KR101091132B1 - 질소가스 이젝터장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 및 LCD 제조장비에서 사용되는 질소가스 이젝터장치에 관한 것으로, 벤츄리 효과를 극대화한 썩션형상에 의해 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어지도록 한 것이다.
이러한 본 발명은, 반응부산물 가스의 유입측으로부터 내경이 점차 줄었다가 유출측에서 내경이 점차 확대되는 벤츄리관과, 벤츄리관의 유출측 중심부를 막아 흐름통로를 벤츄리관 내벽 주변으로 좁힌 틈새통로를 형성할 수 있도록 설치된 감압부재와, 벤츄리관 유출측의 틈새통로에 질소가스를 분사하는 분사노즐을 포함하여 구성된다.

Description

질소가스 이젝터장치{NITROGEN GAS EJECTION APPARATUS}

본 발명은 반도체 및 LCD 제조장비에 관한 것으로, 특히 벤츄리 효과를 극대화한 썩션현상(Suction Phenomenon)에 의해 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어지도록 한 질소가스 이젝터장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 크게 전 공정(Fabrication 공정)과 후 공정(Assembly 공정)으로 이루어지며, 전 공정이라 함은 각종 프로세스 챔버(Chamber)내에서 웨이퍼(Wafer)상에 박막을 증착하고, 증착된 박막을 선택적으로 식각하는 과정을 반복적으로 수행하여 특정의 패턴을 가공하는 것에 의해 이른바, 반도체 칩(Chip)을 제조하는 공정을 말하고, 후 공정이라 함은 상기 전 공정에서 제조된 칩을 개별적으로 분리한 후, 리드프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정을 말한다.

이때, 상기 웨이퍼 상에 박막을 증착하거나, 웨이퍼 상에 증착된 박막을 식각하는 공정은 프로세스 챔버 내에서 실란(Silane), 아르신(Arsine) 및 염화 붕소 등의 유해 가스와 수소 등의 프로세스 가스를 사용하여 고온에서 수행되며, 상기 공정이 진행되는 동안 프로세스 챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유하는 반응부산물 가스가 다량으로 발생한다.

따라서 반도체 제조장비에는 프로세스 챔버를 진공상태로 만들어 주는 진공펌프의 후단에 상기 프로세스 챔버에서 배출되는 반응부산물 가스를 정화시킨 후 대기로 방출하는 스크루버(Scrubber)를 설치한다.

하지만, 프로세스 챔버로부터 발생된 유독성 반응부산물 가스가 프로세스 챔버의 유출측 진공배관, 진공펌프의 유출측 배기배관, 스크루버의 유출측 배기배관, 메인덕트 등을 순차적으로 따라 흐르는 과정에서 쉽게 고형화되어 누적되어 막힘현상이 발생하곤 하였다.

따라서 이처럼 반응부산물 가스가 고형화되어 막힘현상이 발생하던 문제를 해소하기 위한 방편으로 배관의 일정 구간 전체를 히터로 감싸서 배관 내에 온도를 따뜻하게 유지하는 자켓 히터(Jaket Heater)방식이 보편적으로 사용되었다. 그러나 이같은 자켓 히터방식은 배관의 많은 부분을 히터로 감싸야하기 때문에 설치비용이 높음에도 불구하고 사용전력에 비해 효율이 높지 않은 문제가 있었다.

한편, 이같은 자켓 히터방식을 개선하기 위해 한국공개특허 2005-88649 등에서는 반응부산물 가스가 흐르는 배관 내부에 고온의 질소가스를 분사하는 방식의 질소 공급장치가 개시되기도 하였다. 이에 도 1은 종래기술에 의한 질소가스 공급장치를 설명하기 위한 참조도이다.

도시된 바와 같이, 종래의 질소 공급장치는 반응부산물 가스가 흐르는 배관들에 연결되어 고온의 질소가스를 분사하기 위한 플랜지배관(2)과, 상기 플랜지배관(2)의 외주면을 감싸면서 질소가스의 공급을 위한 이중벽 구조를 형성해주는 외관(23)과, 질소 공급라인(14)을 통해 상기 플랜지배관(2)으로 공급되는 질소가스를 가열하는 히터(1) 등으로 이루어진다.

이같은 구성에 따르면, 상기 플랜지배관(2)이 반응부산물 가스가 흐르는 배관 중간에 연결된다. 이후 전력공급기(3)로부터 전력을 받는 히터(1)에 의해 가열되는 질소가스를 플랜지배관(2)과 외관(23) 사이 공간으로 공급해주면 공급된 고온의 질소가스가 플랜지배관(2)의 몸체(21)에 천공되어 있는 복수의 분사공(22)을 통해 분사되면서 플랜지배관(2)을 경유하여 흐르는 반응부산물 가스와 혼합된다. 이로써 반응부산물 가스가 온도 저하로 인해 고형화되어 누적되지 않는다.

그러나, 종래의 질소 공급장치의 경우 미세한 분사공(22)을 통해 분사되는 질소가스의 분사능력이 기대치에 못미치는 치명적인 문제점이 있었다. 이에 따라 적정수분의 분사가 가능하도록 분사능력을 중대시키는 별도의 장치를 구비하는 것이 불가피한 상황이었다. 아울러 상기와 같이 분사능력의 결여로 인해 이송되는 반응부산물가스와의 혼합도 원활하게 이루어지지 못하는 문제점이 있었다.

또한, 종래의 질소 공급장치의 경우 질소가스의 미세 분사 조절이 어려워 프로세스 챔버의 유출측 진공배관에는 설치하기가 곤란하였다. 이 경우 만일 질소가스의 공급량을 조절하기 위한 수단으로 전자식 유량조절장치를 사용한다면 제품가격이 높아지는 문제를 피할 수 없었다.

더욱이, 질소가스의 분사로 인해 반응부산물 가스의 흐름이 방해를 받아 교란되는 문제점이 있었다. 이로 인해 압력 변화에 민감한 프로세스 챔버의 유출측 진공배관에는 설치하기가 곤란하게 되었다. 또한, 상기 분사공(22)이 반응부산물 가스에 의해 막히면서 질소가스의 균일한 분사가 어려워지기도 하였다.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 벤츄리 효과를 극대화하여 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어지도록 한 질소가스 이젝터장치를 제공하는데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 이젝터장치는, 반도체 제조시 발생되는 반응부산물 가스로 인한 배관의 막힘 현상을 방지하기 위하여 반응부산물 가스가 이송되는 이송배관에 연결되어 가열된 질소가스를 분사하는 질소가스 이젝터장치로서, 반응부산물 가스의 유입측으로부터 내경이 점차 줄었다가 유출측에서 내경이 점차 확대되는 벤츄리관과; 상기 벤츄리관의 유출측 중심부를 막아 흐름통로를 벤츄리관 내벽 주변으로 좁힌 틈새통로를 형성할 수 있도록 설치된 감압부재와; 상기 벤츄리관 유출측의 틈새통로에 질소가스를 분사하는 분사노즐을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다.

여기서, 상기 감압부재는 상기 유출측 중심부를 막아 상기 틈새통로를 형성하도록 설치된 구형의 볼인 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 볼은 후단부가 압축스프링에 의해 지지되어 반응부산물 가스의 흐름에 따라 진퇴하면서 상기 틈새통로의 크기를 변화시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 감압부재는 상기 유출 측 중심부를 막고, 상기 틈새통로를 형성하도록 설치된 원통형의 부재인 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 벤츄리관의 내경이 축소되었다가 확대되기 시작하는 부위에 내경이 갑자기 확대된 형태의 단차를 두고 상기 분사노즐은 상기 단차부위에 설치되어 분사방향이 상기 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치되도록 한 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 상기 벤츄리관의 외측에서 원주방향을 따라 형성되어 외부로부터 질소가스가 유입되도록 한 중간챔버를 구비하고, 상기 분사노즐은 상기 중간챔버로부터 질소가스를 공급받아 상기 벤츄리관 내측에서 질소가스를 분사할 수 있도록 원주방향을 따라 복수개가 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.

또한, 반응부산물이 이송되는 이송배관과의 연결을 위해 상기 벤츄리관 전후에 각각 연결되는 플랜지배관을 더 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치는 벤츄리 효과를 극대화한 썩션현상에 의해 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어진다.

또한, 본 발명은 감압부재인 볼이 압축스프링에 의해 진퇴 가능하게 설치되어 반응부산물 가스의 흐름에 따라 틈새통로를 확대 또는 축소할 수 있다.

또한, 본 발명은 감압부재가 원통형 부재로 구비되는 경우 반응부산물 가스의 원활한 흐름이 방해받지 않도록 하면서도 썩션현상을 발생시키는 틈새통로를 형성하여 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어지게 한다.

또한, 본 발명은 질소가스의 분사노즐이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 반응부산물 가스의 흐름을 방해하지 않는다.

또한, 본 발명은 질소가스의 분사노즐이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 분사노즐이 반응부산물 가스에 의해 막힐 염려도 없다.

또한, 본 발명은 질소가스의 분사노즐이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 이루어져 반응부산물 가스에 대한 저항을 줄이면서 이젝터 효과를 높여 반응 부산물의 흐름을 가속화시킬 수 있다.

도 1은 종래기술에 의한 질소가스 공급장치를 설명하기 위한 참조도.
도 2는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 설치상태도.
도 3은 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 전체 구성을 개략적으로 보여주는 참조단면도.
도 4는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성을 설명하기 위한 중요부위의 단면도.
도 5는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 설명하기 위한 참조도.
도 6 및 도 7은 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명하기 위한 참조단면도.
도 8은 또 다른 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명하기 위한 참조단면도.

이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 설치상태도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명의 질소가스 이젝터장치(100)는 프로세스 챔버의 유출측, 진공펌프의 유입측 및 유출측, 스크루버의 유입측과 유출측 이송배관(P) 중 어느 부위에라도 선택적으로 설치될 수 있다.

본 발명은 외부적으로는 상기 이송배관(P)과의 연결을 위해 본체(100a)를 중심으로 전후측에 플랜지배관(100b,100c)이 결합된 간단한 형태로 이루어지지만, 내부적으로는 벤츄리 효과를 극대화한 썩션현상(Suction Phenomenon)에 의해 반응부산물 가스에 대한 질소가스의 분사와 혼합이 효과적으로 이루어질 수 있도록 구성된다(참고로 도면부호 150은 질소가스 공급배관임).

또한, 본 발명은 각 이송배관(P)에 간단히 설치할 수 있을 뿐만 아니라 질소가스의 분사방향을 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치하게 하여 진공펌프의 배기배관과, 스크루버의 배기배관은 물론, 공정 진행 진공도에 영향을 주지 않아야 하는 프로세스 챔버의 유출측 배관인 진공배관에도 설치하기 유리하도록 구성된다.

이하, 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성에 대해 상세히 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 전체 구성을 개략적으로 보여주는 참조단면도이고, 도 4는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 구성을 설명하기 위한 중요부위의 단면도이며, 도 5는 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 설명하기 위한 참조도이다.

도시된 바와 같이, 본 발명은 벤츄리관(110)을 구비한 본체(100a)와 플랜지(101a,101b)를 각각 구비한 유입측 플랜지배관(100b)과 유출측 플랜지배관(100c)으로 이루어지며, 내부적으로 상세히 살펴보면 벤츄리관(110)과 감압부재인 볼(130)과 분사노즐(121)을 포함한다.

상기 벤츄리관(110)은 반응부산물 가스의 유입측으로부터 내경이 점차 줄었다가 유출측에서 내경이 점차 확대되도록 구성되며, 편의상 유입측 축소부(110a), 중간부(110c), 유출측 확대부(110c)로 구분한다.

상기 감압부재로 구비된 구형의 볼(130)은 상기 벤츄리관(110)의 유출측 확대부(110c) 중 관경이 확대되기 시작하는 부위에서 중심부를 막아 흐름통로를 벤츄리관(110) 내벽 주변으로 좁힌 틈새통로(135)를 형성한다. 이처럼 상기 감압부재인 볼(130)이 설치되면 반응부산물의 흐름통로가 상기 틈새통로(135)의 형성으로 상기 벤츄리관(110)의 중간부(110b)보다 더 협소하게 이루어짐으로써 반응부산물의 유속은 더욱 증가하는 반면 압력은 더욱 감소하게 된다. 따라서 상기 틈새통로(135)에서 그 주변보다 압력이 낮아지면서 주변의 가스 혹은 공기를 빨아들이는 썩션현상이 발생한다. 이같은 썩션현상이 일어나면 상기 틈새통로(135) 주변부에 위치한 분사노즐(121)로부터 분사되는 질소가스를 빨아들이게 되어 질소가스 분사능력이 비약적으로 향상되는 효과를 기대할 수 있다. 더욱이 더욱 좁혀진 공간인 틈새통로(135)에서 질소가스와 반응부산물 가스의 혼합이 일어나기 때문에 더욱 원활한 혼합이 가능해진다.

여기서, 상기 볼(130)은 고정된 형태로 지지되는데, 이를 위해 볼(130)의 후단부와 결합되는 제1지지부재(131)와, 상기 제1지지부재(131)를 유출측 플랜지배관(100c)의 내벽에 지지해주는 제2지지부재(132)를 구비한다. 상기 제1지지부재(131)는 관형태의 몸체를 갖고 그 관경은 상기 볼(130)에 의해 충분히 가려질 수 있을 정도로 작게 형성되어 반응부산물 가스의 흐름을 방해하지 않도록 한다. 또한 상기 제1지지부재(131)는 그 후단부가 상기 벤츄리관(110)을 완전히 벗어나서 상기 제2지지부재(132)에 의해 흐름통로가 넓은 상기 유출측 플랜지배관(100c)에 지지될 수 있도록 충분할 길이로 형성된다.

상기 분사노즐(121)은 벤츄리관(110)의 유출측에서 흐름통로가 좁혀진 상기 틈새통로(135)에 질소가스를 분사하도록 구성된다. 이를 위해 상기 벤츄리관(110)의 내경이 축소되었다가 확대되기 시작하는 부위에 내경이 갑자기 확대된 형태의 단차를 두고, 상기 분사노즐(121)은 상기 단차부위에 설치되어 분사방향이 상기 틈새통로(135)를 향하면서도 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치되도록 한다. 이같은 구성에 따르면 분사되는 질소가스가 상기 틈새통로(135)에서 일어나는 썩션현상에 의해 분사가 촉진될 뿐만 아니라 상기 반응부산물 가스에 대한 저항을 줄이면서 이젝터 효과에 의해 흐름을 더욱 가속화시킬 수 있다.

또한, 상기 벤츄리관(110)의 외측에서 원주방향을 따라 형성되어 외부로부터 질소가스가 유입되도록 한 중간챔버(120)를 구비한다. 이에 따라 상기 분사노즐(121)은 상기 중간챔버(120)로부터 질소가스를 공급받은 후 상기 벤츄리관(110) 내측에서 질소가스를 고르게 분사할 수 있도록 원주방향을 따라 복수개가 구비된다. 본 발명은 이같은 간단한 구성만으로 질소가스의 분사량을 고르게 분배할 수 있다.

이와 같이 구성된 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치의 작용 및 동작을 첨부한 도 5에 의거 상세히 설명하면 다음과 같다.

프로세스 챔버(120)로부터 발생된 반응부산물 가스가 이송배관(P)을 따라 이송되는 도중에 본 발명에 의한 질소가스 이젝터장치(100)를 통과하게 된다.

먼저, 반응부산물 가스는 본 발명에 따른 유입측 플랜지배관(100b)을 통해 벤츄리관(110)으로 유입된다. 이때 반응부산물 가스는 벤츄리관(110)의 유입측 축소부(110a)를 경유하여 내경이 가장 작은 중간부(110c)에 도달했을 때 유속은 증가하고 압력은 감소한다.

이후, 중간부(110c)를 거치면서 유속이 커진 반응부산물 가스는 볼(130)에 의해 흐름통로가 더욱 좁혀진 틈새통로(135)를 경유하면서 유속이 더 커지게 되며, 상기 틈새통로(135)의 압력은 급격히 증가한 반응부산물 가스의 유속으로 인해 더욱 낮아진다. 이처럼 틈새통로(135)의 압력이 감소됨에 따라 주변으로부터 가스 또는 공기를 빨아들이려는 경향의 썩션현상이 발생되며, 그 영향은 주변에 위치한 분사노즐(121)에까지 미치게 되어 분사되는 질소가스를 빨아들이게 된다. 따라서 분사노즐(121)로부터 틈새통로(135)를 향해 분사되는 질소가스의 분사능력이 비약적으로 향상된다.

아울러, 좁은 공간으로 형성된 틈새통로(135)에서 반응부산물 가스와 질소가스의 혼합이 이루어지는데, 그 혼합은 더욱 원활하게 이루어진다.

한편, 상기 질소가스의 분사방향이 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치함에 따라 반응부산물 가스에 대한 저항을 줄이면서 이젝터 효과를 높일 수 있게 되어 반응부산물 가스의 흐름은 더욱 가속화된다.

이처럼 본 발명에 의한 질소가스 이젝터 장치(100)에 의해 고온의 질소가스가 반응부산물에 분사되어 혼합되면 반응부산물 가스의 고형화로 인한 배관의 막힘을 효과적으로 방지할 수 있다.

계속해서, 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명한다.

도 6 및 도 7은 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명하기 위한 참조단면도이다.

도시된 바와 같이, 변형실시예에 의한 본 발명에서는 상기 볼(130)이 고정된 형태로 지지되지 않고, 후단부가 압축스프링(136)에 의해 진퇴 가능하도록 지지되도록 구성된다.

이같은 구성에 의하면 반응부산물의 흐름속도에 따라 상기 볼(130)이 유동적으로 진퇴하면서 상기 틈새통로(135)의 크기를 변화시킬 수 있게 된다. 예컨대, 도 6은 상기 볼(130)이 상대적으로 전진하여 틈새통로(135)가 좁아진 경우이고, 도 7은 상기 볼(130)이 상대적으로 후퇴하여 틈새통로(135)가 확대된 경우이다.

이같은 변형실시예에서는 변형전 실시예의 제1지지부재(131)를 대신하여 압축스프링(136)으로 구비되는 것을 제외하면, 제2지지부재(137)을 포함한 나머지 구성은 대동소이하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.

계속해서, 또 다른 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명한다.

도 8은 또 다른 변형실시예에 의한 본 발명의 구성을 설명하기 위한 참조단면도이다.

도시된 바와 같이, 또 다른 변형실시예에 의한 본 발명에서는 상기 볼(130)을 대신하여 원통형의 부재(131-2)가 감압부재로 구비되어 고정 설치된 것을 특징으로 한다.

이같은 원통형의 부재(131-2)는 내부가 완전히 뚫려 있으므로 반응부산물 가스의 원활한 흐름은 방해하지 않으면서도 틈새통로(135)를 형성할 수 있기 때문에 분사노즐(121)에서의 질소가스의 분사압력은 극대화할 수 있는 것이다. 또한, 상기 원통형 부재(131-2)는 표면이 유선형인 볼(130)과는 달리 일시적인 난기류를 형성시켜 질소가스와 반응부산물 가스의 혼합이 더욱 원활하게 이루어질 수 있게 한다. 따라서, 이같이 원통형의 부재(131-2)를 구비하는 또 다른 변형실시예의 경우 변형전 실시예와 비교하여 반응부산물 가스의 적체가 염려되는 경우 선택적으로 실시할 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.

100a : 본체 100b, 100c : 플랜지배관
110 : 벤츄리관 110a : 유입측 축소부
110b : 중간부 110c : 유출측 확대부
120 : 중간챔버 121 : 분사노즐
130 : 볼 131 : 제1지지부재
132, 137 : 제2지지부재 135 : 틈새통로
136 : 압축스프링

Claims (7)

1. 반도체 제조시 발생되는 반응부산물 가스로 인한 배관의 막힘 현상을 방지하기 위하여 반응부산물 가스가 이송되는 이송배관에 연결되어 가열된 질소가스를 분사하는 질소가스 이젝터장치로서,
   반응부산물 가스의 유입측으로부터 내경이 점차 줄었다가 유출측에서 내경이 점차 확대되는 벤츄리관과;
   상기 벤츄리관의 유출측 중 내경이 확대되기 시작하는 부위인 중간부 인근에서 지지된 상태로 중심부를 막아 흐름통로를 벤츄리관 내벽 주변으로 더욱 좁힌 틈새통로를 형성하도록 설치되어, 상기 틈새통로를 지나는 반응부산물 가스의 유속이 상기 벤츄리관의 중간부보다 더욱 증가하도록 하여 압력 감소를 유도하는 감압부재와;
   상기 벤츄리관 유출측의 틈새통로에 질소가스를 분사하는 분사노즐을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 감압부재는 상기 유출측 중심부를 막아 상기 틈새통로를 형성하도록 설치된 구형의 볼이며, 상기 볼은 변위되지 않도록 고정 설치된 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 감압부재는 상기 유출측 중심부를 막아 상기 틈새통로를 형성하도록 설치된 구형의 볼이며, 상기 볼은 후단부가 압축스프링에 의해 지지되어 반응부산물 가스의 흐름에 따라 진퇴하면서 상기 틈새통로의 크기를 변화시킬 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 감압부재는 상기 유출측 중심부에 설치되어 상기 틈새통로를 형성하되, 상기 중심부를 통한 반응부산물 가스의 흐름은 허용하도록 한 원통형의 부재인 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 벤츄리관의 내경이 축소되었다가 확대되기 시작하는 부위에 내경이 갑자기 확대된 형태의 단차를 두고 상기 분사노즐은 상기 단차부위에 설치되어 분사방향이 상기 반응부산물 가스의 흐름방향과 일치되도록 한 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
6. 제5항에 있어서,
   상기 벤츄리관의 외측에서 원주방향을 따라 형성되어 외부로부터 질소가스가 유입되도록 한 중간챔버를 구비하고, 상기 분사노즐은 상기 중간챔버로부터 질소가스를 공급받아 상기 벤츄리관 내측에서 질소가스를 분사할 수 있도록 원주방향을 따라 복수개가 구비된 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.
7. 제1항에 있어서,
   반응부산물이 이송되는 이송배관과의 연결을 위해 상기 벤츄리관 전후에 각각 연결되는 플랜지배관을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 질소가스 이젝터장치.

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