KR101327027B1 - Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 광 변환 복합체는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함한다.Disclosed are a light conversion composite, a light emitting device and a display device including the same, and a method of manufacturing the same. The light conversion composite includes a plurality of light conversion particles; And beads surrounding the light conversion particles and including a hydrophobic polymer.

Description

광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법{LIGHT CONVERTING COMPLEX, LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}LIGHT CONVERTING COMPLEX, LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}

실시예는 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a light conversion composite, a light emitting device and a display device including the same, and a method of manufacturing the same.

최근 종래의 CRT를 대신하여 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), OLED(organic light emitting diode) 등의 평판표시장치가 많이 개발되고 있다.Recently, a flat panel display such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), or an organic light emitting diode (OLED) has been developed in place of the conventional CRT.

이 중 액정표시장치는 박막트랜지스터 기판, 컬러필터 기판 그리고 양 기판 사이에 액정이 주입되어 있는 액정표시패널을 포함한다. 액정표시패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 하면에는 빛을 공급하기 위한 백라이트 유닛이 위치한다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정의 배열상태에 따라 투과량이 조정된다.The liquid crystal display device includes a thin film transistor substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal display panel in which liquid crystal is injected between both substrates. Since the liquid crystal display panel is a non-light emitting device, a backlight unit for supplying light to the bottom surface of the thin film transistor substrate is positioned. Light transmitted from the backlight unit is adjusted according to the arrangement of liquid crystals.

백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. 에지형은 도광판의 측면에 광원이 설치되는 구조이다.The backlight unit is divided into edge type and direct type according to the position of the light source. The edge type is a structure in which a light source is provided on a side surface of the light guide plate.

직하형은 액정표시장치의 크기가 대형화되면서 중점적으로 개발된 구조로서, 액정표시패널의 하부면에 하나 이상의 광원을 배치시켜 액정표시패널에 전면적으로 빛을 공급하는 구조이다.The direct type is a structure that is mainly developed with the size of a liquid crystal display device being enlarged. One or more light sources are arranged on the lower surface of the liquid crystal display panel to supply light to the liquid crystal display panel.

이러한 직하형 백라이트 유닛은 에지형 백라이트 유닛에 비해 많은 수의 광원을 이용할 수 있어 높은 휘도를 확보할 수 있는 장점이 있는 반면, 휘도의 균일성을 확보하기 위하여 에지형에 비하여 두께가 두꺼워지는 단점이 있다.The direct-type backlight unit has advantages in that it can utilize a larger number of light sources than the edge-type backlight unit and can secure a high luminance, but has a disadvantage that the thickness becomes thicker than the edge type in order to ensure uniformity of brightness have.

이를 극복하기 위해, 백라이트 유닛을 구성하는 청색 광을 발진하는 블루 LED의 전방에 청색 광을 받으면 적색파장 또는 녹색파장으로 변환되는 다수의 양자점이 분산된 양자점바를 구비시켜, 상기 양자점바에 청색 광을 조사함으로써, 양자점바에 분산된 다수의 양자점들에 의해 청색광, 적색 광 및 녹색 광이 혼합된 광이 도광판으로 입사되어 백색광을 제공한다.In order to overcome this problem, a quantum dot bar in which a plurality of quantum dots dispersed in a red wavelength or a green wavelength is dispersed is provided in front of a blue LED emitting blue light constituting a backlight unit, Thus, light mixed with blue light, red light and green light by a plurality of quantum dots dispersed in the quantum dot bar is incident on the light guide plate to provide white light.

이때, 상기 양자점바를 이용하여 도광판에 백색광을 제공할 경우 고색재현을 구현할 수 있다.At this time, when white light is provided to the light guide plate using the quantum dot bar, high color reproduction can be realized.

상기 백라이트 유닛은 청색 광을 발진하는 블루 LED의 일측에 LED와 신호를 전달하고, 전원공급하기 위한 FPCB(Flexible Printed Circuits Board)가 구비되며, FPCB의 하면에는 접착부재가 더 구비될 수 있다.The backlight unit may include an FPCB (Flexible Printed Circuits Board) for transmitting and supplying LEDs and signals to one side of a blue LED emitting blue light, and an adhesive member may be further provided on the lower surface of the FPCB.

이와 같이, 블루 LED로부터 발진하는 광이 누출되면 양자점바를 통해 도광판에 제공되는 백색광을 사용하여 다양한 형태로 영상을 표시하는 표시장치가 널리 사용되고 있다.As such, when a light emitted from a blue LED is leaked, a display device for displaying an image in various forms using white light provided to the light guide plate through the quantum dot bar is widely used.

이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0068110 등에 개시되어 있다.A display device to which such a quantum dot is applied is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0068110.

실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지고, 용이하게 제조될 수 있는 광 변환 복합체, 발광 장치 및 표시장치이를 포함하는 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide an optical conversion composite, a light emitting device, and a display device including the same and a method of manufacturing the same, which can be easily manufactured with improved reliability and durability.

일 실시예에 따른 광 변환 복합체는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함한다.In one embodiment, a light conversion composite includes a plurality of light conversion particles; And beads surrounding the light conversion particles and including a hydrophobic polymer.

일 실시예에 따른 발광장치는 광을 발생시키는 발광부; 및 상기 발광부로부터의 광의 경로에 배치되는 복수의 광 변환 복합체들을 포함하고, 상기 광 변환 복합체는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함한다.A light emitting device according to an embodiment includes a light emitting unit for generating light; And a plurality of light conversion composites disposed in a path of light from the light emitting unit, wherein the light conversion composite comprises: a plurality of light conversion particles; And beads surrounding the light conversion particles and including a hydrophobic polymer.

일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터의 광이 입사되는 광 변환 부재; 및 상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고, 상기 광 변환 부재는 복수의 광 변환 입자들; 및 상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; A light conversion member on which light from the light source is incident; And a display panel to which light from the light conversion member is incident, wherein the light conversion member comprises: a plurality of light conversion particles; And beads surrounding the light conversion particles and including a hydrophobic polymer.

일 실시예에 따른 광 변환 복합체의 제조방법은 복수의 광 변환 입자들, 모노머, 유화제 및 제 1 용매를 포함하는 제 1 용액을 형성하고, 상기 제 1 용액에 중합 개시제를 첨가하는 것을 포함한다.The method of manufacturing a light conversion composite according to an embodiment includes forming a first solution including a plurality of light conversion particles, a monomer, an emulsifier, and a first solvent, and adding a polymerization initiator to the first solution.

실시예에 따른 광 변환 복합체는 상기 광 변환 입자들을 둘러싸는 비드를 포함한다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들은 상기 비드에 의해서 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광 변환 복합체 및 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.The light conversion composite according to the embodiment includes beads surrounding the light conversion particles. Accordingly, the light conversion particles can be protected by the beads. Therefore, the light conversion composite and the light emitting device and the display device including the same according to the embodiment may have improved reliability and durability.

또한, 상기 비드는 상기 광 변환 입자들의 직경보다 더 클 수 있다. 따라서, 상기 광 변환 입자들은 더 큰 직경을 가지는 상기 비드 내에 배치되므로, 상기 광 변환 입자들은 발광 장치 및 표시장치 등에 용이하게 적용될 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들이 수㎚의 사이즈를 가지더라도, 더 큰 직경을 가지는 상기 비드 형태로 실시예에 따른 발광 장치 및 표시장치에 용이하게 적용될 수 있다.In addition, the beads may be larger than the diameter of the light conversion particles. Therefore, since the light conversion particles are disposed in the bead having a larger diameter, the light conversion particles can be easily applied to a light emitting device and a display device. That is, even if the light conversion particles have a size of several nm, the light conversion particles may be easily applied to the light emitting device and the display device according to the embodiment in the form of the beads having a larger diameter.

따라서, 실시예에 따른 발광장치 및 표시장치는 실시예에 따른 광 변환 복합체를 적용하에 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the light emitting device and the display device according to the embodiment can be easily manufactured by applying the light conversion composite according to the embodiment.

또한, 실시예에 따른 광 변환 복합체는 에멀젼 중합에 의해서 용이하게 형성될 수 있다.In addition, the light conversion composite according to the embodiment can be easily formed by emulsion polymerization.

도 1은 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 광 변환 입자를 도시한 도면이다.
도 3은 실시예에 따른 광 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 블록도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 단면도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 광 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 블럭도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다.
도 7은 도 6에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 8은 발광다이오드 칩의 일 단면을 도시한 도면이다.
도 9는 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 10은 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 12는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 13은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 14는 도 13에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 15는 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 16은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 17은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 18은 도 17에서 D-D`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 19는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다.
1 is a cross-sectional view showing a light conversion composite according to an embodiment.
2 is a view showing light conversion particles according to the embodiment.
3 is a block diagram illustrating a process of manufacturing a light conversion composite according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light conversion composite according to another embodiment.
5 is a block diagram illustrating a process of manufacturing a light conversion composite according to another embodiment.
6 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment.
FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 6.
8 is a cross-sectional view of a light emitting diode chip.
9 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment.
10 is a perspective view showing a light conversion member according to the first embodiment.
FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 10.
12 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a second embodiment.
13 is a perspective view showing a light conversion member according to the second embodiment.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along CC ′ in FIG. 13.
FIG. 15 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a light conversion member according to a second embodiment.
16 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a third embodiment.
17 is a perspective view showing a light conversion member according to the third embodiment.
18 is a cross-sectional view taken along the line DD ′ in FIG. 17.
19 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the third embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 광 변환 입자를 도시한 도면이다. 도 3은 실시예에 따른 광 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 블록도이다.1 is a cross-sectional view showing a light conversion composite according to an embodiment. 2 is a view showing light conversion particles according to the embodiment. 3 is a block diagram illustrating a process of manufacturing a light conversion composite according to an embodiment.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 복수의 광 변환 입자들(31) 및 비드(32)를 포함한다.1 and 2, the light conversion composite 30 according to the embodiment includes a plurality of light conversion particles 31 and beads 32.

상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32) 내에 배치된다. 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32) 내에 삽입될 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32)에 의해서 둘러싸일 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32)에 의해서 밀봉될 수 있다.The light converting particles 31 are disposed in the beads 32. The light conversion particles 31 may be uniformly dispersed in the beads 32. The light converting particles 31 may be inserted into the beads 32. The light conversion particles 31 may be surrounded by the bead 32. The light conversion particles 31 may be sealed by the beads 32.

상기 광 변환 입자들(31)의 직경(R2)은 약 1㎚ 내지 약 15㎚일 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 입자들(31)의 직경(R2)은 약 1㎚ 내지 약 10㎚일 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)의 직경(R2)은 상기 비드(32)의 직경(R1)에 비하여 매우 작을 수 있다.The diameter R2 of the light conversion particles 31 may be about 1 nm to about 15 nm. In more detail, the diameter R2 of the light conversion particles 31 may be about 1 nm to about 10 nm. The diameter R2 of the light conversion particles 31 may be very small compared to the diameter R1 of the bead 32.

상기 광 변환 입자들(31)은 입사광의 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 입자들(31)은 입사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31) 중 일부는 상기 청색광을 약 500㎚ 내지 약 599㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(31) 중 다른 일부는 상기 청색광을 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The light conversion particles 31 convert the wavelength of incident light. For example, the light conversion particles 31 may convert incident blue light into green light and red light. That is, some of the light conversion particles 31 convert the blue light into green light having a wavelength band of about 500 nm to about 599 nm, and another part of the light conversion particles 31 converts the blue light to about 600 degrees. It can be converted into red light having a wavelength band between nm and about 700 nm.

이와는 다르게, 상기 광 변환 입자들(31)은 입사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31) 중 일부는 상기 자외선을 약 400㎚ 내지 약 499㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시키고, 상기 광 변환 입자들(31) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 500㎚ 내지 약 599㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 광 변환 입자들(31) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the light conversion particles 31 may convert the incident ultraviolet rays into blue light, green light, and red light. That is, some of the light conversion particles 31 convert the ultraviolet light into blue light having a wavelength band between about 400 nm and about 499 nm, and another part of the light conversion particles 31 converts the ultraviolet light to about 500 degrees. It can be converted into green light having a wavelength band between nm and about 599 nm. In addition, another part of the light conversion particles 31 may convert the ultraviolet light into red light having a wavelength band between about 600 nm and about 700 nm.

상기 광 변환 입자들(31)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 양자점은 코어 나노 결정(33) 및 상기 코어 나노 결정(33)을 둘러싸는 껍질 나노 결정(34)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정(34)에 결합되는 유기 리간드(35)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정(34)을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The light conversion particles 31 may be a plurality of quantum dots (QDs). As illustrated in FIG. 2, the quantum dot may include a core nanocrystal 33 and a shell nano crystal 34 surrounding the core nano crystal 33. In addition, the quantum dot may include an organic ligand 35 bound to the shell nanocrystals 34. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals 34.

상기 껍질 나노 결정(34)은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(34)은 상기 코어 나노 결정(33)의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정(34)을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals 34 may be formed in two or more layers. The shell nanocrystals 34 are formed on the surface of the core nanocrystals 33. The quantum dot may convert the wavelength of light incident to the core crystalline to the wavelength through the shell nanocrystals 34 forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정(33)은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정(34)은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. In more detail, the core nanocrystals 33 may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, or HgS. In addition, the shell nanocrystals 34 may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe, or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 예를 들어, 작은 직경을 가지는 양자점은 입사광을 상대적으로 짧은 파장대의 광으로 변환시키고, 큰 직경을 가지는 양자점은 입사광을 상대적으로 큰 파장대의 광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. For example, a quantum dot having a small diameter may convert incident light into light having a relatively short wavelength band, and a quantum dot having a large diameter may convert incident light into light having a relatively large wavelength band.

또한, 상기 양자점에는 리간드(35)가 결합될 수 있다. 더 자세하게, 상기 리간드(35)의 일 끝단이 상기 양자점에 결합될 수 있다. 또한, 상기 리간드(35)는 상기 양자점의 주위를 둘러싼다. 더 자세하게, 상기 리간드(35)의 일 끝단이 상기 양자점의 외부 표면에 결합되어, 상기 양자점의 주위를 둘러쌀 수 있다.In addition, the ligand 35 may be coupled to the quantum dot. In more detail, one end of the ligand 35 may be coupled to the quantum dot. The ligand 35 also surrounds the quantum dots. In more detail, one end of the ligand 35 may be coupled to an outer surface of the quantum dot to surround the quantum dot.

또한, 상기 리간드(35)는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 리간드(35)의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 리간드(35)의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.In addition, the ligand 35 serves to stabilize the unstable quantum dot after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the ligand 35 is in an unbound state, and one end of the unbound ligand 35 may bind with a dangling bond to stabilize the quantum dot.

상기 리간드(35)는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 또는 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 리간드(35)는 폴리에틸렌이민, 3-아미노 프로필트리메톡시 실란, 메르캅토아세틱산, 3-메르캅토프로필 트리메톡시 실란 또는 3-메르캅토프로피오닉산(3-mercaptopropionic acid) 등을 포함할 수 있다. 이외에도, 상기 리간드(35)로 다양한 친수성 유기 리간드(35)가 사용될 수 있다.The ligand 35 may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, or phosphine oxide. In addition, the ligand 35 may include polyethyleneimine, 3-amino propyltrimethoxy silane, mercaptoacetic acid, 3-mercaptopropyl trimethoxy silane or 3-mercaptopropionic acid, and the like. It may include. In addition, various hydrophilic organic ligands 35 may be used as the ligand 35.

이와는 다르게, 상기 리간드(35)로 소수성 유기 리간드가 사용될 수 있다.Alternatively, a hydrophobic organic ligand may be used as the ligand 35.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 광 변환 입자들(31)은 화합물 반도체를 포함하는 나노 입자일 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31)은 수㎚ 내지 수십㎚의 직경을 가지고, Ⅱ족-Ⅵ족계 화합물 반도체를 포함할 수 있다.The light conversion particles 31 may be nanoparticles including a compound semiconductor. That is, the light conversion particles 31 may have a diameter of several nm to several tens of nm, and may include a group II-VI compound semiconductor.

상기 광 변환 입자들(31)은 친수성 또는 소수성을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 리간드(35)가 친수성을 가지는 경우, 상기 광 변환 입자들(31)은 친수성을 가질 수 있다. 상기 리간드(35)가 소수성을 가지는 경우, 상기 광 변환 입자들(31)은 소수성을 가질 수 있다.The light conversion particles 31 may have hydrophilicity or hydrophobicity. In more detail, when the ligand 35 has hydrophilicity, the light conversion particles 31 may have hydrophilicity. When the ligand 35 has hydrophobicity, the light conversion particles 31 may have hydrophobicity.

상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)을 수용한다. 상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)을 둘러싼다. 또한, 상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)을 내부에 분산시킬 수 있다. 상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)을 수용하는 매질일 수 있다.The bead 32 receives the light conversion particles 31. The bead 32 surrounds the light conversion particles 31. In addition, the beads 32 may disperse the light conversion particles 31 therein. The bead 32 may be a medium for receiving the light conversion particles 31.

상기 비드(32)의 외부면은 곡면을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 비드(32)의 외부면은 전체적으로 곡면으로 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 비드(32)는 구 형상을 가질 수 있다.The outer surface of the bead 32 may include a curved surface. In more detail, the outer surface of the bead 32 may be formed as a curved surface as a whole. In more detail, the bead 32 may have a spherical shape.

상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)보다 더 크다. 예를 들어, 상기 비드(32)의 직경(R1)은 약 0.05㎛ 내지 약 1㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 비드(32)의 직경(R1)은 약 0.05㎛ 내지 약 0.5㎛일 수 있다. 더 자세하게, 상기 비드(32)의 직경(R1)은 약 0.05㎛ 내지 약 0.1㎛일 수 있다. 즉, 상기 비드(32)는 메조 크기의 입자일 수 있다. 즉, 상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)을 수용하는 매트릭스 입자일 수 있다.The beads 32 are larger than the light converting particles 31. For example, the diameter R1 of the bead 32 may be about 0.05 μm to about 1 μm. In more detail, the diameter R1 of the bead 32 may be about 0.05 μm to about 0.5 μm. In more detail, the diameter R1 of the bead 32 may be about 0.05 μm to about 0.1 μm. That is, the beads 32 may be meso sized particles. That is, the bead 32 may be a matrix particle accommodating the light conversion particles 31.

상기 비드(32)는 투명하다. 상기 비드(32)는 고분자를 포함한다. 더 자세하게, 상기 비드(32)는 고분자로 형성될 수 있다. 더 자사하게, 상기 비드(32)는 소수성 고분자를 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 소수성 고분자의 예로서는 고무계 고분자, 비닐계 고분자 또는 아크릴계 고분자 등을 들 수 있다.The beads 32 are transparent. The bead 32 includes a polymer. In more detail, the bead 32 may be formed of a polymer. More uniquely, the beads 32 may comprise hydrophobic polymers. More specifically, examples of the hydrophobic polymer include a rubber polymer, a vinyl polymer or an acrylic polymer.

상기 고무계 고분자의 예로서는 스티렌 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무 또는 폴리클로로프렌 등을 들 수 있다. 또한, 상기 비닐계 고분자의 예로서는 폴리아세트산 비닐, 폴리염화비닐 또는 폴리염화비닐리덴 등을 들 수 있다. 또한, 상기 아크릴계 고분자의 예로서는 폴리메틸메타크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the rubber polymer include styrene butadiene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, polychloroprene and the like. Moreover, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, etc. are mentioned as an example of the said vinyl polymer. Moreover, polymethyl methacrylate etc. are mentioned as an example of the said acryl-type polymer.

도 3은 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)를 제조하는 과정을 도시한 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a process of manufacturing the light conversion composite 30 according to the embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the light conversion composite 30 according to the embodiment may be formed by the following process.

먼저, 상기 광 변환 입자들(31)이 형성된다(S10). 상기 광 변환 입자들(31)은 화학적 습식 합성법에 의해서 형성될 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)은 Ⅱ족 원소의 전구체 및 Ⅵ족 원소의 전구체를 용액 내에서 반응시켜서, Ⅱ족-Ⅵ족계 화합물 반도체를 포함하는 양자점을 형성할 수 있다. 상기 광 변환 입자들(31)은 수열 합성법 등에 의해서 형성될 수 있다.First, the light conversion particles 31 are formed (S10). The light conversion particles 31 may be formed by a chemical wet synthesis method. The light conversion particles 31 may react the precursor of the Group II element and the precursor of the Group VI element in a solution to form a quantum dot including a Group II-VI compound semiconductor. The light conversion particles 31 may be formed by hydrothermal synthesis or the like.

예를 들어, 트리옥틸포스핀옥사이드(TOPO), 트리옥틸포스핀(TOP), 헥사데실아민(HDA)을 균일하게 혼합하고, 이와 같은 혼합물에 카드뮴아세틸아세토네이트 및 셀레늄 파우더를 첨가한다. 이에 따라서, TOP와 카드뮴이 착화합물을 형성하여, 카드뮴 전구체가 형성되고, TOP와 셀레늄이 결합하여, 셀레늄 전구체가 형성된다.For example, trioctylphosphine oxide (TOPO), trioctylphosphine (TOP), hexadecylamine (HDA) are mixed uniformly, and cadmium acetylacetonate and selenium powder are added to this mixture. Accordingly, TOP and cadmium form a complex compound, a cadmium precursor is formed, and TOP and selenium combine to form a selenium precursor.

이와 같은 카드뮴 전구체 및 셀레늄 전구체는 약 350℃에서 반응하여, CdSe 코어 나노 결정(33)이 형성되고, 이후, 디에틸징크 및 비스트리메틸실릴설파이드가 TOP에 분산되고, 약 200℃의 온도에서 ZnS 껍질 나노 결정(34)이 형성된다. 이후, 상기 양자점에 리간드(35)가 결합된다.This cadmium precursor and selenium precursor react at about 350 ° C. to form CdSe core nanocrystals 33, after which diethyl zinc and bistrimethylsilylsulfide are dispersed in TOP, and the ZnS shell at a temperature of about 200 ° C. Nanocrystals 34 are formed. Thereafter, the ligand 35 is bonded to the quantum dot.

상기 광 변환 입자들(31)의 합성은 이에 한정되지 않고, 건식 공정 등과 같은 다양한 공정 등에 의해서 형성될 수 있다.Synthesis of the light conversion particles 31 is not limited thereto, and may be formed by various processes such as a dry process.

상기 광 변환 입자들은 n-옥탄(n-octane) 등의 용매에 분산된다. 이후, 상기 광 변환 입자들을 포함하는 용액에 유화제가 첨가된다(S20). 상기 유화제는 상기 광 변환 입자들 및 이후의 모노머에 미셀을 형성할 정도로 첨가된다.The light conversion particles are dispersed in a solvent such as n-octane. Thereafter, an emulsifier is added to the solution including the light conversion particles (S20). The emulsifier is added to the degree of forming micelles in the light conversion particles and subsequent monomers.

상기 유화제의 예로서는 소듐 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate), 글리콜 이스테아레이트(Glycol Distearate), 소비탄 트리올레이트(Sorbitan Trioleate), 글리콜 스테아레이트(Glycol Stearate), 소비탄 올레이트(Sorbitan Oleate), 소비탄 스테아레이트(Sorbitan Stearate) 또는 칼슘 스테아로일 락틸레이트(Calcium Stearoyl Lactylate) 등을 들 수 있다. 바람직하게, 상기 유화제로 소듐 도데실 설페이트가 사용될 수 있다.Examples of the emulsifiers include sodium dodecyl sulfate, glycol distearate, sorbitan trioleate, glycol stearate, sorbitan oleate, Sorbitan stearate or calcium stearoyl lactylate; and the like. Preferably, sodium dodecyl sulfate may be used as the emulsifier.

이후, 상기 광 변환 입자들을 포함하는 용액에 모노머 또는 올리고머가 첨가될 수 있다(S30).Thereafter, a monomer or an oligomer may be added to the solution including the light conversion particles (S30).

상기 모노머의 예로서는 스티렌, 부타디엔, 아크릴로니트릴, 클로로프렌, 비닐알콜, 염화비닐, 염화비닐리덴 또는 아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the monomers include styrene, butadiene, acrylonitrile, chloroprene, vinyl alcohol, vinyl chloride, vinylidene chloride or acrylate.

상기 모노머 중 적어도 하나 이상이 상기 용액에 첨가될 수 있다.At least one or more of the monomers may be added to the solution.

이때, 상기 광 변환 입자들 및 상기 모노머 또는 올리고머의 비는 약 1:2 내지 약 1:10일 수 있다.In this case, the ratio of the light conversion particles and the monomer or oligomer may be about 1: 2 to about 1:10.

이와 같이, 상기 광 변환 입자들 및 상기 모노머 또는 올리고머가 포함된 용액에 물이 첨가되고, 에멀젼화된다. 즉, 상기 광 변환 입자들 및 상기 모노머 또는 올리고머를 포함하는 에멀젼이 형성된다. 상기 광 변환 입자들은 상기 에멀젼 내의 모노머 또는 올리고머 내에 균일하게 분산될 수 있다.As such, water is added to the solution containing the light conversion particles and the monomer or oligomer and emulsified. That is, an emulsion comprising the light conversion particles and the monomer or oligomer is formed. The light conversion particles may be uniformly dispersed in the monomer or oligomer in the emulsion.

이후, 상기 용액에 중합 개시제가 첨가되고(S40), 약 70℃ 내지 약 90℃로 온도가 상승되어, 중합 반응이 일어난다. 상기 중합 개시제의 예로서는 암모늄 퍼설페이트(Ammonium persulfate) 또는 포타슘 퍼옥소디설페이트(potassium peroxodisulfate) 등을 들 수 있다.Thereafter, a polymerization initiator is added to the solution (S40), the temperature is raised to about 70 ° C to about 90 ° C, and a polymerization reaction occurs. Examples of the polymerization initiator include ammonium persulfate or potassium peroxodisulfate.

이와 같은 중합 반응에 의해서, 상기 비드가 형성되고, 실시예에 따른 광 변환 복합체가 형성될 수 있다. 즉, 에멀젼 중합에 의해서, 실시예에 따른 광 변환 복합체가 용이하게 형성될 수 있다.By the polymerization reaction, the beads may be formed, and the light conversion composite according to the embodiment may be formed. That is, by the emulsion polymerization, the light conversion composite according to the embodiment can be easily formed.

앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 입자들(31)을 둘러싸는 상기 비드(32)를 포함한다. 이에 따라서, 상기 광 변환 입자들(31)은 상기 비드(32)에 의해서 보호될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.As described above, the bead 32 surrounding the light conversion particles 31 is included. Accordingly, the light conversion particles 31 may be protected by the beads 32. Thus, the light conversion composite 30 according to the embodiment may have improved reliability and durability.

또한, 상기 비드(32)는 상기 광 변환 입자들(31)의 직경보다 더 클 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31)은 더 큰 직경을 가지는 상기 비드(32) 내에 배치되므로, 상기 광 변환 입자들(31)은 발광 장치 및 표시장치 등에 용이하게 적용될 수 있다. 즉, 상기 광 변환 입자들(31)이 수㎚의 사이즈를 가지더라도, 더 큰 직경을 가지는 상기 비드(32) 형태로 발광장치 및 표시장치에 용이하게 적용될 수 있다.
In addition, the bead 32 may be larger than the diameter of the light conversion particles 31. That is, since the light conversion particles 31 are disposed in the bead 32 having a larger diameter, the light conversion particles 31 may be easily applied to a light emitting device, a display device, or the like. That is, even if the light conversion particles 31 have a size of several nm, the light conversion particles 31 may be easily applied to the light emitting device and the display device in the form of the beads 32 having a larger diameter.

도 4는 다른 실시예에 따른 광 변환 복합체를 도시한 도면이다. 도 5는 다른 실시예에 따른 광 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면이다. 본 실시예에서는 앞선 광 변환 복합체 및 이의 제조방법에 대한 설명을 참조한다. 즉, 앞선 광 변환 복합체 및 제조방법에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.4 is a view illustrating a light conversion composite according to another embodiment. 5 is a view illustrating a process of manufacturing a light conversion composite according to another embodiment. In this embodiment, reference is made to the description of the foregoing light conversion composite and a method of manufacturing the same. That is, the foregoing description of the light conversion composite and the manufacturing method may be essentially combined with the description of the present embodiment, except for the changed part.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 캡핑부(36)를 포함한다. 상기 캡핑부(36)는 비드(32)를 덮는다. 더 자세하게, 상기 캡핑부(36)는 상기 비드(32)의 외부 표면을 덮는다. 상기 캡핑부(36)는 상기 비드(32)의 외부 표면에 전체적으로 형성된다. 상기 캡핑부(36)는 상기 비드(32)의 외부를 둘러싼다. 상기 캡핑부(36)는 상기 비드(32)를 밀봉할 수 있다.Referring to FIG. 4, the light conversion composite 30 according to the present embodiment includes a capping portion 36. The capping portion 36 covers the beads 32. In more detail, the capping portion 36 covers the outer surface of the bead 32. The capping portion 36 is formed entirely on the outer surface of the bead 32. The capping portion 36 surrounds the outside of the bead 32. The capping part 36 may seal the bead 32.

즉, 상기 캡핑부(36)는 상기 비드(32)를 보호하는 보호막일 수 있다. 상기 캡핑부(36)의 두께는 약 1㎚ 내지 50㎚일 수 있다. 상기 캡핑부(36)는 투명하다. 상기 캡핑부(36)로 사용되는 물질은 유기 물질 또는 무기 물질일 수 있다.That is, the capping part 36 may be a protective film protecting the bead 32. The capping part 36 may have a thickness of about 1 nm to 50 nm. The capping portion 36 is transparent. The material used as the capping part 36 may be an organic material or an inorganic material.

더 자세하게, 상기 캡핑부(36)는 투명한 금속 산화물 또는 질화물을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 캡핑부(36)로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 등을 들 수 있다.In more detail, the capping portion 36 may include a transparent metal oxide or nitride. In more detail, examples of the material used as the capping part 36 include silicon oxide, aluminum oxide, titanium oxide, silicon nitride, and the like.

도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5, the light conversion composite 30 according to the present embodiment may be formed by the following process.

에멀젼 중합에 의해서 상기 비드(32)가 형성된 후, 상기 비드(32) 및 상기 비드(32) 내에 광 변환 입자들(31)이 분산된 용액에 상기 캡핑부(36)를 형성하기 위한 전구체가 혼합된다.After the beads 32 are formed by emulsion polymerization, precursors for forming the capping portion 36 are mixed in the beads 32 and the solution in which the light conversion particles 31 are dispersed in the beads 32. do.

상기 캡핑부(36)를 형성하기 위한 물질의 예로서는 테트라에틸오쏘실리케이트(Tetraethyl orthosilicate;TEOS) 및 암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.Examples of the material for forming the capping portion 36 include tetraethyl orthosilicate (TEOS) and ammonium hydroxide.

이에 따라서, 상기 비드(32) 주위에 상기 캡핑부(36)가 형성될 수 있다. 상기 캡핑부(36)의 두께는 전구체의 농도, 반응 시간 및 반응 온도에 의해서 달라질 수 있다.Accordingly, the capping part 36 may be formed around the bead 32. The thickness of the capping portion 36 may vary depending on the concentration of the precursor, the reaction time, and the reaction temperature.

본 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 상기 캡핑부(36)를 사용하여 상기 광 변환 입자들(31)을 더 효율적으로 보호할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 광 변환 복합체(30)는 더 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
The light conversion composite 30 according to the present exemplary embodiment may more effectively protect the light conversion particles 31 by using the capping part 36. Therefore, the light conversion composite 30 according to the present embodiment may have improved reliability and durability.

도 6은 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 도시한 사시도이다. 도 7은 도 6에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 8은 발광다이오드 칩의 일 단면을 도시한 도면이다. 본 발광 소자 패키지에 대한 설명에 있어서, 앞선 광 변환 복합체에 대한 설명을 참조한다. 즉, 변경된 부분을 제외하고, 앞선 광 변환 복합체에 대한 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.6 is a perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along line AA ′ in FIG. 6. 8 is a cross-sectional view of a light emitting diode chip. In the description of the present light emitting device package, reference is made to the description of the foregoing light conversion composite. That is, except for the changed part, the description of the foregoing light conversion composite may be essentially combined with the description of the present embodiment.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 몸체부(410), 다수 개의 리드 전극들(421, 422), 발광부(430), 충진부(440) 및 복수의 광 변환 복합체들(30)을 포함한다.6 to 8, a light emitting diode package according to an embodiment includes a body portion 410, a plurality of lead electrodes 421 and 422, a light emitting portion 430, a filling portion 440, and a plurality of light conversions. Composites 30.

상기 몸체부(410)는 상기 발광부(430), 상기 충진부(440) 및 상기 광 변환 복합체들(30)을 수용하고, 상기 리드 전극들(421, 422)을 지지한다.The body part 410 accommodates the light emitting part 430, the filling part 440, and the light conversion composites 30, and supports the lead electrodes 421 and 422.

상기 몸체부(410)의 재질은 예컨대, PPA와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 액정 고분자(LCP), SPS(Syndiotactic), PPS(Poly(phenylene ether)), 실리콘 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 상기 몸체부(410)의 재질에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몸체부(410)는 사출 성형에 의해 일체로 형성하거나, 다수 개의 층이 적층된 구조로 형성될 수 있다. The body 410 may be formed of any one of a resin material such as PPA, a ceramic material, a liquid crystal polymer (LCP), a syndiotactic (SPS), a polyphenylene ether (PPS), and a silicon material. However, the material of the body 410 is not limited thereto. The body portion 410 may be integrally formed by injection molding, or may have a structure in which a plurality of layers are stacked.

상기 몸체부(410)는 상부가 개방된 캐비티(C)를 포함한다. 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)에 대해 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)의 성형시 캐비티(C) 형태를 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다.The body portion 410 includes a cavity (C) is open at the top. The cavity C may be formed with respect to the body portion 410 by patterning, punching, cutting or etching. In addition, the cavity C may be formed by a metal mold modeled after the shape of the cavity C when the body portion 410 is molded.

상기 캐비티(C)의 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 표면은 원형 형상, 다각형 형상, 또는 랜덤한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The shape of the cavity C may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the surface thereof may be formed in a circular shape, a polygonal shape, or a random shape, but is not limited thereto.

상기 캐비티(C)의 내측면은 따른 발광다이오드 패키지의 배광 각도를 고려하여 상기 캐비티(C)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있다.The inner surface of the cavity C may be formed as a surface perpendicular or inclined with respect to the bottom surface of the cavity C in consideration of the light distribution angle of the light emitting diode package.

상기 몸체부(410)는 베이스부(411) 및 수용부(412)를 포함한다.The body portion 410 includes a base portion 411 and the receiving portion 412.

상기 베이스부(411)는 상기 수용부(412)를 지지한다. 또한, 상기 베이스부(411)는 상기 리드 전극들(421, 422)을 지지한다. 상기 베이스부(411)는 예를 들어, 직육면체 형상을 가질 수 있다.The base part 411 supports the receiving part 412. In addition, the base part 411 supports the lead electrodes 421 and 422. The base portion 411 may have, for example, a rectangular parallelepiped shape.

상기 수용부(412)는 상기 베이스부(411) 상에 배치된다. 상기 수용부(412)에 의해서, 상기 캐비티(C)가 정의된다. 즉, 상기 캐비티(C)는 상기 수용부(412)에 형성된 홈이다. 상기 수용부(412)는 상기 캐비티(C)의 주위를 둘러싼다. 상기 수용부(412)는 탑측에서 보았을 때, 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 수용부(412)는 상기 캐비티(C)를 둘러싸는 벽 형상을 가질 수 있다.The receiving portion 412 is disposed on the base portion 411. By the receiving portion 412, the cavity C is defined. That is, the cavity C is a groove formed in the accommodation portion 412. The receiving portion 412 surrounds the cavity C. The receiving portion 412 may have a closed loop shape when viewed from the top side. For example, the receiving part 412 may have a wall shape surrounding the cavity C.

상기 수용부(412)는 상면, 외측면 및 내측면(122)을 포함한다. 상기 내측면은 상기 상면에 대하여 경사지는 경사면이다.The receiving portion 412 includes an upper surface, an outer surface and an inner surface 122. The inner side surface is an inclined surface inclined with respect to the upper surface.

상기 리드 전극들(421, 422)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The lead electrodes 421 and 422 may be implemented as a lead frame, but is not limited thereto.

상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 몸체부(410) 내에 배치되며, 상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 전기적으로 이격되게 배치될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)의 외측부는 상기 몸체부(410)의 외측에 노출될 수 있다.The lead electrodes 421 and 422 may be disposed in the body 410, and the lead electrodes 421 and 422 may be disposed to be electrically spaced apart from the bottom surface of the cavity C. Outer portions of the lead electrodes 421 and 422 may be exposed to the outside of the body portion 410.

상기 리드 전극들(421, 422)의 끝단은 상기 캐비티(C)의 일 측면 또는 캐비티(C) 반대측에 배치될 수 있다.Ends of the lead electrodes 421 and 422 may be disposed on one side of the cavity C or the opposite side of the cavity C.

상기 리드 전극들(421, 422)은 리드 프레임으로 이루어질 수 있으며, 상기 리드 프레임은 상기 몸체부(410)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)은 예를 들어, 제 1 리드 전극(421) 및 제 2 리드 전극(422)일 수 있다.The lead electrodes 421 and 422 may be formed as lead frames, and the lead frames may be formed during injection molding of the body portion 410. The lead electrodes 421 and 422 may be, for example, a first lead electrode 421 and a second lead electrode 422.

상기 제 1 리드 전극(421) 및 상기 제 2 리드 전극(422)은 서로 이격된다. 상기 제 1 리드 전극(421) 및 상기 제 2 리드 전극(422)은 상기 발광부(430)에 전기적으로 연결된다.The first lead electrode 421 and the second lead electrode 422 are spaced apart from each other. The first lead electrode 421 and the second lead electrode 422 are electrically connected to the light emitting part 430.

상기 발광부(430)는 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함한다. 예를 들어, 상기 발광부(430)는 청색 발광다이오드 칩 또는 UV 발광다이오드 칩 등을 포함할 수 있다.The light emitting unit 430 includes at least one light emitting diode chip. For example, the light emitting unit 430 may include a blue light emitting diode chip or a UV light emitting diode chip.

상기 발광부(430)는 수평형 발광다이오드 또는 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 발광부(430)는 도전기판(431), 광 반사층(432), 제 1 도전형 반도체층(433), 제 2 도전형 반도체층(434), 활성층(435) 및 제 2 전극(436)을 포함할 수 있다.The light emitting unit 430 may be a horizontal light emitting diode or a vertical light emitting diode chip. As shown in FIG. 8, the light emitting unit 430 includes a conductive substrate 431, a light reflecting layer 432, a first conductive semiconductor layer 433, a second conductive semiconductor layer 434, and an active layer 435. ) And a second electrode 436.

상기 도전기판(431)은 도전체로 이루어진다. 상기 도전기판(431)은 상기 광 반사층(432), 상기 제 1 도전형 반도체층(433), 상기 제 2 도전형 반도체층(434), 상기 활성층(435) 및 상기 제 2 전극(436)을 지지한다.The conductive substrate 431 is made of a conductor. The conductive substrate 431 may include the light reflecting layer 432, the first conductive semiconductor layer 433, the second conductive semiconductor layer 434, the active layer 435, and the second electrode 436. I support it.

상기 도전기판(431)은 상기 광 반사층(432)을 통하여, 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 접속된다. 즉, 상기 도전기판(431)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 전기적인 신호를 인가하기 위한 제 1 전극이다.The conductive substrate 431 is connected to the first conductive semiconductor layer 433 through the light reflecting layer 432. That is, the conductive substrate 431 is a first electrode for applying an electrical signal to the first conductive semiconductor layer 433.

상기 광 반사층(432)은 상기 도전기판(431) 상에 배치된다. 상기 광 반사층(432)은 상기 활성층(435)으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다. 또한, 상기 광 반사층(432)은 도전층이다. 따라서, 상기 광 반사층(432)은 상기 도전기판(431)을 상기 제 1 도전형 반도체층(433)에 연결시킨다. 상기 광 반사층(432)으로 사용되는 물질의 예로서는 은 또는 알루미늄과 같은 금속 등을 들 수 있다.The light reflecting layer 432 is disposed on the conductive substrate 431. The light reflection layer 432 reflects light emitted from the active layer 435 upwards. In addition, the light reflection layer 432 is a conductive layer. Accordingly, the light reflecting layer 432 connects the conductive substrate 431 to the first conductive semiconductor layer 433. Examples of the material used as the light reflection layer 432 include a metal such as silver or aluminum.

상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 상기 광 반사층(432) 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층(433)은 n형 GaN층 일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer 433 is disposed on the light reflecting layer 432. The first conductivity type semiconductor layer 433 has a first conductivity type. The first conductive semiconductor layer 433 may be an n-type semiconductor layer. For example, the first conductivity type semiconductor layer 433 may be an n-type GaN layer.

상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433) 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433)과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(434)은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer 434 is disposed on the first conductivity type semiconductor layer 433. The second conductive semiconductor layer 434 may face the first conductive semiconductor layer 433, and may be a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer 434 may be, for example, a p-type GaN layer.

상기 활성층(435)은 상기 제 1 도전형 반도체층(433) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(434) 사이에 개재된다. 상기 활성층(435)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층(435)은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층(435)의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.The active layer 435 is interposed between the first conductive semiconductor layer 433 and the second conductive semiconductor layer 434. The active layer 435 has a single quantum well structure or a multiple quantum well structure. The active layer 435 may be formed with a period of an InGaN well layer and an AlGaN barrier layer, or a period of an InGaN well layer and a GaN barrier layer, and the light emitting material of the active layer 435 may have an emission wavelength such as a blue wavelength, a red wavelength, or a green color. It may vary depending on the wavelength.

상기 제 2 전극(436)은 상기 제 2 도전형 반도체층(434) 상에 배치된다. 상기 제 2 전극(436)은 상기 제 2 도전형 반도체층(434)에 접속된다.The second electrode 436 is disposed on the second conductivity type semiconductor layer 434. The second electrode 436 is connected to the second conductivity type semiconductor layer 434.

이와는 다르게, 상기 발광부(430)는 수평형 LED일 수 있다. 이때, 수평형 LED를 상기 제 1 리드 전극(421)에 접속시키기 위해서, 추가적인 배선이 필요할 수 있다.Alternatively, the light emitting unit 430 may be a horizontal LED. In this case, in order to connect the horizontal LED to the first lead electrode 421, additional wiring may be necessary.

상기 발광부(430)는 상기 제 1 리드 전극(421)에 범프 등에 의해서 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(422)에는 와이어에 의해서 연결될 수 있다. 특히, 상기 발광부(430)는 상기 제 1 리드 전극(421) 상에 직접 배치될 수 있다.The light emitting unit 430 may be connected to the first lead electrode 421 by a bump or the like, and may be connected to the second lead electrode 422 by a wire. In particular, the light emitting unit 430 may be directly disposed on the first lead electrode 421.

또한, 이와 같은 접속 방식에 한정되지 않고, 상기 발광부(430)는 와이어 본딩, 다이 본딩, 또는 플립 본딩 방식 등에 의해서, 상기 리드 전극들(421, 422)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the light emitting unit 430 may be connected to the lead electrodes 421 and 422 by way of wire bonding, die bonding, or flip bonding, without being limited thereto. .

상기 충진부(440)는 상기 캐비티(C)에 형성된다. 상기 충진부(440)는 투명하다. 상기 충진부(440)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 재질이거나, 굴절률이 2이하인 물질을 포함할 수 있다. 상기 충진부(440)는 상기 발광부(430)를 덮는다. 상기 충진부(440)는 상기 발광부(430)에 직접 접촉될 수 있다.The filling part 440 is formed in the cavity C. The filling part 440 is transparent. The filling part 440 may be made of a material such as silicon or epoxy, or may include a material having a refractive index of 2 or less. The filling part 440 covers the light emitting part 430. The filling part 440 may directly contact the light emitting part 430.

또한, 상기 캐비티(C)의 내측면에 반사층이 형성될 수 있다. 상기 반사층은 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag) 또는 알루미늄(Al) 등을 포함할 수 있다.In addition, a reflective layer may be formed on an inner surface of the cavity C. The reflective layer may include a highly reflective material, for example, white PSR (Photo Solder Resist) ink, silver (Ag), aluminum (Al), or the like.

상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 발광부(430)로부터 출사되는 광의 경로 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다. 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 발광부(430)에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 충진부(440) 내에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 충진부(440) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 이에 따라서, 상기 발광부(430)로부터 출사되는 광의 일부 또는 전부는 상기 광 변환 복합체들(30)에 입사될 수 있다.The light conversion composites 30 are disposed on a path of light emitted from the light emitting part 430. For example, the light conversion composites 30 may be disposed in the cavity C. The light conversion composites 30 may be disposed adjacent to the light emitting unit 430. The light conversion composites 30 may be disposed in the filling unit 440. In more detail, the light conversion composites 30 may be uniformly dispersed in the filling unit 440. Accordingly, some or all of the light emitted from the light emitter 430 may be incident on the light conversion composites 30.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 복합체들(30)은 복수의 제 1 광 변환 복합체들(30a) 및 복수의 제 2 광 변환 복합체들(30b)일 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the light conversion composites 30 may be a plurality of first light conversion composites 30a and a plurality of second light conversion composites 30b.

상기 제 1 광 변환 복합체들(30a)은 복수의 제 1 광 변환 입자들(31a) 및 제 1 비드(32)를 포함한다.The first light conversion composites 30a include a plurality of first light conversion particles 31a and a first bead 32.

상기 제 1 광 변환 입자들(31a)은 상기 발광부(430)로부터의 광을 제 1 파장 대의 광으로 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 광 변환 입자들(31a)은 상기 발광부(430)로부터 출사되는 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 광 변환 입자들(31a)은 상기 발광부(430)로부터의 청색광을 약 500㎚ 내지 약 599㎚의 파장 대의 광으로 변환시킬 수 있다.The first light conversion particles 31a convert light from the light emitting unit 430 into light of a first wavelength band. For example, the first light conversion particles 31a may convert blue light emitted from the light emitter 430 into green light. In more detail, the first light conversion particles 31a may convert the blue light from the light emitter 430 into light in a wavelength band of about 500 nm to about 599 nm.

상기 제 1 비드(32)는 상기 제 1 광 변환 입자들(31a)을 수용한다. 상기 제 1 비드(32)는 상기 제 1 광 변환 입자들(31a)을 둘러싼다. 상기 제 1 비드(32)는 상기 제 1 광 변환 입자들(31a)을 분산시킨다.The first bead 32 receives the first light conversion particles 31a. The first bead 32 surrounds the first light conversion particles 31a. The first bead 32 disperses the first light conversion particles 31a.

상기 제 2 광 변환 복합체들(30b)은 복수의 제 2 광 변환 입자들(31b) 및 제 2 비드(32)를 포함한다.The second light conversion composites 30b include a plurality of second light conversion particles 31b and a second bead 32.

상기 제 2 광 변환 입자들(31b)은 상기 발광부(430)로부터의 광을 제 2 파장 대의 광으로 변환시킨다. 예를 들어, 상기 제 2 광 변환 입자들(31b)은 상기 발광부(430)로부터 출사되는 청색광을 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 광 변환 입자들(31b)은 상기 발광부(430)로부터의 청색광을 약 600㎚ 내지 약 700㎚의 파장 대의 광으로 변환시킬 수 있다.The second light conversion particles 31b convert light from the light emitter 430 into light of a second wavelength band. For example, the second light conversion particles 31b may convert blue light emitted from the light emitter 430 into green light. In more detail, the second light conversion particles 31b may convert blue light from the light emitter 430 into light in a wavelength band of about 600 nm to about 700 nm.

상기 제 2 비드(32)는 상기 제 2 광 변환 입자들(31b)을 수용한다. 상기 제 2 비드(32)는 상기 제 2 광 변환 입자들(31b)을 둘러싼다. 상기 제 2 비드(32)는 상기 제 2 광 변환 입자들(31b)을 분산시킨다.The second bead 32 receives the second light conversion particles 31b. The second bead 32 surrounds the second light conversion particles 31b. The second bead 32 disperses the second light conversion particles 31b.

또한, 상기 발광부(430)가 자외선을 출사하는 경우, 상기 광 변환 복합체(30)는 복수의 제 3 광 변환 복합체들을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 제 3 광 변환 복합체들은 입사되는 자외선을 청색광으로 변환시키는 제 3 광 변환 입자들을 포함할 수 있다.In addition, when the light emitter 430 emits ultraviolet rays, the light conversion composite 30 may further include a plurality of third light conversion composites. In this case, the third light conversion composites may include third light conversion particles for converting incident ultraviolet rays into blue light.

상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 발광부(430)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 광 변환 복합체들(30) 입사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다.The light conversion composites 30 receive the light emitted from the light emitter 430 and convert the wavelength. As described above, the blue light incident to the light conversion composites 30 may be converted into green light and red light.

또한, 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 발광부(430)로부터 출사되는 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다.In addition, the light conversion composites 30 may convert ultraviolet light emitted from the light emitting unit 430 into blue light, green light, and red light.

이에 따라서, 상기 광 변환 복합체들(30)에 의해서 변환된 광 및 변환되지 않는 광에 의해서, 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 백색광이 출사될 수 있다.Accordingly, white light may be formed by the light converted by the light conversion composites 30 and the unconverted light. That is, blue light, green light, and red light may be combined to emit white light.

앞서 설명한 바와 같이, 실시에에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 광 변환 복합체들(30)을 사용하여, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.As described above, the LED package according to the embodiment may have improved reliability and durability by using the light conversion composites 30.

또한, 상기 광 변환 복합체들(30)은 메조 크기의 직경을 가지기 때문에, 상기 충진재 등에 용이하게 적용될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 광 변환 복합체들(30)을 용이하게 적용하여, 효율적으로 제조될 수 있다.
In addition, since the light conversion composites 30 have a diameter of a meso size, the light conversion composites 30 may be easily applied to the filler. Accordingly, the LED package according to the embodiment can be easily manufactured by easily applying the light conversion composites 30.

도 9는 제 1 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 10은 제 1 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 11은 도 10에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 본 액정표시장치에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들의 광 변환 복합체에 대한 설명을 참조한다. 즉, 변경된 부분을 제외하고, 앞선 광 변환 복합체에 대한 설명들은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.9 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to a first embodiment. 10 is a perspective view showing a light conversion member according to the first embodiment. FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. 10. In the description of the present liquid crystal display, reference is made to the description of the light conversion composite of the foregoing embodiments. That is, except for the changed part, the descriptions of the foregoing light conversion composite may be essentially combined with the description of the present embodiment.

도 9 내지 도 11을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(10) 및 액정패널(20)을 포함한다.9 to 11, the liquid crystal display according to the embodiment includes a backlight unit 10 and a liquid crystal panel 20.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(10)은 면 광원으로 상기 액정패널(20)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The backlight unit 10 emits light to the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 may irradiate uniform light onto the bottom surface of the liquid crystal panel 20 using a surface light source.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 액정패널(20) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(10)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 광원, 예를 들어, 다수 개의 발광다이오드들(400), 인쇄회로기판(401) 및 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The backlight unit 10 is disposed under the liquid crystal panel 20. The backlight unit 10 includes a bottom cover 100, a light guide plate 200, a reflective sheet 300, a light source, for example, a plurality of light emitting diodes 400, a printed circuit board 401, and a plurality of optical sheets. Field 500.

상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The bottom cover 100 has a top opened shape. The bottom cover 100 accommodates the light guide plate 200, the light emitting diodes 400, the printed circuit board 401, the reflective sheet 300, and the optical sheets 500.

상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The light guide plate 200 is disposed in the bottom cover 100. The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 300. The light guide plate 200 emits light incident from the light emitting diodes 400 upward through total reflection, refraction, and scattering.

상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 300 is disposed below the light guide plate 200. In more detail, the reflective sheet 300 is disposed between the light guide plate 200 and the bottom surface of the bottom cover 100. The reflective sheet 300 reflects the light emitted from the lower surface of the light guide plate 200 upward.

상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시키는 광원이다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting diodes 400 are light sources for generating light. The light emitting diodes 400 are disposed on one side of the light guide plate 200. The light emitting diodes 400 generate light and enter the light guide plate 200 through a side surface of the light guide plate 200.

상기 발광다이오드들(400)은 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드 또는 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(400)은 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광 또는 약 300㎚ 내지 약 400㎚ 사이의 파장대를 가지는 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 400 may be blue light emitting diodes generating blue light or UV light emitting diodes generating ultraviolet light. That is, the light emitting diodes 400 may generate blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm or ultraviolet rays having a wavelength band between about 300 nm and about 400 nm.

상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 400 are mounted on the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are disposed under the printed circuit board 401. The light emitting diodes 400 are driven by receiving a driving signal through the printed circuit board 401.

상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed circuit board 401 is electrically connected to the light emitting diodes 400. The printed circuit board 401 may mount the light emitting diodes 400. The printed circuit board (401) is disposed inside the bottom cover (100).

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(20)에 공급한다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 change or enhance the characteristics of light emitted from the upper surface of the light guide plate 200 and supply the light to the liquid crystal panel 20. [

상기 광학 시트들(500)은 광 변환 부재(501), 확산 시트(502), 제 1 프리즘 시트(503) 및 제 2 프리즘 시트(504)일 수 있다.The optical sheets 500 may be a light conversion member 501, a diffusion sheet 502, a first prism sheet 503, and a second prism sheet 504. [

상기 광 변환 부재(501)는 상기 광원(300) 및 상기 액정 패널(20) 사이의 광 경로 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 확산 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 광 변환 부재(501)는 입사되는 광의 파장을 변환하여 상방으로 출사할 수 있다.The light conversion member 501 may be disposed on an optical path between the light source 300 and the liquid crystal panel 20. For example, the light conversion member 501 may be disposed on the light guide plate 200. In more detail, the light conversion member 501 may be interposed between the light guide plate 200 and the diffusion sheet 502. The light conversion member 501 can convert the wavelength of the incident light and emit the light upward.

예를 들어, 상기 발광다이오드들(400)이 청색 발광다이오드인 경우, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 도광판(200)으로부터 상방으로 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 상기 청색광의 일부를 약 500㎚ 내지 약 600㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 600㎚ 내지 약 700㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes, the light conversion member 501 may convert blue light emitted upward from the light guide plate 200 into green light and red light. That is, the light conversion member 501 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band of about 500 nm to about 600 nm, and another part of the blue light has a wavelength band of about 600 nm to about 700 nm. Can be converted to red light.

이에 따라서, 변환되지 않고 상기 광 변환 부재(501)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(501)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 액정패널(20)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, light passing through the light conversion member 501 without conversion and light converted by the light conversion member 501 can form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the liquid crystal panel 20.

즉, 상기 광 변환 부재(501)는 입사광의 특성을 변환시키는 광학 부재이다. 상기 광 변환 부재(501)는 시트 형상을 가진다. 즉, 상기 광 변환 부재(501)는 광학 시트일 수 있다.That is, the photo-conversion member 501 is an optical member that converts the characteristics of the incident light. The photo-conversion member 501 has a sheet shape. That is, the photo-conversion member 501 may be an optical sheet.

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재(501)는 하부 기판(510), 상부 기판(520), 광 변환층(530) 및 실링부(540)를 포함한다.As shown in FIGS. 10 and 11, the light conversion member 501 includes a lower substrate 510, an upper substrate 520, a light conversion layer 530, and a sealing unit 540.

상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(510)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(510)은 상기 광 변환층(530)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 510 is disposed under the light conversion layer 530. The lower substrate 510 is transparent and flexible. The lower substrate 510 may be in close contact with the bottom surface of the light conversion layer 530.

상기 하부 기판(510)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate;PET) 등과 같은 투명한 고분자 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the lower substrate 510 may include a transparent polymer such as polyethyleneterephthalate (PET).

상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(520)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 520 is disposed on the light conversion layer 530. The upper substrate 520 is transparent and flexible. The upper substrate 520 may be in close contact with the top surface of the light conversion layer 530.

상기 상부 기판(520)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등과 같은 투명한 고분자 등을 들 수 있다.Examples of the material used as the upper substrate 520 may include a transparent polymer such as polyethylene terephthalate.

상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 샌드위치한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)을 지지한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 외부의 물리적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호한다. 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 상기 광 변환층(530)에 직접 접촉될 수 있다.The lower substrate 510 and the upper substrate 520 sandwich the light conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 support the light conversion layer 530. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 protect the light conversion layer 530 from an external physical shock. The lower substrate 510 and the upper substrate 520 may directly contact the light conversion layer 530.

또한, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 낮은 산소 투과도 및 투습성을 가진다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)은 수분 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(530)을 보호할 수 있다.In addition, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 have low oxygen permeability and moisture permeability. Accordingly, the lower substrate 510 and the upper substrate 520 may protect the light conversion layer 530 from external chemical impact such as moisture and / or oxygen.

상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 개재된다. 상기 광 변환층(530)은 상기 하부 기판(510)의 상면에 밀착되고, 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The light conversion layer 530 is interposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The light conversion layer 530 may be in close contact with the upper surface of the lower substrate 510, and may be in close contact with the lower surface of the upper substrate 520.

상기 광 변환층(530)은 매트릭스(531) 및 복수의 광 변환 복합체들(30)을 포함한다.The light conversion layer 530 includes a matrix 531 and a plurality of light conversion composites 30.

상기 매트릭스(531)는 상기 광 변환 입자들(31)(532)을 둘러싼다. 즉, 상기 매트릭스(531)는 상기 광 변환 입자들(31)(532)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 매트릭스(531)는 투명하다. 즉, 상기 매트릭스(531)는 투명한 고분자로 형성될 수 있다.The matrix 531 surrounds the light conversion particles 31, 532. That is, the matrix 531 uniformly disperses the light conversion particles 31 and 532 therein. The matrix 531 is transparent. That is, the matrix 531 may be formed of a transparent polymer.

상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510)의 상면 및 상기 상부 기판(520)의 하면에 밀착될 수 있다.The matrix 531 is disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The matrix 531 may be in close contact with an upper surface of the lower substrate 510 and a lower surface of the upper substrate 520.

상기 매트릭스(531)는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 또는 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. The matrix 531 may include an acrylic resin, an epoxy resin, or a silicone resin.

상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치된다. 더 자세하게, 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 매트릭스(531)에 균일하게 분산되고, 상기 매트릭스(531)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520) 사이에 배치될 수 있다. 상기 광 변환 복합체들(30)은 상기 호스트에 약 0.5wt% 내지 약 20wt%의 농도로 분산될 수 있다.The light conversion composites 30 are disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the light conversion composites 30 may be uniformly dispersed in the matrix 531, and the matrix 531 may be disposed between the lower substrate 510 and the upper substrate 520. The light conversion composites 30 may be dispersed in the host at a concentration of about 0.5 wt% to about 20 wt%.

상기 광 변환 복합체들(30)은 복수의 제 1 광 변환 복합체들(30a) 및 복수의 제 2 광 변환 복합체들(30b)일 수 있다. 또한, 상기 광 변환 복합체들(30)은 복수의 제 3 광 변환 복합체들을 더 포함할 수 있다.The light conversion composites 30 may be a plurality of first light conversion composites 30a and a plurality of second light conversion composites 30b. In addition, the light conversion composites 30 may further include a plurality of third light conversion composites.

또한, 상기 제 1 광 변환 복합체들(30a), 상기 제 2 광 변환 복합체들(30b) 및 상기 제 3 광 변환 복합체들은 앞선 발광 다이오드 패키지에서의 광 변환 복합체들(30)과 실질적으로 동일한 특징을 가질 수 있다.In addition, the first light conversion composites 30a, the second light conversion composites 30b, and the third light conversion composites have substantially the same characteristics as the light conversion composites 30 in the foregoing LED package. Can have

상기 발광다이오드들(400)이 청색광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색광을 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 상기 제 1 광 변환 복합체들(30a) 및 상기 제 2 광 변환 복합체들(30b)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(400)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색광, 녹색광 및 적색광으로 각각 변환시키는 상기 제 1 광 변환 복합체들(30a), 상기 제 2 광 변환 복합체들(30b) 및 상기 제 3 광 변환 복합체들이 사용될 수 있다.When the light emitting diodes 400 are blue light emitting diodes that generate blue light, the first light conversion composites 30a and the second light conversion composites 30b for converting blue light into green light and red light, respectively, are used. Can be. Alternatively, when the light emitting diodes 400 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet rays, the first light conversion composites 30a and the second light conversion composites convert ultraviolet light into blue light, green light, and red light, respectively. 30b and the third light conversion composites may be used.

상기 광 변환 부재(501)는 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.The light conversion member 501 may be formed by the following process.

먼저, 양자점을 포함하는 수지 조성물이 형성된다. 이때, 상기 수지 조성물에 상기 광 변환 복합체들(30)이 균일하게 분산된다.First, a resin composition containing quantum dots is formed. In this case, the light conversion composites 30 are uniformly dispersed in the resin composition.

이후, 상기 수지 조성물은 상기 하부 기판(510) 상에 균일하게 코팅되고, 열 및/또는 광에 의해서 경화된다. 이에 따라서, 상기 하부 기판(510) 상에 광 변환층(530)이 형성된다.Thereafter, the resin composition is uniformly coated on the lower substrate 510 and cured by heat and / or light. Accordingly, the light conversion layer 530 is formed on the lower substrate 510.

이후, 상기 광 변환층(530) 상에 상부 기판(520)이 라미네이트되고, 실링부가 형성된다. 이에 따라서, 상기 광 변환 부재(501)가 형성될 수 있다.Thereafter, the upper substrate 520 is laminated on the light conversion layer 530, and a sealing part is formed. Accordingly, the light conversion member 501 may be formed.

상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530) 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530)의 측면을 덮는다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에도 배치된다. 더 자세하게, 상기 실링부(540)는 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면을 덮는다.The sealing part 540 is disposed on the side of the light conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 covers the side surface of the light conversion layer 530. In more detail, the sealing part 540 is also disposed on side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520. In more detail, the sealing part 540 covers side surfaces of the lower substrate 510 and the upper substrate 520.

또한, 상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 접착될 수 있다. 상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530), 상기 하부 기판(510) 및 상기 상부 기판(520)의 측면에 밀착된다.In addition, the sealing part 540 may be attached to side surfaces of the light conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520. The sealing part 540 is in close contact with side surfaces of the light conversion layer 530, the lower substrate 510, and the upper substrate 520.

이에 따라서, 상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530)의 측면을 밀봉할 수 있다. 즉, 상기 실링부(540)는 상기 광 변환층(530)을 외부의 화학적인 충격으로부터 보호하는 보호부이다.Accordingly, the sealing part 540 may seal the side surface of the light conversion layer 530. That is, the sealing part 540 is a protection part that protects the light conversion layer 530 from external chemical shock.

또한, 상기 광 변환 부재(501)는 제 1 무기 보호막 및 제 2 무기 보호막을 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막은 상기 하부 기판(510)의 하면에 코팅되고, 상기 제 2 무기 보호막은 상기 상부 기판(520)의 상면에 코팅될 수 있다. 상기 제 1 무기 보호막 및 상기 제 2 무기 보호막으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 등을 들 수 있다.In addition, the light conversion member 501 may further include a first inorganic protective film and a second inorganic protective film. The first inorganic protective layer may be coated on the lower surface of the lower substrate 510, and the second inorganic protective layer may be coated on the upper surface of the upper substrate 520. Examples of the material used for the first inorganic protective film and the second inorganic protective film include silicon oxide and the like.

상기 확산 시트(502)는 상기 광 변환 부재(501) 상에 배치된다. 상기 확산 시트(502)는 통과되는 광의 균일도를 향상시킨다. 상기 확산 시트(502)는 다수 개의 비드(32)들을 포함할 수 있다.The diffusion sheet 502 is disposed on the light conversion member 501. The diffusion sheet 502 improves the uniformity of light passing therethrough. The diffusion sheet 502 may include a plurality of beads 32.

상기 제 1 프리즘 시트(503)는 상기 확산 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 상기 제 1 프리즘 시트(503) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(503) 및 상기 제 2 프리즘 시트(504)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The first prism sheet 503 is disposed on the diffusion sheet 502. The second prism sheet 504 is disposed on the first prism sheet 503. The first prism sheet 503 and the second prism sheet 504 increase the straightness of light passing therethrough.

상기 액정패널(20)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(20)은 패널 가이드(23) 상에 배치된다. 상기 액정패널(20)은 상기 패널 가이드(23)에 의해서 가이드될 수 있다.The liquid crystal panel 20 is disposed on the optical sheets 500. Further, the liquid crystal panel 20 is disposed on the panel guide 23. The liquid crystal panel 20 may be guided by the panel guide 23.

상기 액정패널(20)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(20)은 상기 백라이트 유닛(10)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(20)은 TFT기판(21), 컬러필터기판(22), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(20)은 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 20 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 20. That is, the liquid crystal panel 20 is a display panel for displaying an image using light emitted from the backlight unit 10. [ The liquid crystal panel 20 includes a TFT substrate 21, a color filter substrate 22, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates. In addition, the liquid crystal panel 20 includes polarizing filters.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(21) 및 컬러필터기판(22)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(21)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스(531)와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the TFT substrate 21 and the color filter substrate 22 will be described in detail. The TFT substrate 21 defines pixels by intersecting a plurality of gate lines and data lines, A thin film transistor (TFT) is provided for each region and is connected in a one-to-one correspondence with the pixel electrodes mounted on the respective pixels. The color filter substrate 22 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix 531 bordering each of them, covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and covering all of them. It includes a common electrode.

액정패널(20)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(25)가 구비된다.At the edge of the liquid crystal panel 20, a driving PCB 25 is provided to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(25)는 COF(Chip on film, 24)에 의해 액정패널(20)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(24)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The drive PCB 25 is electrically connected to the liquid crystal panel 20 by a chip on film (COF) 24. Here, the COF 24 may be changed to a TCP (Tape Carrier Package).

앞서 설명한 바와 같이, 실시에에 액정표시장치는 상기 광 변환 복합체들(30)을 사용하여, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.As described above, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability and durability by using the light conversion composites 30.

또한, 상기 광 변환 복합체들(30)은 메조 크기의 직경을 가지기 때문에, 상기 광 변환 부재 등에 용이하게 적용될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 복합체들(30)을 용이하게 적용하여, 효율적으로 제조될 수 있다.
In addition, since the light conversion composites 30 have a diameter of a meso size, the light conversion composites 30 may be easily applied to the light conversion member. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment can be easily manufactured by easily applying the light conversion composites 30.

도 12는 제 2 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 13은 제 2 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 14는 도 13에서 C-C`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 15는 제 2 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.12 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to a second embodiment. 13 is a perspective view showing a light conversion member according to the second embodiment. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ in FIG. 13. FIG. 15 is a cross-sectional view of a light guide plate, a light emitting diode, and a light conversion member according to a second embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiment. That is, the foregoing description of the liquid crystal display device may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 12 내지 도 15를 참조하면, 광 변환 부재(600)는 발광다이오드들(400) 및 도광판(200) 사이에 개재된다.12 to 15, the light conversion member 600 is interposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재(600)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 일 측면을 따라 연장되는 형상을 가질 수 있다. 더 자세하게, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 도광판(200)의 입사면을 따라서 연장되는 형상을 가질 수 있다.The light conversion member 600 may have a shape extending in one direction. In more detail, the light conversion member 600 may have a shape extending along one side surface of the light guide plate 200. In more detail, the light conversion member 600 may have a shape extending along the incident surface of the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 발광다이오드들(400)로부터 출사되는 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 광 변환 부재(600)는 상기 청색광의 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시키고, 상기 청색광의 다른 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The light conversion member 600 receives the light emitted from the light emitting diodes 400 and converts the wavelength. For example, the light conversion member 600 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 400 into green light and red light. That is, the light conversion member 600 converts a part of the blue light into green light having a wavelength band between about 520 nm and about 560 nm, and another part of the blue light has a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm. Can be converted to red light.

이에 따라서, 상기 광 변환 부재(600)를 통과하는 광 및 상기 광 변환 부재(600)에 의해서 변환된 광들은 백색광을 형성할 수 있다. 즉, 청색광, 녹색광 및 적색광이 조합되어, 상기 도광판(200)에는 백색광이 입사될 수 있다.Accordingly, the light passing through the light conversion member 600 and the light converted by the light conversion member 600 may form white light. That is, the blue light, the green light, and the red light may be combined, and the white light may be incident on the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재(600)는 하부 기판(610), 상부 기판(620), 광 변환층(630) 및 실링부(640)를 포함한다.The light conversion member 600 includes a lower substrate 610, an upper substrate 620, a light conversion layer 630, and a sealing unit 640.

상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630) 아래에 배치된다. 상기 하부 기판(610)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 하부 기판(610)은 상기 광 변환층(630)의 하면에 밀착될 수 있다.The lower substrate 610 is disposed under the light conversion layer 630. The lower substrate 610 may be transparent and flexible. The lower substrate 610 may be in close contact with the bottom surface of the light conversion layer 630.

상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 상에 배치된다. 상기 상부 기판(620)은 투명하며, 플렉서블 할 수 있다. 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)의 상면에 밀착될 수 있다.The upper substrate 620 is disposed on the light conversion layer 630. The upper substrate 620 may be transparent and flexible. The upper substrate 620 may be in close contact with the top surface of the light conversion layer 630.

또한, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400)에 대향한다. 즉, 상기 하부 기판(610)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 광 변환층(630) 사이에 배치된다. 또한, 상기 상부 기판(620)은 상기 도광판(200)에 대향한다. 즉, 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다.In addition, the lower substrate 610 faces the light emitting diodes 400. That is, the lower substrate 610 is disposed between the light emitting diodes 400 and the light conversion layer 630. In addition, the upper substrate 620 faces the light guide plate 200. That is, the upper substrate 620 is interposed between the light conversion layer 630 and the light guide plate 200.

상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)을 샌드위치한다. 또한, 상기 실링부(640)는 상기 광 변환층(630)의 측면을 덮는다. 상기 하부 기판(610) 및 상기 상부 기판(620)은 상기 광 변환층(630)을 지지한다. 또한, 상기 하부 기판(610), 상기 상부 기판(620) 및 상기 실링부(640)는 외부의 물리적인 충격 및 화학적인 충격으로부터 상기 광 변환층(630)을 보호한다.The lower substrate 610 and the upper substrate 620 sandwich the light conversion layer 630. In addition, the sealing part 640 covers the side surface of the light conversion layer 630. The lower substrate 610 and the upper substrate 620 support the light conversion layer 630. In addition, the lower substrate 610, the upper substrate 620, and the sealing part 640 protect the light conversion layer 630 from external physical shocks and chemical shocks.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(630)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의 광 변환 입자들(31a, 31b)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the light conversion layer 630 has a relatively small size. Accordingly, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of light conversion particles 31a and 31b may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(31a, 31b)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.
Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at low cost by reducing the use of the light conversion particles 31a and 31b.

도 16은 제 3 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 17은 제 3 실시예에 따른 광 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 18은 도 17에서 D-D`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 19는 제 3 실시예에 따른 도광판, 발광다이오드 및 광 변환 부재의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 실시예들에 대한 설명 참조한다. 즉, 앞선 액정표시장치들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.16 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a third embodiment. 17 is a perspective view showing a light conversion member according to the third embodiment. 18 is a cross-sectional view taken along the line D-D 'of FIG. 17. 19 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light guide plate, the light emitting diode, and the light conversion member according to the third embodiment. In the description of the present embodiment, reference is made to the description of the foregoing embodiments. That is, the foregoing description of the liquid crystal display devices may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display device, except for the changed part.

도 16 내지 도 19를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 광 변환 부재들(700)을 포함한다. 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)에 각각 대응된다.16 to 19, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a plurality of light conversion members 700. The light conversion members 700 correspond to the light emitting diodes 400, respectively.

또한, 상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400) 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다. 즉, 각각의 광 변환 부재(600)는 대응되는 발광다이오드 및 상기 도광판(200) 사이에 배치된다.In addition, the light conversion members 700 are disposed between the light emitting diodes 400 and the light guide plate 200. That is, each light conversion member 600 is disposed between the corresponding light emitting diode and the light guide plate 200.

상기 광 변환 부재들(700)은 상기 발광다이오드들(400)보다 더 넓은 평면적을 가질 수 있다. 이에 따라서, 각각의 발광다이오드로부터 출사되는 광은 대응되는 광 변환 부재(600)에 거의 대부분이 입사될 수 있다.The light conversion members 700 may have a larger planar area than the light emitting diodes 400. Accordingly, almost all of the light emitted from each light emitting diode may be incident on the corresponding light conversion member 600.

또한, 도 17 내지 도 19에 도시된 바와 같이, 상기 광 변환 부재들(700)은 하부 기판(710), 상부 기판(720), 광 변환층(730) 및 실링부(640)를 포함한다.17 to 19, the light conversion members 700 include a lower substrate 710, an upper substrate 720, a light conversion layer 730, and a sealing unit 640.

상기 하부 기판(710), 상기 상부 기판(720), 상기 광 변환층(730) 및 상기 실링부(640)의 특징은 앞서 설명한 실시예들에서 설명한 특징과 실질적으로 동일할 수 있다.Features of the lower substrate 710, the upper substrate 720, the light conversion layer 730, and the sealing unit 640 may be substantially the same as those described in the above-described embodiments.

본 실시예에 따른 액정표시장치에서, 상기 광 변환층(730)은 상대적으로 작은 크기를 가진다. 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치를 제조하는데 있어서, 적은 양의광 변환 입자들(31a, 31b)이 사용될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present embodiment, the light conversion layer 730 has a relatively small size. Therefore, in manufacturing the liquid crystal display according to the present embodiment, a small amount of light conversion particles 31a and 31b may be used.

따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광 변환 입자들(31a, 31b)의 사용을 줄이고, 적은 비용으로 용이하게 제조될 수 있다.Therefore, the liquid crystal display according to the present embodiment can be manufactured easily and at low cost by reducing the use of the light conversion particles 31a and 31b.

또한, 각각 광 변환 부재(700)의 특성은 대응되는 발광다이오드(400)에 적합하도록 변형될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 더 향상된 신뢰성, 휘도 및 균일한 색재현성을 가질 수 있다.In addition, the characteristics of each light conversion member 700 may be modified to suit the corresponding light emitting diode 400. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment may have improved reliability, brightness, and uniform color reproduction.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

실험예 1Experimental Example 1

소수성 리간드가 결합된 CdSe/ZnS 양자점이 n-옥탄에 약 1wt%의 농도로 분산되어, 콜로이드 용액이 형성된다. 상기 콜로이드 용액에 유화제로 소듐 도데실 설페이트가 약 1wt%의 비율로 첨가되었다. 또한, 스티렌이 상기 콜로이드 용액에 약 5wt%로 첨가되었다. 이후, 상기 콜로이드 용액에 물에 첨가되어, 에멀젼 용액이 형성되었다. 이후, 상기 에멀젼 용액에 중합 개시제인 퍼옥소디설페이트가 약 0.5wt%로 상기 에멀젼 용액에 첨가되고, 약 80℃에서 약 20시간 동안 중합이 진행되었다. 이후, 건조에 의해서, 광 변환 복합체가 형성되었다.CdSe / ZnS quantum dots to which the hydrophobic ligand is bound are dispersed in n-octane at a concentration of about 1 wt% to form a colloidal solution. Sodium dodecyl sulfate was added to the colloidal solution in an amount of about 1 wt% as an emulsifier. In addition, styrene was added to the colloidal solution at about 5 wt%. Thereafter, the colloidal solution was added to water to form an emulsion solution. Thereafter, peroxodisulfate, a polymerization initiator, was added to the emulsion solution at about 0.5 wt% in the emulsion solution, and polymerization was performed at about 80 ° C. for about 20 hours. Then, by drying, a light conversion composite was formed.

실험예 2Experimental Example 2

실험예 1에서 형성된 광 변환 복합체를 tween20에 용해시키고, 테트라에틸오쏘실리케이트 및 암모늄 하이드록사이드를 약 1wt% 및 0.5wt%의 비율로 상기 용액에 첨가하고, 상온에서 24시간 동안 반응시켰다. The light conversion complex formed in Experimental Example 1 was dissolved in tween20, tetraethyl orthosilicate and ammonium hydroxide were added to the solution at a rate of about 1 wt% and 0.5 wt%, and reacted at room temperature for 24 hours.

결과result

실험예 1에서는 약 100㎚의 직경을 가지는 비드가 형성되었고, 실험예 2에서는 약 120㎚의 직경을 가지는 비드 및 약 20㎚의 두께를 가지는 캡핑부가 형성되었다.In Experimental Example 1, beads having a diameter of about 100 nm were formed, and in Experimental Example 2, beads having a diameter of about 120 nm and capping portions having a thickness of about 20 nm were formed.

실험예 3Experimental Example 3

실험예 1에서 형성된 광 변환 복합체를 실리콘 수지에 균일하게 분산시키고, 이를 폴레에틸렌테레프탈레이트 기판에 코팅하여, 광 변환 부재가 형성되었다.The light conversion composite formed in Experimental Example 1 was uniformly dispersed in a silicone resin and coated on a polyethylene terephthalate substrate to form a light conversion member.

실험예 4Experimental Example 4

실험예 2에서 형성된 광 변환 복합체를 사용하여, 실험예 4와 동일하게 광 변환 부재가 형성되었다.Using the light conversion composite formed in Experimental Example 2, a light conversion member was formed in the same manner as in Experimental Example 4.

비교예Comparative Example

스티렌 및 TEOS를 사용하지 않고, 양자점만을 사용하여, 실험예4와 동일하게 광 변환 부재가 형성되었다.Using only quantum dots without using styrene and TEOS, a light conversion member was formed in the same manner as in Experiment 4.

결과result

실험예 4 내지 6 및 비교예의 광 변환 부재들을 약 60℃/약 80%(습도)의 가혹 조건에 약 500시간 동안 노출시킨 후, 초기에 비교하여, 광 변환 효율이 하기의 표 1과 같이, 측정되었다.After exposing the light conversion members of Experimental Examples 4 to 6 and Comparative Example to the harsh conditions of about 60 ° C./about 80% (humidity) for about 500 hours, the light conversion efficiency was compared as shown in Table 1 below. Was measured.

실험예 3Experimental Example 3 실험예 4Experimental Example 4 비교예Comparative Example 효율저하(%)Decreased efficiency (%) 7%7% 5%5% 20%20%

표 1에서와 같이, 실험예 3 및 실험예 4의 광 변환 부재가 더 향상된 신뢰성을 가진다는 것을 알 수 있습니다.As shown in Table 1, it can be seen that the light conversion members of Experimental Example 3 and Experimental Example 4 have improved reliability.

Claims (20)

복수의 광 변환 입자들; 및
상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함하며,
상기 광 변환 입자들 및 용매를 포함하는 용액에 유화제를 첨가하여, 상기 용액 내에서 상기 광 변환 입자들을 분산시키고, 상기 용액에 모노머를 첨가하여, 상기 모노머가 상기 광 변환 입자들을 둘러싸게 하고, 상기 용액에 상기 모노머의 중합 반응을 발생시키기 위한 중합 개시제를 첨가하여, 상기 모노머로부터 상기 비드를 형성함에 따라 제조되는 광 변환 복합체.
A plurality of light converting particles; And
Surrounding the light conversion particles, comprising a bead comprising a hydrophobic polymer,
Adding an emulsifier to the solution comprising the light converting particles and the solvent to disperse the light converting particles in the solution and adding a monomer to the solution such that the monomer surrounds the light converting particles, A light conversion composite prepared by adding a polymerization initiator for generating a polymerization reaction of the monomer to a solution to form the beads from the monomer.
제 1 항에 있어서, 상기 비드의 직경은 0.05㎛ 내지 1㎛인 광 변환 복합체.The light converting composite of claim 1, wherein the beads have a diameter of 0.05 μm to 1 μm. 제 1 항에 있어서, 상기 소수성 고분자는 고무계 고분자, 비닐계 고분자 또는 아크릴계 고분자로부터 선택되는 광 변환 복합체.The light conversion composite of claim 1, wherein the hydrophobic polymer is selected from a rubber polymer, a vinyl polymer, or an acrylic polymer. 제 3 항에 있어서, 상기 소수성 고분자는 스티렌 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴 부타디엔 고무, 폴리클로로프렌, 폴리아세트산 비닐, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴 또는 폴리메틸메타크릴레이트로부터 선택되는 광 변환 복합체.The light converting composite of claim 3, wherein the hydrophobic polymer is selected from styrene butadiene rubber, acrylonitrile butadiene rubber, polychloroprene, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, or polymethylmethacrylate. 제 1 항에 있어서, 상기 비드의 외부면을 둘러싸는 캡핑부를 더 포함하는 광 변환 복합체.The light converting composite of claim 1, further comprising a capping portion surrounding an outer surface of the bead. 제 1 항에 있어서, 상기 비드의 외부면은 전체적으로 곡면으로 형성되는 광 변환 복합체.The light converting composite of claim 1, wherein an outer surface of the bead is entirely curved. 제 1 항에 있어서, 상기 광 변환 입자는
코어 나노 결정;
상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정; 및
상기 껍질 나노 결정에 결합되는 리간드를 포함하는 광 변환 복합체.
The method of claim 1, wherein the light conversion particles
Core nanocrystals;
Shell nanocrystals surrounding the core nanocrystals; And
Light conversion complex comprising a ligand bound to the shell nanocrystals.
광을 발생시키는 발광부; 및
상기 발광부로부터의 광의 경로에 배치되는 복수의 광 변환 복합체들을 포함하고,
상기 광 변환 복합체는
복수의 광 변환 입자들; 및
상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함하며,
상기 광 변환 입자들 및 용매를 포함하는 용액에 유화제를 첨가하여, 상기 용액 내에서 상기 광 변환 입자들을 분산시키고, 상기 용액에 모노머를 첨가하여, 상기 모노머가 상기 광 변환 입자들을 둘러싸게 하고, 상기 용액에 상기 모노머의 중합 반응을 발생시키기 위한 중합 개시제를 첨가하여, 상기 모노머로부터 상기 비드를 형성함에 따라 제조되는 발광장치.
A light emitting unit generating light; And
Comprising a plurality of light conversion composites disposed in the path of light from the light emitting portion,
The light conversion composite is
A plurality of light converting particles; And
Surrounding the light conversion particles, comprising a bead comprising a hydrophobic polymer,
Adding an emulsifier to the solution comprising the light converting particles and the solvent to disperse the light converting particles in the solution and adding a monomer to the solution such that the monomer surrounds the light converting particles, A light emitting device manufactured by adding a polymerization initiator for generating a polymerization reaction of the monomer to a solution to form the beads from the monomer.
제 8 항에 있어서, 상기 비드는 부타디엔 고무계 수지를 포함하는 발광장치.The light emitting device of claim 8, wherein the bead comprises butadiene rubber-based resin. 제 8 항에 있어서, 상기 발광부를 수용하는 몸체부; 및
상기 몸체부 내에 배치되는 충진부;를 포함하고,
상기 광 변환 복합체들은 상기 충진부 내에 배치되는 발광장치.
According to claim 8, Body portion for receiving the light emitting portion; And
It includes a filling portion disposed in the body portion,
The light conversion composite is disposed in the filling unit.
제 8 항에 있어서, 상기 광 변환 복합체는 상기 비드의 외부면에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 캡핑부를 더 포함하는 발광장치.The light emitting device of claim 8, wherein the light conversion composite further includes a capping part disposed on an outer surface of the bead and including an inorganic material. 제 11 항에 있어서, 상기 캡핑부는 실리콘 옥사이드를 포함하는 발광장치.The light emitting device of claim 11, wherein the capping part comprises silicon oxide. 광원;
상기 광원으로부터의 광이 입사되고, 복수개의 광 변환 복합체들을 포함하는 광 변환 부재; 및
상기 광 변환 부재로부터의 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
상기 광 변환 복합체는
복수의 광 변환 입자들; 및
상기 광 변환 입자들을 둘러싸고, 소수성 고분자를 포함하는 비드를 포함하며,
상기 광 변환 입자들 및 용매를 포함하는 용액에 유화제를 첨가하여, 상기 용액 내에서 상기 광 변환 입자들을 분산시키고, 상기 용액에 모노머를 첨가하여, 상기 모노머가 상기 광 변환 입자들을 둘러싸게 하고, 상기 용액에 상기 모노머의 중합 반응을 발생시키기 위한 중합 개시제를 첨가하여, 상기 모노머로부터 상기 비드를 형성함에 따라 제조되는 표시장치.
Light source;
A light conversion member to which light from the light source is incident and including a plurality of light conversion composites; And
And a display panel on which light from the photo-conversion member is incident,
The light conversion composite is
A plurality of light converting particles; And
Surrounding the light conversion particles, comprising a bead comprising a hydrophobic polymer,
Adding an emulsifier to the solution comprising the light converting particles and the solvent to disperse the light converting particles in the solution and adding a monomer to the solution such that the monomer surrounds the light converting particles, A display device manufactured by adding a polymerization initiator for generating a polymerization reaction of the monomer to a solution to form the beads from the monomer.
제 13 항에 있어서,
상기 광 변환 입자들은 화합물 반도체를 포함하고,
상기 비드의 직경은 0.05㎛ 내지 1㎛이고,
상기 광 변환 입자들의 직경은 1㎚ 내지 15㎚인 표시장치.
The method of claim 13,
The light conversion particles comprise a compound semiconductor,
The diameter of the beads is 0.05㎛ to 1㎛,
The diameter of the light conversion particles is 1nm to 15nm display device.
제 14 항에 있어서, 상기 소수성 고분자는 고무계 수지 또는 비닐계 수지를 포함하는 표시장치.The display device of claim 14, wherein the hydrophobic polymer comprises a rubber resin or a vinyl resin. 복수의 광 변환 입자들 및 용매를 포함하는 용액에 유화제를 첨가하여, 상기 용액 내에서 상기 광 변환 입자들을 분산시키는 단계와,
상기 용액에 상기 광 변환 입자들을 둘러싸기 위한 모노머를 첨가하는 단계와,
상기 용액에 상기 모노머의 중합 반응을 발생시키기 위한 중합 개시제를 첨가하여, 상기 모노머로부터 상기 광 변환 입자들을 둘러싸는 비드를 형성하는 단계를 포함하는 광 변환 복합체의 제조방법.
Adding an emulsifier to a solution comprising a plurality of light converting particles and a solvent to disperse the light converting particles in the solution;
Adding a monomer to surround the light conversion particles in the solution;
And adding a polymerization initiator for generating a polymerization reaction of the monomer to the solution, thereby forming a bead surrounding the light conversion particles from the monomer.
제 16 항에 있어서, 상기 모노머는 스티렌, 부타디엔, 아크릴로니트릴, 클로로프렌, 비닐알콜, 염화비닐, 염화비닐리덴 또는 아크릴레이트로부터 선택되는 광 변환 복합체의 제조방법.The method of claim 16, wherein the monomer is selected from styrene, butadiene, acrylonitrile, chloroprene, vinyl alcohol, vinyl chloride, vinylidene chloride, or acrylate. 제 16 항에 있어서, 상기 용액에 상기 비드를 둘러싸는 캡핑부를 형성하기 위한 물질을 첨가하는 단계를 더 포함하는 광 변환 복합체의 제조방법.17. The method of claim 16, further comprising adding a substance to the solution to form a capping portion surrounding the beads. 제 18 항에 있어서, 상기 물질은 테트라에틸오쏘실리케이트를 포함하는 광 변환 복합체의 제조방법.19. The method of claim 18, wherein said material comprises tetraethyl orthosilicate. 제 16 항에 있어서, 상기 유화제는 소듐 도데실 설페이트인 광 변환 복합체의 제조방법.The method of claim 16, wherein the emulsifier is sodium dodecyl sulfate.
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