KR101297403B1 - Light emitting diode - Google Patents

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Abstract

본 발명은 광 효율 개선 구조를 구비한 발광 다이오드에 관한 것으로, 몸체와, 몸체 상에 배치된 리드 프레임과, 리드 프레임 상에 실장되는 적어도 2개 이상의 발광칩 및 리드 프레임 상에 형성된 격벽을 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.The present invention relates to a light emitting diode having a light efficiency improving structure, comprising a body, a lead frame disposed on the body, at least two light emitting chips mounted on the lead frame, and a partition formed on the lead frame. A light emitting diode is provided.

Description

발광 다이오드 {Light emitting diode}Light emitting diodes

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 효율 개선 구조를 구비한 발광 다이오드에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having a light efficiency improving structure.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 평면도 및 단면도이다.1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to the prior art.

도 1a 및 도 1b를 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(10), 리드 프레임(20), 발광칩(30), 반사기(40), 와이어(50) 및 몰딩부(60)를 포함한다. 몸체(10) 상에는 제1 리드 단자(21)와 제2 리드 단자(22)로 구성된 리드 프레임(20)이 형성되고, 리드 프레임(20) 상에는 복수개(예를 들면, 4개)의 발광칩(30)이 실장된다. 몸체(10) 상에는 발광칩(30)을 둘러싸도록 반사기(40)가 배치되며, 반사기(40) 내에는 발광칩(30)을 봉지하는 몰딩부(60)가 형성된다. 1A and 1B, the light emitting diode includes a body 10, a lead frame 20, a light emitting chip 30, a reflector 40, a wire 50, and a molding part 60. The lead frame 20 including the first lead terminal 21 and the second lead terminal 22 is formed on the body 10, and a plurality of light emitting chips (for example, four) are formed on the lead frame 20. 30) is mounted. The reflector 40 is disposed on the body 10 to surround the light emitting chip 30, and a molding part 60 encapsulating the light emitting chip 30 is formed in the reflector 40.

상기에서 살펴본 바와 같이, 종래 기술에 따른 복수개의 발광칩을 구비한 발광 다이오드의 경우, 각 발광칩의 측부에서 출사되는 광은 인접한 발광칩으로 재흡수된다(도 1b 참조). 따라서, 인접한 발광칩으로 재흡수되는 광은 발광 다이오드의 광 효율에 있어서 손실로 작용하기 때문에, 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 광 효율이 저하되는 문제점이 발생하였다.
As described above, in the case of a light emitting diode having a plurality of light emitting chips according to the prior art, the light emitted from the side of each light emitting chip is reabsorbed by adjacent light emitting chips (see FIG. 1B). Therefore, since the light reabsorbed by the adjacent light emitting chip acts as a loss in the light efficiency of the light emitting diode, the light efficiency of the light emitting diode according to the prior art is deteriorated.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 광 효율 개선 구조를 구비한 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting diode having a light efficiency improving structure.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 적어도 2개의 발광 칩; 상기 발광 칩 각각이 실장되는 실장면 및 상기 실장면으로부터 연장되어 형성된 적어도 2개의 격벽을 각각 포함하는 제1 및 제2 리드프레임; 및 상기 제1 및 제2 리드프레임을 지지하고, 측벽에 반사기를 포함하는 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, at least two light emitting chips; First and second lead frames each including a mounting surface on which each of the light emitting chips is mounted and at least two partition walls extending from the mounting surface; And a body supporting the first and second lead frames, the body including a reflector on a sidewall thereof.

상기 격벽은 상기 발광 칩 둘레를 둘러싸도록 형성될 수 있다.The partition wall may be formed to surround the light emitting chip.

상기 제1 및 제2 리드프레임이 마주하는 단부는 수직 단면을 포함할 수 있다.End portions facing the first and second leadframes may include vertical sections.

상기 단부는 상기 격벽으로부터 연장되어 형성될 수 있다.The end portion may extend from the partition wall.

상기 몸체는 상기 단부를 노출시킬 수 있다.The body may expose the end.

상기 제1 및 제2 리드프레임은 적어도 일부가 상기 몸체의 바닥면에 노출되어 형성된 것일 수 있다.At least a portion of the first and second lead frames may be formed by being exposed to the bottom surface of the body.

상기 제1 및 제2 리드프레임은 적어도 일부가 절곡되어 형성된 것일 수 있다.The first and second lead frames may be formed by bending at least a portion thereof.

상기 반사기는 상기 실장면 및 상기 격벽을 노출시키는 것일 수 있다.The reflector may expose the mounting surface and the partition wall.

상기 반사기 내에 상기 발광 칩을 덮는 몰딩부를 더 포함할 수 있다.The reflector may further include a molding part covering the light emitting chip.

상기 몰딩부는 형광체를 포함할 수 있다.The molding part may include a phosphor.

상기 발광 칩과 상기 제1 및 제2 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함할 수 있다.
The electronic device may further include a wire electrically connecting the light emitting chip to the first and second lead frames.

본 발명에 따르면, 발광칩의 둘레 영역에 격벽을 형성함으로써, 발광칩의 측부에서 출사된 광이 인접한 발광칩으로 재흡수되는 것을 방지하여, 전체적인 발광 다이오드의 광 손실을 감소시킬 수 있게 된다. 그 결과, 발광 다이오드의 광 효율이 10 내지 20% 정도 개선되는 효과를 얻을 수 있게 된다.According to the present invention, by forming a partition in the peripheral region of the light emitting chip, it is possible to prevent the light emitted from the side of the light emitting chip is reabsorbed by the adjacent light emitting chip, thereby reducing the light loss of the overall light emitting diode. As a result, it is possible to obtain the effect that the light efficiency of the light emitting diode is improved by about 10 to 20%.

또한, 리드 프레임 형성 시, 리드 프레임과 일체로 격벽을 형성함으로써, 최소의 추가 공정으로 발광 다이오드의 광 효율을 개선할 수 있게 된다.
In addition, when forming the lead frame, by forming the partition wall integrally with the lead frame, it is possible to improve the light efficiency of the light emitting diode with a minimum additional process.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 발광 다이오드의 평면도 및 단면도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도 및 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도 및 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도 및 단면도이다.1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to the prior art.
2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.
4 and 5 are a plan view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.
7 and 8 are a plan view and a cross-sectional view of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이며, 도 3은 도 2를 Ⅱ-Ⅱ선에 따라 절단한 단면도이다. 2 is a plan view of a light emitting diode according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(110), 리드 프레임(120), 격벽(131), 발광칩(140), 반사기(150), 와이어(160) 및 몰딩부(170)를 포함한다. 2 and 3, the light emitting diode includes a body 110, a lead frame 120, a partition 131, a light emitting chip 140, a reflector 150, a wire 160, and a molding unit 170. Include.

몸체(110) 상에는 리드 프레임(120)이 배치되며, 리드 프레임(120)은 제1 리드 단자(121) 및 제2 리드 단자(122)를 포함한다. 리드 프레임(120)의 제1 리드 단자(121)나 제2 리드 단자(122) 중 어느 한 리드 단자의 단부에는 소정 형태로 형성된 격벽(131)이 형성된다. 발광칩(140)은 리드 단자의 단부에 형성된 격벽(131) 내부 영역에 실장되며, 발광칩(140)은 와이어(160)를 통하여 다른 리드 단자와 전기적으로 연결된다. 몸체(110)의 주변부에는 발광칩(140)으로부터 출사되는 광을 반사시키기 위한 반사기(150)가 배치되며, 반사기(150) 내부에는 발광칩(140)을 봉지하는 몰딩부(170)가 형성된다.The lead frame 120 is disposed on the body 110, and the lead frame 120 includes a first lead terminal 121 and a second lead terminal 122. A partition wall 131 formed in a predetermined shape is formed at an end portion of one of the first lead terminals 121 and the second lead terminals 122 of the lead frame 120. The light emitting chip 140 is mounted on an inner region of the partition wall 131 formed at the end of the lead terminal, and the light emitting chip 140 is electrically connected to another lead terminal through the wire 160. A reflector 150 is disposed at the periphery of the body 110 to reflect light emitted from the light emitting chip 140, and a molding unit 170 is formed in the reflector 150 to encapsulate the light emitting chip 140. .

도 2 및 도 3에 도시된 실시예의 구조를 보다 상세히 살펴보면, 몸체(110) 상에는 제1 리드 단자(121)와 제2 리드 단자(122)로 구성된 리드 프레임(120)이 배치된다. 제1 리드 단자(121)는 몸체(110)의 제1변(즉, 좌측변)에 2개가 배치되고, 제2변(즉, 우측변)에 2개가 상호 이격되어 배치된다. 제2 리드 단자(122)는 몸체의 제3변(즉, 상측변)에 2개가 상호 이격되어 배치되고, 제4변(즉, 하측변)에 2개가 상호 이격되어 배치된다. 제1 리드 단자(121)의 각 단부에는 소정 형태로 형성된 격벽(131)이 소정 높이로 돌출되어 형성된다. 본 실시예의 경우, 격벽(131)의 평면은 장방형 또는 정방형으로 형성되고, 그 단면은 삼각형의 형태로 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니며 다양하게 형성될 수 있다. 2 and 3, the lead frame 120 including the first lead terminal 121 and the second lead terminal 122 is disposed on the body 110. Two first lead terminals 121 are disposed on the first side (that is, the left side) of the body 110 and two are spaced apart from each other on the second side (that is, the right side). The second lead terminals 122 are disposed to be spaced apart from each other on the third side (that is, the upper side) of the body, and are arranged to be spaced apart from each other on the fourth side (that is, the lower side). At each end of the first lead terminal 121, a partition wall 131 formed in a predetermined shape protrudes to a predetermined height. In the present embodiment, the plane of the partition wall 131 is formed in a rectangular or square, the cross section is formed in the shape of a triangle, but is not limited to this may be formed in various ways.

이때, 격벽(131)은 제1 리드 단자(121) 단자 형성 시, 프레스 등과 같은 가압 장치를 이용하여 제1 리드 단자(121)를 소정 형태로 가압시켜 돌출시킴으로써 형성할 수 있다. 이와 같이, 리드 프레임 중 어느 한 리드 단자 예를 들면, 제1 리드 단자(121) 상에 형성된 격벽(131)은 발광칩(140)의 둘레 전체를 둘러싸도록 형성되는 바, 발광칩(140)의 측부를 통하여 출사되는 광을 상부로 반사시켜 출사시킨다. 그 결과, 인접한 발광칩(140)으로 재흡수되는 광의 손실을 방지할 수 있게 되어, 발광 다이오드의 전체적인 광 효율을 증가시키는 효과를 얻을 수 있게 된다.In this case, the partition wall 131 may be formed by pressing and protruding the first lead terminal 121 into a predetermined shape by using a pressing device such as a press when forming the first lead terminal 121 terminal. As described above, the barrier rib 131 formed on one of the lead terminals, for example, the first lead terminal 121, is formed to surround the entire circumference of the light emitting chip 140. The light emitted through the side portion is reflected upwards and emitted. As a result, it is possible to prevent the loss of light reabsorbed by the adjacent light emitting chip 140, thereby obtaining the effect of increasing the overall light efficiency of the light emitting diode.

발광칩(140)은 제1 리드 단자(121)의 격벽(131) 내부 영역에 실장되며, 발광칩(140)은 와이어(160)를 통하여 제2 리드 단자(122)와 전기적으로 연결시킨다. The light emitting chip 140 is mounted on an inner region of the partition wall 131 of the first lead terminal 121, and the light emitting chip 140 is electrically connected to the second lead terminal 122 through the wire 160.

이때, 발광칩(140)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(140)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다. 한편, 본 실시예의 경우, 발광칩(140)은 4개의 발광칩으로 구성되며, 4개의 발광칩의 조합은 다양하게 구성될 수 있다. 예를 들면, 4개가 모두 단일의 색을 발광하는 발광칩의 조합으로 구성될 수도 있으며, 화이트를 구현하기 위하여 적색 발광칩, 녹색 발광칩 및 청색 발광칩의 조합으로 구성될 수도 있다. At this time, the light emitting chip 140 is a semiconductor PN junction diode, and after the P and N semiconductors are bonded and voltage is applied, holes of the P-type semiconductor are directed toward the N-type semiconductor and gathered in the middle layer. The electrons of the electrons move toward the P-type semiconductor and gather into the middle layer, which is the lowest point of the conduction band. These electrons naturally fall into the holes of the valence band, and at this point, they emit as much energy as the difference in height between the conduction band and the appliance band, that is, the energy gap, which is emitted in the form of light. In addition, various light emitting chips may be used. In addition, the light emitting chip 140 may emit light having various wavelengths. For this purpose, for example, the indium (In) content used as an active layer in a nitride-based light emitting diode may be adjusted, or light having different wavelengths may be used. A light emitting diode emitting light may be combined, or a light emitting chip emitting light of a predetermined wavelength such as ultraviolet light and a phosphor may be used in combination. On the other hand, in the present embodiment, the light emitting chip 140 is composed of four light emitting chips, the combination of the four light emitting chips may be configured in various ways. For example, all four may be composed of a combination of light emitting chips emitting a single color, or may be composed of a combination of a red light emitting chip, a green light emitting chip, and a blue light emitting chip to implement white.

몰딩부(170)는 발광칩(140)을 봉지하며, 이러한 몰딩부(170)로는 투명 수지 예를 들면, 액상 에폭시 수지나 실리콘 수지등과 같은 재료를 이용한다. 몰딩부(170) 내에는 발광칩(140)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 형광체(미도시) 또는 광을 골고루 확산시키는 확산제(미도시)가 혼합될 수도 있다.The molding part 170 encapsulates the light emitting chip 140, and the molding part 170 uses a material such as a transparent resin, for example, a liquid epoxy resin or a silicone resin. In the molding unit 170, a phosphor (not shown) for absorbing the light emitted from the light emitting chip 140 and converting the light into each wavelength may be mixed, or a diffusion agent (not shown) for evenly diffusing the light. .

본 실시예의 경우, 발광칩(140)은 제1 리드 단자(121) 상에 실장되고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 리드 단자(122) 상에 실장될 수 있다. 만약, 발광칩(140)이 제2 리드 단자(122) 상에 실장되는 경우에는, 제2 리드 단자(122)의 단부에 격벽이 형성되며, 발광칩은 격벽의 내부 영역 상에 실장되는 것이 바람직하다.In the present embodiment, the light emitting chip 140 is mounted on the first lead terminal 121, but is not limited thereto and may be mounted on the second lead terminal 122. If the light emitting chip 140 is mounted on the second lead terminal 122, a partition wall is formed at an end of the second lead terminal 122, and the light emitting chip 140 is mounted on an inner region of the partition wall. Do.

그리고, 발광 다이오드는 본 실시예에서 도시된 바와 같이 복수개 예를 들면, 4개의 발광칩을 포함할 수 있으나, 발광칩의 개수는 필요에 따라 다양하게 변화될 수 있으며, 제1 리드 단자와 제2 리드 단자의 개수 및 형태 역시 그에 상응하게 변화될 수 있다.
The light emitting diode may include a plurality of light emitting chips, for example, four light emitting chips as shown in the present embodiment, but the number of light emitting chips may be variously changed as necessary. The number and shape of the lead terminals may also vary accordingly.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이며, 도 5는 도 4를 Ⅲ-Ⅲ 선에 따라 절단한 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 다이오드는 제1 실시예에 따른 발광 다이오드와 비교하여, 격벽의 구조가 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.4 is a plan view of a light emitting diode according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 4. The light emitting diode according to the second embodiment of the present invention is different from the light emitting diode according to the first embodiment, and the structure of the barrier ribs is different, and the rest of the configuration is almost similar.

도 4 및 도 5를 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(110), 리드 프레임(120), 격벽(133), 발광칩(140), 반사기(150), 와이어(160) 및 몰딩부(170)를 포함한다.4 and 5, the light emitting diode includes a body 110, a lead frame 120, a partition 133, a light emitting chip 140, a reflector 150, a wire 160, and a molding unit 170. Include.

몸체(110) 상에는 제1 리드 단자(121)와 제2 리드 단자(122)로 구성된 리드 프레임(120)이 배치된다. 제1 리드 단자(121)는 몸체(110)의 제1변(즉, 좌측변)에 2개가 배치되고, 제2변(즉, 우측변)에 2개가 상호 이격되어 배치된다. 제2 리드 단자(122)는 몸체의 제3변(즉, 상측변)에 2개가 상호 이격되어 배치되고, 제4변(즉, 하측변)에 2개가 상호 이격되어 배치된다. 제1 리드 단자(121)의 각 단부에는 전체적으로 L자 형태로 형성되며, 그 단면은 삼각형 형태로 형성된 격벽(133)이 소정 높이로 돌출되어 형성된다. 즉, 격벽(133)은 발광칩(140)의 둘레 영역 전체를 둘러싸는 형태가 아닌, 일부만을 둘러싸는 형태로 형성된다. 예를 들면, 격벽(133)은 인접한 발광칩과 대향하는 영역만을 감싸는 형태로 형성되어, 발광칩(140)의 측부를 통하여 출사되는 광을 상부로 반사시켜 출사시켜, 인접한 발광칩(140)으로 재흡수되는 광의 손실을 방지한다.The lead frame 120 including the first lead terminal 121 and the second lead terminal 122 is disposed on the body 110. Two first lead terminals 121 are disposed on the first side (that is, the left side) of the body 110 and two are spaced apart from each other on the second side (that is, the right side). The second lead terminals 122 are disposed to be spaced apart from each other on the third side (that is, the upper side) of the body, and are arranged to be spaced apart from each other on the fourth side (that is, the lower side). Each end of the first lead terminal 121 is formed in an L-shape as a whole, the cross section is formed by the partition wall 133 formed in a triangular shape protruding to a predetermined height. That is, the partition wall 133 is not formed to surround the entire circumferential region of the light emitting chip 140 but is formed to surround only a part of the light emitting chip 140. For example, the partition wall 133 is formed to surround only an area facing the adjacent light emitting chip, and reflects the light emitted through the side of the light emitting chip 140 to the upper side to be emitted to the adjacent light emitting chip 140. To prevent the loss of reabsorbed light.

본 실시예의 경우, 격벽(133)이 전체적으로 L자 형태로 형성되나, 격벽의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광칩의 둘레 영역 중 인접한 발광칩과 대향하고 있는 영역을 감싸는 형태라면 어떠한 형태(예를 들면, 반원 형태 등)라도 가능하다.
In the present embodiment, the partition wall 133 is formed in an L-shape as a whole, but the shape of the partition wall is not limited thereto, and any shape (for example, if the shape surrounds an area facing the adjacent light emitting chip among the peripheral areas of the light emitting chip) For example, in a semicircle shape).

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(110), 리드 프레임(120), 격벽(135), 발광칩(140), 반사기(150), 와이어(160) 및 몰딩부(170)를 포함한다. Referring to FIG. 6, the light emitting diode includes a body 110, a lead frame 120, a partition 135, a light emitting chip 140, a reflector 150, a wire 160, and a molding unit 170.

몸체(110) 상에는 제1 리드 단자(121)와 제2 리드 단자(미도시)로 구성된 리드 프레임이 배치된다. 제1 리드 단자(121)의 각 단부에는 소정 형태로 형성된 격벽(131)이 소정 높이로 돌출되어 형성된다. 본 실시예의 경우, 격벽(131)의 단면은 반원 형태로 형성된다.
A lead frame including a first lead terminal 121 and a second lead terminal (not shown) is disposed on the body 110. At each end of the first lead terminal 121, a partition wall 131 formed in a predetermined shape protrudes to a predetermined height. In the present embodiment, the cross section of the partition wall 131 is formed in a semicircle shape.

도 7 은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 다이오드의 평면도이며, 도 8은 도 7을 Ⅳ-Ⅳ선에 따라 절단한 단면도이다.      FIG. 7 is a plan view of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 7.

도 7 및 도 8을 참조하면, 발광 다이오드는 몸체(110), 리드 프레임(120), 격벽(137), 발광칩(140), 와이어(160), 몰딩부(170) 및 형광체(180)를 포함한다.7 and 8, the light emitting diode includes a body 110, a lead frame 120, a partition 137, a light emitting chip 140, a wire 160, a molding unit 170, and a phosphor 180. Include.

몸체(110) 상에는 리드 프레임(120)이 배치되며, 리드 프레임(120)은 제1 리드 단자(121) 및 제2 리드 단자(122)를 포함한다. 리드 프레임(120)의 제1 리드 단자(121)의 단부에는 정방형 또는 장방형의 형태로 형성된 격벽(137)이 형성된다. 발광칩(140)은 제1 리드 단자(121)의 단부에 형성된 격벽(137)의 내부 영역에 실장되며, 발광칩(140)은 와이어(160)를 통하여 제2 리드 단자(122)와 전기적으로 연결된다. 몸체(110) 상부에는 발광칩(140)을 봉지하는 몰딩부(170)가 형성되며, 몰딩부(170) 내에는 발광칩(140)으로부터 방출된 광을 흡수하여 각각의 파장으로 광을 파장 전환시키는 형광체(180)가 혼합된다.
The lead frame 120 is disposed on the body 110, and the lead frame 120 includes a first lead terminal 121 and a second lead terminal 122. A partition 137 formed in a square or rectangular shape is formed at an end portion of the first lead terminal 121 of the lead frame 120. The light emitting chip 140 is mounted on an inner region of the partition wall 137 formed at the end of the first lead terminal 121, and the light emitting chip 140 is electrically connected to the second lead terminal 122 through the wire 160. Connected. A molding unit 170 is formed on the body 110 to encapsulate the light emitting chip 140. The molding unit 170 absorbs the light emitted from the light emitting chip 140 to convert the light into wavelengths. Phosphor 180 is mixed.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
What has been described above is merely an exemplary embodiment of a light emitting diode according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment, and as claimed in the following claims, without departing from the gist of the present invention. Anyone with ordinary knowledge in the field of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

110: 몸체 120: 리드 프레임
130(131, 133, 135, 137): 격벽 140: 발광칩
150: 반사기 160: 와이어
170: 몰딩부 180: 형광체110: body 120: lead frame
130 (131, 133, 135, 137): partition 140: light emitting chip
150: reflector 160: wire
170: molding part 180: phosphor

Claims (11)

적어도 2개의 발광 칩;
상기 발광 칩 각각이 실장되는 실장면 및 상기 실장면으로부터 소정 높이로 돌출되어 형성된 적어도 2개의 격벽을 각각 포함하는 제1 및 제2 리드프레임; 및
상기 제1 및 제2 리드프레임을 지지하고, 측벽에 반사기를 포함하는 몸체
를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
At least two light emitting chips;
First and second lead frames each including a mounting surface on which each of the light emitting chips is mounted and at least two partition walls protruding from the mounting surface to a predetermined height; And
A body supporting the first and second lead frames, the body including a reflector on the side wall
Light emitting diode comprising a.
청구항 1에 있어서,
상기 격벽은 상기 발광 칩 둘레를 둘러싸도록 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
The barrier rib is formed to surround the light emitting chip.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드프레임이 마주하는 단부는 수직 단면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
An end portion of the first and second lead frames facing each other includes a vertical cross section.
청구항 3에 있어서,
상기 단부는 상기 격벽으로부터 연장되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 3,
And the end portion is formed to extend from the partition wall.
청구항 4에 있어서,
상기 몸체는 상기 단부를 노출시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method of claim 4,
And the body exposes the end portion.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드프레임은 적어도 일부가 상기 몸체의 바닥면에 노출되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
The first and second lead frames are formed with at least a portion exposed to the bottom surface of the body.
청구항 6에 있어서,
상기 제1 및 제2 리드프레임은 적어도 일부가 절곡되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method of claim 6,
The first and the second lead frame is a light emitting diode, characterized in that formed at least in part bent.
청구항 1에 있어서,
상기 반사기는 상기 실장면 및 상기 격벽을 노출시키는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 1,
And the reflector exposes the mounting surface and the partition wall.
청구항 8에 있어서,
상기 반사기 내에 상기 발광 칩을 덮는 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 8,
And a molding unit covering the light emitting chip in the reflector.
청구항 9에 있어서,
상기 몰딩부는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
The method according to claim 9,
The molding unit includes a light emitting diode, characterized in that the phosphor.
청구항 1에 있어서,
상기 발광 칩과 상기 제1 및 제2 리드프레임을 전기적으로 연결하는 와이어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
And a wire electrically connecting the light emitting chip to the first and second lead frames.
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