기 스위치부는 NMOS 트랜지스터로 구성된다.
상기 RFID 태그 장치는 입력 신호와 활성화 신호를 인가 받아 상기 충전 회로부, 상기 방전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어 회로부를 더 포함한다.
상기 활성화 신호가 하이 신호이고, 상기 입력 신호가 하이 신호인 경우, 상기 충전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 온 시킨다.
상기 활성화 신호가 하이 신호이고, 상기 입력 신호가 로우 신호인 경우, 상기 방전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 온 시킨다.
상기 제어 회로부는 버퍼, 제1,2 NOT 게이트 및 제1,2 NAND 게이트를 포함한다.
상기 충전 회로부는 PMOS 트랜지스터로 구성되고, 기 방전 회로부는 NMOS 트랜지스터로 구성된다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 제어 회로부, 충전 캐패시터, 충전 회로부, 방전 회로부, 스위치부 및 출력 회로부를 포함하는 RFID 태그 장치는 상기 충전 회로부는 PMOS 트랜지스터로 구성되고, 상기 방전 회로부는 NMOS 트랜지스터로 구성되고, 상기 스위치부는 NMOS 트랜지스터로 구성되며, 상기 충전 회로부의 드레인 단자는 상기 방전 회로부의 드레인 단자 및 상기 스위치부의 드레인 단자에 연결되고, 상기 충전 회로부의 소스 단자는 상기 스위치부의 게이트 단자 및 상기 제어 회로부의 제1 단자와 연결되고, 상기 충전 회로부의 게이트 단자는 상기 제어 회로부의 제2 단자와 연결되며, 상기 방전 회로부의 게이트 단자는 상기 제어 회로부의 제3 단자와 연결되며, 상기 스위치부의 소스 단자는 충전 캐패시터의 일단과 상기 출력 회로부의 입력 단자에 연결된다.
상기 제어 회로부는 활성화 신호가 하이 신호인 경우, 입력 신호에 관계없이 상기 스위치부를 온 시켜, 상기 충전 회로부 및 상기 충전 캐패시터 또는 상기 방전 회로부 및 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시킨다.
본 발명의 실시 예에 따르면, EPC global 표준의 플래그 동작 기준을 만족시키면서 전력 소모를 최소화시킬 수 있다.
본 발명은 EPC global 표준의 플래그 동작 기준을 만족시키면서 회로의 복잡성을 낮추고, 보다 작은 면적을 가져 비용을 절감시킬 수 있다.
본 발명은 충전 캐패시터의 충전과 방전 시 스위치부를 모두 사용하여 불필요한 전류의 누설을 방지할 수 있다.
한편 그 외의 다양한 효과는 후술될 본 발명의 실시 예에 따른 상세한 설명에서 직접적 또는 암시적으로 개시될 것이다.
도 1은 EPC global 표준에 명시된 RFID의 플래그 기술과 관련한 내용을 설명하기 위한 테이블이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 RFID 태그 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 RFID 태그 장치의 상세 구성도이다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도 1은 EPC global 표준에 명시된 RFID의 플래그 기술과 관련한 내용을 설명하기 위한 테이블이다.
도 1의 테이블은 EPC global generation 2 specification에서 발췌한 내용이며, 이에 대한 내용을 요약하여 설명한다.
도 1을 참조하면, RFID의 플래그 기술은 총 5개의 플래그 기능을 필요로 한다. 먼저, S0의 경우, 태그에 전원이 공급되면(Tag energized), 태그는 항상 기 설정된 값을 유지하고, 전원이 공급되지 않을 경우(Tag not energized)에는 아무런 기능을 수행하지 않는다. 태그가 기 설정된 값을 유지하는 것은 정보를 보유하고 있는 상태를 의미할 수 있고, 태그가 아무런 기능을 수행하지 않는다는 것은 정보를 보유하고 있지 않은 상태를 의미할 수 있다.
즉, 태그는 전원의 공급유무에 따라 일정 값을 유지하는 여부가 결정된다. 전원의 공급여부가 중요한 이유는 수동형(passive) 태그의 동작방식과 밀접하게 연관되어 있다. 이는, 수동형 태그는 회로를 구동시키는데 필요한 전력을 전적으로 전파에 의존하기 때문이다. 보다 구체적으로는, 태그는 내부에 배터리 없이, 리더에서 공급하는 전파의 에너지로부터 직류전력을 추출하여 동작하기 때문이다.
따라서, 리더로부터 전파가 수신되지 않거나, 태그와 리더 사이의 거리가 멀어서 태그가 직류전력을 생성할 수 없는 경우, 태그로의 전력공급은 중단된다.
다시 도 1을 참조하면, S1의 경우, 전원이 태그에 공급되는지 여부에 상관없이, 태그가 기 설정된 값을 가지면, 태그는 그때로부터 0.5초 초과, 최대 5초 미만의 시간 동안 기 설정된 값을 유지해야 한다.
S2 내지 SL의 경우, 전원이 공급되어 있는 동안에는 기 설정된 값을 계속 유지해야 하며, 전원이 공급되지 않는 동안에는 2초를 초과하면, 정보를 보유하고 있고, 2초 이하인 시간 동안에는 정보를 보유하고 있지 않게 된다.
이와 같이, 플래그 기술은 일정시간 동안 정보를 보유한 후, 지정된 시간이 지나면, 정보를 잃어버리는 것이 핵심이다.
다음으로 도 2 내지 도 3을 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 RFID 태그 장치에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 RFID 태그 장치의 블록도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 RFID 태그 장치의 상세 구성도이다.
먼저, 도 2를 참조하면, RFID 태그 장치는 충전 캐패시터(110), 충전 회로부(120), 방전 회로부(130), 스위치부(140), 제어 회로부(150), 출력 회로부(160)를 포함할 수 있다.
충전 회로부(120)는 전력을 공급받을 수 있고, 공급받은 전력을 통해 스위치부(140)에 전압을 인가하여 충전 캐패시터에 전하를 충전시킬 수 있다. 도 3에서 도시된 바와 같이, 충전 회로부(120)는 PMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다.
다시 도 2를 설명하면, 방전 회로부(130)는 스위치부(140)에 전압을 인가하여 충전 캐패시터의 전하를 방전시킬 수 있다. 도 3에서 도시된 바와 같이, 방전 회로부(130)는 NMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다.
스위치부(140)는 충전 캐패시터의 전하가 충전될 시 동작하여 충전 회로부(120)와 충전 캐패시터를 연결시킬 수 있다.
스위치부(140)는 충전 캐패시터의 전하가 방전될 시 동작하여 방전 회로부(130)와 충전 캐패시터를 연결시킬 수 있다.
즉, 스위치부(140)는 활성화 신호가 하이인 경우, 항상 온 동작되어, 충전과 방전 시 충전 회로부(120), 방전 회로부(130) 및 충전 캐패시터 사이를 전기적으로 연결시킬 수 있다. 도 3을 참고하면, 스위치부(140)는 NMOS 트랜지스터로 구성될 수 있다. 스위치부(140)의 게이트 단자는 충전 회로부(120)의 소스 단자와 방전 회로부(130)의 드레인 단자와 연결될 수 있다.
스위치부(140)의 소스 단자는 출력 회로부(160)의 입력 단자와 충전 캐패시터의 일단과 연결될 수 있다.
상기 스위치부(140)는 충전 캐패시터의 충전과 방전 시 모두 사용되어 불필요하게 전류가 누설되는 것을 방지할 수 있다.
다시 도 2를 설명하면, 제어 회로부(150)는 하이(high) 또는 로우(low)의 입력 신호(input signal) 및 활성화 신호(enable signal)를 수신하여, 충전 회로부(120), 방전 회로부(130) 및 스위치 회로부의 동작을 제어할 수 있다. 구체적으로, 제어 회로부(150)는 입력 신호 및 활성화 신호의 하이 또는 로우에 따라 충전 회로부(120), 방전 회로부(130) 및 스위치 회로부의 동작을 온 시키거나, 오프시킬 수 있다.
도 3을 참조하면, 제어 회로부(150)는 버퍼, 제1,2 NOT 게이트, 제1,2 NAND 게이트를 포함할 수 있다. 입력 단자는 제1 NOT 게이트 및 제1 NAND 게이트에 연결되고, 활성화 단자는 버퍼에 연결될 수 있다. 입력 단자에는 입력 신호가 인가되며, 활성화 단자에는 활성화 신호가 인가될 수 있다. 상기 입력 신호는 도 1의 EPC global 표준의 S2, S3, SL에 대응하는 신호일 수 있다.
만약, 활성화 신호가 로우인 경우, 제어 회로부(150)는 충전 회로부(120), 방전 회로부(130) 및 스위치부(140)의 동작을 모두 오프시킨다.
만약, 활성화 신호가 하이인 경우, 제어회로부는 입력 신호의 하이 또는 로우 여부에 따라 충전 회로부(120), 방전 회로부(130) 및 스위치 회로부의 동작을 온 시키거나, 오프시킬 수 있다.
가령, 활성화 신호가 하이이고, 입력 신호가 하이인 경우, 제어 회로부(150)는 충전 회로부(120) 및 스위치부(140)의 동작을 온 시키고, 방전 회로부(130)의 동작을 오프 시킬 수 있다. 이로 인해, 충전 회로부(120)는 충전 캐패시터에 전하를 축적시켜 충전 캐패시터를 충전시킬 수 있다.
가령, 활성화 신호가 하이이고, 입력 신호가 로우인 경우, 제어 회로부(150)는 방전 회로부(130) 및 스위치부(140)의 동작을 온 시키고, 충전 회로부(120)의 동작을 오프 시킬 수 있다. 이로 인해, 방전 회로부(130)는 충전 캐패시터를 그라운드로 연결시켜 충전 캐패시터에 축적된 전하를 방전시킬 수 있다.
출력 회로부(160)는 상기 충전 캐패시터의 방전 여부에 따라 입력 전압이 턴 오프 전압을 초과했는지를 판단하여 하이 또는 로우의 출력 신호를 출력할 수 있다.
출력 회로부(160)는 상기 입력 전압이 턴 오프 전압을 초과했는지를 판단하여, 입력 전압이 턴 오프 전압보다 작아지기 까지 걸리는 시간인 지연시간을 연장시킬 수 있다. 일 실시 예에서 출력 회로부(160)는 종래의 턴 오프 전압인 450mV보다 낮은 200mV로 설정하여, 지연시간을 연장시킬 수 있다. 지연 시간은 RFID 태그 장치(100)가 정보를 보유하고 있는 시간을 의미할 수 있다.
출력 회로부(160)는 충전 캐패시터가 방전되는 경우, 입력 전압이 점차 감소하여 턴 오프 전압보다 작게 되면, 하이 신호를 출력할 수 있다.
출력 회로부(160)는 출력 충전 캐패시터가 충전되는 경우, 입력 전압이 점차 증가하여 턴 오프 전압보다 크게 되면, 로우 신호를 출력할 수 있다.
턴 오프 전압은 출력 회로부(160)의 출력 신호를 하이 또는 로우로 구분하기 위해 기준이 되는 전압일 수 있다.
도 3을 참조하면, 출력 회로부(160)는 복수의 PMOS 트랜지스터 및 복수의 NMOS 트랜지스터를 포함할 수 있다. 특히, 출력 회로부(160)는 기존의 슈미트 트리거 회로에 NMOS 트랜지스터(M2)를 더 포함하여 턴 오프 전압을 감소시킬 수 있다. 입력 신호가 하이이고, 활성화 신호가 일정시간(짧은 시간) 동안 하이일 때, 도 1의 S2 플래그의 경우가 되어, 충전 회로부(120) 및 스위치부(140)의 동작이 온 되고, 충전 캐패시터에 하이 신호가 인가될 수 있다. 이 때, 출력 회로부(160)의 출력 신호는 로우가 된다. 활성화 신호는 일정시간(짧은 시간) 동안 하이가 유지된 후, 로우가 되었기 때문에, 스위치부(140)는 일정시간 후 오프된다. 충전 캐패시터는 스위치부(140)의 누설전류와 충전 캐패시터 고유의 누설전류로 인해 출력 회로부(160)의 입력 전압을 점차 감소시키게 된다. 입력 전압은 출력 회로부(160)의 입력 단자(INPUT)에서의 전압일 수 있다. 이 입력 전압이 출력 회로부(160)의 턴 오프 전압보다 낮게 되면, 출력 회로부(160)의 출력 신호는 하이가 된다. 따라서, 출력 회로부(160)는 출력 회로부(160)의 출력 신호가 로우에서 하이가 되기까지 걸린 시간을 통해 도 1의 S2 플래그를 구현할 수 있다.
도 1의 S3 플래그로 동작 시에 활성화 신호는 전원이 공급되고 있는 동안 하이가 된다. 만약, RFID 태그 장치(100)에 전원의 공급이 중단된 시점부터 스위치부(140)의 동작은 오프되며, 충전 캐패시터에 충전되어 있는 전하는 누설된다. 따라서, RFID 태그 장치(100)에 전원의 공급이 중단되어 있는 동안, 출력 회로부(160)의 입력 전압은 계속 떨어지게 된다. RFID 태그 장치(100)로의 전원 공급이 2초 이상 중단되었다가 다시 전원이 공급되었을 때, 출력 회로부(160)는 입력 전압이 턴 오프 전압보다 높을 경우, 출력 신호로 하이 신호를 출력할 수 있다. 이로 인해, RFID 태그 장치(100)는 전원 공급이 중단되기 전에 유지했던 기 설정된 값을 전원이 다시 공급된 후에 유지할 수 있다.
출력 회로부(160)는 입력 전압이 천이되는 구간에서만 전류를 소모하여 항시적인 전류 소모가 발생하지 않아 전력이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 RFID 태그 장치(100)는 EPC global 표준의 S2, S3 플래그를 모두 구현할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해 되어서는 안될 것이다.

Claims (14)

  1. 충전 캐패시터;
    상기 충전 캐패시터를 충전시키는 충전 회로부;
    상기 충전 캐패시터를 방전시키는 방전 회로부;
    상기 충전 회로부 및 상기 방전 회로부를 전기적으로 연결시키는 스위치부; 및
    상기 충전 캐패시터의 방전 여부에 따라 입력 전압을 측정하여 하이 또는 로우 신호를 출력하는 출력 회로부를 포함하고,
    상기 충전 회로부는 PMOS 트랜지스터로 구성되고,
    상기 방전 회로부는 NMOS 트랜지스터로 구성된 RFID 태그 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출력 회로부는,
    상기 충전 캐패시터가 방전되는 경우, 상기 측정된 입력 전압이 임계 전압보다 작게 되면, 하이 신호를 출력하는 RFID 태그 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 출력 회로부는,
    상기 충전 캐패시터가 충전되는 경우, 상기 측정된 입력 전압이 임계 전압보다 크게 되면, 로우 신호를 출력하는 RFID 태그 장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 임계 전압은 200mV이고,
    상기 출력 회로부는 상기 임계 전압을 통해 상기 하이 신호의 지속시간을 유지시키는 RFID 태그 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 출력 회로부는,
    복수의 NMOS 트랜지스터 및 복수의 PMOS 트랜지스터로 구성되는 RFID 태그 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 스위치부는,
    상기 충전 캐패시터가 충전될 경우, 상기 충전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시키고,
    상기 충전 캐패시터가 방전될 경우, 상기 방전 회로부와 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시키는 RFID 태그 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스위치부는,
    NMOS 트랜지스터로 구성되는 RFID 태그 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    입력 신호와 활성화 신호를 인가 받아 상기 충전 회로부, 상기 방전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 제어하는 제어 회로부를 더 포함하는 RFID 태그 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 활성화 신호가 하이 신호이고, 상기 입력 신호가 하이 신호인 경우,
    상기 충전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 온 시키는 RFID 태그 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 활성화 신호가 하이 신호이고, 상기 입력 신호가 로우 신호인 경우,
    상기 방전 회로부 및 상기 스위치부의 동작을 온 시키는 RFID 태그 장치.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제어 회로부는,
    버퍼, 제1,2 NOT 게이트 및 제1,2 NAND 게이트를 포함하는 RFID 태그 장치.
  12. 삭제
  13. 제어 회로부, 충전 캐패시터, 충전 회로부, 방전 회로부, 스위치부 및 출력 회로부를 포함하는 RFID 태그 장치에 있어서,
    상기 충전 회로부는 PMOS 트랜지스터로 구성되고, 상기 방전 회로부는 NMOS 트랜지스터로 구성되고, 상기 스위치부는 NMOS 트랜지스터로 구성되며,
    상기 충전 회로부의 드레인 단자는 상기 방전 회로부의 드레인 단자 및 상기 스위치부의 드레인 단자에 연결되고, 상기 충전 회로부의 소스 단자는 상기 스위치부의 게이트 단자 및 상기 제어 회로부의 제1 단자와 연결되고, 상기 충전 회로부의 게이트 단자는 상기 제어 회로부의 제2 단자와 연결되며,
    상기 방전 회로부의 게이트 단자는 상기 제어 회로부의 제3 단자와 연결되며,
    상기 스위치부의 소스 단자는 충전 캐패시터의 일단과 상기 출력 회로부의 입력 단자에 연결되는 RFID 태그 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제어 회로부는 활성화 신호가 하이 신호인 경우, 입력 신호에 관계없이 상기 스위치부를 온 시켜, 상기 충전 회로부 및 상기 충전 캐패시터 또는 상기 방전 회로부 및 상기 충전 캐패시터를 전기적으로 연결시키는 RFID 태그 장치.
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