KR101324289B1 - Gas distribution plate in substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가스분배부의 열팽창 및 열수축을 수용할 수 있는 열팽창 수용수단을 설치하여, 가스분배부와 연결 지지대의 손상을 방지하는 기판처지장치의 가스분배판에 관한 것으로, 플라즈마 전극; 상기 플라즈마 전극에 연결되는 연결 지지대; 상기 연결 지지대 상에 다수의 열팽창 수용수단을 개재하여 거치되는 가스분배판;을 포함한다. The present invention relates to a gas distribution plate of a substrate positioning apparatus for installing a thermal expansion receiving means that can accommodate thermal expansion and thermal contraction of the gas distribution unit, thereby preventing damage to the gas distribution unit and the connecting support, the plasma electrode; A connection support connected to the plasma electrode; And a gas distribution plate mounted on the connection support via a plurality of thermal expansion receiving means.
가스분배판, 열팽창, 구름수단 Gas distribution plate, thermal expansion, rolling means
Description
도 1은 종래기술의 기판처리장치에 대한 개략도. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus of the prior art.
도 2 내지는 도 4는 종래기술의 기판처리장치에서 가스분배부와 플라즈마 전극의 연결상태도2 to 4 is a state diagram of the connection between the gas distribution unit and the plasma electrode in the substrate processing apparatus of the prior art
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도5 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention;
도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배부의 단면도6 is a cross-sectional view of the gas distribution unit according to the first embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치된 가스분배부와 지지대의 단면도7 is a cross-sectional view of the gas distribution unit and the support provided with rolling means according to the first embodiment of the present invention
도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치된 가스분배부의 사시도8 is a perspective view of a gas distribution unit provided with rolling means according to the first embodiment of the present invention;
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치되는 가스분배부의 평면도9 is a plan view of a gas distribution unit in which rolling means is installed according to a first embodiment of the present invention;
도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 지지대의 평면도10 is a plan view of the support on which the movement path of the rolling means according to the first embodiment of the present invention is installed;
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배부의 열팽창 이 전 및 이후의 구름수단의 이동 경로도 11A and 11B are diagrams illustrating movement paths of rolling means before and after thermal expansion of the gas distribution unit according to the first embodiment of the present invention;
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배부의 사시도12 is a perspective view of a gas distribution unit according to a second embodiment of the present invention.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배부의 평면도13 is a plan view of a gas distribution unit according to a second embodiment of the present invention.
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가스분배부의 사시도14 is a perspective view of a gas distribution unit according to a third embodiment of the present invention.
도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가스분배부의 평면도15 is a plan view of a gas distribution unit according to a third embodiment of the present invention.
도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 연결 지지대의 평면도16 is a plan view of the connecting support on which the movement path of the rolling means according to the third embodiment of the present invention is installed;
도 17은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가스분배부의 사시도17 is a perspective view of a gas distribution unit according to the fourth embodiment of the present invention.
도 18a 내지는 도 18c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가스분배부의 평면도18A to 18C are plan views of a gas distribution unit according to a fourth embodiment of the present invention.
도 19는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 연결 지지대의 평면도19 is a plan view of the connecting support on which the movement path of the rolling means according to the fourth embodiment of the present invention is installed;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Description of the Related Art [0002]
10 : 기판처리장치 11 : 챔버10
12 : 기판안치대 13 : 가스분배부12: substrate support 13: gas distribution
15 : 플라즈마 전극 16 : 버퍼공간 15
26 : 연결 지지대 30 : 구름수단26: connection support 30: rolling means
31 : 차단판 33 : 이동경로31: blocking plate 33: movement path
본 발명은 기판처리장치의 가스분배판에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가스분배부의 열팽창 및 열수축을 수용할 수 있는 열팽창 수용수단을 설치하여, 가스분배부와 연결 지지대의 손상을 방지하는 기판처지장치의 가스분배판에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas distribution plate of a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate disposition apparatus for installing a thermal expansion receiving means capable of accommodating thermal expansion and thermal contraction of a gas distribution portion, thereby preventing damage to the gas distribution portion and the connection support. It relates to a gas distribution plate of.
일반적으로 반도체 및 평면표시장치를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각(etching)공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행되며, 기판처리장치의 내부로 원료물질을 분사하는 가스분배부를 통하여 가스 공급이 이루어진다. 그리고 평면표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display, LCD), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel: PDP) 등이 있다. In general, to manufacture semiconductor and flat panel display devices, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or hiding selected areas of the thin films using a photosensitive material, and removing the thin film of the selected area Etching (patterning) process to pattern as desired, each of these processes is carried out inside the substrate processing apparatus designed to the optimum environment for the process, the gas distribution to inject the raw material into the substrate processing apparatus Gas supply is made through the unit. The flat panel display includes a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), and the like.
이러한 증착, 식각 등의 공정은 원료물질의 종류나 박막 특성에 따라 다양한 방식으로 진행될 수 있으며, 최근에는 저온공정이 가능하고 막질이 우수한 장점 때문에 플라즈마를 이용하는 방법이 많이 사용된다. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치는 플라즈마 발생방법에 따라서 CCP(Capacitively Coupled Plasma)장치와 ICP(Inductively Coupled Plasma)장치로 구분된다. CCP장치에서는 서로 대향하 는 전극 사이에 형성되는 RF전기장에 의하여 가속된 전자가 중성기체와 충돌하여 플라즈마가 발생하며, ICP장치에서는 챔버 외부에 설치된 안테나에 의하여 챔버 내부에 형성되는 유도전기장에 의하여 플라즈마가 발생한다. Processes such as deposition and etching can be carried out in various ways depending on the type of raw material or the characteristics of the thin film. Recently, a method using a plasma is widely used because of the advantages of low temperature process and excellent film quality. An apparatus for processing a substrate using plasma is classified into a capacitively coupled plasma (CCP) device and an inductively coupled plasma (ICP) device according to a plasma generation method. In the CCP apparatus, plasma is generated by electrons accelerated by RF electric fields formed between opposite electrodes to the neutral gas, and in ICP apparatus, plasma is generated by an induction electric field formed inside the chamber by an antenna installed outside the chamber. Occurs.
그리고. 반도체 또는 평판표시장치가 대면적을 추구하면서, PECVD 공정으로 사용하는 기판처리장치에서 사용하는 가스분배부의 면적도 증가하는 추세이지만, 가스분배부의 열팽창 및 열수축을 원할하게 흡수하지 못하여, 가스분배부와 지지대의 손상이 발생하고, 가스분배부의 평탄도 확보의 저해요인으로 작용하며, 가스분배부의 교체주기가 빨라지게 되어 생산비용을 증가시키는 문제가 있다. And. As semiconductors or flat panel displays pursue large areas, the area of gas distribution used in the substrate processing apparatus used in the PECVD process is also increasing. However, since the thermal expansion and thermal contraction of the gas distribution cannot be absorbed smoothly, Damage to the support occurs, acts as a factor in securing the flatness of the gas distribution unit, there is a problem that the replacement cycle of the gas distribution portion is faster to increase the production cost.
도 1은 종래기술의 기판처리장치에 대한 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus of the prior art.
도 1은 CCP타입의 플라즈마 발생장치로서 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정 물질을 증착시키는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치(10)의 개략적인 구성을 나타낸 것이다.1 illustrates a schematic configuration of a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
반응공간을 형성하는 챔버(11)의 내부에 기판(S)을 안치하는 기판안치대(12)가 설치되고, 기판안치대(12)의 상부에는 다수의 분사홀(13a)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배부(13)가 설치되며, 챔버(11)의 하부에는 배기구(21)가 형성된다. 챔버(11)의 상부는 알루미늄 재질의 플라즈마 전극(15)에 의해 밀폐되며, 플라즈마 전극(15)은 RF전원(19)에 연결되고, 플라즈마 전극(15)과 RF전원(19)의 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(20)가 설치된다. A substrate table 12 for holding a substrate S is provided in a
가스분배부(13)는 버퍼공간(16)을 사이에 두고 플라즈마 전극(15)의 연결지 지대(26)에 거치되거나 고정된다. 플라즈마 전극(15)에 RF전원(19)이 인가되면 플라즈마 전극(15)의 연결 지지대(26)에 거치되는 가스분배부(13)가 하부의 기판안치대(12)와 대향하는 전극의 역할을 하게 된다. 플라즈마 전극(15)의 중앙에는 버퍼공간(16)과 연통되는 가스공급관(17)이 연결되며, 버퍼공간(16)은 가스공급관(17)을 통해 유입된 원료물질을 가스분배부(13)의 상부에서 미리 확산시킴으로써 챔버(11) 내부로 원료물질이 균일하게 분사되도록 하는 역할을 한다. 버퍼공간(16)의 내부에는 원료물질의 확산을 보조하기 위하여 가스공급관(17)의 출구 전방에 배플(18)을 설치하기도 한다.The
도 2 내지는 도 4는 종래기술의 기판처리장치에서 가스분배부와 플라즈마 전극의 연결상태도를 나타낸 것으로, 버퍼공간(16)을 사이에 두고 가스분배부(13)를 플라즈마 전극(15)과 거치 또는 고정시키기 위하여, 도 2와 같이, 가스분배부(13)의 측면에는 절곡부를 가지는 연결부(14)가 형성되고, 연결부(14)를 플라즈마 전극(15)와 지지대(25)의 사이에 삽입 또는 고정시킨다. 한편 도 3과 같이 가스분배부(13)가 플라즈마 전극(15)의 단부와 연결되어 있는 연결부(24)에 볼트 결합되거나, 도 4와 같이 가스분배부(13)가 플라즈마 전극(15)의 단부에 연결되어 있고, 가스분배부(13)의 내측으로 절곡되어 있는 연결 지지대(26)에 거치된다.2 to 4 are diagrams illustrating a connection state of the gas distribution unit and the plasma electrode in the substrate processing apparatus of the prior art, wherein the
상기와 같은 기판처리장치(10)는 200 ~ 500℃ 정도의 고온에서 공정이 진행되고, 알루미늄 재질의 가스분배부(13)에서 열팽창과 열수축이 반복적으로 발생하 게 된다. 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축으로 인해, 가스분배부(13)는 가스분배부(13)을 고정 및 거치시키는 연결 지지대(26)와의 마찰에 의해 접촉면에서 스크래치와 같은 흠집 및 이물질의 발생과, 공정진행 과정에서 원하지 않는 아킹(arcing)이 발생하고, 장시간 경과 후에, 가스분배부(13)와 연결 지지대(26)가 파손된다. 따라서, 가스분배부(13) 및 연결 지지대(26)의 파손은 가스분배부(13)의 평탄도 확보의 저해요인으로 작용하고, 가스분배부(13)의 교체주기가 빨라지게 되어 생산비용을 증가시키게 된다. In the
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 가스분배부의 열팽창 및 열수축을 흡수할 수 있는 열팽창 수용수단을 설치하여, 가스분배부와 연결 지지대의 손상을 방지하는 기판처리장치의 가스분배판를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve this problem, to provide a gas distribution plate of the substrate processing apparatus to prevent damage to the gas distribution unit and the connecting support by providing a thermal expansion receiving means that can absorb the thermal expansion and thermal contraction of the gas distribution unit. The purpose.
본 발명은 가스분배부의 모서리 부분을 직각 또는 경사면으로 절개하고,절개면에 열팽창 수용수단을 설치하여, 별도의 면적을 점유하지 않도록 하는 기판처리장치의 가스분배판를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a gas distribution plate of a substrate processing apparatus which cuts a corner portion of the gas distribution part at a right angle or an inclined surface and installs thermal expansion receiving means on the cut surface so as not to occupy a separate area.
본 발명은 가스분배부의 측면의 중앙부에 열팽창 수용수단을 설치하여, 열팽창 및 열수축을 원활하게 수용할 수 있는 기판처리장치의 가스분배판를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다. It is another object of the present invention to provide a gas distribution plate of a substrate processing apparatus which is provided with a thermal expansion receiving means at a central portion of the side surface of the gas distribution portion, and which can accommodate thermal expansion and thermal contraction smoothly.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 가스분배판은, 플라즈마 전극; 상기 플라즈마 전극에 연결되는 연결 지지대; 상기 연결 지지대 상에 다수의 열팽창 수용수단을 개재하여 거치되는 가스분배부;를 포함한다.In order to achieve the above object, the gas distribution plate of the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, the plasma electrode; A connection support connected to the plasma electrode; And a gas distribution unit mounted on the connection support via a plurality of thermal expansion receiving means.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 열팽창 수용수단은 상기 가스분배부의 열팽창 및 열수축에 대하여 상기 연결 지지대로부터 상기 가스분배부가 윤활가능한 구름수단인 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the thermal expansion receiving means is a rolling means capable of lubricating the gas distribution portion from the connection support against thermal expansion and thermal contraction of the gas distribution portion.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 구름수단은 상기 가스분배부 또는 상기 연결 지지대에 설치되는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the rolling means is installed on the gas distribution unit or the connecting support.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 구름수단은 점 접촉 수단 또는 선 접촉 수단인 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the rolling means is a point contact means or a line contact means.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 점 접촉 수단은 볼 베어링이고, 상기 선 접촉 수단은 롤러인 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the point contact means is a ball bearing, and the line contact means is a roller.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 연결 지지대와 상기 가스분배부의 외주연에 차단판이 개재되어 있는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, a blocking plate is interposed on the outer periphery of the connection support and the gas distribution unit.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 가스분배부는 모서리의 원형을 유지하는 제 1 사각형, 모서리를 직각으로 절개한 제 2 사각형, 및 모서리를 경사면으로 절개한 제 3 사각형 중 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 한다. In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the gas distribution portion is one of the first rectangle to maintain the circular shape of the corner, the second rectangle cut at a right angle to the corner, and the third rectangle cut to the inclined surface at the corner It is characterized by using it.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 가스분배부가 상기 제 1 사각형과 상기 제 2 사각형인 경우, 상기 사각형의 모서리의 횡측면 및 종측면의 각각에 상기 구름수단을 설치되고, 상기 가스분배부가 상기 제 3 사각형인 경우, 상기 경사면에 상기 구름수단이 설치되는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, when the gas distribution unit is the first quadrangle and the second quadrangle, the rolling means is provided on each of the transverse side and the longitudinal side of the corner of the quadrangle. When the gas distribution unit is the third quadrangle, the rolling means is provided on the inclined surface.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 가스분배부의 상기 모서리의 사이의 중앙 측면에 상기 구름수단을 설치하는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the rolling means is provided on the central side between the corners of the gas distribution portion.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 가스분배부에 상기 구름수단이 설치되는 경우, 상기 연결 지지대에 상기 구름수단의 이동방향을 제어하는 이동경로가 설치되는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, when the rolling means is installed in the gas distribution unit, a movement path for controlling the moving direction of the rolling means is provided on the connection support.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 이동경로는 상기 연결 지지대의 상부에 음각되어 있는 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the movement path is engraved on the upper portion of the connection support.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 이동경로는 상기 구름수단의 폭보다 넓은 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the movement path is wider than the width of the rolling means.
상기와 같은 기판처리장치의 가스분배판에 있어서, 상기 가스분배부는 원형 또는 사각형인 것을 특징으로 한다.In the gas distribution plate of the substrate processing apparatus as described above, the gas distribution unit is characterized in that the circular or rectangular.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이다. 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배부의 단면도이고, 도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치된 가스분배부와 지지대의 단면도이고, 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치된 가스분배부의 사시도이고, 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단이 설치되는 가스분배부의 평면도이고, 도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 지지대의 평면도이고, 도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배부의 열팽창 이전 및 이후의 구름수단의 이동 경로도이다.5 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 6 is a cross-sectional view of the gas distribution unit according to the first embodiment of the present invention, FIG. 7 is a cross-sectional view of the gas distribution unit and the support on which the rolling means according to the first embodiment of the present invention is installed, and FIG. 9 is a perspective view of a gas distribution unit in which rolling means is installed according to an embodiment, and FIG. 9 is a plan view of a gas distribution unit in which rolling means is installed according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 10 is according to a first embodiment of the present invention. 11A and 11B are diagrams showing the movement paths of the rolling means before and after thermal expansion of the gas distribution unit according to the first embodiment of the present invention.
이하에서는 도 1과 동일한 부분은 동일한 명칭 및 부호를 사용하는 한편 중복을 피하기 위하여 이에 대한 자세한 설명을 생략하기로 한다.Hereinafter, the same parts as in FIG. 1 use the same names and symbols, and detailed description thereof will be omitted to avoid duplication.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치(10)은 가스분배부(13)을 플라즈마 전극(15)의 하부에 설치하는 점에서는 종래기술과 공통되며, 가스분배부(13)의 설치방법은 종래기술의 도 2 내지는 도 4와 유사하다. 그리고 본 발명의 제 1 실시예에서는 도 4와 같이 가스분배부(13)가 플라즈마 전극(15)의 단부에 연결되고 있고 가스분배부(13)의 내측으로 절곡되어 있는 연결 지지대(26)에 거치되어 있는 형태를 중심으로 설명한다. The
도 5 및 도 6과 같이, 가스분배부(13)는 플라즈마 전극(15)의 단부에 연결되어 있고 가스분배부(13)의 내측으로 절곡되어 있는 연결 지지대(26)에 열팽창 수용수단인 구름수단(30)을 개재하여 거치된다. 도 7과 같이, 가스분배부(13)에 설치되어 있는 구름수단(30)으로 인해 가스분배부(13)과 연결 지지대(26)는 종래기술과 같이 직접적으로 접촉하는 것이 아니고, 가스분배부(13)과 연결 지지대(26)는 일정 간격으로 이격되어 있어 구름수단(30)이 이동할 수 있는 공간을 확보하게 된다. 그리고 가스공급관(17)에서 공급되는 공정가스가 누설될 수 있어, 연결 지지대(26)의 상부에 가스분배부(13)과 직접 접촉하는 차단판(31)을 설치한다. 차단판(31)은 가스분배부(13)의 외주연을 따라 연결 지지대(26)의 상부에 형성되며, 차단판(31)과 중첩되는 가스분배부(13)와 연결 지지대(26)의 영역은 열팽창 및 열수축을 수용할 수 있는 폭을 가진다. 그리고 가스분배부(13)에 열팽창 수용수단이 설치되는 영역에 구름수단(30)은 필요에 따라 두 개 이상 설치할 수 있다. 또한 가스분배부(13)의 처짐 등에 따라 연결 지지대(26)과 직접적인 접촉에 의해 열팽창 및 열수축에 의해 가스분배부(13)과 연결 지지대(26)에 손상이 발생하는 않도록, 적절한 간격으로 구름수단(30)을 설치한다. 5 and 6, the
가스분배부(13)은 필요에 따라 원형 또는 사각형 등의 형태로 설치될 수 있으며, 도 8및 도 9와 같이, 가스분배부(13)가 사각형으로 설치되는 경우, 가스분배부(13)의 각각의 측면의 양끝단에 구름수단(30)을 돌출시켜 설치한다. 그리고 열팽창 수용수단이 설치되는 영역에는 필요에 따라 구름수단(30)을 하나 또는 두 개 이상을 설치할 수 있다. 그리고 가스분배부(13)에 설치되는 구름수단(30)의 열팽창 수용영역을 확보하기 위하여, 도 10과 같이, 연결 지지대(26)의 상부에 구름수단(30)과 대응되는 이동경로(33)를 설치한다. 이동경로(33)는 연결 지지대(26)의 표면을 음각한 요부형태이다. 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축에 대하여, 구름수단(30)은 이동경로(33)를 따라 제어되며, 이탈이 방지된다. The
그리고, 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축은 일방향으로 이루어지는 것이 아니고, 가스분배부(13)의 중심부로부터 방사선 방향으로 이루어지기 때문에, 도 11a 및 도 11b와 같이 이동경로(33)는 구름수단(30)의 열수축 상태(34)에서 구름수단(30)의 열팽창 상태(35)로 이동할 때, 구름수단(30)의 이동방향은 직선이 아닌 방사선으로 설정된다. 따라서 이동경로(33)는 구름수단(30)의 폭보다 넓게 형성하여 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축에 대하여 원활하게 윤활되도록 한다. 도 11a는 횡축방향으로 이동하는 구름수단(30)의 이동경로(33)를 도시한 것이고, 도 11b는 종축방향으로 이동하는 구름수단(30)의 이동경로(33)를 도시한다. Since the thermal expansion and thermal contraction of the
또한 열팽창 수용수단인 구름수단(30)이 플라즈마 전극(15)과 연결되어 있는 연결 지지대(26)에 설치되고, 구름수단(30)의 이동방향을 제어하는 이동경로(33)가 가스분배부(13)에 설치될 수 있다. 그리고, 구름수단(30)은 이동경로(33)에서 가스분배부(13) 또는 연결 지지대(26)와 점 접촉하는 볼 베어링 또는 선 접촉하는 롤러 등으로 구성할 수 있다. In addition, the rolling means 30, which is a thermal expansion receiving means, is installed on the
도 12는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배부의 사시도이고, 도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배부의 평면도이다.12 is a perspective view of a gas distribution unit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 13 is a plan view of a gas distribution unit according to a second embodiment of the present invention.
본 발명의 제 2 실시예에서는, 가스분배부(13)에 설치되는 열팽창 수용수단인 구름수단(30)이 돌출되어 별도의 면적을 점유하지 않도록 하기 위하여, 가스분 배부(13)의 모서리에서 직각으로 절개한 측면에 구름수단(30)을 설치한다. 도면에는 도시되지 않았지만, 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게, 가스분배부(13)의 단부에는 연결 지지대(26)와 직접적으로 접촉하는 차단판이 설치되어 있어, 가스공급관(17)으로부터 공급되는 공정가스의 누설을 차단한다. In the second embodiment of the present invention, in order to prevent the rolling means 30, which is a thermal expansion receiving means installed in the
도 14는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가스분배부의 사시도이고, 도 15는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 가스분배부의 평면도이고, 도 16은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 연결 지지대의 평면도이다.14 is a perspective view of a gas distribution unit according to a third embodiment of the present invention, FIG. 15 is a plan view of a gas distribution unit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a rolling means according to a third embodiment of the present invention. Is a plan view of the connecting support on which the movement path of the is installed.
본 발명의 제 3 실시예에서는, 반도체 또는 평판표시장치가 대면적을 추구하면서, 기판처리장치에서 사용하는 가스분배부의 면적도 증가하는 경우에 적당하며, 가스분배부(13)의 확장에 따라, 열팽창 및 열수축에 따라 가스분배부(13)의 원활한 이동을 위하여, 가스분배부(13)의 측면의 중앙에도 구름수단(30)을 설치한다. 측면의 중앙에 설치되는 구름수단(30)이 점 접촉하는 볼 베어링인 경우는 가스분배부(13)의 측면 중앙의 내부에 삽입하고, 구름수단(30)이 선 접촉하는 롤러인 경우는 가스분배부(13)의 측면 중앙을 절개한 중앙부(36)를 형성하고, 구름수단(30)을 삽입하여 설치한다. 그리고, 본 발명의 제 1실시예와 동일하게, 도면에는 도시되지 않았지만, 가스분배부(13)의 단부에는 연결 지지대(26)와 직접적으로 접촉하는 차단판이 설치되어 있어, 가스공급관(17)으로부터 공급되는 공정가스의 누설을 차단한다. 또한 도 16과 같이, 가스분배부(13)의 측면 중앙에 설치되어 있는 구름수단(30)을 포함하여, 연결 지지대(26)에는 모든 구름수단(13)의 이동방향을 제어하 는 이동경로(33)를 설치한다.In the third embodiment of the present invention, while the semiconductor or flat panel display device pursues a large area, it is suitable when the area of the gas distribution portion used in the substrate processing apparatus also increases, and as the
도 17은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가스분배부의 사시도이고, 도 18a 내지는 도 18c는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 가스분배부의 평면도이고, 도 19는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 구름수단의 이동경로가 설치된 연결 지지대의 평면도이다.17 is a perspective view of a gas distribution unit according to a fourth embodiment of the present invention, FIGS. 18A to 18C are plan views of a gas distribution unit according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a fourth embodiment of the present invention. A plan view of the connecting support is installed along the movement path of the rolling means.
본 발명의 제 4 실시예에서는, 가스분배부(13)에 설치되는 열팽창 수용수단인 구름수단(30)이 돌출되어 별도의 면적을 점유하지 않도록 하기 위하여, 가스분배부(13)의 모서리에서 절개한 경사면(37)에 구름수단(30)을 설치한다. 그리고, 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축은 일방향으로 이루어지는 것이 아니고, 가스분배부(13)의 중심부로부터 방사선 방향으로 이루어지기 때문에, 가스분배부(13)의 모서리 경사면(37)에 구름수단(30)을 설치하는 것에 의해, 가스분배부(13)의 열팽창 및 열수축을 용이하게 수용할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게, 가스분배부(13)의 단부에는 연결 지지대(26)와 직접적으로 접촉하는 차단판이 설치되어 있어, 가스유입관으로부터 공급되는 공정가스의 누설을 차단한다. In the fourth embodiment of the present invention, in order to prevent the rolling means 30, which is a thermal expansion receiving means installed in the
그리고 도 18b와 같이, 가스분배부(13)의 경사면(37)에 하나의 구름수단(30)을 직접 연결하여 설치하거나, 도 18a와 같이, 구름수단(30)을 두 개 이상 설치할 수 있고, 도 18c와 같이, 경사면(37)에 구름수단 지지부(38)를 연결하고, 구름수단 지지부(38)에 두 개의 구름수단(30)을 설치할 수 있다. 한편 도 19와 같이, 가스분 배부(13)의 구름수단(30)과 대응되는 이동경로(33)가 연결 지지대(26)의 상부에 설치된다. And as shown in FIG. 18B, one cloud means 30 is directly connected to the
첫 번째, 가스분배부의 열팽창 및 열수축을 흡수할 수 있는 열팽창 수용수단을 설치하여, 가스분배부와 연결 지지대의 손상을 방지하여, 기판분배부의 교체주기를 짧게 하고, 기판분배부의 평탄도 확보를 용이하게 하는 효과가 있다. First, by installing thermal expansion means for absorbing the thermal expansion and thermal contraction of the gas distribution unit, to prevent damage to the gas distribution unit and the connecting support, shorten the replacement cycle of the substrate distribution unit, and easy to secure the flatness of the substrate distribution unit It's effective.
두 번째, 가스분배부의 모서리 부분을 직각 또는 경사면으로 절개하고,절개면에 열팽창 수용수단을 설치하여, 별도의 면적을 점유하지 않도록 하는 기판처리장치의 가스분배부를 형성할 수 있는 효과가 있다. Secondly, the edge portion of the gas distribution part is cut at right angles or inclined surfaces, and thermal expansion receiving means is installed on the cut surface to form a gas distribution part of the substrate processing apparatus so as not to occupy a separate area.
세 번째, 가스분배부의 측면의 중앙부에 열팽창 수용수단을 설치하여, 열팽창 및 열수축을 원활하게 수용할 수 있는 효과가 있다. Third, by installing the thermal expansion receiving means in the center of the side of the gas distribution, there is an effect that can accommodate the thermal expansion and thermal contraction smoothly.
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