KR101293653B1 - 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치에 관한 것으로, 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하여 별도의 동력 없이도 진공펌프의 배기측 압력을 감소시키는 것에 더해 이젝트 효과를 갖는 다단식 썩션노즐에 의해 진공펌프에 대한 압력감소 효과를 배가시킴으로써 헤비 프로세스(heavy process)용 진공펌프에도 적용 가능하도록 한 것이다.
이러한 본 발명은, 이송가스를 내부로 통과하여 흐르게 하는 메인배관과; 일단은 상기 메인배관의 외부에서 상기 진공펌프의 배기측에 연결되고 타단은 상기 메인배관 내부에 삽입된 형태로 설치되어, 상기 메인배관 내부를 통과하는 이송가스의 흐름에 의해 발생하는 압력감소 분위기를 상기 진공펌프에 전달하는 썩션노즐을 포함하여 구성된다.

Description

다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치{DECOMPRESSION APPARATUS WITH MULTISTAGE TYPE SUCTION NOZZLE}
본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하여 별도의 동력 없이도 진공펌프의 배기측 압력을 감소시키는 것에 더해 이젝트 효과를 갖는 다단식 썩션노즐에 의해 진공펌프에 대한 압력감소 효과를 배가시킴으로써 헤비 프로세스(heavy process)용 진공펌프에도 적용 가능하도록 한 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.
상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 웨이퍼 공정시, 대기압 상태의 웨이퍼를 프로세스 챔버 내로 이송하기 위해서는 로드락 챔버(Loadlock Chamber)를 통하여 이송하게 되는데 이때 로드락 챔버는 진공펌프의 펌핑에 의해 대기압에서 진공압 상태로 만들어진다.
이후, 공정이 마쳐지면 대기압 상태에서 웨이퍼를 이송하기 위해 로드락 챔버를 질소나 아르곤 가스에 의해 대기압 상태로 환원하는 과정을 거치게 된다. 이때 로드락 챔버와 진공펌프 사이에 설치된 개폐밸브가 진공펌프와 로드락 챔버를 차단하여 격리하고, 진공펌프는 아이들(idle) 운전하게 한다.
이처럼 반도체 생산라인에는 로드락 챔버 및 진공펌프가 반드시 포함되어 있으며, 실제 진공펌프가 로드락 챔버를 진공압 상태로 만들기 위해 정상적으로 운전하여 펌핑하는 시간은 통상 50% 이하에 지나지 않는다. 나머지 대부분의 시간은 진공펌프가 아이들(idle) 운전을 하는 것이다.
따라서 최근에는 이같이 진공펌프의 아이들 운전 시간이 거의 50% 이상에 달한다는 점에 착안하여 진공펌프의 아이들 운전시 배기측 부하를 줄임으로써 소비전력을 낮추기 위한 기술이 개발되기도 하였다.
이에, 도 1은 종래기술의 반도체 제조용 진공장치를 설명하기 위한 참조 구성도이다.
도시된 바와 같이, 반도체 제조용 진공장치(10)는 프로세스 챔버 및 로드락 챔버와 연결되고 몸체(21) 내에 모터(22)에 의해 회전 구동하는 복수의 로터(R1,R2,R3,R4,R5)가 내장된 진공펌프(20)와, 상기 진공펌프(20)의 배기측에 직렬 연결되어 상기 진공펌프(20)의 배기측 압력을 감소시켜주기 위한 보다 작은 용량의 보조 진공펌프(30)를 포함하여 이루어졌다.
이같은 구성에 따르면, 로드락 챔버와 진공펌프(20) 사이가 개폐밸브(미도시 됨)에 의해 개방된 후 진공펌프(20)가 로드락 챔버를 진공압 상태로 만들기 위해 펌핑할 때 상기 보조펌프(30)는 작동하지 않는다.
하지만, 로드락 챔버와 진공펌프(20) 사이가 개폐밸브에 의해 차단되어 격리된 후 진공펌프(20)가 아이들 운전을 할 때에는 상기 보조 진공펌프(30)가 작동하여 진공펌프(20)의 배기측 압력을 감소시켜준다. 이로써 진공펌프(20)의 부하를 줄여주는 역할을 하게 되는데, 특히 다단식 진공펌프(20)에서 배기측에 위치하여 가장 큰 압축비를 책임져야 하기 때문에 소비전력의 가장 큰 비중을 차지하는 배기측 로터(R5)에 걸리는 부하를 줄여주게 되어 진공펌프(20)가 소비하는 전체 전력량은 대폭 줄어들게 된다.
하지만 이처럼 진공펌프(20)의 배기측 압력을 감소시키기 위해 보조 진공펌프(30)를 사용하는 경우 다양한 문제들이 불가피하였다.
즉, 별도의 보조 진공펌프(30)를 설치하기 위해 추가적인 비용이 지출되어야 하는 문제가 있었다.
또한, 진공펌프(20)에 비해 작은 용량이긴 하지만 별도의 보조 진공펌프(30)를 운전하기 때문에 이로 인해 소비되는 추가적인 전력량이 부담으로 작용하였으며, 이를 감안한다면 전체적으로는 만족할만한 수준으로 소비전력을 줄이는데 한계가 있었다.
한편, 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 본 출원인은 '가스 흐름을 이용한 감압모듈 및 반도체 제조용 진공장치(출원번호:10-2009-0055562)'를 통하여 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하여 별도의 동력 없이도 진공펌프의 배기측 압력을 감소시켜 진공펌프의 부하 및 소비전력을 줄일 수 있도록 한 기술을 개시한 바 있다.
하지만, 상기 감압모듈 및 진공장치의 경우, 전술된 커다란 장점을 갖는데도 불구하고 상기 벤투리 효과만으로는 처리 용량에 한계가 있는 관계로 다량의 반응부산물 가스가 배기되는 헤비 프로세스(heavy process) 환경에 적용하는 데에는 어려움이 있었다.
따라서, 다량의 반응부산물 가스가 배기되는 헤비 프로세스용 진공펌프에도 원활하게 적용할 수 있도록 더욱 개선된 감압장치의 개발이 필요하였다.
이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하여 별도의 동력 없이도 진공펌프의 배기측 압력을 감소시키는 것에 더해 이젝트 효과를 갖는 다단식 썩션노즐에 의해 진공펌프에 대한 압력감소 효과를 배가시킴으로써 헤비 프로세스(heavy process)용 진공펌프에도 적용 가능하도록 한 다단식 썩션노즐을 구비한 감압장치를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 감압장치는, 반도체 제조용 로드락 챔버와 연결된 진공펌프의 배기측에 연결되어 상기 진공펌프를 감압하여 주는 감압장치로서, 이송가스를 내부로 통과하여 흐르게 하는 메인배관과; 일단은 상기 메인배관의 외부에서 상기 진공펌프의 배기측에 연결되고 타단은 상기 메인배관 내부에 삽입된 형태로 설치되어, 상기 메인배관 내부를 통과하는 이송가스의 흐름에 의해 발생하는 압력감소 분위기를 상기 진공펌프에 전달하는 썩션노즐을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.
여기서, 상기 썩션노즐은 상기 메인배관의 벽체를 관통하는 관통부와, 상기 메인배관의 내부에서 상기 관통부로부터 연장 형성되되 상기 메인배관의 길이방향을 따라 출구를 향해 형성된 흡입부로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 썩션노즐의 흡입부 벽체에는 상기 메인배관 내부에서 흐르는 이송가스의 일부가 내부 중공으로 유입될 수 있도록 한 복수의 이송가스 유입공이 구비되는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 이송가스 유입공은 상기 이송가스가 순방향으로 유입되는 경사방향으로 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 썩션노즐의 흡입부 내부 중공은 상기 유입공이 형성된 지점에 앞서 급격히 축소된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 이송가스 유입공은 상기 썩션노즐의 흡입부를 따라 간격을 두고 군집을 이루도록 다단 배치된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 이송가스 유입공이 다단 배치됨에 따라 점차 증가하는 이송가스의 유입량에 대응하여 상기 썩션노즐의 내부 중공은 단계적으로 확대된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 메인배관의 내부는 내경이 점차 줄었다가 점차 늘어나는 벤투리 구간을 포함하여 이루어지고, 상기 썩션노즐의 타단은 상기 벤투리 구간 중 내경이 좁혀진 중간 부위에 위치하는 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 벤투리 구간은 상기 메인배관의 중심축으로부터 벗어나서 편심된 형태로 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 벤투리 구간 중 내경이 점차 늘어나는 확대구간의 내주면에는 스크루가 형성된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 메인배관은 상기 썩션노즐이 외부에서 내부로 관통하는 제1배관과, 내부에 상기 벤투리 구간이 형성된 제2배관의 결합으로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 의한 감압장치는, 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하여 별도의 동력 없이도 진공펌프의 배기측 압력을 감소시키는 것에 더해 이젝트 효과를 갖는 다단식 썩션노즐에 의해 진공펌프에 대한 압력감소 효과를 배가시킴으로써 진공펌프의 부하 및 소비전력을 효과적으로 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 이송가스 유입공이 다단 배치된 구성에 의해 더 많은 양의 이송가스가 이젝트 효과를 유발하게 되어 진공펌프의 배기측 압력을 더욱 감소시키게 된다.
또한, 본 발명은 썩션노즐 내부 중공이 단계적으로 넓어지도록 구성되어 유입되는 이송가스를 원활하게 받아들이면서 처리할 수 있다.
또한, 본 발명은 다단식 썩션노즐을 통해 이송가스와 반응부산물 가스의 혼합이 이루어지고, 메인배관 내부의 비대칭 구조 및 스크루의 형성으로 인해 반응부산물 가스에 포함된 스케일이 메인배관 내주면에 적층되는 문제를 효과적으로 방지할 수 있다.
도 1은 종래기술의 반도체 제조용 진공장치를 설명하기 위한 참조 구성도.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치를 반도체 제조용 장비에 적용한 사용상태도.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치의 사시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 메인배관의 정면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐의 구성을 설명하기 위한 단면도.
도 7은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐의 후면 투시도.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐의 다단 구성에 따른 효과를 설명하기 위한 그래프.
이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치를 반도체 제조용 장비에 적용한 사용상태도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 감압장치(100)는 프로세스 챔버(110)에 연결된 로드락 챔버(120)를 감압하기 위한 다단식 진공펌프(130)의 배기측에 간단히 연결되어 별도의 동력 없이도 상기 진공펌프(130)의 배기측 압력을 효과적으로 감소시켜줌으로써 진공펌프(130)에 걸리는 부하를 줄이고 소비전력을 대폭 감소시키는 것을 가능케 한다. 특히, 본 발명의 실시예에 의한 감압장치는, 이송가스 흐름에 의한 벤투리 효과를 이용하는 것에 더해 이젝트 효과를 함께 이용함으로써 진공펌프에 대한 압력감소 효과를 배가시킬 수 있도록 구성된다. 이로써 다량의 반응부산물 가스가 발생되는 헤비 프로세스(heavy process)용 진공펌프에도 적용 하는 것이 가능해진다.
단, 여기서 주의할 점은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치(100)는 도면에서 볼 수 있는 것처럼 상기 진공펌프(230)로부터 배기되는 반응부산물 가스를 이송하기 위한 이송배관(251)에 설치되어 반응부산물 가스에 대하여 질소가스를 혼합하면서 상기 반응부산물 가스의 고형화 및 적층현상을 방지해주는 질소가스 분사장치가 아니라는 점이다. 본 발명의 실시예에 의한 감압장치(100)는 상기 질소가스 분사장치와는 별개로 상기 진공펌프(230)의 배기측에 연결되어 상기 진공펌프(230)의 배기측 압력을 감소시켜주는 전용의 장치라는 점이 혼동되지 않아야 한다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 감압장치의 구성에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치의 사시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치의 구성을 설명하기 위한 단면도이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 메인배관(110)의 정면도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐의 구성을 설명하기 위한 단면도이며, 도 7은 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐의 후면 투시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 의한 감압장치는 이송가스를 내부로 통과시켜 압력감소 분위기를 형성하는 메인배관(110)과, 진공펌프(230)의 배기측에 연결되는 썩션노즐(120)을 포함하여 이루어지며, 상기 메인배관(110) 내부를 통과하는 이송가스의 흐름에 의해 발생하는 압력감소 분위기를 상기 썩션노즐(120)을 통하여 전달함으로써 상기 진공펌프(230)의 배기측 압력을 감소시키게 된다. 더 나아가 본 발명의 실시예에 의한 감압장치는 상기 썩션노즐(120)에 의해 강력한 이젝트 효과를 유발함으로써 상기 진공펌프(230)의 배기측 압력을 더욱 더 감소시켜준다. 아래에서는 상기 구성요소들을 중심으로 더욱 상세히 설명하기로 한다.
상기 메인배관(110)은 전술된 바와 같이 이송가스를 입구(115a)를 통해 유입하여 내부로 통과하여 흐르게 하면서 압력감소 분위기를 형성하는 역할을 수행한다. 이를 위해 상기 메인배관(110)은 썩션노즐(120)이 외부에서 내부로 관통하여 설치된 제1배관(110a)과, 내부에 벤투리 구간(111b,111c,111d)이 형성된 제2배관(110b)의 결합으로 이루어진다. 상기 제1배관(110a)과 제2배관(110b)이 결합된 경계 부위에는 기밀함을 유지할 수 있도록 오링(113)이 설치된다.
여기서, 상기 제1배관(110a)은 상기 제2배관(110b)에 비해 길이가 짧은 배관으로 양단부에 플랜지(112a,112b)를 구비하고, 내부는 일반 배관과 다름없이 넓고 일정한 관경의 플레인 중공(111a)으로 형성된다.
또한, 상기 제2배관(110b)은 양단부에 플랜지(112c,112d)를 구비하고, 내부에는 내경이 가장 좁혀진 중간 부위(111c)를 중심으로 내경이 점차 줄어드는 축소구간(111b)과 이후 내경이 점차 늘어나는 확대구간(111b)이 연결되어 이루어진 벤투리 구간(111b,111c,111d)이 형성된다. 이처럼 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)이 형성되면 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)의 중간 지점(111c)에서 이송가스의 유속이 급격히 증가하면서 그 주변보다 압력이 낮아지는 벤투리 효과를 갖게 된다. 이에 따라 주변의 가스 혹은 공기를 빨아들이는 썩션현상이 발생한다. 이같은 썩션현상이 일어나면 타단이 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)의 중간 지점(111c)에 위치하는 썩션노즐(120)을 통해 압력감소 분위기가 상기 진공펌프(230)의 배기측에 그대로 전달된다. 이때 상기 썩션노즐(120)을 통해 진공펌프(230)의 배기측으로부터 일부 반응부산물 가스가 상기 메인배관(110)의 내부로 빨아들여진다.
또한, 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)은 상기 메인배관(110)의 중심축(C)으로부터 벗어나서 편심된 비대칭 형태로 형성된다. 이에 따라 도면에서 t1과 t2가 서로 다른 두께로 형성된 것에서 볼 수 있는 것처럼 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d) 중 가장 좁은 내경으로 이루어진 중간 지점(111c)의 경우 그 중심이 상기 메인배관(110)의 중심축(C)으로부터 가장 멀리 벗어나 있고, 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)의 내주면이 이루고 있는 경사도 역시 둘레방향에 따라 다르게 형성된다. 이같이 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)이 비대칭 형태로 구성되면 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)을 통과하는 이송가스의 유속이 경사도가 심하게 내주면을 따라 더욱 빠르게 형성된다.
또한, 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d) 중 내경이 점차 늘어나는 확대구간(111d)의 내주면에는 스크루(114)가 형성된다. 이를 도 5를 통해 좀 더 자세히 확인할 수 있는데, 이같은 구성에 의하면 내주면에 스케일(scale)이 적층되는 문제를 미연에 방지할 수 있다. 즉, 내주면이 단순한 곡면으로 형성되면 상기 메인배관(110) 중앙에서 내주면에 가까워질수록 유속이 감소되는 속도구배를 나타내게 되고 이에 따라 상기 내주면에는 스케일이 적층되는 문제가 야기된다. 하지만, 상기와 같이 상기 확대구간(111d)의 내주면에 스크루(114)가 형성되면 상기 내주면 인근에서도 유속이 빠르게 형성됨으로써 유속 감소로 인해 스케일(scale)이 적층되는 문제를 해소할 수 있다. 더욱이 상기 벤투리 구간(111b,111c,111d)에서 상기 스크루(114)의 구성과 함께 전술된 것처럼 비대칭된 형태의 구성이 함께 작용하면서 스케일이 적층되는 문제를 완전히 해소할 수 있게 된다.
한편, 상기 썩션노즐(120)은 전술된 것처럼 상기 메인배관(110) 내부를 통과하는 이송가스의 흐름에 의해 유발된 압력감소 분위기를 전달하여 상기 진공펌프(230)의 배기측 압력을 감소시켜주는 역할을 한다. 이를 위해 상기 썩션노즐(120)은 상기 메인배관(110)의 제1배관(110a) 벽체를 관통하는 관통부(120a)와, 상기 메인배관(110)의 내부에서 상기 관통부(120a)로부터 연장 형성되되 상기 메인배관(110)의 길이방향을 따라 출구(115b)를 향해 형성된 흡입부(120b)로 이루어진다.
또한, 상기 썩션노즐(120)의 흡입부(120b) 벽체에는 상기 메인배관(110) 내부에서 흐르는 이송가스의 일부가 내부 중공으로 유입될 수 있도록 한 복수의 이송가스 유입공(123b,123c)이 구비된다. 여기서, 상기 이송가스 유입공(123b,123c)은 상기 메인배관(110)을 흐르는 이송가스가 순방향으로 유입될 수 있도록 순방향으로 경사지게 형성되며, 상기 흡입노즐의 흡입부(120b)를 따라 간격을 두고 복수개씩 군집을 이루도록 다단 배치된다(단, 도면에서는 2단 배치되었으며 각 단마다 4개씩의 이송가스 유입공이 군집을 이뤄 형성됨). 그리고 상기 이송가스 유입공(123b,123c)이 다단 배치됨에 따라 점차 증가하는 이송가스의 유입량에 대응하여 상기 흡입노즐의 내부 중공은 단계적으로 확대된 형태로 형성된다. 여기서, 상기 흡입부(120b) 내부 중공은 상기 유입공(123b,123c)이 형성된 지점에 앞서 축소 경사면(123a)에 의해 먼저 급격히 축소되도록 한다.
전술된 썩션노즐(120)의 구성에 의하면, 상기 이송가스 유입공(123b,123c)을 통해 이송가스가 다단 유입되면서 다량의 이송가스가 강력한 이젝터 효과를 유발하게 되어 상기 진공펌프(230)의 배기측으로부터 반응부산물 가스를 빨아들이는 힘을 더욱 증가시켜준다. 이때 상기 이송가스 유입공(123b,123c)을 통하여 썩션노즐(120)의 내부 중공으로 유입되는 이송가스의 양이 단계적으로 증가하게 되지만, 내부 중공이 단계적으로 확대된 구성에 의해 이를 원활히 수용하게 된다. 여기서 상기 썩션노즐(120)의 내부 중공은 내경이 가장 크게 형성된 도입부(121a)와, 경사면(123a)에 의해 내경을 급격히 줄여주는 연결부(121b)와, 상기 연결부(121b)에 의해 내경이 가장 작게 형성된 축소부(121c)와, 상기 축소부로부터 내경이 단계적으로 확대되고 이송가스가 단계적으로 합류하는 제1확대부(121d) 및 제2확대부(121e)로 이루어진다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 의한 감압장치에서 썩션노즐(120)의 다단 구성에 따른 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 상기 썩션노즐(120)이 2단으로 구성되었을 때의 이송가스의 유입량을 보여주는데, 1단으로 구성되는 경우와 비교하여 유입량이 거의 200% 증가하게 된다. 또한, 도 9는 상기 썩션노즐(120)이 3단으로 구성되었을 때의 이송가스의 유입량을 보여주는데, 1단으로 구성되는 경우와 비교하여 유입량이 거의 250% 증가하게 된다.
이처럼 이송가스의 유입량이 증가한다는 것은 보다 강력한 이젝터 효과를 유발할 수 있음을 의미하는 것이며, 이에 따라 상기 진공펌프(230)의 배기측으로부터 반응부산물 가스를 빨아들이는 힘이 증가되어 상기 진공펌프(230)의 배기측 압력을 효과적으로 감소시킬 수 있는 것이다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
110 : 메인배관 111b, 111c, 111d : 벤투리 구간
114 : 스크루 120 : 썩션노즐
121d, 121e : 확대부 123b, 123c : 이송가스 유입공

Claims (11)

  1. 반도체 제조용 로드락 챔버와 연결된 진공펌프의 배기측에 연결되어 상기 진공펌프를 감압하여 주는 감압장치로서,
    이송가스를 내부로 통과하여 흐르게 하는 메인배관과;
    일단은 상기 메인배관의 외부에서 상기 진공펌프의 배기측에 연결되고 타단은 상기 메인배관 내부에 삽입된 형태로 설치되어, 상기 메인배관 내부를 통과하는 이송가스의 흐름에 의해 발생하는 압력감소 분위기를 상기 진공펌프에 전달하는 썩션노즐을 포함하여 구성되며,
    상기 메인배관의 내부는 내경이 점차 줄었다가 점차 늘어나는 벤투리 구간을 포함하여 이루어지고, 상기 썩션노즐의 타단은 상기 벤투리 구간 중 내경이 좁혀진 중간 부위에 위치하는 것을 특징으로 하는 감압장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 썩션노즐은 상기 메인배관의 벽체를 관통하는 관통부와, 상기 메인배관의 내부에서 상기 관통부로부터 연장 형성되되 상기 메인배관의 길이방향을 따라 출구를 향해 형성된 흡입부로 이루어진 것을 특징으로 하는 감압장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 썩션노즐의 흡입부 벽체에는 상기 메인배관 내부에서 흐르는 이송가스의 일부가 내부 중공으로 유입될 수 있도록 한 복수의 이송가스 유입공이 구비되는 것을 특징으로 하는 감압장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 이송가스 유입공은 상기 이송가스가 순방향으로 유입되는 경사방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 감압장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 썩션노즐의 흡입부 내부 중공은 상기 유입공이 형성된 지점에 앞서 급격히 축소된 것을 특징으로 하는 감압장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 이송가스 유입공은 상기 썩션노즐의 흡입부를 따라 간격을 두고 군집을 이루도록 다단 배치된 것을 특징으로 하는 감압장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 이송가스 유입공이 다단 배치됨에 따라 점차 증가하는 이송가스의 유입량에 대응하여 상기 썩션노즐의 내부 중공은 단계적으로 확대된 것을 특징으로 하는 감압장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 벤투리 구간은 상기 메인배관의 중심축으로부터 벗어나서 편심된 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 감압장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 벤투리 구간 중 내경이 점차 늘어나는 확대구간의 내주면에는 스크루가 형성된 것을 특징으로 하는 감압장치
  11. 제1항에 있어서,
    상기 메인배관은 상기 썩션노즐이 외부에서 내부로 관통하는 제1배관과, 내부에 상기 벤투리 구간이 형성된 제2배관의 결합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 감압장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160047777A (ko) * 2014-10-23 2016-05-03 주식회사 비에스에이 반응부산물 가스의 배출량을 수용하는 진공펌프의 소비전력 절감용 감압장치
WO2020069206A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Lam Research Corporation Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10408026B2 (en) 2013-08-23 2019-09-10 Chevron U.S.A. Inc. System, apparatus, and method for well deliquification
US9840822B2 (en) * 2015-08-21 2017-12-12 Kevin Jason Foster Drain assisting water fixture

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100137237A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 조영만 가스 흐름을 이용한 감압모듈 및 반도체 제조용 진공장치
KR101091132B1 (ko) * 2010-09-27 2011-12-09 (주)제이솔루션 질소가스 이젝터장치

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05234902A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Fujitsu Ltd 排気方法及び減圧処理装置
KR100876318B1 (ko) * 2001-09-06 2008-12-31 가부시키가이샤 아루박 진공배기장치 및 진공배기장치의 운전방법
GB0502495D0 (en) * 2005-02-07 2005-03-16 Boc Group Plc Ejector pump

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100137237A (ko) * 2009-06-22 2010-12-30 조영만 가스 흐름을 이용한 감압모듈 및 반도체 제조용 진공장치
KR101091132B1 (ko) * 2010-09-27 2011-12-09 (주)제이솔루션 질소가스 이젝터장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160047777A (ko) * 2014-10-23 2016-05-03 주식회사 비에스에이 반응부산물 가스의 배출량을 수용하는 진공펌프의 소비전력 절감용 감압장치
KR101632591B1 (ko) * 2014-10-23 2016-06-21 주식회사 비에스에이 반응부산물 가스의 배출량을 수용하는 진공펌프의 소비전력 절감용 감압장치
WO2020069206A1 (en) * 2018-09-28 2020-04-02 Lam Research Corporation Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup
US11031215B2 (en) 2018-09-28 2021-06-08 Lam Research Corporation Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup
US11710623B2 (en) 2018-09-28 2023-07-25 Lam Research Corporation Vacuum pump protection against deposition byproduct buildup

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