KR101251811B1 - Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same - Google Patents
Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101251811B1 KR101251811B1 KR1020110054623A KR20110054623A KR101251811B1 KR 101251811 B1 KR101251811 B1 KR 101251811B1 KR 1020110054623 A KR1020110054623 A KR 1020110054623A KR 20110054623 A KR20110054623 A KR 20110054623A KR 101251811 B1 KR101251811 B1 KR 101251811B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wavelength conversion
- light emitting
- wavelength
- light
- protective film
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 title 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 141
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 60
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 102
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 33
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 28
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 12
- CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N thioglycolic acid Chemical compound OC(=O)CS CWERGRDVMFNCDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHGHHZZTMJLTJX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichloro-3-(2-chlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(C=2C(=CC=CC=2)Cl)=C1Cl VHGHHZZTMJLTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N pimelic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1 OMIHGPLIXGGMJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016423 CuZnS Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L cadmium acetate Chemical compound [Cd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O LHQLJMJLROMYRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000331 cadmium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M disodium;sulfanide Chemical compound [Na+].[Na+].[SH-] VDQVEACBQKUUSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Natural products CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000008689 nuclear function Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N sulfanyl Chemical class [SH] PXQLVRUNWNTZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical group [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N tert-butyl-[(1r,3s,5z)-3-[tert-butyl(dimethyl)silyl]oxy-5-(2-diphenylphosphorylethylidene)-4-methylidenecyclohexyl]oxy-dimethylsilane Chemical compound C1[C@@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C[C@H](O[Si](C)(C)C(C)(C)C)C(=C)\C1=C/CP(=O)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MDDUHVRJJAFRAU-YZNNVMRBSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
파장 변환 복합체, 이를 포함하는 발광 소자 및 표시장치 및 이의 제조방법이 개시된다. 파장 변환 복합체는 파장 변환 입자; 및 상기 파장 변환 입자 주위에 배치되는 보호막을 포함한다.Disclosed are a wavelength conversion composite, a light emitting device and a display device including the same, and a method of manufacturing the same. The wavelength conversion composite includes wavelength conversion particles; And a protective film disposed around the wavelength conversion particle.
Description
실시예는 파장 변환 복합체, 이를 포함하는 발광 소자 및 표시장치 및 이의 제조방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wavelength conversion composite, a light emitting device and a display device including the same, and a method of manufacturing the same.
발광다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기를 자외선, 가시광선, 적외선 등으로 전환시키는 반도체 소자로서 주로 가전제품, 리모컨, 대형 전광판 등에 사용되고 있다.Light emitting diodes (LEDs) are semiconductor devices that convert electricity into ultraviolet rays, visible rays, and infrared rays by using the characteristics of compound semiconductors. They are mainly used in home appliances, remote controllers, and large electric sign boards.
고휘도의 LED 광원은 조명등으로 사용되고 있으며, 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길어 교체 비용이 적으며 진동이나 충격에도 강하고 수은 등 유독물질의 사용이 불필요하기 때문에 에너지 절약, 환경보호, 비용절감 차원에서 기존의 백열전구나 형광등을 대체하고 있다.The high-intensity LED light source is used as an illumination light. It has high energy efficiency, long life and low replacement cost. It is resistant to vibration and shock, and it does not require the use of toxic substances such as mercury. It is replacing incandescent lamps and fluorescent lamps.
또한, LED는 중대형 LCD TV, 모니터 등의 광원으로서도 매우 유리하다. 현재 LCD(Liquid Crystal Display)에 주로 사용되고 있는 냉음극 형광등(CCFL, Cold Cathode Fluorescent Lamp)에 비하여 색순수도가 우수하고 소비전력이 적으며 소형화가 용이하여 이를 적용한 시제품이 양산되고 있으며, 더욱 활발한 연구가 진행되고 있는 상태이다.Also, the LED is very advantageous as a light source such as a medium and large-sized LCD TV and a monitor. Compared to CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), which is mainly used in LCD (Liquid Crystal Display), it has excellent color purity, low power consumption, and easy miniaturization, Is in progress.
실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 파장 변환 복합체, 이를 포함하는 발광 소자 및 표시장치 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.Embodiments provide a wavelength conversion composite having an improved reliability and durability, a light emitting device and a display device including the same, and a method of manufacturing the same.
실시예에 따른 파장 변환 복합체는 파장 변환 입자; 및 상기 파장 변환 입자 주위에 배치되는 보호막을 포함한다.Wavelength conversion composite according to the embodiment is a wavelength conversion particle; And a protective film disposed around the wavelength conversion particle.
실시예에 따른 발광소자는 발광부; 및 상기 발광부에 인접하고, 상기 발광부로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 파장 변환 복합체들을 포함한다.The light emitting device according to the embodiment includes a light emitting unit; And a plurality of wavelength converting complexes adjacent to the light emitting part and converting wavelengths of light emitted from the light emitting part.
실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 파장 변환 복합체들; 및 상기 파장 변환 복합체들로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; A plurality of wavelength converting composites for converting wavelengths of light emitted from the light source; And a display panel to which light emitted from the wavelength conversion composites is incident.
실시예에 따른 파장 변환 복합체의 제조방법은 파장 변환 입자를 제공하고, 상기 파장 변환 입자의 주위에 보호막을 형성하는 것을 포함한다.The method of manufacturing a wavelength conversion composite according to the embodiment includes providing a wavelength conversion particle and forming a protective film around the wavelength conversion particle.
실시예에 따른 파장 변환 복합체는 파장 변환 입자의 주위에 배치되는 보호막을 포함한다. 상기 보호막은 상기 파장 변환 입자의 주위에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 보호막은 외부의 산소 및/또는 습기 등으로부터 상기 파장 변환 입자를 보호할 수 있다.The wavelength conversion composite according to the embodiment includes a protective film disposed around the wavelength conversion particles. The protective film may be coated around the wavelength conversion particle. Therefore, the protective film can protect the wavelength conversion particles from external oxygen and / or moisture.
특히, 상기 보호막은 상기 파장 변환 입자를 둘러싸는 껍질 형상을 가질 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 파장 변환 복합체는 입자 형상을 가지고, 발광 소자 및 표시장치 등에 쉽게 적용될 수 있다. 예를 들어, 상기 파장 변환 복합체는 발광소자의 일 표면에 코팅되거나, 표시장치의 광학 시트 또는 도광판의 일 표면에 용이하게 코팅될 수 있다.In particular, the protective film may have a shell shape surrounding the wavelength conversion particle. Accordingly, the wavelength conversion composite according to the embodiment has a particle shape and can be easily applied to a light emitting device and a display device. For example, the wavelength conversion composite may be coated on one surface of the light emitting device, or easily coated on one surface of the optical sheet or the light guide plate of the display device.
따라서, 실시예에 따른 파장 변환 복합체는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the wavelength conversion composite according to the embodiment may have improved reliability and durability.
도 1은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 도시한 단면도이다.
도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.
도 3은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 도시한 단면도이다.
도 4은 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 제 4 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 제 5 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다.
도 7은 확산 시트를 도시한 단면도이다.
도 8은 확산 시트의 다른 예를 도시한 단면도이다.
도 9는 발광다이오드 패키지 및 도광판을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a wavelength conversion composite according to a first embodiment.
2 is a diagram illustrating a process of manufacturing a wavelength conversion composite according to the first embodiment.
3 is a cross-sectional view showing the wavelength conversion composite according to the second embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode package according to the third embodiment.
5 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode package according to the fourth embodiment.
6 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a fifth embodiment.
7 is a cross-sectional view showing the diffusion sheet.
8 is a cross-sectional view showing another example of the diffusion sheet.
9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package and a light guide plate.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.
도 1은 제 1 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 도시한 단면도이다. 도 2는 제 1 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 제조하는 과정을 도시한 도면이다.1 is a cross-sectional view showing a wavelength conversion composite according to a first embodiment. 2 is a diagram illustrating a process of manufacturing a wavelength conversion composite according to the first embodiment.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 파장 변환 복합체(1)는 파장 변환 입자(10) 및 보호막(20)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the
상기 파장 변환 입자(10)는 입사광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자(10)는 입사되는 청색광을 녹색광 또는 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자(10)는 상기 청색광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자(10)는 상기 청색광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.The
이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자(10)는 입사되는 자외선을 청색광, 녹색광 또는 적색광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자(10)는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자(10)는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자(10)는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the
상기 파장 변환 입자(10)는 양자점(QD, Quantum Dot)일 수 있다. 상기 양자점(10)은 코어 나노 결정(11) 및 상기 코어 나노 결정(11)을 둘러싸는 껍질 나노 결정(12)을 포함할 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(12)은 상기 코어 나노 결정(11)의 외부 표면 전체를 둘러쌀 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(12)을 안정화시키기 위해서, 상기 껍질 나노 결정(12)에는 유기 리간드가 결합될 수 있다.The
상기 껍질 나노 결정(12)은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(12)은 상기 코어 나노 결정(11)의 표면에 형성된다. 상기 양자점(10)은 상기 코어 나노 결정(11)으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정(12)을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals 12 may be formed in two or more layers. The shell nanocrystals 12 are formed on the surface of the
상기 코어 나노 결정(11)으로 반도체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 코어 나노 결정(11)은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 더 자세하게, 상기 코어 나노 결정(11)은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다.A semiconductor may be used as the
또한, 상기 껍질 나노 결정(12)으로 반도체가 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 껍질 나노 결정(12)은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 상기 껍질 나노 결정(12)은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점(10)의 직경(R1)은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.In addition, a semiconductor may be used as the
특히, 상기 양자점(10)은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점(10) 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. In particular, when the size of the
이러한 상기 양자점(10)은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike the general fluorescent dyes, the
상기 양자점(10)은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점(10)이 합성될 수 있다.The
상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)의 주위에 배치된다. 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)의 주위를 둘러싼다. 더 자세하게, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)의 외부면에 코팅될 수 있다. 즉, 상기 보호막(20)은 상기 껍질 나노 결정(12)의 외부 표면에 코팅될 수 있다.The
상기 보호막(20)은 껍질 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)의 외부 표면에 전체적으로 균일한 두께(T1)로 코팅될 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호막(20)의 두께 편차는 약 2㎚이하 일 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막(20)의 두께 편차는 약 0.01㎚ 내지 약 2㎚일 수 있다.The
상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)를 보호한다. 더 자세하게, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)를 외부의 물리적인 충격으로부터 보호할 수 있다. 또한, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)를 습기 및/또는 산소 등과 같은 외부의 화학적인 충격으로부터 보호할 수 있다.The
상기 보호막(20)은 투명하며, 절연체일 수 있다. 상기 보호막(20)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리머 등을 들 수 있다. 예를 들어, 상기 보호막(20)으로 실리콘계 수지 또는 파릴렌계 수지 등과 같은 폴리머 등이 사용될 수 있다.The
또한, 상기 보호막(20)은 상기 리간드(13)와 결합될 수 있다. 더 자세하게, 상기 리간드(13)는 상기 보호막(20)을 이루는 물질과 화학적으로 결합되어, 상기 보호막(20)과 일체로 형성될 수 있다.In addition, the
상기 보호막(20)의 두께(T1)는 약 10㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 다수 개의 파장 변환 복합체들(1)이 광학 소자 등에 사용될 때, 상기 보호막(20)은 파장 변환 입자(10)들 사이의 간격을 이격시키는 스페이서 기능을 수행할 수 있다. 이때, 상기 보호막(20)의 두께(T1)가 약 10㎚ 내지 약 100㎚인 경우, 상기 파장 변환 입자(10)들 사이의 간격은 적당히 이격될 수 있다.The thickness T1 of the
또한, 상기 보호막(20)의 두께(T1)가 약 10㎚ 내지 약 100㎚인 경우, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)들을 외부의 습기 및/또는 산소로부터 효과적으로 보호할 수 있다.In addition, when the thickness T1 of the
또한, 상기 보호막(20)의 직경(R2)은 약 50㎚ 내지 약 500㎚일 수 있다. 즉, 실시예에 따른 파장 변환 복합체(1)의 직경(R2)은 약 50㎚ 내지 약 500㎚일 수 있다.In addition, the diameter R2 of the
실시예에 따른 파장 변환 복합체(1)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.The
도 2를 참조하면, 상기 파장 변환 복합체(1)를 형성하기 위해서, 먼저, 다수 개의 양자점(10)들이 형성된다. 상기 양자점(10)들은 유기 용매 등에 균일하게 분산될 수 있다.Referring to FIG. 2, in order to form the
예를 들어, 상기 양자점(10)은 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.For example, the
먼저, 습식 방법으로 코어 나노 결정(11)이 형성될 수 있다. 즉, 전구체 물질들이 용매에서 반응하여, 결정이 성장되고, 상기 코어 나노 결정(11)이 형성될 수 있다.First, the core nanocrystals 11 may be formed by a wet method. That is, precursor materials react in a solvent, so that crystals may grow, and the core nanocrystals 11 may be formed.
예를 들어, CdS 코어 나노 결정(11)을 형성하기 위해서, 트라이옥틸포스파인 옥사이드(Tri-n-octylphosphine oxide; TOPO), 트라이부틸포스파인(Tri-butylphosphine; TBP) 및 헥사데실아민(Hexadecylamine; HDA)을 계면활성제와 용매가 사용될 수 있다.For example, to form CdS core nanocrystals 11, tri-n-octylphosphine oxide (TOPO), tri-butylphosphine (TBP) and hexadecylamine (Hexadecylamine; HDA) surfactants and solvents can be used.
또한, 카드뮴 전구체 물질로는 카드뮴 옥사이드(CdO), 카드뮴 설페이트 또는 카드뮴 아세테이트 등이 사용될 수 있고, 황 전구체 물질로는 메르캅토 에탄올 또는 소듐 설파이드(sodium sulfide;Na2S) 등이 사용될 수 있다.In addition, cadmium precursor (CdO), cadmium sulfate or cadmium acetate may be used as the cadmium precursor material, and mercapto ethanol or sodium sulfide (Na 2 S) may be used as the sulfur precursor material.
또한, 껍질 나노 결정(12)도 습식 방법으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 코어 나노 결정(11)을 포함하는 용액에 전구체 물질을 추가하여, 반응시키고, 결정이 성장되어, 상기 껍질 나노 결정(12)이 형성될 수 있다.In addition, the shell nanocrystals 12 may also be formed by a wet method. That is, the precursor material may be added to the solution including the core nanocrystals 11, reacted, and the crystals are grown to form the
예를 들어, CdS/ZnS 구조의 양자점(10)을 형성하기 위해서, 상기 CdS 코어 나노 결정(11)을 포함하는 용액에 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질이 주입될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질 및 상기 황 전구체 물질의 반응에 의해서, 껍질 나노 결정(12)이 형성되고, 상기 CdS/ZnS 구조의 양자점(10)이 형성될 수 있다. 상기 아연 전구체 물질의 예로서는 징크 아세테이트(Zn(CH3COO)2) 등을 들 수 있다.For example, to form a
이후, 다수 개의 리간드(13)가 상기 양자점(10)과 같은 광 변환 입자(431)에 결합될 수 있다. 상기 양자점(10)을 포함하는 용액에 상기 리간드(13)가 추가되고, 상기 리간드(13)가 상기 양자점(10)에 결합될 수 있다.Thereafter, a plurality of
상기 유기 리간드(13)는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine), 포스핀 산화물(phosphine oxide) 또는 디카르복실산 등을 포함할 수 있다.The
상기 유기 리간드(13)는 합성 후 불안정한 양자점(10)을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점(10)이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드(13)의 적어도 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드(13)의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점(10)을 안정화 시킬 수 있다.The
상기 리간드(13)의 일 끝단은 상기 양자점(10)에 결합되고, 상기 리간의 다른 끝단은 높은 반응성을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 리간드(13)로 사용되는 물질의 예로서는 옥살산, 말론산, 호박산, 글루타르산, 아디프산, 피멜산 또는 수베르산 등과 같은 디카르복실산 등을 들 수 있다. 또한, 상기 리간드(13)로 사용되는 물질의 예로서는 알킬렌기를 포함하는 카르복실산 등을 들 수 있다.One end of the
예를 들어, 상기 CdS/ZnS 구조의 양자점(10)을 포함하는 용액에, 디카르복실산 또는 메르캅토 아세닉산이 첨가되어, 디카르복실산 또는 메르캅토 아세닉산은 상기 양자점(10)에 결합될 수 있다. ZnS 표면의 하이드록실 그룹(-OH)과 디카르복실산 또는 메르캅토 아세닉산의 카르복실 그룹(-COOH)이 탈수반응하여 결합될 수 있다. 또한, 아연(Zn) 원자와 디카르복실산 또는 메르캅토 아세닉산의 에시드(MAA)의 황(S)이 매우 친숙(affinity)하기 때문에, 디카르복실산 또는 메르캅토 아세닉산은 CdS/ZnS 구조의 양자점(10)에 용이하게 결합될 수 있다.For example, dicarboxylic acid or mercapto acetic acid is added to the solution including the CdS / ZnS structure
상기 보호막(20)은 모노머, 올리고머 또는 폴리머에 의해서 형성될 수 있다. 더 자세하게, 상기 보호막(20)을 형성하기 위해서, 상기 모노머, 상기 올리고머 또는 상기 폴리머가 상기 양자점(10) 주위에서 중합 반응될 수 있다. 즉, 상기 모노머, 상기 올리고머 또는 상기 폴리머가 상기 양자점(10)의 주위에서 중합 반응되고, 상기 보호막(20)이 형성될 수 있다.The
이때, 상기 리간드(13)의 다른 끝단은 높은 반응성을 가지기 때문에, 상기 모노머, 상기 올리고머 또는 상기 폴리머와 용이하게 결합될 수 있다. 이에 따라서, 상기 리간드(13)는 중합 반응의 개시제 기능을 수행할 수 있다.At this time, the other end of the
따라서, 상기 양자점(10) 및 상기 리간드(13)는 반응핵 기능을 수행할 수 있고, 반응계에서, 상기 양자점(10)을 중심으로 중합 반응이 일어난다. 결국, 상기 모노머, 상기 올리고머 또는 상기 폴리머를 재료로, 상기 양자점(10) 주위에 상기 폴리머층이 성장하게 된다.Therefore, the
이후, 상기 폴리머층이 적당한 두께로 성장된 이후, 상기 반응계는 퀀칭되고, 중합 반응이 완료될 수 있다. 예를 들어, 상기 반응계의 온도가 급속히 하강되거나, 반응계를 퀀칭 시키기 위한 물질이 상기 반응계에 추가될 수 있다. 이에 따라서, 중합 반응이 중지되고, 상기 보호막(20)이 형성될 수 있다.Thereafter, after the polymer layer is grown to an appropriate thickness, the reaction system is quenched, and the polymerization reaction may be completed. For example, the temperature of the reaction system is rapidly lowered, or a material for quenching the reaction system may be added to the reaction system. Accordingly, the polymerization reaction may be stopped and the
보다 구체적으로, 상기 리간드(13)가 결합된 양자점(10)은 메틸에틸케톤(methyl ethyl ketone;MEK) 등과 같은 유기 용매에 균일하게 분산된다. 이후, 아미노프로필 트리에톡시실란(aminopropyl triethoxysilane;APTS) 등과 같은 모노머가 약 0.1wt% 내지 5wt%의 비율로 상기 분산액에 균일하게 혼합된다. 이후, 상기 혼합액은 약 50℃ 내지 약 100℃의 온도까지 상승되고, 약 30분 내지 약 3시간 동안 유지된다. 이후, 상기 반응계는 상온으로 하강하여, 반응이 중지된다. 이에 따라서, 상기 양자점(10) 주위에 상기 보호막(20)이 형성될 수 있다.More specifically, the
이와 같은 방법 이외에도, 상기 보호막(20)은 알칼리 상태에서, 졸겔법에 의해서도 형성될 수 있다.In addition to such a method, the
앞서 설명한 바와 같이, 상기 보호막(20)은 상기 파장 변환 입자(10)의 주위에 코팅될 수 있다. 따라서, 상기 보호막(20)은 외부의 산소 및/또는 습기 등으로부터 상기 파장 변환 입자(10)를 보호할 수 있다.As described above, the
따라서, 실시예에 따른 파장 변환 복합체(1)는 향상된 신뢰성을 가지고, 향상된 내구성을 가질 수 있다. 또한, 실시예에 따른 파장 변환 복합체(1)는 입자 형상을 가지므로, 개별적으로 발광 소자 및 표시장치 등에 쉽게 적용될 수 있다.
Therefore, the
도 3은 제 2 실시예에 따른 파장 변환 복합체를 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에 있어서, 앞선 파장 변환 복합체에 대한 설명을 참조한다. 즉, 앞선 파장 변환 복합체에 설명은 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.3 is a cross-sectional view showing the wavelength conversion composite according to the second embodiment. In the description of this embodiment, reference is made to the description of the foregoing wavelength converting composite. That is, the description of the foregoing wavelength converting composite may be essentially combined with the description of the present embodiment.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 파장 변환 복합체는 제 1 보호막(20) 및 제 2 보호막(30)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the wavelength conversion composite according to the present exemplary embodiment includes a
상기 제 1 보호막(20)은 앞선 실시예에서의 보호막과 실질적으로 동일할 수 있다.The
상기 제 2 보호막(30)은 상기 제 1 보호막(20)의 주위에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 보호막(30)은 상기 제 1 보호막(20)의 외부 표면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 보호막(30)은 상기 제 1 보호막(20)의 외부 표면에 코팅될 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 보호막(30)은 상기 제 1 보호막(20)의 주위를 둘러쌀 수 있다.The
상기 제 2 보호막(30)은 투명하다. 상기 제 2 보호막(30)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 상기 제 2 보호막(30)으로 사용되는 무기 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드 등을 들 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 보호막(30)은 폴리머를 더 포함할 수 있다. 즉, 상기 제 2 보호막(30)은 상기 무기 물질 및 상기 폴리머가 혼합되어 형성될 수 있다.The
상기 제 2 보호막(30)은 다음과 같은 공정에 의해서 형성될 수 있다.The
상기 제 1 보호막(20)이 형성되는 동안, 실리콘 옥사이드 또는 티타늄 옥사이드를 형성하기 위한 프리커서 등이 반응계에 첨가될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 옥사이드를 형성하기 위한 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane;TEOS)이 상기 반응계에 첨가되고, 약 30분 내지 약 3시간 동안 반응이 진행될 수 있다. 이후, 상기 반응계는 퀀칭되어, 상기 제 2 보호막(20)이 형성될 수 있다.While the
상기 제 2 보호막(30)의 두께(T2)는 약 10㎚ 내지 약 100㎚일 수 있다. 이에 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 복합체의 직경(R3)는 약 70㎚ 내지 약 700㎚일 수 있다.The thickness T2 of the
상기 제 1 보호막(20)의 굴절율 및 상기 제 2 보호막(30)의 굴절율은 서로 유사할 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 보호막(20)의 굴절율 및 상기 제 2 보호막(30)의 굴절율의 차이는 약 0.001 내지 약 0.1일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 보호막(20)의 굴절율 및 상기 제 2 보호막(30)의 굴절율은 서로 대응될 수 있다. 즉, 상기 제 1 보호막(20)의 굴절율 및 상기 제 2 보호막(30)의 굴절율은 실질적으로 서로 동일할 수 있다.The refractive index of the
상기 제 1 보호막(20)의 굴절율 및 상기 제 2 보호막(30)의 굴절율은 이에 한정되지 않고, 광학적 설계에 따라서 다양하게 달라질 수 있다.The refractive index of the
파장 변환 입자는 상기 제 1 보호막(20) 및 상기 제 2 보호막(30)에 의해서 보호된다. 특히, 상기 제 1 보호막(20)은 유기 물질을 포함하고, 상기 제 2 보호막(30)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라서, 상기 제 1 보호막(20) 및 상기 제 2 보호막(30)은 상기 파장 변환 입자를 외부의 습기 및/또는 산소로부터 효과적으로 보호할 수 있다. 따라서, 본 실시예에 따른 파장 변환 복합체는 더 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.
The wavelength conversion particle is protected by the first
도 4는 제 3 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다. 도 5는 제 4 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 일 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예들에 대한 설명에 있어서, 앞선 파장 변환 복합체들에 대한 설명을 참조한다. 즉, 앞선 파장 변환 복합체들에 설명은 본 실시예들에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.4 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode package according to the third embodiment. 5 is a cross-sectional view illustrating a cross section of the light emitting diode package according to the fourth embodiment. In the description of the embodiments, reference is made to the description of the foregoing wavelength converting composites. That is, the description of the foregoing wavelength converting composites may be essentially combined with the description of the embodiments.
도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)는 몸체부(410), 리드 전극들(421, 422), 발광칩(430), 충진재(440), 캡핑부(450) 및 다수 개의 파장 변환 복합체들(1)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the light emitting
상기 몸체부(410)는 에폭시 또는 폴리프탈아미드(polyphthalamide;PPA)와 같은 수지 재질, 세라믹 재질, 액정 폴리머(LCP), SPS(Syndiotactic), PPS(Poly(phenylene ether)), 실리콘 재질 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 다만, 상기 몸체부(410)의 재질에 대해 한정하지는 않는다. The
상기 몸체부(410)는 상부가 개방된 캐비티(C)를 포함한다. 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)에 대해 패터닝, 펀칭, 절단 공정 또는 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(C)는 상기 몸체부(410)의 성형시 캐비티(C) 형태를 본뜬 금속 틀에 의해 형성될 수 있다.The
상기 캐비티(C)의 형상은 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 그 표면은 원형 형상, 다각형 형상, 또는 랜덤한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The shape of the cavity C may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the surface thereof may be formed in a circular shape, a polygonal shape, or a random shape, but is not limited thereto.
상기 캐비티(C)의 내측면은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)의 배광 각도를 고려하여 상기 캐비티(C)의 바닥면에 대해 수직하거나 경사진 면으로 형성될 수 있다.The inner surface of the cavity C may be formed to be perpendicular or inclined with respect to the bottom surface of the cavity C in consideration of the light distribution angle of the light emitting
상기 캐비티(C)의 내측면에는 반사층이 형성될 수 있다. 즉, 상기 수용부(120)의 내측면에 반사 효과가 높은 물질, 예를 들어 백색의 PSR(Photo Solder Resist) 잉크, 은(Ag), 알루미늄(Al) 등이 코팅 또는 도포될 수 있으며, 이에 따라 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 발광 효율이 향상될 수 있다.A reflective layer may be formed on the inner surface of the cavity C. That is, a material having a high reflection effect, for example, white PSR (Photo Solder Resist) ink, silver (Ag), aluminum (Al), or the like may be coated or coated on the inner surface of the accommodating part 120. Accordingly, the luminous efficiency of the LED package according to the embodiment can be improved.
상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 몸체부(410)와 일체화되어 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)은 리드 프레임으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The
상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 몸체부(410) 내에 배치되며, 상기 리드 전극들(421, 422)은 상기 캐비티(C)의 바닥면에 전기적으로 이격되게 배치될 수 있다. The
상기 리드 전극들(421, 422)의 끝단은 상기 캐비티(C)의 일 측면 또는 캐비티(C) 반대측에 배치될 수 있다.Ends of the
상기 리드 전극들(421, 422)은 몸체부(410)의 사출 성형시 형성될 수 있다. 상기 리드 전극들(421, 422)은 예를 들어, 제 1 리드 전극(210) 및 제 2 리드 전극(220)일 수 있다.The
상기 제 1 리드 전극(210) 및 상기 제 2 리드 전극(220)은 서로 이격된다. 상기 제 1 리드 전극(210) 및 상기 제 2 리드 전극(220)은 상기 발광칩(430)에 전기적으로 연결된다.The first lead electrode 210 and the second lead electrode 220 are spaced apart from each other. The first lead electrode 210 and the second lead electrode 220 are electrically connected to the
상기 발광칩(430)은 상기 캐비티(C) 내측에 배치된다. 상기 발광칩(430)은 광을 발생시키는 발광부이다. 더 자세하게, 상기 발광칩(430)은 광을 발생시키는 발광다이오드 칩일 수 있다. 예를 들어, 상기 발광칩(430)은 유색 컬러의 발광다이오드 칩 또는 UV 발광다이오드 칩 등을 포함할 수 있다. 하나의 캐비티(C)에 각각 하나의 발광칩(430)이 배치될 수 있다.The
상기 발광칩(430)은 수직형 발광다이오드 칩일 수 있다. 상기 발광칩(430)은 도전기판, 반사층, 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층, 활성층 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.The
상기 도전기판은 도전체로 이루어진다. 상기 도전기판은 상기 반사층, 상기 제 1 도전형 반도체층, 상기 제 2 도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제 2 전극을 지지한다.The conductive substrate is made of a conductor. The conductive substrate supports the reflective layer, the first conductive semiconductor layer, the second conductive semiconductor layer, the active layer, and the second electrode.
상기 도전기판은 상기 반사층을 통하여, 상기 제 1 도전형 반도체층에 접속된다. 즉, 상기 도전기판은 상기 제 1 도전형 반도체층에 전기적인 신호를 인가하기 위한 제 1 전극이다.The conductive substrate is connected to the first conductive semiconductor layer through the reflective layer. That is, the conductive substrate is a first electrode for applying an electrical signal to the first conductive semiconductor layer.
상기 반사층은 상기 도전기판 상에 배치된다. 상기 반사층은 상기 활성층으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다. 또한, 상기 반사층은 도전층이다. 따라서, 상기 반사층은 상기 도전기판을 상기 제 1 도전형 반도체층에 연결시킨다. 상기 반사층으로 사용되는 물질의 예로서는 은 또는 알루미늄과 같은 금속 등을 들 수 있다.The reflective layer is disposed on the conductive substrate. The reflective layer reflects light emitted from the active layer upwards. The reflective layer is a conductive layer. Thus, the reflective layer connects the conductive substrate to the first conductive semiconductor layer. Examples of the material used as the reflective layer include metals such as silver or aluminum.
상기 제 1 도전형 반도체층은 상기 반사층 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 GaN층 일 수 있다.The first conductivity type semiconductor layer is disposed on the reflective layer. The first conductivity type semiconductor layer has a first conductivity type. The first conductivity type semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer. For example, the first conductivity type semiconductor layer may be an n-type GaN layer.
상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.The second conductivity type semiconductor layer is disposed on the first conductivity type semiconductor layer. The second conductive semiconductor layer may face the first conductive semiconductor layer and may be a p-type semiconductor layer. The second conductivity type semiconductor layer may be, for example, a p-type GaN layer.
상기 활성층은 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된다. 상기 활성층은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.The active layer is interposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer. The active layer has a single quantum well structure or a multi quantum well structure. The active layer may be formed by a period of an InGaN well layer and an AlGaN barrier layer or a period of an InGaN well layer and a GaN barrier layer, and the light emitting material of the active layer may vary depending on an emission wavelength, for example, a blue wavelength, a red wavelength, a green wavelength, or the like. .
상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층 상에 배치된다. 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층에 접속된다.The second electrode is disposed on the second conductive semiconductor layer. The second electrode is connected to the second conductive semiconductor layer.
이와는 다르게, 상기 발광칩(430)은 수평형 LED일 수 있다. 이때, 수평형 LED를 상기 제 1 리드 전극(210)에 접속시키기 위해서, 추가적인 배선이 필요할 수 있다.Alternatively, the
상기 발광칩(430)은 상기 제 1 리드 전극(210)에 범프 등에 의해서 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(220)에는 와이어에 의해서 연결될 수 있다. 특히, 상기 발광칩(430)은 상기 제 1 리드 전극(210) 상에 직접 배치될 수 있다.The
또한, 이와 같은 접속 방식에 한정되지 않고, 상기 발광칩(430)은 와이어 본딩, 다이 본딩, 또는 플립 본딩 방식 등에 의해서, 상기 리드 전극들(421, 422)에 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the
상기 충진재(440)는 상기 캐비티(C) 내에 배치된다. 상기 충진재(440)는 상기 발광칩(430)을 덮는다. 상기 충진재(440)는 상기 캐비티(C)의 내면에 밀착될 수 있다.The
상기 캡핑부(450)는 상기 캐비티(C)를 덮는다. 상기 캡핑부(450)는 상기 충진재(440)를 덮을 수 있다. 상기 캡핑부(450)는 상기 몸체부(410)와 기구적으로 결합될 수 있다. 상기 캡핑부(450)는 상기 충진재(440) 또는 상기 몸체부(410)에 접착될 수 있다. 상기 캡핑부(450)는 투명하며, 상면은 볼록하고, 하면은 오목할 수 있다. 상기 캡핑부(450)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다.The
상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 캡핑부(450)의 하면에 코팅될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 충진재(440) 및 상기 캡핑부(450) 사이에 배치될 수 있다. 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 충진재(440)의 상면 및 상기 캡핑부(450)의 하면에 접착될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 충진재(440)의 상면에 코팅된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 접착 부재(50)에 의해서 상기 캡핑부(450)의 하면 및 상기 충진재(440)의 상면에 접착된다.The
이와는 다르게, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 충진재(440) 내에 배치될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 충진재(440)에 균일하게 분산될 수 있다.Alternatively, as shown in FIG. 5, the
상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광칩(430)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광칩(430)으로부터 출사되는 광의 일부를 제 1 파장의 광으로 변환시키고, 다른 일부를 제 2 파장의 광으로 변환시킬 수 있다.The
예를 들어, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광칩(430)으로부터 출사되는 청색 광을 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광칩으로부터 출사되는 청색 광을 적색 광으로 변환시킬 수 있다.For example, the
이에 따라서, 상기 발광칩(430)으로부터 출사되는 청색 광의 일부는 변환되지 않고, 출사된다. 상기 청색 광의 다른 일부는 상기 파장 변환 복합체들(1)에 의해서 녹색 광으로 변환된다. 또한, 상기 청색 광의 다른 일부는 상기 파장 변환 복합체들(1)에 의해서, 적색 광으로 변환될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)는 전체적으로 백색 광을 출사할 수 있다.Accordingly, a part of the blue light emitted from the
앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 향상된 신뢰성 및 내구성을 가진다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 그 자체로, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)의 다양한 위치에 적용될 수 있다.As described above, the
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)는 용이하게 제조될 수 있고, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가진다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)의 변성이 효과적으로 억제될 수 있으므로, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(400)는 향상된 색재현성을 장기간 유지할 수 있다.
Accordingly, the light emitting
도 6은 제 5 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해사시도이다. 도 7은 확산 시트를 도시한 단면도이다. 도 8은 확산 시트의 다른 예를 도시한 단면도이다. 도 9는 발광다이오드 패키지 및 도광판을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞선 파장 변환 복합체 및 발광다이오드 패키지를 참조한다. 즉, 앞선 파장 변환 복합체 및 발광다이오드 패키지에 대한 설명은 본 액정표시장치에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.6 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to a fifth embodiment. 7 is a cross-sectional view showing the diffusion sheet. 8 is a cross-sectional view showing another example of the diffusion sheet. 9 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package and a light guide plate. In this embodiment, reference is made to the wavelength converting composite and the light emitting diode package. That is, the foregoing description of the wavelength conversion composite and the light emitting diode package may be essentially combined with the description of the present liquid crystal display.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 백라이트 유닛(30) 및 액정패널(40)을 포함한다.6 to 9, the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment includes a
상기 백라이트 유닛(30)은 상기 액정패널(40)에 광을 출사한다. 상기 백라이트 유닛(30)은 면 광원으로 상기 액정패널(40)의 하면에 균일하기 광을 조사할 수 있다.The
상기 백라이트 유닛(30)은 상기 액정패널(40) 아래에 배치된다. 상기 백라이트 유닛(30)은 바텀 커버(100), 도광판(200), 반사시트(300), 다수 개의 발광다이오드 패키지들(400), 인쇄회로기판(401), 다수 개의 광학 시트들(500)을 포함한다.The
상기 바텀 커버(100)는 상부가 개구된 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(100)는 상기 도광판(200), 상기 발광다이오드 패키지들(400), 상기 인쇄회로기판(401), 상기 반사시트(300) 및 상기 광학 시트들(500)을 수용한다.The
상기 도광판(200)은 상기 바텀 커버(100) 내에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 반사시트(300) 상에 배치된다. 상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드 패키지들(400)로부터 입사되는 광을 전반사, 굴절 및 산란을 통하여 상방으로 출사한다.The
상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200) 및 상기 바텀 커버(100)의 바닥면 사이에 배치된다. 상기 반사시트(300)는 상기 도광판(200)의 하부면으로부터 출사되는 광을 상방으로 반사시킨다.The
상기 발광다이오드 패키지들(400)은 상기 도광판(200)의 일 측면에 배치된다. 상기 발광다이오드 패키지들(400)은 광을 발생시켜서, 상기 도광판(200)의 측면을 통하여, 상기 도광판(200)에 입사시킨다.The light emitting
상기 발광다이오드 패키지들(400)의 자세한 구성은 앞선 실시예에서의 발광다이오드 패키지(400)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서, 앞선 실시예에서 설명한 바와 같이, 상기 발광다이오드 패키지들(400)은 백색 광을 발생시킨다.The detailed configuration of the light emitting
이때, 각각의 발광다이오드 패키지(400)에 포함된 발광칩(430)은 광원에 해당된다. 또한, 각각의 발광다이오드 패키지(400)에 포함된 다수 개의 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광칩(430)으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다.At this time, the
상기 발광다이오드 패키지들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)에 실장된다. 상기 발광다이오드 패키지들(400)은 상기 인쇄회로기판(401) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드 패키지들(400)은 상기 인쇄회로기판(401)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting
상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드 패키지들(400)에 전기적으로 연결된다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 발광다이오드 패키지들(400)을 실장할 수 있다. 상기 인쇄회로기판(401)은 상기 바텀 커버(100) 내측에 배치된다.The printed
상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200)의 상면으로부터 출사되는 광의 특성을 변화 또는 향상시켜서, 상기 광을 상기 액정패널(40)에 공급한다.The
상기 광학 시트들(500)은 확산 시트(501), 제 1 프리즘 시트(502) 및 제 2 프리즘 시트(503)일 수 있다.The
상기 확산 시트(501)는 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 더 자세하게, 상기 확산 시트(501)는 상기 도광판(200) 및 상기 제 1 프리즘 시트(502) 사이에 개재될 수 있다. 상기 확산 시트(501)는 입사되는 광의 균일도를 향상시켜서 상방으로 출사할 수 있다.The
상기 제 1 프리즘 시트(502)는 상기 확산 시트(501) 상에 배치된다. 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 상기 제 1 프리즘 시트(502) 상에 배치된다. 상기 제 1 프리즘 시트(502) 및 상기 제 2 프리즘 시트(503)는 통과하는 광의 직진성을 증가시킨다.The
상기 액정패널(40)은 상기 광학시트들(500)상에 배치된다. 또한, 상기 액정패널(40)은 패널 가이드(43) 상에 배치된다. 상기 액정패널(40)은 상기 패널 가이드(43)에 의해서 가이드될 수 있다.The
상기 액정패널(40)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(40)은 상기 백라이트 유닛(30)으로부터 출사되는 광을 사용하여, 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(40)은 TFT기판(41), 컬러필터기판(42), 두 기판들 사이에 개재되는 액정층을 포함한다. 또한, 상기 액정패널(40)은 편광필터들을 포함한다.The
도면에는 도시되지 않았지만, 상기 TFT기판(41) 및 컬러필터기판(42)을 상세히 설명하면, 상기 TFT기판(41)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터기판(22)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in the drawings, the
액정패널(40)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(45)가 구비된다.A driving
상기 구동 PCB(45)는 COF(Chip on film, 44)에 의해 액정패널(40)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(44)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving
도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광다이오드 패키지들(400)에 포함되지 않고, 상기 광학 시트(500)들 또는 상기 도광판에 배치될 수 있다.As shown in FIGS. 7 to 9, the
여기서, 상기 발광다이오드 패키지들(400)은 청색 광을 발생시키거나, 자외선을 발생시킬 수 있다. 이때, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 발광다이오드 패키지들(400)로부터 출사되는 청색 광 또는 자외선의 파장을 변환시킨다.Here, the light emitting
예를 들어, 상기 발광다이오드 패키지들(400)이 청색 광을 발생시키는 경우, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 청색 광의 일부를 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드 패키지들(400)이 자외선을 출사하는 경우, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 자외선을 청색 광, 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다.For example, when the light emitting
도 7에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 확산 시트(501)의 하면에 코팅될 수 있다. 상기 파장 변환 복합체들(1)은 접착 부재(50)에 의해서 상기 확산 시트(501)의 하면에 접착될 수 있다. 상기 접착 부재(50)는 투명하다. 상기 접착 부재(50)로 사용되는 물질의 예로서는 아크릴계 수지 또는 에폭시계 수지 등을 들 수 있다.As shown in FIG. 7, the
이와는 다르게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 확산 시트(501)의 상면에도 코팅될 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 제 1 프리즘 시트(502)의 상면 또는 하면에 코팅될 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 제 2 프리즘 시트(503)의 상면 또는 하면에 코팅될 수 있다.Alternatively, the
또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 확산 시트(501) 내에 배치될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 확산 시트(501) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 확산 시트(501)와 일체화될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 8, the
이와는 다르게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 제 1 프리즘 시트(502) 내에 배치될 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 제 2 프리즘 시트(503) 내에 배치될 수 있다.Alternatively, the
도 9에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 도광판(200) 및 상기 발광다이오드 패키지들(400) 사이에 개재될 수 있다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 접착 부재(50)에 의해서, 상기 도광판(200)의 입사면에 코팅될 수 있다.As shown in FIG. 9, the
이와는 다르게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 도광판(200) 내에 배치될 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 도광판(200) 내에 균일하게 분산될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 상기 도광판(200)의 상면에 코팅될 수 있다.Alternatively, the
앞서 설명한 바와 같이, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 향상된 신뢰성 및 내구성을 가진다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)은 실시예에 따른 액정표시장치의 다양한 위치에 적용될 수 있다.As described above, the
따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 용이하게 제조될 수 있고, 향상된 신뢰성 및 내구성을 가진다. 또한, 상기 파장 변환 복합체들(1)의 변성이 효과적으로 억제될 수 있으므로, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 색재현성을 장기간 유지할 수 있다.Therefore, the liquid crystal display device according to the embodiment can be easily manufactured and has improved reliability and durability. In addition, since the denaturation of the
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.
Claims (19)
일 끝단으로 상기 파장 변환 입자에 결합되는 리간드; 및
상기 리간드의 다른 끝단에 결합되어, 상기 파장 변환 입자 주위에 배치되는 보호막을 포함하는 파장 변환 복합체.Wavelength converting particles comprising a nanocrystalline core and a nanocrystalline shell surrounding the nanocrystalline core;
A ligand bound to the wavelength conversion particle at one end; And
A wavelength conversion composite comprising a protective film coupled to the other end of the ligand, disposed around the wavelength conversion particle.
상기 보호막은 폴리머를 포함하는 파장 변환 복합체.The method of claim 1, wherein the wavelength conversion particle comprises a quantum dot,
The protective film is a wavelength conversion composite containing a polymer.
상기 나노 결정 껍질은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 또는 VI족 화합물 반도체를 포함하는 파장 변환 복합체.The method of claim 4, wherein the nanocrystalline core comprises a Group II compound semiconductor, a Group III compound semiconductor, a Group V compound semiconductor, or a Group VI compound semiconductor,
The nanocrystal shell includes a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, or a group VI compound semiconductor.
상기 보호막의 두께는 10㎚ 내지 100㎚인 파장 변환 복합체.The method of claim 1, wherein the diameter of the wavelength conversion particles is 1nm to 10nm,
The protective film has a thickness of 10nm to 100nm wavelength conversion composite.
상기 발광부로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 파장 변환 복합체들을 포함하고,
각각의 파장 변환 복합체는
나노 결정 코어 및 상기 나노 결정 코어를 둘러싸는 나노 결정 껍질을 포함하는 파장 변환 입자;
일 끝단으로 상기 파장 변환 입자에 결합되는 리간드; 및
상기 리간드의 다른 끝단에 결합되어, 상기 파장 변환 입자 주위에 배치되는 보호막을 포함하는 발광 소자.A light emitting portion; And
It includes a plurality of wavelength conversion composite for converting the wavelength of the light emitted from the light emitting portion,
Each wavelength converting complex
Wavelength converting particles comprising a nanocrystalline core and a nanocrystalline shell surrounding the nanocrystalline core;
A ligand bound to the wavelength conversion particle at one end; And
A light emitting device coupled to the other end of the ligand, comprising a protective film disposed around the wavelength conversion particle.
상기 캐비티에 충진되고, 상기 발광부를 덮는 충진재를 포함하고,
상기 파장 변환 입자들은 상기 충진재 내에 배치되는 발광 소자.The apparatus of claim 9, further comprising: a body portion having a cavity accommodating the light emitting portion; And
A filler filled in the cavity and covering the light emitting part;
The wavelength conversion particles are disposed in the filler.
상기 캐비티에 충진되고, 상기 발광부를 덮는 충진재를 포함하고,
상기 파장 변환 입자들은 상기 충진재의 외부면에 배치되는 발광 소자.The apparatus of claim 9, further comprising: a body portion having a cavity accommodating the light emitting portion; And
A filler filled in the cavity and covering the light emitting part;
The wavelength conversion particles are disposed on the outer surface of the filler.
상기 광원으로부터 출사되는 광의 파장을 변환시키는 다수 개의 파장 변환 복합체들; 및
상기 파장 변환 복합체들로부터 출사되는 광이 입사되는 표시패널을 포함하고,
각각의 파장 변환 복합체는
나노 결정 코어 및 상기 나노 결정 코어를 둘러싸는 나노 결정 껍질을 포함하는 파장 변환 입자;
일 끝단으로 상기 파장 변환 입자에 결합되는 리간드; 및
상기 리간드의 다른 끝단에 결합되어, 상기 파장 변환 입자 주위에 배치되는 보호막을 포함하는 표시장치.Light source;
A plurality of wavelength converting composites for converting wavelengths of light emitted from the light source; And
A display panel to which light emitted from the wavelength conversion composites is incident;
Each wavelength converting complex
Wavelength converting particles comprising a nanocrystalline core and a nanocrystalline shell surrounding the nanocrystalline core;
A ligand bound to the wavelength conversion particle at one end; And
And a protective layer coupled to the other end of the ligand and disposed around the wavelength conversion particle.
상기 파장 변환 복합체들은 상기 광학 시트 내에 배치되는 표시장치.The display device of claim 12, further comprising an optical sheet disposed below the display panel.
And the wavelength conversion composites are disposed in the optical sheet.
상기 파장 변환 복합체들은 상기 광학 시트의 상면 또는 하면에 코팅되는 표시장치.The display device of claim 12, further comprising an optical sheet disposed below the display panel.
The wavelength conversion composites are coated on the top or bottom of the optical sheet.
상기 파장 변환 복합체들은 상기 도광판 및 상기 광원 사이에 개재되는 표시장치.The display device of claim 12, further comprising a light guide plate disposed under the display panel.
The wavelength conversion composites are interposed between the light guide plate and the light source.
상기 파장 변환 입자 주위에 배치되고, 폴리머를 포함하는 제 1 보호막; 및
상기 제 1 보호막 주위에 배치되고, 무기 물질을 포함하는 제 2 보호막을 포함하는 표시장치.The method of claim 12, wherein the protective film
A first protective film disposed around the wavelength conversion particle and comprising a polymer; And
And a second passivation layer disposed around the first passivation layer and comprising an inorganic material.
상기 파장 변환 입자에 리간드의 일 끝단을 결합시키고,
상기 리간드의 다른 끝단에 보호막을 결합시켜, 상기 파장 변환 입자의 주위에 상기 보호막을 형성하는 것을 포함하는 파장 변환 복합체를 형성하는 방법.Providing a wavelength conversion particle comprising a nanocrystalline core and a nanocrystalline shell surrounding the nanocrystalline core,
Binding one end of a ligand to the wavelength converting particle,
Bonding a protective film to the other end of the ligand to form the protective film around the wavelength conversion particle.
상기 보호막을 형성하는 것은,
상기 파장 변환 입자의 주위에서 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 결합시키는 반응을 진행시키고,
상기 반응을 중지시키는 것을 포함하는 파장 변환 복합체를 형성하는 방법.The method of claim 17,
Forming the protective film,
A reaction for binding a monomer, oligomer or polymer in the vicinity of the wavelength conversion particle,
Forming a wavelength converting composite comprising stopping the reaction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110054623A KR101251811B1 (en) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110054623A KR101251811B1 (en) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120135736A KR20120135736A (en) | 2012-12-17 |
| KR101251811B1 true KR101251811B1 (en) | 2013-04-09 |
Family
ID=47903385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110054623A KR101251811B1 (en) | 2011-06-07 | 2011-06-07 | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101251811B1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9842960B2 (en) | 2014-10-01 | 2017-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing nanostructure semiconductor light-emitting device |
| US11906846B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method therefor |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101975989B1 (en) * | 2017-03-09 | 2019-08-28 | 주식회사 지엘비젼 | Quantum Dot, Film and Lighting device |
| KR102085912B1 (en) * | 2018-12-06 | 2020-03-06 | 주식회사 아이에스티이 | Nano porous structure for display package and method of manufacturing the structure |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006321966A (en) * | 2004-09-28 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | Fluorescent structural body, superfine particle structural body and composite, and light emitting device and light emitting device assembly |
| KR20080110357A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | 미래나노텍(주) | Color correcting optical sheet |
| WO2009058173A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Eastman Kodak Company | Making colloidal ternary nanocrystals |
| JP2009231569A (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Citizen Holdings Co Ltd | Led light source and its chrominance adjusting method |
-
2011
- 2011-06-07 KR KR1020110054623A patent/KR101251811B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006321966A (en) * | 2004-09-28 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | Fluorescent structural body, superfine particle structural body and composite, and light emitting device and light emitting device assembly |
| KR20080110357A (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | 미래나노텍(주) | Color correcting optical sheet |
| WO2009058173A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Eastman Kodak Company | Making colloidal ternary nanocrystals |
| JP2009231569A (en) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Citizen Holdings Co Ltd | Led light source and its chrominance adjusting method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9842960B2 (en) | 2014-10-01 | 2017-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing nanostructure semiconductor light-emitting device |
| US11906846B2 (en) | 2020-09-16 | 2024-02-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120135736A (en) | 2012-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9778409B2 (en) | Optical member, display device, and light emitting device having the same | |
| US10247871B2 (en) | Optical sheet, display device and light emitting device having the same | |
| US9574744B2 (en) | Optical member, display device and light emitting device having the same | |
| KR101326938B1 (en) | Optical member and display device having the same | |
| KR101251811B1 (en) | Wavelength transforming complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101855991B1 (en) | Display device | |
| KR101870443B1 (en) | Optical member and display device having the same | |
| KR101870445B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101862873B1 (en) | Optical member, light emitting device and display device | |
| KR101956079B1 (en) | Light emitting device and display device | |
| KR101327090B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101382974B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101210068B1 (en) | Optical member, display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101934419B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101294545B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101877485B1 (en) | Light converting member, light emitting device and display device having the same | |
| KR101326892B1 (en) | Optical member, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101360643B1 (en) | Light converting member, light emitting device and display device having the same | |
| KR101283130B1 (en) | Display device | |
| KR101327027B1 (en) | Light converting complex, light emitting device and display device having the same and method of fabricating the same | |
| KR101812338B1 (en) | Optical member and display device having the same and method of fabricating the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160304 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180306 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190313 Year of fee payment: 7 |