KR101302527B1 - 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법 - Google Patents

몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 몰드 파우더를 적절한 온도로 공급하고 공급된 몰드 파우더에 열을 가하여 온도를 유지시키도록 하는 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법에 관한 것으로서, 용강과 그 상부에 피복된 몰드 파우더가 수용되는 주형의 상부를 환포하는 커버 및 상기 커버의 상기 주형을 향하는 내측에서 상기 몰드 파우더에 근적외선을 조사시키는 근적외선 생성부를 포함하여, 몰드 파우더를 가열한 상태로 투입시 기존의 공정에 무리없이 적용가능하며, 가열된 몰드파우더는 몰드내 탕면을 완냉각시켜 메니스커스부 후크조직의 크기를 감소시킴으로써 오실레이션 마크 깊이 감소, 개재물 및 용강 중 가스의 부상분리가 용이해지는 효과가 있다.
근적외선, 용강, 몰드 파우더, 주형, 오실레이션 마크

Description

몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법{Apparatus for heating mold powder and the supplying method using it}
본 발명은 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 몰드 파우더를 적절한 온도로 공급하고 공급된 몰드 파우더에 열을 가하여 온도를 유지시키도록 하는 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 용강이 몰드내에서 응고될 때 윤활, 보온, 개재물 부상분리 및 생성된 기체의 포집을 목적으로 몰드 파우더가 상온 상태에서 투입된다. 이때 불가피하게 몰드 상부의 탕면에서 냉각이 일어나 매니스커스부의 온도가 저하되고 후크가 과도하게 성장한다. 이로 인하여 탕면이 불규칙하게 응고하며 개재물 부상분리 및 생성된 기체의 포집이 방해되고, 주편의 오실레이션 마크 깊이가 증가하여 표면품질에 악영향을 준다. 또한, 상온 상태에서 투입되는 몰드 파우더 내의 수분으로 인하여 용강 내로 수소와 같은 가스가 이동하고 이 가스가 응고 중 주형과 응고셀 사이에 구속되어 최종 제품의 표면 품질을 악화시킨다.
이를 방지하기 위한 종래의 다양한 기술들이 개시된 바 있다. 그 중 마이크로파를 이용하여 파우더를 저장하는 호퍼, 파우더 공급 장치 및 몰드 탕면 상부에 서 온도를 올리며 보온하는 기술이 개시되었다. 그러나 마이크로파는 금속에 의해 차단되어 그 효과가 파우더에 적절히 배분되는데 한계가 있다. 이를 보완하기 위하여 파우더 저장장치 및 파우더 공급장치의 재질을 세라믹으로 사용하는 기술이 제안되었으나, 비용과 내구성에 있어 생산 공정에 적용하기에 무리가 있었다.
게다가, 파우더가 일정 온도 이상이 되면 그 유동성이 증가한다는 점을 이용하여 열풍에 의한 가열 및 공급 방법이 개시된 바 있다. 그러나 파우더가 열풍에 의해 몰드로 투입될 때 정확한 유량 제어와 온도 유지가 곤란하며, 공급장치 끝에서 비산되는 파우더 분진이 작업환경을 악화시킬 수 있다는 단점이 있다. 또한, 파우더의 온도 유지가 정확하지 못하면, 파우더 내의 탄소가 대기중의 산소와 반응하게 되어 적절한 용융 속도와 유동성이 유지되지 못하여 파우더가 제기능을 하지 못하는 경우도 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 주형 내로 공급되는 몰드 파우더를 적정 온도로 가열시켜 주형 내에 투입시키고 투입된 몰드 파우더를 가열 및 보온시켜 매니스커스부 및 후크 조직이 완냉각되도록 함으로써, 주편의 오실레이션 마크의 깊이를 감소시키고 개재물과 응고 중에 생성되는 기체 및 유입된 기체의 부상분리가 용이하도록 하는 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 몰드 파우더의 수분을 제거하여 주조되는 강 중으로의 수소 이동을 방지하도록 하는 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 주편의 표면 품질을 향상시키는 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
본 발명은, 용강과 그 상부에 피복된 몰드 파우더가 수용되는 주형의 상부를 환포하는 커버 및 상기 커버의 상기 주형을 향하는 내측에서 상기 몰드 파우더에 근적외선을 조사시키는 근적외선 생성부를 포함하는 몰드 파우더 가열 장치를 제공한다.
여기서, 상기 커버 또는 상기 근적외선 생성부는 상기 몰드 파우더로부터의 높이 조절이 가능하도록 높이 조절수단을 구비할 수 있다.
또한, 상기 커버에는 상기 주형측으로 반사면이 형성될 수 있으며, 상기 근적외선 생성부는 할로겐 램프일 수 있다.
이때, 상기 근적외선 생성부에는 상기 근적외선의 조사각도를 조절가능하도록 각도 조절수단을 포함할 수 있으며, 상기 몰드 파우더를 상기 근적외선으로 주사(走査)시키도록 이동수단이 구비될 수 있다.
본 발명은, 주형 내에 용강을 수용시키는 단계, 상기 주형에 몰드 파우더를 공급하는 단계 및 상기 몰드 파우더에 근적외선을 조사시켜 상기 몰드 파우더를 가열하는 단계를 포함하는 몰드 파우더 공급 방법을 제공한다.
여기서, 상기 몰드 파우더를 200~500℃로 가열하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따른 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법에 의하여, 몰드 파우더를 가열한 상태로 투입시 기존의 공정에 무리없이 적용가능하며, 가열된 몰드파우더는 몰드내 탕면을 완냉각시켜 메니스커스부 후크조직의 크기를 감소시킴으로써 오실레이션 마크 깊이 감소, 개재물 및 용강 중 가스의 부상분리가 용이해지는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 강 중으로 수소의 흡수를 최소화시켜 주조 중 수소가스에 의한 구속성을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명으로 주편의 표면 품질을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 몰드 파우더 가열 장치 및 공급 방법을 상세 히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 몰드 파우더 가열 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1에 따르면, 본 발명의 실시예에 따른 몰드 파우더 가열 장치(50)는, 용강(1) 및 몰드 파우더(3)가 수용되는 주형(20)의 상부를 환포하는 커버(51)와, 커버(51)에 현수되어 몰드 파우더(3)에 근적외선을 조사시키는 근적외선 생성부(52)를 포함한다.
턴디쉬(10)는 통상의 용강 처리 공정을 거친 용강(1)을 연속주조하기 위하여 주형(20)에 공급하도록 주형(20)의 상부에 배치된다. 용강(1)은 턴디쉬(10)로부터 침적 노즐(11)을 통하여 주형(20) 내로 유입되며, 주형(20) 내로 유입된 용강(1)은 주형(20)과 접하는 면으로부터 응고(2)가 시작된다. 주형(20) 내에 수용된 용강(1) 상부에는 몰드 파우더 공급수단(30)을 통하여 몰드 파우더가 공급되고, 공급된 몰드 파우더는 용강(1) 상부에 층(3)을 형성한다.
몰드 파우더 가열 장치(50)는 주형(20)의 상부에 배치된다. 더 상세하게는, 몰드 파우더 가열 장치(50)는 커버(51)와 근적외선 생성부(52)를 포함하며, 커버(51)는 주형(20) 상부에 설치되며, 커버(51)의 내측에는 주형(20) 내부 방향으로 근적외선을 조사시키는 근적외선 생성부(52)가 마련된다.
커버(51)는 용강(1) 및 몰드 파우더(3)가 수용되는 주형(20)의 상부로부터 상향 연장되고 주형(20)의 상부를 외부와 차단시키는 형상을 가진다. 물론, 커버(51)는 침지 노즐(11)이 주형(20) 외부로부터 주형(20) 내부에 용강(1)을 공급할 수 있도록 설계된다. 마찬가지로, 커버(51)는 몰드 파우더 공급수단(30)이 주형(20) 외부로부터 주형(20) 내부에 몰드 파우더(3)를 공급할 수 있도록 설계된다. 따라서, 커버(51)의 설치를 통하여 주형(20)은 침지 노즐(11) 및 몰드 파우더 공급수단(30)만을 통하여 외부와 연통될 수 있도록 구성된다. 경우에 따라서, 몰드 파우더 공급수단(30)이 도 1에 도시된 형태와 다른 형태를 가질 수도 있고, 용강(1) 및 몰드 파우더(3) 이외에 조업에 필요한 가스나 기타 공급물을 공급하는 장치가 더 설치될 수 있으며, 이에 따라 커버(51) 또한 그에 부합하는 형상을 가질 수 있다.
커버(51)의 내측에는, 또한 몰드 파우더(3)의 상부에는 근적외선 생성부(52)가 설치된다. 근적외선 생성부(52)는 외부에 별도로 마련된 제어부(53)를 통하여 근적외선 영역의 파장을 생성시키는 수단으로서 몰드 파우더(3)의 상부에서 근적외선을 생성하여 이를 몰드 파우더(3)에 조사시킬 수 있도록 구성된다. 근적외선 생성부(52)에서 근적외선을 생성시켜 몰드 파우더(3)에 조사하게 되면 근적외선 영역의 파장 에너지가 몰드 파우더(3)에 공급되어 열에너지로 전환된다. 즉, 근적외선의 조사로써 몰드 파우더(3)를 가열시킬 수 있다. 커버(51)의 구성으로 주형(20)은 외부와 차단되므로, 근적외선 생성부(52)는 커버(51)의 내측에 설치되며 하나 또는 그 이상 다수 개가 설치될 수 있으며, 다수 개가 설치될 시에 제어부(53)를 통하여 각각의 근적외선 생성부(52)가 개별 동작가능할 수 있다. 근적외선 생성부(52)의 커버(51) 내측에서의 위치는 특별히 한정되지 않으나, 대략 몰드 파우더(3)의 상부에 설치되는 것이 바람직하다.
근적외선 생성부(52)는 할로겐 램프를 포함할 수 있다. 할로겐 램프는 할로겐 가스 충진부를 구비하며 충진된 할로겐 가스를 통하여 근적외선을 생성시킨다. 할로겐 가스는 근적외선 생성원으로서 비교적 반응속도가 빠르므로 근적외선 생성부(52)에서 파장 생성원으로 적합하다. 물론, 근적외선 생성원은 할로겐 가스로 한정되지 않으며, 여타의 구성을 통하여 근적외선 영역의 파장을 생성시킬 수 있는 수단이면 족할 것이다.
근적외선 생성부(52)는 통상 점 광원 또는 선 광원이므로, 이와 같은 근적외선 생성부(52)에서 생성되는 근적외선을 몰드 파우더(3)에 균일하게 조사시키기 위하여, 도 2에서와 같이, 별도의 각도 조절 수단(55)이 마련될 수 있다. 각도 조절 수단의 예로서, 근적외선 생성부(52)가 커버(51)에 각도 조절이 가능한 힌지(55)를 통하여 현수되어 도면 상의 화살표 방향으로 근적외선 조사각도를 조절하도록 구성될 수 있다. 힌지 방식 이외에도 커버(51) 내측에 근적외선 생성부(52)가 현수된 지점을 축으로 근적외선 생성부(52)가 각도 가변가능하도록 하는 구성이 적용될 수 있다. 물론, 근적외선 생성부(52)의 각도 조절을 통하여 근적외선을 몰드 파우더(3)에 균일하게 조사시키는 구성 이외에도, 도 3a 및 도 3b와 같이, 수평 구동 가능한 구성으로 근적외선 생성부(52)를 커버(51) 내측면에서 이동하게 하여 몰드 파우더(3) 상부에 주사하는 방식으로 근적외선을 조사시킬 수도 있다. 즉, 침지 노 즐(11)이 관통하는 홀(51d)이 구비된 커버(51)에서 별도의 슬라이드 홀(51c)이 형성되고, 이 슬라이드 홀(51c)을 따라 화살표 방향으로 이동가능하도록 이동수단(56)이 설치되며, 이 이동수단(56)의 하측, 즉 커버(51)의 내측에는 근적외선 생성부(51)가 현수되도록 하는 구성으로서, 근적외선 생성부(51)가 이동수단(56)을 통하여 슬라이드 홀(51c)을 따라 이동가능할 수 있다. 이와 같은 구성을 통하여, 몰드 파우더(3)에 근적외선을 균일하게 조사시킬 수 있다.
근적외선 생성부(52)에서 생성된 근적외선이 몰드 파우더(3)에 조사될 시에 근적외선 생성부(52)로부터 몰드 파우더(3)까지의 거리에 따라 가열 온도가 변하게 된다. 따라서, 근적외선 생성부(52)에서 몰드 파우더(3)까지의 거리 조절을 통하여 몰드 파우더(3)의 가열 온도를 변화시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서는 이와 같은 몰드 파우더(3)의 가열 온도 조절을 위하여 커버(51)가 몰드 파우더(3)로부터 높이 조절가능하도록 구성될 수 있다. 즉, 주형(20)으로부터 상향 연장되는 커버(51)를 신축가능하도록 구성함으로써, 커버(51) 내측에 설치되는 근적외선 생성부(52)와 몰드 파우더(3)의 거리를 조절할 수 있다. 커버(51)를 신축가능하도록 하는 구성의 일 예로서 도 4a에 도시된 바와 같이, 커버(51)를 외측 커버(51a)와 내측 커버(51b)로 분리구성시켜 도면 상의 화살표 방향으로 상호 당접 이동가능하게 구성될 수 있으며, 다른 예로서 도 4b에 도시된 바와 같이, 벨로우즈 형태를 가진 커버(51')를 적용하여 커버(51')가 화살표 방향으로 이동가능하도록 할 수도 있다. 또한, 공압이나 유압과 같은 별도의 제어수단을 통하여 커버(51)가 신축구동 가능하게 구성될 수도 있다. 이외에도 커버(51)를 신축 가능하도록 하는 여타의 구성이 가능할 것이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 이와 같은 몰드 파우더(3)의 가열 온도 조절을 위하여 근적외선 생성부(52)가 몰드 파우더(3)로부터 높이 조절가능하도록 구성될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 근적외선 생성부(52)는 별도의 높이 조절 수단(54)을 구비하여 고정 설치된 커버(51)에 대하여 도면상에서 화살표 방향으로 이동가능하도록 구성될 수 있다.
커버(51)는 반사면을 구비할 수 있다. 더 상세하게는 커버(51)의 내측면, 즉 주형(20)의 몰드 파우더(3)를 향하는 면이 반사면으로 구성될 수 있다. 반사면의 예로서 알루미늄과 같은 재질이 사용될 수 있으며, 반사면은 커버(51)와 일체형으로 또는 별도로 성막되어 마련될 수 있다. 커버(51)가 반사면을 구비함으로써, 주형(20) 내의 용강(1) 또는 몰드 파우더(3)로부터 발산되는 열 및 빛을 다시 주형(20) 내부 방향으로 반사시켜 주형(20) 외부로 에너지가 빠져나가는 것을 막을 수 있고 반사된 열 및 빛으로 인하여 주형(20) 내의 보온 성능을 향상시킬 수 있다.
[실험예]
실험예를 통하여 주형에 투입되는 몰드 파우더에 적합한 온도를 도출하였다. 이를 알아보기 위하여, 상온의 몰드 파우더를 알루미나 재질의 세라믹 도가니에 장입하고 이를 가열하여 200~900℃의 온도변화에 따른 성분 함량 변화와 탄소 함량 변화를 관찰하였다. 몰드 파우더 내 성분 함량 변화는 도 6에, 탄소 함량 변화는 도 7에 나타내었다.
도 6에 도시된 바와 같이, 몰드 파우더는 200~900℃의 온도로 가열 시 그의 용융 시에 관찰되는 전형적인 상인 Cuspidine(3CaO2SiO2CaF2)상이 형성되며 그 조성의 변화 및 특정한 상은 관찰되지 않았다. 즉, 몰드 파우더를 200~900℃로 가열하면 조성의 변화나 특정 상으로의 전이가 없으므로 투입에 적합한 조건임을 알 수 있다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 몰드 파우더는 200~900℃의 온도로 가열 시 그에 함량된 탄소가 약 500℃ 이상에서 대기 중의 산소와 반응하여 급격히 감소되는 것을 알 수 있다. 즉, 몰드 파우더가 몰드 내 탕면에 투입되었을 때 용융 속도와 유동성에 주로 영향을 미치는 탄소의 반응을 최소화하기 위해서는 몰드 파우더의 가열 온도가 500℃ 이하인 것이 바람직함을 알 수 있다. 도 6 및 도 7의 결과에 의하여, 몰드 파우더의 바람직한 가열 온도는 200 내지 500℃인 것을 알 수 있다.
[실시예]
상기 실험예에서 얻어진 결과와 같이, 본 발명의 실시예에서는 몰드 파우더를 200~500℃로 가열하여 용강이 수용된 주형에 투입한다. 투입된 몰드 파우더는 도 1을 참조하여 설명된 몰드 파우더 가열 장치(50)를 사용하여 주형내에서 가열되었다. 실시예와 비교 도시하기 위한 종래예에서는 상온의 몰드 파우더가 주형에 투입되었으며, 투입된 몰드 파우더에는 별도의 가열을 수행하지 아니하였다. 이러한 조건을 통하여 주형에서 형성되는 매니스커스부 및 후크의 형상과 용강 내 수소의 거동을 종래예와 비교 관찰하였다.
도 8은 본 발명의 실시예와 종래예에서의 용강 내 수소의 거동을 비교 도시한 도면이다.
도 8에서, 주형 내 탕면으로 투입되는 몰드 파우더를 적정 온도인 200~500℃로 가열하여 투입하였을 때와 종래예에서와 같이 상온으로 투입하였을 때, 턴디시와 몰드에서 수소 분석용 샘플링을 통해 시편을 채취하여 수 차례의 반복 결과의 평균을 나타내었다. 수소 농도가 약 2 ppm 에서 약 8 ppm 정도로 증가하는 종래예에서와 달리, 본 발명의 실시예에서는 턴디시 내에서 약 2.5 ppm이던 용강이 약 1.5 ppm 내외로 감소하는 것을 알 수 있다. 이는 본 발명의 실시예에서 몰드 파우더가 투입되기 이전에 몰드 파우더를 200~500℃로 가열하여 몰드 파우더 내의 수분을 제거하였기 때문이다. 따라서, 종래예에서의 상온으로 투입되는 몰드 파우더에 비하여 본 발명의 실시예에서의 가열로 투입되는 몰드 파우더에서는 그 내부에 수분이 제거되어 용강 내 수소의 흡수를 방지할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예와 종래예에서의 주형 내 매니스커스부 및 후크의 형상을 비교 도시한 도면이다.
도 9에 따르면, 본 발명의 실시예에서는 종래예에서보다 매니스커스부(5) 및 후크(6) 형상이 감소된다. 이는 몰드 파우더를 200~500℃로 가열시켜 투입하고 투입된 몰드 파우더를 도 1에 도시된 몰드 파우더 가열 장치(50)를 사용하여 가열함으로써 용강(1) 탕면과 접하는 몰드 파우더(3)를 보온시켜 급냉에 의하여 발생되는 매니스커스부(5) 및 후크(6)의 성장이 저해되기 때문이다. 도 9에서와 같이 매니스커스부(5) 및 후크(6) 형상을 종래예보다 감소시키면 연속 주조된 주편에서의 오실 레이션 마크 깊이 감소, 개재물 및 용강 중 가스의 부상분리가 용이해질 수 있다. 이로 인하여 최종 생산 제품의 표면 품질을 향상시킬 수 있다.
발명의 기술적 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
특히, 본 발명의 실시예에서는 몰드 파우더 가열 장치를 사용하여 주형 내의 몰드 파우더를 가열하는 것 만을 예시하였으나, 용융된 상태로 주형 내에 투입되는 용융 몰드 플럭스를 사용할 시에도 본 발명의 실시예에 따른 가열 장치를 사용할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 몰드 파우더 가열 장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 도 1의 제1변형예를 나타낸 도면,
도 3a는 도 1의 제2변형예를 나타낸 도면,
도 3b는 도 3a의 일부를 나타낸 사시도,
도 4a는 도 1의 제3변형예를 나타낸 도면,
도 4b는 도 1의 제4변형예를 나타낸 도면,
도 5는 도 1의 제5변형예를 나타낸 도면,
도 6은 가열 온도에 따른 몰드 파우더 내 성분 함량 변화를 나타낸 그래프,
도 7은 가열 온도에 따른 몰드 파우더 내 탄소 함량 변화를 나타낸 그래프,
도 8은 본 발명의 실시예와 종래예에서의 용강 내 수소의 거동을 비교 도시한 도면,
도 9는 본 발명의 실시예와 종래예에서의 주형 내 매니스커스부 및 후크의 형상을 비교 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1... 용강, 20... 주형,
50... 몰드 파우더 가열 장치, 51... 커버,
52... 근적외선 생성부.

Claims (8)

  1. 용강과 그 상부에 피복된 몰드 파우더가 수용되는 주형의 상부를 환포하는 커버;
    상기 커버의 상기 주형을 향하는 내측에서 상기 몰드 파우더에 근적외선을 조사시키는 근적외선 생성부; 및
    상기 커버에 형성된 슬라이드 홀을 따라 상기 근적외선 생성부를 수평 방향으로 이동 가능하도록 하는 이동 수단을 포함하고,
    상기 커버는 주형의 상부에 마련된 외측 커버와, 외측 커버와 분리되어 주형의 상부를 환포하며 신축 가능한 내부 커버를 포함하여 상기 몰드 파우더와 근적외선 생성부의 높이 조절이 가능한 몰드 파우더 가열 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 근적외선 생성부는 상기 몰드 파우더로부터의 높이 조절이 가능하도록 높이 조절수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 가열 장치.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 커버에는 상기 주형측으로 반사면이 형성되는 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 가열 장치.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 근적외선 생성부는 할로겐 램프인 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 가열 장치.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 근적외선 생성부에는 상기 근적외선의 조사각도를 조절가능하도록 각도 조절수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 가열 장치.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 몰드 파우더를 상기 근적외선으로 주사(走査)시키도록 상기 이동수단이 구비되는 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 가열 장치.
  7. 주형 내에 용강을 수용시키는 단계;
    상기 주형에 몰드 파우더를 공급하는 단계; 및
    상기 몰드 파우더에 근적외선을 조사시켜 상기 몰드 파우더를 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 주형의 상부를 환포하고 내측에 상기 근적외선을 생성하는 근적외선 생성부가 마련된 커버를 상하 신축하고, 이동 수단을 이용하여 상기 근적외선 생성부를 수평 이동시켜 상기 몰드 파우더의 가열 온도를 조절하는 몰드 파우더 공급 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 몰드 파우더를 200~500℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 몰드 파우더 공급 방법.
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