KR101772551B1 - Semiconductor light emitting structure and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는,반도체 발광 구조물에 있어서, 반도체 발광소자;로서, 제1 전극, 제2 전극 및 활성층을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩 및 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극, 제4 전극 및 활성층을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자; 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전부; 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전부; 그리고, 반도체 발광소자 및 복수의 도전부를 덮는 봉지재;를 포함하며, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 각각의 도전부의 적어도 일부분이 봉지재로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 및 그 제조 방법에 대한 것이다.A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor light emitting device chip including a first electrode, a second electrode and an active layer; a third electrode located on the first semiconductor light emitting device chip; A semiconductor light emitting device including a second semiconductor light emitting device chip including an electrode and an active layer; A first conductive portion electrically connected to the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip; A second conductive portion electrically connected to the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip; And a sealing material covering the semiconductor light emitting element and the plurality of conductive portions, wherein at least a part of the plurality of electrodes and the conductive portions of the first semiconductor light emitting element chip are exposed from the sealing material, And a manufacturing method thereof.

Description

반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light-emitting structure,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광 구조물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 복수의 반도체 발광소자 칩을 효율적으로 배치한 반도체 발광 구조물 및 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting structure and a manufacturing method thereof, and more particularly to a semiconductor light emitting structure in which a plurality of semiconductor light emitting device chips are efficiently arranged and a manufacturing method thereof.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10; 예: 사파이어 기판), 성장기판(10) 위에, 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN층), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예; INGaN/(In)GaN MQWs), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN층)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 전류 확산을 위한 투광성 전도막(60)과, 본딩 패드로 역할하는 전극(70)이 형성되어 있고, 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 역할하는 전극(80: 예: Cr/Ni/Au 적층 금속 패드)이 형성되어 있다. 도 1과 같은 형태의 반도체 발광소자 칩을 특히 레터럴 칩(Lateral Chip)이라 한다. 여기서, 기판(10) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다.The semiconductor light emitting device chip includes a buffer layer 20, a first semiconductor layer 30 (e.g., an n-type GaN layer) 30 having a first conductivity, An active layer 40 (e.g., INGaN / (In) GaN MQWs) that generates light through recombination of holes, and a second semiconductor layer 50 (e.g., a p-type GaN layer) having a second conductivity different from the first conductivity A light transmitting conductive film 60 for current diffusion and an electrode 70 serving as a bonding pad are formed on the first semiconductor layer 30 and the first semiconductor layer 30 is etched to serve as a bonding pad Electrode 80 (e.g., a Cr / Ni / Au laminated metal pad) is formed. The semiconductor light emitting device chip of the type shown in FIG. 1 is referred to as a lateral chip in particular. Here, when the substrate 10 side is electrically connected to the outside, it functions as a mounting surface.

도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 성장기판(10), 성장기판(10) 위에, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 증착되어 있으며, 그 위에 성장기판(10) 측으로 빛을 반사시키기 위한 3층으로 된 전극막(90, 91, 92)이 형성되어 있다. 제1 전극막(90)은 Ag 반사막, 제2 전극막(91)은 Ni 확산 방지막, 제3 전극막(92)은 Au 본딩층일 수 있다. 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 위에 본딩 패드로 기능하는 전극(80)이 형성되어 있다. 여기서, 전극막(92) 측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 2와 같이 전극이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능하고, 활성층에서 생성된 빛을 성장기판 측으로 반사하는 구조를 갖는 반도체 발광소자를 특히 플립 칩(Flip Chip)이라 한다. 도 2에 도시된 플립 칩의 경우 제1 반도체층(30) 위에 형성된 전극(80)이 제2 반도체층 위에 형성된 전극막(90, 91, 92)보다 낮은 높이에 있지만, 동일한 높이에 형성될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서 높이의 기준은 성장기판(10)으로부터의 높이 일 수 있다. The semiconductor light emitting device chip includes a growth substrate 10, a growth substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 for generating light through recombination of electrons and holes, And a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from that of the second semiconductor layer 50 are deposited in this order on the substrate 10, and three layers of electrode films 90, 91, and 92 for reflecting light toward the growth substrate 10 are formed have. The first electrode film 90 may be an Ag reflective film, the second electrode film 91 may be an Ni diffusion prevention film, and the third electrode film 92 may be an Au bonding layer. An electrode 80 functioning as a bonding pad is formed on the first semiconductor layer 30 exposed by etching. Here, when the electrode film 92 side is electrically connected to the outside, it functions as a mounting surface. As shown in FIG. 2, a semiconductor light emitting device having a structure that functions as a mounting surface when an electrode is electrically connected to the outside and reflects light generated in the active layer toward a growth substrate is called a flip chip. In the case of the flip chip shown in FIG. 2, the electrodes 80 formed on the first semiconductor layer 30 are lower in height than the electrode films 90, 91, and 92 formed on the second semiconductor layer, . Here, the height reference may be a height from the growth substrate 10.

도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면기호를 변경하였다.3 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 8,008,683. For ease of explanation, the drawing symbols have been changed.

반도체 발광소자 칩은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50)이 순차로 형성되어 있으며, 성장 기판이 제거된 측에 형성된 전극(120), 제2 반도체층(50)에 전류를 공급하는 한편 반도체층(30, 40, 50)을 지지하는 지지 기판(100), 그리고 지지 기판(100)에 형성된 전극(110)을 포함한다. 전극(120)은 와이어 본딩을 이용하여 외부와 전기적으로 연결된다. 전극(110)측이 외부와 전기적으로 연결될 때 장착면으로 기능한다. 도 3과 같이 전극(110, 120)이 활성층(40)의 위 및 아래에 1개씩 있는 구조의 반도체 발광소자 칩을 수직 칩(Vertical Chip)이라 한다.The semiconductor light emitting device chip includes a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, an active layer 40 generating light through recombination of electrons and holes, a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity An electrode 120 formed on the side where the growth substrate is removed and a supporting substrate 100 for supporting the semiconductor layers 30, 40 and 50 while supplying current to the second semiconductor layer 50 ), And an electrode 110 formed on the supporting substrate 100. The electrode 120 is electrically connected to the outside using wire bonding. And functions as a mounting surface when the electrode 110 side is electrically connected to the outside. As shown in FIG. 3, a semiconductor light emitting device chip having a structure in which electrodes 110 and 120 are provided on the upper and lower sides of the active layer 40 is referred to as a vertical chip.

도 4는 한국 공개특허공보 제10-2010-0030805호에 기재된 반도체 발광 구조물의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 도면 기호를 수정하였다.4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting structure disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0030805. The drawing symbols have been modified for convenience of explanation.

반도체 발광 구조물(200)은 기판(210), 캐비티(221, 222)를 포함하는 분리대(220), 복수의 반도체 발광소자 칩(230, 231), 및 캐비티(221, 222)를 채우는 투광성 봉지재(240) 및 렌즈(250)를 포함한다. 기판(210)은 반도체 발광소자 칩(230, 231)이 실장되는 기판(210)이다. 복수의 반도체 발광소자 칩(230, 231)은 청색, 적색, 또는 녹색을 발광하는 반도체 발광소자 칩일 수 있다. 투광성 봉지재(240)는 서로 다른 특성의 파장 변환재(241, 242)를 포함한다. 예를 들어 복수의 반도체 발광소자 칩(230, 231)은 청색을 발광하고, 파장 변환재(241)는 황색 형광체이고, 파장 변환재(242)는 적색 형광체의 조합으로서, 백색광을 발광할 수 있다. 그러나 도 4와 같은 형태의 반도체 발광 구조물(200)은 구조가 복잡하고, 크기도 크며, 사용되는 부품 수가 많아 제조경비가 높다.The semiconductor light emitting structure 200 includes a substrate 210, a separator 220 including the cavities 221 and 222, a plurality of semiconductor light emitting device chips 230 and 231, and a transparent encapsulant 220 filling the cavities 221 and 222 (240) and a lens (250). The substrate 210 is a substrate 210 on which the semiconductor light emitting device chips 230 and 231 are mounted. The plurality of semiconductor light-emitting device chips 230 and 231 may be a semiconductor light-emitting device chip that emits blue, red, or green. The translucent encapsulant 240 includes wavelength conversion materials 241 and 242 having different characteristics. For example, the plurality of semiconductor light emitting device chips 230 and 231 emit blue light, the wavelength converting material 241 is a yellow fluorescent material, and the wavelength converting material 242 is a combination of red fluorescent material and can emit white light . However, the semiconductor light emitting structure 200 of FIG. 4 has a complex structure, a large size, and a large number of parts to be used, resulting in a high manufacturing cost.

본 개시는 반도체 발광 구조물로서, 복수의 반도체 발광소자 칩을 효율적으로 배치하여 반도체 발광 구조물의 크기가 획기적으로 작아지며, 복수의 반도체 발광소자 칩을 각각 온(On)/오프(Off)할 수 있는 반도체 발광 구조물을 제공하고자 한다.The present invention relates to a semiconductor light-emitting structure, in which a plurality of semiconductor light-emitting device chips are efficiently arranged to reduce the size of the semiconductor light-emitting structure drastically and to turn on / off a plurality of semiconductor light- To provide a semiconductor light emitting structure.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광 구조물에 있어서, 반도체 발광소자;로서, 제1 전극, 제2 전극 및 활성층을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩 및 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극, 제4 전극 및 활성층을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자; 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전부; 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전부; 그리고, 반도체 발광소자 및 복수의 도전부를 덮는 봉지재;를 포함하며, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 각각의 도전부의 적어도 일부분이 봉지재로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting structure, a semiconductor light emitting device includes: a first semiconductor light emitting device chip including a first electrode, a second electrode, and an active layer; A semiconductor light emitting device including a third semiconductor light emitting device chip including a third electrode, a fourth electrode, and an active layer disposed on the first semiconductor light emitting device chip; A first conductive portion electrically connected to the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip; A second conductive portion electrically connected to the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip; And a sealing material covering the semiconductor light emitting element and the plurality of conductive portions, wherein at least a part of the plurality of electrodes and the conductive portions of the first semiconductor light emitting element chip are exposed from the sealing material, / RTI >

본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광 구조물 제조방법으로서, 홀을 포함하는 몸체를 준비하는 단계(S1); 몸체의 홀에 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 제1 반도체 발광소자 칩과 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하며 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 제3 전극 및 제4 전극이 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자를 위치시키는 단계(S2);몸체의 홀에 제1 도전부 및 제2 도전부를 위치시키는 단계(S3); 제1 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극을 전기적으로 연결하고, 제2 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 그리고, 복수의 도전부와 반도체 발광소자를 봉지재로 덮는 단계(S5):로서 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 복수의 도전부 일부가 봉지재로부터 노출되도록 봉지재로 덮는 단계(S5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법이 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting structure, comprising: (S1) preparing a body including a hole; A first semiconductor light emitting device chip in which a first electrode and a second electrode are positioned below an active layer of a first semiconductor light emitting device chip and a second semiconductor light emitting device chip located on a first semiconductor light emitting device chip, A step S2 of placing a semiconductor light emitting device including a second semiconductor light emitting device chip in which a third electrode and a fourth electrode are located, placing a first conductive portion and a second conductive portion in a hole of a body S3; (S4) electrically connecting the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the first conductive portion and electrically connecting the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the second conductive portion; (S5) of covering the plurality of conductive parts and the semiconductor light emitting device with the encapsulant, the step (S5) of covering the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip and the plurality of conductive parts with the encapsulant so as to be exposed from the encapsulant And a second electrode formed on the second electrode.

이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Enforcement of the Invention.

도 1은 종래의 반도체 발광소자 칩의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 다른 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제8,008,683호에 제시된 반도체 발광소자 칩의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 한국 공개특허공보 제10-2010-0030805호에 기재된 반도체 발광 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 일 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 또 다른 일 예를 나타내는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물을 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a conventional semiconductor light emitting device chip,
2 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
3 is a view showing another example of the semiconductor light-emitting device chip disclosed in U.S. Patent No. 8,008,683,
4 is a view showing an example of a semiconductor light emitting structure disclosed in Korean Patent Laid-Open No. 10-2010-0030805,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
7 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting structure according to the present disclosure,
10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure,
11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure,
12 is a diagram showing an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting structure according to the present disclosure,
13 is a view showing another example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting structure according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 5(a)는 평면도이며, 도 5(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 5 (a) is a plan view, and FIG. 5 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광소자(300)는 제1 반도체 발광소자 칩(310)과 제1 반도체 발광소자 칩(310) 위에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩(320)을 포함한다. 제1 반도체 발광소자 칩(310)은 활성층(311), 활성층(311) 아래에 위치하는 반사막(312) 및 복수의 전극(313)을 포함한다. 활성층(311)에서 발광하는 빛은 반사막(312)에 반사되어 제2 반도체 발광소자 칩(320) 방향으로 나갈 수 있다. 예를 들어 점선(340)처럼 활성층(311)에서 발광하는 빛이 반사막(312)에 반사되어 제2 반도체 발광소자 칩(320)을 관통하여 위로 나갈 수 있다. 특히 제1 반도체 발광소자 칩(310)과 제2 반도체 발광소자 칩(320)이 서로 다른 색의 빛을 발광하는 경우, 제1 반도체 발광소자 칩(310)에서 나오는 빛이 제2 반도체 발광소자 칩(320)을 관통하여 지나가면서 색의 혼합이 잘 이루어질 수 있다. 제2 반도체 발광소자 칩(320)은 활성층(321), 활성층(321) 위에 위치하는 복수의 전극(322)을 포함한다. 즉 제1 반도체 발광소자 칩(310)과 제2 반도체 발광소자 칩(320)의 전극(313, 322)은 서로 반대 방향에 위치하고 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(310)과 제2 반도체 발광소자 칩(320) 사이에는 두 개의 칩(310, 320)을 접합하는 투광성 접착층(330)을 포함한다. 투광성 접착층(330)을 형성하는 물질로는 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 등일 수 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(310)은 플립 칩일 수 있으며, 제2 반도체 발광소자 칩(320)은 래터럴 칩일 수 있다. The semiconductor light emitting device 300 includes a first semiconductor light emitting device chip 310 and a second semiconductor light emitting device chip 320 disposed on the first semiconductor light emitting device chip 310. The first semiconductor light emitting device chip 310 includes an active layer 311, a reflective layer 312 positioned below the active layer 311, and a plurality of electrodes 313. Light emitted from the active layer 311 may be reflected by the reflective layer 312 and may be emitted toward the second semiconductor light emitting device chip 320. For example, the light emitted from the active layer 311 may be reflected by the reflective film 312 as shown by a dotted line 340, and may pass through the second semiconductor light emitting device chip 320 and go up. In particular, when the first semiconductor light emitting device chip 310 and the second semiconductor light emitting device chip 320 emit light of different colors, light emitted from the first semiconductor light emitting device chip 310 is emitted to the second semiconductor light emitting device chip 310, The color mixing can be performed well while passing through the through hole 320. The second semiconductor light emitting device chip 320 includes an active layer 321 and a plurality of electrodes 322 located on the active layer 321. That is, the first semiconductor light emitting device chip 310 and the electrodes 313 and 322 of the second semiconductor light emitting device chip 320 are positioned in opposite directions to each other. A light transmitting adhesive layer 330 joining the two chips 310 and 320 is provided between the first semiconductor light emitting device chip 310 and the second semiconductor light emitting device chip 320. The material forming the light-transmitting adhesive layer 330 may be, for example, an epoxy resin, a silicone resin, or the like. The first semiconductor light emitting device chip 310 may be a flip chip, and the second semiconductor light emitting device chip 320 may be a lateral chip.

도 6은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 도 6(a)는 평면도이며, 도 6(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.6 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. 6 (a) is a plan view, and FIG. 6 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광소자(400)는 제1 반도체 발광소자 칩(410)과 제1 반도체 발광소자 칩(410) 위에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩(420)을 포함한다. 제1 반도체 발광소자 칩(410)은 활성층(411), 활성층(411) 아래에 위치하는 반사막(412) 및 복수의 전극(413)을 포함한다. 제2 반도체 발광소자 칩(420)은 활성층(421), 활성층(421) 위에 위치하는 반사막(422) 및 복수의 전극(423)을 포함한다. 활성층(411, 421)에서 발광하는 빛은 반사막(412, 422)에 반사되어 제1 반도체 발광소자 칩(410) 및 제2 반도체 발광소자 칩(420)의 측면으로 나갈 수 있다. 예를 들어 점선(440)처럼 활성층(411)에서 발광하는 빛이 반사막(412) 및 반사막(422)에 반사되어 제1 반도체 발광소자 칩(410) 및 제2 반도체 발광소자 칩(420)의 측면으로 나갈 수 있으며, 점선(441)처럼 활성층(421)에서 발광하는 빛이 반사막(412) 및 반사막(422)에 반사되어 제1 반도체 발광소자 칩(410) 및 제2 반도체 발광소자 칩(420)의 측면으로 나갈 수 있다. 특히 제1 반도체 발광소자 칩(410)과 제2 반도체 발광소자 칩(420)이 서로 다른 색의 빛을 발광하는 경우, 제1 반도체 발광소자 칩(410)에서 나오는 빛 및 제2 반도체 발광소자 칩(420)에서 나오는 빛이 반사막(412, 422) 사이에서 반사되면서 색의 혼합이 잘 이루어질 수 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(410)과 제2 반도체 발광소자 칩(420)의 전극(413, 423)은 서로 반대 방향에 위치하고 있다. 제2 반도체 발광소자 칩(410)과 제2 반도체 발광소자 칩(420) 사이에는 두 개의 칩(410, 420)을 접합하는 투광성 접착층(430)을 포함한다. 투광성 접착층(430)을 형성하는 물질로는 예를 들어 에폭시 수지, 실리콘 수지 등일 수 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(410) 및 제2 반도체 발광소자 칩(420)은 플립 칩일 수 있다.The semiconductor light emitting device 400 includes a first semiconductor light emitting device chip 410 and a second semiconductor light emitting device chip 420 disposed on the first semiconductor light emitting device chip 410. The first semiconductor light emitting device chip 410 includes an active layer 411, a reflective film 412 positioned under the active layer 411, and a plurality of electrodes 413. The second semiconductor light emitting device chip 420 includes an active layer 421, a reflective film 422 disposed on the active layer 421, and a plurality of electrodes 423. The light emitted from the active layers 411 and 421 may be reflected by the reflective films 412 and 422 and may be emitted to the side surfaces of the first semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420. Light emitted from the active layer 411 is reflected by the reflection film 412 and the reflection film 422 as shown by the dotted line 440 and is reflected by the side surfaces of the first semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420 And light emitted from the active layer 421 is reflected by the reflective film 412 and the reflective film 422 as indicated by a dotted line 441 to be incident on the first semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420, As shown in FIG. In particular, when the first semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420 emit light of different colors, light emitted from the first semiconductor light emitting device chip 410, The light emitted from the light source 420 may be reflected between the reflection films 412 and 422 so that the colors can be mixed well. The first semiconductor light emitting device chip 410 and the electrodes 413 and 423 of the second semiconductor light emitting device chip 420 are located in opposite directions to each other. And a light transmitting adhesive layer 430 for bonding the two chips 410 and 420 between the second semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420. The material forming the light-transmitting adhesive layer 430 may be, for example, an epoxy resin, a silicone resin, or the like. The first semiconductor light emitting device chip 410 and the second semiconductor light emitting device chip 420 may be flip chips.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 도 7(a)는 평면도이며, 도 7(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 7 (a) is a plan view, and Fig. 7 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광소자(500)는 제1 반도체 발광소자 칩(510), 제1 반도체 발광소자 칩(510) 위에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩(520), 및 제2 반도체 발광소자 칩(520) 위에 위치하는 제3 반도체 발광소자 칩(530)을 포함한다. 제3 반도체 발광소자 칩(530)은 활성층(531), 활성층(531) 위에 위치하는 전극(532), 활성층(531) 아래에 위치하는 전극(533)을 포함한다. 제3 반도체 발광소자 칩(530)의 전극(532, 533) 중 활성층(531) 아래에 위치하는 전극(533)은 제2 반도체 발광소자 칩(520)의 복수의 전극(521) 중 하나와 전기적으로 연결된다. 예를 들어 제3 반도체 발광소자 칩(530)의 활성층(531) 아래에 위치하는 전극(533)이 제2 반도체 발광소자 칩(520)의 복수의 전극(521) 중 하나의 전극(521) 바로 위에서 전기적으로 연결되거나(미도시), 도 7(a)에 도시된 것처럼 제2 반도체 발광소자 칩(520)이 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(540)를 포함하고, 제3 반도체 발광소자 칩(530)의 활성층(531) 아래에 위치하는 전극(533)이 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(540) 위에 위치하여 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 반도체 발광소자 칩(520)의 복수의 전극(521)의 면적이 충분히 크지 않은 경우, 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(540) 위에 제3 반도체 발광소자 칩(530)이 위치하는 것이 바람직하다. 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(540) 또는 제2 반도체 발광소자 칩(520)의 복수의 전극(521) 중 하나의 전극(521) 바로 위에 제3 반도체 발광소자 칩(530)은 예를 들어 솔더링에 의해 전기적으로 연결되어 고정될 수 있다. 제3 반도체 발광소자 칩(530) 형성부(540)는 제2 반도체 발광소자 칩(520)의 복수의 전극(521) 중 하나와 전기적 연결부(550)에 의해 전기적으로 연결된다. 도 7에 기재된 반도체 발광소자(500)는 도 5에 기재된 반도체 발광소자(300)에 제3 반도체 발광소자 칩(530)을 추가한 것으로 도 7에서 설명한 것을 제외하고는 도 5에 도시된 반도체 발광소자(500)와 동일하다. 제1 반도체 발광소자 칩(510), 제2 반도체 발광소자 칩(520) 및 제3 반도체 발광소자 칩(530)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다. 예를 들어 제1 반도체 발광소자 칩(510)은 청색을 발광하고, 제2 반도체 발광소자 칩(520)은 녹색을 발광하고, 제3 반도체 발광소자 칩(530)은 적색을 발광할 수 있다. 특히 제1 반도체 발광소자 칩(510)의 활성층(511) 아래에 위치하는 반사막(512)에 의해 제1 반도체 발광소자 칩(510)에서 나오는 빛이 제2 반도체 발광소자 칩(520)을 관통하여 위로 나가기 때문에, 색이 잘 혼합될 수 있다. 제3 반도체 발광소자 칩(530)은 수직 칩일 수 있다. 또한 도 7(a)와 같이 제1 반도체 발광소자 칩(510), 제2 반도체 발광소자 칩(520) 및 제3 반도체 발광소자 칩(530)이 적층되는 구조이기 때문에, 평면도에서의 면적의 크기가 제1 반도체 발광소자 칩(510) > 제2 반도체 발광소자 칩(520) > 제3 반도체 발광소자 칩(530)인 것이 구조적으로 안정적이며 밑에 있는 반도체 발광소자 칩에서 발광하는 빛이 덜 가리게 되어 바람직하다. 동일한 면적일 수도 있다. The semiconductor light emitting device 500 is mounted on the first semiconductor light emitting device chip 510, the second semiconductor light emitting device chip 520 positioned on the first semiconductor light emitting device chip 510, And a third semiconductor light-emitting device chip 530 disposed on the third semiconductor light- The third semiconductor light emitting device chip 530 includes an active layer 531, an electrode 532 located on the active layer 531, and an electrode 533 located below the active layer 531. The electrode 533 located below the active layer 531 of the electrodes 532 and 533 of the third semiconductor light emitting device chip 530 is electrically connected to one of the plurality of electrodes 521 of the second semiconductor light emitting device chip 520 Lt; / RTI > The electrode 533 positioned below the active layer 531 of the third semiconductor light emitting device chip 530 is electrically connected to one electrode 521 of the plurality of electrodes 521 of the second semiconductor light emitting device chip 520, 7A, the second semiconductor light emitting device chip 520 includes a third semiconductor light emitting device chip forming portion 540, and the third semiconductor light emitting device chip 520 is electrically connected The electrode 533 positioned under the active layer 531 of the second semiconductor light emitting device chip 530 may be located on the third semiconductor light emitting device chip forming portion 540 and electrically connected thereto. It is preferable that the third semiconductor light emitting device chip 530 is located on the third semiconductor light emitting device chip forming portion 540 when the area of the plurality of electrodes 521 of the second semiconductor light emitting device chip 520 is not large enough Do. The third semiconductor light emitting device chip 530 may be formed on one electrode 521 of the plurality of electrodes 521 of the third semiconductor light emitting device chip forming part 540 or the second semiconductor light emitting device chip 520, And can be electrically connected and fixed by soldering. The third semiconductor light emitting device chip 530 forming portion 540 is electrically connected to one of the plurality of electrodes 521 of the second semiconductor light emitting device chip 520 by the electrical connecting portion 550. The semiconductor light emitting device 500 shown in FIG. 7 is obtained by adding a third semiconductor light emitting device chip 530 to the semiconductor light emitting device 300 shown in FIG. 5, and the semiconductor light emitting device 500 shown in FIG. Is the same as the device 500. The first semiconductor light emitting device chip 510, the second semiconductor light emitting device chip 520, and the third semiconductor light emitting device chip 530 may emit different colors. For example, the first semiconductor light emitting device chip 510 emits blue light, the second semiconductor light emitting device chip 520 emits green light, and the third semiconductor light emitting device chip 530 emits red light. The light emitted from the first semiconductor light emitting device chip 510 passes through the second semiconductor light emitting device chip 520 by the reflective film 512 positioned below the active layer 511 of the first semiconductor light emitting device chip 510 Because we go up, colors can be mixed well. The third semiconductor light emitting device chip 530 may be a vertical chip. 7A, since the first semiconductor light emitting device chip 510, the second semiconductor light emitting device chip 520, and the third semiconductor light emitting device chip 530 are stacked, the size of the area in the plan view The first semiconductor light emitting device chip 510, the second semiconductor light emitting device chip 520, and the third semiconductor light emitting device chip 530 are structurally stable and the light emitted from the underlying semiconductor light emitting device chip is less desirable. It may be the same area.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 보여주는 도면이다. 도 8(a)는 평면도이며, 도 8(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Fig. 8 (a) is a plan view, and Fig. 8 (b) is a sectional view taken along line AA '.

반도체 발광소자(600)는 제1 반도체 발광소자 칩(610), 제1 반도체 발광소자 칩(610) 위에 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩(620), 및 제2 반도체 발광소자 칩(620) 위에 위치하는 제3 반도체 발광소자 칩(630)을 포함한다. 제3 반도체 발광소자 칩(630)은 활성층(631), 활성층(631) 위에 위치하는 전극(632) 및 활성층(631) 아래에 위치하는 전극(633)을 포함한다. 제3 반도체 발광소자 칩(630)의 전극(632, 633) 중 활성층(631) 아래에 위치하는 전극(633)은 제2 반도체 발광소자 칩(620)의 복수의 전극(623) 중 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어 도 8(a)에 도시된 것처럼 제3 반도체 발광소자 칩(630)의 전극(633)이 제2 반도체 발광소자 칩(620)의 복수의 전극(623) 중 하나의 전극(623) 위에 전기적으로 연결되거나, 제2 반도체 발광소자 칩(620)에 제3 반도체 발광소자 칩(630)이 위치하는 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(미도시)를 포함할 수 있다. 도 7과 비교하여 제3 반도체 발광소자 칩(530, 630)의 전극(533, 633)을 제3 반도체 발광소자 칩 형성부(540) 위에 위치시킬 것인지, 아니면 제2 반도체 발광소자 칩(520, 620)의 복수의 전극 중 하나의 전극(521, 623) 위에 위치시킬 것인지는 제2 반도체 발광소자 칩(530, 630)의 전극(521, 623)의 면적 크기에 따를 수 있다. 즉 제2 반도체 발광소자 칩의 전극 면적이 큰 경우에는 도 8(a)와 같이 제2 반도체 발광소자 칩(630)의 전극(623) 위에 직접 제3 반도체 발광소자 칩(630)의 전극(633)을 위치시킬 수 있지만 제2 반도체 발광소자 칩의 전극 면적이 작은 경우에는 도 7(a)와 같이 제3 반도체 발광소자 형성부(540) 위에 제3 반도체 발광소자 칩(530)의 전극(533)을 위치시킬 수 있다. 도 8에 기재된 반도체 발광소자(600)는 도 6에 기재된 반도체 발광소자(400)에 제3 반도체 발광소자 칩(630)을 추가한 것으로 도 8에서 설명한 것을 제외하고는 도 6에 도시된 반도체 발광소자(600)와 동일하다. 제1 반도체 발광소자 칩(610), 제2 반도체 발광소자 칩(620) 및 제3 반도체 발광소자 칩(630)은 서로 다른 색을 발광할 수 있다. 예를 들어 제1 반도체 발광소자 칩(610)은 청색을 발광하고, 제2 반도체 발광소자 칩(620)은 녹색을 발광하고, 제3 반도체 발광소자 칩(630)은 적색을 발광할 수 있다. 특히 제1 반도체 발광소자 칩(610)에서 나오는 빛 및 제2 반도체 발광소자 칩(620)에서 나오는 빛이 반사막(612, 622) 사이에서 반사되면서 색의 혼합이 잘 이루어질 수 있다. 제3 반도체 발광소자 칩(630)은 수직 칩일 수 있다. 도 8(a)와 같이 제1 반도체 발광소자 칩(610), 제2 반도체 발광소자 칩(620) 및 제3 반도체 발광소자 칩(630)이 적층되는 구조이기 때문에, 평면도에서의 면적의 크기가 제1 반도체 발광소자 칩(610) > 제2 반도체 발광소자 칩(620) > 제3 반도체 발광소자 칩(630)인 것이 구조적으로 안정적이며 밑에 있는 반도체 발광소자 칩에서 발광하는 빛이 덜 가리게 되어 바람직하다. 동일한 면적일 수도 있다. 도 1 내지 도 3에 의해 반도체 발광소자 칩의 구조는 통상의 기술자가 용이하게 알 수 있는 구조이기 때문에, 도 5 내지 도 8에 있어서 반도체 발광소자 칩에서 활성층 및 반사막 이외의 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층 등 다른 구조는 도시하지 않았다. 또한 도 5 내지 도 8에서 활성층 및 반사막의 위치는 반사막과 활성층 사이의 상대적 위치를 설명하기 위한 것이며 활성층 및 반사막의 반도체 발광소자 칩에서 정확한 위치를 도시하고 있는 것은 아니다. 또한 도 5 내지 도 8에 있어서 반사막은 예를 들어 알루미늄(Al), 은(Ag), 분포 브래그 리플렉터(DBR : Distributed Bragg Reflector), 고반사 백색 반사물질 등이 될 수 있다. 반도체 발광소자 칩이 반사막을 포함하는 구조는 통상의 기술자에게 알려져 있으며, 예를 들어 한국 공개특허공보 제10-2014-0016516호에는 반사막으로 DBR을 사용한 구조가 제시되어 있다.  The semiconductor light emitting device 600 is mounted on the first semiconductor light emitting device chip 610, the second semiconductor light emitting device chip 620 located on the first semiconductor light emitting device chip 610, and the second semiconductor light emitting device chip 620 And the third semiconductor light-emitting device chip 630 is positioned. The third semiconductor light emitting device chip 630 includes an active layer 631, an electrode 632 located on the active layer 631, and an electrode 633 located below the active layer 631. The electrode 633 positioned under the active layer 631 among the electrodes 632 and 633 of the third semiconductor light emitting device chip 630 is electrically connected to one of the plurality of electrodes 623 of the second semiconductor light emitting device chip 620 . The electrode 633 of the third semiconductor light emitting device chip 630 is connected to one electrode 623 of the plurality of electrodes 623 of the second semiconductor light emitting device chip 620, Or a third semiconductor light emitting device chip forming part (not shown) in which the third semiconductor light emitting device chip 630 is located in the second semiconductor light emitting device chip 620. The electrodes 533 and 633 of the third semiconductor light emitting device chips 530 and 630 may be positioned on the third semiconductor light emitting device chip forming portion 540 or the second semiconductor light emitting device chip 520, 623 of the second semiconductor light emitting device chips 530, 620 may be positioned on one of the electrodes 521, 623 of the plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chips 530, 620. When the electrode area of the second semiconductor light emitting device chip is large, the electrode 633 of the third semiconductor light emitting device chip 630 directly contacts the electrode 623 of the second semiconductor light emitting device chip 630 as shown in FIG. 8 (a) When the electrode area of the second semiconductor light emitting device chip is small, the electrode 533 of the third semiconductor light emitting device chip 530 is formed on the third semiconductor light emitting device forming portion 540 as shown in FIG. 7 (a) ). The semiconductor light emitting device 600 shown in FIG. 8 is obtained by adding a third semiconductor light emitting device chip 630 to the semiconductor light emitting device 400 shown in FIG. 6, and the semiconductor light emitting device 600 shown in FIG. Device 600. < / RTI > The first semiconductor light emitting device chip 610, the second semiconductor light emitting device chip 620, and the third semiconductor light emitting device chip 630 may emit different colors. For example, the first semiconductor light emitting device chip 610 emits blue light, the second semiconductor light emitting device chip 620 emits green light, and the third semiconductor light emitting device chip 630 emits red light. In particular, the light emitted from the first semiconductor light emitting device chip 610 and the light emitted from the second semiconductor light emitting device chip 620 are reflected between the reflective films 612 and 622, so that the colors can be well mixed. The third semiconductor light emitting device chip 630 may be a vertical chip. Since the first semiconductor light emitting device chip 610, the second semiconductor light emitting device chip 620, and the third semiconductor light emitting device chip 630 are stacked as shown in FIG. 8 (a), the size of the area in the plan view is The first semiconductor light emitting device chip 610, the second semiconductor light emitting device chip 620, and the third semiconductor light emitting device chip 630 are structurally stable and the light emitted from the underlying semiconductor light emitting device chip is less Do. It may be the same area. Since the structure of the semiconductor light emitting device chip is easily known to a person skilled in the art by referring to Figs. 1 to 3, in the semiconductor light emitting device chips shown in Figs. 5 to 8, the active layer and the first conductivity Other structures such as one semiconductor layer are not shown. In FIGS. 5 to 8, the positions of the active layer and the reflective layer are for illustrating the relative positions between the reflective layer and the active layer, and do not show the exact positions in the active layer and the reflective layer. 5 to 8, the reflection film may be, for example, aluminum (Al), silver (Ag), distributed Bragg reflector (DBR), high reflection white reflection material, or the like. A structure in which a semiconductor light emitting device chip includes a reflective film is known to those of ordinary skill in the art. For example, Korean Patent Laid-Open No. 10-2014-0016516 discloses a structure using a DBR as a reflective film.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 일 예를 나타내는 도면이다.9 is a view showing an example of a semiconductor light emitting structure according to the present disclosure.

도 9(a)는 평면도이며, 도 9(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다.Fig. 9 (a) is a plan view, and Fig. 9 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광 구조물(700)은 반도체 발광소자(710), 복수의 도전부(720, 721), 봉지재(730) 및 벽(740)을 포함한다. 다만 벽(740)은 없거나, 벽(740)의 높이가 반도체 발광소자(710)보다 낮을 수 있다. 반도체 발광소자(710)는 도 5 내지 도 6에 도시된 반도체 발광소자이다. 다만 제1 반도체 발광소자 칩(711)은 반사막을 포함하지 않을 수 있다. 또한 제1 반도체 발광소자 칩(711)의 복수의 전극(713, 714)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극(713) 및 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극(714)이다. 제2 반도체 발광소자 칩(712)의 복수의 전극(715, 716)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층에 전기적으로 연결된 제3 전극(715) 및 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층에 전기적으로 연결된 제4 전극(716)이다. 복수의 도전부(720, 721)는 금속 재질이 바람직하며, 예를 들어 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중 하나일 수 있다. 제1 도전부(720)는 제2 반도체 발광소자 칩(712)의 제3 전극(715)과 전기적으로 연결되고 제2 도전부(721)는 제2 반도체 발광소자 칩(712)의 제4 전극(716)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어 복수의 도전부(720, 721)와 제2 반도체 발광소자 칩(712)의 복수의 전극(715, 716)은 와이어(750) 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 봉지재(730)는 반도체 발광소자(710) 및 복수의 도전부(720, 721)를 덮어 반도체 발광소자(710)와 복수의 도전부(720, 721)를 결합시키는 것으로, 예를 들어 투광성 재질의 에폭시 수지, 실리콘 수지일 수 있다. 다만 제1 반도체 발광소자 칩(711)의 복수의 전극(713, 714) 및 복수의 도전부(720, 721)가 외부(예 : PCB, 서브마운트 등)와 전기적으로 연결될 수 있도록 제1 반도체 발광소자 칩(711)의 복수의 전극(713, 714) 및 복수의 도전부(720, 721)의 적어도 일부는 봉지재(730)로부터 노출되는 것이 바람직하다. The semiconductor light emitting structure 700 includes a semiconductor light emitting element 710, a plurality of conductive portions 720 and 721, a sealing material 730, and a wall 740. However, the wall 740 may be absent, or the height of the wall 740 may be lower than that of the semiconductor light emitting element 710. The semiconductor light emitting element 710 is the semiconductor light emitting element shown in Figs. 5 to 6. However, the first semiconductor light emitting device chip 711 may not include a reflective film. The plurality of electrodes 713 and 714 of the first semiconductor light emitting device chip 711 are electrically connected to the first electrode 713 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity and the second electrode 713 electrically connected to the second semiconductor layer having the second conductivity And is electrically connected to the second electrode 714. The plurality of electrodes 715 and 716 of the second semiconductor light emitting device chip 712 are electrically connected to the third electrode 715 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity and the second electrode 715 electrically connected to the second semiconductor layer having the second conductivity And a fourth electrode 716 connected to the second electrode 711. [ The plurality of conductive parts 720 and 721 are preferably made of a metal material and may be, for example, one of copper (Cu), silver (Ag), and gold (Au). The first conductive portion 720 is electrically connected to the third electrode 715 of the second semiconductor light emitting device chip 712 and the second conductive portion 721 is electrically connected to the fourth electrode 712 of the second semiconductor light emitting device chip 712. [ (Not shown). For example, the plurality of conductive parts 720 and 721 and the plurality of electrodes 715 and 716 of the second semiconductor light emitting device chip 712 may be electrically connected by wire 750 bonding. The sealing material 730 covers the semiconductor light emitting element 710 and the plurality of conductive portions 720 and 721 to couple the plurality of conductive portions 720 and 721 to the semiconductor light emitting element 710. For example, Of an epoxy resin or a silicone resin. A plurality of electrodes 713 and 714 and a plurality of conductive portions 720 and 721 of the first semiconductor light emitting device chip 711 may be electrically connected to the outside (e.g., PCB, submount, etc.) At least a part of the plurality of electrodes 713 and 714 and the plurality of conductive parts 720 and 721 of the element chip 711 are preferably exposed from the sealing material 730. [

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 도 10(a)는 평면도이며, 도 10(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다. 10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure. 10 (a) is a plan view, and FIG. 10 (b) is a sectional view taken along AA '.

반도체 발광 구조물(800)은 반도체 발광소자(810), 복수의 도전부(820, 821, 822), 봉지재(830) 및 벽(840)을 포함한다. 다만 벽(840)은 없거나, 벽(840)의 높이가 반도체 발광소자(810)보다 낮을 수 있다. 반도체 발광소자(810)는 도 7 내지 도 8에 도시된 반도체 발광소자이다. 다만 제1 반도체 발광소자 칩(811)은 반사막을 포함하지 않을 수 있다. 제1 반도체 발광소자 칩(811)의 복수의 전극(814, 815)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극(814) 및 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극(815)이다. 제2 반도체 발광소자 칩(812)의 복수의 전극(816, 817)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제3 전극(816) 및 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제4 전극(817)이다. 제3 반도체 발광소자 칩(813)의 복수의 전극(818, 819)은 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제5 전극(819) 및 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제6 전극(818)이다. 복수의 도전부(820, 821, 822)는 금속 재질이 바람직하며, 예를 들어 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au) 중 하나일 수 있다. 제1 도전부(820)는 제2 반도체 발광소자 칩(812)의 제3 전극(816)과 전기적으로 연결되고 제2 도전부(821)는 제2 반도체 발광소자 칩(812)의 제4 전극(817)과 전기적으로 연결된다. 또한 제3 도전부(822)는 제3 반도체 발광소자 칩(813)의 제5 전극(819)과 전기적으로 연결된다. 복수의 도전부(820, 821, 822)와 제2 반도체 발광소자 칩(812) 및 제3 반도체 발광소자 칩(813)의 복수의 전극(816, 817, 819)은 와이어(850) 본딩에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 봉지재(830)는 반도체 발광소자(810) 및 복수의 도전부(820, 821, 822)를 덮어 반도체 발광소자(810)와 복수의 도전부(820, 821, 822)를 결합시키는 것으로, 예를 들어 투광성 재질의 에폭시 수지, 실리콘 수지일 수 있다. 다만 제1 반도체 발광소자 칩(811)의 복수의 전극(814, 815) 및 복수의 도전부(820, 821, 822)가 외부(예 : PCB, 서브마운트 등)와 전기적으로 연결될 수 있도록 제1 반도체 발광소자 칩(811)의 복수의 전극(814, 815) 및 복수의 도전부(820, 821, 822)의 적어도 일부는 봉지재(830)로부터 노출되는 것이 바람직하다. The semiconductor light emitting structure 800 includes a semiconductor light emitting element 810, a plurality of conductive portions 820, 821 and 822, a sealing material 830 and a wall 840. However, the wall 840 may be absent, or the height of the wall 840 may be lower than that of the semiconductor light emitting element 810. The semiconductor light emitting element 810 is the semiconductor light emitting element shown in Figs. However, the first semiconductor light emitting device chip 811 may not include a reflective film. The plurality of electrodes 814 and 815 of the first semiconductor light emitting device chip 811 are electrically connected to the first electrode 814 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity and the second semiconductor layer having the second conductivity, And a second electrode 815 connected to the second electrode 815. The plurality of electrodes 816 and 817 of the second semiconductor light emitting device chip 812 are electrically connected to the third electrode 816 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity and the second semiconductor layer having the second conductivity, And a fourth electrode 817 connected to the second electrode 817. The plurality of electrodes 818 and 819 of the third semiconductor light emitting device chip 813 are electrically connected to the fifth electrode 819 electrically connected to the second semiconductor layer having the second conductivity and the first semiconductor layer having the first conductivity, And a sixth electrode 818 connected to the second electrode 820. [ The plurality of conductive parts 820, 821 and 822 are preferably made of a metal material and may be, for example, copper (Cu), silver (Ag), or gold (Au). The first conductive portion 820 is electrically connected to the third electrode 816 of the second semiconductor light emitting device chip 812 and the second conductive portion 821 is electrically connected to the fourth electrode 812 of the second semiconductor light emitting device chip 812. [ (Not shown). The third conductive portion 822 is electrically connected to the fifth electrode 819 of the third semiconductor light emitting device chip 813. A plurality of electrodes 816, 817 and 819 of the plurality of conductive parts 820, 821 and 822, the second semiconductor light emitting device chip 812 and the third semiconductor light emitting device chip 813 are connected by wire 850 bonding And can be electrically connected. The sealing material 830 covers the semiconductor light emitting element 810 and the plurality of conductive portions 820, 821 and 822 to couple the plurality of conductive portions 820, 821 and 822 to the semiconductor light emitting element 810, An epoxy resin of a light-transmitting material, and a silicone resin. A plurality of electrodes 814 and 815 and a plurality of conductive parts 820 and 821 and 822 of the first semiconductor light emitting device chip 811 may be electrically connected to the outside (for example, PCB, submount, etc.) At least a part of the plurality of electrodes 814 and 815 and the plurality of conductive portions 820 and 821 and 822 of the semiconductor light emitting device chip 811 are preferably exposed from the sealing material 830. [

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물의 또 다른 일 예를 나타내는 도면이다. 도 11(a)는 평면도이며, 도 11(b)는 AA'를 따라 자른 단면도이다. 11 is a view showing another example of the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure. Fig. 11 (a) is a plan view, and Fig. 11 (b) is a sectional view taken along line AA '.

반도체 발광 구조물(900)은 제1 반도체 발광소자 칩(911)의 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제1 전극(912)이 제1 도전부(920) 위에 전기적으로 연결되어, 제2 반도체 발광소자 칩(930)의 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층과 전기적으로 연결된 제3 전극(931)과 공통으로 제1 도전부(920)에 전기적으로 연결된다. 또한 제1 반도체 발광소자 칩(911)의 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층과 전기적으로 연결된 제2 전극(913)이 제4 도전부(921) 위에 전기적으로 연결된다. 따라서 반도체 발광 구조물(900)은 외부(예 : PCB, 서브마운트 등)와 전기적으로 연결되는 경우, 제1 반도체 발광소자 칩(911)의 복수의 전극(912, 913)이 아니라 복수의 전극(912, 913)이 전기적으로 연결된 제1 도전부(920) 및 제4 도전부(921)가 외부와 전기적으로 연결된다. 도 11에 기재된 반도체 발광 구조물(900)은 도 11에서 설명하고 있는 것을 제외하고는 도 10에 기재된 반도체 발광 구조물(800)과 동일하다.The first electrode 912 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity of the first semiconductor light emitting device chip 911 is electrically connected to the first conductive portion 920, And is electrically connected to the first conductive portion 920 in common with the third electrode 931 electrically connected to the first semiconductor layer having the first conductivity of the second semiconductor light emitting device chip 930. The second electrode 913 electrically connected to the second semiconductor layer having the second conductivity of the first semiconductor light emitting device chip 911 is electrically connected to the fourth conductive portion 921. Therefore, when the semiconductor light emitting structure 900 is electrically connected to an external (e.g., a PCB, a submount, or the like), a plurality of electrodes 912 And 913 are electrically connected to the outside through the first conductive portion 920 and the fourth conductive portion 921 that are electrically connected to each other. The semiconductor light emitting structure 900 described in FIG. 11 is the same as the semiconductor light emitting structure 800 described in FIG. 10, except for that described in FIG.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물을 제조하는 방법의 일 예를 도시한 도면이다.12 is a view showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure.

먼저 홀(1100)을 포함하는 몸체(1000)를 준비한다(S1). 이후 몸체(1000)의 홀(1100)에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩(1210)과 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극 및 제4 전극을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩(1220)을 포함하는 반도체 발광소자(1200)를 위치시킨다(S2). 홀(1100)에 반도체 발광소자(1200)를 임시 고정시키기 위해 임시고정판(1600)을 사용할 수 있다. 임시고정판(1600)은 일반 접착력있는 테이프이면 가능하다. 예를 들어 블루 테이프일 수 있다. 또는 S2 단계에서 도시하지는 않았지만 도 10에 기재된 반도체 발광 소자 구조물(800)을 제조하기 위해 몸체의 홀에 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩, 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극 및 제4 전극을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩 및 제2 반도체 발광소자 칩 위에 제5 전극 및 제6 전극을 포함하는 제3 반도체 발광소자 칩을 포함하고 제6 전극이 제4 전극과 전기적으로 연결된 반도체 발광소자를 위치시킬 수 있다. 이후 몸체(1000)의 홀(1100)에 제1 도전부(1300) 및 제2 도전부(1310)를 위치시킨다(S3). 도시하지는 않았지만 필요에 따라 2개 이상의 도전부를 추가할 수도 있다. 예를 들어 도 10에 기재된 반도체 발광 소자 구조물(800)을 제조하기 위해 제3 도전부를 위치시킬 수 있다. 설명의 편의를 위해 S3 단계부터는 평면도로서 설명한다. 이후 제1 도전부(1300)에 제2 반도체 발광소자 칩(1220)의 제3 전극(1221)을 전기적으로 연결하고, 제2 도전부(1310)에 제2 반도체 발광소자 칩(1220)의 제4 전극(1222)을 전기적으로 연결한다(S4). 전기적 연결은 와이어(1400) 본딩을 이용할 수 있다. 이후 복수의 도전부(1300, 1310)와 반도체 발광소자(1200)를 봉지재(1500)로 덮어 복수의 도전부(1300, 1310)와 반도체 발광소자(1200)를 고정시킨다(S5). 이후 절단선(1700)을 따라 절단하여 각각의 반도체 발광 구조물을 얻을 수 있다(S6). 절단선(1700)의 위치에 따라 반도체 발광 구조물이 벽을 갖지 않을 수도 있다. 또는 홀을 가진 몸체를 사용하지 않고, 임시고정판(1600) 위에 직접 S2 단계 내지 S6 단계를 거쳐 벽이 없는 반도체 발광 구조물을 제조할 수 있다. 예를 들어 도 13과 같이 임시고정판(1600) 위에 적당한 간격을 두고 복수의 도전부(1300, 1310) 및 반도체 발광소자(1200)를 위치시킨 후(S2 단계 및 S3 단계), 와이어 본딩(S4 단계) 및 봉지재를 덮어(S5 단계) 반도체 발광 소자 구조물을 제조할 수 있다. 벽이 필요한 경우에는 임시고정판(1600) 위에 벽(1800)을 형성한 후 S2 단계 내지 S6 단계를 거쳐 반도체 발광 구조물을 제조할 수 있다. 반도체 발광 구조물을 제조하는 순서는 통상의 기술자가 용이하게 변경할 수 있는 범위에서 본 개시의 범위에 포함될 수 있다.First, a body 1000 including a hole 1100 is prepared (S1). A first semiconductor light emitting device chip 1210 including a first electrode and a second electrode in a hole 1100 of the body 1000 and a third electrode and a fourth electrode located on the first semiconductor light emitting device chip The semiconductor light emitting device 1200 including the second semiconductor light emitting device chip 1220 is positioned (S2). A temporary fixing plate 1600 may be used to temporally fix the semiconductor light emitting device 1200 to the hole 1100. [ The temporary fixing plate 1600 can be made of a general adhesive tape. For example, a blue tape. Alternatively, to fabricate the semiconductor light emitting device structure 800 shown in FIG. 10, a first semiconductor light emitting device chip including a first electrode and a second electrode in a hole of a body, a first semiconductor light emitting device chip And a third semiconductor light emitting device chip including a fifth electrode and a sixth electrode on a second semiconductor light emitting device chip, wherein the third semiconductor light emitting device chip includes a third electrode and a fourth electrode, The semiconductor light emitting element electrically connected to the four electrodes can be positioned. Then, the first conductive part 1300 and the second conductive part 1310 are positioned in the hole 1100 of the body 1000 (S3). Although not shown, two or more conductive parts may be added as needed. For example, the third conductive portion can be positioned to fabricate the semiconductor light emitting device structure 800 described in FIG. For convenience of explanation, the step S3 will be described as a plan view. The third electrode 1221 of the second semiconductor light emitting device chip 1220 is electrically connected to the first conductive portion 1300 and the third electrode 1221 of the second semiconductor light emitting device chip 1220 is electrically connected to the second conductive portion 1310. [ 4 electrode 1222 are electrically connected (S4). The electrical connection may utilize wire (1400) bonding. Thereafter, the plurality of conductive parts 1300 and 1310 and the semiconductor light emitting device 1200 are fixed by covering the plurality of conductive parts 1300 and 1310 and the semiconductor light emitting device 1200 with the sealing material 1500 (S5). Thereafter, the semiconductor light emitting structure is cut along the cut line 1700 to obtain each semiconductor light emitting structure (S6). Depending on the position of the cut line 1700, the semiconductor light emitting structure may not have a wall. The semiconductor light emitting structure without a wall can be manufactured through steps S2 to S6 directly on the temporary fixing plate 1600 without using a body having a hole. For example, as shown in FIG. 13, a plurality of conductive parts 1300 and 1310 and a semiconductor light emitting device 1200 are positioned on the temporary fixing plate 1600 at appropriate intervals (steps S2 and S3) ) And the encapsulation material (step S5) so that the semiconductor light emitting device structure can be manufactured. If a wall is required, the semiconductor light emitting structure may be manufactured through steps S2 through S6 after the wall 1800 is formed on the temporary fixing plate 1600. [ The order of manufacturing the semiconductor light-emitting structure can be included in the scope of the present disclosure to the extent that it can be easily changed by a person skilled in the art.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물을 제조하는 방법의 다른 일 예를 도시한 도면이다.13 is a view showing another example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광 구조물에 있어서, 반도체 발광소자;로서, 제1 전극, 제2 전극 및 활성층을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩 및 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극, 제4 전극 및 활성층을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자; 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전부; 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전부; 그리고, 반도체 발광소자 및 복수의 도전부를 덮는 봉지재;를 포함하며, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 각각의 도전부의 적어도 일부분이 봉지재로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(1) A semiconductor light emitting structure, comprising: a first semiconductor light emitting device chip including a first electrode, a second electrode, and an active layer; a third electrode located on the first semiconductor light emitting device chip; And a second semiconductor light emitting device chip including an active layer; A first conductive portion electrically connected to the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip; A second conductive portion electrically connected to the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip; And a sealing material covering the semiconductor light emitting element and the plurality of conductive portions, wherein at least a part of the plurality of electrodes and each conductive portion of the first semiconductor light emitting element chip is exposed from the sealing material.

(2) 제1 반도체 발광소자 칩은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(2) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the first semiconductor light emitting device chip includes a reflective layer below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip.

(3) 제1 반도체 발광소자 칩의 제1 전극 및 제2 전극은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하고, 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극 및 제4 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하여, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극은 서로 반대 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(3) The first electrode and the second electrode of the first semiconductor light-emitting device chip are located below the active layer of the first semiconductor light-emitting device chip, and the third electrode and the fourth electrode of the second semiconductor light- Wherein a plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting element chip and a plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting element chip are located on opposite sides of the active layer of the chip.

(4) 제1 반도체 발광소자 칩과 제2 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 투광성 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(4) a light-transmitting adhesive layer positioned between the first semiconductor light-emitting device chip and the second semiconductor light-emitting device chip.

(5) 반도체 발광소자;는 제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제5 전극, 제6 전극 및 활성층을 포함하는 제3 반도체 발광소자 칩을 추가로 포함하며, 제3 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제3 도전부;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(5) The semiconductor light emitting device may further include a third semiconductor light emitting device chip including a fifth electrode, a sixth electrode, and an active layer disposed on the second semiconductor light emitting device chip, And a third conductive part electrically connected to one of the first electrode and the second electrode.

(6) 제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하고 제6 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하며, 제5 전극은 제3 도전부와 전기적으로 연결되고 제6 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(6) The fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip is located above the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, the sixth electrode is located below the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, And the sixth electrode is electrically connected to one of the plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip.

(7) 제1 반도체 발광소자 칩, 제2 반도체 발광소자 칩, 및 제3 반도체 발광소자 칩은 서로 다른 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(7) The semiconductor light emitting structure according to any one of (1) to (7), wherein the first semiconductor light emitting device chip, the second semiconductor light emitting device chip, and the third semiconductor light emitting device chip emit different colors.

(8) 제1 반도체 발광소자 칩은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 반사막을 포함하고, 제2 반도체 발광소자 칩은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(8) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the first semiconductor light emitting device chip includes a reflective film below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip, and the second semiconductor light emitting device chip includes a reflective film on the active layer of the second semiconductor light emitting device chip. Light emitting structure.

(9) 제1 반도체 발광소자 칩의 제1 전극 및 제2 전극은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하고, 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극 및 제4 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하여, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극은 서로 반대 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(9) The first electrode and the second electrode of the first semiconductor light-emitting device chip are located below the active layer of the first semiconductor light-emitting device chip, and the third electrode and the fourth electrode of the second semiconductor light- Wherein a plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting element chip and a plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting element chip are located on opposite sides of the active layer of the chip.

(10) 반도체 발광소자;는 제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제5 전극, 제6 전극 및 활성층을 포함하는 제3 반도체 발광소자 칩을 추가로 포함하며, 제3 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제3 도전부;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(10) The semiconductor light emitting device of the present invention may further include a third semiconductor light emitting device chip including a fifth electrode, a sixth electrode, and an active layer located on the second semiconductor light emitting device chip, And a third conductive part electrically connected to one of the first electrode and the second electrode.

(11) 제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하고 제6 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하며, 제5 전극은 제3 도전부와 전기적으로 연결되고 제6 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(11) The fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip is located above the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, the sixth electrode is located below the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, And the sixth electrode is electrically connected to one of the plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip.

(12) 제1 반도체 발광소자 칩, 제2 반도체 발광소자 칩, 및 제3 반도체 발광소자 칩은 서로 다른 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(12) A semiconductor light emitting structure, wherein the first semiconductor light emitting device chip, the second semiconductor light emitting device chip, and the third semiconductor light emitting device chip emit different colors.

(13) 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제4 도전부;를 추가로 포함하고, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 나머지 하나는 제1 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.(13) a fourth conductive part electrically connected to one of the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip, and the other one of the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip is connected to the first conductive part Wherein the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other.

(14) 반도체 발광 구조물 제조방법으로서, 홀을 포함하는 몸체를 준비하는 단계(S1); 몸체의 홀에 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 제1 반도체 발광소자 칩과 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하며 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 제3 전극 및 제4 전극이 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자를 위치시키는 단계(S2); 몸체의 홀에 제1 도전부 및 제2 도전부를 위치시키는 단계(S3); 제1 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극을 전기적으로 연결하고, 제2 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 그리고, 복수의 도전부와 반도체 발광소자를 봉지재로 덮는 단계(S5):로서 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 복수의 도전부 일부가 봉지재로부터 노출되도록 봉지재로 덮는 단계(S5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.(14) A method for manufacturing a semiconductor light emitting structure, comprising: (S1) preparing a body including a hole; A first semiconductor light emitting device chip in which a first electrode and a second electrode are positioned below an active layer of a first semiconductor light emitting device chip and a second semiconductor light emitting device chip located on a first semiconductor light emitting device chip, (S2) a semiconductor light emitting device including a second semiconductor light emitting device chip in which a third electrode and a fourth electrode are located; Placing (S3) a first conductive portion and a second conductive portion in a hole in the body; (S4) electrically connecting the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the first conductive portion and electrically connecting the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the second conductive portion; (S5) of covering the plurality of conductive parts and the semiconductor light emitting device with the encapsulant, the step (S5) of covering the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip and the plurality of conductive parts with the encapsulant so as to be exposed from the encapsulant ). ≪ / RTI >

(15) S2 단계는 몸체의 홀에 제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 반도체 발광소자 칩으로서, 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 제5 전극이 위치하고 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 제6 전극이 위치하며 제6 전극이 제3 전극과 전기적으로 연결된 제3 반도체 발광소자 칩이 추가된 반도체 발광소자를 위치시키며, S3 단계는 추가로 제3 도전부를 위치시키며, S4 단계는 추가로 제3 도전부에 제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조 방법.(15) In step (S2), the third semiconductor light emitting device chip is located on the second semiconductor light emitting device chip in the hole of the body, the fifth electrode is located on the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, The sixth electrode is positioned on the third electrode, and the third electrode is electrically connected to the third electrode. In step S3, the third conductive part is further positioned. In step S4, And the fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip is electrically connected to the third conductive portion.

(16) S5 단계 이후에 몸체의 홀 주변을 절단하는 단계;를 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.(16) cutting the periphery of the hole of the body after step S5.

(17) 복수의 도전부와 복수의 반도체 발광소자 칩의 전극을 전기적으로 연결하는 것은 와이어 본딩에 의하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.(17) The method of manufacturing a semiconductor light emitting structure according to any one of the above items (1) to (4), wherein the plurality of conductive portions are electrically connected to the electrodes of the plurality of semiconductor light emitting device chips by wire bonding.

본 개시에 따른 반도체 발광 구조물에 따르면, 반도체 발광 구조물에 사용된 반도체 발광소자를 구성하는 복수의 반도체 발광소자 칩이 수직 구조로 적층되어 있어서 색의 혼합이 잘 이루어질 수 있으며, 반도체 발광 구조물에서 반도체 발광소자가 차지하는 공간이 작아 반도체 발광 구조물의 크기를 획기적으로 줄일 수 있다.According to the semiconductor light emitting structure of the present disclosure, a plurality of semiconductor light emitting device chips constituting a semiconductor light emitting device used in a semiconductor light emitting structure are stacked in a vertical structure so that color mixing can be performed well, The space occupied by the device is small, and the size of the semiconductor light emitting structure can be remarkably reduced.

또한 본 개시에 따른 반도체 발광 구조물에 따르면, 반도체 발광 구조물에 사용된 반도체 발광소자를 구성하는 복수의 반도체 발광소자 칩이 각각 온/오프될 수 있어서, 복수의 반도체 발광소자 칩이 서로 다른 색을 발광할 때 서로 다른 색을 용이하게 발광할 수 있다.In addition, according to the semiconductor light emitting structure according to the present disclosure, a plurality of semiconductor light emitting device chips constituting the semiconductor light emitting device used in the semiconductor light emitting structure can be turned on / off respectively, so that the plurality of semiconductor light emitting device chips emit different colors It is possible to emit different colors easily.

반도체 발광소자 칩 : 230, 231, 310, 320, 410, 420, 510, 520, 530, 610, 620, 630, 711, 712, 811, 812, 813, 911, 930, 1210, 1220
반도체 발광소자 : 300, 400, 500, 600, 710, 810, 1200
반도체 발광 구조물 : 200, 700, 800, 900Semiconductor light emitting device chips 230, 231, 310, 320, 410, 420, 510, 520, 530, 610, 620, 630, 711, 712, 811, 812, 813, 911, 930, 1210, 1220
Semiconductor light emitting devices: 300, 400, 500, 600, 710, 810, 1200
Semiconductor light emitting structure: 200, 700, 800, 900

Claims (17)

반도체 발광 구조물에 있어서,
반도체 발광소자;로서, 제1 전극, 제2 전극 및 활성층을 포함하는 제1 반도체 발광소자 칩 및 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 전극, 제4 전극 및 활성층을 포함하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자;
제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극과 전기적으로 연결되는 제1 도전부;
제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극과 전기적으로 연결되는 제2 도전부; 그리고,
반도체 발광소자 및 복수의 도전부를 덮는 봉지재;를 포함하며,
제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 각각의 도전부의 적어도 일부분이 봉지재로부터 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.In the semiconductor light emitting structure,
A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor light emitting device chip including a first electrode, a second electrode and an active layer; a second semiconductor light emitting device including a third electrode, a fourth electrode, and an active layer disposed on the first semiconductor light emitting device chip; A semiconductor light emitting element including a device chip;
A first conductive portion electrically connected to the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip;
A second conductive portion electrically connected to the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip; And,
And a sealing material covering the semiconductor light emitting element and the plurality of conductive portions,
Wherein a plurality of electrodes of the first semiconductor light-emitting device chip and at least a part of each conductive portion are exposed from the sealing material. 청구항 1에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the first semiconductor light emitting device chip includes a reflective film below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip. 청구항 2에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩의 제1 전극 및 제2 전극은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하고, 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극 및 제4 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하여, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극은 서로 반대 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 2,
The first electrode and the second electrode of the first semiconductor light emitting device chip are positioned below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip and the third electrode and the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip are located below the active layer of the second semiconductor light emitting device chip. Wherein a plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip and a plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip are located in directions opposite to each other. 청구항 3에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩과 제2 반도체 발광소자 칩 사이에 위치하는 투광성 접착층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 3,
And a light transmitting adhesive layer disposed between the first semiconductor light emitting device chip and the second semiconductor light emitting device chip. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자;는
제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제5 전극, 제6 전극 및 활성층을 포함하는 제3 반도체 발광소자 칩을 추가로 포함하며,
제3 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제3 도전부;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method according to claim 1,
A semiconductor light emitting element
And a third semiconductor light emitting device chip including a fifth electrode, a sixth electrode, and an active layer disposed on the second semiconductor light emitting device chip,
And a third conductive part electrically connected to one of the plurality of electrodes of the third semiconductor light emitting device chip. 청구항 5에 있어서,
제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하고 제6 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하며, 제5 전극은 제3 도전부와 전기적으로 연결되고 제6 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 5,
The fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip is located above the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, the sixth electrode is located below the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, and the fifth electrode is electrically connected to the third conductive component And the sixth electrode is electrically connected to one of the plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip. 청구항 5에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩, 제2 반도체 발광소자 칩, 및 제3 반도체 발광소자 칩은 서로 다른 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 5,
Wherein the first semiconductor light emitting device chip, the second semiconductor light emitting device chip, and the third semiconductor light emitting device chip emit different colors. 청구항 1에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 반사막을 포함하고, 제2 반도체 발광소자 칩은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 반사막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method according to claim 1,
Wherein the first semiconductor light emitting device chip includes a reflective film below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip and the second semiconductor light emitting device chip includes a reflective film on the active layer of the second semiconductor light emitting device chip. 청구항 8에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩의 제1 전극 및 제2 전극은 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하고, 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극 및 제4 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하여, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극은 서로 반대 방향에 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 8,
The first electrode and the second electrode of the first semiconductor light emitting device chip are positioned below the active layer of the first semiconductor light emitting device chip and the third electrode and the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip are located below the active layer of the second semiconductor light emitting device chip. Wherein a plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip and a plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip are located in directions opposite to each other. 청구항 8에 있어서,
반도체 발광소자;는
제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제5 전극, 제6 전극 및 활성층을 포함하는 제3 반도체 발광소자 칩을 추가로 포함하며,
제3 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제3 도전부;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 8,
A semiconductor light emitting element
And a third semiconductor light emitting device chip including a fifth electrode, a sixth electrode, and an active layer disposed on the second semiconductor light emitting device chip,
And a third conductive part electrically connected to one of the plurality of electrodes of the third semiconductor light emitting device chip. 청구항 10에 있어서,
제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 위치하고 제6 전극은 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 위치하며, 제5 전극은 제3 도전부와 전기적으로 연결되고 제6 전극은 제2 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 10,
The fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip is located above the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, the sixth electrode is located below the active layer of the third semiconductor light emitting device chip, and the fifth electrode is electrically connected to the third conductive component And the sixth electrode is electrically connected to one of the plurality of electrodes of the second semiconductor light emitting device chip. 청구항 10에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩, 제2 반도체 발광소자 칩, 및 제3 반도체 발광소자 칩은 서로 다른 색을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method of claim 10,
Wherein the first semiconductor light emitting device chip, the second semiconductor light emitting device chip, and the third semiconductor light emitting device chip emit different colors. 청구항 1에 있어서,
제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 하나와 전기적으로 연결되는 제4 도전부;를 포함하고, 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 중 나머지 하나는 제1 도전부에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물.The method according to claim 1,
And a fourth conductive part electrically connected to one of the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip, wherein the other one of the plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting device chip is electrically connected to the first conductive part Wherein the semiconductor light emitting structure is a semiconductor light emitting structure. 반도체 발광 구조물 제조방법으로서,
홀을 포함하는 몸체를 준비하는 단계(S1);
몸체의 홀에 제1 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 제1 전극 및 제2 전극이 위치하는 제1 반도체 발광소자 칩과 제1 반도체 발광소자 칩 위에 위치하며 제2 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 제3 전극 및 제4 전극이 위치하는 제2 반도체 발광소자 칩을 포함하는 반도체 발광소자를 위치시키는 단계(S2);
몸체의 홀에 제1 도전부 및 제2 도전부를 위치시키는 단계(S3);
제1 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제3 전극을 전기적으로 연결하고, 제2 도전부에 제2 반도체 발광소자 칩의 제4 전극을 전기적으로 연결하는 단계(S4); 그리고,
복수의 도전부와 반도체 발광소자를 봉지재로 덮는 단계(S5):로서 제1 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극 및 복수의 도전부 일부가 봉지재로부터 노출되도록 봉지재로 덮는 단계(S5);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting structure,
Preparing a body including a hole (S1);
A first semiconductor light emitting device chip in which a first electrode and a second electrode are positioned below an active layer of a first semiconductor light emitting device chip and a second semiconductor light emitting device chip located on a first semiconductor light emitting device chip, (S2) a semiconductor light emitting device including a second semiconductor light emitting device chip in which a third electrode and a fourth electrode are located;
Placing (S3) a first conductive portion and a second conductive portion in a hole in the body;
(S4) electrically connecting the third electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the first conductive portion and electrically connecting the fourth electrode of the second semiconductor light emitting device chip to the second conductive portion; And,
(S5) of covering a plurality of conductive parts and a semiconductor light emitting element with an encapsulating material (S5): covering a plurality of electrodes of the first semiconductor light emitting element chip and a plurality of conductive parts with an encapsulating material so as to be exposed from the encapsulating material; Wherein the semiconductor light emitting structure is formed on the semiconductor substrate. 청구항 14에 있어서,
S2 단계는 몸체의 홀에 제2 반도체 발광소자 칩 위에 위치하는 제3 반도체 발광소자 칩으로서, 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 위에 제5 전극이 위치하고 제3 반도체 발광소자 칩의 활성층 아래에 제6 전극이 위치하며 제6 전극이 제3 전극과 전기적으로 연결된 제3 반도체 발광소자 칩이 추가된 반도체 발광소자를 위치시키며,
S3 단계는 추가로 제3 도전부를 위치시키며,
S4 단계는 추가로 제3 도전부에 제3 반도체 발광소자 칩의 제5 전극을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조 방법.15. The method of claim 14,
Step S2 is a third semiconductor light emitting device chip located on the second semiconductor light emitting device chip in the hole of the body, wherein the fifth electrode is located on the active layer of the third semiconductor light emitting device chip and the sixth electrode is located below the active layer of the third semiconductor light emitting device chip. And a third semiconductor light emitting device chip having a sixth electrode electrically connected to the third electrode,
Step S3 further positions the third conductive part,
And the step S4 further electrically connects the fifth electrode of the third semiconductor light emitting device chip to the third conductive portion. 청구항 14에 있어서,
S5 단계 이후에 몸체의 홀 주변을 절단하는 단계;를 추가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.15. The method of claim 14,
And cutting the periphery of the hole of the body after step S5. 청구항 14 내지 16 중 어느 한 항에 있어서,
복수의 도전부와 복수의 반도체 발광소자 칩의 전극을 전기적으로 연결하는 것은 와이어 본딩에 의하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 구조물 제조방법.The method according to any one of claims 14 to 16,
And electrically connecting the plurality of conductive parts to the electrodes of the plurality of semiconductor light emitting device chips by wire bonding.
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