KR101313877B1 - 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 - Google Patents

소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 Download PDF

Info

Publication number
KR101313877B1
KR101313877B1 KR1020120073901A KR20120073901A KR101313877B1 KR 101313877 B1 KR101313877 B1 KR 101313877B1 KR 1020120073901 A KR1020120073901 A KR 1020120073901A KR 20120073901 A KR20120073901 A KR 20120073901A KR 101313877 B1 KR101313877 B1 KR 101313877B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source material
source
vessel
container
heating member
Prior art date
Application number
KR1020120073901A
Other languages
English (en)
Inventor
이용의
이명기
김언정
Original Assignee
주식회사 유니텍스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 유니텍스 filed Critical 주식회사 유니텍스
Priority to KR1020120073901A priority Critical patent/KR101313877B1/ko
Priority to PCT/KR2013/006051 priority patent/WO2014007594A1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101313877B1 publication Critical patent/KR101313877B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Abstract

본 발명은 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너는, 적어도 일부에 가스 분산 공간을 한정하는 내벽 및 상기 가스 분산 공간과 외부를 연통시키는 가스 배출 유로를 포함하는 용기; 소스 재료를 수용하는 베셀 부재; 상기 소스 재료의 상부 표면의 적어도 일부에 인접하게 배치되고 상기 소스 재료의 상기 상부 표면에 대향하는 제 1 표면 및 상기 제 1 표면에 반대되고 상기 가스 분산 공간과 접하는 제 2 표면을 갖는 가열 부재; 및 상기 베셀 부재 및 상기 가열 부재 중 어느 하나에 결합되어, 기상 증착 공정 동안 상기 소스 재료의 감량에 따라 증가하는 상기 소스 재료의 상부 표면과 상기 가열 부재의 제1 표면 사이의 거리를 감소시키도록, 상기 베셀 부재 또는 상기 가열 부재를 이동시키는 구동 모듈을 포함한다.

Description

소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로{Source container and reactor for vapor phase deposition}
본 발명은 기상 증착 기술에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반응로에서 박막을 형성하기 위해 소스 재료를 저장하는 소스 컨테이너 및 이를 포함하는 기상 증착용 반응로에 관한 것이다.
반도체 제조 장치 또는 디스플레이 제조 장치에서, 화학기상증착(CVD), 원자층 증착(ALD) 또는 유기 기상증착(OVPD 또는 응축 코팅)과 같은 기상 증착 방법으로 박막을 형성하기 위한 반응로에는 별도로 마련된 소스 컨테이너가 종종 사용된다. 상기 소스 컨테이너 내에는 고상 또는 액상 소스 재료가 장입될 수 있으며, 상기 소스를 가열되면, 상기 고상 또는 액상 소스 재료가 기화 및/또는 승화하여 소스 컨테이너 내에서 기상 전구체가 발생되고, 상기 가상 전구체는 적합한 운반 가스에 의해 상기 반응로로 전달될 수 있다. 
일반적으로, 소스 재료의 가열을 위한 가열 부재는 소스 컨테이너의 측벽이나 바닥부에 매립된다. 상기 가열 부재에 의해 발생한 기상 전구체는 소스 컨테이너 내부의 혼합 공간에서 운반 가스와 혼합된다. 이와 같이 가열 부재가 소스 컨테이너의 측벽 또는 바닥부에 매립된 소스 컨테이너에서는, 기상 전구체를 얻기 위하여, 기상 증착 공정 동안 소스 컨테이너 내부에 수용된 소스 재료의 전체 부피가 가열된다. 그 결과, 승화 또는 기화되지 못한 채 기상 증착 공정 동안 가열되는 소스 재료의 일부가 변성되어 제조된 소자에 불량을 초래할 수 있다. 또한, 불필요한 가열로 인하여, 열에너지의 낭비가 문제된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 소스 재료의 변질과 열에너지의 낭비없이 소스 재료를 가열하여 기상 증착 공정에서 사용될 수 있는 기상 전구체를 생성할 수 있는 소스 컨테이너를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 이점을 갖는 소스 컨테이너를 포함하는 기상 증착용 반응로를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너는, 적어도 일부에 가스 분산 공간을 한정하는 내벽 및 상기 가스 분산 공간과 외부를 연통시키는 가스 배출 유로를 포함하는 용기; 상기 용기의 내벽과 함께 상기 용기를 밀폐하고 소스 재료를 수용하는 베셀 부재; 상기 소스 재료의 상부 표면의 적어도 일부에 인접하게 배치되고 상기 소스 재료의 상기 상부 표면에 대향하는 제 1 표면 및 상기 제 1 표면에 반대되고 상기 가스 분산 공간과 접하는 제 2 표면을 갖는 가열 부재; 및 상기 베셀 부재 및 상기 가열 부재 중 어느 하나에 결합되어, 기상 증착 공정 동안 상기 소스 재료의 감량에 따라 증가하는 상기 소스 재료의 상부 표면과 상기 가열 부재의 제1 표면 사이의 거리를 감소시키도록, 상기 베셀 부재 또는 상기 가열 부재를 이동시키는 구동 모듈을 포함한다.
일부 실시예에서, 상기 가열 부재는 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면으로 연장된 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 플레이트를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 관통홀의 종횡비는 1 내지 200의 범위 내일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 가열 부재의 상기 제 1 표면은 상기 가열 부재의 중심부로부터 방사상으로 상기 소스 재료의 상부 표면과 점차 가까워지도록 오목하게 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 가열 부재는 상기 복수의 관통홀들에 대응하여 상기 제 2 표면으로부터 상기 가스 분산 공간으로 연장된 노즐부들을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 소스 재료의 양을 감지하는 소스량 감지부; 및 상기 소스량 감지부와 전기적으로 연결되어 상기 소스 재료의 양을 모니터링하고, 상기 소스 재료의 감량에 따라 상기 구동 모듈을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 소스량 감지부는 적어도 하나의 로드셀 또는 압력센서를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 구동 모듈은, 상기 베셀 부재에 결합되어 상기 베셀 부재를 지지하는 구동축; 및 상기 구동축을 직선운동 또는 회전시켜 상기 베셀 부재를 승하강시키는 동력부를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 베셀 부재는 상기 소스 재료의 하부에 배치되어 소스 수용 공간을 한정할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 베셀 부재는 상기 가열 부재의 측면을 따라 연장된 측벽을 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 구동 모듈은, 상기 가열 부재에 결합되어 상기 가열 부재를 지지하는 구동축; 및 상기 구동축을 직선운동 또는 회전시켜 상기 가열 부재를 승하강시키는 동력부를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 베셀 부재는 지지부; 및 상기 지지부 상에 상기 관통홀에 삽입 가능하고 상기 소스 재료를 수용하기 위한 격벽부를 포함할 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 용기는 상기 가스 분산 공간 내부로 운반 가스를 인입하기 위한 가스 인입 유로를 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 가스 인입 유로는 상기 용기의 측벽부를 관통하여 상기 가스 분산 공간으로 연장될 수 있다.
일부 실시예에서, 상기 소스 재료는 액상 또는 고상일 수 있다. 일부 실시예에서, 상기 소스 재료는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 가질 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기상 증착 반응로는 전술한 소스 컨테이너와 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 용기 내부에서 소스 재료에 인접하도록 가열 부재를 배치하고, 소스 재료가 기화 및/또는 승화되는 기상 증착 공정 동안 소스 재료 또는 가열 부재가 상대적으로 접근하도록 이동시킴으로써, 동적 가열 방식을 채택하여 장시간 가열로 인한 소스 재료의 변성을 방지하고, 공정에 적합한 기상 전구체 가스를 안정적으로 공급하면서 열에너지의 낭비를 감소시켜 생산성을 증대시킬 수 있는 소스 컨테이너 및 상기 이점을 갖는 기상 증착용 반응로가 제공될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시한 단면도들이다. 
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가열 부재의 사시도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 가열 부재들을 도시한 단면도들이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 베셀 부재를 포함하는 소스 컨테이너를 도시한 단면도들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너를 도시한 단면도들이다. 
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.  오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는" 는 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다.  본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다.  또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및/또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
본 명세서에서 제 1, 제 2 등의 용어가 다양한 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들 및/또는 부분들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안됨은 자명하다.  이들 용어는 하나의 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 다른 영역, 층 또는 부분과 구별하기 위하여만 사용된다.  따라서, 이하 상술할 제 1 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분은 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제 2 부재, 부품, 영역, 층 또는 부분을 지칭할 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 소스 컨테이너(100)를 도시한 단면도들이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(200)를 도시하는 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 가열 부재의 사시도이다. 방향은 직교 좌표계에 의해 나타냈으며, x 방향은 도면 용지에 수직한 방향을 나타낸다.
도 1a를 참조하면, 소스 컨테이너(100)는 용기(10) 및 용기(10)의 내부와 외부를 연통시키기 위한 유로들(13, 15)을 포함할 수 있다.  용기(10)는 z 방향의 중심 축을 갖는 원통형일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 횡방향(x 또는 y 방향) 또는 종방향(z 방향)의 축을 갖는 타원체이거나 구일 수 있다.
용기(10)는 복수의 파트들로 구성될 수 있다. 이들 파트들은 소스 재료(SM)의 장입과 주기적인 세정을 위해 이들 복수의 파트들은 서로 탈부착될 수 있도록 구성될 수 있다.  예를 들면, 용기(10)는 바닥부(10_1), 측벽부(10_2) 및 뚜껑부(10_3)와 같이 3 개의 독립된 파트들로 구성되거나, 용기(10)의 바닥부(10_1)와 측벽부(10_2)가 일체화될 수도 있다. 그러나, 용기(10)를 구성하는 파트들의 개수는 예시적이며, 본 발명이 이에 의해 한정된 것은 아니다.  예를 들면, 용기(10)는 4 개 이상의 독립된 파트들로 구성될 수도 있을 것이다.  이들 파트들은 볼트/너트, 조인트, 및/또는 클램프와 같은 체결 부재들(11) 또는 이들 사이의 나사산 결합이나 플랜지 구조에 의해 서로 결합되어 기계적인 결합 강도를 유지하거나, 기밀을 유지하기 위한 실링 부재(미도시)를 필요로 할 수도 있다. 
용기(10)의 일부 또는 전체의 재료는 스텐레스 스틸, 알루미늄, 티타늄, 구리와 같은 금속 재료, 내부의 관측이 가능한 석영, 유리와 같은 재료 또는 단열 효과를 갖는 세라믹과 같은 재료 중 어느 하나 또는 이들의 조합으로부터 선택될 수 있으며, 본 발명이 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
소스 컨테이너(100)에 사용하기에 적합한 소스 재료(SM)는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 갖는 액상 또는 고상 재료로서, 기상 증착에 적합한 유기 분자, 공역 중합체, 유기 금속 착물 또는 무기물 소스 재료일 수 있으며, 예를 들면, C27H18AlN3O3(ALQ3) 및 N, N'-Bis(naphthalene-1-yl)-N, N'-bis(phenyl)benzidine(NPB)와 같은 공지의 물질일 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 예를 들면, 유기 발광 소자, 전기화학전지, 광전도성 전지, 광저항기, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브의 제조를 위한 임의의 유기 소스 재료가 사용될 수 있다.
용기(10)는 가스 분산 공간(V1)을 한정하는 내벽(10W)을 포함한다. 일부 실시예에서, 용기(10)의 각 파트들(10_1, 10_2, 10_3) 중 측벽부(10_2) 및 뚜껑부(10_3)의 내벽(10W2, 10W3)이 가스 분산 공간(V1)을 정의할 수 있다. 가스 분산 공간(V1)은 소스 재료(SM)가 기화 및/또는 승화하여 발생한 기상 전구체인 증기가 채워지는 영역이다.  가스 분산 공간(V1)에서는 용기(10)의 내부로 인입된 운반 가스와 상기 기상 전구체인 증기가 혼합된 혼합 가스가 생성될 수 있다.
일부 실시예에서, 베셀 부재(20)의 상면은, 도 1에 도시된 바와 같이, 용기의 측벽부(10_2)의 내벽과 함께 소스 재료(SM)를 수용하는 소스 수용 공간(V2)을 정의할 수 있다. 소스 수용 공간(V2)은 소스 재료(SM)가 축적될 수 있는 영역이다. 증착 공정에 의해 소스 재료(SM)가 소모됨에 따라 소스 수용 공간(V2)의 체적은 감소될 수 있다. 일부 실시예에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 소스 수용 공간(V2)이 베셀 부재(20)의 이동에 따라 그 용적이 가감될 수 있다.
용기(10)는 가스 분산 공간(V1)과 외부를 연통시키는 가스 배출 유로(13)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 운반 가스를 사용하는 경우에는, 가스 분산 공간(V1) 내부로 운반 가스를 인입하기 위한 가스 인입 유로(15)를 더 포함할 수도 있다. 상기 운반 가스는 소스 컨테이너(100)로부터 증착 프로세스가 일어나는 반응로(미도시)로 소스 재료(SM)로부터 발생한 기상 전구체를 전달하기 위한 기상 유체이다.  상기 운반 가스는, 예를 들면, 헬륨, 질소 및 아르곤과 같은 비활성 가스, 또는 산소, 오존 및 이산화탄소와 같은 반응성 가스일 수 있으며, 필요에 따라 사용되는 소스 재료의 응축을 방지하기 위하여 가열되어 공급될 수도 있다. 
가스 분산 공간(V1) 내부로 인입된 상기 운반 가스는 가스 분산 공간(V1)으로 확산된 소스 재료(SM)의 기상 전구체와 혼합되어 가스 배출 유로(13)를 통하여 반응로로 전달된다.  상기 반응로는, 예를 들면, 액체 또는 고체 소스 재료로부터 발생한 증기 또는 이의 반응 생성물의 증착에 의해 소자층이 형성되는 메모리 또는 로직 회로와 같은 반도체 소자 제조를 위한 기상 증착 장치, 또는 유기 EL(또는 유기 발광 다이오드(OLED)라고도 함)와 같은 디스플레이 소자의 제조를 위한 기상 증착 장치일 수 있다.  그러나, 이는 예시적이며, 소스 재료(SM)에 따라 광전 기전을 갖는 다른 소자들, 예를 들면, 전기화학전지, 광전도성 전지, 광저항기, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브에도 적용될 수 있을 것이다. 
일부 실시예에서, 가스 인입 유로(15)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 용기(10)의 외부로부터 측벽부(10_2)를 관통하여 가스 분산 공간(V1)으로 연장될 수 있다. 이 경우, 가스 인입 유로(15)는 측벽부(10_2)의 내벽(10W2)으로부터 횡방향(x 또는 y 방향)으로 가스 분산 공간(V1)에 노출될 수 있다.  그러나, 다른 실시예에서, 가스 인입 유로(15)는 용기의 뚜껑부(10_3)를 관통하여, 또는 용기(10)의 바닥부(10_1)를 관통하고 소스 수용 공간(V2)을 경과하여 가스 분산 공간(V1)으로 연장될 수도 있을 것이다. 베셀 부재(20)는 용기의 내벽(10W)의 일부 또는 전부와 함께 용기(10)를 밀폐하고 소스 재료(SM)를 수용한다. 베셀 부재(20)는 소스 재료(SM)의 하부에 배치되어 소스 수용 공간(V2)을 한정할 수 있다. 예를 들면, 베셀 부재(20)는 수용되는 소스 재료(SM)를 지지하면서 용기(10)의 바닥부(10_1) 상부에 배치된 플레이트일 수 있다. 다른 실시예에서, 베셀 부재는 용기의 바닥부(10_1)를 대체할 수 있다. 이에 관하여는 도 8 및 도 9를 참조하여 설명하기로 한다.
소스 컨테이너(100)는 용기(10)의 내부에 열공급을 위하여, 온도 제어기에 의해 제어되는 가열 부재를 포함한다.  가열 부재는 용기(10)의 몸체에 매립되지 않고, 용기(10)의 내부 공간에서 소스 재료(SM)에 인접하게 배치되어, 별도의 열전달 부재를 거치지 않고 소스 재료(SM)를 직접적으로 가열하여 기화 또는 승화시킨다. 가열 부재의 적어도 일부분은 소스 재료(SM)에 접촉될 수 있고, 또는 소스 재료(SM)로부터 미세한 간격으로 이격될 수도 있다. 일부 실시예에서, 가열 부재는 일종의 저항 히터로서, 금속성 열전도체 내에 열선이 매립된 구조를 가질 수 있다. 또는, 가열 부재는 유도 가열에 의해 가열될 수 있는 금속체이거나 내부에 금속체를 수용한 절연체일 수도 있다. 유도 가열의 경우, 용기(10)의 외부에 유도 가열을 위한 코일이 제공될 수도 있다. 전술한 가열 방식은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들면, 가열 부재는 복사 히터 또는 순환유체 히터일 수도 있다.
가열 부재는 열전도율이 높은 금속성 재질로 구성되는 것이 바람직하며, 내화학성을 함께 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 가열 부재는 알루미늄, 스테인리스, 구리와 같은 금속 재료 및 이를 포함하는 합금으로 제작될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, SiC 발열체, 그라파이트 발열체, 또는 실리콘 질화물 발열체, 몰리브데늄 발열체와 같은 다른 재료일 수도 있다. 또한, 상기 가열 부재는 Al2O3, ZnO2 및 쿼츠와 같은 금속 산화물로 형성할 수도 있다. 일부 실시예에서는, 상기 가열 부재는 상기 금속 재료 표면에 상기 금속 산화물이 코팅된 것과 같은 복합체일 수도 있다. 상기 코팅된 복합체는 유기 물질이 직접 가열 부재에 접촉하지 않도록 하여 소스 재료의 변성을 방지하거나 오염을 방지하는 오염 방치체로서 기능할 수도 있다. 또 다른 실시예에서는, 오염 방지체와 직접적 소스 재료의 접촉을 방지하기 위하여 소스 재료에 인접하는 가열 부재의 표면에 상기 금속 산화물과 같은 코팅 재료를 성형하여 부착시킬 수도 있다.
일부 실시예에서, 가열 부재는, 도 3에 도시된 바와 같이, 다수의 관통홀(H)이 형성된 플레이트 형상의 히팅 블록(30)일 수 있다.  플레이트 형상의 히팅 블록(30)은 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)에 대향하는 제 1 표면(FS) 및 상기 제 1 표면(FS)에 반대되고 가스 분산 공간(V1)과 접하는 제 2 표면(SS)을 갖는다. 히팅 블록(30)에 의해 가스 분산 공간(V1)과 소스 수용 공간(V2)이 서로 분리되고, 히팅 블록(30)의 관통홀(H)에 의해 가스 분산 공간(V1)과 소스 수용 공간(V2)이 서로 연통한다. 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)에 대향하는 제 1 표면(FS)에 의해 소스 재료(SM)의 상부 표면 부근(MSM)이 국지적으로 가열될 수 있다. 그 결과, 소스 재료(SM)의 상부 표면 부근(MSM)을 제외한 대부분의 영역에서 소스 재료(SM)는 가열되지 않고 프레시 상태로 존재할 수 있다.
관통홀(H)은 가스 분산 공간(V1)의 온도에 비하여 더 큰 온도를 갖는 국지적으로 가열된 열적 공간을 제공할 수 있다. 소스 재료(SM)로부터 발생한 기상 전구체는 상기 관통홀(H)을 통과하면서 부피 팽창을 경험하게 되며, 부피 팽창된 기상 전구체는 관통홀(H)을 떠나면서 가스 분산 공간(V1)으로 분사된다. 이러한 분사 효과에 의해 관통홀(H)은 노즐과 유사한 기능을 할 수 있으며, 분사된 기상 전구체의 열 에너지는 가스 분산 공간(V1)에서 운동 에너지로 변환되어, 가스 분산 공간(V1) 내에서 기상 전구체가 운반 가스와 균일하게 혼합될 수 있도록 한다. 노즐 효과를 위한 관통홀(H)의 폭과 길이에 의해 정의되는 종횡비(길이/폭)는 1 내지 200의 범위를 가질 수 있다.
다시 도 1a를 참조하면, 일부 실시예에서, 히팅 블록(30)은 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)에 인접하도록 용기(10)의 측벽부(10_2)에 고정 결합된다. 이를 위하여, 히팅 블록(30)은 측벽부(10_2)의 내벽(10W2) 중간 지점에, 예를 들면, 용접, 나사산 체결 또는 볼트/너트와 같은 체결 부재를 이용하여 체결되거나, 측벽부(10_2)의 일부와 일체화될 수도 있다.
다른 실시예에서, 히팅 블록(30)은 구동 모듈(40)의 일부와 결합되어 용기(10)의 내부 공간에서 이동 가능하도록 구성될 수 있다. 이에 관하여는 도 8 및 도 9를 참조하여 설명하기로 한다. 또 다른 실시예에서, 히팅 블록(30)은 복수개로 마련되어 소스 수용 공간(V2)과 가스 분산 공간(V1)을 각각 가열하도록 독립적으로 제공될 수도 있다.  도 1a에 도시된 히팅 블록(30)의 위치, 개수 및 형상은 예시적이며, 그 구조는 다양하게 변형될 수 있다. 
또한, 도시하지는 않았지만, 용기(10) 내부의 공간들(V1, V2) 또는 용기(10) 자체의 온도를 측정하기 위한 열전쌍, 써미스터 또는 적외선 열감지 센서와 같은 다른 적합한 온도 센서가 부설될 수 있으며, 특히 적외선 열감지 센서를 위해 용기(10)에는 광학적으로 투명한 윈도우가 제공될 수도 있다.
도 1a와 함께 도 1b를 참조하면, 소스 컨테이너(100)는 베셀 부재(20) 및 가열 부재(30) 중 어느 하나에 결합되어, 베셀 부재(20) 또는 가열 부재(30)를 이동시키는 구동 모듈(40)을 포함한다. 일부 실시예에서, 구동 모듈(40)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 베셀 부재(20)와 결합되어 용기(10) 내에서 종방향(z 방향)으로 베셀 부재(20)를 이동시킬 수 있다.
기상 증착 공정 동안 히팅 블록(30)에 의해 가열된 소스 재료(SM)는 기화 및/또는 승화되어 그 양이 지속적으로 감소한다. 소스 재료(SM)의 감량에 따라 소스 재료(SM)와 소스 재료(SM)에 인접한 히팅 블록(30) 사이의 거리는 점차 증가하게 된다. 구동 모듈(40)은 기상 증착 공정 동안 소스 재료(SM)의 감량에 따라 증가하는 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)과 히팅 블록(30)의 제1 표면(FS) 사이의 거리를 감소시키도록, 베셀 부재(20)를 이동시킨다. 그에 따라, 프레시 상태로 잔류하는 소스 재료(SM)가 기상 증착 공정 동안 지속적으로 공급될 수 있게 되며, 소스 재료(SM)의 상부 표면 부근(MSM)에 국지적인 가열 상태가 지속적으로 유지되어, 소스 재료(SM)의 열화 없이 일정한 양의 기상 전구체를 얻을 수 있게 된다.
구동 모듈(40)은 베셀 부재(20)에 결합되어 베셀 부재(20)를 지지하는 구동축(41)과, 구동축(41)을 직선운동 또는 회전시켜 상기 베셀 부재(20)를 승하강시키는 동력부(43)를 포함할 수 있다. 동력부(43)는 용기(10)의 외부에 배치될 수 있다. 구동축(41)은 용기(10)의 바닥부(10_1)를 관통하여 베셀 부재(20)에 연결될 수 있다. 그러나, 이는 예시적이며, 용기(10)의 측벽부(10_2)와 베셀 부재(20)에 의해 소스 수용 공간(V2)의 밀폐 상태가 얻어질 수 있다면, 바닥부(10_1)는 생략될 수도 있으며, 베셀 부재(20) 자체가 움직이는 용기(10)의 바닥부를 구성할 수 있다. 동력부(43)는 전원과 연결되어 동력을 제공하는 모터(미도시), 상기 모터와 연동되는 각종 기어 및 풀리를 포함할 수 있다.
소스 재료(SM)의 변화되는 양은 후술되는 소스량 감지부(50)에 의해 센싱될 수 있고, 동력부(43)는 후술되는 제어부(60)에 의해 제어될 수 있다. 구동 모듈(40)에 의해 소스 재료(SM)를 지지하는 베셀 부재(20)가 들어 올려짐에 따라, 소스 재료(SM)는 용기(10)에 고정된 히팅 블록(30) 측에 가까워지고, 소스 재료(SM)의 상부 표면은 히팅 블록(30)의 제 1 표면(FS)과의 거리가 감소될 수 있다. 구동 모듈(40)의 구성 및 형상은 본 실시예에 한정되지 아니하고 베셀 부재(20)의 승하강 동작을 위한 다양한 변형예를 가질 수 있다.
소스 컨테이너(100)는 소스 재료(SM)의 양을 감지하는 소스량 감지부(50)와, 유출된 소스 재료(SM)만큼 베셀 부재(20) 또는 히팅 블록(30)를 이동시키도록 구동 모듈(40)을 제어하는 제어부(60)를 더 포함할 수 있다. 소스량 감지부(50)는 예를 들면, 압력센서를 포함할 수 있다. 상기 압력센서는 용기(10) 내부 공간에 충진된 가스의 압력을 감지할 수 있다.
상기 압력센서는 가스 분산 공간(V1)의 압력을 측정할 수 있도록 가스 분산 공간(V1)에 접하도록 용기(10)의 측벽부(10_2)에 설치될 수 있다. 기상 증착 공정 동안 소스 재료(SM)의 감량에 따라 소스 재료(SM)와 히팅 블록(30) 사이의 거리가 증가하면, 소스 재료(SM)의 기화 및/또는 승화 속도가 느려지면서 가스 분산 공간(V1) 내의 증기압이 감소된다. 상기 압력센서는 감지된 증기압의 변화량에 따른 전기적 신호를 생성하고 이를 제어부(60)에 제공할 수 있다.
다른 실시예에서, 도 2를 참조하면, 소스량 감지부(50)는 소스 재료(SM)를 수용하는 베셀 부재(20)의 하중을 감지하는 로드셀(51)을 포함할 수 있다. 상기 로드셀(51)은 힘(Force)이나 하중(Load) 등의 물리량을 전기적 신호로 변환시켜 힘이나 하중을 측정하는 하중감지센서(Transducer)를 포함한다. 상기 로드셀(51)은 로드 단자가 베셀 부재(20)의 하면과 접하도록 설치될 수 있다. 상기 로드셀(51)은 하나이거나 도 2에 도시된 바와 같이 2 개 이상의 복수개로 구성될 수 있다. 상기 로드셀(51)의 지지를 위해 구동축(41)에 결합된 별도의 지지판(52)이 더 요구될 수 있다. 기상 증착 공정 동안 소스 재료(SM)가 감소되면, 상기 로드셀(51)은 감지된 하중의 변화량에 따른 전기적 신호를 생성하고 이를 제어부(60)에 제공할 수 있다. 전술한 소스량 감지부(50, 51)의 종류, 구조 및 개수는 예시적이며, 본 발명이 이에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 소스량 감지부(50, 51)는 도 2에 도시된 바와 같이 압력센서와 로드셀을 모두 포함하는 조합 형태를 가질 수도 있다.
제어부(60)는 소스량 감지부(50, 51)와 전기적으로 연결되고, 소스량 감지부(50, 51)에 의해 감지된 증기압 또는 하중의 변화량에 기초하여 용기(10)에 수용된 소스 재료(SM)의 잔량을 모니터링한다. 기상 증착 공정 동안 소스 재료(SM)의 감량에 따라 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)과 히팅 블록(30)의 제 1 표면(FS) 사이의 거리는 증가한다. 제어부(60)는 소스 재료(SM)의 감량이 판단되면, 즉각적으로 또는 설정된 기준값을 넘어설 경우, 베셀 부재(20)를 히팅 블록(30) 쪽으로 상승 이동시키도록 구동 모듈(40)을 제어한다. 제어부(60)는 소스 재료(SM)의 감량으로 인한 소스 재료(SM)의 높이(h)의 감소분만큼 베셀 부재(20) 또는 히팅 블록(30)을 이동시킨다. 베셀 부재(20)의 이동에 의해, 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)과 히팅 블록(30)의 제 1 표면(FS) 사이의 거리가 일정하게 유지될 수 있다.
제어부(60)는 소스량 감지부(50, 51) 및 구동 모듈(40)과 전기적 배선을 통해 연결되며, 용기(10)의 일 측면에 구비되거나, 또는 용기(10)로부터 분리된 별도의 구성, 예컨대, 소스 컨테이너(100)를 포함하는 기상 증착 반응로의 제어 시스템에 구비되거나, 제어 시스템의 제어부가 이를 겸비할 수 있다.
제어부(60)는 소스 컨테이너(100) 또는 소스 컨테이너(100)를 포함하는 기상 증착 반응로의 전반적인 제어를 수행할 수 있다. 제어부(60)는 전자제어장치(ECU: Electronic Control Unit) 또는 마이크로제어장치(MCU: Micro Control Unit)와 같은 하드웨어 또는 이들 하드웨어에서 실행되는 소프트웨어이거나, 이들이 결합된 집합적인 것일 수도 있다. 일부 실시예에서, 제어부(60)는 신호 증폭 및/또는 노이즈 필터링을 위한 유닛들을 더 포함하거나 외부에 별개의 마련된 유닛들과 서로 연결될 수 있다.
일부 실시예에서, 제어부(60)는 소스량 감지부(50)에 의해 감지된 용기(10)의 증기압 또는 하중의 변화량으로부터 산술적 연산 또는 미리 저장된 데이터 테이블을 통해 소스 재료(SM)의 감량을 도출할 수 있다. 또한, 공정이 진행됨에 따라 소스 재료의 양이 일정한 비율로 감소하게 되므로, 공정 누적 시간이 고려될 수 있다. 따라서, 소스 재료(SM)의 감량을 검출하기 위한 파라미터는 증기압, 하중, 온도 및 공정 누적 시간 중 어느 하나 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 이와 같이, 제어부(60)는 소스량 감지부(50)를 이용하여 다양한 방식으로 소스 재료(SM)의 감량을 도출할 수 있으며, 본 발명이 이에 의해 제한되는 것은 아니다.
소스 컨테이너(100)는 표시부(미도시)를 더 포함할 수도 있다. 표시부는 제어부(60)에 의해 도출된 소스 재료(SM)의 잔량 또는 소스 재료의 교체 시기 및 압력과 같은 소스 컨테이너 내부의 정보를 알아냄으로써 공정 관리를 효과적으로 하기 위해 소스 재료(SM)의 잔류량 및/또는 소스 컨테이너 압력을 표시할 수 있다. 또한, 표시부는 제어부(60)로부터 전송되는 다양한 메시지를 표시할 수 있다. 예를 들면, 소스 재료(SM)의 교체 주기를 알리기 위한 시간 정보, 소스 컨테이너(100)의 온도, 소스 컨테이너(100)의 고장 여부, 측정 오류 등을 문자 또는 게이지 및 눈금과 같은 그래픽 요소를 표시함으로써 사용자에게 정보를 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기상 전구체를 발생시키기 위한 소스 재료(SM)의 기화 및/또는 승화는 실질적으로 소스 재료(SM)가 가스 분산 공간(V1)에 접하는 상층부에서 이루어지는데 반해, 하층부에 위치한 소스 재료(SM)가 증발되지 못하고 지속적으로 장시간 가열됨으로 인해 발생하는 문제가 해결될 수 있다.
본 발명의 소스 컨테이너(100, 200)는 용기(10) 내부에 소스 재료(SM)에 인접하도록 가열 부재를 배치하고, 소스 재료(SM)가 기화되는 기상 증착 공정 동안 소스 재료(SM)와 가열 부재를 상대적으로 접근하도록 이동시킴으로써, 장시간 가열로 인한 소스 재료(SM)의 변성을 방지하고, 적합한 기상 전구체 가스를 안정적으로 공급하면서 열에너지의 낭비를 감소시켜 생산성을 증대시킬 수 있다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 가열 부재들을 도시한 단면도들이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 가열 부재인 히팅 블록(30a)의 제 1 표면(FS)은 중심부가 오목하게 형성된다는 점에서 전술한 히팅 블록(30)과 구별된다. 히팅 블록(30a)에서 소스 재료(SM)를 향하는 제 1 표면(FS)은 단면상에서 보았을 때, 히팅 블록(30a)의 중심부로부터 주변부로 갈수록 두께가 두꺼워지도록 방사상으로 경사 확장된다. 히팅 블록(30a)의 제 1 표면(FS)은 도시된 바와 같이 경사 확장될 수 있지만, 이는 예시적이며, 요철 형상의 곡면 표면을 갖거나 다면체 표면을 가질 수도 있다. 본 실시예에 의하면, 소스 재료(SM)에 인접하는 히팅 블록(30a)의 제 1 표면(FS)이 보다 확장된 면적을 가짐으로써, 소스 재료(SM)의 가열 속도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제 1 표면(FS)은 히팅 블록(30a)의 하부에 국지적인 가열 공간을 정의하면서, 소스 재료(SM)와 히팅 블록(30a)의 직접적인 접촉을 방지할 수 있다. 이와 같이 소스 재료(SM)와 히팅 블록(30a)의 직접적인 접촉을 방지하고 국지적인 가열 공간을 정의하기 위하여, 제 1 표면(FS)는 가장자리로부터 레세스된 평평한 표면을 표면을 포함할 수도 있을 것이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예의 히팅 블록(30b)은 복수의 관통홀들(H)에 대응하여 제 2 표면(SS)으로부터 가스 분산 공간(V2)으로 연장된 노즐부들(31)을 포함 한다는 점에서 전술한 히팅 블록(30)과 구별된다. 노즐부들(31)은 제 2 표면(SS)으로부터 관통홀들(H)의 수직방향 길이가 연장되도록 원통형으로 돌출될 수 있다. 다른 실시예에서, 노즐부들(31) 및 관통홀들(H)은 소스 재료(SM)의 증기가 가스 분산 공간(V1)의 중심부를 향하여 비스듬히 분사되도록 제 2 표면(SS)에 대하여 경사 배열될 수 있다.  노즐부들(31)의 폭은 일정하거나 가스 분산 공간(V1)으로 갈수록 감소될 수 있다. 노즐부들(31)에 의해 소스 재료(SM)로부터 발생한 기상 전구체는 관통홀(H)을 통과하면서 부피 팽창을 경험하게 되며, 부피 팽창된 기상 전구체는 노즐부들(31)에 의해 가스 분산 공간(V1)으로 분사된다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 다른 실시예들에 따른 베셀 부재를 포함하는 소스 컨테이너(300, 400)를 도시한 단면도들이다. 전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 실시예의 베셀 부재(20a)는 히팅 블록(30)의 측면을 따라 연장된 측벽(21)을 포함한다는 점에서 전술한 베셀 부재(20)와 구별된다. 베셀 부재(20a)는 수용되는 소스 재료(SM)의 하부뿐만 아니라, 측면까지 전체적으로 가이드한다. 베셀 부재(20a)는 용기(10)의 내벽(10W)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에 의하면, 베셀 부재(20a)가 소스 재료(SM)를 완전히 커버함으로써, 소스 재료(SM)의 유출을 방지하고, 공정의 안정성을 도모할 수 있다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 베셀 부재(20b)는 지지부(25)와, 상기 지지부(25) 상에 소스 재료(SM)를 수용하기 위한 격벽부(27)를 포함한다는 점에서 전술한 베셀 부재(20)와 구별된다. 격벽부(27)에 의해 소스 수용 공간(V2)이 제공된다. 격벽부(27)는 히팅 블록(30)의 관통홀(H)에 삽입되어 슬라이딩됨으로써, 베셀 부재(20b)와 히팅 블록(30)의 동적 이동에 따른 소스 재료(SM)의 가열을 달성한다. 격벽부(270는 관통홀(H)의 개수와 동일한 개수로 구비될 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 소스 컨테이너(100a)를 도시한 단면도들이다.  전술한 구성 요소와 동일한 참조 번호를 갖는 구성 요소에 관하여는 모순되지 않는 한 전술한 개시 사항을 참조할 수 있으며, 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예의 소스 컨테이너(100a)는 히팅 블록(30)과 결합되어 소스 재료(SM)의 감량에 따라 히팅 블록(30)을 이동시키는 구동 모듈(40a)을 포함한다. 구동 모듈(40a)은 소스 재료(SM)의 상부 표면(US)과 히팅 블록(30)의 제1 표면(FS) 사이의 거리를 감소시키도록, 용기(10) 내에서 종방향(z 방향)으로 히팅 블록(30)을 이동시킨다. 또한, 전술한 실시예의 이동 가능한 베셀 부재(20)와 달리, 본 실시예의 베셀 부재(20c)는 용기(10)에 고정되거나, 또는 용기의 바닥부(10_1)를 대체할 수 있다. 이 경우, 베셀 부재(20c)는 용기(10)와 결합되어 소스 컨테이너(100)의 전체적인 외관을 형성할 수 있다.
예를 들면, 구동 모듈(40a)은 히팅 블록(30)에 결합되어 히팅 블록(30)을 지지하는 구동축(41a)과, 구동축(41)을 직선운동 또는 회전시켜 상기 히팅 블록(30)을 승하강시키는 동력부(43a)를 포함할 수 있다. 동력부(43a)는 용기(10)의 상단에 배치될 수 있다. 구동축(41a)은 용기(10)의 뚜껑부(10_3)를 관통하여 히팅 블록(30)에 연결될 수 있다. 구동축(41a)과 히팅 블록(30)은 예를 들면, 용접, 나사산 체결 또는 볼트/너트와 같은 체결 부재를 이용하여 체결될 수 있다. 구동축(41a)의 내부로는 히팅 블록(30)에 전원을 공급하기 위한 전원선이 매립될 수 있다.
일부 실시예에서, 뚜껑부(10_3)의 중심부에 배치된 가스 배출 유로(13)를 고려하여, 구동축(41a)은 뚜껑부(10_3)의 주변부를 관통하도록 복수개가 구비될 수 있다. 증착 공정이 진행되면서 고갈되는 소스 재료(SM)로부터 멀어진 히팅 블록(30)이 구동 모듈(40a)에 의해 하강함에 따라, 히팅 블록(30)은 다시 소스 재료(SM)에 근접되고, 소스 재료(SM)와의 거리가 감소될 수 있다. 상기 구동 모듈(40a)의 구성 및 형상은 본 실시예에 한정되지 아니하고 히팅 블록(30)의 승하강 동작을 위한 다양한 변형예를 가질 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (19)

  1. 적어도 일부에 가스 분산 공간을 한정하는 내벽 및 상기 가스 분산 공간과 외부를 연통시키는 가스 배출 유로를 포함하는 용기;
    소스 재료를 수용하는 베셀 부재;
    상기 소스 재료의 상부 표면의 적어도 일부에 인접하게 배치되고 상기 소스 재료의 상기 상부 표면에 대향하는 제 1 표면 및 상기 제 1 표면에 반대되고 상기 가스 분산 공간과 접하는 제 2 표면을 갖는 가열 부재; 및
    상기 베셀 부재 및 상기 가열 부재 중 어느 하나에 결합되어, 기상 증착 공정 동안 상기 소스 재료의 감량에 따라 증가하는 상기 소스 재료의 상부 표면과 상기 가열 부재의 제1 표면 사이의 거리를 감소시키도록, 상기 베셀 부재 또는 상기 가열 부재를 이동시키는 구동 모듈을 포함하는 소스 컨테이너.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 베셀 부재는 상기 용기의 내벽 일부와 함께 상기 용기를 밀폐하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 제 1 표면으로부터 상기 제 2 표면으로 연장된 적어도 하나 이상의 관통홀이 형성된 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 관통홀의 종횡비는 1 내지 200의 범위 내인 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 가열 부재의 상기 제 1 표면은 상기 가열 부재의 중심부로부터 방사상으로 상기 소스 재료의 상부 표면과 점차 가까워지도록 오목하게 형성된 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 가열 부재는 상기 복수의 관통홀들에 대응하여 상기 제 2 표면으로부터 상기 가스 분산 공간으로 연장된 노즐부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 재료의 양을 감지하는 소스량 감지부; 및
    상기 소스량 감지부와 전기적으로 연결되어 상기 소스 재료의 양을 모니터링하고, 상기 소스 재료의 감량에 따라 상기 구동 모듈을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 소스량 감지부는 적어도 하나의 로드셀 또는 압력센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 모듈은,
    상기 베셀 부재에 결합되어 상기 베셀 부재를 지지하는 구동축; 및
    상기 구동축을 직선운동 또는 회전시켜 상기 베셀 부재를 승하강시키는 동력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 베셀 부재는 상기 소스 재료의 하부에 배치되어 소스 수용 공간을 한정하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 베셀 부재는 상기 가열 부재의 측면을 따라 연장된 측벽을 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 구동 모듈은,
    상기 가열 부재에 결합되어 상기 가열 부재를 지지하는 구동축; 및
    상기 구동축을 직선운동 또는 회전시켜 상기 가열 부재를 승하강시키는 동력부를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  13. 제 3 항에 있어서, 상기 베셀 부재는
    지지부; 및
    상기 지지부 상에 상기 관통홀에 삽입 가능하고 상기 소스 재료를 수용하기 위한 격벽부를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 용기는 상기 가스 분산 공간 내부로 운반 가스를 인입하기 위한 가스 인입 유로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스 인입 유로는 상기 용기의 측벽부를 관통하여 상기 가스 분산 공간으로 연장되는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 재료는 액상 또는 고상의 유기 소스 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 소스 재료는 50 ℃ 내지 550 ℃ 범위 내에서 10-6 Torr 내지 103 Torr의 증기압을 갖는 것을 특징으로 하는 소스 컨테이너.
  18. 제 1 항 기재의 상기 소스 컨테이너와 결합되는 기상 증착 반응로.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 기상 증착 반응로는, 유기발광소자, 전기화학 전지, 광전도성 전지, 광저항기, 포토스위치, 포토트랜지스터 및 포토튜브를 제조하기 위한 것을 특징으로 하는 기상 증착 반응로.
KR1020120073901A 2012-07-06 2012-07-06 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로 KR101313877B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073901A KR101313877B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로
PCT/KR2013/006051 WO2014007594A1 (ko) 2012-07-06 2013-07-08 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120073901A KR101313877B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101313877B1 true KR101313877B1 (ko) 2013-10-01

Family

ID=49637526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120073901A KR101313877B1 (ko) 2012-07-06 2012-07-06 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101313877B1 (ko)
WO (1) WO2014007594A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163678A1 (ko) * 2014-04-21 2015-10-29 주식회사 레이크머티리얼즈 반도체 제조용 기화기 시스템

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038756A (ko) * 2000-09-29 2003-05-16 아익스트론 아게 Ovpd를 이용하여 유기층을 증착하기 위한 방법 및 장치
KR20050004379A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 원자층 증착용 가스 공급 장치
JP2010084194A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Hoya Corp 蒸着装置及び蒸着方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007308789A (ja) * 2006-04-19 2007-11-29 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び成膜方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030038756A (ko) * 2000-09-29 2003-05-16 아익스트론 아게 Ovpd를 이용하여 유기층을 증착하기 위한 방법 및 장치
KR20050004379A (ko) * 2003-07-02 2005-01-12 삼성전자주식회사 원자층 증착용 가스 공급 장치
JP2010084194A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Hoya Corp 蒸着装置及び蒸着方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163678A1 (ko) * 2014-04-21 2015-10-29 주식회사 레이크머티리얼즈 반도체 제조용 기화기 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014007594A1 (ko) 2014-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101267288B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 온도 제어 방법 및 기판 처리 장치의 가열 방법
CN111373519B (zh) 高压蒸气退火处理设备
CN102655107B (zh) 衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法
JP7144617B2 (ja) 真空脱脂焼結炉及びその使用方法
TWI554641B (zh) A substrate processing apparatus, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium
CN100438960C (zh) 蒸发器输送安瓿
CN101800162A (zh) 立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒
KR102104728B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP5730496B2 (ja) 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法
CN101101859A (zh) 立式热处理装置及其使用方法
CN104106130B (zh) 处理模块
CN102646617A (zh) 衬底处理装置和方法以及半导体器件制造方法
KR20120014105A (ko) 기화 장치, 기판 처리 장치, 도포 현상 장치 및 기판 처리 방법
KR101313877B1 (ko) 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로
KR20120071345A (ko) 성막 장치
KR20130109834A (ko) 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로
CN101092276B (zh) 石英制品的烘焙方法以及石英制品
JP2012193985A (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
KR101471548B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 위치 검출 방법
KR101376956B1 (ko) 기상 증착용 반응로 및 유기 박막의 제조 방법
CN104412363A (zh) 基板处理装置
CN110402482A (zh) 半导体装置的制造方法、清洁方法、基板处理装置和程序
JP2005217089A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR101398640B1 (ko) 고온 보관 장치
US20150010718A1 (en) Heat transfer control in pecvd systems

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161025

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170925

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 6

R401 Registration of restoration